JPH0963486A - ガス放電表示装置及び該装置に用いるセルの形成方法 - Google Patents
ガス放電表示装置及び該装置に用いるセルの形成方法Info
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- JPH0963486A JPH0963486A JP7218373A JP21837395A JPH0963486A JP H0963486 A JPH0963486 A JP H0963486A JP 7218373 A JP7218373 A JP 7218373A JP 21837395 A JP21837395 A JP 21837395A JP H0963486 A JPH0963486 A JP H0963486A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 高密度表示が可能な装置構造を安価に実現す
ることができるガス放電表示装置及びその装置に用いる
セルの形成方法を提供する。 【解決手段】 前面基板１０と背面基板２６の間に中間
基板１８を設け、前面基板１０と中間基板１８との間、
及び背面基板２６と中間基板１８との間にセル、互いに
所定ピッチ分づつそれぞれの基板間で位置をずらして設
けてなる構成とした。
ることができるガス放電表示装置及びその装置に用いる
セルの形成方法を提供する。 【解決手段】 前面基板１０と背面基板２６の間に中間
基板１８を設け、前面基板１０と中間基板１８との間、
及び背面基板２６と中間基板１８との間にセル、互いに
所定ピッチ分づつそれぞれの基板間で位置をずらして設
けてなる構成とした。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ガス放電表示装置
及びその装置に用いるセルの形成方法に関するものであ
る。
及びその装置に用いるセルの形成方法に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】図１２は従来のガス放電表示装置の一構
成例を示す分解斜視図である。図１２において、このガ
ス放電表示装置は、前面基板１１０、Ｘ電極１１１、誘
電体１１２、保護膜１１３、蛍光体１１４、背面基板１
１５、Ｙ電極１１６、誘電体１１７、保護膜１１８、隔
壁１１９とで構成されている。
成例を示す分解斜視図である。図１２において、このガ
ス放電表示装置は、前面基板１１０、Ｘ電極１１１、誘
電体１１２、保護膜１１３、蛍光体１１４、背面基板１
１５、Ｙ電極１１６、誘電体１１７、保護膜１１８、隔
壁１１９とで構成されている。
【０００３】図１３は図１２に示した従来装置における
前面基板１１０側の製作工程図であり、図１４は図１２
に示した従来装置における背面基板１１５側の製作工程
図である。まず、図１３の前面基板１１０側の製作工程
を工程（１）〜（５）の順に説明する。「（１）基板の
工程」では、前面基板１１０が用意される。「（２）電
極形成の工程」では、前面基板１１０上にスクリーン印
刷法等を用いて金（Au），銀（Ag）等でＸ電極１１１を
形成する。「（３）誘電体形成の工程」では、Ｘ電極１
１１を被覆するようにして透明誘電体１１２を２０〜３
０μｍの厚さで形成する。「（４）保護層形成の工程」
では、誘電体１１２を保護する目的で、この上に誘電体
１１２と同様のパターンで保護膜１１３を１０μｍの厚
さで形成する。「（５）蛍光体形成の工程」では、Ｘ電
極１１１を除く部分に蛍光体１１４を形成する。
前面基板１１０側の製作工程図であり、図１４は図１２
に示した従来装置における背面基板１１５側の製作工程
図である。まず、図１３の前面基板１１０側の製作工程
を工程（１）〜（５）の順に説明する。「（１）基板の
工程」では、前面基板１１０が用意される。「（２）電
極形成の工程」では、前面基板１１０上にスクリーン印
刷法等を用いて金（Au），銀（Ag）等でＸ電極１１１を
形成する。「（３）誘電体形成の工程」では、Ｘ電極１
１１を被覆するようにして透明誘電体１１２を２０〜３
０μｍの厚さで形成する。「（４）保護層形成の工程」
では、誘電体１１２を保護する目的で、この上に誘電体
１１２と同様のパターンで保護膜１１３を１０μｍの厚
さで形成する。「（５）蛍光体形成の工程」では、Ｘ電
極１１１を除く部分に蛍光体１１４を形成する。
【０００４】次に、図１４の背面基板１１５側の製作工
程を工程（１）〜（４）の順に説明する。「（１）基板
の工程」では、背面基板１１５が用意される。「（２）
電極形成の工程」では、背面基板１１５上にスクリーン
印刷法等を用いて金（Au），銀（Ag）等でＹ電極１１６
を形成する。「（３）誘電体形成の工程」では、Ｙ電極
１１６を被覆するようにして透明誘電体１１７を２０〜
３０μｍの厚さで形成する。「（４）保護層形成の工
程」では、誘電体１１７を保護する目的で、この上に誘
電体１１７と同様のパターンで保護膜１１８を１０μｍ
の厚さで形成する。これにより、ユニット化された前面
基板１１０側と背面基板１１５側とがそれぞれ形成され
る。
程を工程（１）〜（４）の順に説明する。「（１）基板
の工程」では、背面基板１１５が用意される。「（２）
電極形成の工程」では、背面基板１１５上にスクリーン
印刷法等を用いて金（Au），銀（Ag）等でＹ電極１１６
