JP2854453B2 - 半導体ウェハ保持装置 - Google Patents
半導体ウェハ保持装置Info
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- JP2854453B2 JP2854453B2 JP7142992A JP7142992A JP2854453B2 JP 2854453 B2 JP2854453 B2 JP 2854453B2 JP 7142992 A JP7142992 A JP 7142992A JP 7142992 A JP7142992 A JP 7142992A JP 2854453 B2 JP2854453 B2 JP 2854453B2
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体ウェハ保持装置
に関し、特に、半導体ウェハを吸着して搬送し、あるい
は半導体ウェハを固定するものについてである。
に関し、特に、半導体ウェハを吸着して搬送し、あるい
は半導体ウェハを固定するものについてである。
【０００２】
【従来の技術】従来より、半導体ウェハ保持装置として
は、金属あるいは樹脂を使用していたが、剛性、精度、
耐食性、耐熱性、クリーン度の点から問題があって、金
属あるいは樹脂からセラミックの使用へ移行している。
また、実開昭62-72062号公報、特開昭53-96762号公報に
示すように、半導体ウェハを真空吸着して搬送する真空
ピンセットや搬送用アーム、あるいは半導体ウェハを真
空吸着により固定して半導体ウェハを加工、測定する半
導体ウェハ保持装置の材料としてセラミックが用いられ
ている。
は、金属あるいは樹脂を使用していたが、剛性、精度、
耐食性、耐熱性、クリーン度の点から問題があって、金
属あるいは樹脂からセラミックの使用へ移行している。
また、実開昭62-72062号公報、特開昭53-96762号公報に
示すように、半導体ウェハを真空吸着して搬送する真空
ピンセットや搬送用アーム、あるいは半導体ウェハを真
空吸着により固定して半導体ウェハを加工、測定する半
導体ウェハ保持装置の材料としてセラミックが用いられ
ている。
【０００３】従来は半導体ウェハ保持装置の真空吸着面
にアルミナ、ジルコニア、窒化ケイ素、石英といった材
料を使用しており、特に、炭化ケイ素(SiC)は、半導体
ウェハに対する汚染の少ない材料として多く使用されて
いる。
にアルミナ、ジルコニア、窒化ケイ素、石英といった材
料を使用しており、特に、炭化ケイ素(SiC)は、半導体
ウェハに対する汚染の少ない材料として多く使用されて
いる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】半導体ウェハ保持装置
に用いられるセラミックは、機械加工の容易さと、材料
が安価な点から、アルミナが主に使用されている。これ
に対し、上述の炭化ケイ素SiCは半導体ウェハを汚染し
ない材料であるものの、焼結後の硬度が高く、アルミナ
の約1.25倍の硬度があって難研削材料である。そのた
め、炭化ケイ素SiCを用いた複雑形状の半導体ウェハ保
持装置の加工は非常に困難で、加工コストはアルミナと
比較すると数倍で、炭化ケイ素SiCは材料コストもアル
ミナの数倍〜数十倍となり、総合すると非常に高価なも
のになり、炭化ケイ素SiCを用いた半導体ウェハ保持装
置を製品化することは困難であった。
に用いられるセラミックは、機械加工の容易さと、材料
が安価な点から、アルミナが主に使用されている。これ
に対し、上述の炭化ケイ素SiCは半導体ウェハを汚染し
ない材料であるものの、焼結後の硬度が高く、アルミナ
の約1.25倍の硬度があって難研削材料である。そのた
め、炭化ケイ素SiCを用いた複雑形状の半導体ウェハ保
