JP3455907B2 - 半導体ウェーハのスピン洗浄装置 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウェーハを
スピンシャフトの上端部の真空吸引パッドに吸引固定し
てスピンシャフトと共に高速回転させつつ洗浄する半導
体ウェーハのスピン洗浄装置に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】半導体ウェーハの製造工程において、イ
ンゴットからスライスされた各半導体ウェーハは、通
常、両面が研削加工された後、少なくとも片面が鏡面に
ポリッシング加工されて７００μｍ程度の所定の厚さに
形成される。続いて、各半導体ウェーハは、スピン洗浄
装置によって高速回転されつつ純水の噴射により洗浄さ
れ、乾燥空気の噴射により乾燥される。そして、各半導
体ウェーハは、鏡面に仕上げられた片面にＩＣ回路が形
成され、その後、多数のチップにダイシングされる。

【０００３】ここで、前記チップとして、ＩＣカード等
に組込み可能な厚さ１００μｍ以下の極薄肉のチップを
製造する場合、一般には、多数のチップにダイシングさ
れる前のＩＣ回路が形成された半導体ウェーハに対し、
ＩＣ回路が形成されていない他の片面を再度研削加工し
て１００μｍ以下の極薄肉の半導体ウェーハに仕上げる
バックグラインド加工が行われている。

【０００４】前記バックグラインド加工は、ＩＣ回路が
形成された半導体ウェーハの片面に保護フィルムを貼付
して行われる。そして、バックグラインド加工が完了し
た半導体ウェーハは、前記スピン洗浄装置によって高速
回転されつつ、その研削面および保護フィルムの表面が
純水の噴射により洗浄され、乾燥空気の噴射により乾燥
される。その後、半導体ウェーハは、保護フィルムが剥
されて多数の極薄肉のチップにダイシングされる。

【０００５】ここで、前記ポリッシング加工後およびバ
ックグラインド加工後の各半導体ウェーハを洗浄して乾
燥する従来のスピン洗浄装置は、モータにより高速回転
するスピンシャフトと、半導体ウェーハの下面中心部を
吸引固定するように前記スピンシャフトの上端部に固設
された真空吸引パッドと、この真空吸引パッドに下面中
心部が吸引固定されてスピンシャフトの回転により高速
回転する半導体ウェーハの上面に純水を噴射する純水噴
射ノズルと、前記半導体ウェーハの上面に乾燥空気を噴
射する空気噴射ノズルとを備えて構成されている。な
お、この種のスピン洗浄装置は、例えば特開２０００−
５８４９７の公開特許公報にも記載されている。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】ところで、バックグラ
インド加工された厚さが１００μｍ以下の極薄肉の半導
体ウェーハは、その下面の中心部のみがスピン洗浄装置
の真空吸引パッドに吸引固定されると、自重によって外
周部が撓み易い。また、このような極薄肉の半導体ウェ
ーハは、ＩＣ作製、バックグラインド加工、フィルムテ
ンション等に起因するひずみによっても反りが生じ易
い。特に、８〜１２インチ程度の大径の半導体ウェーハ
では、その自重によって外周部の撓みや反りが大きくな
ってしまう。従って、従来のスピン洗浄装置では、極薄
肉で大径の半導体ウェーハを真空吸引パッドに吸引固定
し、スピンシャフトにより高速回転させてスピン洗浄す
ることは実質上困難である。

【０００７】もっとも、真空吸引パッドを大径化すれ
ば、極薄肉で大径の半導体ウェーハに対してもその外周
部の撓みや反りを防止でき、スピンシャフトにより高速
回転させてスピン洗浄することも可能である。しかしな
がら、この場合には、半導体ウェーハの下面の略全面が
真空吸引パッドに覆われるため、半導体ウェーハの下面
を十分に洗浄できないという不都合がある。

【０００８】そこで、本発明は、極薄肉で大径の半導体
ウェーハに対しても、真空吸引パッドを大径化すること
なく、その外周部の撓みや反りを防止して高速回転させ
つつスピン洗浄することができる半導体ウェーハのスピ
ン洗浄装置を提供することを課題とする。

