JPH08274169A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPH08274169A JPH08274169A JP7482595A JP7482595A JPH08274169A JP H08274169 A JPH08274169 A JP H08274169A JP 7482595 A JP7482595 A JP 7482595A JP 7482595 A JP7482595 A JP 7482595A JP H08274169 A JPH08274169 A JP H08274169A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 生産性の向上を図るとともに半導体デバイス
の製造コストの低減を図る。 【構成】 表面に拡散層２が形成された半導体基板１
と、この半導体基板１に積層した第１絶縁膜３と、この
第１絶縁膜３の上に離間して形成された一対の第１金属
配線４，４′と、これらの第１金属配線４，４′を埋設
した第２絶縁膜５と、一対の第１金属配線の一方４に対
応した第２絶縁膜５の上に形成した第２金属配線８と、
一対の金属配線の一方４と第２金属配線８を連結するよ
うに第２絶縁膜５に形成したバイアホール６とを備えた
半導体装置であって、一対の第１金属配線の他方４′と
拡散層２とを内部に露出した別のバイアホール６′を、
第２絶縁膜５から第１絶縁膜３に貫通して形成した。
の製造コストの低減を図る。 【構成】 表面に拡散層２が形成された半導体基板１
と、この半導体基板１に積層した第１絶縁膜３と、この
第１絶縁膜３の上に離間して形成された一対の第１金属
配線４，４′と、これらの第１金属配線４，４′を埋設
した第２絶縁膜５と、一対の第１金属配線の一方４に対
応した第２絶縁膜５の上に形成した第２金属配線８と、
一対の金属配線の一方４と第２金属配線８を連結するよ
うに第２絶縁膜５に形成したバイアホール６とを備えた
半導体装置であって、一対の第１金属配線の他方４′と
拡散層２とを内部に露出した別のバイアホール６′を、
第２絶縁膜５から第１絶縁膜３に貫通して形成した。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、半導体装置に関する
ものである。
ものである。
【０００２】
【従来の技術】図面を参照しながら、上記した従来の半
導体装置について説明する。図２は従来の実施例である
半導体装置の断面図である。図２において、１１はシリ
コン基板、１２はＮ+ 拡散層、１３はボロンリン珪酸ガ
ラス膜、１４，１４′は第１アルミニウム配線、１５は
プラズマＴＥＯＳ酸化膜、１６はバイアホール、１７は
タングステン膜、１８は第２アルミニウム配線、１９は
プラズマ窒化珪素膜、２０はコンタクトホールである。
導体装置について説明する。図２は従来の実施例である
半導体装置の断面図である。図２において、１１はシリ
コン基板、１２はＮ+ 拡散層、１３はボロンリン珪酸ガ
ラス膜、１４，１４′は第１アルミニウム配線、１５は
プラズマＴＥＯＳ酸化膜、１６はバイアホール、１７は
タングステン膜、１８は第２アルミニウム配線、１９は
プラズマ窒化珪素膜、２０はコンタクトホールである。
【０００３】第２アルミニウム配線１８と第１アルミニ
ウム配線１４はバイアホール１６に堆積したタングステ
ン膜１７により接続されている。また、第１アルミニウ
ム配線１４′とＮ+ 拡散層１２はコンタクトホール２０
に堆積したタングステン膜１７により接続されている。
製造時には、シリコン基板１１にボロンリン珪酸ガラス
膜１３を積層した後、ボロンリン珪酸ガラス膜１３にＮ
+ 拡散層１２へのコンタクトホール２０を形成してこれ
にタングステン膜１７を堆積する。そして、ボロンリン
珪酸ガラス膜１３上の、タングステン膜１７の位置およ
びこれから離間した位置にそれぞれ第１アルミニウム配
線１４′，１４を形成しその上からプラズマＴＥＯＳ酸
化膜１５を積層する。プラズマＴＥＯＳ酸化膜１５に第
１アルミニウム配線１４へのバイアホール１６を形成し
てこれにタングステン膜１７を堆積する。そして、プラ
ズマＴＥＯＳ酸化膜１５上のバイアホール１６の位置に
第２アルミニウム配線１８を形成してその上からプラズ
マ窒化珪素膜１９を積層する。
ウム配線１４はバイアホール１６に堆積したタングステ
