JPH09181026A - 半導体装置の製造装置 - Google Patents
半導体装置の製造装置Info
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- JPH09181026A JPH09181026A JP33696795A JP33696795A JPH09181026A JP H09181026 A JPH09181026 A JP H09181026A JP 33696795 A JP33696795 A JP 33696795A JP 33696795 A JP33696795 A JP 33696795A JP H09181026 A JPH09181026 A JP H09181026A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】短い処理時間で、不良品の発生率が増加しない
半導体装置の製造装置を提供することを目的としてい
る。 【解決手段】本発明は、半導体基板1 の表側の面を保持
する半導体基板台2,2aと、前記半導体基板台2,2aの中心
部2aの回りに設けられてガスを噴射する噴出口4とを有
し、前記噴出口4 から外側の部分に前記ガスを放射状に
噴射して流出させ、前記中心部2a付近に発生する負圧に
よって前記半導体基板1 を吸引し保持するベルヌイチャ
ック機構と、前記半導体基板1 の周縁部に対向する前記
半導体基板台2 の領域に設けられた段差14及び傾斜15の
少なくとも一方である流速調節機構を備えている。
半導体装置の製造装置を提供することを目的としてい
る。 【解決手段】本発明は、半導体基板1 の表側の面を保持
する半導体基板台2,2aと、前記半導体基板台2,2aの中心
部2aの回りに設けられてガスを噴射する噴出口4とを有
し、前記噴出口4 から外側の部分に前記ガスを放射状に
噴射して流出させ、前記中心部2a付近に発生する負圧に
よって前記半導体基板1 を吸引し保持するベルヌイチャ
ック機構と、前記半導体基板1 の周縁部に対向する前記
半導体基板台2 の領域に設けられた段差14及び傾斜15の
少なくとも一方である流速調節機構を備えている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、半導体装置の製
造装置に係り、特にスピンエッチング及び洗浄を行う半
導体装置の製造装置のベルヌイチャック機構の改良に関
する。
造装置に係り、特にスピンエッチング及び洗浄を行う半
導体装置の製造装置のベルヌイチャック機構の改良に関
する。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置の製造工程には、半導体基板
の裏側の面（配線層のない面）の不要な膜を除去する工
程がある。その工程において用いられる方法は、半導体
基板１のエッチングを行わない裏側の面等の部分にフォ
トレジストを形成してから、両面について化学ドライエ
ッチングを行うものである。他の方法は、ベルヌイチャ
ック機構を用いてスピンエッチングを行うものである。
以下、後者の方法について説明する。
の裏側の面（配線層のない面）の不要な膜を除去する工
程がある。その工程において用いられる方法は、半導体
基板１のエッチングを行わない裏側の面等の部分にフォ
トレジストを形成してから、両面について化学ドライエ
ッチングを行うものである。他の方法は、ベルヌイチャ
ック機構を用いてスピンエッチングを行うものである。
以下、後者の方法について説明する。
【０００３】図６は、従来の半導体装置の製造装置の構
成を示す断面図である。図７（ａ）は、この半導体装置
の製造装置で処理される半導体基板の平面図で、図７
（ｂ）は図７（ａ）の側面図である。
成を示す断面図である。図７（ａ）は、この半導体装置
の製造装置で処理される半導体基板の平面図で、図７
（ｂ）は図７（ａ）の側面図である。
【０００４】図６に示すように、半導体基板（半導体ウ
ェーハ）１がベルヌイチャック機構と呼ばれる機構によ
って保持されている。ベルヌイチャック機構は、噴出口
４を有する半導体基板台２、２ａからなる。この円錐形
の半導体基板台２、２ａの噴出口４から圧縮されたガス
（例えばＮ2 ガス）を外側に向かって噴射させて、半導
体基板１と半導体基板台２との間に放射状にガスを流出
させる。ベルヌイチャック機構では、半導体基板台２、
２ａの中心からの距離に比例して、Ｎ2 ガスの流出する
経路に垂直なその経路の断面の面積が広くなる。この場
合、半導体基板台２ａ付近に負圧が生じる。この負圧に
よって半導体基板１が浮上した状態で吸着され、保持さ
れる。
ェーハ）１がベルヌイチャック機構と呼ばれる機構によ
って保持されている。ベルヌイチャック機構は、噴出口
４を有する半導体基板台２、２ａからなる。この円錐形
の半導体基板台２、２ａの噴出口４から圧縮されたガス
（例えばＮ2 ガス）を外側に向かって噴射させて、半導
体基板１と半導体基板台２との間に放射状にガスを流出
させる。ベルヌイチャック機構では、半導体基板台２、
２ａの中心からの距離に比例して、Ｎ2 ガスの流出する
経路に垂直なその経路の断面の面積が広くなる。この場
