JPH08274000A - 露光方法 - Google Patents
露光方法Info
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- JPH08274000A JPH08274000A JP7072593A JP7259395A JPH08274000A JP H08274000 A JPH08274000 A JP H08274000A JP 7072593 A JP7072593 A JP 7072593A JP 7259395 A JP7259395 A JP 7259395A JP H08274000 A JPH08274000 A JP H08274000A
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70425—Imaging strategies, e.g. for increasing throughput or resolution, printing product fields larger than the image field or compensating lithography- or non-lithography errors, e.g. proximity correction, mix-and-match, stitching or double patterning
-
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- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
- G03F7/2022—Multi-step exposure, e.g. hybrid; backside exposure; blanket exposure, e.g. for image reversal; edge exposure, e.g. for edge bead removal; corrective exposure
- G03F7/2026—Multi-step exposure, e.g. hybrid; backside exposure; blanket exposure, e.g. for image reversal; edge exposure, e.g. for edge bead removal; corrective exposure for the removal of unwanted material, e.g. image or background correction
- G03F7/2028—Multi-step exposure, e.g. hybrid; backside exposure; blanket exposure, e.g. for image reversal; edge exposure, e.g. for edge bead removal; corrective exposure for the removal of unwanted material, e.g. image or background correction of an edge bead on wafers
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- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】ウェハの周辺部のフォトレジストを除去する
際、露光装置の処理能力の低下を最小限にし、コストの
削減を行う。 【構成】縮小投影露光装置を用いてウェハ上のパターン
形成部にパターンを形成し、パターンの形成されないウ
ェハ周辺部のフォトレジストを除去したい場合に、レチ
クル交換無しでパターン形成用のレチクル1枚のみを用
いる。ウェハ周辺部を露光する場合に、パターン形成部
の露光と同様のレチクル領域を用いて、露光条件をパタ
ーン形成時と大きく変更し露光する。
際、露光装置の処理能力の低下を最小限にし、コストの
削減を行う。 【構成】縮小投影露光装置を用いてウェハ上のパターン
形成部にパターンを形成し、パターンの形成されないウ
ェハ周辺部のフォトレジストを除去したい場合に、レチ
クル交換無しでパターン形成用のレチクル1枚のみを用
いる。ウェハ周辺部を露光する場合に、パターン形成部
の露光と同様のレチクル領域を用いて、露光条件をパタ
ーン形成時と大きく変更し露光する。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、露光方法に関し、特に
紫外線を用いた半導体基板への露光方法に関する。
紫外線を用いた半導体基板への露光方法に関する。
【0002】
【従来の技術】半導体集積回路では、半導体基板(以下
ウェハとする)上のパターン形成において露光装置が使
用される。
ウェハとする)上のパターン形成において露光装置が使
用される。
【0003】図5は露光装置の一例を示すもので、縮小
投影露光装置の概略を示している。露光光1は、光源2
から反射鏡3,フライアイレンズ4,アパーチャー絞り