ン膜１７により接続されている。また、第１アルミニウ
ム配線１４′とＮ+ 拡散層１２はコンタクトホール２０
に堆積したタングステン膜１７により接続されている。
製造時には、シリコン基板１１にボロンリン珪酸ガラス
膜１３を積層した後、ボロンリン珪酸ガラス膜１３にＮ
+ 拡散層１２へのコンタクトホール２０を形成してこれ
にタングステン膜１７を堆積する。そして、ボロンリン
珪酸ガラス膜１３上の、タングステン膜１７の位置およ
びこれから離間した位置にそれぞれ第１アルミニウム配
線１４′，１４を形成しその上からプラズマＴＥＯＳ酸
化膜１５を積層する。プラズマＴＥＯＳ酸化膜１５に第
１アルミニウム配線１４へのバイアホール１６を形成し
てこれにタングステン膜１７を堆積する。そして、プラ
ズマＴＥＯＳ酸化膜１５上のバイアホール１６の位置に
第２アルミニウム配線１８を形成してその上からプラズ
マ窒化珪素膜１９を積層する。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の半導体装置では、コンタクトホール２０とバイアホ
ール１６を別々に形成する必要があるため、製造工程数
が増えて生産性の低下を招いていた。また、これに伴い
半導体デバイスの製造コストが上昇するという問題があ
った。
来の半導体装置では、コンタクトホール２０とバイアホ
ール１６を別々に形成する必要があるため、製造工程数
が増えて生産性の低下を招いていた。また、これに伴い
半導体デバイスの製造コストが上昇するという問題があ
った。
【０００５】したがって、この発明の目的は、生産性の
向上を図るとともに半導体デバイスの製造コストを低減
できる半導体装置を提供することである。
向上を図るとともに半導体デバイスの製造コストを低減
できる半導体装置を提供することである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】請求項１記載の半導体装
置は、表面に拡散層が形成された半導体基板と、この半
導体基板に積層した第１絶縁膜と、この第１絶縁膜の上
に離間して形成された一対の第１金属配線と、これらの
第１金属配線を埋設した第２絶縁膜と、一対の第１金属
配線の一方に対応した第２絶縁膜の上に形成した第２金
属配線と、一対の金属配線の一方と第２金属配線を連結
するように第２絶縁膜に形成したバイアホールとを備え
た半導体装置であって、一対の第１金属配線の他方と拡
散層とを内部に露出した別のバイアホールを、第２絶縁
膜から第１絶縁膜に貫通して形成したことを特徴とする
ものである。
置は、表面に拡散層が形成された半導体基板と、この半
導体基板に積層した第１絶縁膜と、この第１絶縁膜の上
に離間して形成された一対の第１金属配線と、これらの
第１金属配線を埋設した第２絶縁膜と、一対の第１金属
配線の一方に対応した第２絶縁膜の上に形成した第２金
属配線と、一対の金属配線の一方と第２金属配線を連結
するように第２絶縁膜に形成したバイアホールとを備え
た半導体装置であって、一対の第１金属配線の他方と拡
散層とを内部に露出した別のバイアホールを、第２絶縁
膜から第１絶縁膜に貫通して形成したことを特徴とする
ものである。
【０００７】請求項２記載の半導体装置は、半導体基板
と、この半導体基板に積層した第１絶縁膜と、この第１
絶縁膜の上に離間して形成された一対の第１金属配線
と、これらの第１金属配線を埋設した第２絶縁膜と、一
対の第１金属配線の一方に対応した第２絶縁膜の上に形
成した第２金属配線と、一対の金属配線の一方と第２金
属配線を連結するように第２絶縁膜に形成したバイアホ
ールとを備えた半導体装置であって、一対の第１金属配
線の他方とこの第１金属配線より下層に形成された配線
とを内部に露出した別のバイアホールを、第２絶縁膜か
ら第１絶縁膜に貫通して形成したことを特徴とするもの
である。
と、この半導体基板に積層した第１絶縁膜と、この第１
絶縁膜の上に離間して形成された一対の第１金属配線
と、これらの第１金属配線を埋設した第２絶縁膜と、一
対の第１金属配線の一方に対応した第２絶縁膜の上に形
成した第２金属配線と、一対の金属配線の一方と第２金
属配線を連結するように第２絶縁膜に形成したバイアホ
ールとを備えた半導体装置であって、一対の第１金属配
線の他方とこの第１金属配線より下層に形成された配線