合、半導体基板台２ａ付近に負圧が生じる。この負圧に
よって半導体基板１が浮上した状態で吸着され、保持さ
れる。
【０００５】また、このベルヌイチャック機構は保持し
た半導体基板１と共に回転するようになっている。固定
部３は、回転する半導体基板台２、２ａを支えている。
回転するベルヌイチャク機構と固定部３の間は周知のよ
うにガスが漏れないように取り付けられている。上記の
Ｎ2 ガスは図示せぬポンプ等によって矢印５のように吸
入される。尚、ベルヌイチャック機構と固定部３との間
の取り付けには高い気密性は不要である。駆動装置６は
このベルヌイチャック機構を回転させる。例えば、駆動
装置６はモータ７と、モータ７によって回転するギヤ８
とからなる。ベルヌイチャック機構に図示せぬギヤが備
えられている。このベルヌイチャック機構のギヤとギヤ
８を噛み合わせ、モータ７がベルヌイチャック機構を回
転させる。
た半導体基板１と共に回転するようになっている。固定
部３は、回転する半導体基板台２、２ａを支えている。
回転するベルヌイチャク機構と固定部３の間は周知のよ
うにガスが漏れないように取り付けられている。上記の
Ｎ2 ガスは図示せぬポンプ等によって矢印５のように吸
入される。尚、ベルヌイチャック機構と固定部３との間
の取り付けには高い気密性は不要である。駆動装置６は
このベルヌイチャック機構を回転させる。例えば、駆動
装置６はモータ７と、モータ７によって回転するギヤ８
とからなる。ベルヌイチャック機構に図示せぬギヤが備
えられている。このベルヌイチャック機構のギヤとギヤ
８を噛み合わせ、モータ７がベルヌイチャック機構を回
転させる。
【０００６】次に、この装置の動作を説明する。半導体
基板１の表側の面（配線層のある面）を基板台２、２ａ
に対向させ、半導体基板１を浮上させた状態でベルヌイ
チャック機構に保持する。半導体基板１とベルヌイチャ
ック機構を共に回転させながらエッチング用の薬液を半
導体基板の裏側の面に滴下等によって供給し、ウェット
エッチング（スピンエッチング）を行う。従って、半導
体基板１の裏側の面の不要な膜が除去される。この場
合、噴出口４から噴射されるＮ2 ガスは、薬液の半導体
基板１の表側の面（保持面）への回り込みの防止にも兼
用されている。半導体基板台２、２ａは半導体基板１に
沿って平面状になっている。
基板１の表側の面（配線層のある面）を基板台２、２ａ
に対向させ、半導体基板１を浮上させた状態でベルヌイ
チャック機構に保持する。半導体基板１とベルヌイチャ
ック機構を共に回転させながらエッチング用の薬液を半
導体基板の裏側の面に滴下等によって供給し、ウェット
エッチング（スピンエッチング）を行う。従って、半導
体基板１の裏側の面の不要な膜が除去される。この場
合、噴出口４から噴射されるＮ2 ガスは、薬液の半導体
基板１の表側の面（保持面）への回り込みの防止にも兼
用されている。半導体基板台２、２ａは半導体基板１に
沿って平面状になっている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
構成においては、次のような問題がある。例えばＮ2 ガ
スの噴出口４のある位置から半導体基板１の周縁部まで
のＮ2 ガスの単位時間当りの流出量（以下、ガスの流量
と記す）は一定である。半導体基板１の裏側の面に対し
てスピンエッチングを行う場合、このＮ2 ガスによる圧
力によって、薬液の保持面への回り込みが防止される。
従って、Ｎ2 ガスの流量を低下させることによって、薬
液を半導体基板１の保持面に回り込ませることが可能で
ある。しかし、薬液の回り込み量を適切な量に調整する
ことは困難であるという問題があった。
構成においては、次のような問題がある。例えばＮ2 ガ
スの噴出口４のある位置から半導体基板１の周縁部まで
のＮ2 ガスの単位時間当りの流出量（以下、ガスの流量
と記す）は一定である。半導体基板１の裏側の面に対し
てスピンエッチングを行う場合、このＮ2 ガスによる圧
力によって、薬液の保持面への回り込みが防止される。
従って、Ｎ2 ガスの流量を低下させることによって、薬
液を半導体基板１の保持面に回り込ませることが可能で
ある。しかし、薬液の回り込み量を適切な量に調整する
ことは困難であるという問題があった。
【０００８】また、Ｎ2 ガスの流量を低下させた場合、
半導体基板１の保持面へ回り込んだ薬液は半導体基板１
の側面及び保持面の周縁部のみならず中央にまで達する
場合があるという問題があった。
半導体基板１の保持面へ回り込んだ薬液は半導体基板１
の側面及び保持面の周縁部のみならず中央にまで達する
場合があるという問題があった。
【０００９】図７（ａ）（ｂ）に示すように、エッチン
グによって必要な膜が全くなくなってしまったエッチン
グむら９、エッチングによって必要な膜が薄くなってし
まったエッチングむら１０となる。また、薬液が飛び散
る場合、エッチング速度が速いので、島状のエッチング
むら１１となる。このように、素子を形成する半導体基
板１の表面に薬液が付着すると不良品となるという問題
があった。
グによって必要な膜が全くなくなってしまったエッチン
グむら９、エッチングによって必要な膜が薄くなってし
まったエッチングむら１０となる。また、薬液が飛び散
