JPH0996805A - 投写型表示装置及び液晶パネル - Google Patents
投写型表示装置及び液晶パネルInfo
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- JPH0996805A JPH0996805A JP8192448A JP19244896A JPH0996805A JP H0996805 A JPH0996805 A JP H0996805A JP 8192448 A JP8192448 A JP 8192448A JP 19244896 A JP19244896 A JP 19244896A JP H0996805 A JPH0996805 A JP H0996805A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 投写型表示装置において、ＴＦＴ液晶パネル
に対してその出射側からの戻り光を防止してＴＦＴのリ
ーク電流の増大による映像品位の低下を防止し、高品
位、高輝度、高コントラストの投写画像を実現できるよ
うにする。 【解決手段】 投写型表示装置において、ＴＦＴ液晶パ
ネルの光出射面に反射率が最小となる光の波長が４００
ｎｍから５００ｎｍの間に存在する反射防止膜を形成し
た。
に対してその出射側からの戻り光を防止してＴＦＴのリ
ーク電流の増大による映像品位の低下を防止し、高品
位、高輝度、高コントラストの投写画像を実現できるよ
うにする。 【解決手段】 投写型表示装置において、ＴＦＴ液晶パ
ネルの光出射面に反射率が最小となる光の波長が４００
ｎｍから５００ｎｍの間に存在する反射防止膜を形成し
た。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、一対の基板間に液
晶を封入し、一方の基板内面に薄膜トランジスタ、それ
に接続された画素電極が形成されてなる液晶パネル（以
下、ＴＦＴ液晶パネル）に関する。また、このＴＦＴ液
晶パネルをライトバルブとして用いた投写型表示装置に
関するものである。
晶を封入し、一方の基板内面に薄膜トランジスタ、それ
に接続された画素電極が形成されてなる液晶パネル（以
下、ＴＦＴ液晶パネル）に関する。また、このＴＦＴ液
晶パネルをライトバルブとして用いた投写型表示装置に
関するものである。
【０００２】
【従来の技術】ＴＦＴ液晶パネルを用いてカラー画像を
投写表示するための投写型液晶表示装置としては、各種
のものが知られている。
投写表示するための投写型液晶表示装置としては、各種
のものが知られている。
【０００３】図１には、一般的に使用されている投写型
液晶表示装置の光学系の構成を示してある。図におい
て、１は光源ランプであり、ここからの光は反射板２を
介して色分離光学系３の側に向けて出射される。色分離
光学系３は、ダイクロイックミラー３１、３２とミラー
３３を備えている。ダイクロイックミラー３１は、赤色
光束Ｒを透過するが、緑および青色光束Ｇ、Ｂを反射す
るものであり、他方のダイクロイックミラー３２は緑色
光束Ｇを反射するが、青色光束Ｂを透過するものであ
る。これらの２枚のダイクロイックミラー３１、３２に
よって白色光束Ｗは、赤、緑、青の各色光束Ｒ、Ｇ、Ｂ
に分離される。分離された後の各色光束は、それぞれ入
射側偏光板４１、４２、４３を透過し直線偏光になって
から各色に対応する３枚のＴＦＴ液晶パネル５１、５
２、５３に入射する。
液晶表示装置の光学系の構成を示してある。図におい
て、１は光源ランプであり、ここからの光は反射板２を
介して色分離光学系３の側に向けて出射される。色分離
光学系３は、ダイクロイックミラー３１、３２とミラー
３３を備えている。ダイクロイックミラー３１は、赤色
光束Ｒを透過するが、緑および青色光束Ｇ、Ｂを反射す
るものであり、他方のダイクロイックミラー３２は緑色
光束Ｇを反射するが、青色光束Ｂを透過するものであ
る。これらの２枚のダイクロイックミラー３１、３２に
よって白色光束Ｗは、赤、緑、青の各色光束Ｒ、Ｇ、Ｂ
に分離される。分離された後の各色光束は、それぞれ入
射側偏光板４１、４２、４３を透過し直線偏光になって
から各色に対応する３枚のＴＦＴ液晶パネル５１、５
２、５３に入射する。
【０００４】各ＴＦＴ液晶パネル５１、５２、５３の出
射面にはそれぞれ出射側偏光板６１、６２、６３が光学
的に密着するように貼り付けてあり、与えられた画像情
報に基づき、入射した光束を変調する。変調後の各色の
光束Ｒ、Ｇ、Ｂは、ダイクロイックミラー７１、７２と
ミラー７３を備えた色合成光学系７に入射し、ここにお
いて合成される。合成された変調光束は投写レンズ光学
系８を介して、装置の外のスクリーンの表面に拡大投写
される。図１では、３枚のＴＦＴ液晶パネルと投写レン
ズ光学系との光学的距離が各色で異なっているように描
かれているが、実際の投写型表示装置ではそれらの距離
を等しくしている。なお、色合成光学系としては、図１
に示すようなダイクロイックミラーの代わりに、ダイク
ロイックプリズムを用いたプリズム光学系を用いたもの
も知られている。
射面にはそれぞれ出射側偏光板６１、６２、６３が光学
的に密着するように貼り付けてあり、与えられた画像情
報に基づき、入射した光束を変調する。変調後の各色の
光束Ｒ、Ｇ、Ｂは、ダイクロイックミラー７１、７２と
ミラー７３を備えた色合成光学系７に入射し、ここにお
いて合成される。合成された変調光束は投写レンズ光学
系８を介して、装置の外のスクリーンの表面に拡大投写
される。図１では、３枚のＴＦＴ液晶パネルと投写レン
ズ光学系との光学的距離が各色で異なっているように描
かれているが、実際の投写型表示装置ではそれらの距離
を等しくしている。なお、色合成光学系としては、図１
に示すようなダイクロイックミラーの代わりに、ダイク
ロイックプリズムを用いたプリズム光学系を用いたもの
も知られている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ＴＦＴ液晶パネルの各
画素の表示状態を制御するＴＦＴに強い光が照射される
と、その光が照射されたＴＦＴはリーク電流が増大す
る。ＴＦＴのリーク電流が増大すると、与えられた画像
信号に対応した正確な変調が実現できずスクリーン上に
拡大投写された画像の品位が著しく低下することにな
る。そのため、ＴＦＴより光源側にブラックマトリクス
等の光遮蔽手段が施され、ＴＦＴには光源からの光が直
接照射されないようになっている。
画素の表示状態を制御するＴＦＴに強い光が照射される
と、その光が照射されたＴＦＴはリーク電流が増大す
る。ＴＦＴのリーク電流が増大すると、与えられた画像
信号に対応した正確な変調が実現できずスクリーン上に
拡大投写された画像の品位が著しく低下することにな
る。そのため、ＴＦＴより光源側にブラックマトリクス
等の光遮蔽手段が施され、ＴＦＴには光源からの光が直
接照射されないようになっている。
【０００６】しかしながら、ＴＦＴ液晶パネルの出射側
表面で光が界面反射されるとＴＦＴに光が照射されてし
まう。図２を参照して説明すると、ＴＦＴ液晶パネル５
１の出射面には偏光板６１が貼り合わされているが、こ
の偏光板６１の出射面は空気界面となり、屈折率が大幅
に変化する界面なので、この面で、偏光板６１から色合
成光学系のダイクロイックミラー７１に向かう光束の一
部が反射されてしまう。この反射光Ｒ１はＴＦＴ液晶パ
ネル５１の出射側からパネル内に入射する。これはＴＦ
Ｔ液晶パネル５２、ＴＦＴ液晶パネル５３でも同様であ
る。
表面で光が界面反射されるとＴＦＴに光が照射されてし
まう。図２を参照して説明すると、ＴＦＴ液晶パネル５
１の出射面には偏光板６１が貼り合わされているが、こ
の偏光板６１の出射面は空気界面となり、屈折率が大幅