を形成する。「（３）誘電体形成の工程」では、Ｙ電極
１１６を被覆するようにして透明誘電体１１７を２０〜
３０μｍの厚さで形成する。「（４）保護層形成の工
程」では、誘電体１１７を保護する目的で、この上に誘
電体１１７と同様のパターンで保護膜１１８を１０μｍ
の厚さで形成する。これにより、ユニット化された前面
基板１１０側と背面基板１１５側とがそれぞれ形成され
る。
【０００５】次いで、この従来装置では、前面基板１１
０の下側にＸ電極１１１と平行な方向に隔壁１１９を形
成し、この隔壁１１９を間に挟み、かつ前面基板１１０
側に形成されているＸ電極１１１と背面基板１１５側の
Ｙ電極１１６とを約９０度交差させた状態で、前面基板
１１０と背面基板１１５とを突き合わせ、さらに前面基
板１１０と背面基板１１５との間の周囲を図示せぬ鉛ガ
ラスにより封止し、この前面基板１１０と背面基板１１
５との間に例えばネオン（Ne）とキセノン（Xe）の混合
ガスである放電ガスを圧力が３００〜４００トル（Tor
r）程度となる状態に封入すると完成する。こうして完
成された装置はセルがマトリックス状に配列されて構成
される。なお、図１２に示した従来装置では、４×４セ
ル形となる。
０の下側にＸ電極１１１と平行な方向に隔壁１１９を形
成し、この隔壁１１９を間に挟み、かつ前面基板１１０
側に形成されているＸ電極１１１と背面基板１１５側の
Ｙ電極１１６とを約９０度交差させた状態で、前面基板
１１０と背面基板１１５とを突き合わせ、さらに前面基
板１１０と背面基板１１５との間の周囲を図示せぬ鉛ガ
ラスにより封止し、この前面基板１１０と背面基板１１
５との間に例えばネオン（Ne）とキセノン（Xe）の混合
ガスである放電ガスを圧力が３００〜４００トル（Tor
r）程度となる状態に封入すると完成する。こうして完
成された装置はセルがマトリックス状に配列されて構成
される。なお、図１２に示した従来装置では、４×４セ
ル形となる。
【０００６】図１５は従来装置における駆動回路の概略
図を示すもので、図１６はその駆動回路における駆動波
形を示しており、セルがＸｍ×Ｙｎ、マトリックス状に
配列された構成となっている。なお、図１５において、
符号１２０で示す領域は表示パネル面を示している。そ
こで、図１６に示す駆動波形と共に図１５に示した駆動
回路の動作を説明すると、この駆動回路では、まずＹ電
極駆動回路１２１によりＹ電極を第１ラインY1から最終
ラインYnに向かって順に走査する。また、出力（−Vs）
を提示しているところの点灯させたいセルに来たとき
に、Ｘ電極駆動回路１２２によりＸ電極にアドレス電圧
パルス（＋Va）を印加し、「書き込み」動作を行わせ
る。この書き込み動作により点灯したセルは、放電電荷
が電極上に蓄積され、次の維持パルス（＋Vs）で再び点
灯する。これが、各ラインY1〜Yn毎に行われることによ
って、装置の表示パネル面１２０上に所定のパターンが
表示される。また、続いて新しい表示パターンを出すた
めには、全てのＸ電極に消去電圧パルス（−VE）を印加
し、蓄積した電荷を消滅させ、再び書き込み動作を行
う。
図を示すもので、図１６はその駆動回路における駆動波
形を示しており、セルがＸｍ×Ｙｎ、マトリックス状に
配列された構成となっている。なお、図１５において、
符号１２０で示す領域は表示パネル面を示している。そ
こで、図１６に示す駆動波形と共に図１５に示した駆動
回路の動作を説明すると、この駆動回路では、まずＹ電
極駆動回路１２１によりＹ電極を第１ラインY1から最終
ラインYnに向かって順に走査する。また、出力（−Vs）
を提示しているところの点灯させたいセルに来たとき
に、Ｘ電極駆動回路１２２によりＸ電極にアドレス電圧
パルス（＋Va）を印加し、「書き込み」動作を行わせ
る。この書き込み動作により点灯したセルは、放電電荷
が電極上に蓄積され、次の維持パルス（＋Vs）で再び点
灯する。これが、各ラインY1〜Yn毎に行われることによ
って、装置の表示パネル面１２０上に所定のパターンが
表示される。また、続いて新しい表示パターンを出すた
めには、全てのＸ電極に消去電圧パルス（−VE）を印加
し、蓄積した電荷を消滅させ、再び書き込み動作を行
う。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記構
成の装置において、スクリーン印刷法を用いて高密度化
する場合、各電極を形成する場合を始めとして、パネル
の要素を全て高精度化する必要がある。このため、技術
的に難しく、高度な技術を必要とすることからコストが
高くなっていると言う問題点があった。
成の装置において、スクリーン印刷法を用いて高密度化
する場合、各電極を形成する場合を始めとして、パネル
の要素を全て高精度化する必要がある。このため、技術
的に難しく、高度な技術を必要とすることからコストが
高くなっていると言う問題点があった。
【０００８】本発明は、上記問題点に鑑みてなされたも
のであり、その目的はパネルを構成している要素部品等
を高精度化することなく、高密度表示ができるように
し、コストを下げて安価に実現することが可能なガス放
電表示装置及びその装置に用いるセルの形成方法を提供
することにある。
のであり、その目的はパネルを構成している要素部品等
を高精度化することなく、高密度表示ができるように
し、コストを下げて安価に実現することが可能なガス放