る場合、エッチング速度が速いので、島状のエッチング
むら１１となる。このように、素子を形成する半導体基
板１の表面に薬液が付着すると不良品となるという問題
があった。
【００１０】図８（ａ）は単位時間当りの薬液流量と回
り込み量の関係を示すグラフである。図８（ｂ）は、噴
出口４から噴出されるガスの流量と回り込み量の関係を
を示すグラフである。
り込み量の関係を示すグラフである。図８（ｂ）は、噴
出口４から噴出されるガスの流量と回り込み量の関係を
を示すグラフである。
【００１１】図８（ａ）に示すように、例えばエッチン
グ用の薬液流量が一定値を越えると、薬液の回り込む量
は薬液流量の一時関数、実線１２となる。一方、図８
（ｂ）の実線１３のように、回り込み量はＮ2 ガスのガ
スの流量の増加に対して急激に減少する。従って、上記
の問題点の原因は、ガスの流量または薬液流量を変化さ
せて回り込み量を適量に設定することが困難であるとい
う点にある。結局、回り込む位置も適切な位置にならな
い。この発明の目的は、短い処理時間で、不良品の発生
率が増加しない半導体装置の製造装置を提供することに
ある。
グ用の薬液流量が一定値を越えると、薬液の回り込む量
は薬液流量の一時関数、実線１２となる。一方、図８
（ｂ）の実線１３のように、回り込み量はＮ2 ガスのガ
スの流量の増加に対して急激に減少する。従って、上記
の問題点の原因は、ガスの流量または薬液流量を変化さ
せて回り込み量を適量に設定することが困難であるとい
う点にある。結局、回り込む位置も適切な位置にならな
い。この発明の目的は、短い処理時間で、不良品の発生
率が増加しない半導体装置の製造装置を提供することに
ある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決し目的を
達成するために、この発明の半導体装置の製造装置にお
いては以下の手段を講じた。請求項１に記載した本発明
の半導体装置の製造装置は、半導体基板の表側の面を保
持する半導体基板台と、前記半導体基板台の中心部の回
りに設けられてガスを噴射する噴出口とを有し、前記噴
出口から外側の部分に前記ガスを放射状に噴射して流出
させ、前記中心部付近に発生する負圧によって前記半導
体基板を吸引し保持するベルヌイチャック機構を備えて
いる。前記噴出口から前記半導体基板の周縁部に向かっ
て放射状に流出するガスの速度を前記半導体基板の周縁
部に応じた箇所において変化させる流速調節機構を備え
ている。
達成するために、この発明の半導体装置の製造装置にお
いては以下の手段を講じた。請求項１に記載した本発明
の半導体装置の製造装置は、半導体基板の表側の面を保
持する半導体基板台と、前記半導体基板台の中心部の回
りに設けられてガスを噴射する噴出口とを有し、前記噴
出口から外側の部分に前記ガスを放射状に噴射して流出
させ、前記中心部付近に発生する負圧によって前記半導
体基板を吸引し保持するベルヌイチャック機構を備えて
いる。前記噴出口から前記半導体基板の周縁部に向かっ
て放射状に流出するガスの速度を前記半導体基板の周縁
部に応じた箇所において変化させる流速調節機構を備え
ている。
【００１３】上記本発明の半導体装置の製造装置におい
ては、前記ベルヌイチャック機構によって前記半導体基
板の表側の面と反対面をエッチングまたは洗浄する場
合、前記半導体基板の表側の面への薬液の回り込み量を
前記ガスの流出する速度を変化させることによって設定
することができるので、不良品の発生率が増加せずに、
前記半導体基板の表側の面、その反対面、その側面の不
要な膜がエッチングされ、洗浄される。従って、処理時
間が短くなる。また、キャリアケースに入れる等の場
合、ダストの発生が低減される。
ては、前記ベルヌイチャック機構によって前記半導体基
板の表側の面と反対面をエッチングまたは洗浄する場
合、前記半導体基板の表側の面への薬液の回り込み量を
前記ガスの流出する速度を変化させることによって設定
することができるので、不良品の発生率が増加せずに、
前記半導体基板の表側の面、その反対面、その側面の不
要な膜がエッチングされ、洗浄される。従って、処理時
間が短くなる。また、キャリアケースに入れる等の場
合、ダストの発生が低減される。
【００１４】また、請求項２に示すように、前記半導体
基板台に対向して設けられ、エッチング及び洗浄のいず
れか一方の薬液を前記半導体基板の裏側の面に供給する
薬液供給機構を備えている。前記流速調節機構は、前記
半導体基板の周縁部に対向する前記半導体基板台の領域
に設けられて、前記ガスの流出する速度の大きさを小さ
くすること及びその方向を前記半導体基板台側に変化さ
せることの少なくとも一方によって、前記半導体基板の
表側の面に回り込むスピンエッチング及び洗浄のいずれ
か一方の薬液の量を増加させている。
基板台に対向して設けられ、エッチング及び洗浄のいず
れか一方の薬液を前記半導体基板の裏側の面に供給する
薬液供給機構を備えている。前記流速調節機構は、前記
半導体基板の周縁部に対向する前記半導体基板台の領域
に設けられて、前記ガスの流出する速度の大きさを小さ
くすること及びその方向を前記半導体基板台側に変化さ
せることの少なくとも一方によって、前記半導体基板の
