JPH0327577A - 発光ダイオ―ドアレイ - Google Patents

発光ダイオ―ドアレイ

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JPH0327577A
JPH0327577A JP1161791A JP16179189A JPH0327577A JP H0327577 A JPH0327577 A JP H0327577A JP 1161791 A JP1161791 A JP 1161791A JP 16179189 A JP16179189 A JP 16179189A JP H0327577 A JPH0327577 A JP H0327577A
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layer
electrode
emitting diode
superlattice
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利郎 早川
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Eastman Kodak Japan Ltd
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は発光ダイオードアレイ、特に複数の発光ダイオ
ードが同一基板上に密接配設され光学プリンタの印字光
源等に用いられるヘテロ接合型発光ダイオードアレイに
関する。
［従来の技術］ 複数のｐｎ接合あるいはｐｉｎ接合発光ダイオドが同一
基板上に密接に配設されてなる発光ダイオードアレイは
、各発光ダイオードを電気的に制御することにより比較
的容易に画像情報等を処理することができる利点を有し
ており、このためその改良と共に種々の応用が考えられ
ている。
例えば、情報の出力機器としてのプリンタにおいては、
近年の情報化社会の到来に伴ない情報量の増大だけでな
く取扱う情報の質も文書のみからグラフ、図、写真等の
画像情報を含むものへと変化してきていることに対応す
べくより高速、高密度化が要求されているが、この課題
を解決すべく発光ダイオードアレイを光源として用いる
ことが考えられている。
すなわち、ノンインパクトな光学プリンタとしては、光
源にレーザを用いたレーザプリンタ及び光源に発光ダイ
オードアレイを用いたＬＥＤプリンタが知られているが
、レーザプリンタではレザビームの走査に回動可能なポ
リゴンミラー等の機楓的な機横とこれに対応した煩雑な
光学系を必要とするのに対し、ＬＥＤプリンタでは複数
の発光ダイオードからなる発光ダイオードアレイの各発
光ダイオード（以下発光エレメントという）を電気的に
？ｌｉｌＪ御して駆動すれば良く、このため機城的な動
作部が不要で簡単な等倍率アレイレンズを光学系に用い
れば良く、レーザプリンタに比べて小型、高速かつ高信
頼化が可能となっている。
第５図に従来のＬＥＤプリンタ用発光ダイオドアレイの
断向図を示す。なお、簡略化のため、２個の発光エレメ
ントのみ図示してある。
図において、各発光エレメン１・はｎ−ＧａＡｓ基板１
０上にｎ−ＧａＡｓＰ層４１４（約５０μｍ厚）をＶＰ
Ｅ法により積層し、さらにＳｉＮ膜１８をマスクとして
Ｚｎ板散を行い島状のＺｎ拡散領域４２０（厚さ約１．
５μｍ）を形成することにより構成され、ｎ−ＧａＡｓ
Ｐ層４１４とＺｎ拡散領域４２０との界面かＰＮ接合面
となり発光エレメン１・となる。
そして、ｐ−電極２２及びｎ一電極２４を形成し、その
後無反ｆＪＪ　Ｓ　ｉ　Ｎ膜４２６をコーティンクして
発光エレメン１・から離れた頷域でＳｉＮ膜４２６を除
去しｐ一電極２２のボンディングパットが形成される。