5,レチクルブラインド9,コンデンサレンズ6,レチ
クル7,投影レンズ8を通ってウェハステージ10上の
ウェハ11に所望の露光量だけ照射される。これをウェ
ハステージ駆動部12によりウェハステージ11を移動
させることにより、ウェハ11全面にレチクル8上のパ
ターンが繰り返し露光される。
投影露光装置の概略を示している。露光光1は、光源2
から反射鏡3,フライアイレンズ4,アパーチャー絞り
5,レチクルブラインド9,コンデンサレンズ6,レチ
クル7,投影レンズ8を通ってウェハステージ10上の
ウェハ11に所望の露光量だけ照射される。これをウェ
ハステージ駆動部12によりウェハステージ11を移動
させることにより、ウェハ11全面にレチクル8上のパ
ターンが繰り返し露光される。
【0004】図6は、レチクル7の形状を示す図であ
る。
る。
【0005】レチクルは、1チップないし、数チップ分
の回路パターンを有している。図6で示されるレチクル
7は、2チップ分の回路パターンと、ウェハ上で隣接ペ
レットに光が漏れないようにするための遮光帯17を有
している。
の回路パターンを有している。図6で示されるレチクル
7は、2チップ分の回路パターンと、ウェハ上で隣接ペ
レットに光が漏れないようにするための遮光帯17を有
している。
【0006】従来、ポジ型フォトレジストを用い、縮小
投影露光装置により、ウェハ11上の図7に破線で示す
ような領域のパターン形成部13にレチクル7のパター
ンを露光すると同時に、パターンが形成されないウェハ
周辺部14のフォトレジストを除去したい場合には、以
下のような露光方法を用いていた。
投影露光装置により、ウェハ11上の図7に破線で示す
ような領域のパターン形成部13にレチクル7のパター
ンを露光すると同時に、パターンが形成されないウェハ
周辺部14のフォトレジストを除去したい場合には、以
下のような露光方法を用いていた。
【0007】図8に従来の露光方法のフロー図を示す。
はじめに、パターン付きのレチクル7を露光装置ヘロー
ディングし、ポジ型フォトレジストが塗布されたウェハ
11においてウェハアライメントを行い、パターン形成
部をステップアンドリピートにて全面を露光する。次に
レチクルをブランクレチクル(露光1ショット分の光が
全面透過するレチクル)に交換し、再度ウェハアライメ
ントを行い、ウェハ周辺部をステップアンドリピートに
て全面を露光し、ウェハを現像することで、ウェハ周辺
部のフォトレジストが除去され、パターン形成部にパタ
ーンが形成されたウェハが得られる。
はじめに、パターン付きのレチクル7を露光装置ヘロー
ディングし、ポジ型フォトレジストが塗布されたウェハ
11においてウェハアライメントを行い、パターン形成
部をステップアンドリピートにて全面を露光する。次に
レチクルをブランクレチクル(露光1ショット分の光が
全面透過するレチクル)に交換し、再度ウェハアライメ
ントを行い、ウェハ周辺部をステップアンドリピートに
て全面を露光し、ウェハを現像することで、ウェハ周辺
部のフォトレジストが除去され、パターン形成部にパタ
ーンが形成されたウェハが得られる。
【0008】しかしながらこの露光方法は、以下のよう
な問題点があった。すなわち、レチクルを2枚用いるた
めにレチクル交換(1回当たり約5分)およびウェハア
ライメントの時間(ウェハ1枚当たり約1分)がかか
り、露光装置の処理能力が低下してしまう。さらに、ブ
ランクレチクルが必要であり、コストも高くなってしま
うという欠点があった。
な問題点があった。すなわち、レチクルを2枚用いるた
めにレチクル交換(1回当たり約5分)およびウェハア
ライメントの時間(ウェハ1枚当たり約1分)がかか
り、露光装置の処理能力が低下してしまう。さらに、ブ
ランクレチクルが必要であり、コストも高くなってしま
うという欠点があった。
【0009】そこで、この欠点を解決する手段として、
特開平2−62541号公報に示されるように、同一レ
チクル内にパターン部とブランク部の両方のチップを設
け、レチクル交換なしで1枚のレチクルでパターン部と
ウェハ周辺部の両方を露光する方法が提案されている。
特開平2−62541号公報に示されるように、同一レ
チクル内にパターン部とブランク部の両方のチップを設
け、レチクル交換なしで1枚のレチクルでパターン部と
ウェハ周辺部の両方を露光する方法が提案されている。
【0010】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、この場
合は、複数のチップが1枚のレチクルに形成される必要
があり、1枚のレチクルに1チップしか形成されない場
合には対応できなかった。
合は、複数のチップが1枚のレチクルに形成される必要
があり、1枚のレチクルに1チップしか形成されない場
合には対応できなかった。
【0011】さらに、ブランク部を設けたことにより1
露光において、露光できるチップ数が減ってしまい、そ
の結果、露光装置の処理能力が低下してしまうという欠
点があった。
露光において、露光できるチップ数が減ってしまい、そ
の結果、露光装置の処理能力が低下してしまうという欠
点があった。
