JPH08327708A - 被試験基板における電子回路動作試験方法及びその装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】本発明の目的は、ＬＳＩ等の電子部品をプリン
ト基板等の回路基板に実装して電子回路を形成した被試
験基板における電子回路の動作状態（インサーキット試
験）を、センサアレイを用いて非接触で能率良く測定す
ることができるようにした被試験基板における電子回路
動作試験方法及びその装置を提供することになる。 【構成】本発明は、被試験基板３の被測定点の信号を外
部より印加して時間的に変化させ、検出電極２を配列し
たセンサアレイ１を被試験基板３に近接させて配置させ
ることにより被測定信号を静電的に結合された検出電極
２に誘起させて、被試験基板３の全面または一部分の２
次元または１次元の電位分布を検出し、基準の電位分布
と比較することにより電子回路の動作状態（故障状態）
を試験する被試験基板における電子回路動作試験方法及
びその装置である。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、ＬＳＩ等の電子部品等
をプリント基板等の回路基板に実装して電子回路を形成
した被試験基板における電子回路の動作を試験する被試
験基板における電子回路動作試験方法及びその装置に関
するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来、ＬＳＩ等の電子部品をプリント基
板等の回路基板に実装して電子回路を形成した被試験基
板における電子回路の動作を試験する電気的な試験、即
ち、インサーキット試験は、接触式のプローブにより、
直接被測定点の信号を検出することにより行っていた。
一般に、１基板あたりの測定点数は、数１０００点にお
よぶ物もあるため、プローブの各測定点への位置決め
は、針状のプローブを剣山のように並べて組み込んだ治
具、すなわち、フィクスチャーにより行っている。測定
すべき基板平面上の位置は、基板の種類により異なるた
め、フィクスチャーは基板の種類毎に製作する必要があ
る。このため、フィクスチャー製作に要する時間、費用
及びその保管のための場所、費用などが無駄となってい
た。また、前記課題を補うため、フィクスチャーを使用
しないものとして、例えば、エレクトロニクス実装技術
Ｖｏｌ．１０，Ｎｏ．７，ｐｐ３３〜３６の「フィクス
チャレス両面プリント基板検査装置」に示されている、
少数のプローブを必要な場所に移動させながら試験する
方式、即ちムービングプローブ（または、フライングプ
ローブ）方式と呼ばれるものがある。しかしながら、こ
のムービングプローブ方式は、プローブを被測定点へ移
動する毎に時間がかかり、基板の試験時間が長くなるた
め、量産品への適用は難しく、また、プローブの位置決
め精度の点から最近の高密度実装基板のような微細なパ
ターンの基板や、リードピッチの狭いＩＣなどの部品に
対応しにくいという課題があった。

【０００３】また、前記微細なパターンの基板や、リー
ドピッチの狭いＩＣなどの部品への対応については、特
開平５−２６４６７２号公報に被測定点と検出プローブ
とを容量性で結合させて非接触で信号検出する方法が示
されている。しかしながら、この従来技術では、検出プ
ローブの詳細、およびそのプローブを前記した剣山状の
フィクスチャに組み込む、または、ムービングプローブ
のように用いることが開示されているのみである。すな
わち、非接触の信号検出法についてのみ述べられている
のみである。

【０００４】また磁界または電界検出センサを並べて、
電子回路基板の動作試験を行うものとして、特開平６−
３２４１２２号公報がある。同公報には、主に磁界検出
センサを並べて、被試験基板より発生する磁界を検出し
て、既知の回路基板の電磁放射と時間領域で比較するこ
とにより、基板の動作試験を行う方法が示されている。
しかしながら、この従来技術では、磁界センサに付随し
たスペーサ要素を基板に接触させることにより、センサ
位置を基板の表面形状に一致させるようにして、磁界検
出センサと基板間の距離を一定に保っているため、セン
サの配置位置（または、ピッチ）が、基板上の被検出点
（または、ピッチ）と合わない場合などにおいては、セ
ンサユニットを基板表面から退避、すなわち一旦離して
から、基板平面方向に移動させて、また接触させる必要
があり、多品種に対応、すなわち基板種毎に異なる測定
点にフレキシブルに対応させようとした場合、検査時間
がかかるおそれがある。また、この従来技術では、既知
の回路基板の電磁放射と時間領域で比較することにより
基板の良否を判定するため、基板間の電磁放射のばらつ
きを十分に小さくする必要がある。しかしながら、基板
が大形化したり、回路が複雑であると良品においても、
部品のばらつき（例えば、ディジタル信号の電圧振幅
や、立上り／立ち下がり時間など）や、各信号間の干渉
により、基板間でばらつきが発生するため、正確に被試
験基板の良否を判定することは難しい。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】上記従来技術において
は、ＬＳＩ等の電子部品をプリント基板等の回路基板に
実装して電子回路を形成した被試験基板における電子回
路の動作状態を非接触で能率良く測定することについ
て、十分考慮されていなかった。

【０００６】本発明の目的は、上記課題を解決すべく、
ＬＳＩ等の電子部品をプリント基板等の回路基板に実装
して電子回路を形成した被試験基板における電子回路の
動作状態（インサーキット試験）を、センサアレイを用
いて非接触で能率良く測定することができるようにした
被試験基板における電子回路動作試験方法及びその装置
を提供することにある。また本発明の他の目的は、ＬＳ
Ｉ等の電子部品をプリント基板等の回路基板に実装して
電子回路を形成した被試験基板における電子回路の動作
状態（インサーキット試験）を、電界分布検出電極また
は電界分布検出センサをアレイ状に配設したセンサアレ
イを用いて非接触で能率良く測定することができるよう
にした被試験基板における電子回路動作試験方法及びそ
の装置を提供することにある。

【０００７】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明は、電子部品を実装して電子回路を形成した
被試験基板における電子回路の動作を試験する電子回路
動作試験方法において、前記被試験基板における電子回
路に試験信号を時間的に変化させて印加し、電界分布検
出電極をアレイ状に並設したセンサアレイを前記被試験
基板に近接させて前記各電界分布検出電極により非接触
で前記被試験基板における電子回路の被測定点における
電界分布を測定して前記被試験基板における電子回路の
動作状態を試験することを特徴とする被試験基板におけ
る電子回路動作試験方法である。また本発明は、電子部
品を実装して電子回路を形成した被試験基板における電
子回路の動作を試験する電子回路動作試験方法におい
て、前記被試験基板における電子回路に試験信号を時間
的に変化させて印加し、電気光学結晶からなる電界分布
検出センサをアレイ状に並設したセンサアレイを前記被
試験基板に近接させて前記各電界分布検出センサから得
られる光の特性により非接触で前記被試験基板における
電子回路の被測定点における電界分布を測定して前記被
試験基板における電子回路の動作状態を試験することを
特徴とする被試験基板における電子回路動作試験方法で
ある。