電表示装置及びその装置に用いるセルの形成方法を提供
することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明のガス放電表示装置にあっては、前面基板と
背面基板の間に中間基板を設けるとともに、前記前面基
板と前記中間基板との間、及び前記背面基板と前記中間
基板との間にセルを、それぞれの基板間で互いに位置を
ずらして設けてなる構成としたものである。
め、本発明のガス放電表示装置にあっては、前面基板と
背面基板の間に中間基板を設けるとともに、前記前面基
板と前記中間基板との間、及び前記背面基板と前記中間
基板との間にセルを、それぞれの基板間で互いに位置を
ずらして設けてなる構成としたものである。
【００１０】また、上記目的を達成するため、本発明の
ガス放電表示装置に用いるセルの形成方法は、表面と裏
面との間で互いに所定ピッチ分づつ位置をずらして、そ
の表裏面にＹ電極をそれぞれ複数ライン形成し、前記中
間基板の一面側と対向して配置される前面基板に前記Ｙ
電極と交差してマトリックス状に配設されて第１のセル
を構成するためのＸ電極を複数ライン設けるとともに、
前記中間基板の他面側と対向して配置される背面基板に
前記Ｙ電極と交差してマトリックス状に配設されて第２
のセルを構成するためのＸ電極を複数ライン設け、かつ
前記前面基板側に形成された前記Ｘ電極と前記背面側に
形成された前記Ｘ電極とを互いに所定ピッチ分づつ位置
をずらして形成するようにしたものである。
ガス放電表示装置に用いるセルの形成方法は、表面と裏
面との間で互いに所定ピッチ分づつ位置をずらして、そ
の表裏面にＹ電極をそれぞれ複数ライン形成し、前記中
間基板の一面側と対向して配置される前面基板に前記Ｙ
電極と交差してマトリックス状に配設されて第１のセル
を構成するためのＸ電極を複数ライン設けるとともに、
前記中間基板の他面側と対向して配置される背面基板に
前記Ｙ電極と交差してマトリックス状に配設されて第２
のセルを構成するためのＸ電極を複数ライン設け、かつ
前記前面基板側に形成された前記Ｘ電極と前記背面側に
形成された前記Ｘ電極とを互いに所定ピッチ分づつ位置
をずらして形成するようにしたものである。
【００１１】これによれば、前面基板と中間基板との
間、及び背面基板と中間基板との間にそれぞれ形成され
ているセルの位置が、それぞれ基板間で互いにずらされ
ているので、一面側（パネル面側）から見ると、１つの
セルに２つの交点ができた状態となり、実効的に高密度
化が図られる。これにより、パネルを構成している要素
部品を実際に高精細化することなく、高密度表示を達成
することが可能になる。
間、及び背面基板と中間基板との間にそれぞれ形成され
ているセルの位置が、それぞれ基板間で互いにずらされ
ているので、一面側（パネル面側）から見ると、１つの
セルに２つの交点ができた状態となり、実効的に高密度
化が図られる。これにより、パネルを構成している要素
部品を実際に高精細化することなく、高密度表示を達成
することが可能になる。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
を用いて詳細に説明する。図１乃至図６は本発明に係る
ガス放電表示装置の一実施の形態を概略的に示す図で、
図１はその分解斜視図、図２は図１の矢印Ａ方向より見
た側面図、図３は図１の矢印Ｂ方向より見た側面図、図
４は組立後の状態で示す上面図、図５は図４の矢印Ｃ方
向より見た側面図、図６は図４の矢印Ｄ方向より見た側
面図である。
を用いて詳細に説明する。図１乃至図６は本発明に係る
ガス放電表示装置の一実施の形態を概略的に示す図で、
図１はその分解斜視図、図２は図１の矢印Ａ方向より見
た側面図、図３は図１の矢印Ｂ方向より見た側面図、図
４は組立後の状態で示す上面図、図５は図４の矢印Ｃ方
向より見た側面図、図６は図４の矢印Ｄ方向より見た側
面図である。
【００１３】図１乃至図６において、このガス放電表示
装置は、前面基板１０、第１Ｘ電極１１、誘電体１２、
保護膜１３、蛍光体１４、保護膜１５、誘電体１６、第
１Ｙ電極１７、中間基板１８、第２Ｙ電極１９、誘電体
２０、保護膜２１、蛍光体２２、保護膜２３、誘電体２
４、第２Ｘ電極２５、背面基板２６、隔壁２７、隔壁２
８等で形成されている。
装置は、前面基板１０、第１Ｘ電極１１、誘電体１２、
保護膜１３、蛍光体１４、保護膜１５、誘電体１６、第
１Ｙ電極１７、中間基板１８、第２Ｙ電極１９、誘電体
２０、保護膜２１、蛍光体２２、保護膜２３、誘電体２
４、第２Ｘ電極２５、背面基板２６、隔壁２７、隔壁２
８等で形成されている。
【００１４】図７乃至図９は図１乃至図６に示したガス
放電表示装置における要部構造の製作工程図で、図７は
前面基板１０側の製作工程、図８は背面基板２６側の製
作工程をそれぞれ示しており、図９は中間基板１８の製
作工程を示している。そこで、この各部の製作工程と共
にガス放電表示装置の細部構造を次に説明する。
放電表示装置における要部構造の製作工程図で、図７は
前面基板１０側の製作工程、図８は背面基板２６側の製
作工程をそれぞれ示しており、図９は中間基板１８の製
作工程を示している。そこで、この各部の製作工程と共
にガス放電表示装置の細部構造を次に説明する。
【００１５】まず、図７に示す前面基板１０側の製作工