表側の面に回り込むスピンエッチング及び洗浄のいずれ
か一方の薬液の量を増加させている。
【００１５】上記本発明の半導体装置の製造装置におい
ては、前記半導体基板の表側の面と反対面をエッチング
または洗浄する場合、前記半導体基板の表側の面への薬
液の回り込み量が前記ガスの流出する速度の大きさを小
さくし、またはその方向を変化させることによって設定
されるので、不良品の発生率が増加せずに、前記半導体
基板の表側の面、その反対面、その側面の不要な膜が除
去される。
ては、前記半導体基板の表側の面と反対面をエッチング
または洗浄する場合、前記半導体基板の表側の面への薬
液の回り込み量が前記ガスの流出する速度の大きさを小
さくし、またはその方向を変化させることによって設定
されるので、不良品の発生率が増加せずに、前記半導体
基板の表側の面、その反対面、その側面の不要な膜が除
去される。
【００１６】また、請求項３に示すように、前記流速調
節機構は、前記半導体基板の周縁部に対向する前記半導
体基板台の領域に設けられた段差及び傾斜の少なくとも
一方となっている。
節機構は、前記半導体基板の周縁部に対向する前記半導
体基板台の領域に設けられた段差及び傾斜の少なくとも
一方となっている。
【００１７】上記本発明の半導体装置の製造装置におい
ては、前記ベルヌイチャック機構によって前記半導体基
板の表側の面と反対面をエッチングまたは洗浄する場
合、前記半導体基板の表側の面への薬液の回り込み量が
前記段差及び前記傾斜によって容易に設定されるので、
不良品の発生率が増加せずに、前記半導体基板の表側の
面、その反対面、その側面の不要な膜が除去される。
ては、前記ベルヌイチャック機構によって前記半導体基
板の表側の面と反対面をエッチングまたは洗浄する場
合、前記半導体基板の表側の面への薬液の回り込み量が
前記段差及び前記傾斜によって容易に設定されるので、
不良品の発生率が増加せずに、前記半導体基板の表側の
面、その反対面、その側面の不要な膜が除去される。
【００１８】請求項４に記載した本発明の半導体装置の
製造装置は、半導体基板の表側の面を保持する半導体基
板台と、前記半導体基板台の中心部の回りに設けられて
ガスを噴射する噴出口とを有し、前記噴出口から外側の
部分に前記ガスを放射状に噴射して流出させ、前記中心
部付近に発生する負圧によって前記半導体基板を吸引し
保持するベルヌイチャック機構を備えている。前記半導
体基板台に対向して設けられ、エッチング及び洗浄のい
ずれか一方の薬液を前記半導体基板の裏側の面に供給す
る薬液供給機構を備えている。前記噴出口から、前記半
導体基板の周縁部に向かって放射状に流出するガスの流
量を減少させて、前記半導体基板の表側の面に回り込む
前記エッチング及び洗浄のいずれか一方の薬液の量を増
加させる流量調節機構を備えている。
製造装置は、半導体基板の表側の面を保持する半導体基
板台と、前記半導体基板台の中心部の回りに設けられて
ガスを噴射する噴出口とを有し、前記噴出口から外側の
部分に前記ガスを放射状に噴射して流出させ、前記中心
部付近に発生する負圧によって前記半導体基板を吸引し
保持するベルヌイチャック機構を備えている。前記半導
体基板台に対向して設けられ、エッチング及び洗浄のい
ずれか一方の薬液を前記半導体基板の裏側の面に供給す
る薬液供給機構を備えている。前記噴出口から、前記半
導体基板の周縁部に向かって放射状に流出するガスの流
量を減少させて、前記半導体基板の表側の面に回り込む
前記エッチング及び洗浄のいずれか一方の薬液の量を増
加させる流量調節機構を備えている。
【００１９】上記本発明の半導体装置の製造装置におい
ては、前記ベルヌイチャック機構によって前記半導体基
板の表側の面と反対面をエッチングまたは洗浄する場
合、前記半導体基板の表側の面への薬液の回り込み量が
前記ガスの流量を減少させることによって設定されるの
で、不良品の発生率が増加せずに、前記半導体基板の表
側の面、その反対面、その側面の不要な膜が除去され
る。従って、前記半導体基板の二つの面から処理する必
要がなく、処理時間が短くなる。また、キャリアケース
に入れる等の場合、ダストの発生が低減される。
ては、前記ベルヌイチャック機構によって前記半導体基
板の表側の面と反対面をエッチングまたは洗浄する場
合、前記半導体基板の表側の面への薬液の回り込み量が
前記ガスの流量を減少させることによって設定されるの
で、不良品の発生率が増加せずに、前記半導体基板の表
側の面、その反対面、その側面の不要な膜が除去され
る。従って、前記半導体基板の二つの面から処理する必
要がなく、処理時間が短くなる。また、キャリアケース
に入れる等の場合、ダストの発生が低減される。
【００２０】請求項５に記載した本発明の半導体装置の
製造装置は、半導体基板の表側の面を保持する半導体基
板台と、前記半導体基板台の中心部の回りに設けられて
ガスを噴射する噴出口とを有し、前記噴出口から外側の
部分に前記ガスを放射状に噴射して流出させ、前記中心
部付近に発生する負圧によって前記半導体基板を吸引し
保持するベルヌイチャック機構を備えている。前記半導
体基板台の周囲から内側の前記噴出口に達しない領域に
配置され、前記噴射する量より少ない量の前記ガスを吸