【０００８】また本発明は、電子部品を実装して電子回
路を形成した被試験基板における電子回路の動作を試験
する電子回路動作試験方法において、前記被試験基板に
おける電子回路に試験信号を時間的に変化させて印加
し、電磁界分布検出電極をアレイ状に並設したセンサア
レイを前記被試験基板に近接させて前記各電磁界分布検
出電極により非接触で前記被試験基板における電子回路
の被測定点における電磁界分布を測定して前記被試験基
板における電子回路の動作状態を試験することを特徴と
する被試験基板における電子回路動作試験方法である。
また本発明は、電子部品を実装して電子回路を形成した
被試験基板における電子回路の動作を試験する電子回路
動作試験方法において、前記被試験基板における電子回
路に対して外部から試験信号を時間的に変化させて印加
し、検出電極をアレイ状に配置したセンサアレイを前記
被試験基板に近接させて該被試験基板における電子回路
の被測定点との間において前記検出電極を静電的に結合
させて被試験基板の全面または一部分について２次元ま
たは１次元の電位分布を非接触で測定して前記被試験基
板における電子回路の動作状態を試験することを特徴と
する被試験基板における電子回路動作試験方法である。
また本発明は、電子部品を実装して電子回路を形成した
被試験基板における電子回路の動作を試験する電子回路
動作試験方法において、前記被試験基板における電子回
路に対して外部から試験信号を時間的に変化させて印加
し、検出電極をアレイ状に配置したセンサアレイを前記
被試験基板に近接させて該被試験基板における電子回路
の被測定点との間において前記検出電極を静電的に結合
させて電位又は位相を検出して被試験基板の全面または
一部分について２次元または１次元の電位分布情報を非
接触で測定し、この測定された電位分布情報と基準の電
位分布情報とを比較して前記被試験基板における電子回
路の動作状態を試験することを特徴とする被試験基板に
おける電子回路動作試験方法である。

【０００９】また本発明は、電子部品を実装して電子回
路を形成した被試験基板における電子回路の動作を試験
する電子回路動作試験方法において、前記被試験基板に
おける電子回路に対して外部から試験信号を時間的に変
化させて印加し、検出電極をアレイ状に配置したセンサ
アレイを前記被試験基板に近接させて該被試験基板にお
ける電子回路の被測定点との間において前記検出電極を
静電的に結合させて電位又は位相を検出して被試験基板
の全面または一部分について２次元または１次元の電位
分布情報を非接触で測定し、この測定された電位分布情
報に対して被試験基板の電子部品実装情報により補正
し、この補正された電位分布情報と基準の電位分布情報
とを比較して前記被試験基板における電子回路の動作状
態を試験することを特徴とする被試験基板における電子
回路動作試験方法である。また本発明は、電子部品を実
装して電子回路を形成した被試験基板における電子回路
の動作を試験する電子回路動作試験装置において、前記
被試験基板における電子回路に試験信号を時間的に変化
させて印加する試験信号印加手段と、電界分布検出電極
をアレイ状に並設したセンサアレイを前記被試験基板に
近接させて前記各電界分布検出電極により非接触で前記
被試験基板における電子回路の被測定点における電界分
布を測定して前記被試験基板における電子回路の動作状
態を試験する電界分布測定手段とを備えたことを特徴と
する被試験基板における電子回路動作試験装置である。
また本発明は、電子部品を実装して電子回路を形成した
被試験基板における電子回路の動作を試験する電子回路
動作試験装置において、前記被試験基板における電子回
路に試験信号を時間的に変化させて印加する試験信号印
加手段と、電気光学結晶からなる電界分布検出センサを
アレイ状に並設したセンサアレイを前記被試験基板に近
接させて前記各電界分布検出センサから得られる光の特
性により非接触で前記被試験基板における電子回路の被
測定点における電界分布を測定して前記被試験基板にお
ける電子回路の動作状態を試験する電位分布測定手段と
を備えたことを特徴とする被試験基板における電子回路
動作試験装置である。また本発明は、電子部品を実装し
て電子回路を形成した被試験基板における電子回路の動
作を試験する電子回路動作試験装置において、前記被試
験基板における電子回路に試験信号を時間的に変化させ
て印加する試験信号印加手段と、電磁界分布検出電極を
アレイ状に並設したセンサアレイを前記被試験基板に近
接させて前記各電磁界分布検出電極により非接触で前記
被試験基板における電子回路の被測定点における電磁界
分布を測定して前記被試験基板における電子回路の動作
状態を試験する電磁界分布測定手段とを備えたことを特
徴とする被試験基板における電子回路動作試験装置であ
る。また本発明は、電子部品を実装して電子回路を形成
した被試験基板における電子回路の動作を試験する電子
回路動作試験装置において、前記被試験基板における電
子回路に対して外部から試験信号を時間的に変化させて
印加する試験信号印加手段と、検出電極をアレイ状に配
置したセンサアレイを前記被試験基板に近接させて該被
試験基板における電子回路の被測定点との間において前
記検出電極を静電的に結合させて被試験基板の全面また
は一部分について２次元または１次元の電位分布を非接
触で測定して前記被試験基板における電子回路の動作状
態を試験する電位分布測定手段とを備えたことを特徴と
する被試験基板における電子回路動作試験装置である。

【００１０】また本発明は、電子部品を実装して電子回
路を形成した被試験基板における電子回路の動作を試験
する電子回路動作試験装置において、前記被試験基板に
おける電子回路に対して外部から試験信号を時間的に変
化させて印加する試験信号印加手段と、検出電極をアレ
イ状に配置したセンサアレイを前記被試験基板に近接さ
せて該被試験基板における電子回路の被測定点との間に
おいて前記検出電極を静電的に結合させて電位又は位相
を検出して被試験基板の全面または一部分について２次
元または１次元の電位分布情報を非接触で測定する電位
分布情報測定手段と、該電位分布情報測定手段で測定さ
れた電位分布情報と基準の電位分布情報とを比較して前
記被試験基板における電子回路の動作状態を試験する比
較手段とを備えたことを特徴とする被試験基板における
電子回路動作試験装置である。また本発明は、電子部品
を実装して電子回路を形成した被試験基板における電子
回路の動作を試験する電子回路動作試験装置において、
前記被試験基板における電子回路に対して外部から試験
信号を時間的に変化させて印加する試験信号印加手段
と、検出電極をアレイ状に配置したセンサアレイを前記
被試験基板に近接させて該被試験基板における電子回路
の被測定点との間において前記検出電極を静電的に結合
させて電位又は位相を検出して被試験基板の全面または
一部分について２次元または１次元の電位分布情報を非
接触で測定する電位分布情報測定手段と、該電位分布情
報測定手段で測定された電位分布情報に対して被試験基
板の電子部品実装情報により補正する補正手段と、該補
正手段で補正された電位分布情報と基準の電位分布情報
とを比較して前記被試験基板における電子回路の動作状
態を試験する比較手段とを備えたことを特徴とする被試
験基板における電子回路動作試験装置である。

