JP2001332805A - ２波長レーザーダイオード及びその製造方法 - Google Patents
２波長レーザーダイオード及びその製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 半導体レーザーパッケージを一個に集約して
一個のビーム路を形成し、二個のレーザーに各々形成さ
れる発光点の間隙を狭めることは勿論、位置誤差を最小
化する2波長レーザーダイオードを提供することにあ
る。 【解決手段】 本発明はサブマウント(100)と、前記サ
ブマウント(100)の上側に形成された第1波長のビームを
放出する第1レーザーダイオード(110)と、前記第1レー
ザーダイオード(110)の上側に形成された第2波長のビー
ムを放出する第2レーザーダイオード(120)とを備えたこ
とを特徴とする。
一個のビーム路を形成し、二個のレーザーに各々形成さ
れる発光点の間隙を狭めることは勿論、位置誤差を最小
化する2波長レーザーダイオードを提供することにあ
る。 【解決手段】 本発明はサブマウント(100)と、前記サ
ブマウント(100)の上側に形成された第1波長のビームを
放出する第1レーザーダイオード(110)と、前記第1レー
ザーダイオード(110)の上側に形成された第2波長のビー
ムを放出する第2レーザーダイオード(120)とを備えたこ
とを特徴とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は二つの波長のビーム
を放出するレーザーダイオードに関するものとして殊
に、長波長のビームを放出するレーザーダイオード(LD:
Laser Diode)と短波長のビームを放出するレーザーダイ
オードとをサブマウントの上側に順次に積層し、レーザ
ーダイオードのビームを放出する発光点の間隙と位置誤
差とを最小化せしめる2波長レーザーダイオードに関す
るものである。
を放出するレーザーダイオードに関するものとして殊
に、長波長のビームを放出するレーザーダイオード(LD:
Laser Diode)と短波長のビームを放出するレーザーダイ
オードとをサブマウントの上側に順次に積層し、レーザ
ーダイオードのビームを放出する発光点の間隙と位置誤
差とを最小化せしめる2波長レーザーダイオードに関す
るものである。
【０００２】
【従来の技術】一般的にCD(Compact Disk)に用いるレー
ザービームとしては約780nm程の波長を有する赤外線ビ
ームが使用され、DVD(Digital Video Disk)に用いるレ
ーザービームは赤色を呈する可視光線で650nm程の波長
を有する。
ザービームとしては約780nm程の波長を有する赤外線ビ
ームが使用され、DVD(Digital Video Disk)に用いるレ
ーザービームは赤色を呈する可視光線で650nm程の波長
を有する。
【０００３】前記DVD-ROM及びCD-ROMディスクを再生す
るレーザービームを放出する為には図４（Ａ）及び
（Ｂ）に図示のとおり相違する波長のレーザービームを
放出する二個のレーザーダイオードを用いる方法と、二
つの波長を有するレーザービームを放出するレーザーダ
イオードを用いる方法とが採用されている。即ち、図４
（Ａ）に示すように相異なる波長を有する2個のレーザ
ーダイオードを用いる場合は、各々相異なる波長を有す
る2個のレーザーダイオード(710)(720)から放出される
レーザービームをプリズム(740)を介して合流させ、対
物レンズ(730)で焦点を調整してディスク(760)に投射し
て反射させ、前記ディスク(760)から反射された信号を
フォトダイオード(770)において読取る構成から成る。
図４（Ｂ）に示すように二つの波長のレーザービームを
放出するレーザーダイオードを用いる場合には、相異な
る二つの波長を各々放出する半導体レーザーダイオード
(710a)を一体化することにより別途にプリズム(740)の
設置が不要となる構成から成る。
るレーザービームを放出する為には図４（Ａ）及び
（Ｂ）に図示のとおり相違する波長のレーザービームを
放出する二個のレーザーダイオードを用いる方法と、二
つの波長を有するレーザービームを放出するレーザーダ
イオードを用いる方法とが採用されている。即ち、図４
（Ａ）に示すように相異なる波長を有する2個のレーザ
ーダイオードを用いる場合は、各々相異なる波長を有す
る2個のレーザーダイオード(710)(720)から放出される
レーザービームをプリズム(740)を介して合流させ、対
物レンズ(730)で焦点を調整してディスク(760)に投射し
て反射させ、前記ディスク(760)から反射された信号を
フォトダイオード(770)において読取る構成から成る。
図４（Ｂ）に示すように二つの波長のレーザービームを
放出するレーザーダイオードを用いる場合には、相異な
る二つの波長を各々放出する半導体レーザーダイオード
(710a)を一体化することにより別途にプリズム(740)の
設置が不要となる構成から成る。
【０００４】前記のような一つの波長のレーザービーム
を放出するレーザーダイオードは図５におけるように、
接点電極(701)を下部面に形成されたn形GaAs基板(702)
の上部面にn形AlGaInPクラッド層(Cladding Layer)(70
3)を積層し、前記n形AlGaInPクラッド層(703)の上部面
に発光点を設けたInGaP活性層(704)を積層し、前記InGa
P活性層(704)の上部面に接点電極(706)を有するp形InAl
Pクラッド層(705)を積層することによりp-n接合による
レーザーを形成する。
を放出するレーザーダイオードは図５におけるように、
接点電極(701)を下部面に形成されたn形GaAs基板(702)
の上部面にn形AlGaInPクラッド層(Cladding Layer)(70
3)を積層し、前記n形AlGaInPクラッド層(703)の上部面
に発光点を設けたInGaP活性層(704)を積層し、前記InGa
P活性層(704)の上部面に接点電極(706)を有するp形InAl
Pクラッド層(705)を積層することによりp-n接合による
レーザーを形成する。
【０００５】一方、前記二つの波長のレーザービームを
放出するよう2個のレーザーダイオードが一体化される
構成は図６（Ａ）及び（Ｂ）に示すように、モノリシッ
ク型とハイブリッド型に大別できる。かかる技術に係わ
るモノリシック型(Monolithic Type)レーザーダイオー
ドは米国特許第5,999,553号に記載されている。前記モ
ノリシック型レーザーダイオードは図６（Ａ）に図示の
とおり、サブマウント(705)の上部面に付着する相異な
波長のレーザーダイオード(715)(725)を基板(704)の下
部面に集積化してワンチップ化することにより発光点(7
15a)(725a)の間隙の誤差範囲を最小化せしめる。
放出するよう2個のレーザーダイオードが一体化される
構成は図６（Ａ）及び（Ｂ）に示すように、モノリシッ
ク型とハイブリッド型に大別できる。かかる技術に係わ
るモノリシック型(Monolithic Type)レーザーダイオー
ドは米国特許第5,999,553号に記載されている。前記モ
ノリシック型レーザーダイオードは図６（Ａ）に図示の
とおり、サブマウント(705)の上部面に付着する相異な