【0012】例えば、1枚のレチクルに2枚のチップパ
ターン部を有していれば、100パターンを作成するの
に、50回露光すればよいが、1枚のレチクルにチップ
パターン部とブランク部を設けた構成では100回露光
しなげればならないという問題点があった。
ターン部を有していれば、100パターンを作成するの
に、50回露光すればよいが、1枚のレチクルにチップ
パターン部とブランク部を設けた構成では100回露光
しなげればならないという問題点があった。
【0013】本発明の目的は、上記に鑑み、露光装置の
処理能力を低下させること無く、コストを高くすること
もない露光方法を提供することである。
処理能力を低下させること無く、コストを高くすること
もない露光方法を提供することである。
【0014】
【課題を解決するための手段】本発明による露光方法
は、半導体ウェハにチップの一部として転写すべきレチ
クルのパターンを用い、このパターンで半導体ウェハと
のチップ形成部分以外の周辺部を、チップ形成時の露光
条件とは異なる条件で露出することを特徴としている。
は、半導体ウェハにチップの一部として転写すべきレチ
クルのパターンを用い、このパターンで半導体ウェハと
のチップ形成部分以外の周辺部を、チップ形成時の露光
条件とは異なる条件で露出することを特徴としている。
【0015】
【作用】このように本願発明では、チップとして転写す
べきパターンそのものを用いてチップ周辺部を露光する
ようにしている。ただし、その露光条件を異ならせてお
り、したがって、周辺部に不所望なパターンの形成は生
じない。よって、レチクルに周辺露光用のパターンを付
加する必要はない。また、専用のレチクルも必要ない。
べきパターンそのものを用いてチップ周辺部を露光する
ようにしている。ただし、その露光条件を異ならせてお
り、したがって、周辺部に不所望なパターンの形成は生
じない。よって、レチクルに周辺露光用のパターンを付
加する必要はない。また、専用のレチクルも必要ない。
【0016】
[実施例1]次に本発明の実施例について図面を参照し
て説明する。図1には本発明の露光方法における、実施
例1の、フロー図を示す。
て説明する。図1には本発明の露光方法における、実施
例1の、フロー図を示す。
【0017】はじめに、パターン付きのレチクル8を露
光装置へローディングし、ポジ型フォトレジストが塗布
されたウェハ11においてウェハアライメントを行い、
パターン形成部13全面を露光する。次に、同一レチク
ルを用い、フォーカスをパターンが形成されない位に上
または下に5〜10μmずらし、ウェハ周辺部14全面
を露光し、ウェハを現像することで、ウェハ周辺部14
のフォトレジストが除去され、パターン形成部13にパ
ターンが形成されたウェハが得られる。
光装置へローディングし、ポジ型フォトレジストが塗布
されたウェハ11においてウェハアライメントを行い、
パターン形成部13全面を露光する。次に、同一レチク
ルを用い、フォーカスをパターンが形成されない位に上
または下に5〜10μmずらし、ウェハ周辺部14全面
を露光し、ウェハを現像することで、ウェハ周辺部14
のフォトレジストが除去され、パターン形成部13にパ
ターンが形成されたウェハが得られる。
【0018】ウェハ周辺部14を露光するときに露光光
がパターン周辺部に漏れないように、可動レチクルブラ
インド9をフォーカスをずらした状態でのウェハ上に結
像するように光軸方向に移動させる。このレチクルブラ
インド9は任意の大きさの長方形に変えることができ、
通常はフォーカス位置に結像するような位置に設定され
ている。
がパターン周辺部に漏れないように、可動レチクルブラ
インド9をフォーカスをずらした状態でのウェハ上に結
像するように光軸方向に移動させる。このレチクルブラ
インド9は任意の大きさの長方形に変えることができ、
通常はフォーカス位置に結像するような位置に設定され
ている。
【0019】[実施例2]次に本発明の実施例2につい
て図面を参照して説明する。図2には本発明の露光方法
における、実施例2の、フロー図を示す。
て図面を参照して説明する。図2には本発明の露光方法
における、実施例2の、フロー図を示す。
【0020】はじめに、パターン付きのレチクル8を露
光装置へローディングし、ポジ型フォトレジストが塗布
されたウェハ11においてウェハアライメントを行い、
パターン形成部13全面を露光する。次に、同一レチク
ルを用い、ウェハ周辺部14全面をパターンが形成でき
ないほどの、パターン形成時の5倍程度の露光量で露光
し、ウェハ11を現像することで、ウェハ周辺部14の
フォトレジストが除去され、パターン形成部13にパタ
ーンが形成されたウェハが得られる。これは、パターン
形成部が形成されているレチクルであっても通常レジス
トが露光されない程度に、パターン部以外にも光がもれ
ている。そこで、露光量を増やすことにより、このもれ
光を利用してウェハ周辺部14を露光する方式である。
光装置へローディングし、ポジ型フォトレジストが塗布
されたウェハ11においてウェハアライメントを行い、
パターン形成部13全面を露光する。次に、同一レチク
ルを用い、ウェハ周辺部14全面をパターンが形成でき