【００１１】また本発明は、電子部品等を搭載した回路
基板の電気的試験装置において、被試験基板に近接させ
て被測定点と検出電極が静電的に結合するように設けた
アレイ状に検出電極を配置したセンサアレイと、、被測
定点の信号を被試験基板の外部からの試験信号により時
間的に変化させる信号を発生する手段と、被測定信号を
検出電極側に結合容量により誘導させて信号検出し、基
板全面または一部分の２次元または１次元の電位分布を
非接触で検出する手段と、被測定位置の電位または位相
を、外部より与えた試験信号より予想される基準の電位
または位相と比較することにより、被試験基板の故障を
検出する手段とからなることを特徴とする電子回路基板
の試験装置である。また本発明は、電子部品を搭載した
電子回路基板の電気的試験の方法において、検出電極を
アレイ状に配置したセンサアレイを被試験基板に近接さ
せて被測定点と検出電極が静電的に結合するように設
け、被測定点の信号を被試験基板の外部からの試験信号
により時間的に変化させ、被測定信号を検出電極側に結
合容量により誘導させて信号検出することにより被試験
基板の全面または一部分の２次元または１次元の電位分
布を非接触で検出し、被測定位置の電位または位相を、
外部より与えた試験信号より予想される基準電位または
位相と比較することにより被試験基板の故障を検出する
ことを特徴とする。また本発明は、電子部品等を搭載し
た回路基板の電気的試験の方法において、検出電極をア
レイ状に配置したセンサアレイを被試験基板に近接させ
て被測定点と検出電極が静電的に結合するように設け、
被測定点の信号を被試験基板の外部からの試験信号によ
り時間的に変化させ、被測定信号を検出電極側に結合容
量により誘導させて信号検出することにより被試験基板
の全面または一部分の２次元または１次元の電位分布を
非接触で検出し、得られた電位分布情報を被試験基板の
部品実装情報により補正し、補正された電位分布情報の
被測定位置の電位または位相を、外部より与えた試験信
号より予想される基準の電位または位相と比較すること
により被試験基板の故障を検出することを特徴とする。

【００１２】また本発明は、電子部品等を搭載した回路
基板の電気的試験の方法において、検出電極をアレイ状
に配置したセンサアレイを被試験基板に近接させて被測
定点と検出電極が静電的に結合するように設け、被測定
点の信号を被試験基板の外部からの試験信号により時間
的に変化させ、被測定信号を検出電極側に結合容量によ
り誘導させて信号検出することにより被試験基板の全面
または一部分の２次元または１次元の電位分布を非接触
で検出し、良品基板などその特性が判明している基板の
２次元または１次元の電位分布と比較することにより被
試験基板の故障を検出することを特徴とする。また本発
明は、電子部品等を搭載した回路基板の電気的試験装置
において、被試験基板に近接させて被測定点と検出電極
が静電的に結合するように設けたアレイ状に検出電極を
配置したセンサアレイと、、被測定点の信号を被試験基
板の外部からの試験信号により時間的に変化させる信号
を発生する手段と、被測定信号を検出電極側に結合容量
により誘導させて信号検出し、被試験基板の全面または
一部分の２次元または１次元の電位分布を非接触で検出
する手段と、被測定位置の電位または位相を、外部より
与えた試験信号より予想される基準の電位または位相と
比較することにより被試験基板の故障を検出する手段と
からなることを特徴とする。

【００１３】また本発明は、電子部品等を搭載した回路
基板の電気的試験装置において、被試験基板に近接させ
て被測定点と検出電極が静電的に結合するように設けた
アレイ状に検出電極を配置したセンサアレイと、被測定
点の信号を被試験基板の外部からの試験信号により時間
的に変化させる信号を発生する手段と、被測定信号を検
出電極側に結合容量により誘導させて信号検出し、被試
験基板の全面または一部分の２次元または１次元の電位
分布を非接触で検出する手段と、得られた電位分布情報
を、被試験基板の部品実装情報により補正する手段と、
補正された電位分布情報から被測定位置の電位または位
相を外部より与えた試験信号より予想される基準の電位
または位相と比較することにより被試験基板の故障を検
出する手段とからなることを特徴とする。また本発明
は、電子部品等を搭載した回路基板の電気的試験装置に
おいて、被試験基板に近接させて被測定点と検出電極が
静電的に結合するように設けたアレイ状に検出電極を配
置したセンサアレイと、被測定点の信号を被試験基板の
外部からの試験信号により時間的に変化させる信号を発
生する手段と、被測定信号を検出電極側に結合容量によ
り誘導させて信号検出し、被試験基板の全面または一部
分の２次元または１次元の電位分布を非接触で検出する
手段と、良品基板などその特性が判明している基板の２
次元または１次元の電位分布と比較することにより被試
験基板の故障を検出する手段とからなることを特徴とす
る。

【００１４】また本発明は、被試験基板のパターンや部
品のリード線と容量的に結合することにより、非接触で
被試験基板の信号を検出する手段をアレイ状に配置し、
被試験基板上の任意の点の信号を、電気的な選択手段に
より検出できるようにしたものである。

【００１５】

【作用】前記構成により、被試験基板に、静電容量、電
気光学結晶等で構成された電界分布検出電極もしくは電
界分布検出センサまたはコイル等の電磁界分布検出電極
をアレイ状に並設したセンサアレイを被試験基板に近接
させて配置することにより、非接触で、被試験基板の全
面または一部分の２次元または１次元の電位分布（電位
の位相分布も含む）または電磁界分布を測定することが
でき、被試験基板における電子回路の動作状態（故障
等）を非常に能率良く、試験することができる。

【００１６】また前記構成により、被試験基板の被測定
点と検出電極を静電的に結合させて被測定信号を検出電
極側に誘導させて信号検出することにより、被試験基板
の全面または一部分の２次元または１次元の電位分布
（電位の位相分布も含む）を測定することができ、被試
験基板における電子回路の動作状態（故障等）を非常に
能率良く、試験することができる。