【０００９】

【課題を解決するための手段】前記課題を解決する手段
として、請求項１に記載の発明は、スピンシャフトの上
端部に設けられた真空吸引パッドに半導体ウェーハの下
面中心部を吸引固定し、前記スピンシャフトの回転によ
り半導体ウェーハを高速回転させつつ洗浄する半導体ウ
ェーハのスピン洗浄装置であって、前記真空吸引パッド
に吸引固定された半導体ウェーハの下面との隙間にエア
ーを噴出して半導体ウェーハの外周部を浮上状態に支持
するエアー噴出パッドが前記真空吸引パッドの周囲に配
設され、前記エアー噴出パッドは、前記真空吸引パッド
に対して下方に退避移動可能に設けられていることを特
徴とする。

【００１０】請求項１に記載の発明によれば、本発明に
係る半導体ウェーハのスピン洗浄装置は、スピンシャフ
トの上端部に設けられた真空吸引パッドが半導体ウェー
ハの下面中心部を吸引固定し、この真空吸引パッドの周
囲に配設されたエアー噴出パッドが半導体ウェーハの下
面との隙間にエアーを噴出して半導体ウェーハの外周部
を浮上状態に支持し、前記エアー噴出パッドが前記真空
吸引パッドに対して下方に退避移動可能に設けられてい
ると、エアー噴出パッドを下方に退避移動させること
で、真空吸引パッド上に載置された半導体ウェーハの下
面とエアー噴出パッドの上面との間にロボットハンドの
挿入空間を形成することができ、半導体ウェーハをロボ
ットハンド上に載せて搬出入することが可能である。

【００１１】請求項２に記載の発明は、請求項１に記載
された半導体ウェーハのスピン洗浄装置であって、前記
エアー噴出パッドには、半導体ウェーハの下面に対向す
る複数のエアー噴出孔が半導体ウェーハの周方向に沿っ
て配列されており、前記複数のエアー噴出口は、直径の
異なる複数種類の半導体ウェーハに対応して同心状の複
数列に配列されていることを特徴とする。

【００１２】請求項２に記載の発明によれば、半導体ウ
ェーハの下面に対向する複数のエアー噴出孔が半導体ウ
ェーハの周方向に沿って前記エアー噴出パッドに配列さ
れていると、半導体ウェーハの外周を均一な浮上状態に
支持することができる。さらに、前記複数のエアー噴出
孔が直径の異なる複数種類の半導体ウェーハに対応して
前記エアー噴出パッドに同心状の複数列に配列されてい
ると、直径の異なる複数種類の半導体ウェーハに対して
も、その外周部をそれぞれ均一な浮上状態に支持するこ
とができる。

【００１３】

【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明に係
る半導体ウェーハのスピン洗浄装置の実施の形態を説明
する。参照する図面において、図１は一実施形態に係る
半導体ウェーハのスピン洗浄装置の全体構造を示す断面
図、図２は図１に示すスピン洗浄装置の要部構造を示す
断面図、図３は図１および図２に示すエアー噴出パッド
の平面図である。

【００１４】図１に示すように、本発明の一実施形態に
係る半導体ウェーハのスピン洗浄装置１は、取付ベース
２に対し昇降装置３を介して上下方向に移動自在に支持
された支持ブラケット４上に配設されている。このスピ
ン洗浄装置１は、スピンシャフト５の上端部に設けられ
た真空吸引パッド６に半導体ウェーハＷＨの下面中心部
を吸引固定し、前記スピンシャフト５の回転により半導
体ウェーハＷＨを高速回転させつつ洗浄する装置であっ
て、半導体ウェーハＷＨの上面に洗浄液としての純水を
噴射する純水噴射ノズル７と、洗浄された半導体ウェー
ハＷＨの上面に乾燥空気を噴射する空気噴射ノズル８と
を備えている。

【００１５】前記昇降装置３は、支持ブラケット４を上
下方向に駆動する機構として、取付ベース２側に略垂直
な姿勢で回転自在に架設されたボールネジ３Ａと、この
ボールネジ３Ａに螺合して支持ブラケット４側に固定さ
れたボールナット３Ｂと、取付ベース２側に固定されて
前記ボールネジ３Ａを回転駆動する昇降用モータ３Ｃと
を備えている。また、支持ブラケット４を上下方向に案
内する機構として、前記ボールネジ３Ａと平行にその両
側で取付ベース２側に架設された左右一対のガイドバー
３Ｄと、このガイドバー３Ｄに摺動自在に嵌合して前記
支持ブラケット４側に固定された左右一対のガイドナッ
ト３Ｅとを備えている。

