JPH09289222A - 熱放散兼支持構造体並びに半導体電子デバイス用のプラスチックパッケージおよびその製造方法 - Google Patents

熱放散兼支持構造体並びに半導体電子デバイス用のプラスチックパッケージおよびその製造方法

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JPH09289222A
JPH09289222A JP34524396A JP34524396A JPH09289222A JP H09289222 A JPH09289222 A JP H09289222A JP 34524396 A JP34524396 A JP 34524396A JP 34524396 A JP34524396 A JP 34524396A JP H09289222 A JPH09289222 A JP H09289222A
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heat sink
surface area
large surface
heat
lead frame
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JP34524396A
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Renato Pionelli
ポイネッリ レナート
Marziano Corno
コルノ マルツィアーノ
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STMicroelectronics SRL
Original Assignee
SGS Thomson Microelectronics SRL
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 均一で薄い封止材層によりヒートシンクを封
止し、それによってヒートシンクの熱伝導能力を最適に
保つこと。 【解決手段】 本発明は、プラスチックモールドパッケ
ージ内に封入され、封止された内部ヒートシンクを具備
するタイプの半導体電子デバイスにおける熱放散兼支持
構造体（１６）に関する。特に、その熱放散兼支持構造
体（１６）は、第１の厚さのプラスチック層によって封
止されてなる第１の大表面積部と、その第１の大表面積
部に相対し、かつ第１の厚さよりも薄い第２の厚さのプ
ラスチック層によって封止されてなる第２の大表面積部
とを有するヒートシンク（１８）、および第１の大表面
積部と同じ側にてヒートシンク（１８）に付着された金
属片と、ヒートシンク（１８）の外側に配置された外周
保持構造体（７）とを有するリードフレーム（１７）と
を具備する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、完全に封止された
ヒートシンクを有する電子デバイスのプラスチックパッ
ケージにおける熱放散兼支持構造体並びに半導体電子デ
バイス用のプラスチックパッケージおよびその製造方法
に関する。
【０００２】この熱放散兼支持構造体は、以下の構成要
素を具備するものである。すなわち、第１の厚さのプラ
スチック層によって封止されてなる第１の大表面積部
と、該第１の大表面積部に相対し、かつ前記第１の厚さ
よりも薄い第２の厚さのプラスチック層によって封止さ
れてなる第２の大表面積部とを有するヒートシンク、お
よび前記第１の大表面積部と同じ側にてヒートシンクに
付着された金属片と、前記ヒートシンクの外側に配設さ
れた外周保持構造体とを有するリードフレーム、を具備
するものである。
【０００３】
【従来の技術】周知のように、半導体電子デバイスは、
半導体材料でできた数ミリメール四方の表面領域を有す
るダイの上に、電子回路が集積されて形成されている。
そのようなデバイスでは、外部の電子回路と接続するた
めに、適切な支持兼電気的な内部接続手段が必要とされ
る。その支持兼電気的な内部接続手段は、デバイスを保
護するために用意された容器もしくはパッケージの内部
に部分的に収容される。半導体材料でできたダイは、そ
のダイの最も大きな表面の一方を支持兼電気的な内部接
続手段に接触させてしっかりと載置される。そして、ダ
イのもう一方の表面上には、集積回路が形成されてい
る。
【０００４】そのパッケージが製造工程の最後に、予め
印刷された電子回路基盤上に載置され得るようにするた
めに、パッケージの内部に導電性のリードフレームが用
意される。そのリードフレームの外側終端は、パッケー
ジの外部に延びて複数の電気的な接続端子になってい
る。各接続端子の他端は、ダイの露出面上に形成された
対応する金属領域に、細い金属製のワイヤ（ボンディン
グワイヤ）によって、電気的に接続されている。
【０００５】“パワーパッケージ（power packages）”
という術語は、一般に、パワーデバイス（elrctronic p
ower devices）を意味する。パワーデバイス（elrctron
ic power devices）については、以下に詳細に説明する
が、例えば、電源素子を含む構成要素や、大電流で動作
するように設計されてなる構成要素が、ダイ上に高密度
すなわち単位領域当たりに多数の素子が存在するため
に、比較的大量に熱を発生させる傾向がある。そのよう
な場合、ダイを支持するための構造体（支持構造体）
は、また、パッケージ内で発生する熱を放散させる役割
を担っており、さらには別個に設けられたヒートシンク
を含むこともある。
【０００６】ヒートシンクは金属製の素子、あるいはい
ずれにしろ高熱伝導素子であり、その熱伝導能力は、ダ
イの熱伝導能力、つまり半導体電子デバイスの熱伝導能
力よりも明らかに大きい。
【０００７】電子デバイスは、パッケージの組立て段階
でヒートシンクに熱的に連結される。それによって、デ
バイスの動作中に電子デバイスからヒートシンクへの熱
伝導が促進される。
【０００８】また、リードフレームもヒートシンクに連
結される。ヒートシンク／金属製リードフレーム部品
は、通常、連続した金属条片中に何個も複製される。個
々のフレームの周囲の構造体は全フレームの保持体を形
成している。各リードフレームは、各デバイスを形成す
る単一のパッケージ中に封入される。
【０００９】リードフレームとヒートシンクからなる構
造体については、“熱放散兼支持構造体”として以下に
説明する。
【００１０】図５には、符号１で示された典型的な熱放
散兼支持構造体の縦断面が概略的に示されている。
【００１１】簡便のため、図５および以下の図（図１〜
図４も含む）では、パッケージ本体のより大きな一側部
のみから接続ピンが突出してなるいわゆる“シングルイ
ンライン”と呼ばれるタイプのパッケージの製造に利用