引する吸引口からなる流量調節機構を備えている。
製造装置は、半導体基板の表側の面を保持する半導体基
板台と、前記半導体基板台の中心部の回りに設けられて
ガスを噴射する噴出口とを有し、前記噴出口から外側の
部分に前記ガスを放射状に噴射して流出させ、前記中心
部付近に発生する負圧によって前記半導体基板を吸引し
保持するベルヌイチャック機構を備えている。前記半導
体基板台の周囲から内側の前記噴出口に達しない領域に
配置され、前記噴射する量より少ない量の前記ガスを吸
引する吸引口からなる流量調節機構を備えている。
【００２１】上記本発明の半導体装置の製造装置におい
ては、前記ベルヌイチャック機構によって前記半導体基
板の表側の面と反対面をエッチングまたは洗浄する場
合、前記半導体基板の表側の面への薬液の回り込み量が
前記吸引口によって容易に設定されるので、不良品の発
生率が増加せずに、前記半導体基板の表側の面、その反
対面、その側面の不要な膜が除去される。
ては、前記ベルヌイチャック機構によって前記半導体基
板の表側の面と反対面をエッチングまたは洗浄する場
合、前記半導体基板の表側の面への薬液の回り込み量が
前記吸引口によって容易に設定されるので、不良品の発
生率が増加せずに、前記半導体基板の表側の面、その反
対面、その側面の不要な膜が除去される。
【００２２】さらに、請求項１ないし５のいずれか一つ
の項において、前記ベルヌイチャック機構を回転させる
駆動手段を備えている。上記本発明の半導体装置の製造
装置においては、前記半導体基板の表側の面、その反対
面、その側面がスピンエッチングされ、洗浄されるの
で、不良品の発生率が増加せずに、前記半導体基板の不
要な膜が短時間で容易に除去される
の項において、前記ベルヌイチャック機構を回転させる
駆動手段を備えている。上記本発明の半導体装置の製造
装置においては、前記半導体基板の表側の面、その反対
面、その側面がスピンエッチングされ、洗浄されるの
で、不良品の発生率が増加せずに、前記半導体基板の不
要な膜が短時間で容易に除去される
【００２３】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して説明する。尚、図６、図８と同一部分
には同一符号を付し、主に異なる点について説明する。 （第１実施の形態）図１、図２は、本発明の第１の実施
の形態の構成を示す図である。
て図面を参照して説明する。尚、図６、図８と同一部分
には同一符号を付し、主に異なる点について説明する。 （第１実施の形態）図１、図２は、本発明の第１の実施
の形態の構成を示す図である。
【００２４】図１に示すように、半導体基板１をベルヌ
イチャック機構の半導体基板台２、２ａの上に配置した
状態で、基板台２、２ａの噴出口４から圧縮されたガス
（例えばＮ2 ガス）を周縁部側に向かって噴射させる。
この結果生じた半導体基板台２ａ付近の負圧によって、
半導体基板１が浮上した状態で吸着されて保持される。
イチャック機構の半導体基板台２、２ａの上に配置した
状態で、基板台２、２ａの噴出口４から圧縮されたガス
（例えばＮ2 ガス）を周縁部側に向かって噴射させる。
この結果生じた半導体基板台２ａ付近の負圧によって、
半導体基板１が浮上した状態で吸着されて保持される。
【００２５】さらに、半導体基板１の裏側の面（保持面
の反対面）のエッチングまたは洗浄を行う部分に対向し
て、半導体基板１とベルヌイチャック機構の半導体基板
台２との間の間隔を広くしている。このような段差部１
４によって、半導体基板１と半導体基板台２との間から
流出するガスの経路に垂直なその経路の断面の面積はこ
の段差部１４の部分で急激に増加する。
の反対面）のエッチングまたは洗浄を行う部分に対向し
て、半導体基板１とベルヌイチャック機構の半導体基板
台２との間の間隔を広くしている。このような段差部１
４によって、半導体基板１と半導体基板台２との間から
流出するガスの経路に垂直なその経路の断面の面積はこ
の段差部１４の部分で急激に増加する。
【００２６】また、図２に示すように、段差部１４の代
わりに傾斜部１５を設けてもよい。この場合も上記と同
様に、傾斜部１５の部分で、半導体基板１と半導体基板
台２との間隔が広くなるので、ガスが流出する経路に垂
直なその経路の断面の面積が急激に増加する。
わりに傾斜部１５を設けてもよい。この場合も上記と同
様に、傾斜部１５の部分で、半導体基板１と半導体基板
台２との間隔が広くなるので、ガスが流出する経路に垂
直なその経路の断面の面積が急激に増加する。
【００２７】上記のようにガスが流出する経路に垂直な
その経路の断面の面積が急激に増加する場合、その流出
するガスの速度は、段差部１４、傾斜部１５の所で変化
する。つまり、ガスの流出する方向が半導体基板１側か
ら段差部１４、または傾斜部１５の側に広がり、及び速
度の大きさが減少する。また、半導体基板１の保持面に
平行な平面内でかつ半導体基板台２の中央から周縁部へ
の放射状の方向を噴出方向とすると、段差部１４、傾斜
部１５の所で、少なくとも一部のガスの速さ、特に速度
の噴出方向の成分は大きく減少し、またはその方向が大
きく変化する。この結果、この段差部１４及び傾斜部１