波長のレーザーダイオード(715)(725)を基板(704)の下
部面に集積化してワンチップ化することにより発光点(7
15a)(725a)の間隙の誤差範囲を最小化せしめる。
【０００６】前記発光点の間隙が充分に小さければ二個
のレーザービームの位置が受光部において一個に集約す
ることができるので、ビームピックアップの原価対製品
比が下がり、従って、発光点の間隙の誤差範囲は作製に
おける重要なパラメーターの一つになる。前記発光点の
間隙の誤差範囲に係わり、該発光点の位置は半導体フォ
トリソグラフィープロセスの加工誤差により決定され、
該発光点(715a)(725a)の高さは結晶成長時の膜厚により
決定され、該発光点の水平方向位置は半導体レーザーの
リッジ(ridge:R１)を作成する位置により決定される。
のレーザービームの位置が受光部において一個に集約す
ることができるので、ビームピックアップの原価対製品
比が下がり、従って、発光点の間隙の誤差範囲は作製に
おける重要なパラメーターの一つになる。前記発光点の
間隙の誤差範囲に係わり、該発光点の位置は半導体フォ
トリソグラフィープロセスの加工誤差により決定され、
該発光点(715a)(725a)の高さは結晶成長時の膜厚により
決定され、該発光点の水平方向位置は半導体レーザーの
リッジ(ridge:R１)を作成する位置により決定される。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記の
ようなモノリシック型は二個のレーザーダイオード(71
5)(725)を同一の基板(704)上に形成してエッチング工程
により電気的に分離するので、一個のレーザー素子に欠
陥が生じると2波長のレーザーダイオード全体に不具合
をもたらし2個のレーザー素子を一つの条件で二回成長
させねばならない為、特性低下の生じる確率が高く原価
対製品比が上昇するとの欠点を抱えている。
ようなモノリシック型は二個のレーザーダイオード(71
5)(725)を同一の基板(704)上に形成してエッチング工程
により電気的に分離するので、一個のレーザー素子に欠
陥が生じると2波長のレーザーダイオード全体に不具合
をもたらし2個のレーザー素子を一つの条件で二回成長
させねばならない為、特性低下の生じる確率が高く原価
対製品比が上昇するとの欠点を抱えている。
【０００８】一方、ハイブリッド型は図６（Ｂ）に示す
ように基板の上部面に相異なる波長を有するレーザーダ
イオード(715)(725)を離隔して各々形成するので、原価
対製品比を乗じなくてもよく、各発振波長のレーザーダ
イオードはそれぞれ独立に構成され、これをサブマウン
ト(705)に各々実装して2波長レーザーを構成する。
ように基板の上部面に相異なる波長を有するレーザーダ
イオード(715)(725)を離隔して各々形成するので、原価
対製品比を乗じなくてもよく、各発振波長のレーザーダ
イオードはそれぞれ独立に構成され、これをサブマウン
ト(705)に各々実装して2波長レーザーを構成する。
【０００９】しかし、前記のようなハイブリッド型レー
ザーダイオードは両側のレーザーダイオードが離隔する
距離と各発光点がリッジ部(R２)から一定間隙で離隔さ
れねばならないレーザーダイオード(715)(725)の特性
上、発光点(715a)(725a)の間隙が少なくとも150μm以上
(独立的な作用に因るレーザーダイオードの離隔距離に
各レーザーダイオードにおいて特性低下防止の為の発光
点のリッジからの離隔距離を加えた距離)となり分散が
大きくなる傾向がある。このため、半導体の加工が大き
い誤差が分散するのを抑えられるモノリシック型に比べ
て発光点の間隙が大きく、サブマウント(Submount)の上
側にダイオードを実装する際に機械的な誤差により分散
が生じることになる。更に、発光点の間隙の分散が大き
くなると2個のフォトダイオードを要するので、ビーム
ピックアップの原価対製品比が上昇して受光素子側にお
いても別途の調整部品等を要するという諸問題を抱えて
いる。
ザーダイオードは両側のレーザーダイオードが離隔する
距離と各発光点がリッジ部(R２)から一定間隙で離隔さ
れねばならないレーザーダイオード(715)(725)の特性
上、発光点(715a)(725a)の間隙が少なくとも150μm以上
(独立的な作用に因るレーザーダイオードの離隔距離に
各レーザーダイオードにおいて特性低下防止の為の発光
点のリッジからの離隔距離を加えた距離)となり分散が
大きくなる傾向がある。このため、半導体の加工が大き
い誤差が分散するのを抑えられるモノリシック型に比べ
て発光点の間隙が大きく、サブマウント(Submount)の上
側にダイオードを実装する際に機械的な誤差により分散
が生じることになる。更に、発光点の間隙の分散が大き
くなると2個のフォトダイオードを要するので、ビーム
ピックアップの原価対製品比が上昇して受光素子側にお
いても別途の調整部品等を要するという諸問題を抱えて
いる。
【００１０】本発明は前記のような従来の諸問題を改善
する為になされたもので、その目的は、半導体レーザー
パッケージを一個に集約して一個のビーム路を形成し、
二個のレーザーに各々形成される発光点の間隙を狭める
ことは勿論、位置誤差を最小化する2波長レーザーダイ
オードを提供することにある。
する為になされたもので、その目的は、半導体レーザー
パッケージを一個に集約して一個のビーム路を形成し、
二個のレーザーに各々形成される発光点の間隙を狭める
ことは勿論、位置誤差を最小化する2波長レーザーダイ
オードを提供することにある。
【００１１】本発明の他の目的は、別途のエッチング工
程を用いないで二個のレーザーダイオードを積層する簡
易な構成で作製が容易に為される2波長レーザーダイオ
ードを提供することにある。
程を用いないで二個のレーザーダイオードを積層する簡
易な構成で作製が容易に為される2波長レーザーダイオ
ードを提供することにある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】前記目的を成し遂げる為
の技術的な手段として本発明は、サブマウント(100)
と、前記サブマウント(100)の上側に形成された第1波長
のビームを放出する第1レーザーダイオード(110)と、前
記第1レーザーダイオード(110)の上側に形成された第2
波長のビームを放出する第2レーザーダイオード(120)と
を備えたことを特徴とする2波長レーザーダイオードを
具備することから成る。前記第1レーザーダイオード(11
0)は、a)n形第1基板(440)と、b)前記n形第1基板(440)の
下部面に形成されたn形第1クラッド層(250)と、c)前記n
形第1クラッド層(250)の下部面に形成された第1発光点
(160)を有する第1活性層(240)と、d)前記第1活性層(24
0)の下部面に順次に形成されたp形第2クラッド層(220)
及びn形第1電流ブロック層(230)と、e)前記第1電流ブロ
ック層(230)の下部面に形成されたp形第1キャップ層(21
0)とを備えたことが好ましい。前記第2レーザーダイオ
ード(120)は、a)n形第2基板(300)と、b)前記n形第2基板
(300)の下部面に形成されたn形第3クラッド層(310)と、
c)前記n形第3クラッド層(310)の下部面に形成された第2
