JPH0945753A

JPH0945753A - 物品保持装置

Info

Publication number: JPH0945753A
Application number: JP19385595A
Authority: JP
Inventors: Kazuhiko Mishima; 和彦三嶋
Original assignee: Kyocera Corp
Current assignee: Kyocera Corp
Priority date: 1995-07-28
Filing date: 1995-07-28
Publication date: 1997-02-14

Abstract

(57)【要約】【課題】ウエハとの摺動に伴う保持面の摩耗を防止する
ことにより、物品保持装置の寿命を向上させるととも
に、保持面の平坦精度が損なわれないようにする。ま
た、保持面への埃塵の付着を防止することにより、半導
体ウエハに対し悪影響を与えず、ウエハへの回路転写時
における断線や短絡の防止、露光時における解像不良を
防ぐとともに、ガラス基板の露光時には光の反射を低減
し、解像不良を防止する。【解決手段】半導体ウエハやＬＣＤ用ガラス基板などの
ウエハを保持する保持面がセラミックスからなる物品保
持装置において、上記保持面に非晶質硬質炭素膜を被覆
する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明が属する技術分野】本発明は、半導体ウエハやＬ
ＣＤ用ガラス基板などのウエハや磁気ディスク基板、さ
らには電子部品などの物品の移送や固定に好適に用いら
れる物品保持装置に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来、半導体集積回路、ＬＣＤ基板、磁
気ディスク基板などの製造工程、あるいは電子部品の検
査工程においては各々の物品を移送したり所定位置に固
定したりするための種々の物品保持装置が使用されてい
る。

【０００３】例えば、半導体ウエハやガラス基板などの
ウエハへの回路転写、あるいは露光処理に使用する保持
台にあっては、図５に示すような円板状をした基体１１
１からなり、該基体１１１の保持面１１２には多数の吸
引孔１１３を備えた真空チャックタイプのものがあっ
た。

【０００４】また、半導体ウエハやガラス基板などのウ
エハを所定位置まで移送する搬送アームは、図６に示す
ような先端部に保持面１２２を有し、該保持面１２２の
中央部には吸引口１２３を備えるとともに、内部に上記
吸引口１２３と連通する貫通孔１２４を備えた板状体１
２１をした吸着タイプのものや、図７に示すような単な
る板状体１３１からなり、その一方の表面にウエハの形
状に合致する凹部を備え、該凹部の底面を保持面１３２
とした保持タイプのものがあった。

【０００５】さらに、半導体や液晶基板などのウエハ上
へ薄膜を形成する時に使用する真空チャックは、図８に
示すような上面を保持面１４２とする円板状をした基体
１４１の内部に静電電極１４３を埋設してあり、前記基
体１４１の下面には上記静電電極１４３へ通電するため
のリード端子１４４を備えたものがあった。

【０００６】また、この種の保持台１００や搬送アーム
１２０，１３０、あるいは真空チャック１４０などの物
品保持装置は、保持面１１２，１２２，１３２，１４２
が優れた平坦精度に仕上げられ、かつウエハに傷を付け
ないことが要求されており、特に物品が半導体ウエハで
ある時には汚染しないようにしなければならないことか
ら、少なくとも保持面１１２，１２２，１３２，１４２
を高純度のアルミナセラミックスや炭化珪素質セラミッ
クス、さらには窒化アルミニウム質セラミックスにより
形成したものがあった（実開昭62-72062号公報、特開昭
53-96762号公報参照）。

【０００７】さらに、ガラス基板の露光処理に使用する
保持台１００にあっては、露光時の光がガラス基板を透
過して保持台１００の表面で反射することを防止するた
めに、基体１１１を金属により形成するとともに、その
表面に黒色の樹脂を塗布したものがあった（特開平4-32
3670号公報参照）。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】ところが、これらの物
品保持装置では、次のような課題があった。