持装置の加工は非常に困難で、加工コストはアルミナと
比較すると数倍で、炭化ケイ素SiCは材料コストもアル
ミナの数倍〜数十倍となり、総合すると非常に高価なも
のになり、炭化ケイ素SiCを用いた半導体ウェハ保持装
置を製品化することは困難であった。
【０００５】また、半導体ウェハ保持装置にセラミック
が使用されているが、半導体ウェハ保持装置内で半導体
ウェハが静電気によって帯電し、その静電気がセラミッ
クに蓄えられ、ついには、セラミックとの接触時に半導
体ウェハ上の回路が静電破壊を起こしたり、静電力によ
り半導体ウェハがセラミックに静電吸着されてしまい、
行程に支障をきたしたり、さらに、静電気は半導体ウェ
ハに好ましくないパーティクルをセラミックに吸着して
しまう。
が使用されているが、半導体ウェハ保持装置内で半導体
ウェハが静電気によって帯電し、その静電気がセラミッ
クに蓄えられ、ついには、セラミックとの接触時に半導
体ウェハ上の回路が静電破壊を起こしたり、静電力によ
り半導体ウェハがセラミックに静電吸着されてしまい、
行程に支障をきたしたり、さらに、静電気は半導体ウェ
ハに好ましくないパーティクルをセラミックに吸着して
しまう。
【０００６】
【課題を解決するための手段】そこで、第一発明は、上
記の事情に鑑み、汚染が少なく加工を容易にし、かつ静
電気の帯電を防止すべく、半導体ウェハ保持装置にセラ
ミックを用い、その保持面に炭化ケイ素などの体積固有
抵抗105Ω・cm以下の硬質薄膜で被覆するようにした。
記の事情に鑑み、汚染が少なく加工を容易にし、かつ静
電気の帯電を防止すべく、半導体ウェハ保持装置にセラ
ミックを用い、その保持面に炭化ケイ素などの体積固有
抵抗105Ω・cm以下の硬質薄膜で被覆するようにした。
【０００７】また、第二発明は、静電気による帯電を防
止するために導電性をもたらすべく、体積固有抵抗が10
5Ω・cm以下の抵抗を有するセラミックを素材とした。
止するために導電性をもたらすべく、体積固有抵抗が10
5Ω・cm以下の抵抗を有するセラミックを素材とした。
【０００８】
【作用】第一発明は、セラミックで形成した半導体ウェ
ハ保持装置の半導体ウェハの保持面を炭化ケイ素などの
導電性をもった硬質薄膜で形成したので、所要の硬度が
得られ、その上、加工も可能となり、静電気による帯電
を防止して表面にゴミの付着も少なくなる。
ハ保持装置の半導体ウェハの保持面を炭化ケイ素などの
導電性をもった硬質薄膜で形成したので、所要の硬度が
得られ、その上、加工も可能となり、静電気による帯電
を防止して表面にゴミの付着も少なくなる。
【０００９】第二発明は、体積固有抵抗を105Ω・cm以
下の抵抗に設定し、導電性を持たせて静電気による帯電
を防止する。
下の抵抗に設定し、導電性を持たせて静電気による帯電
を防止する。
【００１０】
【実施例】第一発明を添付する図面の具体的な実施例に
基づいて、以下詳細に説明する。図１および図２に示す
半導体ウェハ搬送アーム１は、概略帯板状で、図の左側
が半導体ウェハの吸着面２で、吸着面２に開口した吸着
開口３から導出孔４を経て裏面側に流出開口５が設けら
れている。
基づいて、以下詳細に説明する。図１および図２に示す
半導体ウェハ搬送アーム１は、概略帯板状で、図の左側
が半導体ウェハの吸着面２で、吸着面２に開口した吸着
開口３から導出孔４を経て裏面側に流出開口５が設けら
れている。
【００１１】また、図３および図４に示す真空チャック
11は、概略円盤状で、図３の上面が吸着面12で、吸着面
12に開口した吸着開口13は中心から外周面に流出開口15
を有する導出孔14にそれぞれ連通させる。吸着面12は半
導体ウェハを十分に吸着できるように、吸着面12に円環
状リブ16を膨出させてある。ここで、半導体ウェハ搬送