程を工程（１）〜（５）の順に説明する。「（１）基板
の工程」では、ガス封入穴９を有している前面基板１０
が用意される。「（２）電極形成の工程」では、前面基
板１０に第１Ｘ電極１１が形成される。なお、この第１
Ｘ電極１１はスクリーン印刷法が用いられ、例えば金
（Au），銀（Ag）等でなるラインを、幅約１００μｍ、
間隔約１ｍｍで複数ライン、前面基板１０に塗布して形
成した後、１５０℃で約１５分間乾燥させ、さらに５８
０℃で焼成する。「（３）誘電体形成の工程」では、第
１Ｘ電極１１を被覆するようにして例えば鉛ガラスでな
る透明誘電体１２を２０〜３０μｍの厚さで設け、これ
を１５０℃で約１５分間乾燥させ、さらに５８０℃で焼
成する。「（４）保護層形成の工程」では、誘電体１２
を保護する目的で、この上に誘電体１２と同様のパター
ンで例えばMgＯでなる保護膜１３を１０μｍの厚さで設
け、これを１５０℃で約１５分間乾燥させ、さらに５８
０℃で焼成する。「（５）蛍光体形成の工程」では、第
１Ｙ電極１７と交差する電極を除き、例えばZn2Si Ｏ4
：Mn（緑色蛍光体）でなる蛍光体１４を設け、これを
１５０℃で約１５分間乾燥させ、さらに５８０℃で焼成
する。
程を工程（１）〜（５）の順に説明する。「（１）基板
の工程」では、ガス封入穴９を有している前面基板１０
が用意される。「（２）電極形成の工程」では、前面基
板１０に第１Ｘ電極１１が形成される。なお、この第１
Ｘ電極１１はスクリーン印刷法が用いられ、例えば金
（Au），銀（Ag）等でなるラインを、幅約１００μｍ、
間隔約１ｍｍで複数ライン、前面基板１０に塗布して形
成した後、１５０℃で約１５分間乾燥させ、さらに５８
０℃で焼成する。「（３）誘電体形成の工程」では、第
１Ｘ電極１１を被覆するようにして例えば鉛ガラスでな
る透明誘電体１２を２０〜３０μｍの厚さで設け、これ
を１５０℃で約１５分間乾燥させ、さらに５８０℃で焼
成する。「（４）保護層形成の工程」では、誘電体１２
を保護する目的で、この上に誘電体１２と同様のパター
ンで例えばMgＯでなる保護膜１３を１０μｍの厚さで設
け、これを１５０℃で約１５分間乾燥させ、さらに５８
０℃で焼成する。「（５）蛍光体形成の工程」では、第
１Ｙ電極１７と交差する電極を除き、例えばZn2Si Ｏ4
：Mn（緑色蛍光体）でなる蛍光体１４を設け、これを
１５０℃で約１５分間乾燥させ、さらに５８０℃で焼成
する。
【００１６】次に、図８に示す背面基板２６側の製作工
程を工程（１）〜（４）の順に説明する。「（１）基板
の工程」では、ガス封入穴８を有した背面基板２６が用
意される。「（２）電極形成の工程」では、背面基板２
６に第２Ｘ電極２５が、前面基板１０に形成されている
第１Ｘ電極１１に対して約２分の１ピッチ分ずらして形
成される。また、この第２Ｘ電極２５でも第１Ｘ電極１
１の場合と同様にスクリーン印刷法が用いられ、例えば
金（Au），銀（Ag）等でなるラインを、幅約１００μ
ｍ、間隔約１ｍｍで複数ライン、背面基板２６に塗布し
て形成した後、１５０℃で約１５分間乾燥させ、さらに
５８０℃で焼成する。「（３）誘電体形成の工程」で
は、第２Ｘ電極２５を被覆するようにして例えば鉛ガラ
スでなる透明誘電体２４を２０〜３０μｍの厚さで設
け、これを１５０℃で約１５分間乾燥させ、さらに５８
０℃で焼成する。「（４）保護層形成の工程」では、誘
電体２４を保護する目的で、この上に誘電体２４と同様
のパターンで例えばMgＯでなる保護膜２３を１０μｍの
厚さで設け、これを１５０℃で約１５分間乾燥させ、さ
らに５８０℃で焼成する。
程を工程（１）〜（４）の順に説明する。「（１）基板
の工程」では、ガス封入穴８を有した背面基板２６が用
意される。「（２）電極形成の工程」では、背面基板２
６に第２Ｘ電極２５が、前面基板１０に形成されている
第１Ｘ電極１１に対して約２分の１ピッチ分ずらして形
成される。また、この第２Ｘ電極２５でも第１Ｘ電極１
１の場合と同様にスクリーン印刷法が用いられ、例えば
金（Au），銀（Ag）等でなるラインを、幅約１００μ
ｍ、間隔約１ｍｍで複数ライン、背面基板２６に塗布し
て形成した後、１５０℃で約１５分間乾燥させ、さらに
５８０℃で焼成する。「（３）誘電体形成の工程」で
は、第２Ｘ電極２５を被覆するようにして例えば鉛ガラ
スでなる透明誘電体２４を２０〜３０μｍの厚さで設
け、これを１５０℃で約１５分間乾燥させ、さらに５８
０℃で焼成する。「（４）保護層形成の工程」では、誘
電体２４を保護する目的で、この上に誘電体２４と同様
のパターンで例えばMgＯでなる保護膜２３を１０μｍの
厚さで設け、これを１５０℃で約１５分間乾燥させ、さ
らに５８０℃で焼成する。
【００１７】次に、図９に示す中間基板１８側の製作工
程を工程（１）〜（８）の順で説明する。まず、
「（１）基板の工程」では、中間基板１８が用意され
る。「（２）電極形成の工程」では、中間基板１８の背
面基板２６と対向して配置される面に、第２Ｘ電極２５
と約９０度交差する方向に第２Ｙ電極１９が形成され
る。この第２Ｙ電極１９はスクリーン印刷法が用いら
れ、例えば金（Au），銀（Ag）等でなるラインを、幅約
１００μｍ、間隔約１ｍｍで複数ライン、中間基板１８
に塗布して形成した後、１５０℃で約１５分間乾燥さ
せ、さらに５８０℃で焼成する。「（３）誘電体形成の
工程」では、第２Ｙ電極１９を被覆するようにして例え