【０００９】まず、保持面１１２，１２２，１３２，１
４２がアルミナセラミックス、炭化珪素質セラミック
ス、窒化アルミニウム質セラミックスなどのセラミック
スからなる物品保持装置にあっては、高硬度材であるも
のの、その硬度は最高でもビッカース硬度で２５００ｋ
ｇ／ｍｍ²程度であることから、物品の脱着に伴う摺動
により、保持面１１２，１２２，１３２，１４２の摩耗
を十分に防ぐことができず、保持面１１２，１２２，１
３２，１４２の平坦精度が損なわれるといった課題があ
った。しかも、保持面１１２，１２２，１３２には微細
なボイドが多数存在することから、該ボイドに埃塵が溜
まりやすく、この保持面１１２，１２２，１３２，１４
２に物品を載置すると、埃塵が物品に付着し、該物品の
平坦精度が損なわれるといった課題もあった。

【００１０】その為、物品保持装置が搬送アーム１２
０，１３０である時には、比較的短い期間で交換しなけ
ればならず、また、物品保持装置が保持台１００である
時には、物品の回路転写時において断線や短絡を生じる
他、露光時においては解像不良を生じ、さらに、物品保
持装置が静電チャック１４０である時には、膜厚にバラ
ツキを生じて、物品上に均一な成膜を施すことができな
かった。

【００１１】一方、金属製基体１１１の表面に黒色樹脂
を塗布した保持台１００にあっては、基体１１１の表面
に被覆した樹脂がガラス基板の脱着により短期間で摩耗
するとともに、基体１１１が金属により形成されている
ことから保持面１１２の平坦精度が得難く、また、基体
１１１の熱膨張係数がガラス基板に比べ大き過ぎるた
め、露光時に基体１１１に蓄えられた熱でもってガラス
基板の平坦精度が備われ、解像不良を生じるといった課
題があった。

【００１２】しかも、この種の保持台１００はＸ−Ｙテ
ーブル上に配置して使用されるのであるが、基体１１１
が金属からなる保持台１００にあっては比重が大きすぎ
ることから、高速移動させることができないといった課
題もあった。

【００１３】

【課題を解決するための手段】そこで、本発明は上記課
題に鑑み、半導体ウエハやＬＣＤ用ガラス基板などのウ
エハや、磁気ディスク基板、さらには電子部品などの物
品を吸着あるいは載置して保持する保持面がセラミック
スからなる物品保持装置において、上記保持面に非晶質
硬質炭素膜を被覆したことを特徴とするものである。

【００１４】また、本発明は、上記非晶質硬質炭素膜の
膜厚を０．２〜１０μｍとしたことを特徴とするもので
ある。

【００１５】

【発明の実施の形態】即ち、本発明は、物品保持装置の
保持面上にセラミックスより高硬度を有する非晶質硬質
炭素膜を被覆したものであり、その硬度はビッカース硬
度（Ｈｖ）で３０００〜５０００ｋｇ／ｍｍ²を有して
いる。その為、物品の脱着を繰り返したとしても殆ど摩
耗することがなく、長寿命の物品保持装置とすることが
できる。

【００１６】しかも、非晶質硬質炭素膜の表面にはボイ
ドが殆どないことから塵埃の付着を大幅に低減すること
ができ、ウエハの平坦精度を損なうことがない。

【００１７】その上、非晶質硬質炭素膜には不純物が殆
ど含まれておらず、基本的に炭素のみからなるため、物
品が半導体ウエハであったとしても悪影響を及ぼすこと
が少ない。

【００１８】また、非晶質硬質炭素膜はダイヤモンドと
異なり黒色を呈していることから、光の反射を大幅に軽
減することができる。その為、ガラス基板の露光処理に
使用する保持台の保持面として好適に用いることができ
る。

【００１９】なお、本発明で言う非晶質硬質炭素膜と
は、別名、合成疑似ダイヤモンド薄膜、ＤＬＣ膜、ダイ
ヤモンドライクカーボン膜、Ｉ−カーボン膜などと呼ば
れる炭素膜のことであり、その構造を透過型電子顕微鏡
（ＴＥＭ）を通して見ると非常に緻密で結晶粒界が見ら
れず、ガラスを割ったような形態をした非晶質構造をし
ている。なお、若干の結晶質を含んだ非晶質構造であっ
ても構わない。