【００１７】

【実施例】本発明の実施例を説明する前に、インサーキ
ット試験（ＬＳＩ等の電子部品をプリント基板等の回路
基板に実装して電子回路を形成した被試験基板における
電子回路の動作を試験すること）について、図１を用い
て簡単に説明する。インサーキット試験は、回路基板が
正常に製造されたか、または、故障している基板の場合
はどこが故障しているかを調べる試験であり、その不良
要因は、部品の誤搭載、はんだ付不良、プリント基板の
不良、部品自体の不良、故障など様々な要因による。以
下、被試験基板３として、非常に簡単な回路構成である
ＮＯＴ（論理否定）回路１０２、１０３の２つロジック
回路を含むものを例にして説明する。被試験基板３は、
入力端子１０７を“Ｈ”レベルにすると、出力端子１０
８が“Ｈ”レベル、すなわち、入力と同じレベルの論理
信号を出力するという機能の基板である。この基板の試
験をするには、最低、図１に示すように１０４、１０
５、１０６の３本のプローブが必要である。すなわち、
基板の入力端子１０７に試験信号を与えるためのプロー
ブ１０４、基板の出力端子１０８の信号を検出するため
のプローブ１０６、およびＮＯＴ（論理否定）回路１０
３の入力の信号（または、ＮＯＴ（論理否定）回路１０
２の出力）を検出するためのプローブ１０５である。こ
こで、もしプローブ１０５がなければ、もし出力端子１
０８で期待と異なるレベルがでたとき、例えば、入力端
子１０７に“Ｈ”レベルを与えて出力端子１０８に
“Ｌ”レベルが出力されたとき、プローブ１０５がなけ
ればＮＯＴ（論理否定）回路１０２、１０３のどちらが
故障、またはどこで実装上の不良がでているか知ること
はできない。しかしながら、プローブ１０５があって、
その値が“Ｈ”レベル（ここでの期待値は“Ｌ”レベ
ル）であれば、入力端子１０７から２段目のＮＯＴ（論
理否定）回路の入力までのプリント基板パターンを含む
１段目のＮＯＴ（論理否定）回路１０２周辺の故障であ
ると診断することができる。もっと詳細に故障箇所を特
定したいときには、ＮＯＴ（論理否定）回路１０２、１
０３の残りの入出力端子にもプローブを配置すれば良い
が、そのときには、フィクスチャのコストが上がり、試
験時間も増えることになる。

【００１８】以下、本発明に係る第１の実施例を図２〜
図７を用いて説明する。まず、図２により本発明の概要
を説明したあと、以下、各部の詳細を説明する。図２に
おいて、１は、非接触で被試験基板の信号を検出するセ
ンサ電極（電界分布検出電極）２をピッチ間隔ｐでアレ
イ状にｍ×ｎ個配置した非接触信号検出センサアレイで
ある。この非接触信号検出センサアレイ２は、図では省
略するがＸＹ軸３１方向に、少なくともセンサピッチｐ
の範囲で３２ａ、３２ｂのように移動できるように構成
されている。即ち、非接触信号検出センサアレイ２は、
被試験基板３に対してセンサ電極２のピッチｐ以下の分
解能で検出が可能となっている。３は、試験対象となる
被試験基板であり、図２に示す方向３０に非接触信号検
出センサアレイ１と近接させて配置する。５はセンサ電
極２に接続されて入力される入力信号２１を処理する信
号処理回路で、具体的には図３に示すように構成され、
ＯＰアンプ５０の出力信号５３をＡ／Ｄ変換器６５でＡ
／Ｄ変換して検出信号２３を出力するものである。その
詳細は後ほど説明する。６は試験信号発生器であり、被
試験基板３に対して基板コネクタ１２を介して１本ない
しは複数本の試験信号２５を与えて、移動式接触形プロ
ーブ９により１本ないしは複数本の試験信号２６を与え
て、被試験基板３内の任意の点の信号レベルを制御する
ものである。７は、信号処理回路５の検出信号２３およ
び部品実装情報８に基づいて被試験基板内の電位分布を
決定する電位分布決定処理である。９は自動位置決め機
構（図では省略）による移動式の接触形のプローブであ
り、被試験基板上の任意の点に試験信号２６を与えた
り、任意の点の信号を検出したりするものである。この
移動式接触形プローブ９は、後ほど説明するが、本発明
において必須の項目ではない。１０は、試験システムの
全体を制御するもので、マイクロプロセッサなどのコン
ピュータシステムと、信号処理回路５などの各機能ブロ
ックとの信号インターフェース回路などからなる。１２
は基板コネクタであり、試験信号２５を被試験基板３の
コネクタの任意の接栓番号のピンに印加できるようにな
っており、また、任意の接栓番号の信号を、信号２７で
示すようにコンピュータシステム（制御装置）１０へ読
み込めるようになっている。

【００１９】次に、信号処理回路５について説明する。
図３に信号処理回路５の具体的構成を示す。図３におい
て、信号処理回路５は、ＯＰアンプ５０および抵抗器５
１による高増幅率の非反転アンプである。ＯＰアンプ５
０は高入力インピーダンスのものを用いることが望まし
く、例えば米国ナショナルセミコンダクター社のＬＨ０
０３２などが使用できる。５２は、被試験基板３を等価
的に表したもので、５２ａは、プリント基板の配線パタ
ーンや部品のリード線等をセンサ電極２に対向する電極
として表したものであり、５２ｂは、電子回路部品を信
号源Ｖ１として表したものである。先に図２により説明
したように、被試験基板３と非接触信号検出センサアレ
イ１は近接して配置するため、図３に示すようにセンサ
電極２とプリント基板の配線パターンや部品のリード線
等に相当する５２ａは対向し、容量的に結合する。この
ため、図３に示す回路は、図４（ａ）に示すような等価
回路となる。図４（ａ）において、５４は５１ａと２の
容量結合Ｃ１であり、５５はＯＰアンプ５０の入力容量
Ｃ２など、５６はＯＰアンプ５０の入力インピーダンス
の抵抗成分Ｒなどである。図４（ａ）に示す回路の周波
数に対する入出力特性Ｖ２／Ｖ１は図４（ｂ）に示すよ
うになり（例えば、トランジスタ技術、１９９３年１１
月号、ｐ．２３２、ＣＱ出版社）、カットオフ周波数ｆ
ｃのハイパスフィルタとなるから、ｆｃ以上の周波数は
非接触で伝達できる。従って、信号源５２ｂでｆｃより
十分大きな周波数で、図５（ａ）に示すような方形波５
７を発生すれば、図５（ｂ）に示すようにＯＰアンプ５
０の出力信号５３に同様な方形波５８を検出することが
できる。また、その大きさは、図４より明らかなように
信号源５２ｂの出力電圧に比例するから、出力信号５３
のピークトゥピーク電圧より信号源５２ｂの出力電圧を
推定することが可能である。なお、図３において、６５
は、信号５３をデジタル値に変換するＡ／Ｄ変換器、６
６は、Ａ／Ｄ変換器に変換のタイミング６７を与えるタ
イミング信号発生器であり、試験信号発生器６からの信
号６８をもとにタイミング信号６７を発生する。また、
信号処理回路５は、センサ電極２の数存在するものであ
る。