５の領域においては回り込んで来た薬液を押し戻す圧力
が急激に減少する。従って、薬液がこの傾斜部１５に対
向した半導体基板１の領域に回り込む。
その経路の断面の面積が急激に増加する場合、その流出
するガスの速度は、段差部１４、傾斜部１５の所で変化
する。つまり、ガスの流出する方向が半導体基板１側か
ら段差部１４、または傾斜部１５の側に広がり、及び速
度の大きさが減少する。また、半導体基板１の保持面に
平行な平面内でかつ半導体基板台２の中央から周縁部へ
の放射状の方向を噴出方向とすると、段差部１４、傾斜
部１５の所で、少なくとも一部のガスの速さ、特に速度
の噴出方向の成分は大きく減少し、またはその方向が大
きく変化する。この結果、この段差部１４及び傾斜部１
５の領域においては回り込んで来た薬液を押し戻す圧力
が急激に減少する。従って、薬液がこの傾斜部１５に対
向した半導体基板１の領域に回り込む。
【００２８】例えば、エッチング用の薬液を半導体基板
の上方から滴下等によって供給してウェットエッチング
する場合、薬液はこの段差部１４、傾斜部１５の領域に
対向した半導体基板１の表側の面（保持面）に回り込
む。従って、この段差部１４、傾斜部１５に対向した領
域の半導体基板１の膜がエッチングされる。
の上方から滴下等によって供給してウェットエッチング
する場合、薬液はこの段差部１４、傾斜部１５の領域に
対向した半導体基板１の表側の面（保持面）に回り込
む。従って、この段差部１４、傾斜部１５に対向した領
域の半導体基板１の膜がエッチングされる。
【００２９】上記の実施の形態においては、半導体基板
台２の段差部１４、傾斜部１５によってエッチング用ま
たは洗浄用の薬液の回り込み量が容易に設定されるの
で、半導体基板１の保持面、その反対面、及びその側面
の不要な膜がエッチングされ、洗浄される。また、半導
体基板１のエッチングむらが低減される。従って、キャ
リアケースに入れる等の場合、ダストの発生が減少し、
半導体基板の良品率、信頼性が悪くならない。 （第２の実施の形態）図３は、第２の実施の形態の構成
を示す図である。第１の実施の形態と異なる点は、吸引
口１６によってベルヌイチャック機構のガスの流量が低
減される点である。以下、この異なる点について説明す
る。
台２の段差部１４、傾斜部１５によってエッチング用ま
たは洗浄用の薬液の回り込み量が容易に設定されるの
で、半導体基板１の保持面、その反対面、及びその側面
の不要な膜がエッチングされ、洗浄される。また、半導
体基板１のエッチングむらが低減される。従って、キャ
リアケースに入れる等の場合、ダストの発生が減少し、
半導体基板の良品率、信頼性が悪くならない。 （第２の実施の形態）図３は、第２の実施の形態の構成
を示す図である。第１の実施の形態と異なる点は、吸引
口１６によってベルヌイチャック機構のガスの流量が低
減される点である。以下、この異なる点について説明す
る。
【００３０】図３に示すように、半導体基板１の保持面
のエッチングを行う箇所と行わない箇所の境界に対向し
て、半導体基板台２にガスの吸引口１６を設ける。この
場合、ガスが吸引口１６から逃げる。さらに、この吸引
口１６からのガスは、固定部１８から矢印１７のように
ベルヌイチャック機構の外部に出る。従って、吸引口１
６の位置から半導体基板１の周縁部側へ向かうガスの流
量が減少する。この結果、この吸引口１６に対向した半
導体基板１の部分から周縁部の所では回り込んで来た薬
液を押し戻す圧力が大きく減少する。従って、薬液がこ
の吸引口１６に対向した箇所まで回り込む。つまり、こ
の半導体基板１の領域の膜がエッチングされる。尚、吸
引口１６の所でガスの流量が不連続に大きく減少するほ
ど、吸引口１６の内側より外側における回りこんできた
薬液を押し戻す圧力がより大きく減少する。また、ベル
ヌイチャック機構と固定部３との間の取り付けには高い
気密性は不要である。
のエッチングを行う箇所と行わない箇所の境界に対向し
て、半導体基板台２にガスの吸引口１６を設ける。この
場合、ガスが吸引口１６から逃げる。さらに、この吸引
口１６からのガスは、固定部１８から矢印１７のように
ベルヌイチャック機構の外部に出る。従って、吸引口１
６の位置から半導体基板１の周縁部側へ向かうガスの流
量が減少する。この結果、この吸引口１６に対向した半
導体基板１の部分から周縁部の所では回り込んで来た薬
液を押し戻す圧力が大きく減少する。従って、薬液がこ
の吸引口１６に対向した箇所まで回り込む。つまり、こ
の半導体基板１の領域の膜がエッチングされる。尚、吸
引口１６の所でガスの流量が不連続に大きく減少するほ
ど、吸引口１６の内側より外側における回りこんできた
薬液を押し戻す圧力がより大きく減少する。また、ベル
ヌイチャック機構と固定部３との間の取り付けには高い
気密性は不要である。
【００３１】上記の実施の形態においては、半導体基板
台２の吸引口１６によってエッチング用または洗浄用の
薬液の回り込み量が容易に設定されるので、半導体基板
１の保持面、その反対面、及びその側面の不要な膜がエ
ッチングまたは洗浄される。また、半導体基板１のエッ
チングむらが低減される。従って、キャリアケースに入
れる等の場合、ダストの発生が減少し、半導体基板の良