【００２０】また、グラファイトやダイヤモンドの同定
に用いられるラマン分光分析装置を使って分析するとダ
イヤモンドのピーク位置である１３３３ｃｍ^-1とグラフ
ァイトのピーク位置である１５５０ｃｍ^-1の近傍にそれ
ぞれピークをもったものであり、そのピークはグラファ
イトあるいはダイヤモンドのいずれか一方に偏っていて
も構わない。

【００２１】ただし、物品保持装置の保持面上に被覆す
る非晶質硬質炭素膜の膜厚の範囲としては、０．２〜１
０μｍの範囲で設けることが好ましい。

【００２２】ここで、非晶質硬質炭素膜の膜厚の範囲を
０．２〜１０μｍとしたのは、膜厚が０．２μｍ未満で
あると、高硬度を有する非晶質硬質炭素膜と言えども物
品の脱着により短時間で摩耗するからである。しかも、
物品保持装置がガラス基板の露光処理に使用する保持台
である時には、保持面上での光の反射が大きいといった
問題もある。また、逆に、膜厚が１０μｍより厚くなる
と、膜表面を所定の面精度に保つことができなくなると
ともに、膜の剥離を生じ易くなるためである。一方、本
発明では、物品保持装置のうち少なくとも保持面をセラ
ミックスで形成することが重要であり、これらを構成す
るセラミックスとして、アルミナセラミックス、ジルコ
ニアセラミックス、炭化珪素質セラミックス、窒化珪素
質セラミックス、窒化アルミニウム質セラミックス、ア
ルミナ−炭化チタン系セラミックスなどが好適である。

【００２３】即ち、表１に示すように、これらのセラミ
ックスは比剛性が０．３×１０⁹ｃｍ以上と大きいこと
から変形を生じ難く、また、ビッカース硬度が１１００
〜２４００ｋｇ／ｍｍ²と高硬度を有しているため、物
品保持装置が搬送アームである時には、物品の移送時に
殆ど撓みを生じることがなく、物品を落下させずに正確
に所定位置まで移送できるとともに、物品保持装置が保
持台や静電チャックである時には、保持面を滑らかで、
かつ優れた平坦精度に仕上げることができることから、
物品の平坦精度を高め、正確に固定することができる。
しかも、物品保持装置を軽量化できることから、物品保
持装置が保持台であるときには、Ｘ−Ｙテーブル上に配
置して高速移動させることができ最適である。

【００２４】また、上記セラミックスは熱膨張係数が１
０×１０^-6／℃以下と小さく、また、半導体ウエハやＬ
ＣＤ用ガラス基板などの物品の熱膨張係数とも近似して
いることから、物品保持装置が露光や成膜時に使用する
保持台や静電チャックであるときには、露光や成膜に伴
う熱が保持台や静電チャックに蓄積されたとしても、半
導体ウエハやＬＣＤ用ガラス基板などの物品に大きな寸
法変化を生じることがない。

【００２５】

【表１】

【００２６】なお、これらのセラミックスを得る場合、
例えば、アルミナセラミックスに対しては、Ａｌ₂ Ｏ₃
を主原料とし、焼結助剤にＣａＯ、ＳｉＯ₂ 、ＭｇＯの
うち少なくとも一種を添加混合し、１４００〜１８００
℃程度の温度で焼成すれば良く、窒化珪素に対しては、
Ｓｉ₃ Ｎ₄を主原料とし、焼結助剤に周期律表２ａ、３
ａ族元素の酸化物・窒化物のうち少なくとも一種を添加
混合し、１８５０〜２０００℃程度の温度で焼成すれば
良い。また、炭化珪素に対しては、ＳｉＣを主原料と
し、焼結助剤にＣ、Ｂ、Ｂ₄Ｃ、Ａｌ₂ Ｏ₃ 、Ｙ₂ Ｏ₃
等の少なくとも一種を添加混合し、１８５０〜２０００
℃程度の温度で焼成すれば良く、ジルコニアに対して
は、ＺｒＯ₂ を主原料とし、安定化剤にＹ₂ Ｏ₃ 、Ｃａ
Ｏ、ＭｇＯ、ＣｅＯ₂ 等の少なくとも一種を添加して１
５００〜１７００℃程度の温度で焼成すれ良い。さらに
窒化アルミニウム質セラミックスに対しては、ＡｌＮを
主原料とし、焼結助剤にＥｒ₂ Ｏ₃ 、Ｙ₂ Ｏ₃ 、Ｙb₂
Ｏ₃ 等の少なくとも一種を添加混合し、１７００〜１９
００℃程度の温度で焼成すれば良く、アルミナ−炭化チ
タン系セラミックスに対しては、Ａｌ₂ Ｏ₃ とＴｉＣと
を所定量配合して主原料とし、焼結助剤にＴｉＯ₂ 、Ｍ
ｇＯ、ＳｉＯ₂ 、Ｙ₂Ｏ₃のうち少なくとも一種を添加
混合して１６００〜１８００℃程度の温度で焼成すれ
ば、強固で靱性および耐摩耗性に優れたセラミックス体
を得ることができる。