される構造体の例を示す。この“シングルインライン”
タイプは、しばしば、パワーパッケージ（power packag
es）において採用される構成である。
【００１２】熱放散兼支持構造体１は、リードフレーム
２およびその下のヒートシンク３を備えている。リード
フレーム２は、一般に、その外周領域においてリベット
４によりヒートシンク３に連結されている。ヒートシン
ク３は、実質的に平行六面体形状の金属板でできてい
る。
【００１３】ヒートシンク３にリードフレーム２を載置
するために、リードフレーム２には、ヒートシンク３か
ら突出するリベット４の位置に孔があいた適当な棒（図
示省略）が設けられている。その棒は、リードフレーム
２の周囲の側部構造体（断面図において符号５で示す）
に連結されている。リードフレーム２がヒートシンク３
上に配置された時に、リベット４の自由端が裏返され
る。そのリベット４の構造は、図５に部分的な断面図と
してより詳細に示されている。
【００１４】リベット４は、リードフレーム２をわずか
にヒートシンク３から離して保持し得るようになってい
る。リードフレーム２とヒートシンク３との電気的な接
続は、後述する図によく示されているように、リードフ
レーム２の適当な凹部を介してのみなされている。
【００１５】リードフレーム２を図示しない半導体デバ
イスに接続するために、リードフレーム２には、終端と
なるコネクタ、すなわち一旦屈曲して接続ピンを形成す
るリード（符号６で示す）が設けられている。
【００１６】図６は、そのＡ−Ａ線に沿う切断面が図５
に表されてなる熱放散兼支持構造体１の平面図である。
図６には、熱放散兼支持構造体１の、単一のデバイスに
対応する部分とそれに隣接するデバイスの一部に対応す
る部分が示されている。
【００１７】上述したように、リードフレーム２は、金
属（通常、銅）製の薄板を巻いたロールから巻き解かれ
て打ち抜きされた条片からなり、そこに同じパターンが
繰り返し形成されている。対応するヒートシンク３はリ
ードフレーム２の下になっており、その輪郭が図６中に
破線で重ねて示されている。
【００１８】符号７で示されているのは、外周のフレー
ム保持構造体（以下、外周保持構造体と称する）であ
り、一つの条片において連結されたフレームを保持して
いる。また、この外周保持構造体７には、隣接するデバ
イス同士を分離するために条片の短手方向に区切りとし
て設けられた外周の前記側部構造体５が含まれる。支持
棒８は、外周の側部構造体５に連結されており、リベッ
ト４の留付けに供されている。
【００１９】リードフレーム２はヒートシンク３から浮
き上がっているが、リードフレーム２とヒートシンク３
とは、金属配線９によって電気的に接続されている。そ
の金属配線９は、例えば、本出願人によるヨーロッパ特
許出願第５４５００７号に開示されている方法によっ
て、リードフレーム２から形成され、図６に示すよう
に、その中央で押し下げられた凹部領域１０にてヒート
シンク３に接触している。
【００２０】金属製のリード６は、リードフレーム２に
おいて明確な形状をなしており、デバイスの接続ピンを
形成するように横木により連結されて保持されている。
それらリード６は、リードフレーム２の中央部分から、
リード自体が構造体の一部分をなす下側の外周保持構造
体７まで放射状に延びている。
【００２１】本発明の特徴を説明するために、従来のパ
ッケージ製造工程の通常の流れについて簡単に説明す
る。一般的には、一枚の金属条片に形成されたたくさん
の熱放散兼支持構造体１上に、それぞれダイが載置され
る。
【００２２】ダイは、例えば前記ヨーロッパ特許出願の
明細書中に記載されているように、標準的な技術によっ
て、リードフレーム２を介することなく直接ヒートシン
ク３に連結される。図６において、ダイは、リード６か
ら離れてヒートシンク３の中央部分に配置される（第１
のケース）。あるいは、その代わりに、ヒートシンクに
接続されたリードフレームの中央部分上にダイを載置す
るようにしてもよい（第２のケース）。
【００２３】後述するように、ダイを載置する部分がリ
ードフレーム２に設けられていない前記第１のケースに
ついて、以下に説明する。この第１のケースでは、鉛／
錫合金のような低融点はんだを用いたはんだ付け、また
はエポキシ系接着剤のような適当な接着剤による接着に
より、ダイが固定される。しかる後、ダイから離れてダ
イを取り巻くリード６の内側終端に、通常金製の細いワ
イヤ（ボンディングワイヤ）が接続されて電気的な接続
がなされる。
【００２４】次いで、ダイが載置された条片は、鋳型中
に設置される。その鋳型は、各デバイスに対応して鋳込
み空間が形成されるようになっており、その空間内に、
溶融した電気的絶縁性材料が高温度で注入されることに
よって、プラスチックのパッケージ本体が形成されるよ
うになっている。この電気的絶縁性材料は、通常、エポ
キシ樹脂のような合成樹脂である。鋳込み操作中には、
温度を徐々に変化させるいくつかの段階があり、半導体
材料（すなわち、ダイ）にクラックが生じるなど、信頼
性のないデバイスができたりしないようになっている。
しかしながら、鋳込み操作自体には、樹脂の注入段階が
あるだけである。第１の冷却段階およびそれに続く樹脂
の完全な重合化のためのキュアリングが行なわれた後、
鋳型からパッケージの生成物が取り出される。
【００２５】パワーパッケージ（power packages）は、
通常、ヒートシンクの底面（ダイに接触していない面）
をプラスチックにより被覆せずに露出させるように形成
される。従って、必要に応じて、そのヒートシンクの露
出面に外部のヒートシンクを接触させて、パッケージ外
部への熱放散を促進させることができるようになってい
る。
【００２６】しかしながら、いくつかの適用例において
は、ヒートシンクを完全に封止した方がよい場合があ
る。そのようなヒートシンクの封止構造は、例えば、デ
バイスが高電圧で動作する場合に使用され、印刷回路基
盤もしくは接続ピンと、接地されたヒートシンクとの間
で放電が起こるのを防止する。
【００２７】ヒートシンクを封止するためには、ヒート
シンクの下面全体を、パッケージケースを形成する材料
と同じ材料で被覆する方法が、最も一般的に行われてい
る。
【００２８】図７には、ヒートシンク封止タイプと呼ば
れるパワーパッケージ（power package）の鋳込み操作
後の断面が示されている。熱放散兼支持構造体は、図５
に示されたものと同じである。図７において、その熱放
散兼支持構造体上にはダイ１１が載置されている。
【００２９】この熱放散兼支持構造体は、プラスチック
ケース１２の中に部分的に封入されており、リード６の
外側終端はパッケージの外に露出している。図７に示す
ように、ヒートシンク３はプラスチックケース１２の中
に完全に封入されている。