アーム１および真空チャック11の真空保持装置は、Al2O
3純度99％および99.5％のアルミナセラミックで形成す
る。図中７・17はアルミナセラミックである。そのアル
ミナセラミック７・17の表面には硬質薄膜としてCVD法
で純度99％以上の炭化ケイ素(SiC)の薄膜８・18を形成
した。
11は、概略円盤状で、図３の上面が吸着面12で、吸着面
12に開口した吸着開口13は中心から外周面に流出開口15
を有する導出孔14にそれぞれ連通させる。吸着面12は半
導体ウェハを十分に吸着できるように、吸着面12に円環
状リブ16を膨出させてある。ここで、半導体ウェハ搬送
アーム１および真空チャック11の真空保持装置は、Al2O
3純度99％および99.5％のアルミナセラミックで形成す
る。図中７・17はアルミナセラミックである。そのアル
ミナセラミック７・17の表面には硬質薄膜としてCVD法
で純度99％以上の炭化ケイ素(SiC)の薄膜８・18を形成
した。
【００１２】本実施例においては、炭化ケイ素SiCの薄膜
８・18の膜厚を２〜３μｍとした。比較用として、炭化
ケイ素SiCのコーティングなしの99％および99.5％のア
ルミナセラミックの真空保持装置、ステンレス鋼SUS製
の真空保持装置、炭化ケイ素セラミックの真空保持装
置、石英の真空保持装置を用い、アルミナセラミックに
炭化ケイ素の薄膜８・18を形成した本発明の真空保持装
置と共に、半導体ウェハに対するパーティクル検査、す
なわち、ゴミの付着数の測定を行った。
８・18の膜厚を２〜３μｍとした。比較用として、炭化
ケイ素SiCのコーティングなしの99％および99.5％のア
ルミナセラミックの真空保持装置、ステンレス鋼SUS製
の真空保持装置、炭化ケイ素セラミックの真空保持装
置、石英の真空保持装置を用い、アルミナセラミックに
炭化ケイ素の薄膜８・18を形成した本発明の真空保持装
置と共に、半導体ウェハに対するパーティクル検査、す
なわち、ゴミの付着数の測定を行った。
【００１３】実験は、クリーンルーム内とし、半導体ウ
ェハを載置した半導体ウェハ搬送アーム１あるいは真空
チャック11から空気を吸引して半導体ウェハを10秒間吸
着後、空気の吸引を止めて半導体ウェハを５秒間脱着
し、そのサイクルを10回繰り返し、その後、ゴミ検査機
(パーティクル検出機) にてゴミの付着数を測定した。
付着数の基準値を石英へのゴミの付着数とし、その石英
を◎とし、○を石英の1.2倍、△を 1.5倍、×を２倍以
上の付着数とした。それによると、次のような結果とな
り、炭化ケイ素(SiC)の薄膜８・18を形成した本発明実
施例は、ゴミの付着数が極めて少なかった。
ェハを載置した半導体ウェハ搬送アーム１あるいは真空
チャック11から空気を吸引して半導体ウェハを10秒間吸
着後、空気の吸引を止めて半導体ウェハを５秒間脱着
し、そのサイクルを10回繰り返し、その後、ゴミ検査機
(パーティクル検出機) にてゴミの付着数を測定した。
付着数の基準値を石英へのゴミの付着数とし、その石英
を◎とし、○を石英の1.2倍、△を 1.5倍、×を２倍以
上の付着数とした。それによると、次のような結果とな
り、炭化ケイ素(SiC)の薄膜８・18を形成した本発明実
施例は、ゴミの付着数が極めて少なかった。
【００１４】
【表１】
【００１５】なお、硬質薄膜として、炭化ケイ素(SiC)
の他、炭化チタン(TiC)、窒化チタン(TiN)を用いること
ができ、その物性は次のとおりである。 このように、本発明における硬質薄膜とは体積固有抵抗
105Ω・cm以下で、ビッカース硬度2000kg/mm2以上のも
のを用いる。この硬質薄膜を被覆することにより、母材
であるセラミックス表面のボイドを埋めて滑らかな面と
することができ、かつ硬質薄膜自体が導電性を有し静電