とを内部に露出した別のバイアホールを、第２絶縁膜か
ら第１絶縁膜に貫通して形成したことを特徴とするもの
である。
【０００８】
【作用】請求項１の構成によれば、一対の第１金属配線
の他方と拡散層とを内部に露出した別のバイアホール
を、第２絶縁膜から第１絶縁膜に貫通して形成したの
で、一対の第１金属配線の一方と第２金属配線を接続す
るバイアホールを酸化膜に形成する際に同時に上記別の
バイアホールを形成できる。このため、従来のようにコ
ンタクトホールとバイアホールを別々に形成することが
なく、製造工程が少なくなり生産性の向上を図ることが
できる。
の他方と拡散層とを内部に露出した別のバイアホール
を、第２絶縁膜から第１絶縁膜に貫通して形成したの
で、一対の第１金属配線の一方と第２金属配線を接続す
るバイアホールを酸化膜に形成する際に同時に上記別の
バイアホールを形成できる。このため、従来のようにコ
ンタクトホールとバイアホールを別々に形成することが
なく、製造工程が少なくなり生産性の向上を図ることが
できる。
【０００９】請求項２の構成によれば、一対の第１金属
配線の他方とこの第１金属配線より下層に形成された配
線とを内部に露出した別のバイアホールを、第２絶縁膜
から第１絶縁膜に貫通して形成したので、請求項１と同
様の作用が得られる。
配線の他方とこの第１金属配線より下層に形成された配
線とを内部に露出した別のバイアホールを、第２絶縁膜
から第１絶縁膜に貫通して形成したので、請求項１と同
様の作用が得られる。
【００１０】
【実施例】この発明の一実施例の半導体装置を図１に基
づいて説明する。図１はこの発明の実施例である半導体
装置の断面図である。図１において、１はシリコン基板
（半導体基板）、２はＮ+ 拡散層、３はボロンリン珪酸
ガラス膜（第１絶縁膜）、４，４′は第１アルミニウム
配線（第１金属配線）、５はプラズマＴＥＯＳ酸化膜
（第２絶縁膜）、６，６′はバイアホール、７はタング
ステン膜、８は第２アルミニウム配線（第２金属配
線）、９はプラズマ窒化珪素膜である。
づいて説明する。図１はこの発明の実施例である半導体
装置の断面図である。図１において、１はシリコン基板
（半導体基板）、２はＮ+ 拡散層、３はボロンリン珪酸
ガラス膜（第１絶縁膜）、４，４′は第１アルミニウム
配線（第１金属配線）、５はプラズマＴＥＯＳ酸化膜
（第２絶縁膜）、６，６′はバイアホール、７はタング
ステン膜、８は第２アルミニウム配線（第２金属配
線）、９はプラズマ窒化珪素膜である。
【００１１】第２アルミニウム配線８と第１アルミニウ
ム配線４はバイアホール６に堆積したタングステン膜７
により接続されている。また、第１アルミニウム配線
４′とＮ+ 拡散層２も別のバイアホール６′に堆積した
タングステン膜７により接続されている。また、このバ
イアホール６′上には第２アルミニウム配線８は設置さ
れていない。
ム配線４はバイアホール６に堆積したタングステン膜７
により接続されている。また、第１アルミニウム配線
４′とＮ+ 拡散層２も別のバイアホール６′に堆積した
タングステン膜７により接続されている。また、このバ
イアホール６′上には第２アルミニウム配線８は設置さ
れていない。
【００１２】製造時には、シリコン基板１にボロンリン
珪酸ガラス膜３を積層する。ボロンリン珪酸ガラス膜３
上の離間した位置に一対の第１アルミニウム配線４，
４′を形成する。このとき、第１アルミニウム配線４′
は、Ｎ+ 拡散層２に対応する位置に隣接して配置する。
そして、ボロンリン珪酸ガラス膜３にプラズマＴＥＯＳ
酸化膜５を積層し、一対の第１アルミニウム配線４，
４′を埋設する。
珪酸ガラス膜３を積層する。ボロンリン珪酸ガラス膜３
上の離間した位置に一対の第１アルミニウム配線４，
４′を形成する。このとき、第１アルミニウム配線４′
は、Ｎ+ 拡散層２に対応する位置に隣接して配置する。
そして、ボロンリン珪酸ガラス膜３にプラズマＴＥＯＳ
酸化膜５を積層し、一対の第１アルミニウム配線４，
４′を埋設する。
【００１３】この後、ブラズマＴＥＯＳ酸化膜５に第１
アルミニウム配線４へのバイアホール６を形成するとと
もに、第１アルミニウム配線４′とＮ+ 拡散層２とを内
部に露出した別のバイアホール６′を、ブラズマＴＥＯ
Ｓ酸化膜５からボロンリン珪酸ガラス膜３に貫通して形
成する。両バイアホール６，６′にタングステン膜７を