ば鉛ガラスでなる透明誘電体２０を２０〜３０μｍの厚
さで設け、これを１５０℃で約１５分間乾燥させ、さら
に５８０℃で焼成する。「（４）保護層形成の工程」で
は、誘電体２０を保護する目的で、この上に誘電体２０
と同様のパターンで例えばMgＯでなる保護膜２３を１０
μｍの厚さで設け、これを１５０℃で約１５分間乾燥さ
せ、さらに５８０℃で焼成する。「（５）蛍光体形成の
工程」では、第２Ｘ電極２５と交差する電極を除き、例
えばZn2Si Ｏ4 ：Mn（緑色蛍光体）でなる蛍光体２２を
設け、これを１５０℃で約１５分間乾燥させ、さらに５
８０℃で焼成する。以上で、背面基板２６と対向配置さ
れている一面側の製作が完了する。
程を工程（１）〜（８）の順で説明する。まず、
「（１）基板の工程」では、中間基板１８が用意され
る。「（２）電極形成の工程」では、中間基板１８の背
面基板２６と対向して配置される面に、第２Ｘ電極２５
と約９０度交差する方向に第２Ｙ電極１９が形成され
る。この第２Ｙ電極１９はスクリーン印刷法が用いら
れ、例えば金（Au），銀（Ag）等でなるラインを、幅約
１００μｍ、間隔約１ｍｍで複数ライン、中間基板１８
に塗布して形成した後、１５０℃で約１５分間乾燥さ
せ、さらに５８０℃で焼成する。「（３）誘電体形成の
工程」では、第２Ｙ電極１９を被覆するようにして例え
ば鉛ガラスでなる透明誘電体２０を２０〜３０μｍの厚
さで設け、これを１５０℃で約１５分間乾燥させ、さら
に５８０℃で焼成する。「（４）保護層形成の工程」で
は、誘電体２０を保護する目的で、この上に誘電体２０
と同様のパターンで例えばMgＯでなる保護膜２３を１０
μｍの厚さで設け、これを１５０℃で約１５分間乾燥さ
せ、さらに５８０℃で焼成する。「（５）蛍光体形成の
工程」では、第２Ｘ電極２５と交差する電極を除き、例
えばZn2Si Ｏ4 ：Mn（緑色蛍光体）でなる蛍光体２２を
設け、これを１５０℃で約１５分間乾燥させ、さらに５
８０℃で焼成する。以上で、背面基板２６と対向配置さ
れている一面側の製作が完了する。
【００１８】次に、前面基板１０と対向配置される他面
側の製作を開始する。まず、「（６）電極形成の工程」
では、中間基板１８の前面基板１０と対向して配置され
る面に第１Ｘ電極１１と約９０度交差する方向に第１Ｙ
電極１７が、他面側に形成されている第２Ｙ電極１９に
対して約２分の１ピッチ分ずらして形成される。この第
１Ｙ電極１７でも第２Ｙ電極の場合と同様にスクリーン
印刷法が用いられ、例えば金（Au），銀（Ag）等でなる
ラインを、幅約１００μｍ、間隔約１ｍｍで中間基板１
８に塗布して形成した後、１５０℃で約１５分間乾燥さ
せ、さらに５８０℃で焼成する。「（７）誘電体形成の
工程」では、第１Ｙ電極１７を被覆するようにして例え
ば鉛ガラスでなる透明誘電体１６を２０〜３０μｍの厚
さで設け、これを１５０℃で約１５分間乾燥させ、さら
に５８０℃で焼成する。「（８）保護層形成の工程」で
は、誘電体１６を保護する目的で、この上に誘電体１６
と同様のパターンで例えばMgＯでなる保護膜１５を１０
μｍの厚さで設け、これを１５０℃で約１５分間乾燥さ
せ、さらに５８０℃で焼成する。以上で、前面基板１０
と対向配置される他面側の製作が完了する。また、これ
により各々ユニット化された前面基板１０側と、背面基
板２６側と、中間基板１８側とが、それぞれ形成され
る。
側の製作を開始する。まず、「（６）電極形成の工程」
では、中間基板１８の前面基板１０と対向して配置され
る面に第１Ｘ電極１１と約９０度交差する方向に第１Ｙ
電極１７が、他面側に形成されている第２Ｙ電極１９に
対して約２分の１ピッチ分ずらして形成される。この第
１Ｙ電極１７でも第２Ｙ電極の場合と同様にスクリーン
印刷法が用いられ、例えば金（Au），銀（Ag）等でなる
ラインを、幅約１００μｍ、間隔約１ｍｍで中間基板１
８に塗布して形成した後、１５０℃で約１５分間乾燥さ
せ、さらに５８０℃で焼成する。「（７）誘電体形成の
工程」では、第１Ｙ電極１７を被覆するようにして例え
ば鉛ガラスでなる透明誘電体１６を２０〜３０μｍの厚
さで設け、これを１５０℃で約１５分間乾燥させ、さら
に５８０℃で焼成する。「（８）保護層形成の工程」で
は、誘電体１６を保護する目的で、この上に誘電体１６
と同様のパターンで例えばMgＯでなる保護膜１５を１０
μｍの厚さで設け、これを１５０℃で約１５分間乾燥さ
せ、さらに５８０℃で焼成する。以上で、前面基板１０
と対向配置される他面側の製作が完了する。また、これ
により各々ユニット化された前面基板１０側と、背面基
板２６側と、中間基板１８側とが、それぞれ形成され
る。
【００１９】次いで、この装置では、前面基板１０にお
ける蛍光体１４の下側に第１Ｘ電極１１に平行な方向に
隔壁２７を約１５０μｍの高さで形成し、この隔壁２７
を間に挟み、かつ前面基板１０側に形成されている第１
Ｘ電極１１と中間基板１８の他面側とを突き合わせると
ともに、前面基板１０と中間基板１８との間を鉛ガラス
２９で封着し、これを約４６０℃で焼成して封止する。
また、背面基板２６における保護層２３の上側に第２Ｘ
電極２５と平行な方向に隔壁２８を約１５０μｍの高さ
で形成し、この隔壁２８を間に挟み、かつ背面基板２６
側に形成されている第２電極２５と中間基板１８の一面