【００３０】ヒートシンク３の底面は、非常に薄いプラ
スチック層１３で覆われており、それによってプラスチ
ック層１３の熱抵抗は小さくなっている。従って、ヒー
トシンク３から周囲への熱伝導は妨げられない。なお、
本明細書中において、プラスチック層１３における“薄
い”とは、ヒートシンク３のダイ１１側の表面を覆うプ
ラスチック層の厚さに比べて極めて薄いことを意味す
る。
【００３１】ヒートシンク３の底面を覆うプラスチック
層１３の厚さが薄いため、ある問題が生じている。
【００３２】図８は、図７に示すパッケージを製造する
ための鋳込み操作中の概略図である。同図には、特に、
鋳型の、一つのパッケージに該当する部分ついて示され
ている。
【００３３】樹脂が注入される鋳型１４は、図８に示す
例では、上側の半割りの型すなわち上型１４ａと下側の
半割りの型すなわち下型１４ｂとからなる。そして、そ
れら上型１４ａおよび下型１４ｂには、それぞれ凹部が
形成されている。上型１４ａおよび下型１４ｂは、それ
らの凹部が互いに相対するように配置され、樹脂が注入
される鋳込み空間を画成する。
【００３４】熱放散兼支持構造体１は、上型１４ａと下
型１４ｂの間で、かつ鋳込み空間の中に、リード６の外
側終端を外に突出させて配置される。また、図８には、
リード６の反対側に、鋳込み空間の外側に延びるリード
フレームの外周保持構造体７（パッケージの完成品では
除去されている）の部分断面が示されている。この外周
保持構造体７については、図６によく示されている。
【００３５】樹脂は、鋳込み段階で、鋳型に形成された
堰部１５を介して注入される。その堰部１５は、図８に
示すように、本質的には水平に延びており、鋳込み空間
の側面１４ｃに開口している。堰部１５がこのように配
置されていることにより、鋳込み空間の、樹脂の導入口
から最も遠い図８の右方部分にも、樹脂が満たされるよ
うになっている。
【００３６】鋳込み空間内で樹脂が均一に流れるために
は、鋳型の角部の一つすなわち形成されるパッケージの
角部の一つの近くに堰部１５を設けるのが好ましい。
【００３７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た標準的な配置、さらには上述した好ましい配置であっ
ても、プラスチック層１３によりヒートシンク３を封止
するために、ヒートシンク３の底面を均一な厚さのプラ
スチックで完全に被覆するのは極めて困難であるという
問題がある。というのは、ヒートシンク３の下側の樹脂
充填空間の高さが小さいからである。
【００３８】この問題を図示するために、図８には、鋳
込み空間に流入する溶融プラスチックの優先的な流れが
矢印で示されている。堰部１５から流入するメルト（す
なわち、溶融プラスチック）は、熱放散兼支持構造体１
の上の鋳込み空間上部およびヒートシンク３の下の底部
の両方に向かって流れる。しかし、底部を流れる際のメ
ルトの流動抵抗は、上方に向かって流れるメルトの流動
抵抗よりも大きい。実際に、メルトが流れる下向きの流
路の高さ寸法Ａ１は、かなり狭くなっている。
【００３９】粘性の低い樹脂を使用しても、ヒートシン
ク３を封止するプラスチック層１３を安定して均一な厚
さにするという問題を解決することは困難である。ま
た、上述したように熱抵抗を小さく保つ必要があるた
め、ヒートシンク３の下のプラスチック層１３の厚さを
増大させることもできない。
【００４０】本発明は、上記問題点を解決するためにな
されたもので、その目的は、均一で薄い封止材層により
ヒートシンクを封止し、それによってヒートシンクの熱
伝導能力を最適に保つことができる熱放散兼支持構造体
並びに半導体電子デバイス用のプラスチックパッケージ
およびその製造方法を提供することにある。
【００４１】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、請求項１に係る熱放散兼支持構造体によれば、鋳造
によって形成され、完全に封止されたヒートシンクを具
備してなるタイプのプラスチックパッケージ内に封入さ
れる半導体電子デバイス用の熱放散兼支持構造体（１
６）は、第１の厚さのプラスチック層によって封止され
る第１の大表面積部、および該第１の大表面積部に相対
し、かつ前記第１の厚さよりも薄い第２の厚さのプラス
チック層によって封止される第２の大表面積部を有する
ヒートシンク（１８）と、前記第１の大表面積部と同じ
側にてヒートシンク（１８）に付着された金属片、およ
び前記ヒートシンク（１８）の外側に配設された外周保
持構造体（７）を有するリードフレーム（１７）とを具
備し、前記ヒートシンク（１８）の側端（１９）の一部
分に、ヒートシンク（１８）の前記第１の大表面積部お
よび前記第２の表面積部にそれぞれ開放してなる開放部
を有する段差部（２０）が形成され、前記第１の大表面
積部の開放部は、前記外周保持構造体（７）へ向かって
前記ヒートシンク（１８）の外方へ延びる遮断手段（２
１）により塞がれており、ヒートシンク（１８）の前記
第１の大表面積部側では前記遮断手段（２１）とリード
フレーム（１７）の前記外周保持構造体（７）との間に
スリット（Ａ２）のみが残り、一方、前記第２の大表面
積部側では開放部が完全に開いた状態となっているもの
である。
【００４２】また、請求項２に係る熱放散兼支持構造体
によれば、前記遮断手段（２１）は、ヒートシンク（１
８）の前記段差部（２０）上に配置されて、鋳込み中に
ヒートシンク（１８）の前記第２の大表面積部側へ向か
う溶融プラスチックの流れを促進するように形成されて
いるものである。
【００４３】また、請求項３に係る熱放散兼支持構造体
によれば、前記スリット（Ａ２）は、フレームの前記外
周保持構造体（７）に隣接しているものである。
【００４４】また、請求項４に係る熱放散兼支持構造体
によれば、前記段差部（２０）は、前記ヒートシンク
（１８）の側部の角部の近傍に形成されているものであ
る。
【００４５】また、請求項５に係る熱放散兼支持構造体
によれば、前記遮断手段は、ヒートシンク（１８）の前
記第１の大表面積部に実質的に平行に広がる邪魔板（２
１）により構成されているものである。
【００４６】また、請求項６に係る熱放散兼支持構造体
によれば、前記邪魔板（２１）は、前記リードフレーム
（１７）とともに一括して形成されているものである。
【００４７】また、請求項７に係る熱放散兼支持構造体
によれば、前記邪魔板（２１）は、前記ヒートシンク
（１８）の外側で前記外周保持構造体（７）ヘ向かって
延びる前記リードフレーム（１７）の内側部（２２）に
連結されているものである。
【００４８】また、請求項８に係る熱放散兼支持構造体
によれば、前記邪魔板（２１）は、少なくとも１つの吊
支部を介して、リードフレーム（１７）の前記外周保持
構造体（７）に連結されているものである。