品率、信頼性が悪くならない。
台２の吸引口１６によってエッチング用または洗浄用の
薬液の回り込み量が容易に設定されるので、半導体基板
１の保持面、その反対面、及びその側面の不要な膜がエ
ッチングまたは洗浄される。また、半導体基板１のエッ
チングむらが低減される。従って、キャリアケースに入
れる等の場合、ダストの発生が減少し、半導体基板の良
品率、信頼性が悪くならない。
【００３２】図４（ａ）（ｂ）は、上記の実施の形態に
よってスピンエッチングした半導体基板１の様子を示す
図である。図５（ａ）（ｂ）は、上記の実施の形態を用
いた場合、薬液流量及び噴出口４から噴出されるガスの
流量と薬液の回り込み量との関係を示すグラフである。
よってスピンエッチングした半導体基板１の様子を示す
図である。図５（ａ）（ｂ）は、上記の実施の形態を用
いた場合、薬液流量及び噴出口４から噴出されるガスの
流量と薬液の回り込み量との関係を示すグラフである。
【００３３】図４（ａ）（ｂ）に示すように、薬液の回
り込み量が適切に設定され、半導体基板１の保持面１
９、その反対面、及びその側面の不要な膜がエッチング
されている。また、エッチングむらが低減されている。
り込み量が適切に設定され、半導体基板１の保持面１
９、その反対面、及びその側面の不要な膜がエッチング
されている。また、エッチングむらが低減されている。
【００３４】また、図５（ａ）に示すように、例えばエ
ッチング用の薬液流量が一定値を越えた場合、その増加
に対する回り込み量の関係は実線２０となる。つまり、
実線２０は一定値２０ａに漸近する特性となる。また、
図５（ｂ）に示すように、ガスの流量の増加に伴って回
り込み量は実線２１のように減少する。また、ガスの流
量の増加に対して回り込み量が値２１ａのままほとんど
減少しない範囲２１ｂが存在する。この場合、実際の薬
液の回り込み量を薬液流量またはガスの流量の増加に対
してほとんど変化しない回り込み量の値２０ａないし値
２１ａにすることは容易である。従って、上記の段差部
１４、傾斜部１５、吸引口１６を変えることによって、
薬液の半導体基板１の保持面への回り込み量、及び回り
込む位置が容易に設定される。その結果として、半導体
基板１の保持面、その反対面、及びその側面つまりベベ
ル面の不要な膜がエッチングされる。
ッチング用の薬液流量が一定値を越えた場合、その増加
に対する回り込み量の関係は実線２０となる。つまり、
実線２０は一定値２０ａに漸近する特性となる。また、
図５（ｂ）に示すように、ガスの流量の増加に伴って回
り込み量は実線２１のように減少する。また、ガスの流
量の増加に対して回り込み量が値２１ａのままほとんど
減少しない範囲２１ｂが存在する。この場合、実際の薬
液の回り込み量を薬液流量またはガスの流量の増加に対
してほとんど変化しない回り込み量の値２０ａないし値
２１ａにすることは容易である。従って、上記の段差部
１４、傾斜部１５、吸引口１６を変えることによって、
薬液の半導体基板１の保持面への回り込み量、及び回り
込む位置が容易に設定される。その結果として、半導体
基板１の保持面、その反対面、及びその側面つまりベベ
ル面の不要な膜がエッチングされる。
【００３５】尚、洗浄についてもウェットエッチングの
場合と同じように、洗浄用の薬液によって半導体基板１
が洗浄される。また、上記の半導体基板台２、２ａ、固
定部３はテフロン等で作られている。また、ベルヌイチ
ャック機構を回転させる駆動装置６は、モータ７、ギヤ
８に限らない。
場合と同じように、洗浄用の薬液によって半導体基板１
が洗浄される。また、上記の半導体基板台２、２ａ、固
定部３はテフロン等で作られている。また、ベルヌイチ
ャック機構を回転させる駆動装置６は、モータ７、ギヤ
８に限らない。
【００３６】
【発明の効果】以上説明したように、この発明によれ
ば、短い処理時間で、不良品の発生率が増加しない半導
体装置の製造装置を提供できる。
ば、短い処理時間で、不良品の発生率が増加しない半導
体装置の製造装置を提供できる。
【図１】本発明の第１の実施の形態に係る半導体装置の
製造装置の構成を示す断面図。
製造装置の構成を示す断面図。
【図２】本発明の第１の実施の形態に係る半導体装置の
製造装置の構成を示す断面図。
製造装置の構成を示す断面図。
【図３】本発明の第２の実施の形態に係る半導体装置の
製造装置の構成を示す断面図。
製造装置の構成を示す断面図。
【図４】本発明の実施の形態によって処理されるウェハ
（半導体装置）の一例を示す図で、（ａ）は上面図、
（ｂ）は側面図。
（半導体装置）の一例を示す図で、（ａ）は上面図、
（ｂ）は側面図。
【図５】本発明の実施の形態に係る半導体装置の製造装
置を説明する図で、（ａ）は薬液流量と回り込み量の関
係を示すグラフで、（ｂ）はガスの流量と回り込み量の
関係を示すグラフ。
置を説明する図で、（ａ）は薬液流量と回り込み量の関
係を示すグラフで、（ｂ）はガスの流量と回り込み量の
関係を示すグラフ。
【図６】従来の半導体装置の製造装置の一例の構成を示
す断面図。
す断面図。
【図７】従来の半導体装置の製造装置によって処理され
るウェハ（半導体装置）の一例を示す図で、（ａ）は上
面図、（ｂ）は側面図。
るウェハ（半導体装置）の一例を示す図で、（ａ）は上