発光点(170)を有する第2活性層(330)と、d)前記第2活性
層(330)の下部面に順次に形成されたp形第4クラッド層
(340)及びn形第2電流ブロック層(320)と、e)前記第2電
流ブロック層(320)の下部面に形成されたp形第2キャッ
プ層(350)とを備えたことが好ましい。前記第1波長は65
0nmで、前記第2波長は780nmであることが好ましい。
の技術的な手段として本発明は、サブマウント(100)
と、前記サブマウント(100)の上側に形成された第1波長
のビームを放出する第1レーザーダイオード(110)と、前
記第1レーザーダイオード(110)の上側に形成された第2
波長のビームを放出する第2レーザーダイオード(120)と
を備えたことを特徴とする2波長レーザーダイオードを
具備することから成る。前記第1レーザーダイオード(11
0)は、a)n形第1基板(440)と、b)前記n形第1基板(440)の
下部面に形成されたn形第1クラッド層(250)と、c)前記n
形第1クラッド層(250)の下部面に形成された第1発光点
(160)を有する第1活性層(240)と、d)前記第1活性層(24
0)の下部面に順次に形成されたp形第2クラッド層(220)
及びn形第1電流ブロック層(230)と、e)前記第1電流ブロ
ック層(230)の下部面に形成されたp形第1キャップ層(21
0)とを備えたことが好ましい。前記第2レーザーダイオ
ード(120)は、a)n形第2基板(300)と、b)前記n形第2基板
(300)の下部面に形成されたn形第3クラッド層(310)と、
c)前記n形第3クラッド層(310)の下部面に形成された第2
発光点(170)を有する第2活性層(330)と、d)前記第2活性
層(330)の下部面に順次に形成されたp形第4クラッド層
(340)及びn形第2電流ブロック層(320)と、e)前記第2電
流ブロック層(320)の下部面に形成されたp形第2キャッ
プ層(350)とを備えたことが好ましい。前記第1波長は65
0nmで、前記第2波長は780nmであることが好ましい。
【００１３】更に本発明は、サブマウント(100)と、a)n
形第1基板(440)、b)前記n形第1基板(440)の上部面に積
層されたn形第1クラッド層(250)、c)前記n形第1クラッ
ド層(250)の上部面に形成された第1発光点(160)を有す
る第1活性層(240)、d)前記第1活性層(240)の上部面に積
層されたp形第2クラッド層(220)及びn形第1電流ブロッ
ク層(230)、及びe)前記第1電流ブロック層(230)の上部
面に積層されたp形第1キャップ層(210)を備えて、前記
サブマウント(100)の上部面に形成された短波長のビー
ムを放出する第1レーザーダイオード(110)と、a)n形第2
基板(300)、b)前記n形第2基板(300)の下部面に形成され
たn形第3クラッド層(310)、c)前記n形第3クラッド層(31
0)の下部面に形成された第2発光点(170)を有する第2活
性層(330)、d)前記第2活性層(330)の下部面に順次に形
成されたp形第4クラッド層(340)及びn形第2電流ブロッ
ク層(320)、及びe)前記第2電流ブロック層(320)の下部
面に形成されたp形第2キャップ層(350)を備えて、前記
第1レーザーダイオード(110)の上側に形成された長波長
のビームを放出する第2レーザーダイオード(120)と、前
記第1活性層(240)に電流を供給するよう前記第1キャッ
プ層(210)の上部面と前記第1基板(440)の下部面とに各
々形成された第1及び第2電極(400、410)と、前記第2活性
層(330)に電流を供給するよう前記第2基板(300)の上部
面と前記第2キャップ層(350)の下部面に各々形成された
第3及び第4電極(420、430)と、前記サブマウント(100)の
下部面に形成されたヒートシンク(150)とを備えたこと
を特徴とする2波長レーザーダイオードを具備すること
から成る。前記第2レーザーダイオード(120)の前記n形
第2基板(300)は前記第1レーザーダイオード(110)の第1
キャップ層(210)の上側に形成されることが好ましい。
前記第2レーザーダイオード(120)の前記第2キャップ層
(350)は前記第1レーザーダイオード(110)の第1キャップ
層(210)の上側に形成されることが好ましい。前記第1発
光点(160)と前記第2発光点(170)との間の距離は50〜150
μmであることが好ましい。前記第1発光点(160)と前記
サブマウント(100)との間の距離は3〜50μmであること
が好ましい。前記2波長レーザーダイオードは前記第2レ
ーザーダイオード(120)と第1レーザーダイオード(110)
との間、前記第1レーザーダイオード(110)と前記サブマ
ウント(100)との間、前記サブマウント(100)とヒートシ
ンク(150)との間に形成された複数個の接合層を更に備
えたことが好ましい。前記第1及び第2レーザーダイオー
ド(110,120)の間には前記第1及び第2レーザーダイオー
ド(110,120)を電気的に分離して各々駆動する為の絶縁
膜(200)を更に備えたことが好ましい。前記第1発光点(1
60)及び第2発光点(170)は前記サブマウント(100)の上部
面に対して垂直な同一軸上に位置付けることが好まし
い。
形第1基板(440)、b)前記n形第1基板(440)の上部面に積
層されたn形第1クラッド層(250)、c)前記n形第1クラッ
ド層(250)の上部面に形成された第1発光点(160)を有す
る第1活性層(240)、d)前記第1活性層(240)の上部面に積
層されたp形第2クラッド層(220)及びn形第1電流ブロッ
ク層(230)、及びe)前記第1電流ブロック層(230)の上部
面に積層されたp形第1キャップ層(210)を備えて、前記
サブマウント(100)の上部面に形成された短波長のビー
ムを放出する第1レーザーダイオード(110)と、a)n形第2
基板(300)、b)前記n形第2基板(300)の下部面に形成され
たn形第3クラッド層(310)、c)前記n形第3クラッド層(31
0)の下部面に形成された第2発光点(170)を有する第2活
性層(330)、d)前記第2活性層(330)の下部面に順次に形
成されたp形第4クラッド層(340)及びn形第2電流ブロッ
ク層(320)、及びe)前記第2電流ブロック層(320)の下部
面に形成されたp形第2キャップ層(350)を備えて、前記
第1レーザーダイオード(110)の上側に形成された長波長
のビームを放出する第2レーザーダイオード(120)と、前
記第1活性層(240)に電流を供給するよう前記第1キャッ
プ層(210)の上部面と前記第1基板(440)の下部面とに各
々形成された第1及び第2電極(400、410)と、前記第2活性
層(330)に電流を供給するよう前記第2基板(300)の上部
面と前記第2キャップ層(350)の下部面に各々形成された
第3及び第4電極(420、430)と、前記サブマウント(100)の
下部面に形成されたヒートシンク(150)とを備えたこと
を特徴とする2波長レーザーダイオードを具備すること
から成る。前記第2レーザーダイオード(120)の前記n形
第2基板(300)は前記第1レーザーダイオード(110)の第1