に変化する界面なので、この面で、偏光板６１から色合
成光学系のダイクロイックミラー７１に向かう光束の一
部が反射されてしまう。この反射光Ｒ１はＴＦＴ液晶パ
ネル５１の出射側からパネル内に入射する。これはＴＦ
Ｔ液晶パネル５２、ＴＦＴ液晶パネル５３でも同様であ
る。
【０００７】図９はコプラナー型のポリシリコンＴＦＴ
を用いたＴＦＴ液晶パネルの断面を示す図である。ＴＦ
Ｔ液晶パネルのＴＦＴ素子側基板５０１の上には、ＴＦ
Ｔのソース・ドレイン・チャネルとなるポリシリコン薄
膜５０４が形成され、このシリコン薄膜５０４上にはゲ
ート絶縁膜を介してゲート電極５０３が形成される。シ
リコン膜膜５０４のソースにはソース配線５０２が接続
され、ドレインには画素電極５０５が接続される。ＴＦ
Ｔ素子側基板と対向して配置されるガラス基板５０７に
は光を遮蔽するブラックマトリクス５０８と透明導電膜
（ＩＴＯ）の対向電極５０９が形成されており、画素電
極５０５と対向電極５０９により液晶層５０６に電気信
号を印加することができるようになっている。投射型表
示装置の場合には液晶パネルへの入射光束はガラス基板
５０７側から液晶パネルに入射させるので。ブラックマ
トリクス５０８により遮光してＴＦＴのチャネル部５０
４には直接光は照射されない構造であるが、ＴＦＴ素子
側基板からはチャネル部５０４は露出している。このた
め、ＴＦＴ液晶パネルの出射面での反射光及び偏光板６
１の出射面での反射光が屈折して入射すると、ＴＦＴの
チャンネル部５０４に光が照射されるのでＴＦＴのリー
ク電流が増大する。
を用いたＴＦＴ液晶パネルの断面を示す図である。ＴＦ
Ｔ液晶パネルのＴＦＴ素子側基板５０１の上には、ＴＦ
Ｔのソース・ドレイン・チャネルとなるポリシリコン薄
膜５０４が形成され、このシリコン薄膜５０４上にはゲ
ート絶縁膜を介してゲート電極５０３が形成される。シ
リコン膜膜５０４のソースにはソース配線５０２が接続
され、ドレインには画素電極５０５が接続される。ＴＦ
Ｔ素子側基板と対向して配置されるガラス基板５０７に
は光を遮蔽するブラックマトリクス５０８と透明導電膜
（ＩＴＯ）の対向電極５０９が形成されており、画素電
極５０５と対向電極５０９により液晶層５０６に電気信
号を印加することができるようになっている。投射型表
示装置の場合には液晶パネルへの入射光束はガラス基板
５０７側から液晶パネルに入射させるので。ブラックマ
トリクス５０８により遮光してＴＦＴのチャネル部５０
４には直接光は照射されない構造であるが、ＴＦＴ素子
側基板からはチャネル部５０４は露出している。このた
め、ＴＦＴ液晶パネルの出射面での反射光及び偏光板６
１の出射面での反射光が屈折して入射すると、ＴＦＴの
チャンネル部５０４に光が照射されるのでＴＦＴのリー
ク電流が増大する。
【０００８】一方、逆スタガー型のアモルファスシリコ
ンＴＦＴ液晶パネルは図１０に示すような断面をしてい
る。ＴＦＴ液晶パネルのＴＦＴ素子側基板５０１の上に
は、ＴＦＴのゲート電極５０３が形成され、このゲート
電極上にはゲート絶縁膜を介してチャネルとなるアモル
ファスシリコン膜５０４が形成されている。さらに、こ
のシリコン膜にはソース・ドレインとなるアモルファス
シリコン薄膜が形成され、ソースにはソース配線５０２
が接続され、ドレインには画素電極５０５が接続され
る。ＴＦＴ素子側基板と対向して配置されるガラス基板
５０７には光を遮蔽するブラックマトリクス５０８と透
明導電膜（ＩＴＯ）の対向電極５０９が形成されてお
り、画素電極５０５と対向電極５０９により液晶層５０
６に電気信号を印加することができるようになってい
る。このタイプのＴＦＴでは、ゲート電極５０３は光を
遮蔽する金属を用いているのが普通である。このため、
ＴＦＴ液晶パネルの出射面及び偏光板６１の出射面から
の反射光が入射しても、チャネル部５０４には直接光が
照射されない構造をしている。しかしながら、このよう
な場合であっても、反射光が屈折してＴＦＴのソース・
ゲート端部には光が照射されるので、強い光がＴＦＴ液
晶パネルの出射面から入射するとＴＦＴのリーク電流は
増大する。
ンＴＦＴ液晶パネルは図１０に示すような断面をしてい
る。ＴＦＴ液晶パネルのＴＦＴ素子側基板５０１の上に
は、ＴＦＴのゲート電極５０３が形成され、このゲート
電極上にはゲート絶縁膜を介してチャネルとなるアモル
ファスシリコン膜５０４が形成されている。さらに、こ
のシリコン膜にはソース・ドレインとなるアモルファス
シリコン薄膜が形成され、ソースにはソース配線５０２
が接続され、ドレインには画素電極５０５が接続され
る。ＴＦＴ素子側基板と対向して配置されるガラス基板
５０７には光を遮蔽するブラックマトリクス５０８と透
明導電膜（ＩＴＯ）の対向電極５０９が形成されてお
り、画素電極５０５と対向電極５０９により液晶層５０
６に電気信号を印加することができるようになってい
る。このタイプのＴＦＴでは、ゲート電極５０３は光を
遮蔽する金属を用いているのが普通である。このため、
ＴＦＴ液晶パネルの出射面及び偏光板６１の出射面から
の反射光が入射しても、チャネル部５０４には直接光が
照射されない構造をしている。しかしながら、このよう
な場合であっても、反射光が屈折してＴＦＴのソース・
ゲート端部には光が照射されるので、強い光がＴＦＴ液
晶パネルの出射面から入射するとＴＦＴのリーク電流は
増大する。
【０００９】どちらのＴＦＴにおいても、ＴＦＴの下に
光遮蔽手段を形成する方法も提案されているが、プロセ
スの複雑化をさけ、開口率を確保する観点から種々の制
約を受け、ほとんどの投写型表示装置においては、ＴＦ
Ｔ液晶パネルの出射側表面での界面反射光を完全に防止
することはできていないのが現状である。
光遮蔽手段を形成する方法も提案されているが、プロセ
スの複雑化をさけ、開口率を確保する観点から種々の制
約を受け、ほとんどの投写型表示装置においては、ＴＦ
Ｔ液晶パネルの出射側表面での界面反射光を完全に防止
することはできていないのが現状である。
【００１０】このような界面反射を防止するために、一
般に、光学素子の界面に反射防止膜の表面処理が施され
る。ところで、投射型表示装置においては光源からの光
は液晶パネルに入射する前に赤外線や紫外線などの可視
光以外の成分は光学フィルターで除去されるのが普通で
ある。また、偏光板は４００ｎｍよりも短波長の光は殆
ど吸収してしまうので、反射防止膜は４００ｎｍよりも
長波長の可視光の全波長領域に対して反射率が零に近く
なるような特性にすることが望ましい。しかし、実際に
は可視光の全波長領域で反射率が零に近い反射防止膜を
作成することは非常に困難である。ところで、人間の目
の視感度は図３に示すような波長依存性を持つ。視感度
は５５０ｎｍにピークがあり、これよりも短波長や長波
長では感度が低くなる。同じ光量の反射光でも視感度の
高い波長の光は目立ち易く、視感度の低い波長の光は目
立ち難い。このため、従来の反射防止膜の特性は目に見
える反射光が最少になるように、すなわち視感度の最も
高い５５０ｎｍ付近での反射率が最小になるように設計
されていた。このような反射防止膜は５００ｎｍ付近か
ら６００ｎｍ付近の波長の光に対しては反射防止の効果
が高いので界面反射を防止できるが、視感度が低い短波
長や長波長の光に対しては反射防止の効果が低く十分な
界面反射の防止ができなかった。
般に、光学素子の界面に反射防止膜の表面処理が施され
る。ところで、投射型表示装置においては光源からの光
は液晶パネルに入射する前に赤外線や紫外線などの可視
光以外の成分は光学フィルターで除去されるのが普通で
ある。また、偏光板は４００ｎｍよりも短波長の光は殆
ど吸収してしまうので、反射防止膜は４００ｎｍよりも
長波長の可視光の全波長領域に対して反射率が零に近く