【００４９】また、請求項９に係る熱放散兼支持構造体
によれば、前記邪魔板（２１）は、前記スリット（Ａ
２）の長さを決める一対の吊支部（２３）を介して、リ
ードフレーム（１７）の前記外周保持構造体（７）に連
結されているものである。
【００５０】また、請求項１０に係る熱放散兼支持構造
体によれば、前記邪魔板（２１）は、実質的に前記段差
部（２０）の形状と相似で、かつ段差部（２０）よりも
大きい形状をしており、リードフレーム（１７）の前記
外周保持構造体（７）側に前記ヒートシンク（１８）か
ら突出しているものである。
【００５１】また、請求項１１に係る熱放散兼支持構造
体によれば、前記段差部（２０）は、その軸がヒートシ
ンク（１８）の前記第１の大表面積部に実質的に直交す
るようになっているものである。
【００５２】また、請求項１２に係る熱放散兼支持構造
体によれば、前記ヒートシンク（１８）の側端（１９）
に沿って形成される前記段差部（２０）の広さは、前記
ヒートシンク（１８）の側端（１９）の長さの約１／５
である。
【００５３】また、請求項１３に係る半導体電子デバイ
ス用のプラスチックパッケージによれば、鋳造によって
形成され、完全に封止された内部ヒートシンクを具備し
てなるタイプの、半導体電子デバイス用のプラスチック
パッケージは、半導体材料製のダイの上に電子デバイス
が形成されてなるダイ（１１）に熱的に接続され、かつ
第１の厚さのプラスチック層によって封止されてなる第
１の大表面積部、および該第１の大表面積部に相対し、
かつ前記第１の厚さよりも薄い第２の厚さのプラスチッ
ク層によって封止されてなる第２の大表面積部を有する
ヒートシンク（１８）と、前記第１の大表面積部と同じ
側にてヒートシンク（１８）に付着し、かつ前記電子デ
バイスに電気的に接続するとともに当該パッケージの外
部へ延びるリード（６）を有する金属製のリードフレー
ム（１７）とを具備し、前記ヒートシンク（１８）の側
端（１９）の一部分に、ヒートシンク（１８）の前記第
１の大表面積部および前記第２の表面積部にそれぞれ開
放してなる開放部を有する段差部（２０）が形成され、
前記第１の大表面積部の開放部は、前記外周保持構造体
（７）へ向かって前記ヒートシンク（１８）の外方へ延
びる遮断手段（２１）により塞がれているとともに、当
該パッケージの側面から離れいて、前記ヒートシンク
（１８）の第１の大表面積部に対してスリット（Ａ２）
が開いているだけであり、一方、前記第２の大表面積部
に対する開放部は広く開いているものである。
【００５４】また、請求項１４に係る半導体電子デバイ
ス用のプラスチックパッケージによれば、前記遮断手段
（２１）は、前記段差部（２０）上に配置されて、鋳込
み中にヒートシンク（１８）の前記第２の大表面積部側
へ向かう溶融プラスチックの流れを促進するように形成
されているものである。
【００５５】また、請求項１５に係る半導体電子デバイ
ス用のプラスチックパッケージによれば、前記段差部
（２０）は、前記ヒートシンク（１８）の側部の角部の
近傍に形成されているものである。
【００５６】また、請求項１６に係る半導体電子デバイ
ス用のプラスチックパッケージによれば、前記遮断手段
は、ヒートシンク（１８）の前記第１の大表面積部に実
質的に平行に広がる邪魔板（２１）により構成されてい
るものである。
【００５７】また、請求項１７に係る半導体電子デバイ
ス用のプラスチックパッケージによれば、前記邪魔板
（２１）は、当該パッケージの側面ヘ向かって延びる前
記リードフレーム（１７）の内側部（２２）に連結され
ているものである。
【００５８】また、請求項１８に係る半導体電子デバイ
ス用のプラスチックパッケージによれば、前記邪魔板
（２１）は、前記リードフレーム（１７）から離れてい
るものである。
【００５９】また、請求項１９に係る半導体電子デバイ
ス用のプラスチックパッケージによれば、前記邪魔板
（２１）は、実質的に前記段差部（２０）の形状と相似
で、かつ段差部（２０）よりも大きい形状をしており、
前記ヒートシンク（１８）から外方へ突出しているもの
である。
【００６０】また、請求項２０に係る半導体電子デバイ
ス用のプラスチックパッケージによれば、前記段差部
（２０）は、その軸がヒートシンク（１８）の前記第１
の大表面積部に実質的に直交するようになっているもの
である。
【００６１】また、請求項２１に係る半導体電子デバイ
ス用のプラスチックパッケージによれば、前記ヒートシ
ンク（１８）の側端（１９）に沿って形成される前記段
差部（２０）の広さは、前記ヒートシンク（１８）の側
端（１９）の長さの約１／５である。
【００６２】また、請求項２２に係る電子デバイス用の
プラスチックパッケージを製造する方法によれば、金属
製のリードフレーム（１７）が接触され、かつ第１の厚
さのプラスチック層によって封止される第１の大表面積
部と、該第１の大表面積部に相対し、かつ前記第１の厚
さよりも薄い第２の厚さのプラスチック層によって封止
される第２の大表面積部とを有するヒートシンク（１
８）を有するようにされてなる電子デバイス用の熱放散
兼支持構造体（１６）を鋳型（１４）内に設置し、該鋳
型（１４）内にその内側面（１４ｃ）に開口する堰部を
介してプラスチック材料を流入させることによってプラ
スチックパッケージの鋳込みを行う段階を含み、封止さ
れたヒートシンクを具備する電子デバイス用のプラスチ
ックパッケージを製造する方法において、前記ヒートシ
ンク（１８）の側端（１９）の部分を横切って、前記第
１の大表面積部および前記第２の表面積部にそれぞれ開
放してなる開放部を有する段差部（２０）が形成されて
おり、前記第１の大表面積部の開放部は、スリット（Ａ
２）のみを残して、前記鋳型（１４）の内壁へ向かって
前記ヒートシンク（１８）の外方へ延びる遮断手段（２
１）により塞がれ、一方、前記第２の大表面積部に対す
る開放部は広く開放されており、また、前記第２の大表
面積部の開放部が、同第２の大表面積部へ向かうプラス
チック流を促進し、かつ前記第１の大表面積部へ向かう
プラスチック流が前記遮断手段により妨害されるよう
に、前記段差部（２０）を前記堰部（１５）に対して配
置するものである。
【００６３】また、請求項２３に係る電子デバイス用の
プラスチックパッケージを製造する方法によれば、前記
スリット（Ａ２）は、鋳型の前記側面（１４ｃ）に隣接
しているものである。
【００６４】すなわち、本発明が基礎とする解決策は、
ヒートシンクの底面を均一に被覆するために、パッケー
ジの上部へ樹脂が流れるのを妨げればよいとの着眼に基
づいている。その解決策は、本質的に、鋳込み中にパッ
ケージの上部へ向かう樹脂流の通過を妨げる遮断手段を
設けるとともに、その遮断手段が、パッケージの下部へ
向かう樹脂流の妨げとならないようなデバイス支持構造
を提供することである。