キャップ層(210)の上側に形成されることが好ましい。
前記第2レーザーダイオード(120)の前記第2キャップ層
(350)は前記第1レーザーダイオード(110)の第1キャップ
層(210)の上側に形成されることが好ましい。前記第1発
光点(160)と前記第2発光点(170)との間の距離は50〜150
μmであることが好ましい。前記第1発光点(160)と前記
サブマウント(100)との間の距離は3〜50μmであること
が好ましい。前記2波長レーザーダイオードは前記第2レ
ーザーダイオード(120)と第1レーザーダイオード(110)
との間、前記第1レーザーダイオード(110)と前記サブマ
ウント(100)との間、前記サブマウント(100)とヒートシ
ンク(150)との間に形成された複数個の接合層を更に備
えたことが好ましい。前記第1及び第2レーザーダイオー
ド(110,120)の間には前記第1及び第2レーザーダイオー
ド(110,120)を電気的に分離して各々駆動する為の絶縁
膜(200)を更に備えたことが好ましい。前記第1発光点(1
60)及び第2発光点(170)は前記サブマウント(100)の上部
面に対して垂直な同一軸上に位置付けることが好まし
い。
【００１４】更に本発明はｉ)サブマウント(100)を提供
する段階と、ii)短波長のビームを放出する第1レーザー
ダイオード(110)を形成する段階と、iii)長波長のビー
ムを放出する第2レーザーダイオード(120)を形成する段
階と、iv)前記サブマウント(100)の上部面に第1レーザ
ーダイオード(110)を接合する段階と、ｖ)前記第1レー
ザーダイオード(110)の上部面に第2レーザーダイオード
(120)を接合する段階と、vi)前記サブマウント(100)の
下部面にヒートシンク(150)を接合する段階とを有する
ことを特徴とする2波長レーザーダイオードの製造方法
を具備することから成る。
する段階と、ii)短波長のビームを放出する第1レーザー
ダイオード(110)を形成する段階と、iii)長波長のビー
ムを放出する第2レーザーダイオード(120)を形成する段
階と、iv)前記サブマウント(100)の上部面に第1レーザ
ーダイオード(110)を接合する段階と、ｖ)前記第1レー
ザーダイオード(110)の上部面に第2レーザーダイオード
(120)を接合する段階と、vi)前記サブマウント(100)の
下部面にヒートシンク(150)を接合する段階とを有する
ことを特徴とする2波長レーザーダイオードの製造方法
を具備することから成る。
【００１５】前記iv)サブマウント(100)の上部面に第1
レーザーダイオード(110)を接合する段階と、前記ｖ)第
1レーザーダイオード(110)の上部面に当該第2レーザー
ダイオード(120)を接合する段階と、前記vi)サブマウン
ト(100)の下部面にヒートシンク(150)を接合する段階と
はメタルを用いて行うことが好ましい。前記iv)サブマ
ウント(100)の上部面に第1レーザーダイオード(110)を
接合する段階と、前記ｖ)第1レーザーダイオード(110)
の上部面に第2レーザーダイオード(120)を接合する段階
と、前記vi)サブマウント(100)の下部面にヒートシンク
(150)を接合する段階とはエポキシ樹脂を用いて行うこ
とが好ましい。前記iii)長波長のビームを放出する第2
レーザーダイオード(120)を形成する段階は前記第1レー
ザーダイオード(110)の上部面に絶縁膜(200)を形成する
段階を更に有することが好ましい。
レーザーダイオード(110)を接合する段階と、前記ｖ)第
1レーザーダイオード(110)の上部面に当該第2レーザー
ダイオード(120)を接合する段階と、前記vi)サブマウン
ト(100)の下部面にヒートシンク(150)を接合する段階と
はメタルを用いて行うことが好ましい。前記iv)サブマ
ウント(100)の上部面に第1レーザーダイオード(110)を
接合する段階と、前記ｖ)第1レーザーダイオード(110)
の上部面に第2レーザーダイオード(120)を接合する段階
と、前記vi)サブマウント(100)の下部面にヒートシンク
(150)を接合する段階とはエポキシ樹脂を用いて行うこ
とが好ましい。前記iii)長波長のビームを放出する第2
レーザーダイオード(120)を形成する段階は前記第1レー
ザーダイオード(110)の上部面に絶縁膜(200)を形成する
段階を更に有することが好ましい。
【００１６】
【発明の実施の形態】以下、添付の図面に基づいて本発
明の実施の形態を詳細に説明すれば次のとおりである。
図１は本発明の一実施の形態による2波長レーザーダイ
オードを図示した側面構造図であり、図２は本発明によ
る2波長レーザーダイオードの装着状態を図示した平面
構造図である。
明の実施の形態を詳細に説明すれば次のとおりである。
図１は本発明の一実施の形態による2波長レーザーダイ
オードを図示した側面構造図であり、図２は本発明によ
る2波長レーザーダイオードの装着状態を図示した平面
構造図である。
【００１７】即ち、本発明による2波長レーザーダイオ
ードは短波長のビームを放出するよう形成する第1レー
ザーダイオード(110)と、長波長のビームを放出するよ
う形成する第2レーザーダイオード(120)とをサブマウン
ト(100)の上側に複数の接合手段(140a)(140b)により順
次に積層する構成から成る。前記短波長である650nm波
長のビームを放出するよう形成する第1レーザーダイオ
ード(110)は、N形GaAs第1基板(440)の下部面にn形AlGaI
nP第1クラッド層(250)を積層(形成)し、前記n形第1クラ
ッド層(250)の下部面にInGaP第1活性層(240)を積層(形
成)し、前記第1活性層(240)の下部面にAlGaInP第2クラ
ッド層(220)及びn形GaAs第1電流ブロック層(230)を積層
(形成)する。更に前記第1電流ブロック層(230)の下部面
にはp形GaAs第1キャップ層(210)を積層(形成)し、前記
積層構造により第1活性層(240)に短波長のビームを放出
する第1発光点(160)を形成する。
ードは短波長のビームを放出するよう形成する第1レー
ザーダイオード(110)と、長波長のビームを放出するよ
う形成する第2レーザーダイオード(120)とをサブマウン
ト(100)の上側に複数の接合手段(140a)(140b)により順
次に積層する構成から成る。前記短波長である650nm波
長のビームを放出するよう形成する第1レーザーダイオ
ード(110)は、N形GaAs第1基板(440)の下部面にn形AlGaI
nP第1クラッド層(250)を積層(形成)し、前記n形第1クラ
ッド層(250)の下部面にInGaP第1活性層(240)を積層(形
成)し、前記第1活性層(240)の下部面にAlGaInP第2クラ
ッド層(220)及びn形GaAs第1電流ブロック層(230)を積層
(形成)する。更に前記第1電流ブロック層(230)の下部面
にはp形GaAs第1キャップ層(210)を積層(形成)し、前記
積層構造により第1活性層(240)に短波長のビームを放出
する第1発光点(160)を形成する。
【００１８】前記長波長である780nm波長のビームを放
出するよう形成する第2レーザーダイオード(120)は、N
形GaAs第2基板(300)の下部面にn形AlGaAs第3クラッド層