このように措或される発光ダイオードアレイにおいては
、発光利料として用いているＧａＡｓＰ層４１４はＧａ
Ａｓ基板１０と格子整合しないために格子欠陥を多く含
んでおり、このため月料自体の不均一性が大きく発光効
率か低い。また、ＰＮ接合か注入効率の低いホモ桜合で
あるため、発光効率の向上は困難である。
このようなホモ接合’４８！ＧａＡｓＰ発光ダイオドア
レイの欠点を改良するために、従来より第６図に示すよ
うなＡｊ！ＧａＡｓシングルヘテロ接合型発光ダイオー
ドアレイか開発されている。
図において、ｐ−ＧａＡｓ２！板３１０上に、ｐ−Ａ，
ｊＧａ Ｏ．２　　０．８ＡＳ層５１４，ｎ Ｏ．５　　　０．５””層５２０、ｎ＋−ＧａＡｊ２　
　　　Ｇａ Ａｓ層５２１が順次ＬＰＥ広て積層されヘテロ接合面を
形成している。そして、ｒｌ−ｆｊ，極３２２及３ ４ びｐ一電極３２４を蒸着しフォトリソグラフイとプラズ
マエッチングを用いてｎ一電極３２２の不要部分を除去
する。
次に、化学エッチングによりｎ＋−ＧａＡｓ層５２１を
選択的にエッチングし、フォトリソグラフイと化学エッ
チングを用いて発光領域を除くｎＡｊ！ＧａＡｓ層５２
０をｒ）Ａｊ！ＧａＡｓ層５１４に１μｍ程度以上入る
までエッチングしてメサ形状の発光領域を形成する。そ
して、プラズマＣＶＤにより無反射ＳｉＮ膜４２６をコ
ーティングし、最後に熱処理してｎ一電極３２２及びｐ
電極３２４のオーム接点を形成することによりヘテロ接
合型発光ダイオードアレイが形成される。
このヘテロ接合型発光ダイオードアレイは単体の高輝度
ＬＥＤ素子に用いられている構造をアレイ化したもので
あり、ｐ−ＡＪＧａＡｓ層５１４とｎ−ＡｊｊＧａＡｓ
層５２０とのヘテロ接合により注入効率を向上させると
共に発光層であるｐＡｊ！ＧａＡｓ層５１４からの発光
波長約７２００ｍに対して透明となるｎ−ＡｊｊＧａＡ
ｓ層５２０を用いて自己吸収による光強度の減衰を防ぎ
、第５図に示した発光ダイオードアレイに比べて数倍以
上の発光効率を得ることができる。
［発明が解訣しようとする課題コ しかしながら、上記従来のヘテロ接合型発光ダイオード
アレイには幾つかの問題があった。周知のごとく、同一
基板上に複数の発光エレメン１・が密接配置してなる発
光ダイオードにおいては、単体の発光ダイオードと異な
り以下の課題を達成することが必要となる。
（イ）隣り合う発光エレメントの電極やＳｉＮ誘電体膜
のエッジ部での反射や散乱による特性低下を防止するた
めの各発光エレメン１・間の光のクロストークの低減。
（ロ）各発光エレメント間の特性のバラッキの低減。
前述したように、従来のヘテロ接合型発光ダイオードア
レイにおいては発光効串を向上ずべ（　ｎ／５ｇＧａＡ
ｓ層５２０を透明な窓に用いている。
従って課題（イ）の隣接する発光エレメント間の５ ６ クロストークを低減するためには各発光エレメント間の
ｎ−Ａｊ２ＧａＡｓ層５２０を完全に除去するエッチン
グプロセスが不可欠となり、作製プロセスの煩雑化を招
くとともに、このエッチングの不均一により発光エレメ
ント間の特性のバラツキが大きくなってしまい、課題（
口）を達成することか出来ず印刷品質の向上を図ること
が困難であった。
本発明は上記捉来の課題に鑑みなされたものであり、そ
の１」的は高発光効率かつ高均一性を有するヘテロ接合
型発光ダイオードアレイを提供することにある。
［課題を解決するための手段］ 上記目的を達威するために、本発明は越板上の所望位置
に複数の発光ダイオードが形威されてなる発光ダイオー
ドアレイにおいて、前記発光ダイオードの接合面をエネ
ルギーギャップの異なる複数種類の半導体層を交互に積
層してなる超格子層と、前記超格子層の一部に不純物を
トープすることにより形戊され、前記超格子層より大な
るエネルギーギャップを有する半導体層との界面で形成