なるような特性にすることが望ましい。しかし、実際に
は可視光の全波長領域で反射率が零に近い反射防止膜を
作成することは非常に困難である。ところで、人間の目
の視感度は図３に示すような波長依存性を持つ。視感度
は５５０ｎｍにピークがあり、これよりも短波長や長波
長では感度が低くなる。同じ光量の反射光でも視感度の
高い波長の光は目立ち易く、視感度の低い波長の光は目
立ち難い。このため、従来の反射防止膜の特性は目に見
える反射光が最少になるように、すなわち視感度の最も
高い５５０ｎｍ付近での反射率が最小になるように設計
されていた。このような反射防止膜は５００ｎｍ付近か
ら６００ｎｍ付近の波長の光に対しては反射防止の効果
が高いので界面反射を防止できるが、視感度が低い短波
長や長波長の光に対しては反射防止の効果が低く十分な
界面反射の防止ができなかった。
【００１１】ところが、ＴＦＴ液晶パネルのＴＦＴのリ
ーク電流が増大しやすい波長の光と人間の目に見えやす
い光とは異なる。図４にトランジスタを構成するポリシ
リコンの吸収係数の波長依存性を示す。ここで紫外線を
含む４００ｎｍよりも短波長の光は偏光板が殆ど吸収し
てしまい、実際には問題にならないので図に記載してな
い。図４より吸収係数は短波長の光ほど大きく、波長が
長くなるにしたがって単調に小さくなっている。このこ
とから、ＴＦＴは短波長ほど少ない光量でリーク電流が
増大することがわかる。
ーク電流が増大しやすい波長の光と人間の目に見えやす
い光とは異なる。図４にトランジスタを構成するポリシ
リコンの吸収係数の波長依存性を示す。ここで紫外線を
含む４００ｎｍよりも短波長の光は偏光板が殆ど吸収し
てしまい、実際には問題にならないので図に記載してな
い。図４より吸収係数は短波長の光ほど大きく、波長が
長くなるにしたがって単調に小さくなっている。このこ
とから、ＴＦＴは短波長ほど少ない光量でリーク電流が
増大することがわかる。
【００１２】したがって、従来の反射防止膜では視感度
が低い短波長の光に対しては反射防止の効果が小さいの
で、光によるＴＦＴ液晶パネルのトランジスタのリーク
電流が増大する不具合を防止するための効果的な反射防
止ができないのが実状である。
が低い短波長の光に対しては反射防止の効果が小さいの
で、光によるＴＦＴ液晶パネルのトランジスタのリーク
電流が増大する不具合を防止するための効果的な反射防
止ができないのが実状である。
【００１３】ここで、このような反射光Ｒ１の量は、当
然ではあるが、ＴＦＴ液晶パネルへの照射照度が高まれ
ば、それに応じて多くなる。光源の光強度を高めてＴＦ
Ｔ液晶パネルの照射照度を高めれば、それだけスクリー
ン上での投写画像の照度が高まるので、明るい室内等に
おいても高輝度及び高コントラスト比の画像を投写する
ことができる。したがって、スクリーン照度を高めるた
めにも、ＴＦＴ液晶パネルに対して短波長の光の逆方向
からの入射を防止する必要がある。
然ではあるが、ＴＦＴ液晶パネルへの照射照度が高まれ
ば、それに応じて多くなる。光源の光強度を高めてＴＦ
Ｔ液晶パネルの照射照度を高めれば、それだけスクリー
ン上での投写画像の照度が高まるので、明るい室内等に
おいても高輝度及び高コントラスト比の画像を投写する
ことができる。したがって、スクリーン照度を高めるた
めにも、ＴＦＴ液晶パネルに対して短波長の光の逆方向
からの入射を防止する必要がある。
【００１４】本発明の課題は、この点に着目して、ＴＦ
Ｔ液晶パネルに対してその出射側からの戻り光による光
入射を低減させて画像品位の低下を防止することのでき
る高品位の投写型液晶表示装置を提案することにある。
Ｔ液晶パネルに対してその出射側からの戻り光による光
入射を低減させて画像品位の低下を防止することのでき
る高品位の投写型液晶表示装置を提案することにある。
【００１５】また、本発明の課題は、ＴＦＴ液晶パネル
に対してその出射側からの戻り光による光入射のうちＴ
ＦＴのリーク電流を増大させる効果の高い短波長の波長
成分の光を重点的に低減させて、高輝度及び高コントラ
スト比の投写画像を実現することのできる投写型液晶表
示装置を提案することにある。
に対してその出射側からの戻り光による光入射のうちＴ
ＦＴのリーク電流を増大させる効果の高い短波長の波長
成分の光を重点的に低減させて、高輝度及び高コントラ
スト比の投写画像を実現することのできる投写型液晶表
示装置を提案することにある。
【００１６】さらに、本発明の課題は、そのような高品
位、高輝度、高コントラストの投写型表示装置のライト
バルブとして最適な液晶パネルを提案することにある。
位、高輝度、高コントラストの投写型表示装置のライト
バルブとして最適な液晶パネルを提案することにある。
【００１７】
【課題を解決するための手段】上記の課題を解決するた
めに、光源と、該光源からの入射光束を変調して出射光
束として出射する液晶パネルと、該出射光束をスクリー
ン上に拡大投写するための投写光学手段とを有する投写
型表示装置において、前記液晶パネルは、一対の基板間
に液晶が封入され、一方の該基板の内面に薄膜トランジ
スタと、該薄膜トランジスタに接続された画素電極とを
配置してなり、且つ出射側の該基板の外側に偏光板を配
置してなり、前記液晶パネルは、前記偏光板の表面に、
反射率が最小となる光の波長が４００ｎｍから５００ｎ
ｍの間に存在する反射防止膜が形成されてなることを特
徴とする。
めに、光源と、該光源からの入射光束を変調して出射光
束として出射する液晶パネルと、該出射光束をスクリー
ン上に拡大投写するための投写光学手段とを有する投写
型表示装置において、前記液晶パネルは、一対の基板間
に液晶が封入され、一方の該基板の内面に薄膜トランジ
スタと、該薄膜トランジスタに接続された画素電極とを
配置してなり、且つ出射側の該基板の外側に偏光板を配
置してなり、前記液晶パネルは、前記偏光板の表面に、
反射率が最小となる光の波長が４００ｎｍから５００ｎ
ｍの間に存在する反射防止膜が形成されてなることを特
徴とする。
【００１８】また、光源と、該光源からの入射光束を変
調して出射光束として出射する液晶パネルと、該出射光
束をスクリーン上に拡大投写するための投写光学手段と
を有する投写型表示装置において、前記液晶パネルは、
一対の基板間に液晶が封入され、出射側の該基板の内面
に薄膜トランジスタと、該薄膜トランジスタに接続され
た画素電極とを配置してなり、且つ該出射側の基板の外
側に偏光板を配置してなり、前記液晶パネルは、前記偏
光板の表面に、反射率が最小となる光の波長が４００ｎ
ｍから５００ｎｍの間に存在する反射防止膜が形成され
てなることを特徴とする。
調して出射光束として出射する液晶パネルと、該出射光
束をスクリーン上に拡大投写するための投写光学手段と
を有する投写型表示装置において、前記液晶パネルは、
一対の基板間に液晶が封入され、出射側の該基板の内面
に薄膜トランジスタと、該薄膜トランジスタに接続され
た画素電極とを配置してなり、且つ該出射側の基板の外
側に偏光板を配置してなり、前記液晶パネルは、前記偏
光板の表面に、反射率が最小となる光の波長が４００ｎ
ｍから５００ｎｍの間に存在する反射防止膜が形成され
てなることを特徴とする。
【００１９】さらに、光源と、該光源からの入射光束を
変調して出射光束として出射する液晶パネルと、該出射
光束をスクリーン上に拡大投写するための投写光学手段
とを有する投写型表示装置において、前記液晶パネル
は、一対の基板間に液晶が封入され、一方の該基板の内
面に薄膜トランジスタと、該薄膜トランジスタに接続さ
れた画素電極とを配置してなり、且つ出射側の該基板の
外表面に、反射率が最小となる光の波長が４００ｎｍか
ら５００ｎｍの間に存在する反射防止膜が形成されてな