側とを突き合わせるとともに、背面基板２６と中間基板
１８との間を鉛ガラス２９で封着し、これを約４６０℃
で焼成して封止する。また、前面基板１０と中間基板１
８との間、及び背面基板２６と中間基板１８との間をそ
れぞれ鉛ガラス２９で封着するとき、前面基板１０側の
ガス封入穴９と背面基板２６側のガス封入穴８に例えば
He＋Xe（1%）、Ne＋Xe（8%）でなる放電ガスを圧力が３
００〜４００トル（Torr）程度となる状態に入れ、これ
を同じく鉛ガラス２９により封着すると完成する。
ける蛍光体１４の下側に第１Ｘ電極１１に平行な方向に
隔壁２７を約１５０μｍの高さで形成し、この隔壁２７
を間に挟み、かつ前面基板１０側に形成されている第１
Ｘ電極１１と中間基板１８の他面側とを突き合わせると
ともに、前面基板１０と中間基板１８との間を鉛ガラス
２９で封着し、これを約４６０℃で焼成して封止する。
また、背面基板２６における保護層２３の上側に第２Ｘ
電極２５と平行な方向に隔壁２８を約１５０μｍの高さ
で形成し、この隔壁２８を間に挟み、かつ背面基板２６
側に形成されている第２電極２５と中間基板１８の一面
側とを突き合わせるとともに、背面基板２６と中間基板
１８との間を鉛ガラス２９で封着し、これを約４６０℃
で焼成して封止する。また、前面基板１０と中間基板１
８との間、及び背面基板２６と中間基板１８との間をそ
れぞれ鉛ガラス２９で封着するとき、前面基板１０側の
ガス封入穴９と背面基板２６側のガス封入穴８に例えば
He＋Xe（1%）、Ne＋Xe（8%）でなる放電ガスを圧力が３
００〜４００トル（Torr）程度となる状態に入れ、これ
を同じく鉛ガラス２９により封着すると完成する。
【００２０】こうして、形成された装置では、各電極１
１，１７，１９，２５の間隔が約１mmで、また第１Ｘ電
極１１と第２Ｘ電極２５、及び第１Ｙ電極１７と第２Ｙ
電極１９とは互いに0.5mm づつ変位されている。したが
って、前面基板１０と中間基板１８との間のセルの交
点、及び背面基板２６と中間基板１８との間のセルの交
点は、互いに約0.5mm づつ変位していることになる。こ
れにより、前面基板１０側（表示パネル側）から見る
と、図１０に模式的に示すように、１つのセルに２つの
交点ができた状態となり、実効的に高密度化が得られ
る。よって、パネルを構成している要素で品を実際に高
精細化しなくても、高密度化が達成されることが分か
る。なお、図１０において、符号３０で示す領域は表示
パネル面を示している。
１，１７，１９，２５の間隔が約１mmで、また第１Ｘ電
極１１と第２Ｘ電極２５、及び第１Ｙ電極１７と第２Ｙ
電極１９とは互いに0.5mm づつ変位されている。したが
って、前面基板１０と中間基板１８との間のセルの交
点、及び背面基板２６と中間基板１８との間のセルの交
点は、互いに約0.5mm づつ変位していることになる。こ
れにより、前面基板１０側（表示パネル側）から見る
と、図１０に模式的に示すように、１つのセルに２つの
交点ができた状態となり、実効的に高密度化が得られ
る。よって、パネルを構成している要素で品を実際に高
精細化しなくても、高密度化が達成されることが分か
る。なお、図１０において、符号３０で示す領域は表示
パネル面を示している。
【００２１】図１０は本発明のガス放電表示装置におけ
る駆動回路の概略構成図で、図１１はその駆動回路にお
ける駆動波形を示しており、セルがＸam×Ｙan及びＸbm
×Ｙbnのマトリックス状に各々配列された構成となって
いる。そこで、図１１に示す駆動波形と共に図１０に示
した駆動回路の動作を説明すると、この駆動回路では、
任意のセルを点灯させる場合、Ｙa ，Ｙb 電極駆動回路
３１ａ，３１ｂの制御により、各Ｙa ，Ｙb 電極（以
下、これを総称して「Ｙ電極」と言う）を先頭の第１ラ
インから順番に、Ｙa1→Ｙb1→Ｙa2→Ｙb2・・・→Ｙan
→Ｙbnと負の電圧パルス（−VS＝−１８０Ｖ）を走査し
て行く。そして、負の電圧パルス（−VS）を提示してい
るところの点灯させたいセルに来たときに、Ｘa ，Ｘb
電極駆動回路３２ａ，３２ｂの制御により、対応するＸ
a ，Ｘb 電極（以下、これを総称して「Ｘ電極」と言
う）にアドレス電圧パルス（＋Va＝５０Ｖ）を印加し、
放電させ、「書き込み」動作を行わせる。この書き込み
動作により選択されたセルは、放電で発生した電荷（電
子陽イオン）を放電終了後に電極上の保護膜に蓄積す
る。そして、維持動作期間で選択されたセルは、維持電
圧パルス（＋VS）と蓄積された電荷による電圧（Vw＝５
０Ｖ）により再度放電して点灯する。しかし、選択され
なかったセルは蓄積電荷による電圧が働かないため放電
せず、点灯しない。また、「Ｘ電極」と「Ｙ電極」に交
互に維持パルスを印加することで、任意の期間、放電を
保持して点灯を継続させることができる。さらに、新し
い表示パターンにするためには、蓄積した電荷を消去す
る必要がある。これは、選択されていないセルでも維持
パルスが印加されると放電するためであり、このため全
ての「Ｘ電極」に消去電圧パルス（＋VE＝１００Ｖ）を
印加し、蓄積した電荷を消滅させ、再び書き込み動作を
行う。
る駆動回路の概略構成図で、図１１はその駆動回路にお
ける駆動波形を示しており、セルがＸam×Ｙan及びＸbm
×Ｙbnのマトリックス状に各々配列された構成となって
いる。そこで、図１１に示す駆動波形と共に図１０に示