【００６５】封止されたヒートシンクを備え、型成形さ
れたプラスチックパッケ−ジ内に封入されてなる半導体
電子デバイス用の熱放散兼支持構造体は、ヒートシンク
と金属製のリードフレームとを有する。ヒートシンク
は、相対的に厚いプラスチック層により封止される第１
の大表面積を有している。ヒートシンクの、第１の大表
面積部に相対する第２の大表面積部は、パッケージ内に
封入された後には、パッケージのプラスチック材よりな
る薄い層により封止されている必要がある。リードフレ
ームは、ヒートシンクに付着された金属製の条片を有し
ており、ヒートシンクの第１の大表面積部と同じ側に配
置される。また、リードフレームは、ヒートシンクの外
側に外周保持構造体を備えている。
【００６６】本発明では、ヒートシンクの側端に、第１
および第２の表面積部にそれぞれ開放してなる開放部を
有する段差部が形成されている。第１の大表面積部の開
放部は、外周保持構造体へ向かってヒートシンクの外方
へ延びる遮断手段により塞がれており、その遮断手段と
外周保持構造体との間にスリットが開放されて残されて
いるだけである。
【００６７】都合よく、遮断手段は、第１の大表面積部
ヘ向かう方向の障害物となり、それに対応して、鋳込み
空間の、ヒートシンクを収容する部分へ、プラスチック
流を向けるように配置される。遮断手段のもう一方の端
部では、ヒートシンクの段差部は開放されており、プラ
スチックがヒートシンクの第２の大表面積部へ向かって
流れるようになっている。
【００６８】本発明の技術的な課題は、上述した内容と
クレーム１以下の特徴的な部分で明らかとなる熱放散兼
支持構造体によって解決される。
【００６９】また、技術的課題は、上述した内容とクレ
ーム１３以下の特徴的な部分で明らかとなる分離された
ヒートシンクを有するプラスチックパッケージによって
解決される。
【００７０】封止されたヒートシンクを具備してなる本
発明に係る電子デバイス用のプラスチックパッケージを
製造する方法は、電子デバイス用の熱放散兼支持構造体
が内部に設置された鋳型内に、その内側面に開口する堰
部を介してプラスチック材料を流入させることによっ
て、プラスチックパッケージの鋳込みを行う段階を含
む。その熱放散兼支持構造体は、金属製のリードフレー
ムが接触され、かつ第１の厚さのプラスチック層によっ
て封止される第１の大表面積部と、その第１の大表面積
部に相対し、かつ第１の厚さよりも薄い第２の厚さのプ
ラスチック層によって封止される第２の大表面積部とを
有するヒートシンクを具備してなる。
【００７１】さらに、本発明では、以下の段階を含む。
すなわち、ヒートシンクの側端の部分を横切って、その
第１および第２の表面積部にそれぞれ開放する開放部を
有する段差部を形成する段階を含む。第１の大表面積部
に隣接する開放部は、スリットのみを残して、鋳型の内
壁へ向かってヒートシンクの外方へ延びる遮断手段によ
り塞がれ、一方、第２の大表面積部に隣接する開放部は
制限されずに開放されている。
【００７２】また、第２の大表面積部の開放部が、その
第２の大表面積部へ向かうプラスチック流を促進し、か
つ第１の大表面積部へ向かうプラスチック流が遮断手段
により妨害されるように、段差部を堰部に対して配置す
る段階を含む。
【００７３】本発明の目的を達成するため、鋳込み工程
中に溶融プラスチックを導入するための堰部に合わせて
邪魔板と段差部が形成される。従って、段差部はヒート
シンクの側部の角部に近接して形成される。
【００７４】好ましくは、遮断手段は、ヒートシンクの
第１の大表面積部に実質的に平行な邪魔板により構成さ
れていてもよい。邪魔板は、都合よく、リードフレーム
の打抜き工程中に簡単に作製され得る。
【００７５】好ましくは、遮断手段、すなわち邪魔板と
リードフレームの外周保持構造体との間のスリットが、
外周保持構造体に隣接しているとよい。このようにすれ
ば、ヒートシンクの第１の大表面積部へ向かうプラスチ
ック流を、さらに妨げることができる。
【００７６】本発明に係る構成の特徴および利点は、以
下の具体的な実施の形態の説明から明らかとなるであろ
う。但し、本発明は、添付図面により何ら制限されない
のはいうまでもない。
【００７７】
【発明の実施の形態】以下に、本発明の実施の形態につ
いて図１〜図４を参照しつつ詳細に説明する。
【００７８】（実施の形態１）図１および図２には、本
発明に係る熱放散兼支持構造体の実施の形態１およびそ
れを封止するパッケージの鋳込み操作中の状態が示され
ている。なお、これらの図において、図５〜図８で説明
した構成と同じ構成および同じ機能を有する構成につい
ては、同じ符号を付した。
【００７９】図１は、一つのデバイスに対応した熱放散
兼支持構造体１６の要部平面図である。簡便のため、図
１には、本発明の特徴部分のみが示されている。その他
の部分については、従来通りであるとする。
【００８０】この簡素な例では、形成されたパッケージ
の一側部から電気的な接続ピンが突出してなるシングル
インラインタイプのパッケージ構造が示されている。
【００８１】熱放散兼支持構造体１６は、繰り返し複製
された一連のパターンを有する金属条片からなるリード
フレーム１７を構成しており、ヒートシンク１８上に載
置されている。リードフレーム１７は、薄板、好ましく
は銅製の薄板を巻いたロールから巻き解かれて打ち抜き
されて形成されている。
【００８２】リードフレーム１７の外周保持構造体７
は、複数のフレームを一緒に一つの条片に連結させてい
る。図１には、外周保持構造体７がリードフレーム１７
の図中上側に示されているが、外周保持構造体７は、ま
た条片の下端部分を構成しており、図には示されていな
いが、電気的なコネクタの終端すなわちデバイスを電気
的に接続するためのリードに連結されている。
【００８３】外周保持構造体７は、従来技術に関して先
述したが、特にこの好ましい実施の形態においても、個
々のデバイス同士を分離するために条片の短手方向に延
びる外周の側部構造体５を有している。その側部構造体
５には、直交する方向に延びる支持棒８が連結されてい
る。その支持棒８には、リードフレーム１７と一つのヒ
ートシンク１８とを互いにしっかりと留め付けるための
リベット４を通す孔があけられている。
【００８４】図１には、ヒートシンク１８の上下（すな
わち、表裏）の広い表面のうちの一方のみ、特に上面
（すなわち、ダイ１１が載置される表側の面）が示され
ている。ヒートシンク１８のその表面の中央部分には、
ダイ１１が載置される。
【００８５】本発明では、ヒートシンク１８の側端、特
に符号１９で示す側端に段差部２０が設けられている。
段差部２０は、ヒートシンク１８の上下（すなわち、表
裏）の面に一対の開放部を有している。図１には上面の
開放部のみが破線で示されているが、段差部２０は、そ