ないほどの、パターン形成時の5倍程度の露光量で露光
し、ウェハ11を現像することで、ウェハ周辺部14の
フォトレジストが除去され、パターン形成部13にパタ
ーンが形成されたウェハが得られる。これは、パターン
形成部が形成されているレチクルであっても通常レジス
トが露光されない程度に、パターン部以外にも光がもれ
ている。そこで、露光量を増やすことにより、このもれ
光を利用してウェハ周辺部14を露光する方式である。
【0021】[実施例3]次に本発明の実施例3につい
て図面を参照して説明する。図3には本発明の露光方法
における、実施例3の、フロー図を示す。
て図面を参照して説明する。図3には本発明の露光方法
における、実施例3の、フロー図を示す。
【0022】はじめに、パターン付きのレチクル8を露
光装置へローディングし、ポジ型フォトレジストが塗布
されたウェハ11においてウェハアライメントを行い、
パターン形成部13全面を露光する。次に、同一レチク
ルを用い、ウェハ11を最大パターン寸法以上の範囲に
2μm程度ウェハのオリエンテーションフラット15と
平行方向と垂直方向の2回移動させながら、ウェハ周辺
部14を露光する。例えば、図7において、Aに示され
ている部分を露光するならば、パターン形成部が露光さ
れないように、下へ2回、もどって右へ2回またはその
逆の順番で移動させて露光する。他の場所では、そのパ
ターン形成部の位置によってそれぞれ対応して露光され
る。その後、ウェハを現像することで、ウェハ周辺部1
4のフォトレジストが除去され、パターン形成部13に
パターンが形成されたウェハが得られる。
光装置へローディングし、ポジ型フォトレジストが塗布
されたウェハ11においてウェハアライメントを行い、
パターン形成部13全面を露光する。次に、同一レチク
ルを用い、ウェハ11を最大パターン寸法以上の範囲に
2μm程度ウェハのオリエンテーションフラット15と
平行方向と垂直方向の2回移動させながら、ウェハ周辺
部14を露光する。例えば、図7において、Aに示され
ている部分を露光するならば、パターン形成部が露光さ
れないように、下へ2回、もどって右へ2回またはその
逆の順番で移動させて露光する。他の場所では、そのパ
ターン形成部の位置によってそれぞれ対応して露光され
る。その後、ウェハを現像することで、ウェハ周辺部1
4のフォトレジストが除去され、パターン形成部13に
パターンが形成されたウェハが得られる。
【0023】[実施例4]次に本発明の実施例4につい
て図面を参照して説明する。図4には本発明の露光方法
における、実施例4の、フロー図を示す。
て図面を参照して説明する。図4には本発明の露光方法
における、実施例4の、フロー図を示す。
【0024】はじめに、パターン付きのレチクル8を露
光装置へローディングし、ポジ型フォトレジストが塗布
されたウェハ11においてウェハアライメントを行い、
パターン形成部13全面を露光する。次に、同一レチク
ルを用い、レチクル8を最大パターン寸法以上の範囲
に、例えば1/5の縮小投影率では10μm程度ウェハ
のオリエンテーションフラットと平行方向と垂直方向の
2回移動させながら、ウェハ周辺部14を露光する。こ
の場合ウェハを2μm程度移動させる実施例3と同じ効
果が得られる。その後、ウェハを現像することで、ウェ
ハ周辺部14のフォトレジストが除去され、パターン形
成部13にパターンが形成されたウェハが得られる。
光装置へローディングし、ポジ型フォトレジストが塗布
されたウェハ11においてウェハアライメントを行い、
パターン形成部13全面を露光する。次に、同一レチク
ルを用い、レチクル8を最大パターン寸法以上の範囲
に、例えば1/5の縮小投影率では10μm程度ウェハ
のオリエンテーションフラットと平行方向と垂直方向の
2回移動させながら、ウェハ周辺部14を露光する。こ
の場合ウェハを2μm程度移動させる実施例3と同じ効
果が得られる。その後、ウェハを現像することで、ウェ
ハ周辺部14のフォトレジストが除去され、パターン形
成部13にパターンが形成されたウェハが得られる。
【0025】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によると、
ポジ型フォトレジストを用いて、1枚のレチクルでパタ
ーン形成部にパターンを形成し、ウェハ周辺部のフォト
レジストを除去するための露光を行うことができるの
で、露光装置の処理能力を低下させること無く、コスト
を高くすることもない露光方法を提供することが可能で
ある。
ポジ型フォトレジストを用いて、1枚のレチクルでパタ
ーン形成部にパターンを形成し、ウェハ周辺部のフォト
レジストを除去するための露光を行うことができるの
で、露光装置の処理能力を低下させること無く、コスト
を高くすることもない露光方法を提供することが可能で
ある。
【図1】本発明の実施例1のフロー図である。
【図2】本発明の実施例2のフロー図である。
【図3】本発明の実施例3のフロー図である。
【図4】本発明の実施例4のフロー図である。
【図5】縮小投影露光装置の概略図である。
【図6】レチクルの上面図である。