(310)を積層(形成)し、前記n形第3クラッド層(310)の下
部面にはAlGaAs第2活性層(330)を順次に積層(形成)す
る。前記第2活性層(330)の下部面にはp形AlGaAs第4クラ
ッド層(340)及びn形GaAs第2電流ブロック層(320)を積層
(形成)し、前記第2電流ブロック層(320)にp形GaAs第2キ
ャップ層(350)を一体に積層し、前記積層構造により第2
活性層(330)に長波長のビームを放出する発光点(170)を
形成する。
出するよう形成する第2レーザーダイオード(120)は、N
形GaAs第2基板(300)の下部面にn形AlGaAs第3クラッド層
(310)を積層(形成)し、前記n形第3クラッド層(310)の下
部面にはAlGaAs第2活性層(330)を順次に積層(形成)す
る。前記第2活性層(330)の下部面にはp形AlGaAs第4クラ
ッド層(340)及びn形GaAs第2電流ブロック層(320)を積層
(形成)し、前記第2電流ブロック層(320)にp形GaAs第2キ
ャップ層(350)を一体に積層し、前記積層構造により第2
活性層(330)に長波長のビームを放出する発光点(170)を
形成する。
【００１９】前記短波長のビームを放出する第1活性層
(240)に電流を供給するよう設けられる第1、2電極(400)
(410)は前記第1キャップ層(210)の下部面と第1基板(44
0)の上部面とに各々積層される。前記長波長のビームを
放出する第2活性層(330)に電流を供給するよう設けられ
る第3、4電極(420)(430)は、前記第2基板(300)の上部面
と第2キャップ層(350)の下部面とに各々積層される。
(240)に電流を供給するよう設けられる第1、2電極(400)
(410)は前記第1キャップ層(210)の下部面と第1基板(44
0)の上部面とに各々積層される。前記長波長のビームを
放出する第2活性層(330)に電流を供給するよう設けられ
る第3、4電極(420)(430)は、前記第2基板(300)の上部面
と第2キャップ層(350)の下部面とに各々積層される。
【００２０】更に、前記サブマウント(100)の上部面に
形成されるDVD-ROMディスクの再生の際一般に用いられ
る短波長である650nmの第1レーザーダイオード(110)
と、CD-ROMディスクの再生に用いる長波長である780nm
の第2レーザーダイオード(120)をメタル(AU-SN、SN、I
N)やエポキシ(EPOXY)樹脂から成る接合層(140a)(140b)
により接着する。この場合、前記第1及び第2発光点(16
0)(170)が実質的に前記サブマウント(100)の平面(上部
面)に対して垂直な軸上に位置付けるよう積層接合す
る。この際、前記第1及び第2発光点(160)(170)の離隔範
囲は約50〜150nm程で、これにより、従来のように第1及
び第2発光点(160)(170)の間隙を狭められないために必
要とされる二個のフォトダイオードの如きの別途の調整
部品が不要になる。
形成されるDVD-ROMディスクの再生の際一般に用いられ
る短波長である650nmの第1レーザーダイオード(110)
と、CD-ROMディスクの再生に用いる長波長である780nm
の第2レーザーダイオード(120)をメタル(AU-SN、SN、I
N)やエポキシ(EPOXY)樹脂から成る接合層(140a)(140b)
により接着する。この場合、前記第1及び第2発光点(16
0)(170)が実質的に前記サブマウント(100)の平面(上部
面)に対して垂直な軸上に位置付けるよう積層接合す
る。この際、前記第1及び第2発光点(160)(170)の離隔範
囲は約50〜150nm程で、これにより、従来のように第1及
び第2発光点(160)(170)の間隙を狭められないために必
要とされる二個のフォトダイオードの如きの別途の調整
部品が不要になる。
【００２１】前記サブマウント(100)の下部面には前記
第1レーザーダイオード(110)から発生する熱を除去する
為のヒートシンク(150)を形成することができる。前記
ヒートシンク(150)は熱伝達特性を向上するようメタル
又はエポキシ樹脂等から成る第3接合層(140c)により前
記サブマウント(100)に接合して密着する。
第1レーザーダイオード(110)から発生する熱を除去する
為のヒートシンク(150)を形成することができる。前記
ヒートシンク(150)は熱伝達特性を向上するようメタル
又はエポキシ樹脂等から成る第3接合層(140c)により前
記サブマウント(100)に接合して密着する。
【００２２】従って、前記サブマウント(100)の上側に
相対的に短い波長を有しながら熱が多発する比較的低い
温度特性を有する650nm波長の第1レーザーダイオード(1
10)を形成することにより、前記第1レーザーダイオード
(110)の動作時に発生する熱を効果的に除去することが
できる。
相対的に短い波長を有しながら熱が多発する比較的低い
温度特性を有する650nm波長の第1レーザーダイオード(1
10)を形成することにより、前記第1レーザーダイオード
(110)の動作時に発生する熱を効果的に除去することが
できる。
【００２３】この際、前記第1レーザーダイオード(110)
から発生する熱をより効果的に除去する為に前記第1レ
ーザーダイオード(110)の第1キャップ層(210)が前記サ
ブマウント(100)に隣接するよう形成する。即ち、前記
第1発光点(160)から前記第1キャップ層(210)までの距離
が前記第1発光点(160)から第1基板(440)までの距離より
短い為、上述のとおり前記サブマウント(100)の上側に
形成される第1レーザーダイオード(110)の構成を前記第
1キャップ層(210)の下部面にヒートシンク(150)を形成
されたサブマウント(100)の上側に隣接するよう形成す
ることにより、前記第1発光点(160)から発生する熱を容
易に除去することができる。
から発生する熱をより効果的に除去する為に前記第1レ
ーザーダイオード(110)の第1キャップ層(210)が前記サ
ブマウント(100)に隣接するよう形成する。即ち、前記
第1発光点(160)から前記第1キャップ層(210)までの距離
が前記第1発光点(160)から第1基板(440)までの距離より
短い為、上述のとおり前記サブマウント(100)の上側に
形成される第1レーザーダイオード(110)の構成を前記第
1キャップ層(210)の下部面にヒートシンク(150)を形成
されたサブマウント(100)の上側に隣接するよう形成す
ることにより、前記第1発光点(160)から発生する熱を容
易に除去することができる。
【００２４】前記のような場合、前記第1発光点(160)と
サブマウント(100)との間の距離は約3〜50μm程にな
る。前記第1レーザーダイオード(110)と前記第2レーザ
ーダイオード(120)との間には前記第1レーザーダイオー
ド(110)と前記第2レーザーダイオード(120)とを電気的
に分離する為に絶縁膜(200)を形成し、このような絶縁
膜(200)により前記第1及び第2レーザーダイオード(110)
(120)を電気的に分離して各々駆動することができる。
サブマウント(100)との間の距離は約3〜50μm程にな
る。前記第1レーザーダイオード(110)と前記第2レーザ