ることを特徴とする。
変調して出射光束として出射する液晶パネルと、該出射
光束をスクリーン上に拡大投写するための投写光学手段
とを有する投写型表示装置において、前記液晶パネル
は、一対の基板間に液晶が封入され、一方の該基板の内
面に薄膜トランジスタと、該薄膜トランジスタに接続さ
れた画素電極とを配置してなり、且つ出射側の該基板の
外表面に、反射率が最小となる光の波長が４００ｎｍか
ら５００ｎｍの間に存在する反射防止膜が形成されてな
ることを特徴とする。
【００２０】さらに、光源と、該光源からの入射光束を
変調して出射光束として出射する液晶パネルと、該出射
光束をスクリーン上に拡大投写するための投写光学手段
とを有する投写型表示装置において、前記液晶パネル
は、一対の基板間に液晶が封入され、出射側の該基板の
内面に薄膜トランジスタと、該薄膜トランジスタに接続
された画素電極とを配置してなり、且つ該出射側の基板
の外表面に、反射率が最小となる光の波長が４００ｎｍ
から５００ｎｍの間に存在する反射防止膜が形成されて
なることを特徴とする。
変調して出射光束として出射する液晶パネルと、該出射
光束をスクリーン上に拡大投写するための投写光学手段
とを有する投写型表示装置において、前記液晶パネル
は、一対の基板間に液晶が封入され、出射側の該基板の
内面に薄膜トランジスタと、該薄膜トランジスタに接続
された画素電極とを配置してなり、且つ該出射側の基板
の外表面に、反射率が最小となる光の波長が４００ｎｍ
から５００ｎｍの間に存在する反射防止膜が形成されて
なることを特徴とする。
【００２１】また、互いに対向するように配置された一
対の基板間に液晶が封入され、一方の該基板の内面には
薄膜トランジスタと、該薄膜トランジスタに接続された
画素電極とを配置してなり、出射側の該基板の外側の面
に偏光板を有する液晶パネルにおいて、前記偏光板の表
面には、反射率が最小となる光の波長が４００ｎｍから
５００ｎｍの間に存在する反射防止膜が形成されてなる
ことを特徴とする。
対の基板間に液晶が封入され、一方の該基板の内面には
薄膜トランジスタと、該薄膜トランジスタに接続された
画素電極とを配置してなり、出射側の該基板の外側の面
に偏光板を有する液晶パネルにおいて、前記偏光板の表
面には、反射率が最小となる光の波長が４００ｎｍから
５００ｎｍの間に存在する反射防止膜が形成されてなる
ことを特徴とする。
【００２２】さらに、互いに対向するように配置された
一対の基板間に液晶が封入され、一方の該基板の内面に
は薄膜トランジスタと、該薄膜トランジスタに接続され
た画素電極とを配置し、該一対の基板の外側の面には偏
光板を配置してなる液晶パネルにおいて、前記偏光板の
表面には、反射率が最小となる光の波長が４００ｎｍか
ら５００ｎｍの間に存在する反射防止膜が形成されてな
ることを特徴とする。
一対の基板間に液晶が封入され、一方の該基板の内面に
は薄膜トランジスタと、該薄膜トランジスタに接続され
た画素電極とを配置し、該一対の基板の外側の面には偏
光板を配置してなる液晶パネルにおいて、前記偏光板の
表面には、反射率が最小となる光の波長が４００ｎｍか
ら５００ｎｍの間に存在する反射防止膜が形成されてな
ることを特徴とする。
【００２３】さらにまた、互いに対向するように配置さ
れた一対の基板間に液晶が封入され、一方の該基板の内
面には薄膜トランジスタと、該薄膜トランジスタに接続
された画素電極とを配置してなる液晶パネルにおいて、
前記一方の基板の外表面には、反射率が最小となる光の
波長が４００ｎｍから５００ｎｍの間に存在する反射防
止膜が形成されてなることを特徴とする。
れた一対の基板間に液晶が封入され、一方の該基板の内
面には薄膜トランジスタと、該薄膜トランジスタに接続
された画素電極とを配置してなる液晶パネルにおいて、
前記一方の基板の外表面には、反射率が最小となる光の
波長が４００ｎｍから５００ｎｍの間に存在する反射防
止膜が形成されてなることを特徴とする。
【００２４】さらにまた、前記薄膜トランジスタは、前
記基板内面にチャネルとなるシリコン薄膜が形成され、
該シリコン薄膜上にゲート絶縁膜を介してゲート電極が
形成されて構成であることを特徴とする。
記基板内面にチャネルとなるシリコン薄膜が形成され、
該シリコン薄膜上にゲート絶縁膜を介してゲート電極が
形成されて構成であることを特徴とする。
【００２５】
【発明の実施の形態】以下に、図面を参照して本発明を
説明する。
説明する。
【００２６】（実施例1）図５は、本発明の第１の実施
例として、図９又は図１０に示す１枚の透過型ＴＦＴ液
晶パネルを用いた投写型液晶表示装置を示す図である。
本装置では、光源１から放射される光束は、反射板２を
介して入射側偏光板４を透過し直線偏光になったのちに
ＴＦＴ液晶パネル５に入射する。ＴＦＴ液晶パネル５の
出射面には出射側偏光板６を光学的に密着するように貼
り合わせてある。ＴＦＴ液晶パネルを透過した光は投写
用光学系８を介してスクリーンに投影される。ＴＦＴ液
晶パネル５の出射面は出射側偏光板６の出射面であり空
気との界面である。この界面に反射防止の処理を行わな
いときは、その表面反射は図６に示すように可視光全域
で平均約４．５％であった。スクリーンに投影される画
像を調べたところ、この状態ではＴＦＴ液晶パネル５の
照射照度が約６０万ルクス以上になると界面反射による
ＴＦＴ液晶パネル５への戻り光によりＴＦＴのリーク電
流が増大し映像に不具合が発生することが確認された。
例として、図９又は図１０に示す１枚の透過型ＴＦＴ液
晶パネルを用いた投写型液晶表示装置を示す図である。
本装置では、光源１から放射される光束は、反射板２を
介して入射側偏光板４を透過し直線偏光になったのちに
ＴＦＴ液晶パネル５に入射する。ＴＦＴ液晶パネル５の
出射面には出射側偏光板６を光学的に密着するように貼
り合わせてある。ＴＦＴ液晶パネルを透過した光は投写
用光学系８を介してスクリーンに投影される。ＴＦＴ液
晶パネル５の出射面は出射側偏光板６の出射面であり空
気との界面である。この界面に反射防止の処理を行わな
いときは、その表面反射は図６に示すように可視光全域
で平均約４．５％であった。スクリーンに投影される画
像を調べたところ、この状態ではＴＦＴ液晶パネル５の
照射照度が約６０万ルクス以上になると界面反射による
ＴＦＴ液晶パネル５への戻り光によりＴＦＴのリーク電
流が増大し映像に不具合が発生することが確認された。
【００２７】次に出射側偏光板６を従来の一般的な反射
防止膜を出射面に形成した偏光板に取り替えて同様の確
認を行った。この偏光板表面の反射率は図７に示すよう
に視感度の高い５５０ｎｍの周辺の波長の光に対しては
反射率がほとんど０．２％以下に抑えられている。しか
し、視感度の低い短波長や長波長の光に対しては反射防
止の効果が低い。スクリーンに投影される画像を調べた
ところ、ＴＦＴ液晶パネル５の照射照度が約２００万ル
クス以上になると界面反射によるＴＦＴ液晶パネル５へ
の戻り光によりＴＦＴのリーク電流が増大し画像に不具
合が発生することが確認された。
防止膜を出射面に形成した偏光板に取り替えて同様の確
認を行った。この偏光板表面の反射率は図７に示すよう
に視感度の高い５５０ｎｍの周辺の波長の光に対しては
反射率がほとんど０．２％以下に抑えられている。しか
し、視感度の低い短波長や長波長の光に対しては反射防
止の効果が低い。スクリーンに投影される画像を調べた
ところ、ＴＦＴ液晶パネル５の照射照度が約２００万ル
クス以上になると界面反射によるＴＦＴ液晶パネル５へ
の戻り光によりＴＦＴのリーク電流が増大し画像に不具
合が発生することが確認された。
【００２８】次に出射側偏光板６を表面反射が図８に示
すように短波長側の反射を重点的に防止する反射防止膜