【００１６】図１および図２に示すように、前記支持ブ
ラケット４の上部には、相互に所定間隔を開けて略水平
に張出す上段支持プレート４Ａおよび下段支持プレート
４Ｂが設けられている。そして、上段支持プレート４Ａ
の上面には、前記スピン洗浄装置１のスピンシャフト５
をベアリングＢＧ、ＢＧにより回転自在に支持する筒状
の支持ホルダ９がこれと一体の取付フランジ９Ａを介し
てボルトＢ、Ｂ…により着脱自在に固定されている。ま
た、下段支持プレート４Ｂの下面には、前記スピンシャ
フト５を回転駆動するための駆動モータ１０がその回転
軸１０Ａを上方に向けて固定されている。

【００１７】前記駆動モータ１０の回転軸１０Ａは、下
段支持プレート４Ｂを貫通してその上方に突出してお
り、この回転軸１０Ａの上端部には、プーリ伝動機構１
１を構成する駆動プーリ１１Ａが固定されている。一
方、前記スピンシャフト５の下端部は、支持ホルダ９と
共に上段支持プレート４Ａを貫通して支持ホルダ９の下
方に突出している。このスピンシャフト５の下端部に
は、プーリ伝動機構１１を構成する従動プーリ１１Ｂが
固定されている。そして、前記駆動プーリ１１Ａと従動
プーリ１１Ｂとの間に伝動ベルト１１Ｃが巻回されるこ
とにより、スピンシャフト５が駆動モータ１０によって
１０００〜２０００ｒｐｍ程度で高速回転駆動されるよ
うに構成されている。

【００１８】前記スピンシャフト５は、図示しない真空
ポンプ等の負圧源に接続される真空供給口５Ａが下端部
に設けられた管状を呈し、その上端部は支持ホルダ９の
上方に突出している。このスピンシャフト５の上端部に
は、前記真空吸引パッド６をボルトＢにより着脱自在に
固定するための取付ベース５Ｂが設けられている。この
取付ベース５Ｂは、例えば溶接や、スピンシャフト５の
回転方向と逆向きのネジ嵌合、ネジ嵌合と接着剤との併
用などの適宜の手段でスピンシャフト５に固定される
が、スピンシャフト５と一体に切削加工されていてもよ
い。そして、この取付ベース５Ｂの上面は、前記真空吸
引パッド６の下面に均一に密着できるように、スピンシ
ャフト５の上端面と面一に仕上げ加工されている。

【００１９】前記真空吸引パッド６は、管状のスピンシ
ャフト５内を通して供給される負圧によって半導体ウェ
ーハＷＨを吸引固定できるものであれば、如何なる形式
のものであってもよい。例えば、半導体ウェーハＷＨの
下面に吸引負圧を及ぼす吸引孔や吸引溝が上面に形成さ
れた金属ブロック等で構成してもよい。一実施形態のス
ピン洗浄装置１においては、半導体ウェーハＷＨの下面
中心部を均一に吸引固定できるように、直径２０〜４０
ｍｍ程度の円形ブロック状に燒結された多孔質微粒子燒
結体などの多孔質材料により真空吸引パッド６が構成さ
れている。

【００２０】前記純水噴射ノズル７は、図示しない純水
の噴射装置に接続されており、真空吸引パッド６に下面
中心部が吸引固定された半導体ウェーハＷＨの上面に向
けて純水を斜めに噴射できるように配置されている。ま
た、前記空気噴射ノズル８は、図示しない乾燥空気の噴
射装置に接続されており、前記半導体ウェーハＷＨの上
面に向けて乾燥空気を斜めに噴射できるように配置され
ている。

【００２１】前記純水噴射ノズル７から噴射される純水
が飛散するのを防止し、かつ、前記半導体ウェーハＷＨ
の表面に付着した純水が前記空気噴射ノズル８から噴射
される乾燥空気によって飛散するのを防止するため、一
実施形態のスピン洗浄装置１には、前記真空吸引パッド
６に吸引固定された半導体ウェーハＷＨの周囲を囲むス
プラッシュカバー１２が設けられている。このスプラッ
シュカバー１２は、概略円筒状に形成されており、その
下端部の内周側には環状の排水溝１２Ａが形成されてい
る。そして、この環状の排水溝１２Ａには、排水パイプ
１２Ｂが接続されている。