ーダイオード(120)との間には前記第1レーザーダイオー
ド(110)と前記第2レーザーダイオード(120)とを電気的
に分離する為に絶縁膜(200)を形成し、このような絶縁
膜(200)により前記第1及び第2レーザーダイオード(110)
(120)を電気的に分離して各々駆動することができる。
【００２５】一方、図３は本発明の異なる実施の形態に
よる2波長レーザーダイオードを図示した側面構造図で
ある。図３を参照して説明すれば、前記第1レーザーダ
イオード(110)のp形層、即ちp形GaAs第1キャップ層(21
0)が前記第2レーザーダイオード(120)のp形GaAs第2キャ
ップ層(350)に隣接し、前記第1レーザーダイオード(11
0)のn形GaAs第1基板(440)が前記サブマウント(100)に隣
接する構造を除けば、上述の一実施の形態と同一な構成
から成る。
よる2波長レーザーダイオードを図示した側面構造図で
ある。図３を参照して説明すれば、前記第1レーザーダ
イオード(110)のp形層、即ちp形GaAs第1キャップ層(21
0)が前記第2レーザーダイオード(120)のp形GaAs第2キャ
ップ層(350)に隣接し、前記第1レーザーダイオード(11
0)のn形GaAs第1基板(440)が前記サブマウント(100)に隣
接する構造を除けば、上述の一実施の形態と同一な構成
から成る。
【００２６】このような構造から、本発明の異なる実施
の形態において第1レーザーダイオード(110)の第1発光
点(160)と前記第1キャップ層(210)との距離が前記第1発
光点(160)と第1基板(440)との距離より短く、前記第2レ
ーザーダイオード(120)の第2発光点(170)と第2キャップ
層(350)との距離が前記第2発光点(170)と第2基板(300)
との距離より短いので、前記第1発光点(160)と第2発光
点(170)との間の距離を最小化することができる。
の形態において第1レーザーダイオード(110)の第1発光
点(160)と前記第1キャップ層(210)との距離が前記第1発
光点(160)と第1基板(440)との距離より短く、前記第2レ
ーザーダイオード(120)の第2発光点(170)と第2キャップ
層(350)との距離が前記第2発光点(170)と第2基板(300)
との距離より短いので、前記第1発光点(160)と第2発光
点(170)との間の距離を最小化することができる。
【００２７】更に、前記第1発光点(160)及び第2発光点
(170)はサブマウントの表面に対して垂直な同一軸上に
位置付けることが、前記発光点間の距離を最も最小化で
きる点で好ましい。この際、前記第1及び第2発光点(16
0)(170)の離隔範囲は約50〜150μm程で、前記本発明の
一実施の形態に前述した構造より前記第1及び第2発光点
(160)(170)の間の距離を更に最小化することができる。
従って、従来の第1及び第2発光点(160)(170)の間隙を狭
められずに必要とされた二個のフォトダイオードの如き
別途の調整部品が不要になる。
(170)はサブマウントの表面に対して垂直な同一軸上に
位置付けることが、前記発光点間の距離を最も最小化で
きる点で好ましい。この際、前記第1及び第2発光点(16
0)(170)の離隔範囲は約50〜150μm程で、前記本発明の
一実施の形態に前述した構造より前記第1及び第2発光点
(160)(170)の間の距離を更に最小化することができる。
従って、従来の第1及び第2発光点(160)(170)の間隙を狭
められずに必要とされた二個のフォトダイオードの如き
別途の調整部品が不要になる。
【００２８】前記第1及び第2レーザーダイオード(110)
(120)は前記一実施の形態と同一な方法でエポキシ樹脂
から成る第1接合層(140a)により接合され、前記第1レー
ザーダイオード(110)と前記第2レーザーダイオード(12
0)との間には前記第1レーザーダイオード(110)と第2レ
ーザーダイオード(120)とを電気的に分離する為に絶縁
膜(200)が形成される。
(120)は前記一実施の形態と同一な方法でエポキシ樹脂
から成る第1接合層(140a)により接合され、前記第1レー
ザーダイオード(110)と前記第2レーザーダイオード(12
0)との間には前記第1レーザーダイオード(110)と第2レ
ーザーダイオード(120)とを電気的に分離する為に絶縁
膜(200)が形成される。
【００２９】このような構成から成る本発明の作用を説
明すると次のとおりである。図１乃至図３に図示のとお
り、本発明による2波長レーザーダイオードを搭載した
装置はDVD-ROMディスクの再生に用いる650nm波長のレー
ザーダイオード(110)とCD-ROMディスクの再生に用いる7
80nm波長のレーザーダイオード(120)とを同時に使用し
て再生する。
明すると次のとおりである。図１乃至図３に図示のとお
り、本発明による2波長レーザーダイオードを搭載した
装置はDVD-ROMディスクの再生に用いる650nm波長のレー
ザーダイオード(110)とCD-ROMディスクの再生に用いる7
80nm波長のレーザーダイオード(120)とを同時に使用し
て再生する。
【００３０】前記各々のレーザーダイオード(110)(120)
は第1及び第2活性層(240)(330)の両側にクラッド層を積
層するp-n接合に順方向の電圧を印加すると電流が流
れ、この際、n領域の電子とp領域の正孔(電子結合空間:
hole)が各々相対領域に移動してp-n接合付近の活性層に
おいて再結合してビームの誘導放出が起こり、前記誘導
放出により第1及び第2活性層(240)(330)の第1及び第2発
光点(160)(170)から各波長のビームを放出する。即ち、
前記第1発光点(160)からは650nmの波長のビームが発生
し、前記第2発光点(170)からは780nmの波長のビームが
発生する。
は第1及び第2活性層(240)(330)の両側にクラッド層を積
層するp-n接合に順方向の電圧を印加すると電流が流
れ、この際、n領域の電子とp領域の正孔(電子結合空間:
hole)が各々相対領域に移動してp-n接合付近の活性層に
おいて再結合してビームの誘導放出が起こり、前記誘導
放出により第1及び第2活性層(240)(330)の第1及び第2発
光点(160)(170)から各波長のビームを放出する。即ち、
前記第1発光点(160)からは650nmの波長のビームが発生
し、前記第2発光点(170)からは780nmの波長のビームが
発生する。
【００３１】この際、前記650nm波長のレーザーダイオ
ード(110)は相対的に波長が短くレーザーダイオードの
動作時に相対的に高熱が発生し、前記第1レーザーダイ
オード(110)がヒートシンク(150)に隣接設置されて該距
離を最小化することにより、前記第1レーザーダイオー
ド(110)からヒートシンク(150)への熱伝達が容易にな
る。
ード(110)は相対的に波長が短くレーザーダイオードの
動作時に相対的に高熱が発生し、前記第1レーザーダイ
オード(110)がヒートシンク(150)に隣接設置されて該距
離を最小化することにより、前記第1レーザーダイオー
ド(110)からヒートシンク(150)への熱伝達が容易にな
る。
【００３２】更に、前記650nm波長のレーザーダイオー