（反射率が最小となる光の波長が４００ｎｍ〜５００ｎ
ｍの間に存在する膜）を、光出射面に形成した偏光板に
取り替えて同様の確認を行った。この偏光板表面の反射
率は図７に示す反射防止膜の特性に比べて視感度の高い
５５０ｎｍの周辺の波長の光に対しては反射防止の効果
が低いが、スクリーンに投影される画像を調べたとこ
ろ、ＴＦＴ液晶パネル５の照射照度が約３３０万ルクス
まで界面反射によるＴＦＴ液晶パネルへの戻り光による
ＴＦＴのリーク電流の増大による画像の不具合は確認さ
れなかった。なお、ＴＦＴ素子側基板５０１と出射側偏
光板６との界面での反射が問題になる場合には、偏光板
の光入射面側表面又は基板５０１の出射側表面に上記反
射防止膜を形成してもよい。
すように短波長側の反射を重点的に防止する反射防止膜
（反射率が最小となる光の波長が４００ｎｍ〜５００ｎ
ｍの間に存在する膜）を、光出射面に形成した偏光板に
取り替えて同様の確認を行った。この偏光板表面の反射
率は図７に示す反射防止膜の特性に比べて視感度の高い
５５０ｎｍの周辺の波長の光に対しては反射防止の効果
が低いが、スクリーンに投影される画像を調べたとこ
ろ、ＴＦＴ液晶パネル５の照射照度が約３３０万ルクス
まで界面反射によるＴＦＴ液晶パネルへの戻り光による
ＴＦＴのリーク電流の増大による画像の不具合は確認さ
れなかった。なお、ＴＦＴ素子側基板５０１と出射側偏
光板６との界面での反射が問題になる場合には、偏光板
の光入射面側表面又は基板５０１の出射側表面に上記反
射防止膜を形成してもよい。
【００２９】本発明の投写型に晶表示装置は、従来の一
般的な装置と比較してＴＦＴ液晶パネルの照射照度を約
１．５倍にしても、ＴＦＴパネルへの反射光による悪影
響を防止できることが確認された。本発明の実施例では
従来よりも高照度の光をＴＦＴパネルに照射することが
可能となり、これにより従来よりも高輝度かつ高コント
ラスト比の投写画像をスクリーン上に再現することが可
能となった。
般的な装置と比較してＴＦＴ液晶パネルの照射照度を約
１．５倍にしても、ＴＦＴパネルへの反射光による悪影
響を防止できることが確認された。本発明の実施例では
従来よりも高照度の光をＴＦＴパネルに照射することが
可能となり、これにより従来よりも高輝度かつ高コント
ラスト比の投写画像をスクリーン上に再現することが可
能となった。
【００３０】（実施例２）図１は、本発明の第２の実施
例として、図９又は図１０に示す透過型ＴＦＴ液晶パネ
ルを３枚用いた投写型液晶表示を示す図である。図にお
いて、１は光源ランプであり、ここからの光は反射板２
を介して色分離光学系３の側に向けて出射される。色分
離光学系３は、ダイクロイックミラー３１、３２とミラ
ー３３を備えている。ダイクロイックミラー３１は、赤
色光束Ｒを透過するが、緑および青色光束Ｇ、Ｂを反射
するものであり、他方のダイクロイックミラー３２は緑
色光束Ｇを反射するが、青色光束Ｂを透過するものであ
る。これらの２枚のダイクロイックミラー３１、３２に
よって白色光束Ｗは、赤、緑、青の各色光束Ｒ、Ｇ、Ｂ
に分離される。分離された後の各色光束は、それぞれ入
射側偏光板４１、４２、４３を透過し直線偏光になって
から各色に対応する３枚のＴＦＴ液晶パネル５１、５
２、５３に入射する。
例として、図９又は図１０に示す透過型ＴＦＴ液晶パネ
ルを３枚用いた投写型液晶表示を示す図である。図にお
いて、１は光源ランプであり、ここからの光は反射板２
を介して色分離光学系３の側に向けて出射される。色分
離光学系３は、ダイクロイックミラー３１、３２とミラ
ー３３を備えている。ダイクロイックミラー３１は、赤
色光束Ｒを透過するが、緑および青色光束Ｇ、Ｂを反射
するものであり、他方のダイクロイックミラー３２は緑
色光束Ｇを反射するが、青色光束Ｂを透過するものであ
る。これらの２枚のダイクロイックミラー３１、３２に
よって白色光束Ｗは、赤、緑、青の各色光束Ｒ、Ｇ、Ｂ
に分離される。分離された後の各色光束は、それぞれ入
射側偏光板４１、４２、４３を透過し直線偏光になって
から各色に対応する３枚のＴＦＴ液晶パネル５１、５
２、５３に入射する。
【００３１】各ＴＦＴ液晶パネル５１、５２、５３の出
射面にはそれぞれ表面反射が図８に示すように短波長側
の反射を重点的に防止する反射防止膜（反射率が最小と
なる光の波長が４００ｎｍ〜５００ｎｍの間に存在する
膜）を、光出射面に形成した出射側偏光板６１、６２、
６３が光学的に密着するように貼り付けてあり、与えら
れた画像情報に基づき、入射した光束を変調する。変調
後の各色の光束Ｒ、Ｇ、Ｂは、ダイクロイックミラー７
１、７２とミラー７３を備えた色合成光学系７に入射
し、ここにおいて合成される。合成された変調光束は投
写レンズ光学系８を介して、装置の外のスクリーンの表
面に拡大投写される。なお、ＴＦＴ素子側基板５０１と
出射側偏光板６との界面での反射が問題になる場合に
は、偏光板の光入射面側表面又は基板５０１の出射側表
面に上記反射防止膜を形成してもよい。
射面にはそれぞれ表面反射が図８に示すように短波長側
の反射を重点的に防止する反射防止膜（反射率が最小と
なる光の波長が４００ｎｍ〜５００ｎｍの間に存在する
膜）を、光出射面に形成した出射側偏光板６１、６２、
６３が光学的に密着するように貼り付けてあり、与えら
れた画像情報に基づき、入射した光束を変調する。変調
後の各色の光束Ｒ、Ｇ、Ｂは、ダイクロイックミラー７
１、７２とミラー７３を備えた色合成光学系７に入射
し、ここにおいて合成される。合成された変調光束は投
写レンズ光学系８を介して、装置の外のスクリーンの表
面に拡大投写される。なお、ＴＦＴ素子側基板５０１と
出射側偏光板６との界面での反射が問題になる場合に
は、偏光板の光入射面側表面又は基板５０１の出射側表
面に上記反射防止膜を形成してもよい。
【００３２】従来の投写型液晶表示装置では光源１の光
量を大きくしていくと、ＴＦＴ液晶パネルへの反射光が
原因となり表示に不具合が発生する。この不具合は短波
長側の光を有する青色光束を変調するＴＦＴ液晶パネル
５３が最初に発生する。このため光源１の光量はＴＦＴ
液晶パネル５３で不具合の発生しない範囲で制限する必
要があった。
量を大きくしていくと、ＴＦＴ液晶パネルへの反射光が
原因となり表示に不具合が発生する。この不具合は短波
長側の光を有する青色光束を変調するＴＦＴ液晶パネル
５３が最初に発生する。このため光源１の光量はＴＦＴ
液晶パネル５３で不具合の発生しない範囲で制限する必
要があった。
【００３３】本発明の投写型液晶表示装置ではＴＦＴ液
晶パネル５３の照射照度を従来の約３倍にしても、反射
光による悪影響を防止できることが確認された。このた
め従来よりも高照度の光をＴＦＴ液晶パネルに照射する
ことが可能となり、従来よりも高輝度かつ高コントラス
ト比の投写画像をスクリーン上に再現することが可能と
なった。なお、本発明では、短波長側の光を変調する液
晶パネルによって問題が発生しやすいので、青色光を変
調するＴＦＴ液晶パネル５３の出射側偏光板６３だけに
上記反射防止膜を形成することにより、コストダウンを
図ることもできる。
晶パネル５３の照射照度を従来の約３倍にしても、反射
光による悪影響を防止できることが確認された。このた
め従来よりも高照度の光をＴＦＴ液晶パネルに照射する
ことが可能となり、従来よりも高輝度かつ高コントラス
ト比の投写画像をスクリーン上に再現することが可能と
なった。なお、本発明では、短波長側の光を変調する液
晶パネルによって問題が発生しやすいので、青色光を変
調するＴＦＴ液晶パネル５３の出射側偏光板６３だけに
上記反射防止膜を形成することにより、コストダウンを
図ることもできる。
【００３４】なお、以上の実施例では、ＴＦＴ液晶パネ