【００２２】ここで、一実施形態の半導体ウェーハＷＨ
のスピン洗浄装置１においては、前記真空吸引パッド６
に下面中心部が吸引固定された半導体ウェーハＷＨの下
面との隙間にエアーを噴出して半導体ウェーハＷＨの外
周部を浮上状態に支持するエアー噴出パッド１３が前記
真空吸引パッド６の周囲に配設されている。このエアー
噴出パッド１３は、前記支持ホルダ９の外周に嵌合して
上下方向に摺動自在なボス部１３Ａが下方に突設された
円盤状を呈しており、その中央のボス穴１３Ｂには、前
記真空吸引パッド６およびスピンシャフト５の上端部の
取付ベース５Ｂが収容されている。

【００２３】前記エアー噴出パッド１３を図２に示す上
方の作動位置と下方の退避位置とに位置制御するため、
前記支持ブラケット４の上段支持プレート４Ａの上面
と、これに対向するエアー噴出パッド１３の外周部の下
面との間には、昇降操作用のエアシリンダ１４が介設さ
れている。ここで、前記エアー噴出パッド１３を上方の
作動位置で停止させ、その上面を前記半導体ウェーハＷ
Ｈの外周部下面に対して１０〜１００μｍ程度の隙間を
開けて対向させるため、前記支持ホルダ９の上端部に
は、エアー噴出パッド１３のボス穴１３Ｂに摺動自在に
嵌合してボス穴１３Ｂの段部１３Ｃに係合するストッパ
１５が固定されている。このストッパ１５は、支持ホル
ダ９にスピンシャフト５を回転自在に支持するベアリン
グＢＧのカバーを兼用している。

【００２４】前記エアー噴出パッド１３には、半導体ウ
ェーハＷＨの下面に対向する複数のエアー噴出孔１３Ｄ
が形成されている。各エアー噴出孔１３Ｄは、エアー噴
出パッド１３の下面に付設されたエアー供給路１６を介
して図示しないエアコンプレッサ等の空気圧送源に接続
されている。

【００２５】前記エアー噴出パッド１３の各エアー噴出
孔１３Ｄは、真空吸引パッド６に中心部が吸引固定され
た半導体ウェーハＷＨの周方向に沿って配列されてい
る。これら複数のエアー噴出孔１３Ｄは、８〜１２イン
チまでの直径の異なる複数種類の半導体ウェーハＷＨに
対応するため、図３に示すように、エアー噴出パッド１
３のボス穴１３Ｂと同心状の複数列に配列されている。
そして、同心状の複数列に配列された各エアー噴出孔１
３Ｄは、エアー噴出パッド１３の上面に同心状に形成さ
れた複数列の環状溝１３Ｅ内にそれぞれ開口している。

【００２６】以上のように構成された一実施形態の半導
体ウェーハのスピン洗浄装置１は、両面が研削加工され
た後、少なくとも片面が鏡面にポリッシング加工された
半導体ウェーハＷＨの洗浄に使用される。特に、厚さが
１００μｍ以下の極薄肉にバックグラインド加工された
８〜１２インチ程度の大径の半導体ウェーハの洗浄に好
適に使用される。洗浄対象となる半導体ウェーハＷＨ
は、代表的にはシリコンウェーハであるが、ＧａＡｓ
（ガリウム・ヒ素）ウェーハやＧａＰ（ガリウム・リ
ン）ウェーハ等の化合物半導体、あるいは、極薄となる
水晶発振子用の水晶、太陽電池用の単結晶、多結晶シリ
コンウェーハも含まれる。

【００２７】一実施形態のスピン洗浄装置１を使用して
半導体ウェーハＷＨを洗浄するには、まず、昇降装置３
の昇降用モータ３Ｃによりボールネジ３Ａを正転駆動し
て支持ブラケット４を上昇させ、スピン洗浄装置１を図
１の２点鎖線で示すロボットハンドＲＨの作動領域まで
上昇させる。続いて、エアシリンダ１４を収縮操作して
エアー噴出パッド１３を真空吸引パッド６に対し下方向
へ移動させ、退避位置に位置させる。そして、半導体ウ
ェーハの下面を支持したロボットハンドＲＨをスピン洗
浄装置１の真空吸引パッド６の上方に移動させ、このロ
ボットハンドＲＨを真空吸引パッド６側へ下降させるこ
とにより、半導体ウェーハＷＨをスピン洗浄装置１の真
空吸引パッド６上に載置する。

【００２８】ロボットハンドＲＨの下降により半導体ウ
ェーハＷＨを真空吸引パッド６上に載置する場合、半導
体ウェーハＷＨの中心が真空吸引パッド６の中心に合致
するように載置する。このとき、エアー噴出パッド１３
の上面は、真空吸引パッド６の上面より下方に離れた退
避位置にあるため、ロボットハンドＲＨと干渉すること
がない。