【００２７】また、非晶質硬質炭素膜を被覆する物品保
持装置の保持面は中心線平均粗さ（Ｒａ）で０. ４μｍ
以下の面とすることが好ましい。これは、保持面の面粗
さが中心線平均粗さ（Ｒａ）で０. ４μｍより大きくな
ると、膜厚が０．２〜１０μｍの非晶質硬質炭素膜を被
覆したとしても膜表面が粗すぎ、保持面の平坦精度が損
なわれるとともに、物品が半導体ウエハやガラス基板な
どのウエハである時には、ウエハ表面に傷を付ける恐れ
があるからである。

【００２８】なお、物品保持装置の保持面上に非晶質硬
質炭素膜を成膜する手段としては、熱による平坦精度の
低下を極力低減するために、低温で成膜が可能なＰＶＤ
法やイオンプレーティング法などの薄膜形成手段によっ
て形成することが好ましい。例えば、ＰＶＤ法による成
膜手段を説明すると、チャンバー内に備えるカソード
（陰極）盤上に物品保持装置をセットするとともに、炭
化水素（Ｃ₆ Ｈ₆ ）ガスをチャンバー内に導入する。そ
して、前記カソード銃中に設置したフィラメントに電圧
を与えて炭化水素ガスを熱分解し、ラジカルな炭素イオ
ンを形成したあと、アノード（陽極）盤とカソード（陰
極）盤の双方の電極間に電圧を加えると、炭素イオンが
カソード銃から飛び出して電界に沿った形でカソード盤
上に備える物品保持装置の表面に体積し、非晶質硬質炭
素膜を成膜することができる。

【００２９】

【実施例】以下、本発明実施例を説明する。

【００３０】（実施例１）図１は、本発明に係る物品保
持装置の一例である保持台１０を示す図であり、（ａ）
は平面図、（ｂ）はそのＸ−Ｘ線断面図である。

【００３１】この保持台１０は基体１１が純度９９．９
％のアルミナセラミックスからなる円板体であって、そ
の一方の表面にはリング状ピン１６を同心円状に突設し
てあり、該リング状ピン１６の表面を保持面１２として
ある。また、上記保持面１２側の基体１１の表面には多
数の吸引孔１３が穿設してあり、該吸引孔１３と連通す
る導出孔１４を基体１１の側壁面に形成してある。ま
た、上記保持面２２を含む基体１１の表面には、膜厚
０．２〜１０μｍの非晶質硬質炭素膜１５を被覆してあ
る。

【００３２】そして、前記保持面１２に物品として半導
体ウエハやガラス基板などのウエハを配置するととも
に、導出孔１４より真空吸引すれば、ウエハの裏面とリ
ング状ピン１６とで囲まれる空間が負圧となり、ウエハ
を保持面１２の平坦精度に矯正して固定することができ
る。この時、保持台１０の保持面１２には薄肉の非晶質
硬質炭素膜１５が被覆してあるため、膜表面には殆どボ
イドがなく、塵埃の付着を防止することができるととも
に、ウエハの脱着を繰り返したとしても殆ど摩耗するこ
とがない。しかも、基体１１は比剛性が０．９×１０⁹
ｃｍ以上のアルミナセラミックスにより形成してあるこ
とから保持面を滑らかで、かつ優れた平坦精度に仕上げ
ることができる。

【００３３】その為、この保持台１０を用いてウエハを
固定すれば、ウエハに傷を付けずに正確に固定すること
ができるとともに、特にウエハが半導体ウエハであって
も悪影響を与えることがない。