の軸がヒートシンク１８の上下の面に実質的に直行する
ようになっている。一例として、図１に示す実施の形態
では、段差部２０の形状は、実質的に平行六面体形状で
ある。この構造は、簡素化のために好ましい。
【００８６】一例として、段差部２０の横断面は、その
ヒートシンク１８の側端１９の延びる方向に沿って、ヒ
ートシンク１８の側端１９の長さの約１／５の長さを有
している。
【００８７】さらに、本発明では、段差部２０の上側の
開放部を閉じる邪魔板２１がリードフレーム１７ととも
に必須構成要素として形成されている。その邪魔板２１
は、ヒートシンク１８の周縁よりも、その周縁に近接す
る外周保持構造体７に向かって延びて突出している。こ
の実施の形態１では、邪魔板２１は、ヒートシンク１８
の周縁、さらには外周保持構造体７に向かって延びるリ
ードフレーム１７の内側部２２に付着されている。
【００８８】邪魔板２１とリードフレーム１７の外周保
持構造体７との間には、従来よりも極めて狭い幅のスリ
ットＡ２があいているだけである。
【００８９】それによって、パッケージのプラスチック
ケースの鋳込み中に、ヒートシンク１８の底面の下に極
めて均一な厚さのプラスチック層が容易に形成される。
【００９０】そうするために、邪魔板２１および段差部
２０は、ヒートシンク１８の側端の角部の近く、つまり
鋳型の堰部１５の位置に合わせて形成される。
【００９１】パッケージの鋳込み中の状態について示す
ために、図２には、図１に示すような熱放散兼支持構造
体１６が鋳型１４中に設置された状態の縦断面が示され
ている。この図２の断面は、図１のＢ−Ｂ線を切断面と
する図であり、一つのパッケージを形成するための鋳込
み空間が一つだけ示されている。
【００９２】鋳型１４は、一対の半割りの型、すなわち
上側の半割り型（上型）１４ａと下側の半割り型（下
型）１４ｂとで構成されている。上型１４ａと下型１４
ｂは、それぞれの凹部を合わせて一つの鋳込み空間を形
成するように配置される。鋳型の構造は従来通りであ
る。
【００９３】熱放散兼支持構造体１６は、上型１４ａと
下型１４ｂとにより画成される鋳込み空間内に設置され
る。リード６の外側終端およびリードフレーム１７の外
周保持構造体７は鋳込み空間の外側に位置するようにさ
れる。外周保持構造体７は、リードフレーム１７の内側
部２２とともに、鋳込み空間の一側面１４ｃに接触する
ように位置される。
【００９４】鋳込み操作中、溶融プラスチック（一般的
には、エポキシ樹脂である）は、堰部１５を通って鋳込
み空間内に流入する。一例として、図２には、堰部１５
が下型１４ｂに形成された図が示されている。なお、堰
部は、上型１４ａに形成されていてもよいし、上型１４
ａおよび下型１４ｂの両方に形成されていてもよい。加
えて、鋳型１４は、そのような上型１４ａと下型１４ｂ
との組合わせにより構成されていなくてもよい。いずれ
にせよ、堰部１５は、その主となる軸が実質的に水平に
なるように設けられており、鋳込み空間の側面１４ｃに
開口するようになっている。特に、堰部１５は、鋳型の
一角部、すなわち形成されるパッケージの一角部に近接
して設けられる。
【００９５】図２に示すように、本発明では、邪魔板２
１および段差部２０は、樹脂が鋳込み空間内に流入する
際に通る堰部１５の近傍に位置するように形成される。
【００９６】本発明では、溶融プラスチックの上方への
流路が邪魔板２１により塞がれていることによって、溶
融プラスチックがヒートシンク１８の上側のパッケージ
部分に優先的に充填されないようになっている。さらに
は、図２に示すように、段差部２０は、ヒートシンク１
８の底面に向かって樹脂流をゆっくりと流す流路となっ
ている。
【００９７】換言すれば、鋳型１４の側面１４ｃもしく
はリードフレーム１７の外周保持構造体７と、邪魔板２
１との間のスリットＡ２の幅は、ヒートシンク１８の底
面に向かう前記流路を含む下方への流路の幅Ａ１’と同
じ程度である。
【００９８】従って、図２に矢印で示すように、溶融プ
ラスチックは優先的に下方へ向かって流れる。それによ
って、ヒートシンク１８と鋳込み空間の底面との間の空
隙に溶融プラスチックが容易に充填され、ヒートシンク
１８の下に、該ヒートシンク１８を適当に封止する薄い
均一な厚さのプラスチック層が形成される。
【００９９】好ましくは、ヒートシンク１８の下を流れ
る樹脂流と同じ速度で、樹脂が鋳型の上側部分を通って
図２の右方へ流れるように、各部の断面の寸法が適当に
選択される。
【０１００】図１を参照すると、邪魔板２１は、実質的
に段差部２０の形状と相似であり、段差部２０よりも大
きい形状をしている。従って、邪魔板２１は、ヒートシ
ンク１８から外周保持構造体７側に突出している。邪魔
板２１は、ヒートシンク１８の段差部２０に重なるよう
に形成されており、そのため、鋳込み操作中、溶融プラ
スチックがヒートシンク１８の底面に向かって流れるよ
うになっている。
【０１０１】（実施の形態２）図３には、本発明の実施
の形態２による熱放散兼支持構造体の平面図が示されて
いる。
【０１０２】この実施の形態２では、邪魔板２１は、リ
ードフレーム１７の外周保持構造体７に連結されてお
り、リードフレーム１７とともに形成される。
【０１０３】特に、外周保持構造体７と邪魔板２１との
間にはスリットが設けられており、邪魔板２１は、少な
くとも一つの吊支部を介して、外周保持構造体７に連結
されている。図３に示す例では、スリットの左右に吊支
部２３が１つずつ設けられている。
【０１０４】吊支部２３が設けられていることにより、
パッケージの鋳造後、リードフレーム１７の外周保持構
造体７を除去することができる。一方、邪魔板２１は、
パッケージの鋳込み中は必然的に鋳込み空間内に置か
れ、パッケージの鋳造後においてもパッケージ内に残さ
れる。
【０１０５】図４には、この実施の形態２の熱放散兼支
持構造体を用いて製造されるパッケージの縦断面が示さ
れている。図４では、鋳型１４の上側部分へ流れる樹脂
の流路となるスリットＡ２は、破線で示されている。ス
リットＡ２は、上述した実施の形態１のスリットと同じ
位置に設けられている。従って、樹脂の流れは、図２に
示す実施の形態１において説明した樹脂の流れと同様で
ある。
【０１０６】上記各実施の形態では、本発明をシングル
インラインタイプのパッケージに適用した例について説
明したが、本発明は、ケースの相対する２つの側部から
接続ピンが突出してなるパッケージにも適用可能であ
る。そのような構造のパッケージは、“デュアルインラ
イン”すなわちＤＩＰタイプと呼ばれる。このＤＩＰタ
イプの場合には、邪魔板は、接続ピンが突出する両側部
と９０°の角度をなす側部の内の一方に位置して設けら
れる。本発明は、一般に、ヒートシンクが封止されてな
るパッケージであれば如何なるものにも適用できる。
【０１０７】邪魔板は、リードフレームとは別個に形成