【００２９】半導体ウェーハＷＨが真空吸引パッド６上
に載置されたら、真空吸引パッド６にスピンシャフト５
を介して吸引負圧を作用させることにより、半導体ウェ
ーハＷＨの下面中心部を真空吸引パッド６に吸引固定す
る。その後、ロボットハンドＲＨをスピン洗浄装置１か
ら退避させる。続いて、エアシリンダ１４を伸長操作し
てエアー噴出パッド１３を上方の作動位置に移動させ
る。そして、昇降装置３の昇降用モータ３Ｃによりボー
ルネジ３Ａを逆転駆動して支持ブラケット４を下降さ
せ、スピン洗浄装置１を図１の実線で示す作業位置まで
下降させる。

【００３０】このような準備作業の後、エアー供給路１
６からエアー噴出パッド１３の各エアー噴出孔１３Ｄを
介してエアーを噴出させつつ、駆動モータ１０によりプ
ーリ伝動機構１１を介してスピンシャフト５を１０００
〜２０００ｒｐｍ程度で高速回転させる。この状態で
は、スピンシャフト５の上端部に設けられた真空吸引パ
ッド６が半導体ウェーハＷＨの下面中心部を吸引固定す
ると共に、この真空吸引パッド６の周囲に配設されたエ
アー噴出パッド１３が半導体ウェーハＷＨの下面との間
の１０〜１００μｍ程度の隙間に各エアー噴出孔１３Ｄ
からエアーを噴出して半導体ウェーハＷＨの外周部を浮
上状態に支持する。

【００３１】そこで、真空吸引パッド６に中心部が吸引
固定され、エアー噴出パッド１３により外周部が浮上状
態に支持された状態でスピンシャフト５と共に高速回転
する半導体ウェーハＷＨに対し、純水噴射ノズル７から
純水を噴射して半導体ウェーハＷＨの上面をスピン洗浄
し、その後、空気噴射ノズル８から乾燥空気を噴射して
スピン洗浄された半導体ウェーハＷＨの上面を乾燥させ
る。

【００３２】以上説明したように、一実施形態のスピン
洗浄装置１によれば、スピンシャフト５の回転により半
導体ウェーハＷＨを外周部が浮上した状態で高速回転さ
せることができ、厚さが１００μｍ以下の極薄肉で直径
が８〜１２インチ程度の大径の半導体ウェーハＷＨに対
しても、その外周部の自重による撓みや反りを防止した
状態でこれを高速回転させつつスピン洗浄することがで
きる。

【００３３】特に、一実施形態の半導体ウェーハのスピ
ン洗浄装置１においては、エアシリンダ１４の収縮動作
によりエアー噴出パッド１３が真空吸引パッド６に対し
下方に離れた位置に退避移動するため、真空吸引パッド
１３上に載置された半導体ウェーハＷＨの下面とエアー
噴出パッド１３の上面との間にロボットハンドＲＨを挿
入することができ、半導体ウェーハＷＨをロボットハン
ドＲＨ上に載せて搬出入することができる。

【００３４】また、半導体ウェーハＷＨの下面に対向す
る複数のエアー噴出孔１３Ｄが半導体ウェーハＷＨの周
方向に沿ってエアー噴出パッド１３に配列されているた
め、半導体ウェーハＷＨの外周部を均一な浮上状態に支
持することができる。

【００３５】さらに、前記複数のエアー噴出孔１３Ｄが
直径の異なる複数種類の半導体ウェーハＷＨに対応して
前記エアー噴出パッド１３に同心状の複数列に配列され
ているため、直径の異なる複数種類の半導体ウェーハＷ
Ｈに対しても、その外周部をそれぞれ均一な浮上状態に
支持することができる。

【００３６】また、前記複数のエアー噴出孔１３Ｄがエ
アー噴出パッド１３の上面に形成された環状溝１３Ｅ内
に開口しているため、各エアー噴出孔１３Ｄから噴出し
たエアーが環状溝１３Ｅ内に滞留するので、半導体ウェ
ーハＷＨの外周部を一層均一な浮上状態に支持すること
ができる。

【００３７】なお、図示省略したが、前記エアー噴出パ
ッド１３の上面には、前記環状溝１３Ｅに代る凹部を形
成し、この凹部内に各エアー噴出孔１３Ｄを開口させて
もよい。