した駆動回路の動作を説明すると、この駆動回路では、
任意のセルを点灯させる場合、Ｙa ，Ｙb 電極駆動回路
３１ａ，３１ｂの制御により、各Ｙa ，Ｙb 電極（以
下、これを総称して「Ｙ電極」と言う）を先頭の第１ラ
インから順番に、Ｙa1→Ｙb1→Ｙa2→Ｙb2・・・→Ｙan
→Ｙbnと負の電圧パルス（−VS＝−１８０Ｖ）を走査し
て行く。そして、負の電圧パルス（−VS）を提示してい
るところの点灯させたいセルに来たときに、Ｘa ，Ｘb
電極駆動回路３２ａ，３２ｂの制御により、対応するＸ
a ，Ｘb 電極（以下、これを総称して「Ｘ電極」と言
う）にアドレス電圧パルス（＋Va＝５０Ｖ）を印加し、
放電させ、「書き込み」動作を行わせる。この書き込み
動作により選択されたセルは、放電で発生した電荷（電
子陽イオン）を放電終了後に電極上の保護膜に蓄積す
る。そして、維持動作期間で選択されたセルは、維持電
圧パルス（＋VS）と蓄積された電荷による電圧（Vw＝５
０Ｖ）により再度放電して点灯する。しかし、選択され
なかったセルは蓄積電荷による電圧が働かないため放電
せず、点灯しない。また、「Ｘ電極」と「Ｙ電極」に交
互に維持パルスを印加することで、任意の期間、放電を
保持して点灯を継続させることができる。さらに、新し
い表示パターンにするためには、蓄積した電荷を消去す
る必要がある。これは、選択されていないセルでも維持
パルスが印加されると放電するためであり、このため全
ての「Ｘ電極」に消去電圧パルス（＋VE＝１００Ｖ）を
印加し、蓄積した電荷を消滅させ、再び書き込み動作を
行う。
【００２２】なお、上記実施の形態例では、一枚の中間
基板１８の表裏面にＹa ，Ｙb 電極をそれぞれ形成して
なる構造を開示したが、前面基板用の中間基板と背面基
板用の中間基板とをそれぞれ用意し、これを２枚重ねて
配置して一枚の中間基板１８としてなる構造にしても差
し支えないものである。
基板１８の表裏面にＹa ，Ｙb 電極をそれぞれ形成して
なる構造を開示したが、前面基板用の中間基板と背面基
板用の中間基板とをそれぞれ用意し、これを２枚重ねて
配置して一枚の中間基板１８としてなる構造にしても差
し支えないものである。
【００２３】
【発明の効果】以上説明したとおり、本発明によれば、
前面基板と中間基板との間、及び背面基板と中間基板と
の間にそれぞれ形成されているセルの位置が、それぞれ
基板間で互いにずらされているので、一面側（パネル
面）から見ると、１つのセルに２つの交点ができた状態
となり、実効的に高密度化が図られる。これにより、パ
ネルを構成している要素部品を実際に高精細化しなくて
も、高密度表示ができるガス放電表示装置を安価に実現
することが可能になる等の効果が期待できる。
前面基板と中間基板との間、及び背面基板と中間基板と
の間にそれぞれ形成されているセルの位置が、それぞれ
基板間で互いにずらされているので、一面側（パネル
面）から見ると、１つのセルに２つの交点ができた状態
となり、実効的に高密度化が図られる。これにより、パ
ネルを構成している要素部品を実際に高精細化しなくて
も、高密度表示ができるガス放電表示装置を安価に実現
することが可能になる等の効果が期待できる。
【図１】本発明の一実施形態として示すガス放電表示装
置の分解斜視図である。
置の分解斜視図である。
【図２】図１の矢印Ａ方向より見た側面図である。
【図３】図１の矢印Ｂ方向より見た側面図である。
【図４】本実施形態装置を組立後の状態で示す上面図で
ある。
ある。
【図５】図４の矢印Ｃ方向より見た側面図である。
【図６】図４の矢印Ｄ方向より見た側面図である。
【図７】本実施形態における要部の製作工程説明図であ
る。
る。
【図８】本実施形態における要部の製作工程説明図であ
る。
る。
【図９】本実施形態における要部の製作工程説明図であ
る。
る。
【図１０】本実施形態における駆動回路の概略図であ
る。
る。
【図１１】本実施形態の駆動回路における駆動波形図で
ある。
ある。
【図１２】従来のガス放電表示装置の一例を示す分解斜
視図である。
視図である。
【図１３】従来装置における前面基板側の製作工程図で
ある。
ある。
【図１４】従来装置における背面基板側の製作工程図で
ある。
ある。
【図１５】従来装置における駆動回路の概略図である。
【図１６】従来の駆動回路における駆動波形図である。
１０ 前面基板 １１ 第１Ｘ電極 １７ 第１Ｙ電極 １８ 中間基板 １９ 第２Ｙ電極 ２５ 第２Ｘ電極 ２６ 背面基板 ２７，２８ 隔壁
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 山中 綾 東京都港区虎ノ門１丁目７番12号 沖電気 工業株式会社内
Claims (3)
- 【請求項１】 前面基板と背面基板の間に中間基板を設
けるとともに、 前記前面基板と前記中間基板との間、及び前記背面基板
と前記中間基板との間にセルを、それぞれの基板間で互
いに位置をずらして設けてなることを特徴とするガス放
電表示装置。 - 【請求項２】 表面と裏面との間で互いに所定ピッチ分
づつ位置をずらして、その表裏の各面にＹ電極をそれぞ
れ複数ライン形成してなる中間基板と、 前記中間基板の一面側に形成された前記Ｙ電極と交差し
てマトリックス状に配設されるＸ電極を複数ライン有
し、前記中間基板の一面側に前記Ｘ電極を対向配置させ