【００３４】また、この保持台１０を用いて半導体ウエ
ハに回路を転写すれば、断線や短絡を生じることなく、
回路の形成を行うことができ、半導体ウエハに露光処理
を施せば解像不良を生じることなく、良好な露光処理を
施すことができる。

【００３５】さらに、上記保持台１０を用いてガラス基
板の露光処理を施す時には、ガラス基板を透過した光を
保持面１２側の基体１１表面で吸収して反射を大幅に軽
減することができるため、良好な露光処理を施すことが
できる。（実施例２）図２は、本発明に係る物品保持装置の一例
である搬送アーム２０を示す図であり、（ａ）は平面
図、（ｂ）はそのＹ−Ｙ線断面図である。

【００３６】この搬送アーム２０は純度９９．９％のア
ルミナセラミックスからなる板状体２１の先端部にウエ
ハを固定するための保持面２２を備えてなり、該保持面
２２にはウエハを真空吸引するための吸引口２３を有す
るとともに、板状体２１の内部には上記吸引口２３に連
通する貫通孔２４を設けてある。

【００３７】また、上記保持面２２を含む板状体２１の
表面には膜厚０．２〜１０μｍの非晶質硬質炭素膜２５
を被覆してある。

【００３８】そして、前記保持面２２にウエハを配置
し、貫通孔２４より真空吸引してウエハを保持面２２上
に吸着固定した状態で移送するようになっている。この
時、搬送アーム２０の保持面２２には薄肉の非晶質硬質
炭素膜２５を被覆してあるため、膜表面には殆どボイド
がなく、塵埃の付着を防止することができるとともに、
物品の脱着を繰り返したとしても殆ど摩耗することがな
い。その上、膜表面は滑らかで、かつ優れた平坦精度に
仕上げることができることから、ウエハの脱着時におい
て傷を付けることもない。

【００３９】また、前記非晶質硬質炭素膜２５は不純物
を基本的に含まない炭素膜であるため、物品が半導体ウ
エハであったとしても悪影響を与えることがない。

【００４０】（実施例３）図３は、本発明に係る物品保
持装置の一例である搬送アーム３０を示す図であり、
（ａ）は平面図、（ｂ）はそのＺ−Ｚ線断面図である。

【００４１】この搬送アーム３０は、一方の表面に物品
である半導体ウエハの形状に合致する凹部を備えた板状
体３１であって、上記凹部の底面を保持面３２としてあ
る。また、該保持面３２を含む板状体３１の表面には膜
厚０．２〜１０μｍの非晶質硬質炭素膜３５を被覆して
ある。

【００４２】そして、前記板状体３１の凹部に半導体ウ
エハを嵌め込み、保持面３２上で保持した状態で移送す
るようになっている。この時、半導体ウエハは板状体３
１の凹部で完全に保持されるため、移送時に位置ずれを
生じたり、落下することがない。

【００４３】また、搬送アーム３０の保持面３２には薄
肉の非晶質硬質炭素膜３５を被覆してあることから、図
２の搬送アーム２０と同様に膜表面には殆どボイドがな
く、塵埃の付着を防止することができるとともに、半導
体ウエハの脱着を繰り返したとしても殆ど摩耗すること
がない。その上、膜表面は滑らかで、かつ優れた平坦精
度に仕上げることができることから、半導体ウエハの脱
着時において傷を付けることもない。しかも前記非晶質
硬質炭素膜２５は不純物を基本的に含まない炭素膜であ
るため、保持する半導体ウエハに悪影響を及ぼすことも
ない。

【００４４】（実施例４）図４は、本発明に係る物品保
持装置の一例である静電チャック４０を示す図であり、
（ａ）は一部を破断した平面図、（ｂ）はそのＰ−Ｐ線
断面図である。

【００４５】この静電チャック４０は、上面を保持面４
２とする円板状をした窒化アルミニウム質セラミックス
からなる基体４１の内部に静電電極４３を埋設してな
り、前記基体４１の下面には上記静電電極４３に連通す
るためのタングステンやモリブデンなどの金属製リード
端子４４をロウ付けしてある。また、上記保持面４２を
含む基体４１の全面には膜厚０．２〜１０μｍの非晶質
硬質炭素膜４５を被覆してある。