気の帯電がないためゴミの付着を極めて少なくできる。
しかも、硬質薄膜はビッカース硬度2000kg/mm2以上と高
硬度であり耐磨耗性を高くできる。
の他、炭化チタン(TiC)、窒化チタン(TiN)を用いること
ができ、その物性は次のとおりである。 このように、本発明における硬質薄膜とは体積固有抵抗
105Ω・cm以下で、ビッカース硬度2000kg/mm2以上のも
のを用いる。この硬質薄膜を被覆することにより、母材
であるセラミックス表面のボイドを埋めて滑らかな面と
することができ、かつ硬質薄膜自体が導電性を有し静電
気の帯電がないためゴミの付着を極めて少なくできる。
しかも、硬質薄膜はビッカース硬度2000kg/mm2以上と高
硬度であり耐磨耗性を高くできる。
【００１６】また、この硬質薄膜は、ＰＶＤ法によるイ
オンプレーティング（蒸着）法や、スパッタ法、あるい
は熱、プラズマ、または光によるＣＶＤ法などにより母
材上に成膜被覆し、その薄膜は０．１〜５０μｍとす
る。また、母材としてアルミナセラミックの他、ジルコ
ニア、炭化ケイ素、窒化ケイ素などさまざまなセラミッ
クを用いることができる。例えば、母材として炭化ケイ
素を使用して、８００℃以上の高温下で熱ＣＶＤ法によ
り炭化ケイ素を母材上に成膜被覆することができる。実
際に熱ＣＶＤ法により薄膜を形成すると、結晶配向性は
β−ＳｉＣ（１１１）となり、５０μｍ程度またはそれ
以上の膜厚が可能であり、母材表面のボイドを完全に埋
めることができた。また、成形後の薄膜は、母材と同一
材質であるために密着強度が非常に強く高温時でも剥が
れることがなく、緻密であり、しかもＳｉＣ含有量が９
９．９％さらには９９．９９９９％以上の高純度であ
り、表面を研磨加工した後は平面度が０．３μｍ以下、
ボイド率が０となることがわかった。なお、母材も炭化
ケイ素であるために導電性が非常に良くなり、電気抵抗
が１０4 Ω・ｃｍ以下となる。また、熱伝導率も０．０
４／℃と高く、半導体ウェハ上での発熱に対して熱を逃
すことができる。次に、第二発明について述べる。体積
固有抵抗が１０5 Ω・ｃｍ以下のセラミックは、導電性
を有し静電気を帯電しない。それには、次のようなもの
がある。
オンプレーティング（蒸着）法や、スパッタ法、あるい
は熱、プラズマ、または光によるＣＶＤ法などにより母
材上に成膜被覆し、その薄膜は０．１〜５０μｍとす
る。また、母材としてアルミナセラミックの他、ジルコ
ニア、炭化ケイ素、窒化ケイ素などさまざまなセラミッ
クを用いることができる。例えば、母材として炭化ケイ
素を使用して、８００℃以上の高温下で熱ＣＶＤ法によ
り炭化ケイ素を母材上に成膜被覆することができる。実
際に熱ＣＶＤ法により薄膜を形成すると、結晶配向性は
β−ＳｉＣ（１１１）となり、５０μｍ程度またはそれ
以上の膜厚が可能であり、母材表面のボイドを完全に埋
めることができた。また、成形後の薄膜は、母材と同一
材質であるために密着強度が非常に強く高温時でも剥が
れることがなく、緻密であり、しかもＳｉＣ含有量が９
９．９％さらには９９．９９９９％以上の高純度であ
り、表面を研磨加工した後は平面度が０．３μｍ以下、
ボイド率が０となることがわかった。なお、母材も炭化
ケイ素であるために導電性が非常に良くなり、電気抵抗
が１０4 Ω・ｃｍ以下となる。また、熱伝導率も０．０
４／℃と高く、半導体ウェハ上での発熱に対して熱を逃
すことができる。次に、第二発明について述べる。体積
固有抵抗が１０5 Ω・ｃｍ以下のセラミックは、導電性
を有し静電気を帯電しない。それには、次のようなもの
がある。
【００１７】(1) 炭化ケイ素を主成分とするもの。すな
わち、炭化ケイ素(SiC)を主成分とし、ホウ素 (Ｂ) 、