【００２０】次に電位分布決定処理７について説明す
る。出力信号５３に検出できる信号は、図４（ｂ）より
明らかなようにＣ１に比べＣ２が小さいほど大きな信号
が検出でき、試験には有利である。例えば、Ｃ１を平行
平板として近似して考えると、その静電容量Ｃは次に示
す（数１）式にて求めることができる。

【００２１】

【数１】

【００２２】ここで、εは誘電率、Ａは電極の面積、ｄ
は電極間の距離である。（数１）式より明らかなよう
に、静電容量Ｃを大きくするためには、間隔ｄを小さ
く、すなわち、被試験基板３とセンサ電極２の間隔を小
さくすればよいが、被試験基板３の突起の高さなどによ
り限界がある。また、ほかの方法としては、面積Ａを大
きくすることが考えられる。すなわち、センサ電極２の
サイズを被試験基板３のパッドと同じ大きさまで大きく
するとよい。しかしながら、センサ電極２を大きくする
と隣接するパッドとも結合して、隣接するパッドの信号
の影響がでる。例えば、一般的なＩＣのパッケージであ
るＤＩＰ（デュアルインラインパッケージ）の場合、Ｉ
Ｃのリード線のピッチは２．５４ｍｍであり、そのリー
ド線がはんだ付されるパッドは、φ１．６ｍｍ程度であ
る。また、被試験基板３とセンサ電極２の間隔は、基板
を貫通した部品のリード線の突起が１ｍｍ程度であるこ
とからして、１．５ｍｍ程度離すことが必要となる。図
１の回路を図６に示すように実装し、リード線６１ａか
ら方形波信号を入力した場合、検出される出力信号５３
のピークトゥピーク電圧は、図６に示すようになる。こ
こで縦軸のマイナスは、位相の反転を表している。隣接
する信号の影響として、リード線６１ｄの中心と検出信
号のずれが、また、同じ信号が印加されているリード線
６１ｂ、６１ｃ部分のピーク値と１ピンにのみにしか同
種の信号が印加されていない６１ｄのピーク値が異なる
などが見られる。これらの影響は、測定の誤差になるた
め、補正をして、正確に各点の値を求める処理が電位分
布決定処理７である。具体的な処理例としては、図２に
示す基板の実装情報８、即ち基板のどの位置に、どんな
機能の部品が実装されているかという情報をもとにし
て、試験信号発生器６から試験信号を与えたとき、測定
しようとしている点の周辺にどのような信号が発生して
いるかを推定して、検出信号２３を補正するものであ
る。例えば、先に図６を用いて説明した例においては、
リード線６１ｄの信号を測定するときには、右側に逆位
相の信号が印加され、信号が若干小さく検出されること
を実装情報８から推定し、予めもとめておいた補正係数
により、検出信号２３を補正することができる。

【００２３】以下、本実施例による試験の流れについて
説明する。まず、被試験基板３を非接触信号検出アレイ
１に方向３０に示す方向に近接させて配置する。このと
き、図２に示すＸＹ方向３１についても所定の位置に位
置決めするものとする。次に、試験信号発生器６から被
試験基板３の試験をしたい場所が所望の値になるような
試験信号を発生する。例えば、先の説明で使用した図１
の被試験基板１０１の回路でＮＯＴ（論理否定）回路１
０３の入力まで正常であるかを試験したいときには、試
験信号２５（例えば図５（ａ）に示したような方形波信
号５７）を試験信号発生器６により発生させ、基板コネ
クタ１２を介して加える。このとき、もし基板コネクタ
１２よりＮＯＴ（論理否定）回路１０３の入力までの論
理が複雑、または、その他の理由により、基板コネクタ
１２より試験信号を入力しても、ＮＯＴ（論理否定）回
路１０３の入力が方形波状にできないときは、移動式接
触形プローブ９により試験信号２６を、ＮＯＴ（論理否
定）回路１０２の出力ピン付近に直接印加する。

【００２４】次に非接触信号検出アレイ１の任意のセン
サ電極２がＮＯＴ（論理否定）回路１０３の入力ピン
（リード線６１ｃ）の直下になるように移動し、出力信
号５３をＡ／Ｄ変換器６５でデジタル信号化し、ピーク
トゥピーク電圧を計測し、電位分布決定処理７により計
測値を補正し、その大きさや、基板コネクタ１２より加
えた信号との位相関係を調べることにより、ＮＯＴ（論
理否定）回路１０３の入力ピン（リード線６１ｃ）に所
望の信号が印加されているかを調べることができる。し
かしながら、一般的には１点すなわち、１つのピンだけ
を調査することは少なく、複数の点を調べることが多
い。先に述べたように非接触信号検出アレイ１は、少な
くともセンサ電極２のピッチｐの範囲内をＸＹ方向に移
動可能になっている。このため、非接触信号検出アレイ
１を図７の７０に示すように移動させることにより、７
１に示す範囲を一つのセンサ電極２ａで検出することが
でき、例えば、図７に示した非接触信号検出アレイ１の
場合、７２の範囲を検出できる。そこで、非接触信号検
出アレイ１を７０のように移動させながら、適当な間隔
でセンサ電極２からの信号を計測、電位分布決定処理７
により計測値を補正し、記憶すれば、７２の範囲全面の
電位分布を得ることができる。制御部１０にて、必要な
位置の電位などを設計情報１１と比較することにより、
被試験基板３の故障診断、故障個所の検出ができる。こ
こで、移動量をピッチｐより大きく取れば、非接触セン
サアレイ１の大きさより十分大きな被試験基板でも検出
できる。また、図６にＮＯＴ（論理否定）回路１０３の
ように出力が直接基板コネクタ１２に出力されているも
のは、その値を信号線２７を通じて直接制御部１０へ読
み込んで、診断に使用しても良い。また、測定点の周囲
の電位が定まらず、電位分布決定処理７により計測値を
補正することができないときは、移動式接触形プローブ
９により直接測定点の信号を信号線３３を通じて制御部
へ読み込んでも良い。