したことを特徴としている。
［作用］ エネルギーギャップの異なる複数種類の半導体層を交互
に積層した超格子層は、半導体層か混在した場合に比べ
てその等価的エネルギーギャップが量子効果により小さ
くなることが知られている。
そこで、この超格子層を発光層とし、この層の一部に不
純物をドープすることにより超格子ＪＲ逍を無秩序化す
るとともにその導電型をｐ型（あるいはｉ型）からｎ型
へ、あるいはｎ型あるいはｉ型）からｐ型へと変化させ
る。
すると、不純物がドープされていない超格子層と不純物
がドープされた混在層とはその界面てヘテロ接合及びｐ
ｎ接合あるいはｐｉｎ接合を形成し、かつこの混在層は
発光層である趣格子層に比べてエネルギーギャップが大
きいので発光層からの光を吸収しない窓となり、高発光
効率がｌｉｌＪ能となる。
また、窓となるこの混在層は超格子層の一部に７ ８ 形成されてヘテロ接合部を構成するので発光エレメン１
・間には元より存在せず、従って従来のようにエッチン
グする必要がなく、光のクロストークが少なく均一性に
も優れた発光ダイオードアレイが可能となる。
［実施例］ 以下、図面を用いながら本発明にかかる発光ダイオード
アレイの好適な実施例を説明する。
沁１図は本発明の第１丈施例のＡＪｊＧａＡＳ系発光ダ
イオードアレイの断面図である。なお、簡略化のため２
個の発光エレメントのみ示してある。
図において、ｎ−Ｇａ．ＡＳ越板１０（Ｓｉ−２×１０
１８ｃｍ−３）上にｎ−ＧａＡｓバッファ層１２　（０
．２ｕｍ厚、Ｓｉ＝ＩＸ１０１８Ｃｍ　３）、ｎ一超格
子層１４　（３．５μｍ厚、Ｓｉ＝８Ｘ１０１７ｃｍ−
３）及びｎ−ＧａＡｓ保護層１６（５０Ｘ厚、Ｓｉ＝８
Ｘ１０１７ｃｍ　　３）がＭ　Ｂ　Ｅ　（Ｍｏｌｅｃｕ
ｌａｒ　Ｂｅａｍ　Ｅｐｉｔａｘｙ）法により順次積雇
される。ここで、ｎ一超格子雇１４は”０．１４　　　
０．８６Ａｓ超薄膜（ＩＧａ ＯＯ大）とＡｊｉ　　　　Ｇａ　　　　Ａｓ超薄膜（１
０．７　　　　０．３ ５０入）を交互に１４０周期積層したものであり、この
ときの発光波長は約７８０ｎｍである。
そして、ＳｉＮ膜１８をマスクとして不純物のＺｎをド
ープし拡散させ（深さ１，５μ］ｎ）、超格子構造を破
壊して無秩序化し、島状のｐ−拡散混在領域２０を形戒
する。同時に、このｐ一拡散混在領域２０とｎ一超柊子
層１４との界面かｐｎシングルヘテロ接合面を形成し発
光エレメン１・となる。
ｐ一拡散混在領域２０を形成した後、ｐ一電極２２（Ａ
，１２）及びｎ一電極２　４　（ＡｕＧｅ／Ｎ　ｉ／　
Ａ　ｕ　）を蒸着し、フォトリソグラフィを用いてｐ一
電極を各発光エレメント毎に所望の形状にパターン化し
ておく。
さらに、ＳｉＯＮ膜２６で無反射コーティングを行い、
発光エレメントから所定距離離れた領域でＳｉＯＮ膜２
６を除去しｐ一電極２２のボンディングパッドを形成す
る。最後に４５０℃、５分の熱処理を行ってｐ−電極２
２及びｎ−電極２４１０ のオーム接点を形成する。
本実施例のＡｊｊＧａＡｓ系発光ダイオードアレイは以
上のようなプロセスで作製され、Ｚｎ拡散により無秩序
化されたｐ一拡散混在領域２０の組成はＡＪ！　０．　
　４　７　ｃ　ａ　ｏ．　　５　２　Ａ　Ｓとなり、ｎ
−超格子層１４より大きいエネルギーギャップを有する
ので、ｎ一超格子層１４からの発光波長約７８０ｎｍの
光に対して透明な窓として機能する。
従って、ｎ一超格子領域１４から発光した光を自己吸収
することなく、発光効率を向上させることができる。
また、本実施例における窓層てあるｐ一拡散混在領域２
０は隣接する発光エレメント間には存在しないので、従
来のようにこれを除夫ずるエッチングプロセスが不要と
なり、均一性に優れた発光ダイオードアレイとなる。
さらに、本実施例においては隣接する発光エレメント間