ルとしてその出射側の表面に偏光板が形成されているも
のを例にとって説明したが、出射側偏光板（検光子）が
ＴＦＴ液晶パネルと分離して構成されている投写型表示
装置や偏光板を用いない投写型表示装置などの場合に
は、ＴＦＴ液晶パネルの基板の出射側の表面に、反射率
が最小となる光の波長が４００ｎｍから５００ｎｍの間
に存在する反射防止膜を形成することにより、同様の効
果を有する。
ルとしてその出射側の表面に偏光板が形成されているも
のを例にとって説明したが、出射側偏光板（検光子）が
ＴＦＴ液晶パネルと分離して構成されている投写型表示
装置や偏光板を用いない投写型表示装置などの場合に
は、ＴＦＴ液晶パネルの基板の出射側の表面に、反射率
が最小となる光の波長が４００ｎｍから５００ｎｍの間
に存在する反射防止膜を形成することにより、同様の効
果を有する。
【００３５】また、ＴＦＴ液晶パネルの基板内面に、光
出射側からの反射光を遮光する遮光膜を形成したＴＦＴ
液晶パネルであっても、遮光部は開口率を向上するため
に大きくできないので、界面からの屈折した反射光がＴ
ＦＴ素子まで達しやすい。従って、このようなパネルで
あっても、パネル基板の出射側表面に、反射率が最小と
なる光の波長が４００ｎｍ〜５００ｎｍの間に存在する
反射防止膜を形成することにより、同様の効果を得るこ
とができる。
出射側からの反射光を遮光する遮光膜を形成したＴＦＴ
液晶パネルであっても、遮光部は開口率を向上するため
に大きくできないので、界面からの屈折した反射光がＴ
ＦＴ素子まで達しやすい。従って、このようなパネルで
あっても、パネル基板の出射側表面に、反射率が最小と
なる光の波長が４００ｎｍ〜５００ｎｍの間に存在する
反射防止膜を形成することにより、同様の効果を得るこ
とができる。
【００３６】（実施例３）図１１は、本発明の第３の実
施例として、図９又は図１０に示すＴＦＴ液晶パネルを
３枚用いた投写型液晶表示を示す図である。図におい
て、１は光源ランプであり、ここからの光は反射板２に
より反射され、熱線カットフィルター６０１により赤外
域の熱線がカットされ、色分離光学系側に向けて出射さ
れる。色分離光学系は、ダイクロイックミラー６０２、
６０３を備えている。ダイクロイックミラー６０２は、
青色反射ダイクロイックミラーであり、青色光束（おお
むね５００ｎｍ以下の波長）を反射し、その他の光（黄
色光）を透過する。反射した青色光束は反射ミラー６０
４により方向を変え、青色光束を変調するＴＦＴ液晶パ
ネル５３に入射される。ダイクロイックミラー６０２を
透過した光は、緑色反射ダイクロイックミラーに入射
し、緑色光束（おおむね５００ｎｍ〜６００ｎｍの間の
波長の光）を反射し、その他の光である赤色光束（おお
むね６００ｎｍ以上の波長の光）を透過する。反射した
緑色光は、緑色光束を変調するＴＦＴ液晶パネル５２に
入射される。ダイクロイックミラー６０３を透過した赤
色光束は、反射ミラー６０５、６０６により方向を変
え、赤色光束を変調するＴＦＴ液晶パネル５１に入射さ
れる。各色光は、それぞれの透過型ＴＦＴ液晶パネルに
より変調され、ダイクロイックプリズムによって合成さ
れる。ダイクロイックプリズムは、青色光反射面６０
７、赤色光反射面６０８とが互いに直交するように構成
されている。こうして合成されたカラー画像は、投写レ
ンズ８によってスクリーンに拡大投写される。
施例として、図９又は図１０に示すＴＦＴ液晶パネルを
３枚用いた投写型液晶表示を示す図である。図におい
て、１は光源ランプであり、ここからの光は反射板２に
より反射され、熱線カットフィルター６０１により赤外
域の熱線がカットされ、色分離光学系側に向けて出射さ
れる。色分離光学系は、ダイクロイックミラー６０２、
６０３を備えている。ダイクロイックミラー６０２は、
青色反射ダイクロイックミラーであり、青色光束（おお
むね５００ｎｍ以下の波長）を反射し、その他の光（黄
色光）を透過する。反射した青色光束は反射ミラー６０
４により方向を変え、青色光束を変調するＴＦＴ液晶パ
ネル５３に入射される。ダイクロイックミラー６０２を
透過した光は、緑色反射ダイクロイックミラーに入射
し、緑色光束（おおむね５００ｎｍ〜６００ｎｍの間の
波長の光）を反射し、その他の光である赤色光束（おお
むね６００ｎｍ以上の波長の光）を透過する。反射した
緑色光は、緑色光束を変調するＴＦＴ液晶パネル５２に
入射される。ダイクロイックミラー６０３を透過した赤
色光束は、反射ミラー６０５、６０６により方向を変
え、赤色光束を変調するＴＦＴ液晶パネル５１に入射さ
れる。各色光は、それぞれの透過型ＴＦＴ液晶パネルに
より変調され、ダイクロイックプリズムによって合成さ
れる。ダイクロイックプリズムは、青色光反射面６０
７、赤色光反射面６０８とが互いに直交するように構成
されている。こうして合成されたカラー画像は、投写レ
ンズ８によってスクリーンに拡大投写される。
【００３７】各ＴＦＴ液晶パネル５１、５２、５３の入
射側にはそれぞれ入射側偏光板４１、４２、４３が密着
されて貼り合わされている。一方、パネルの出射面には
それぞれ表面反射が図８に示すように短波長側の反射を
重点的に防止する反射防止膜（反射率が最小となる光の
波長が４００ｎｍ〜５００ｎｍの間に存在する膜）を、
光出射面に形成した出射側偏光板６１、６２、６３が光
学的に密着するように貼り付けてあり、与えられた画像
情報に基づき、入射した光束を変調する。なお、ＴＦＴ
素子側基板５０１と出射側偏光板６との界面での反射が
問題になる場合には、偏光板の光入射面側表面又は基板
５０１の出射側表面に上記反射防止膜を形成してもよ
い。
射側にはそれぞれ入射側偏光板４１、４２、４３が密着
されて貼り合わされている。一方、パネルの出射面には
それぞれ表面反射が図８に示すように短波長側の反射を
重点的に防止する反射防止膜（反射率が最小となる光の
波長が４００ｎｍ〜５００ｎｍの間に存在する膜）を、
光出射面に形成した出射側偏光板６１、６２、６３が光
学的に密着するように貼り付けてあり、与えられた画像
情報に基づき、入射した光束を変調する。なお、ＴＦＴ
素子側基板５０１と出射側偏光板６との界面での反射が
問題になる場合には、偏光板の光入射面側表面又は基板
５０１の出射側表面に上記反射防止膜を形成してもよ
い。
【００３８】従来の投写型液晶表示装置では光源１の光
量を大きくしていくと、ＴＦＴ液晶パネルへの反射光が
原因となり表示に不具合が発生する。この不具合は短波
長側の光を有する青色光束を変調するＴＦＴ液晶パネル
５３が最初に発生する。このため光源１の光量はＴＦＴ
液晶パネル５３で不具合の発生しない範囲で制限する必
要があった。
量を大きくしていくと、ＴＦＴ液晶パネルへの反射光が
原因となり表示に不具合が発生する。この不具合は短波
長側の光を有する青色光束を変調するＴＦＴ液晶パネル
５３が最初に発生する。このため光源１の光量はＴＦＴ
液晶パネル５３で不具合の発生しない範囲で制限する必
要があった。
【００３９】本発明の投写型液晶表示装置ではＴＦＴ液
晶パネル５３の照射照度を従来の約３倍にしても、反射
光による悪影響を防止できることが確認された。このた
め従来よりも高照度の光をＴＦＴ液晶パネルに照射する
ことが可能となり、従来よりも高輝度かつ高コントラス
ト比の投写画像をスクリーン上に再現することが可能と
なった。なお、本発明では、短波長側の光を変調する液
晶パネルによって問題が発生しやすいので、青色光を変
調するＴＦＴ液晶パネル５３の出射側偏光板６３だけに
上記反射防止膜を形成することにより、コストダウンを
図ることもできる。
晶パネル５３の照射照度を従来の約３倍にしても、反射
光による悪影響を防止できることが確認された。このた
め従来よりも高照度の光をＴＦＴ液晶パネルに照射する