されていてもよいし、さらには貼着されていてもよい。
また、別の遮断手段、例えば、形状が異なるもの、２次
元でないもの、遮断手段を形成するために使用される先
行技術に依存するもの、を代わりに用いてもよい。
【０１０８】上記実施の形態では、段差部は平行六面体
形状を切り欠いたような形状であるとしたが、それと同
等の機能を有するならば、段差部の形状を種々変更可能
である。例えば、段差部は、その角部が傾斜するように
なっていてもよい。
【０１０９】熱放散兼支持構造体は、上記説明および図
示例に限らず、特許請求の範囲の記載より明らかとされ
る本発明の範囲内で、種々設計変更可能であるのはいう
までもない。
【０１１０】
【発明の効果】以上説明したとおり、この発明に係る熱
放散兼支持構造体並びに半導体電子デバイス用のプラス
チックパッケージおよびその製造方法によれば、均一で
薄い封止材層によりヒートシンクを封止し、それによっ
てヒートシンクの熱伝導能力を最適に保つことができ
る。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る熱放散兼支持構造体の実施の形態
１の要部を示す平面図である。
【図２】図１に示す熱放散兼支持体を有するパッケージ
の鋳込み操作を説明するための断面図である。
【図３】本発明に係る熱放散兼支持構造体の実施の形態
２の要部を示す平面図である。
【図４】本発明の実施の形態２の鋳込み操作を説明する
ための断面図である。
【図５】従来の熱放散兼支持構造体の概略を示す断面図
である。
【図６】図５に示す構造体と同様の熱放散兼支持構造体
の平面図である。
【図７】ヒートシンクが封止されてなるプラスチックパ
ッケージの断面図である。
【図８】ヒートシンクが封止されてなる従来のプラスチ
ックパッケージの鋳込み操作を説明するための断面図で
ある。
【符号の説明】
Ａ２ スリット １，１６ 熱放散兼支持構造体 ２，１７ リードフレーム ３，１８ ヒートシンク ４ リベット ５ 側部構造体 ６ リード ７ 外周保持構造体 ８ 支持棒 ９ 金属配線 １０ 凹部領域 １１ ダイ １２ プラスチックケース １３ プラスチック層 １４ 鋳型 １４ａ 上型 １４ｂ 下型 １４ｃ 側面 １５ 堰部 １６ 熱放散兼支持構造体 １９ ヒートシンクの側端 ２０ 段差部 ２１ 邪魔板（遮断手段） ２２ リードフレームの内側部 ２３ 吊支部

Claims (23)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 鋳造によって形成され、完全に封止され
    たヒートシンクを具備してなるタイプのプラスチックパ
    ッケージ内に封入される半導体電子デバイス用の熱放散
    兼支持構造体（１６）は、 第１の厚さのプラスチック層によって封止される第１の
    大表面積部、および該第１の大表面積部に相対し、かつ
    前記第１の厚さよりも薄い第２の厚さのプラスチック層
    によって封止される第２の大表面積部を有するヒートシ
    ンク（１８）と、 前記第１の大表面積部と同じ側にてヒートシンク（１
    ８）に付着された金属片、および前記ヒートシンク（１
    ８）の外側に配設された外周保持構造体（７）を有する
    リードフレーム（１７）とを具備し、 前記ヒートシンク（１８）の側端（１９）の一部分に、
    ヒートシンク（１８）の前記第１の大表面積部および前
    記第２の表面積部にそれぞれ開放してなる開放部を有す
    る段差部（２０）が形成され、前記第１の大表面積部の
    開放部は、前記外周保持構造体（７）へ向かって前記ヒ
    ートシンク（１８）の外方へ延びる遮断手段（２１）に
    より塞がれており、ヒートシンク（１８）の前記第１の
    大表面積部側では前記遮断手段（２１）とリードフレー
    ム（１７）の前記外周保持構造体（７）との間にスリッ
    ト（Ａ２）のみが残り、一方、前記第２の大表面積部側
    では開放部が完全に開いた状態となっていることを特徴
    とする熱放散兼支持構造体。
  2. 【請求項２】 前記遮断手段（２１）は、ヒートシンク
    （１８）の前記段差部（２０）上に配置されて、鋳込み
    中にヒートシンク（１８）の前記第２の大表面積部側へ
    向かう溶融プラスチックの流れを促進するように形成さ
    れていることを特徴とする請求項１に記載の熱放散兼支
    持構造体。
  3. 【請求項３】 前記スリット（Ａ２）は、フレームの前
    記外周保持構造体（７）に隣接していることを特徴とす
    る請求項１に記載の熱放散兼支持構造体。
  4. 【請求項４】 前記段差部（２０）は、前記ヒートシン
    ク（１８）の側部の角部の近傍に形成されていることを
    特徴とする請求項１に記載の熱放散兼支持構造体。
  5. 【請求項５】 前記遮断手段は、ヒートシンク（１８）
    の前記第１の大表面積部に実質的に平行に広がる邪魔板
    （２１）により構成されていることを特徴とする請求項
    １に記載の熱放散兼支持構造体。
  6. 【請求項６】 前記邪魔板（２１）は、前記リードフレ
    ーム（１７）とともに一括して形成されていることを特
    徴とする請求項５に記載の熱放散兼支持構造体。
  7. 【請求項７】 前記邪魔板（２１）は、前記ヒートシン
    ク（１８）の外側で前記外周保持構造体（７）ヘ向かっ
    て延びる前記リードフレーム（１７）の内側部（２２）
    に連結されていることを特徴とする請求項６に記載の熱
    放散兼支持構造体。
  8. 【請求項８】 前記邪魔板（２１）は、少なくとも１つ
    の吊支部を介して、リードフレーム（１７）の前記外周
    保持構造体（７）に連結されていることを特徴とする請
    求項６に記載の熱放散兼支持構造体。
  9. 【請求項９】 前記邪魔板（２１）は、前記スリット
    （Ａ２）の長さを決める一対の吊支部（２３）を介し
    て、リードフレーム（１７）の前記外周保持構造体
    （７）に連結されていることを特徴とする請求項８に記
    載の熱放散兼支持構造体。
  10. 【請求項１０】 前記邪魔板（２１）は、実質的に前記
    段差部（２０）の形状と相似で、かつ段差部（２０）よ
    りも大きい形状をしており、リードフレーム（１７）の
    前記外周保持構造体（７）側に前記ヒートシンク（１
    ８）から突出していることを特徴とする請求項５に記載
    の熱放散兼支持構造体。
  11. 【請求項１１】 前記段差部（２０）は、その軸がヒー
    トシンク（１８）の前記第１の大表面積部に実質的に直
    交するようになっていることを特徴とする請求項１に記