堆積する。そして、プラズマＴＥＯＳ酸化膜５上の一方
のバイアホール６の位置に第２アルミニウム配線８を形
成してその上からプラズマ窒化珪素膜９を積層する。
アルミニウム配線４へのバイアホール６を形成するとと
もに、第１アルミニウム配線４′とＮ+ 拡散層２とを内
部に露出した別のバイアホール６′を、ブラズマＴＥＯ
Ｓ酸化膜５からボロンリン珪酸ガラス膜３に貫通して形
成する。両バイアホール６，６′にタングステン膜７を
堆積する。そして、プラズマＴＥＯＳ酸化膜５上の一方
のバイアホール６の位置に第２アルミニウム配線８を形
成してその上からプラズマ窒化珪素膜９を積層する。
【００１４】この実施例では、第１アルミニウム配線
４′とＮ+ 拡散層２とを内部に露出したバイアホール
６′を形成したので、従来より別に設けていたコンタク
トホールの形成工程を省略することができる。また、バ
イアホール６，６′を埋め込むためのタングステン膜７
の密着層を図の簡略化のために省略しているが、タング
ステン膜７の下層に窒化チタン膜やチタン膜等を形成し
た場合も、同様の効果が得られることは明らかである。
４′とＮ+ 拡散層２とを内部に露出したバイアホール
６′を形成したので、従来より別に設けていたコンタク
トホールの形成工程を省略することができる。また、バ
イアホール６，６′を埋め込むためのタングステン膜７
の密着層を図の簡略化のために省略しているが、タング
ステン膜７の下層に窒化チタン膜やチタン膜等を形成し
た場合も、同様の効果が得られることは明らかである。
【００１５】また、第１アルミニウム配線４′とＮ+ 拡
散層２とを内部に露出したバイアホール６′について述
べたが、第１アルミニウム配線４′とこの第１アルミニ
ウム配線４′より下層に形成された配線とを内部に露出
したバイアホール６′を、プラズマＴＥＯＳ酸化膜５か
らボロンリン珪酸ガラス膜３に貫通して形成してもよ
い。例えば、Ｎ+ 拡散層２が、Ｐ+ 拡散層、ポリシリコ
ン膜、タングステンシリサイド膜とポリシリコン膜の２
層膜（ポリサイド）、高融点金属のシリサイド膜、タン
グステン膜、アルミニウム配線等の場合も上記実施例と
同様の効果が得られる。
散層２とを内部に露出したバイアホール６′について述
べたが、第１アルミニウム配線４′とこの第１アルミニ
ウム配線４′より下層に形成された配線とを内部に露出
したバイアホール６′を、プラズマＴＥＯＳ酸化膜５か
らボロンリン珪酸ガラス膜３に貫通して形成してもよ
い。例えば、Ｎ+ 拡散層２が、Ｐ+ 拡散層、ポリシリコ
ン膜、タングステンシリサイド膜とポリシリコン膜の２
層膜（ポリサイド）、高融点金属のシリサイド膜、タン
グステン膜、アルミニウム配線等の場合も上記実施例と
同様の効果が得られる。
【００１６】
【発明の効果】請求項１の半導体装置によれば、一対の
第１金属配線の他方と拡散層とを内部に露出した別のバ
イアホールを、第２絶縁膜から第１絶縁膜に貫通して形
成したので、一対の第１金属配線の一方と第２金属配線
を接続するバイアホールを酸化膜に形成する際に同時に
上記別のバイアホールを形成できる。このため、従来の
ようにコンタクトホールとバイアホールを別々に形成す
ることがなく、製造工程が少なくなり生産性の向上を図
ることができる。また、これに伴い半導体デバイスの製
造コストを低減できる。
第１金属配線の他方と拡散層とを内部に露出した別のバ
イアホールを、第２絶縁膜から第１絶縁膜に貫通して形
成したので、一対の第１金属配線の一方と第２金属配線
を接続するバイアホールを酸化膜に形成する際に同時に
上記別のバイアホールを形成できる。このため、従来の
ようにコンタクトホールとバイアホールを別々に形成す
ることがなく、製造工程が少なくなり生産性の向上を図
ることができる。また、これに伴い半導体デバイスの製
造コストを低減できる。
【００１７】請求項２の半導体装置によれば、一対の第
１金属配線の他方とこの第１金属配線より下層に形成さ
れた配線とを内部に露出した別のバイアホールを、第２
絶縁膜から第１絶縁膜に貫通して形成したので、請求項
１と同様の効果が得られる。
１金属配線の他方とこの第１金属配線より下層に形成さ
れた配線とを内部に露出した別のバイアホールを、第２
絶縁膜から第１絶縁膜に貫通して形成したので、請求項
１と同様の効果が得られる。
【図１】この発明の一実施例の半導体装置の断面図であ
る。