【００２５】本実施例によれば、フィクスチャーなし
で、被試験基板の電気的試験を行うことができ、かつ、
検出すべき点の一点一点の電圧を正確に求めることがで
きるので、良品の基板（部品）が本来持っているばらつ
きの範囲を考慮して、回路動作の良否を判断することが
でき、また故障箇所の特定が正確にできるという効果が
ある。また、非接触信号検出アレイを移動させて信号を
検出しているため、センサ電極間隔以下の分解能で、信
号検出をすることができ、かつ、センサ電極や信号処理
回路の数を減らすことができるという効果がある。次
に、本発明に係る第２の実施例を図８を用いて説明す
る。第２の実施例は、第１の実施例と比べて、電位分布
決定処理７、部品実装情報８、設計情報１１を、記憶装
置７５、比較処理７６に変更したものである。記憶装置
７５は、信号処理回路５におけるＯＰアンプ５０の出力
信号５３をＡ／Ｄ変換器６５でＡ／Ｄ変換して検出され
た検出信号２３を一基板の全面、または、一部分を単位
として、一つ以上記憶できるようになっており、また、
比較処理７６へ読み出せるようになっている。記憶装置
７５は、具体的には、半導体メモリや磁気ディスク装置
を用いて構成する。この記憶装置７５には、一般的に
は、良品基板に特定の試験信号を加えたときの一基板の
全面、または、一部分の２次元電圧（電位）分布を記憶
する。比較処理７１においては、実際に被試験基板３を
試験しているときの信号処理回路５で検出された検出信
号２３と、あらかじめ記憶装置７５に記憶しておいた良
品基板など特性が判明している基板から検出される基準
の検出信号２３を、対応する位置ごとに比較するもの
で、前記２つの信号の不一致の情報をコンピュータシス
テム（制御装置）１０へ出力するものである。この比較
装置７６には、例えば、特開昭６３−３２６６６号公報
「パターン欠陥検出法」に記載された方法が利用でき
る。即ち、特開昭６３−３２６６６号公報は、２次元の
濃淡画像信号の比較であるが、この濃淡画像信号に代え
て電圧（電位）分布信号に置き換えることによって比較
をすることができる。

【００２６】次に、第２の実施例による試験の流れにつ
いて説明する。被試験基板３に試験信号を印加し、この
状態で非接触センサアレイ１を移動させながら出力信号
５３を検出するまでは、第１の実施例と同じである。こ
うして得られた被試験基板３の全面、または、１部分の
電位分布（一種の画像）データは、記憶装置７５に記憶
された良品基板などの基準基板の電位分布と比較処理７
６により比較され、相違箇所がなければ良品、相違箇所
があれば、その近辺に故障があることが分かる。また、
このとき、基準となる電位分布に、故障箇所など故障情
報が判明している基板の電位分布を用いれば、被試験基
板３が、そのすでに判明している故障状態であることを
特定することもできる。本実施例によれば、電位分布決
定処理が不要であるため、部品実装情報なしで、基板の
電気的試験を行うことができるという効果がある。次
に、信号処理回路５の第２の実施例について説明する。
図９に信号処理回路５の第２の実施例を示す。図９にお
いて、信号処理回路５の点線内は、ＯＰアンプ８０およ
び抵抗器８１による電流−電圧変換アンプである。ＯＰ
アンプ８０は低入力バイアス電流のものを用いることが
望ましく、例えば、米国ナショナルセミコンダクター社
のＬＨ００３２などが使用できる。５２は、図３と同様
に被試験基板３を等価的に表したものである。図９の回
路は、図１０に示すような等価回路、すなわち、電圧源
５２ｂによる電圧により、被試験基板３の配線パターン
などである５２ａと、センサ電極２の結合容量１００に
流れる電流ｉを電圧に変換して検出する回路となる。こ
のとき電流ｉは、次の（数２）式の関係となる。

【００２７】

【数２】

【００２８】即ち、電流ｉは、電圧ｖを微分したものと
なり、電流−電圧変換アンプの出力８２は、図１１
（ｂ）に示すような波形１１２となる。即ち、信号源５
２ｂで十分大きな周波数で、図１１（ａ）に示すような
方形波１１１を発生すれば、電流−電圧変換アンプの出
力８２からは図１１（ｂ）に示すように波形１１２が出
力されることになる。この電流−電圧変換アンプの出力
８２の波形１１２を図１２に示すコンパレータ８５、８
６により閾値処理し、被測定信号の立上りを信号９０、
立ち下がりを信号９１として検出し、これらの信号をＲ
Ｓフリップフロップ８７のセット信号、リセット信号と
することにより、検出信号２３ａに被測定信号を再現で
きる。この出力を、被試験基板３に与えた試験信号によ
り予想される基準の被測定信号と比較することにより、
被試験基板の動作状態を試験することができる。本実施
例によれば、検出信号から被測定信号のデジタル信号を
再現できるため、基準信号である試験信号と比較しやす
いという効果がある。

【００２９】次に、信号処理回路５の第３の実施例につ
いて説明する。図１３に信号処理回路５の第３の実施例
を示す。図１３において、ＢＰＦ（バンドパスフィルタ
ー）１１０の入力８２は、先に信号処理回路５の第２の
実施例で説明した図９の出力８２であり、ここまでの動
作は同じであるため、説明は省略する。信号８２は、先
に説明したように微分波形１１２となるが、この信号は
いくつかの正弦波信号からなっている。例えば、先に説
明した図１０において電圧源５２ｂ、即ち、被測定信号
が、デューテー比が５０％の繰り返しの方形波１１１で
あった場合、その信号は、次に示す（数３）式のように
フーリエ級数展開できる。

【００３０】

【数３】

【００３１】ここで、ωは方形波の角周波数である。こ
の信号を微分すれば、次に示す（数４）式の関係とな
る。

【００３２】

【数４】

【００３３】すなわち、方形波の繰り返し周波数およ
び、その奇数倍の周波数の正弦波を足し合わせたもので
あることがわかる。そこで、ＢＰＦ１１０で、特定の周
波数のみを取り出して、Ａ／Ｄ変換器１１１でその大き
さを検出信号２３ｂにより測定すれば、被測定信号の大
きさを推定することができる。本実施例によれば、特定
の周波数のみを取り出して測定するため、外部からのノ
イズの影響を受けにくく、また、被測定信号の大きさを
推定できるという効果がある。

【００３４】次に前記実施例においては、センサ電極２
が静電容量結合によって被試験基板３における電子回路
の被測定点（端子またはリード）の電界分布を測定する
場合について説明したが、前記センサ電極２としてスパ
ッタリングとエッチングとによる薄膜成膜技術によって
コイル（電磁界分布検出電極）を形成し、該コイルに流
れる電流を検出する電磁界結合によって被試験基板３に
おける電子回路の被測定点（端子またはリード）の電磁
界分布を測定するように構成しても、前記実施例と同様
に電子回路の動作状態（故障状態）を検出することがで
きる。なお、電流測定回路については、例えば図９に示
すように構成すれば、コイルに流れる電流を測定するこ
とができる。