はｎ一超格子ＷＡ１４で結合されており、この層の自己
吸収により光のクロストークを効果的に低減することが
できる。
なお、本実施例におけるｎ−ＧａＡｓ保護層１６はＺｎ
拡散に伴なうＡＪ！ＧａＡｓ層の表面粗れ及び表面酸化
を防止するための層であり、必藍に応じこの層は形成し
なくても良い。
第２図は本発明の第２実施例のＡｊ！Ｇａ　Ｉ　ｎＰ系
発光ダイオードアレイの断面図である。なお、簡略化の
ため２個の発光エレメン１・のみ図示してある。
図において、ｎ−ＧａＡｓ基板１０（Ｓｉ＝２×１０１
８ｃｍ−３）上にｎ−ＧａＡｓバッファ層１１２　（０
．３ｔｔｍ厚、Ｓｅ＝ＩＸｉ　０　１”Ｃｍ　３）、ｎ
一超格子層１　１　４　（３．　　５，ｃｚｍ厚、Ｓｅ
＝７ＸＩＱ１７ｃｍ−３）及びｎ　　ＧａＡｓ保護層１
１６がＭ　Ｏ　Ｃ　Ｖ　Ｄ　（Ｍｅｔａｌ　Ｏｒｇａｎ
ｉｃＣｈｅｍｉｃａｌ　Ｖａｐｏｒ　Ｄｅｐｏｓｉｔｉ
ｏｎ　）法により順次積層される。ここで、ｎ一超格子
層１１４は０．５　　　０．５Ｐ超薄膜（１２０入厚）
とＧａ　　　　Ｉｎ Ｏ．５　　　０．５Ｐ超薄膜（１６０大厚）をＡＪｊ　
　　　Ｉｎ 交互に１２５周期積層したものであり、このときの発光
波長は約６６０ｎｍである。
１１ １２ そして、ＳｉＮ膜１８をマスクとして不純物のＺｎをド
ープし拡散させ（深さ１．５μｍ）、超格子構造を破壊
して無秩序化し、島状のｐ一拡散混在領域１２０を形成
する。同時に、このｐ一拡散混在領域１２０とｎ一超格
子層１１４とのＷ面がｐｎシングルヘテロ接合面を形成
し発光エレメントとなる。
ｐ一拡散混在領域１２０を形威した後、ｐ一電極２２（
ＡＡ）及びｎ一電極２４（ＡｕＧｅ／Ｎｉ／Ａｕ）を蒸
着し、フォトリソグラフィを用いてｐ−ｆ’ｓ極２２を
各発光エレメント毎に所望の形状にパターン化しておく
。
次に、ＳＬＯＮ膜２６で無反射コーティングを行い、発
光エレメントから所定距離離れた領域でＳｉＯＮＩｌ％
２６を除去しｐ一電極２２のボンディングパッドを形成
する。最後に４５０℃、５分の熱処理を行ってｐ一電極
２２及びｎ一電極２４のオーム接点を形成する′。
本実施例のＡＩ！ＧａｌｎＰ系発光ダイオードアレイは
、以上のようなプロセスで作製され、Ｚｎ拡散によりａ
Ｃ秩序化されたｐ一拡散混在領域１２０の組成は”０．
５７１　　　０．４２９）Ｇａ ０．５Ｉｎ０．５Ｐとなり、ｎ一超格子層１１４より大
きいエネルギーギャップを有するので、ｎ超格子層１１
４からの発光波長約６６０ｎｍの光に対して透明な窓と
して機能する。従って、ｎ−超格子領域１１４から発光
した光を自己吸収することなく、発光効率を向上させる
ことができる。
また、本実施例における窓層であるｐ一拡散混在領域１
２０は隣接する発光エレメント間には存在しないので、
従来のようにこれを除失するエッチングプロセスが不要
となり、均一性に優れた発光ダイオードアレイとなる。
さらに、本実施例においては隣接する発光エレメン１・
間はｎ一超格子層１１４で結合されており、この層の自
己吸収により光のクロス１・−クを効果的に低減するこ
とができる。
なお、本実施例におけるｎ−ＧａＡｓ保訛層１６も前述
の第１実施例と同様にＺｎ拡散に伴なうＡｊｉＧａ　Ｉ
　ｎＰ層の表面あれ及び表面酸化を防１３ １４ 止するための層であり、必要に応じこの層は形成しなく
ても良い。
第３図は本発明の第３実施例のＡＩＧａｌｎＡｓＰ系発
光ダイオードアレイの断面図である。なお、簡略化のた
め２個の発光エレメントのみ図示してある。
図において、ｎ−ＧａＡｓ基板１０（Ｓｉ−２ＸＩＯ”
’ｃｍ　　”）上にｎ−ＧａＡｓ層２１２（０．２μｍ
厚、Ｓｉ＝ＩＸ１０１８ｃｍ−３）、ｎ−ＧａＡｓＰグ
レーデッドバッフ７層２１３（０．４ｕｍ厚、Ｓｉ＝Ｉ