炭素 (Ｃ) を助剤として固相焼結したもので、体積固有
抵抗は103Ω・cmである。また、炭化ケイ素(SiC)を主成
分とし、Al2O3・Y2O3を助剤として液相焼結したもの
は、体積固有抵抗は８×104Ω・cmで、ビッカース硬度2
400kg/mm2である。
わち、炭化ケイ素(SiC)を主成分とし、ホウ素 (Ｂ) 、
炭素 (Ｃ) を助剤として固相焼結したもので、体積固有
抵抗は103Ω・cmである。また、炭化ケイ素(SiC)を主成
分とし、Al2O3・Y2O3を助剤として液相焼結したもの
は、体積固有抵抗は８×104Ω・cmで、ビッカース硬度2
400kg/mm2である。
【００１８】このようにして高硬度で導電性を高められ
る。 (2) アルミニウム化合物0.1〜10重量％、IIa 族元素とI
IIa族元素の化合物の１種以上が0.1〜10重量％、炭化チ
タン(TiC)、窒化チタン(TiN)などの導電性付与剤が0.1
〜10重量％、残りが炭化ケイ素(SiC)からなる導電性炭
化ケイ素焼結体を素材として、半導体ウェハの検査用装
置の真空チャックを作成した。但し、炭化ケイ素焼結体
は半導体ウェハに悪影響をおよぼす重金属を含まない
か、あるいはごく微量の重金属しか含まれないようにす
る。
る。 (2) アルミニウム化合物0.1〜10重量％、IIa 族元素とI
IIa族元素の化合物の１種以上が0.1〜10重量％、炭化チ
タン(TiC)、窒化チタン(TiN)などの導電性付与剤が0.1
〜10重量％、残りが炭化ケイ素(SiC)からなる導電性炭
化ケイ素焼結体を素材として、半導体ウェハの検査用装
置の真空チャックを作成した。但し、炭化ケイ素焼結体
は半導体ウェハに悪影響をおよぼす重金属を含まない
か、あるいはごく微量の重金属しか含まれないようにす
る。
【００１９】真空チャックはセラミック製であるので、
その平面度は１μｍ以上の加工が可能であり、また耐磨
耗性があるため繰り返し使用されても高精度に平面度を
維持できる。この体積固有抵抗は10〜102Ω・cmであ
る。 (3) アルミナ(Al2O3)20〜80重量％、炭化チタン(TiC)80
〜20重量％のアルティックを用いる。例えば、純度90
％以上で平均粒径10μｍ以下のアルミナ粉末を65重量
％、酸化チタンを含む平均粒径10μｍ以下の炭化チタン
TiC粉末を28重量％、その他の成分７重量％を混合し、
高純度アルミナボール、高純度ジルコニアボール、高純
度炭化ケイ素SiCボールなどを使用して粒度は10μｍ以
下、平均粒子径１μｍ以下に粉砕し混合し原料混合物を
得た。
その平面度は１μｍ以上の加工が可能であり、また耐磨
耗性があるため繰り返し使用されても高精度に平面度を
維持できる。この体積固有抵抗は10〜102Ω・cmであ
る。 (3) アルミナ(Al2O3)20〜80重量％、炭化チタン(TiC)80
〜20重量％のアルティックを用いる。例えば、純度90
％以上で平均粒径10μｍ以下のアルミナ粉末を65重量
％、酸化チタンを含む平均粒径10μｍ以下の炭化チタン
TiC粉末を28重量％、その他の成分７重量％を混合し、
高純度アルミナボール、高純度ジルコニアボール、高純
度炭化ケイ素SiCボールなどを使用して粒度は10μｍ以
下、平均粒子径１μｍ以下に粉砕し混合し原料混合物を
得た。
【００２０】この原料混合物を焼成し、HiP処理を施
し、板状のアルティックを得た。このアルティックの板
材に、図５に示すように、裏面から穴23、穴25、導出溝
24を設け、裏面にSUS板29を張設して半導体ウェハ搬送
用治具21を作成した。この場合、体積固有抵抗は２×10
-2Ω・cmで、ビッカース硬度は1900kg/mm2である。
し、板状のアルティックを得た。このアルティックの板
材に、図５に示すように、裏面から穴23、穴25、導出溝