ことが可能となり、従来よりも高輝度かつ高コントラス
ト比の投写画像をスクリーン上に再現することが可能と
なった。なお、本発明では、短波長側の光を変調する液
晶パネルによって問題が発生しやすいので、青色光を変
調するＴＦＴ液晶パネル５３の出射側偏光板６３だけに
上記反射防止膜を形成することにより、コストダウンを
図ることもできる。
【００４０】また、ダイクロイックプリズムの入射表面
に、上記反射防止膜を形成し、プリズムの入射面からの
反射光によるＴＦＴ素子での光リークを防止することも
できる。なお、この場合も、青色光を入射するダイクロ
イックプリズムの入射面だけに上記反射防止膜を形成し
て、コストダウンを図ることもできる。
に、上記反射防止膜を形成し、プリズムの入射面からの
反射光によるＴＦＴ素子での光リークを防止することも
できる。なお、この場合も、青色光を入射するダイクロ
イックプリズムの入射面だけに上記反射防止膜を形成し
て、コストダウンを図ることもできる。
【００４１】また、以上の実施例では、ＴＦＴが出射側
基板の内側の面に形成されているものを例にとって説明
したが、ＴＦＴが入射側基板の内側の面に形成されてい
るものでも、同様の効果を有する。
基板の内側の面に形成されているものを例にとって説明
したが、ＴＦＴが入射側基板の内側の面に形成されてい
るものでも、同様の効果を有する。
【００４２】また、ＴＦＴ液晶パネルの基板内面に、光
出射側からの反射光を遮光する遮光膜を形成したＴＦＴ
液晶パネルであっても、遮光部は開口率を向上するため
に大きくできないので、界面からの屈折した反射光がＴ
ＦＴ素子まで達しやすい。従って、このようなパネルで
あっても、パネル基板の出射側表面に、反射率が最小と
なる光の波長が４００ｎｍ〜５００ｎｍの間に存在する
反射防止膜を形成することにより、同様の効果を得るこ
とができる。
出射側からの反射光を遮光する遮光膜を形成したＴＦＴ
液晶パネルであっても、遮光部は開口率を向上するため
に大きくできないので、界面からの屈折した反射光がＴ
ＦＴ素子まで達しやすい。従って、このようなパネルで
あっても、パネル基板の出射側表面に、反射率が最小と
なる光の波長が４００ｎｍ〜５００ｎｍの間に存在する
反射防止膜を形成することにより、同様の効果を得るこ
とができる。
【００４３】また、以上の実施例では、ＴＦＴ液晶パネ
ルとして、投写型表示装置のライトバルブとして用いる
ＴＦＴ液晶パネルを例にとって説明したが、直視型のＴ
ＦＴ液晶パネルの場合であっても、同様の効果があり、
開口率をぎりぎりまで大きくした明るいＴＦＴ液晶パネ
ルの場合に特に効果がある。
ルとして、投写型表示装置のライトバルブとして用いる
ＴＦＴ液晶パネルを例にとって説明したが、直視型のＴ
ＦＴ液晶パネルの場合であっても、同様の効果があり、
開口率をぎりぎりまで大きくした明るいＴＦＴ液晶パネ
ルの場合に特に効果がある。
【００４４】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の投写型表
示装置は、ＴＦＴ液晶パネルの出射側の表面に、反射率
が最小となる光の波長が４００ｎｍから５００ｎｍの間
に存在する反射防止膜を形成している。したがって、Ｔ
ＦＴ液晶パネルの出射面の界面反射光が入射してＴＦＴ
のリーク電流が増大することを抑制できるので、より強
い光をＴＦＴ液晶パネルに照射することができる。これ
により、高輝度、高コントラスト比を有すると共に、色
再現性の優れた高品位の投写映像を実現することができ
る。
示装置は、ＴＦＴ液晶パネルの出射側の表面に、反射率
が最小となる光の波長が４００ｎｍから５００ｎｍの間
に存在する反射防止膜を形成している。したがって、Ｔ
ＦＴ液晶パネルの出射面の界面反射光が入射してＴＦＴ
のリーク電流が増大することを抑制できるので、より強
い光をＴＦＴ液晶パネルに照射することができる。これ
により、高輝度、高コントラスト比を有すると共に、色
再現性の優れた高品位の投写映像を実現することができ
る。
【００４５】また、本発明のＴＦＴ液晶パネルは、液晶
パネルの出射側表面には、反射率が最小となる光の波長
が４００ｎｍから５００ｎｍの間に存在する反射防止膜
が形成されている。したがって、ＴＦＴ液晶パネルの出
射面の界面反射光が入射してＴＦＴのリーク電流が増大
してしまうことを抑制できるので、より強い光をＴＦＴ
液晶パネルに照射することができる。これにより、高輝
度、高コントラスト比を有すると共に、色再現性の優れ
た高品位の画像を実現することができる。また、このＴ
ＦＴ液晶パネルを投写型表示装置のライトバルブに用い
た場合には、その投写型表示装置の高輝度化、高コント
ラスト化、高品位化に資することができる。
パネルの出射側表面には、反射率が最小となる光の波長
が４００ｎｍから５００ｎｍの間に存在する反射防止膜
が形成されている。したがって、ＴＦＴ液晶パネルの出
射面の界面反射光が入射してＴＦＴのリーク電流が増大
してしまうことを抑制できるので、より強い光をＴＦＴ
液晶パネルに照射することができる。これにより、高輝
度、高コントラスト比を有すると共に、色再現性の優れ
た高品位の画像を実現することができる。また、このＴ
ＦＴ液晶パネルを投写型表示装置のライトバルブに用い
た場合には、その投写型表示装置の高輝度化、高コント
ラスト化、高品位化に資することができる。
【図１】 ３板式の投写型液晶表示装置の光学系を示す
概略構成図である。
概略構成図である。
【図２】 従来における投写型液晶表示装置の問題点を
説明するための説明図である。
説明するための説明図である。
【図３】 人間の目の視感度の光の波長依存性を示す図
である。
である。
【図４】 ポリシリコンの光の吸収係数の波長依存性を
示す図である。
示す図である。
【図５】 本発明を適用した投写型液晶表示装置の光学
系を示す概略構成図である。
系を示す概略構成図である。
【図６】 従来の投写型液晶表示装置の液晶パネルの出
射面の反射率を示す図である。
射面の反射率を示す図である。
【図７】 従来の投写型液晶表示装置の液晶パネルの出
射面の反射率を示す図である。
射面の反射率を示す図である。
【図８】 本発明を適用した投写型液晶表示装置図の液
晶パネルの出射面の反射率を示す図である。
晶パネルの出射面の反射率を示す図である。
【図９】 コプラナー型のポリシリコンＴＦＴを用いた
ＴＦＴ液晶パネルの断面を示す図である。
ＴＦＴ液晶パネルの断面を示す図である。
【図１０】 逆スタガー型のアモルファスシリコンＴＦ
Ｔを用いたＴＦＴ液晶パネルの断面を示す図である。
Ｔを用いたＴＦＴ液晶パネルの断面を示す図である。
【図１１】 本発明を適用した投写型液晶表示装置の光
学系を示す概略構成図である。
学系を示す概略構成図である。
１ 光源 ２ 反射板 ３ 色分離光学系 ３１、３２、７１、７２ ダイクロイックミラー ３３、７３ ミラー ４、４１、４２、４３ 入射側偏光板 ５、５１、５２、５３ ＴＦＴ液晶パネル ６、６１、６２、６３ 出射側偏光板 ７ 色合成光学系 ８ 投写レンズ（投写光学系） Ｒ１ 界面反射光
Claims (11)
- 【請求項１】 光源と、該光源からの入射光束を変調し
て出射光束として出射する液晶パネルと、該出射光束を
スクリーン上に拡大投写するための投写光学手段とを有
する投写型表示装置において、 前記液晶パネルは、一対の基板間に液晶が封入され、一
方の該基板の内面に薄膜トランジスタと、該薄膜トラン
ジスタに接続された画素電極とを配置してなり、且つ出
射側の該基板の外側に偏光板を配置してなり、 前記液晶パネルは、前記偏光板の表面に、反射率が最小
となる光の波長が４００ｎｍから５００ｎｍの間に存在
する反射防止膜が形成されてなることを特徴とする投写