て前記中間基板とともに第１のセルを形成している前面
基板と、 前記中間基板の他面側に形成された前記Ｙ電極と交差し
てマトリックス状に配設されるＸ電極を複数ライン有
し、前記中間基板の他面側に前記Ｘ電極を対向配置させ
て前記中間基板とともに第２のセルを形成している前面
基板とを備え、 前記前面基板側に形成された前記Ｘ電極と前記背面側に
形成された前記Ｘ電極とを互いに所定ピッチ分づつ位置
をずらして形成してなることを特徴とするガス放電表示
装置。 - 【請求項３】 表面と裏面との間で互いに所定ピッチ分
づつ位置をずらして、その表裏面にＹ電極をそれぞれ複
数ライン形成し、 前記中間基板の一面側と対向して配置される前面基板に
前記Ｙ電極と交差してマトリックス状に配設されて第１
のセルを構成するためのＸ電極を複数ライン設けるとと
もに、 前記中間基板の他面側と対向して配置される背面基板に
前記Ｙ電極と交差してマトリックス状に配設されて第２
のセルを構成するためのＸ電極を複数ライン設け、 かつ前記前面基板側に形成された前記Ｘ電極と前記背面
側に形成された前記Ｘ電極とを互いに所定ピッチ分づつ
位置をずらして形成してなることを特徴とするガス放電
表示装置に用いるセルの形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7218373A JPH0963486A (ja) | 1995-08-28 | 1995-08-28 | ガス放電表示装置及び該装置に用いるセルの形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7218373A JPH0963486A (ja) | 1995-08-28 | 1995-08-28 | ガス放電表示装置及び該装置に用いるセルの形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0963486A true JPH0963486A (ja) | 1997-03-07 |
Family
ID=16718885
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7218373A Pending JPH0963486A (ja) | 1995-08-28 | 1995-08-28 | ガス放電表示装置及び該装置に用いるセルの形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0963486A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007018776A (ja) * | 2005-07-05 | 2007-01-25 | Nippon Hoso Kyokai <Nhk> | プラズマディスプレイパネル及びその駆動方法 |
| JP2007018988A (ja) * | 2005-07-11 | 2007-01-25 | Nippon Hoso Kyokai <Nhk> | プラズマディスプレイパネル |
| JP2007220643A (ja) * | 2006-02-15 | 2007-08-30 | Chunghwa Picture Tubes Ltd | 平面光源 |
| WO2008050382A1 (fr) * | 2006-10-23 | 2008-05-02 | Shinoda Plasma Co., Ltd. | Écran composé d'une pluralité de couches de tubes à décharge de gaz |
-
1995
- 1995-08-28 JP JP7218373A patent/JPH0963486A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007018776A (ja) * | 2005-07-05 | 2007-01-25 | Nippon Hoso Kyokai <Nhk> | プラズマディスプレイパネル及びその駆動方法 |
| JP4621080B2 (ja) * | 2005-07-05 | 2011-01-26 | 日本放送協会 | プラズマディスプレイパネル及びその駆動方法 |
| JP2007018988A (ja) * | 2005-07-11 | 2007-01-25 | Nippon Hoso Kyokai <Nhk> | プラズマディスプレイパネル |
| JP4603432B2 (ja) * | 2005-07-11 | 2010-12-22 | 日本放送協会 | プラズマディスプレイパネル |
| JP2007220643A (ja) * | 2006-02-15 | 2007-08-30 | Chunghwa Picture Tubes Ltd | 平面光源 |
| WO2008050382A1 (fr) * | 2006-10-23 | 2008-05-02 | Shinoda Plasma Co., Ltd. | Écran composé d'une pluralité de couches de tubes à décharge de gaz |
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