24を設け、裏面にSUS板29を張設して半導体ウェハ搬送
用治具21を作成した。この場合、体積固有抵抗は２×10
-2Ω・cmで、ビッカース硬度は1900kg/mm2である。
【００２１】図６に示す半導体ウェハ搬送用治具31は、
本体部分40をアルミナなどで作成し、半導体ウェハとの
接触部41のみにアルティックを付する構造とした。アル
ティックはアルミナなどに接着し、本体部分に内蔵した
アース線 (図示せず) に接続する。本体部分40は金属で
構成させてもよいが、比剛性の点からセラミックが好ま
しい。
本体部分40をアルミナなどで作成し、半導体ウェハとの
接触部41のみにアルティックを付する構造とした。アル
ティックはアルミナなどに接着し、本体部分に内蔵した
アース線 (図示せず) に接続する。本体部分40は金属で
構成させてもよいが、比剛性の点からセラミックが好ま
しい。
【００２２】体積固有抵抗は２×10-2Ω・cmで、ビッカ
ース硬度1900kg/mm2である。 (4) サーメット ４ａ、５ａ族元素の炭化物、窒化物、炭窒化物(TiC、Ti
N、 NbC、 TiCN)50重量％以上と鉄族金属 (Fe、Ni、Co) か
らなる焼結体であって、体積固有抵抗は10-4Ω・cmで、
ビッカース硬度は1650kg/mm2である。
ース硬度1900kg/mm2である。 (4) サーメット ４ａ、５ａ族元素の炭化物、窒化物、炭窒化物(TiC、Ti
N、 NbC、 TiCN)50重量％以上と鉄族金属 (Fe、Ni、Co) か
らなる焼結体であって、体積固有抵抗は10-4Ω・cmで、
ビッカース硬度は1650kg/mm2である。
【００２３】
【発明の効果】第一発明は、上述のように、セラミック
で形成した半導体ウェハ保持装置において、半導体ウェ
ハの保持面を炭化ケイ素などの体積固有抵抗105Ω・cm
以下の硬質薄膜で被覆した半導体ウェハ保持装置であ
る。アルミナセラミック製の半導体ウェハ保持装置と比
較すると、第一発明の半導体ウェハ保持装置は、パーテ
ィクルの数は減少し、また、炭化ケイ素単体の半導体ウ
ェハ保持装置と同じレベルであった。
で形成した半導体ウェハ保持装置において、半導体ウェ
ハの保持面を炭化ケイ素などの体積固有抵抗105Ω・cm
以下の硬質薄膜で被覆した半導体ウェハ保持装置であ
る。アルミナセラミック製の半導体ウェハ保持装置と比
較すると、第一発明の半導体ウェハ保持装置は、パーテ
ィクルの数は減少し、また、炭化ケイ素単体の半導体ウ
ェハ保持装置と同じレベルであった。
【００２４】第一発明の半導体ウェハ保持装置は、炭化
ケイ素単体の半導体ウェハ保持装置と比較して母材がア
ルミナであるため、焼結後の加工も容易で、複雑形状加
工も可能であり、製作が安価となった。第一発明の半導
体ウェハ保持装置は、導電性を有する硬質薄膜を被覆し
ているので、半導体ウェハ搬送などで発生する静電気の
チャージアップの問題も同時に解決された。
ケイ素単体の半導体ウェハ保持装置と比較して母材がア
ルミナであるため、焼結後の加工も容易で、複雑形状加
工も可能であり、製作が安価となった。第一発明の半導
体ウェハ保持装置は、導電性を有する硬質薄膜を被覆し
ているので、半導体ウェハ搬送などで発生する静電気の
チャージアップの問題も同時に解決された。
【００２５】よって、第一発明によって半導体ウェハを
搬送および固定する半導体ウェハ保持装置として優れた
特性の製品が提供できる。第二発明は、上述のように、
体積固有抵抗が105Ω・cm以下の抵抗を有するセラミッ
クを素材としたので、従来のアルミナなどの導電性を有
しないセラミックチャックの場合、検査の前行程の状況
によっては 100枚程度の半導体ウェハを検査しただけで
半導体ウェハの静電吸着が起こり、行程がストップして