【図7】ウェハの上面図である。
【図8】従来技術のフロー図である。
1 露光光 2 光源 3 反射鏡 4 フライアイレンズ 5 アパーチャー絞り 6 コンデンサーレンズ 7 レチクル 8 縮小投影レンズ 9 レチクルブラインド 10 ウェハステージ 11 ウェハ 12 ウェハステージ駆動部 13 パターン形成部 14 ウェハ周辺部 15 オリエンテーションフラット
Claims (6)
- 【請求項1】 半導体ウェハにチップの一部として転写
すべきレチクルのパターンを用い、このパターンで半導
体ウェハ上のチップ形成部分以外の周辺部を、チップ形
成時の露光条件とは異なる条件で露光することを特徴と
する露光方法。 - 【請求項2】 半導体基板上にポジ型フォトレジストを
用いてパターンを形成する際に、前記半導体基板のパタ
ーンが形成されない周辺部のフォトレジストを除去する
露光方法において、 前記パターンを形成するレチクルと同一のレチクルで、
且つ同一のレチクル領域を用いたまま前記パターン形成
時と変更した露光条件で半導体装置の周辺部を露光する
ことを特徴とする露光方法。 - 【請求項3】 前記露光条件は、前記半導体基板上に配
線パターンを形成するフォーカスから、前記半導体基板
上に配線パターンが形成されない程度にフォーカスを変
更することであることを特徴とする請求項2記載の露光
方法。 - 【請求項4】 前記露光条件は、前記半導体基板上に配
線パターンが形成されなくなる程度に露光量を増加させ
ることであることを特徴とする請求項2記載の露光方
法。 - 【請求項5】 前記露光条件は、前記半導体周辺部を露
光しながら、前記半導体基板又は前記レチクルを光軸と
直列方向に移動させることであることを特徴とする請求
項2記載の露光方法。 - 【請求項6】 レチクルのパターンを半導体ウェハ上の
ポジ型レジスト層に転写するように露光する工程と、前
記レチクルの前記パターンを前記半導体ウェハの周辺部
分に合わせ、移動し、当該周辺部分上のポジ型レジスト
層を前記パターンが転写されない条件で露光する工程と
を有する露光方法。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7072593A JP2858543B2 (ja) | 1995-03-30 | 1995-03-30 | 露光方法 |
US08/626,238 US5919605A (en) | 1995-03-30 | 1996-03-29 | Semiconductor substrate exposure method |
KR1019960009558A KR100228570B1 (ko) | 1995-03-30 | 1996-03-30 | 반도체 기판 노출 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7072593A JP2858543B2 (ja) | 1995-03-30 | 1995-03-30 | 露光方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH08274000A true JPH08274000A (ja) | 1996-10-18 |
JP2858543B2 JP2858543B2 (ja) | 1999-02-17 |
Family
ID=13493857
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP7072593A Expired - Fee Related JP2858543B2 (ja) | 1995-03-30 | 1995-03-30 | 露光方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5919605A (ja) |
JP (1) | JP2858543B2 (ja) |
KR (1) | KR100228570B1 (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR19990030953A (ko) * | 1997-10-07 | 1999-05-06 | 윤종용 | 웨이퍼 노광방법 |
JP2006278820A (ja) * | 2005-03-30 | 2006-10-12 | Nikon Corp | 露光方法及び装置 |
JP2007019223A (ja) * | 2005-07-07 | 2007-01-25 | Nec Electronics Corp | 半導体装置の製造方法 |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6080533A (en) * | 1998-03-10 | 2000-06-27 | Clear Logic, Inc. | Method of patterning photoresist using precision and non-precision techniques |
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