【００３５】また、前記実施例においては、センサ電極
２が静電容量結合によって被試験基板３における電子回
路の被測定点（端子またはリード）の電界分布を測定す
る場合について説明したが、前記センサ電極として電気
光学結晶（電界分布検出センサ）で構成し、該電気光学
結晶にレーザ光等の光を照射し、電気光学結晶の屈折率
の変化を電気光学結晶から得られる光を光電変換素子で
受光することによって被試験基板３における電子回路の
被測定点（端子またはリード）の電界分布を測定するこ
とができ、前記実施例と同様に電子回路の動作状態（故
障状態）を検出することができる。なお、この実施例に
おいては、電気光学結晶をアレイ状に配設されているの
で、該電気光学結晶に対応させてレーザ光源（半導体レ
ーザ光源）と光電変換素子とを設ける必要がある。ガル
バノミラー等のレーザ光偏向走査機構を設ければ、設置
するレーザ光源の数を減らすことができる。

【００３６】

【発明の効果】本発明によれば、ＬＳＩ等の電子回路を
実装した被試験基板における電子回路の動作状態（故障
状態も含む）の電気的試験を非接触で、能率良く実現す
ることができる効果を奏する。

【００３７】また本発明によれば、寸法、形状の問題か
ら針状のプローブを剣山のように並べることが、難しか
った微細な電子部品が実装された被試験基板に対しても
電子回路の動作状態（故障状態も含む）の試験を行うこ
とができるという効果を奏する。

【００３８】また本発明によれば、針状のプローブを剣
山のように並べて組み込んだ治具、即ちフィクスチャー
を使用する必要がないので、フィクスチャーに関するコ
ストの低減を図ることができる。

【００３９】また本発明によれば、ＬＳＩ等の電子回路
を実装した被試験基板における電子回路の動作状態（故
障状態も含む）の電気的試験を非接触で、能率良く実現
することができ、その結果被試験基板の製造工数を低減
して原価低減を図ることができる効果を奏する。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係わるインサーキット試験の概要を説
明するための電子回路の一例を示す図である。

【図２】本発明に係わるインサーキット試験の第１の実
施例の全体構成を示す図である。

【図３】本発明に係わる信号処理回路の第１の実施例を
示す図である。

【図４】図３に示す信号処理回路の第１の実施例におけ
る等価回路（（ａ）に示す。）及びその特性（（ｂ）に
示す。）を示す図である。

【図５】図３及び図４に示す信号処理回路の第１の実施
例における印加される被試験信号波形（（ａ）に示
す。）と検出信号波形（（ｂ）に示す。）とを示す図で
ある。

【図６】被試験基板における電子回路に対して図３に示
す信号処理回路に基づいて検出される信号強度を示す図
である。

【図７】非接触信号検出センサアレイの移動方法と検出
範囲との関係を示す図である。

【図８】本発明に係わるインサーキット試験の第２の実
施例の全体構成を示す図である。

【図９】本発明に係わる信号処理回路の第２の実施例に
おいて検出アンプ部を示す図である。

【図１０】図９に示す信号処理回路の第２の実施例にお
ける等価回路を示す図である。

【図１１】図９及び図１０に示す信号処理回路の第２の
実施例における印加される被試験信号波形（（ａ）に示
す。）と検出信号波形（（ｂ）に示す。）とを示す図で
ある。

【図１２】図９に示す信号処理回路の第２の実施例にお
ける後処理回路の一実施例を示す図である。

【図１３】図９に示す信号処理回路の第２の実施例にお
ける後処理回路の他の実施例を示す図である。

【符号の説明】

１…非接触信号検出センサアレイ、２、２ａ…センサ電
極、３…被試験基板 ５…信号処理回路、６…試験信号発生器、７…電位分布
決定処理 ８…部品実装情報、１０…コンピュータシステム（制
御、判定部） １１…設計情報、１２…基板コネクタ ５０…ＯＰアンプ、５１…抵抗器 ６１ａ、６１ｂ、６１ｃ、６１ｄ…リード線、６５…Ａ
／Ｄ変換器 ６６…タイミング信号発生器、７５…記憶装置、７６…
比較装置 １０１…被試験基板、１０２、１０３…ＮＯＴ（論理否
定）回路 １０４、１０５、１０６…接触式のプローブ