Ｘ１０１８ｃｍ−３）及びｎ一超柊子層２１４　（３．
５ａｍ厚、Ｓｉ−７Ｘ１０１７ｃｍ−３）が金属■族原
料及びＡｓＨ　とＰ　Ｈ　ａを■族原料として用いたＧ
ＳＭＢＥ３ （Ｇａｓ−Ｓｏｕｒｃｅ　ＭＢＥ）法により順次積層さ
れる。ここで、ｎ一超格子層２１４はＧ　ａ　Ａ　ｓ　
ｏ　．　　ｓＰ　　　超薄膜（１００入厚）と”０．７
１０．４ Ｉ　ｎ　０．　　２　９　Ｐ超薄膜（１５０λ厚）を交
互に１４０周期積層したものであり、このときの発光波
長は約６５０ｎｍである。
そして、ＳｉＮ膜１８をマスクとして不純物のＺｎをド
ープし拡散させ（深さ１．５μｍ）、超格子構造を破壊
して魚秩序化し、島状のｐ一拡散混在領域２２０を形戊
する。同時に、このｐ一拡散混在領域２２０とｎ一超格
子層２１４との界面がｐｎシングルヘテロ接合面を形成
し発光エレメントとなる。
ｐ一拡散混在領域２２０を形成した後、ｐ−電極２２（
１）及びｎ一電極２４（ＡｕＧｅ／Ｎｉ　／　Ａ　ｕ　
）を蒸着し、フォトリソグラフィを用いてｐ一電極２２
を各発光エレメン１・毎に所望の形状にパターン化して
おく。
次に、ＳｉＯＮ膜２６で無反ＪＩＪコーティングを行い
、発光エレメントから所定距離離れた領域でＳｉＯＮ膜
２６を除去しｐ−電極２２のボンディングパッドを形成
する。最後に４　５　０　℃、５分の熱処理を行ってｐ
−電極２２及びｎ一電極２４のオーム接点を形成する。
本実施例のＡＪ！ＧａＩｎＡｓＰ系発光ダイオドアレイ
は以上のようなプロセスで作製され、Ｚ１５ １６ ｎ拡散により無秩序化されたｐ一拡散混在領域２２０の
組成は（Ａ’０．５１６　　　０．４８４）Ｇａ Ｏ．８２６　　　０．１７４Ａ８０．２４ＰＯ．７Ｉｎ ６となり、発光波長約６５０ｎｍに対して透明な窓とし
て機能する。従って、超格子領域から発光した光をｒ１
己吸収することなく、発光効早を向上させることができ
る。
また、本実施例における窓層であるｐ一拡散混在領域２
２０は隣接する発光エレメント間には存７１ＥＬないの
で、従来のようにこれを除去するエッチングプロセスが
不要となり、均一性に優れた発光ダイオードアレイとな
る。
さらに、本実施例においては隣接する発光エレメント間
はｎ一超格子層２１４で桔合されており、この層の自己
吸収により光のクロストークを効果的に低減することが
できる。
なお、本実施例においてはＧａＡｓｉ板１０と格子不整
合性のあるＧａＡｓＰを発光利料として用いているが、
ｎ−ＧａＡｓＰグレーデッドバッファ層２１３により拮
品性の改善が図られており、発光効率の低下を防ぐこと
ができる。
第４図は本発明の地４実施例のＡｊ！ＧａＡｓ系発光ダ
イオードアレイの断面図である。なお、簡略化のため２
個の発光エレメントのみ図示してある。
図において、ｐ−ＧａＡｓ基板３１０（Ｚｎ一３Ｘ１０
”’ｃｍ−３）上にｐ−ＧａＡｓ層３１２　（０．２μ
ｍ厚、Ｂｅ＝ＩＸ１０１８ｃｍ−３）、ｐ一超格子層３
１３　（１．０μｍ厚、Ｂｅ＝ＩＸ１０１８ｃｍ−３）
及びアンドープ超格子層３１４　（１．５，ｃｚｍ厚）
がＭＢＥ層により順次積層される。ここで、超格子層３
１３，３１４は”０．１４　　　０．８６Ａｓ超薄膜（
１００ａ Ｏ大厚）とＡ　，Ｉ！　ｏ　．　　−ｔ　　　ｏ　．　
　３Ａ　Ｓ超薄膜（ｌＧａ ５０大厚）を交互に６０周期積層したものである。
そして、ＳｉＮ膜１８をマスクとして不純物のＳｉをド
ープし拡散させ（深さ１．０４ｍ）、超格子構造を破壊
して無秩序化し、晶状のｎ一拡散混在領域３２０を形成
する。同時に、このｎ一拡散混在領域３２０とｌ−超格
子層３１４及びｐ１７ １８ 超格子層３１３とでｎｉｐシングルヘテロ接合面を形成
し発光エレメントとなる。
ｎ一拡散混在領域３２０を形成した後、ｎ−電極３２２
（Ａ，！！）及びｐ一電極３２４（ＡｕＺｎ／　Ａ　ｕ