しまうが、導電性セラミック製真空チャックを使うこと
により、静電気がチャックに蓄えられることがないた
め、静電吸着されることがなく行程が止まることがな
い。
搬送および固定する半導体ウェハ保持装置として優れた
特性の製品が提供できる。第二発明は、上述のように、
体積固有抵抗が105Ω・cm以下の抵抗を有するセラミッ
クを素材としたので、従来のアルミナなどの導電性を有
しないセラミックチャックの場合、検査の前行程の状況
によっては 100枚程度の半導体ウェハを検査しただけで
半導体ウェハの静電吸着が起こり、行程がストップして
しまうが、導電性セラミック製真空チャックを使うこと
により、静電気がチャックに蓄えられることがないた
め、静電吸着されることがなく行程が止まることがな
い。
【００２６】また、従来、スピンドライなど半導体ウェ
ハに静電気が溜まりやすい行程の後の半導体ウェハは、
しばしば半導体ウェハ上の回路が静電破壊されることが
あったため、その防止が必要があったが、第二発明によ
りその必要がなくなった。さらに、露光行程のように、
パーティクルを好まない行程では、特に半導体ウェハ裏
面のパーティクルは避けねばならないが、従来の半導体
ウェハ保持装置では静電気により保持装置上にパーティ
クルを吸着してしまうことがあったが、第二発明ではそ
れがなくなり、パーティクルの減少に役立つ。
ハに静電気が溜まりやすい行程の後の半導体ウェハは、
しばしば半導体ウェハ上の回路が静電破壊されることが
あったため、その防止が必要があったが、第二発明によ
りその必要がなくなった。さらに、露光行程のように、
パーティクルを好まない行程では、特に半導体ウェハ裏
面のパーティクルは避けねばならないが、従来の半導体
ウェハ保持装置では静電気により保持装置上にパーティ
クルを吸着してしまうことがあったが、第二発明ではそ
れがなくなり、パーティクルの減少に役立つ。
【図１】第一発明の半導体ウェハ搬送アームの平面図で
ある。
ある。
【図２】図１の縦断面図である。
【図３】第一発明の真空チャックの平面図である。
【図４】図３の縦断面図である。
【図５】第二発明の半導体ウェハ保持装置の斜視図であ
る。
る。
【図６】第二発明の他の例の半導体ウェハ保持装置の斜
視図である。
視図である。
１…搬送アーム 11…真空チャック 21…半導体ウェハ搬送用治具 31…半導体ウェハ搬送用治具 ７・17…アルミナ ８・18…炭化ケイ素SiC の薄膜
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ Ｂ６５Ｈ 5/14 Ｂ６５Ｈ 5/14 Ｂ (56)参考文献 特開 平３−60014（ＪＰ，Ａ) 実開 平２−114441（ＪＰ，Ｕ) 実開 昭60−109859（ＪＰ，Ｕ) 実開 平３−128944（ＪＰ，Ｕ) 実開 平４−15845（ＪＰ，Ｕ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H01L 21/68 H01L 21/30 H01L 21/027 特許ファイル（ＰＡＴＯＬＩＳ)
Claims (1)
- 【請求項１】 セラミックで形成した半導体ウェハ保持
装置において、少なくとも半導体ウェハの保持面を体積
固有抵抗が１０5 Ω・ｃｍ以下のセラミック硬質薄膜で
成膜被覆したことを特徴とする半導体ウェハ保持装置。
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-
1992
- 1992-03-27 JP JP7142992A patent/JP2854453B2/ja not_active Expired - Lifetime
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