Claims (13)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】電子部品を実装して電子回路を形成した被
   試験基板における電子回路の動作を試験する電子回路動
   作試験方法において、 前記被試験基板における電子回路に試験信号を時間的に
   変化させて印加し、電界分布検出電極をアレイ状に並設
   したセンサアレイを前記被試験基板に近接させて前記各
   電界分布検出電極により非接触で前記被試験基板におけ
   る電子回路の被測定点における電界分布を測定して前記
   被試験基板における電子回路の動作状態を試験すること
   を特徴とする被試験基板における電子回路動作試験方
   法。
2. 【請求項２】電子部品を実装して電子回路を形成した被
   試験基板における電子回路の動作を試験する電子回路動
   作試験方法において、 前記被試験基板における電子回路に試験信号を時間的に
   変化させて印加し、電気光学結晶からなる電界分布検出
   センサをアレイ状に並設したセンサアレイを前記被試験
   基板に近接させて前記各電界分布検出センサから得られ
   る光の特性により非接触で前記被試験基板における電子
   回路の被測定点における電界分布を測定して前記被試験
   基板における電子回路の動作状態を試験することを特徴
   とする被試験基板における電子回路動作試験方法。
3. 【請求項３】電子部品を実装して電子回路を形成した被
   試験基板における電子回路の動作を試験する電子回路動
   作試験方法において、 前記被試験基板における電子回路に試験信号を時間的に
   変化させて印加し、電磁界分布検出電極をアレイ状に並
   設したセンサアレイを前記被試験基板に近接させて前記
   各電磁界分布検出電極により非接触で前記被試験基板に
   おける電子回路の被測定点における電磁界分布を測定し
   て前記被試験基板における電子回路の動作状態を試験す
   ることを特徴とする被試験基板における電子回路動作試
   験方法。
4. 【請求項４】電子部品を実装して電子回路を形成した被
   試験基板における電子回路の動作を試験する電子回路動
   作試験方法において、 前記被試験基板における電子回路に対して外部から試験
   信号を時間的に変化させて印加し、検出電極をアレイ状
   に配置したセンサアレイを前記被試験基板に近接させて
   該被試験基板における電子回路の被測定点との間におい
   て前記検出電極を静電的に結合させて被試験基板の全面
   または一部分について２次元または１次元の電位分布を
   非接触で測定して前記被試験基板における電子回路の動
   作状態を試験することを特徴とする被試験基板における
   電子回路動作試験方法。
5. 【請求項５】電子部品を実装して電子回路を形成した被
   試験基板における電子回路の動作を試験する電子回路動
   作試験方法において、 前記被試験基板における電子回路に対して外部から試験
   信号を時間的に変化させて印加し、検出電極をアレイ状
   に配置したセンサアレイを前記被試験基板に近接させて
   該被試験基板における電子回路の被測定点との間におい
   て前記検出電極を静電的に結合させて電位又は位相を検
   出して被試験基板の全面または一部分について２次元ま
   たは１次元の電位分布情報を非接触で測定し、この測定
   された電位分布情報と基準の電位分布情報とを比較して
   前記被試験基板における電子回路の動作状態を試験する
   ことを特徴とする被試験基板における電子回路動作試験
   方法。
6. 【請求項６】電子部品を実装して電子回路を形成した被
   試験基板における電子回路の動作を試験する電子回路動
   作試験方法において、 前記被試験基板における電子回路に対して外部から試験
   信号を時間的に変化させて印加し、検出電極をアレイ状
   に配置したセンサアレイを前記被試験基板に近接させて
   該被試験基板における電子回路の被測定点との間におい
   て前記検出電極を静電的に結合させて電位又は位相を検
   出して被試験基板の全面または一部分について２次元ま
   たは１次元の電位分布情報を非接触で測定し、この測定
   された電位分布情報に対して被試験基板の電子部品実装
   情報により補正し、この補正された電位分布情報と基準
   の電位分布情報とを比較して前記被試験基板における電
   子回路の動作状態を試験することを特徴とする被試験基
   板における電子回路動作試験方法。
7. 【請求項７】電子部品を実装して電子回路を形成した被
   試験基板における電子回路の動作を試験する電子回路動
   作試験装置において、 前記被試験基板における電子回路に試験信号を時間的に
   変化させて印加する試験信号印加手段と、電界分布検出
   電極をアレイ状に並設したセンサアレイを前記被試験基
   板に近接させて前記各電界分布検出電極により非接触で
   前記被試験基板における電子回路の被測定点における電
   界分布を測定して前記被試験基板における電子回路の動
   作状態を試験する電界分布測定手段とを備えたことを特
   徴とする被試験基板における電子回路動作試験装置。
8. 【請求項８】電子部品を実装して電子回路を形成した被
   試験基板における電子回路の動作を試験する電子回路動
   作試験装置において、 前記被試験基板における電子回路に試験信号を時間的に
   変化させて印加する試験信号印加手段と、電気光学結晶
   からなる電界分布検出センサをアレイ状に並設したセン
   サアレイを前記被試験基板に近接させて前記各電界分布
   検出センサから得られる光の特性により非接触で前記被
   試験基板における電子回路の被測定点における電界分布
   を測定して前記被試験基板における電子回路の動作状態
   を試験する電位分布測定手段とを備えたことを特徴とす
   る被試験基板における電子回路動作試験装置。
9. 【請求項９】電子部品を実装して電子回路を形成した被
   試験基板における電子回路の動作を試験する電子回路動
   作試験装置において、 前記被試験基板における電子回路に試験信号を時間的に
   変化させて印加する試験信号印加手段と、電磁界分布検
   出電極をアレイ状に並設したセンサアレイを前記被試験
   基板に近接させて前記各電磁界分布検出電極により非接
   触で前記被試験基板における電子回路の被測定点におけ
   る電磁界分布を測定して前記被試験基板における電子回
   路の動作状態を試験する電磁界分布測定手段とを備えた
   ことを特徴とする被試験基板における電子回路動作試験
   装置。
10. 【請求項１０】電子部品を実装して電子回路を形成した
    被試験基板における電子回路の動作を試験する電子回路
    動作試験装置において、 前記被試験基板における電子回路に対して外部から試験
    信号を時間的に変化させて印加する試験信号印加手段
    と、検出電極をアレイ状に配置したセンサアレイを前記
    被試験基板に近接させて該被試験基板における電子回路
    の被測定点との間において前記検出電極を静電的に結合
    させて被試験基板の全面または一部分について２次元ま
    たは１次元の電位分布を非接触で測定して前記被試験基
    板における電子回路の動作状態を試験する電位分布測定
    手段とを備えたことを特徴とする被試験基板における電
    子回路動作試験装置。
11. 【請求項１１】電子部品を実装して電子回路を形成した
    被試験基板における電子回路の動作を試験する電子回路
    動作試験装置において、 前記被試験基板における電子回路に対して外部から試験
    信号を時間的に変化させて印加する試験信号印加手段
    と、検出電極をアレイ状に配置したセンサアレイを前記
    被試験基板に近接させて該被試験基板における電子回路
    の被測定点との間において前記検出電極を静電的に結合
    させて電位又は位相を検出して被試験基板の全面または
    一部分について２次元または１次元の電位分布情報を非
    接触で測定する電位分布情報測定手段と、該電位分布情
    報測定手段で測定された電位分布情報と基準の電位分布
    情報とを比較して前記被試験基板における電子回路の動
    作状態を試験する比較手段とを備えたことを特徴とする
    被試験基板における電子回路動作試験装置。
12. 【請求項１２】電子部品を実装して電子回路を形成した
    被試験基板における電子回路の動作を試験する電子回路
    動作試験装置において、 前記被試験基板における電子回路に対して外部から試験
    信号を時間的に変化させて印加する試験信号印加手段
    と、検出電極をアレイ状に配置したセンサアレイを前記
    被試験基板に近接させて該被試験基板における電子回路
    の被測定点との間において前記検出電極を静電的に結合
    させて電位又は位相を検出して被試験基板の全面または
    一部分について２次元または１次元の電位分布情報を非
    接触で測定する電位分布情報測定手段と、該電位分布情
    報測定手段で測定された電位分布情報に対して被試験基
    板の電子部品実装情報により補正する補正手段と、該補
    正手段で補正された電位分布情報と基準の電位分布情報
    とを比較して前記被試験基板における電子回路の動作状
    態を試験する比較手段とを備えたことを特徴とする被試
    験基板における電子回路動作試験装置。
13. 【請求項１３】電子部品を実装して電子回路を形成した
    被試験基板における電子回路の動作を試験する電子回路
    動作試験装置において、 被試験基板に近接させて被測定点と検出電極が静電的に
    結合するように設けたアレイ状に検出電極を配置したセ
    ンサアレイと、、被測定点の信号を被試験基板の外部か
    らの試験信号により時間的に変化させる信号を発生する
    手段と、被測定信号を検出電極側に結合容量により誘導
    させて信号検出し、基板全面または一部分の２次元また
    は１次元の電位分布を非接触で検出する手段と、被測定
    位置の電位または位相を、外部より与えた試験信号より
    予想される基準の電位または位相と比較することによ
    り、被試験基板の故障を検出する手段とからなることを
    特徴とする被試験基板における電子回路動作試験装置。