面図、（ｂ）は側面図。
【図８】従来の半導体装置の製造装置を説明する図で、
（ａ）は薬液流量と回り込み量の関係を示すグラフで、
（ｂ）はガスの流量と回り込み量の関係を示すグラフ。
（ａ）は薬液流量と回り込み量の関係を示すグラフで、
（ｂ）はガスの流量と回り込み量の関係を示すグラフ。
１…半導体基板、 ２、２ａ…半導体基板台、 ４…噴出口、 ６…駆動装置 ７モータ、 ８…ギヤ １４…段差部、 １５…傾斜部、 １６…吸引口。
Claims (6)
- 【請求項１】半導体基板の表側の面を保持する半導体基
板台と、前記半導体基板台の中心部の回りに設けられて
ガスを噴射する噴出口とを有し、前記噴出口から外側の
部分に前記ガスを放射状に噴射して流出させ、前記中心
部付近に発生する負圧によって前記半導体基板を吸引し
保持するベルヌイチャック機構と、 前記噴出口から前記半導体基板の周縁部に向かって放射
状に流出するガスの速度を前記半導体基板の周縁部に応
じた箇所において変化させる流速調節機構とを具備する
ことを特徴とする半導体装置の製造装置。 - 【請求項２】前記半導体基板台に対向して設けられ、エ
ッチング及び洗浄のいずれか一方の薬液を前記半導体基
板の裏側の面に供給する薬液供給機構を具備し、 前記流速調節機構は、前記半導体基板の周縁部に対向す
る前記半導体基板台の領域に設けられて、前記ガスの流
出する速度の大きさを小さくすること及びその方向を前
記半導体基板台側に変化させることの少なくとも一方に
よって、前記半導体基板の表側の面に回り込むエッチン
グ及び洗浄のいずれか一方の薬液の量を増加させること
を特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造装置。 - 【請求項３】前記流速調節機構は、前記半導体基板の周
縁部に対向する前記半導体基板台の領域に設けられた段
差及び傾斜の少なくとも一方であることを特徴とする請
求項１に記載の半導体装置の製造装置。 - 【請求項４】半導体基板の表側の面を保持する半導体基
板台と、前記半導体基板台の中心部の回りに設けられて
ガスを噴射する噴出口とを有し、前記噴出口から外側の
部分に前記ガスを放射状に噴射して流出させ、前記中心
部付近に発生する負圧によって前記半導体基板を吸引し
保持するベルヌイチャック機構と、 前記半導体基板台に対向して設けられ、エッチング及び
洗浄のいずれか一方の薬液を前記半導体基板の裏側の面
に供給する薬液供給機構と、 前記噴出口から、前記半導体基板の周縁部に向かって放
射状に流出するガスのの流量を減少させて、前記半導体
基板の表側の面に回り込む前記エッチング及び洗浄のい
ずれか一方の薬液の量を増加させる流量調節機構とを具
備することを特徴とする半導体装置の製造装置。 - 【請求項５】半導体基板の表側の面を保持する半導体基
板台と、前記半導体基板台の中心部の回りに設けられて
ガスを噴射する噴出口とを有し、前記噴出口から外側の
部分に前記ガスを放射状に噴射して流出させ、前記中心
部付近に発生する負圧によって前記半導体基板を吸引し
保持するベルヌイチャック機構と、 前記半導体基板台の周囲から内側の前記噴出口に達しな
い領域に配置され、前記噴射する量より少ない量の前記
ガスを吸引する吸引口からなる流量調節機構とを具備す
ることを特徴とする半導体装置の製造装置。 - 【請求項６】前記ベルヌイチャック機構を回転させる駆
動手段を具備することを特徴とする請求項１ないし請求
項５いずれか一つの項に記載の半導体装置の製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33696795A JPH09181026A (ja) | 1995-12-25 | 1995-12-25 | 半導体装置の製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33696795A JPH09181026A (ja) | 1995-12-25 | 1995-12-25 | 半導体装置の製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09181026A true JPH09181026A (ja) | 1997-07-11 |
Family
ID=18304266
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33696795A Pending JPH09181026A (ja) | 1995-12-25 | 1995-12-25 | 半導体装置の製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09181026A (ja) |
Cited By (22)
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-
1995
- 1995-12-25 JP JP33696795A patent/JPH09181026A/ja active Pending
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