　）を蒸着し、フォトリソグラフィを用いてｎ一電極３
２２を各発光エレメント毎に所望の形状にパターン化し
ておく。
次に、ＳｉＯＮ膜２６で無反射コーティングを行い、発
光エレメントから所定距離離れた領域でＳｉＯＮ膜２６
を除去しｎ一電極３２２のボンディングパッドを形成す
る。最後に４５０℃、５分の熱処理を行ってｎ一電極３
２２及びｐ一電極３２４のオーム接点を形成する。
本実施例においては、ｎｉｐ接合の形成によりｎ一拡散
混在領域３２０から注入されたキャリア電子はｐ一超格
子層３１３に向かうために、発光領域はアンドープｉ一
超格子層３１４のｎ一拡散混在領域３２０の直下部分と
なり、従って拡散長の大きい電子をキャリアとして注入
する場合でも水平方向へのキャリアの拡がりによる発光
領域のほけを低減することができる。
以上述べた各実施例においては、ＡＪ７ＧａＡｓ，ＡＪ
：Ｇａ　Ｉ　ｎＰ，ＡｊｉＧａ　Ｉ　ｎＡｓＰ等の特定
の組成及び膜厚からなる発光ダイオードアレイについて
説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、
他の半導体材料、例えばＧａ　Ｉ　ｎＡｓＰ，ＧａＡＪ
！　Ｉ　ｎＰ，　ＡＪ！Ｇａ　ＩｎＡｓ，ＡＪ！ＧａＡ
ｓＳｂ等を所望の組成、所望の膜厚で用いることもでき
る。
また、各実施例では基板状に半導体層を積層する方法と
してＭＢＥ法、ＭＯＣＶＤ法及びＧＳＭＢＥ法を用いた
が、本発明の発光ダイオードアレイはこれらの戊長法の
他にも■族原料に有機金属ガスを用いたＣ　Ｂ　Ｅ　（
ＣＩ＋ｅｍｉｃａｌ　Ｂｅａｍ　ｌＥｐｉｔａｘｙ　）
法等の結晶成長法を用いて作製することができる。
さらに、各実施例では不純物としてＺｎあるいはＳ１を
ドープし拡散させることにより超格子構造を破壊し無秩
序化を行ったが、これ以外の拡散種やイオン注入とアニ
ーリングを組み合わせることにより無秩序化と導電型の
変換を同時に行うこ１９ ２０ ともできる。
［発明の効果］ 以上説明したように、本発明によれば隣接する発光エレ
メント間のクロストークの少ない、かつ高均一性を有す
る高発光効率の発光ダイオードアレイを得ることができ
る。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明に係る発光ダイオードアレイの第１実施
例の断面図、 第２図は第２実施例の断面図、 第３図は第３実施例の断面図、 第４図は第４実施例の断面図、 第５図は従来のホモ接合型発光ダイオードアレイの断面
図、 第６図は従来のヘテロ接合型発光ダイオードアレイの断
面図である。 １０　　−−−　　ｎ−ＧａＡｓｄ板 １４　・・・　ｎ一超格子層 ２０　・・・　ｐ一拡散混在領域 ２２　・・・　ｎ一電極 ２　４　　・・・ １　１　４・・ １　２　０・・・ ２　１　４・・・ ２２０・・・ ３　１　３・・・ ３　１　４・・・ ３２０・・・

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 基板上の所望位置に複数の発光ダイオードが配設されて
    なる発光ダイオードアレイにおいて、前記発光ダイオー
    ドのヘテロ接合面を、 エネルギーギャップの異なる複数種類の半導体層を交互
    に積層してなる超格子層と、 前記超格子層の一部に不純物をドープすることにより形
    成され、前記超格子層より大なるエネルギーギャップを
    有する半導体層と、 の界面で形成したことを特徴とする発光ダイオードアレ
    イ。
JP1161791A 1989-06-23 1989-06-23 発光ダイオ―ドアレイ Pending JPH0327577A (ja)

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