ド(110)の上側に積層接合する780nm波長のレーザーダイ
オード(120)はエポキシ(EPOXY)樹脂を塗布する第1接合
層(140a)により一体に付着し、前記第1及び第2レーザー
ダイオード(110)(120)は絶縁膜(200)により電気的に分
離し、接点電極を各々連結して外部から電源が供給され
る。
ド(110)の上側に積層接合する780nm波長のレーザーダイ
オード(120)はエポキシ(EPOXY)樹脂を塗布する第1接合
層(140a)により一体に付着し、前記第1及び第2レーザー
ダイオード(110)(120)は絶縁膜(200)により電気的に分
離し、接点電極を各々連結して外部から電源が供給され
る。
【００３３】この際、前記電源の供給時に第1及び第2レ
ーザーダイオード(110)(120)各々から第1及び第2発光点
(160)(170)の位置誤差を最小化する2波長のビームを放
出するようにして別途の受光用素子を必要としなくても
DVD-ROMディスク及びCD-ROMディスクを読取り再生する
ようにする。
ーザーダイオード(110)(120)各々から第1及び第2発光点
(160)(170)の位置誤差を最小化する2波長のビームを放
出するようにして別途の受光用素子を必要としなくても
DVD-ROMディスク及びCD-ROMディスクを読取り再生する
ようにする。
【００３４】
【発明の効果】以上説明したように、本発明による2波
長レーザーダイオードによれば、一個のサブマウントの
上側に二個の相異なる波長、即ち、短波長を有するレー
ザーダイオードと長波長を有するレーザーダイオードと
を順次に積層形成することにより、各レーザーダイオー
ドの発光点間距離を最小化できるので、二個のフォトダ
イオードにおいて必要とする別途の光学部品を備える必
要がなくなり、光軸調整が簡単で、これにより歩留まり
を向上できるばかりでなく、組立費用をも節減すること
ができる利点がある。更に、前記短波長を有するレーザ
ーダイオードに隣接するようヒートシンクを設け、前記
短波長を有するレーザーダイオードのp形層が前記ヒー
トシンクに隣接するように設けることにより、前記短波
長を有するレーザーダイオードの発光点と前記ヒートシ
ンク間の距離を最小化できるので、波長が短く高熱が発
生する短波長を有するレーザーダイオードから前記ヒー
トシンクへ熱伝達が容易に行われて、製品の劣化を最小
化し、製品の寿命を延長できる等の優れた効果を奏す
る。なお、本発明は特定の実施の形態に係わり図示して
説明したが、特許請求の範囲により提供する本発明の精
神や分野を外れない限度内において本発明を多様に改良
及び変化することができることを当業界において通常の
知識を有する者であれば容易に判ることができることを
明かにしておく。
長レーザーダイオードによれば、一個のサブマウントの
上側に二個の相異なる波長、即ち、短波長を有するレー
ザーダイオードと長波長を有するレーザーダイオードと
を順次に積層形成することにより、各レーザーダイオー
ドの発光点間距離を最小化できるので、二個のフォトダ
イオードにおいて必要とする別途の光学部品を備える必
要がなくなり、光軸調整が簡単で、これにより歩留まり
を向上できるばかりでなく、組立費用をも節減すること
ができる利点がある。更に、前記短波長を有するレーザ
ーダイオードに隣接するようヒートシンクを設け、前記
短波長を有するレーザーダイオードのp形層が前記ヒー
トシンクに隣接するように設けることにより、前記短波
長を有するレーザーダイオードの発光点と前記ヒートシ
ンク間の距離を最小化できるので、波長が短く高熱が発
生する短波長を有するレーザーダイオードから前記ヒー
トシンクへ熱伝達が容易に行われて、製品の劣化を最小
化し、製品の寿命を延長できる等の優れた効果を奏す
る。なお、本発明は特定の実施の形態に係わり図示して
説明したが、特許請求の範囲により提供する本発明の精
神や分野を外れない限度内において本発明を多様に改良
及び変化することができることを当業界において通常の
知識を有する者であれば容易に判ることができることを
明かにしておく。
【図１】本発明の一実施の形態による2波長レーザーダ
イオードを示した側面構造図である。
イオードを示した側面構造図である。
【図２】本発明による2波長レーザーダイオードの電極
形成状態を示した平面構造図である。
形成状態を示した平面構造図である。
【図３】本発明の異なる実施の形態による2波長レーザ
ーダイオードを示した側面構造図である。
ーダイオードを示した側面構造図である。
【図４】一般的なレーザーダイオードの作動状態を示し
た概略図である。
た概略図である。
【図５】一般的なレーザーの積層状態を示した概略図で
ある。
ある。
【図６】従来の2波長レーザーダイオードを示した側面
構造図である。
構造図である。
100 サブマウント 110 第1レーザーダイオード 120 第2レーザーダイオード 140a、140b、140c 接合層 150 ヒートシンク(heat sink) 160、170 第1及び第2発光点(emitting light) 240、330 第1及び第2活性層(first and second active
region) 440 基板
region) 440 基板
Claims (16)
- 【請求項１】 サブマウント(100)と、前記サブマウン
ト(100)の上側に形成された第1波長のビームを放出する
第1レーザーダイオード(110)と、前記第1レーザーダイ
オード(110)の上側に形成された第2波長のビームを放出
する第2レーザーダイオード(120)とを備えたことを特徴
とする2波長レーザーダイオード。 - 【請求項２】 前記第1レーザーダイオード(110)は、 a)n形第1基板(440)と、 b)前記n形第1基板(440)の下部面に形成されたn形第1ク
ラッド層(250)と、 c)前記n形第1クラッド層(250)の下部面に形成された第1
発光点(160)を有する第1活性層(240)と、 d)前記第1活性層(240)の下部面に順次に形成されたp形
第2クラッド層(220)及びn形第1電流ブロック層(230)
と、 e)前記第1電流ブロック層(230)の下部面に形成されたp
形第1キャップ層(210)と、 を備えたことを特徴とする請求項1に記載の2波長レーザ
ーダイオード。 - 【請求項３】 前記第2レーザーダイオード(120)は、 a)n形第2基板(300)と、 b)前記n形第2基板(300)の下部面に形成されたn形第3ク
ラッド層(310)と、 c)前記n形第3クラッド層(310)の下部面に形成された第2
発光点(170)を有する第2活性層(330)と、 d)前記第2活性層(330)の下部面に順次に形成されたp形
第4クラッド層(340)及びn形第2電流ブロック層(320)
と、 e)前記第2電流ブロック層(320)の下部面に形成されたp
形第2キャップ層(350)と、 を備えたことを特徴とする請求項1に記載の2波長レーザ
ーダイオード。 - 【請求項４】 前記第1波長は650nmで、前記第2波長は7
80nmであることを特徴とする請求項1に記載の2波長レー
ザーダイオード。 - 【請求項５】 サブマウント(100)と、 a)n形第1基板(440)、b)前記n形第1基板(440)の上部面に
積層されたn形第1クラッド層(250)、c)前記n形第1クラ