型表示装置。 - 【請求項２】 光源と、該光源からの入射光束を変調し
て出射光束として出射する液晶パネルと、該出射光束を
スクリーン上に拡大投写するための投写光学手段とを有
する投写型表示装置において、 前記液晶パネルは、一対の基板間に液晶が封入され、出
射側の該基板の内面に薄膜トランジスタと、該薄膜トラ
ンジスタに接続された画素電極とを配置してなり、且つ
該出射側の基板の外側に偏光板を配置してなり、 前記液晶パネルは、前記偏光板の表面に、反射率が最小
となる光の波長が４００ｎｍから５００ｎｍの間に存在
する反射防止膜が形成されてなることを特徴とする投写
型表示装置。 - 【請求項３】 光源と、該光源からの入射光束を変調し
て出射光束として出射する液晶パネルと、該出射光束を
スクリーン上に拡大投写するための投写光学手段とを有
する投写型表示装置において、 前記液晶パネルは、一対の基板間に液晶が封入され、一
方の該基板の内面に薄膜トランジスタと、該薄膜トラン
ジスタに接続された画素電極とを配置してなり、且つ出
射側の該基板の外表面に、反射率が最小となる光の波長
が４００ｎｍから５００ｎｍの間に存在する反射防止膜
が形成されてなることを特徴とする投写型表示装置。 - 【請求項４】 光源と、該光源からの入射光束を変調し
て出射光束として出射する液晶パネルと、該出射光束を
スクリーン上に拡大投写するための投写光学手段とを有
する投写型表示装置において、 前記液晶パネルは、一対の基板間に液晶が封入され、出
射側の該基板の内面に薄膜トランジスタと、該薄膜トラ
ンジスタに接続された画素電極とを配置してなり、且つ
該出射側の基板の外表面に、反射率が最小となる光の波
長が４００ｎｍから５００ｎｍの間に存在する反射防止
膜が形成されてなることを特徴とする投写型表示装置。 - 【請求項５】 互いに対向するように配置された一対の
基板間に液晶が封入され、一方の該基板の内面には薄膜
トランジスタと、該薄膜トランジスタに接続された画素
電極とを配置してなり、出射側の該基板の外側の面に偏
光板を有する液晶パネルにおいて、 前記偏光板の表面には、反射率が最小となる光の波長が
４００ｎｍから５００ｎｍの間に存在する反射防止膜が
形成されてなることを特徴とする液晶パネル。 - 【請求項６】 互いに対向するように配置された一対の
基板間に液晶が封入され、一方の該基板の内面には薄膜
トランジスタと、該薄膜トランジスタに接続された画素
電極とを配置し、該一対の基板の外側の面には偏光板を
配置してなる液晶パネルにおいて、 前記偏光板の表面には、反射率が最小となる光の波長が
４００ｎｍから５００ｎｍの間に存在する反射防止膜が
形成されてなることを特徴とする液晶パネル。 - 【請求項７】 互いに対向するように配置された一対の
基板間に液晶が封入され、一方の該基板の内面には薄膜
トランジスタと、該薄膜トランジスタに接続された画素
電極とを配置してなる液晶パネルにおいて、 前記一方の基板の外表面には、反射率が最小となる光の
波長が４００ｎｍから５００ｎｍの間に存在する反射防
止膜が形成されてなることを特徴とする液晶パネル。 - 【請求項８】 前記薄膜トランジスタは、前記基板内面
にチャネルとなるシリコン薄膜が形成され、該シリコン
薄膜上にゲート絶縁膜を介してゲート電極が形成されて
構成であることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか
に記載の投写型表示装置。 - 【請求項９】 前記薄膜トランジスタは、前記基板内面
にチャネルとなるシリコン膜が形成され、該シリコン薄
膜上にゲート絶縁膜を介してゲート電極が形成されて構
成であることを特徴とする請求項５乃至７のいずれかに
記載の液晶パネル。 - 【請求項１０】 前記薄膜トランジスタは、前記基板内
面にゲート電極が形成され、該ゲート電極上にゲート絶
縁膜を介してチャネルとなるシリコン膜が形成される構
成であることを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに
記載の投写型表示装置。 - 【請求項１１】 前記薄膜トランジスタは、前記基板内
面にゲート電極が形成され、該ゲート電極上にゲート絶
縁膜を介してチャネルとなるシリコン膜が形成される構
成であることを特徴とする請求項５乃至７のいずれかに
記載の液晶パネル。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8192448A JPH0996805A (ja) | 1995-07-21 | 1996-07-22 | 投写型表示装置及び液晶パネル |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7-186018 | 1995-07-21 | ||
| JP18601895 | 1995-07-21 | ||
| JP8192448A JPH0996805A (ja) | 1995-07-21 | 1996-07-22 | 投写型表示装置及び液晶パネル |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0996805A true JPH0996805A (ja) | 1997-04-08 |
Family
ID=26503482
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8192448A Pending JPH0996805A (ja) | 1995-07-21 | 1996-07-22 | 投写型表示装置及び液晶パネル |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0996805A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2008018201A1 (fr) * | 2006-08-11 | 2008-02-14 | Sharp Kabushiki Kaisha | Revêtement antireflet, plaque de polariseur, élément d'affichage à cristaux liquides et élément d'affichage |
| US8218108B2 (en) | 2006-09-28 | 2012-07-10 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display panel and liquid crystal display device |
-
1996
- 1996-07-22 JP JP8192448A patent/JPH0996805A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2008018201A1 (fr) * | 2006-08-11 | 2008-02-14 | Sharp Kabushiki Kaisha | Revêtement antireflet, plaque de polariseur, élément d'affichage à cristaux liquides et élément d'affichage |
| US8218108B2 (en) | 2006-09-28 | 2012-07-10 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display panel and liquid crystal display device |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20011218 |