【００４６】そして、上記保持面４２に物品として半導
体ウエハを配置し、該半導体ウエハと静電電極４３との
間に電圧を印加することで誘電分極によるクーロン力や
微小な漏れ電流によるジョンソン・ラーベック力を発生
させて半導体ウエハを保持面４２上に吸着固定するよう
になっている。

【００４７】この時、保持面４２には薄肉の非晶質硬質
炭素膜４５が被覆してあるため、膜表面には殆どボイド
がなく、塵埃の付着を防止することができるとともに、
半導体ウエハの脱着を繰り返したとしても殆ど摩耗する
ことがない。しかも、基体４１は比剛性が０．９×１０
⁹ｃｍ以上の窒化アルミニウム質セラミックスにより形
成してあることから保持面４２を滑らかで、かつ優れた
平坦精度に仕上げることができる。その為、この静電チ
ャック４０を用いて半導体ウエハを固定すれば、ウエハ
に傷を付けずに正確に固定することができるとともに、
パーティクルの付着が殆どないため、半導体ウエハに悪
影響を及ぼすことがなく、均一な厚みもった膜を半導体
ウエハ上に成膜することができる。

【００４８】なお、実施例４では、成膜に使用する物品
保持装置として静電チャック４０について説明したが、
他に載置して保持するサセプタにも使用することができ
る。また、上記実施例では主に半導体ウエハやガラス基
板などのウエハを保持する物品保持装置について説明し
たが、これらは磁気ディスク基板や電子部品などの物品
の移送あるいは固定にも使用できることは言うまでもな
い。

【００４９】（実験例１）ここで、非晶質硬質炭素膜を
被覆したセラミック板の耐摩耗性を調べるためにボール
・オン・ディスク試験を行った。

【００５０】測定条件としては、本発明実施例に係る非
晶質硬質炭素膜を被覆したアルミナセラミック板からな
る試料に０．５ｋｇの荷重をかけてボールを押圧し、上
記試料を０．１７ｍ／ｓの速度で１０時間回転させたあ
と試料の摩耗量を測定した。また、比較例として、純度
９９．９％のアルミナセラミックス、超硬合金、炭化珪
素質セラミックス、および窒化チタン膜を被覆したアル
ミナセラミックスからなる板も用意し、同様に実験を行
った。

【００５１】それぞれの結果は表２に示す通りである。

【００５２】

【表２】

【００５３】この結果より判るように、本発明実施例に
係るものが摩耗量を２×１０^-3ｍｍ³／ｋｇ／ｋｍと最
も少なくすることができた。

【００５４】このことから、本発明に係る物品保持装置
を物品の移送や固定に使用すれば、物品の脱着による摩
耗を大幅に低減し、長寿命の物品保持装置とできること
が判る。

【００５５】（実験例２）次に、本発明に係る物品保持
装置として、アルミナセラミックスからなる基体１１の
表面に非晶質硬質炭素膜１５を被覆した保持台１０を試
作し、半導体ウエハの脱着を５万回繰り返したあと、上
記半導体ウエハに付着するパーティクル数をパーティク
ルカウンターにより測定した。

【００５６】なお、比較例として、純度９９．９％のア
ルミナセラミックス、およびアルミナセラミックスから
なる基体１１の表面に窒化チタン膜を被覆した保持台１
０もそれぞれ試作し、同様に測定を行った。

【００５７】それぞれの結果は表３に示す通りである。

【００５８】

【表３】

【００５９】この結果より、本発明に係る保持台１０を
用いたものが最もパーティクルの付着量を少なくするこ
とができた。

【００６０】このことから、本発明に係る物品保持装置
が半導体ウエハを保持するのに最適であることが判る。

【００６１】（実験例３）さらに、本発明に係る物品保
持装置として実施例２と同様の保持台１０に、露光時に
使用する４００ｎｍの波長光と８００ｎｍの波長光をそ
れぞれ照射し、その反射率について測定した。