ッド層(250)の上部面に形成された第1発光点(160)を有
する第1活性層(240)、d)前記第1活性層(240)の上部面に
積層されたp形第2クラッド層(220)及びn形第1電流ブロ
ック層(230)、及びe)前記第1電流ブロック層(230)の上
部面に積層されたp形第1キャップ層(210)を備えて、前
記サブマウント(100)の上部面に形成された短波長のビ
ームを放出する第1レーザーダイオード(110)と、 a)n形第2基板(300)、b)前記n形第2基板(300)の下部面に
形成されたn形第3クラッド層(310)、c)前記n形第3クラ
ッド層(310)の下部面に形成された第2発光点(170)を有
する第2活性層(330)、d)前記第2活性層(330)の下部面に
順次に形成されたp形第4クラッド層(340)及びn形第2電
流ブロック層(320)、及びe)前記第2電流ブロック層(32
0)の下部面に形成されたp形第2キャップ層(350)を備え
て、前記第1レーザーダイオード(110)の上側に形成され
た長波長のビームを放出する第2レーザーダイオード(12
0)と、 前記第1活性層(240)に電流を供給するよう前記第1キャ
ップ層(210)の上部面と前記第1基板(440)の下部面とに
各々形成された第1及び第2電極(400、410)と、前記第2活
性層(330)に電流を供給するよう前記第2基板(300)の上
部面と前記第2キャップ層(350)の下部面に各々形成され
た第3及び第4電極(420、430)と、 前記サブマウント(100)の下部面に形成されたヒートシ
ンク(150)と、 を備えたことを特徴とする2波長レーザーダイオード。 - 【請求項６】 前記第2レーザーダイオード(120)の前記
n形第2基板(300)は前記第1レーザーダイオード(110)の
第1キャップ層(210)の上側に形成されることを特徴とす
る請求項5に記載の2波長レーザーダイオード。 - 【請求項７】 前記第2レーザーダイオード(120)の前記
第2キャップ層(350)は前記第1レーザーダイオード(110)
の第1キャップ層(210)の上側に形成されることを特徴と
する請求項5に記載の2波長レーザーダイオード。 - 【請求項８】 前記第1発光点(160)と前記第2発光点(17
0)との間の距離は50〜150μmであることを特徴とする請
求項1及び5に記載の2波長レーザーダイオード。 - 【請求項９】 前記第1発光点(160)と前記サブマウント
(100)との間の距離は3〜50μmであることを特徴とする
請求項1及び5に記載の2波長レーザーダイオード。 - 【請求項１０】 前記2波長レーザーダイオードは前記
第2レーザーダイオード(120)と第1レーザーダイオード
(110)との間、前記第1レーザーダイオード(110)と前記
サブマウント(100)との間、前記サブマウント(100)とヒ
ートシンク(150)との間に形成された複数個の接合層を
更に備えたことを特徴とする請求項1及び5に記載の2波
長レーザーダイオード。 - 【請求項１１】 前記第1及び第2レーザーダイオード(1
10,120)の間には前記第1及び第2レーザーダイオード(11
0,120)を電気的に分離して各々駆動する為の絶縁膜(20
0)を更に備えたことを特徴とする請求項1及び5に記載の
2波長レーザーダイオード。 - 【請求項１２】 前記第1発光点(160)及び第2発光点(17
0)は前記サブマウント(100)の上部面に対して垂直な同
一軸上に位置付けることを特徴とする請求項1及び5に記
載の2波長レーザーダイオード。 - 【請求項１３】 ｉ)サブマウント(100)を提供する段階
と、 ii)短波長のビームを放出する第1レーザーダイオード(1
10)を形成する段階と、 iii)長波長のビームを放出する第2レーザーダイオード
(120)を形成する段階と、 iv)前記サブマウント(100)の上部面に第1レーザーダイ
オード(110)を接合する段階と、 ｖ)前記第1レーザーダイオード(110)の上部面に第2レー
ザーダイオード(120)を接合する段階と、 vi)前記サブマウント(100)の下部面にヒートシンク(15
0)を接合する段階と、 を有することを特徴とする2波長レーザーダイオードの
製造方法。 - 【請求項１４】 前記iv)サブマウント(100)の上部面に
第1レーザーダイオード(110)を接合する段階と、前記
ｖ)第1レーザーダイオード(110)の上部面に第2レーザー
ダイオード(120)を接合する段階と、前記vi)サブマウン
ト(100)の下部面にヒートシンク(150)を接合する段階と
はメタルを用いて行うことを特徴とする請求項13に記載
の2波長レーザーダイオードの製造方法。 - 【請求項１５】 前記iv)サブマウント(100)の上部面に
第1レーザーダイオード(110)を接合する段階と、前記
ｖ)第1レーザーダイオード(110)の上部面に第2レーザー
ダイオード(120)を接合する段階と、前記vi)サブマウン
ト(100)の下部面にヒートシンク(150)を接合する段階と
はエポキシ樹脂を用いて行うことを特徴とする請求項13
に記載の2波長レーザーダイオードの製造方法。 - 【請求項１６】 前記iii)長波長のビームを放出する第
2レーザーダイオード(120)を形成する段階は前記第1レ
ーザーダイオード(110)の上部面に絶縁膜(200)を形成す
る段階を更に有することを特徴とする請求項13に記載の
2波長レーザーダイオードの製造方法。
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR2000-27976 | 2000-05-24 | ||
| KR20000027976 | 2000-05-24 | ||
| KR2001-1559 | 2001-01-11 | ||
| KR1020010001559A KR20010107524A (ko) | 2000-05-24 | 2001-01-11 | 2파장 레이져 다이오드 및 그 제조방법 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001332805A true JP2001332805A (ja) | 2001-11-30 |
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ID=26638019
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001063801A Pending JP2001332805A (ja) | 2000-05-24 | 2001-03-07 | ２波長レーザーダイオード及びその製造方法 |
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| Country | Link |
|---|---|
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| JP (1) | JP2001332805A (ja) |
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-
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