【００３８】また、ロボットハンドＲＨは、半導体ウェ
ーハＷＨの下面を支持して搬送する構造に限らず、半導
体ウェーハＷＨの上面を吸着して搬送する構造のもので
あってもよい。この場合、ロボットハンドＲＨは、エア
ー噴出パッド１３に干渉することなく真空吸引パッド６
上に半導体ウェーハＷＨを搬出入することができるた
め、エアー噴出パッド１３をエアシリンダ１４により下
降させる必要はなく、エアシリンダ１４を省略すること
ができる。

【００３９】

【発明の効果】請求項１に記載の発明によれば、本発明
に係る半導体ウェーハのスピン洗浄装置は、スピンシャ
フトの上端部に設けられた真空吸引パッドが半導体ウェ
ーハの下面中心部を吸引固定し、この真空吸引パッドの
周囲に配設されたエアー噴出パッドが半導体ウェーハの
下面との隙間にエアーを噴出して半導体ウェーハの外周
部を浮上状態に支持し、前記エアー噴出パッドが前記真
空吸引パッドに対して下方に退避移動可能に設けられて
いると、エアー噴出パッドを下方に退避移動させること
で、真空吸引パッド上に載置された半導体ウェーハの下
面とエアー噴出パッドの上面との間にロボットハンドの
挿入空間を形成することができ、半導体ウ ェーハをロボ
ットハンド上に載せて搬出入することが可能である。

【００４０】請求項２に記載の発明によれば、半導体ウ
ェーハの下面に対向する複数のエアー噴出孔が半導体ウ
ェーハの周方向に沿って前記エアー噴出パッドに配列さ
れていると、半導体ウェーハの外周を均一な浮上状態に
支持することができる。さらに、前記複数のエアー噴出
孔が直径の異なる複数種類の半導体ウェーハに対応して
前記エアー噴出パッドに同心状の複数列に配列されてい
ると、直径の異なる複数種類の半導体ウェーハに対して
も、その外周部をそれぞれ均一な浮上状態に支持するこ
とができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施形態に係る半導体ウェーハのス
ピン洗浄装置の全体構造を示す断面図である。

【図２】図１に示すスピン洗浄装置の要部構造を示す断
面図である。

【図３】図１および図２に示すエアー噴出パッドの平面
図である。

【符号の説明】

１ ：スピン洗浄装置 ２ ：取付ベース ３ ：昇降装置 ４ ：支持ブラケット ５ ：スピンシャフト ６ ：真空吸引パッド ７ ：純水噴射ノズル ８ ：空気噴射ノズル ９ ：支持ホルダ １０ ：駆動モータ １１ ：プーリ伝動機構 １２ ：スプラッシュカバー １３ ：エアー噴出パッド １３Ａ：ボス部 １３Ｂ：ボス穴 １３Ｃ：段部 １３Ｄ：エアー噴出孔 １３Ｅ：環状溝 １４ ：エアシリンダ １５ ：ストッパ １６ ：エアー供給路

フロントページの続き (56)参考文献 特開2002−43400（ＪＰ，Ａ) 特開 平９−64004（ＪＰ，Ａ) 特開 平７−78745（ＪＰ，Ａ) 実開 平３−73436（ＪＰ，Ｕ) 実開 昭62−32533（ＪＰ，Ｕ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) H01L 21/304 B08B 3/02 B08B 5/02

Claims (2)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】スピンシャフトの上端部に設けられた真空
   吸引パッドに半導体ウェーハの下面中心部を吸引固定
   し、前記スピンシャフトの回転により半導体ウェーハを
   高速回転させつつ洗浄する半導体ウェーハのスピン洗浄
   装置であって、 前記真空吸引パッドに吸引固定された半導体ウェーハの
   下面との隙間にエアーを噴出して半導体ウェーハの外周
   部を浮上状態に支持するエアー噴出パッドが前記真空吸
   引パッドの周囲に配設され、前記エアー噴出パッドは、前記真空吸引パッドに対して
   下方に退避移動可能に設けられていることを特徴とする
   半導体ウェーハのスピン洗浄装置 。
2. 【請求項２】請求項１に記載された半導体ウェーハのス
   ピン洗浄装置であって、前記エアー噴出パッドには、半
   導体ウェーハの下面に対向する複数のエアー噴出孔が半
   導体ウェーハの周方向に沿って配列されており、前記複
   数のエアー噴出口は、直径の異なる複数種類の半導体ウ
   ェーハに対応して同心状の複数列に配列されていること
   を特徴とする半導体ウェーハのスピン洗浄装置。