【００６２】なお、比較例として炭化珪素質セラミック
スと窒化珪素質セラミックスからなる保持台１０、およ
び金属製基体１１の表面にＡＢＳ樹脂を被覆した保持台
１０もそれぞれ用意し、同様の実験を行った。

【００６３】それぞれの結果は表４に示す通りである。

【００６４】

【表４】

【００６５】表４より判るように、比較例である炭化珪
素質セラミックスおよび窒化珪素質セラミックスからな
る保持台１０では、それぞれ黒色を呈しているものの、
その反射率が２０％前後と、いずれの波長光をも効果的
に吸収することができなかった。

【００６６】また、金属製基体１１の表面にＡＢＳ樹脂
を被覆した保持台１０にあっては、双方の波長光に対す
る反射率を１６％と大幅に低減できたものの、表面が硬
度の小さい樹脂からなるため、ウエハの脱着により短期
間で摩耗してしまった。

【００６７】これに対し、本発明に係る非晶質硬質炭素
膜を被覆した保持台１０では、４００ｎｍおよび８００
ｎｍの波長光に対する反射率が１５％と樹脂よりも光の
反射を抑えることができ、最も優れたものであった。し
かも、保持面１２に高硬度の非晶質硬質炭素膜１５を被
覆してあるため、ウエハの脱着においても摩耗は見られ
なかった。

【００６８】このことから、保持面に非晶質硬質炭素膜
を被覆した本発明に係る物品保持装置をガラス基板の露
光処理に使用する保持台１０として用いれば、ガラス基
板を透過した光の反射を抑え、解像不良のない良好な露
光処理を施すことができることが判る。

【００６９】

【発明の効果】以上のように、本発明によれば、物品を
吸着または載置して保持する保持面がセラミックスから
なる物品保持装置において、上記保持面に非晶質硬質炭
素膜を被覆したことにより、物品との摺動に伴う保持面
の摩耗を大幅に低減することができるとともに、保持面
上にはボイドが殆どないため、埃塵の付着を大幅に低減
することができる。しかも、非晶質硬質炭素膜は不純物
を殆ど含まない炭素膜からなるため、物品が半導体ウエ
ハであったとしても悪影響を与えることがない。その
為、物品保持装置が搬送アームである時には、保持面の
摩耗に伴う交換回数を大幅に低減する事ができるととも
に、物品保持装置が保持台である時には、回路転写時に
おいて断線や短絡を防止できる他、露光時の解像不良を
生じるがなく、さらには、物品保持装置が静電チャック
である時には、均一な膜を物品に成膜することができ
る。

【００７０】しかも、保持面に被覆した非晶質硬質炭素
膜は黒色を呈しているため、ガラス基板の露光時におい
ては、光の反射を大幅に軽減することができるため、解
像不良を生じることなく、良好な露光処理を施すことが
できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る物品保持装置の一例である保持台
を示す図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）はそのＸ−Ｘ
線断面図である。

【図２】本発明に係る物品保持装置の一例である搬送ア
ームを示す図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）はそのＹ
−Ｙ線断面図である。

【図３】本発明に係る物品保持装置の一例である搬送ア
ームの他の例を示す図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）
はそのＺ−Ｚ線断面図である。

【図４】本発明に係る物品保持装置の一例である静電チ
ャックを示す図であり、（ａ）は一部を破断した平面
図、（ｂ）はそのＰ−Ｐ線断面図である。

【図５】従来の保持台を示す斜視図である。

【図６】従来の吸着タイプの搬送アームを示す斜視図で
ある。

【図７】従来の保持タイプの搬送アームを示す斜視図で
ある。

【図８】従来の静電チャックを示す斜視図である。

【符号の説明】

１０保持台１１基体１２保持面１３吸引口１４導出孔

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【手続補正書】

【提出日】平成７年１２月２０日

【手続補正１】

【補正対象書類名】図面

【補正対象項目名】図４

【補正方法】変更

【補正内容】

【図４】

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】物品を吸着または載置して保持する保持面
がセラミックスからなる物品保持装置において、上記保
持面に非晶質硬質炭素膜を被覆したことを特徴とする物
品保持装置。
【請求項２】上記非晶質硬質炭素膜の膜厚が０．２〜１
０μｍの範囲にあることを特徴とする請求項１に記載の
物品保持装置。