る。
【図２】従来例の半導体装置の断面図である。
１ シリコン基板（半導体基板） ２ Ｎ+ 拡散層 ３ ボロンリン珪酸ガラス膜（第１絶縁膜） ４，４′第１アルミニウム配線（第１金属配線） ５ プラズマＴＥＯＳ酸化膜（第２絶縁膜） ６，６′バイアホール ７ タングステン膜 ８ 第２アルミニウム配線（第２金属配線） ９ プラズマ窒化珪素膜
Claims (2)
- 【請求項１】 表面に拡散層が形成された半導体基板
と、この半導体基板に積層した第１絶縁膜と、この第１
絶縁膜の上に離間して形成された一対の第１金属配線
と、これらの第１金属配線を埋設した第２絶縁膜と、前
記一対の第１金属配線の一方に対応した前記第２絶縁膜
の上に形成した第２金属配線と、前記一対の金属配線の
一方と前記第２金属配線を連結するように前記第２絶縁
膜に形成したバイアホールとを備えた半導体装置であっ
て、前記一対の第１金属配線の他方と前記拡散層とを内
部に露出した別のバイアホールを、前記第２絶縁膜から
前記第１絶縁膜に貫通して形成したことを特徴とする半
導体装置。 - 【請求項２】 半導体基板と、この半導体基板に積層し
た第１絶縁膜と、この第１絶縁膜の上に離間して形成さ
れた一対の第１金属配線と、これらの第１金属配線を埋
設した第２絶縁膜と、前記一対の第１金属配線の一方に
対応した前記第２絶縁膜の上に形成した第２金属配線
と、前記一対の金属配線の一方と前記第２金属配線を連
結するように前記第２絶縁膜に形成したバイアホールと
を備えた半導体装置であって、前記一対の第１金属配線
の他方とこの第１金属配線より下層に形成された配線と
を内部に露出した別のバイアホールを、前記第２絶縁膜
から前記第１絶縁膜に貫通して形成したことを特徴とす
る半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7482595A JPH08274169A (ja) | 1995-03-31 | 1995-03-31 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7482595A JPH08274169A (ja) | 1995-03-31 | 1995-03-31 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08274169A true JPH08274169A (ja) | 1996-10-18 |
Family
ID=13558488
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7482595A Pending JPH08274169A (ja) | 1995-03-31 | 1995-03-31 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08274169A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5977593A (en) * | 1996-11-28 | 1999-11-02 | Nec Corporation | Semiconductor device and method of manufacturing the same |
| JP2008283188A (ja) * | 2007-05-10 | 2008-11-20 | Dongbu Hitek Co Ltd | 半導体素子及びその製造方法 |
-
1995
- 1995-03-31 JP JP7482595A patent/JPH08274169A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5977593A (en) * | 1996-11-28 | 1999-11-02 | Nec Corporation | Semiconductor device and method of manufacturing the same |
| JP2008283188A (ja) * | 2007-05-10 | 2008-11-20 | Dongbu Hitek Co Ltd | 半導体素子及びその製造方法 |
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