    載の熱放散兼支持構造体。
  12. 【請求項１２】 前記ヒートシンク（１８）の側端（１
    ９）に沿って形成される前記段差部（２０）の広さは、
    前記ヒートシンク（１８）の側端（１９）の長さの約１
    ／５であることを特徴とする請求項１に記載の熱放散兼
    支持構造体。
  13. 【請求項１３】 鋳造によって形成され、完全に封止さ
    れた内部ヒートシンクを具備してなるタイプの、半導体
    電子デバイス用のプラスチックパッケージは、 半導体材料製のダイの上に電子デバイスが形成されてな
    るダイ（１１）に熱的に接続され、かつ第１の厚さのプ
    ラスチック層によって封止されてなる第１の大表面積
    部、および該第１の大表面積部に相対し、かつ前記第１
    の厚さよりも薄い第２の厚さのプラスチック層によって
    封止されてなる第２の大表面積部を有するヒートシンク
    （１８）と、 前記第１の大表面積部と同じ側にてヒートシンク（１
    ８）に付着し、かつ前記電子デバイスに電気的に接続す
    るとともに当該パッケージの外部へ延びるリード（６）
    を有する金属製のリードフレーム（１７）とを具備し、 前記ヒートシンク（１８）の側端（１９）の一部分に、
    ヒートシンク（１８）の前記第１の大表面積部および前
    記第２の表面積部にそれぞれ開放してなる開放部を有す
    る段差部（２０）が形成され、前記第１の大表面積部の
    開放部は、前記外周保持構造体（７）へ向かって前記ヒ
    ートシンク（１８）の外方へ延びる遮断手段（２１）に
    より塞がれているとともに、当該パッケージの側面から
    離れいて、前記ヒートシンク（１８）の第１の大表面積
    部に対してスリット（Ａ２）が開いているだけであり、
    一方、前記第２の大表面積部に対する開放部は広く開い
    ていることを特徴とする半導体電子デバイス用のプラス
    チックパッケージ。
  14. 【請求項１４】 前記遮断手段（２１）は、前記段差部
    （２０）上に配置されて、鋳込み中にヒートシンク（１
    ８）の前記第２の大表面積部側へ向かう溶融プラスチッ
    クの流れを促進するように形成されていることを特徴と
    する請求項１３に記載の半導体電子デバイス用のプラス
    チックパッケージ。
  15. 【請求項１５】 前記段差部（２０）は、前記ヒートシ
    ンク（１８）の側部の角部の近傍に形成されていること
    を特徴とする請求項１３に記載の半導体電子デバイス用
    のプラスチックパッケージ。
  16. 【請求項１６】 前記遮断手段は、ヒートシンク（１
    ８）の前記第１の大表面積部に実質的に平行に広がる邪
    魔板（２１）により構成されていることを特徴とする請
    求項１３に記載の半導体電子デバイス用のプラスチック
    パッケージ。
  17. 【請求項１７】 前記邪魔板（２１）は、当該パッケー
    ジの側面ヘ向かって延びる前記リードフレーム（１７）
    の内側部（２２）に連結されていることを特徴とする請
    求項１６に記載の半導体電子デバイス用のプラスチック
    パッケージ。
  18. 【請求項１８】 前記邪魔板（２１）は、前記リードフ
    レーム（１７）から離れていることを特徴とする請求項
    １６に記載の半導体電子デバイス用のプラスチックパッ
    ケージ。
  19. 【請求項１９】 前記邪魔板（２１）は、実質的に前記
    段差部（２０）の形状と相似で、かつ段差部（２０）よ
    りも大きい形状をしており、前記ヒートシンク（１８）
    から外方へ突出していることを特徴とする請求項１６に
    記載の半導体電子デバイス用のプラスチックパッケー
    ジ。
  20. 【請求項２０】 前記段差部（２０）は、その軸がヒー
    トシンク（１８）の前記第１の大表面積部に実質的に直
    交するようになっていることを特徴とする請求項１３に
    記載の半導体電子デバイス用のプラスチックパッケー
    ジ。
  21. 【請求項２１】 前記ヒートシンク（１８）の側端（１
    ９）に沿って形成される前記段差部（２０）の広さは、
    前記ヒートシンク（１８）の側端（１９）の長さの約１
    ／５であることを特徴とする請求項１３に記載の半導体
    電子デバイス用のプラスチックパッケージ。
  22. 【請求項２２】 金属製のリードフレーム（１７）が接
    触され、かつ第１の厚さのプラスチック層によって封止
    される第１の大表面積部と、該第１の大表面積部に相対
    し、かつ前記第１の厚さよりも薄い第２の厚さのプラス
    チック層によって封止される第２の大表面積部とを有す
    るヒートシンク（１８）を有するようにされてなる電子
    デバイス用の熱放散兼支持構造体（１６）を鋳型（１
    ４）内に設置し、該鋳型（１４）内にその内側面（１４
    ｃ）に開口する堰部を介してプラスチック材料を流入さ
    せることによってプラスチックパッケージの鋳込みを行
    う段階を含み、封止されたヒートシンクを具備する電子
    デバイス用のプラスチックパッケージを製造する方法に
    おいて、 前記ヒートシンク（１８）の側端（１９）の部分を横切
    って、前記第１の大表面積部および前記第２の表面積部
    にそれぞれ開放してなる開放部を有する段差部（２０）
    が形成されており、前記第１の大表面積部の開放部は、
    スリット（Ａ２）のみを残して、前記鋳型（１４）の内
    壁へ向かって前記ヒートシンク（１８）の外方へ延びる
    遮断手段（２１）により塞がれ、一方、前記第２の大表
    面積部に対する開放部は広く開放されており、 また、前記第２の大表面積部の開放部が、同第２の大表
    面積部へ向かうプラスチック流を促進し、かつ前記第１
    の大表面積部へ向かうプラスチック流が前記遮断手段に
    より妨害されるように、前記段差部（２０）を前記堰部
    （１５）に対して配置することを特徴とする電子デバイ
    ス用のプラスチックパッケージの製造方法。
  23. 【請求項２３】 前記スリット（Ａ２）は、鋳型の前記
    側面（１４ｃ）に隣接していることを特徴とする請求項
    ２２に記載の電子デバイス用のプラスチックパッケージ
    の製造方法。
JP34524396A 1995-12-29 1996-12-25 熱放散兼支持構造体並びに半導体電子デバイス用のプラスチックパッケージおよびその製造方法 Pending JPH09289222A (ja)

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