JP2004266125A - 投影露光装置及び投影露光方法、並びにデバイス製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】円形の基板の外周近傍に未露光部を形成しながら回路バターンを露光する作業のスループットを向上する。
【解決手段】円形マスキングブレード3は、円形の開口を有するプレートで構成され、基板1の外周近傍へ照射される光を遮断して、基板1の外周近傍に未露光部を形成する。1つのショットが終了して基板1をステップ移動するとき、制御装置51は、XY移動機構31を駆動して、基板1と円形マスキングブレード3の開口との相対位置を一定に保つように、円形マスキングブレード3のXY位置を移動する。基板1及び円形マスキングブレード3の移動後、次のショットを行い、これらの動作を繰り返すことによって、基板1全体が露光される。
【選択図】 図1
【解決手段】円形マスキングブレード3は、円形の開口を有するプレートで構成され、基板1の外周近傍へ照射される光を遮断して、基板1の外周近傍に未露光部を形成する。1つのショットが終了して基板1をステップ移動するとき、制御装置51は、XY移動機構31を駆動して、基板1と円形マスキングブレード3の開口との相対位置を一定に保つように、円形マスキングブレード3のXY位置を移動する。基板1及び円形マスキングブレード3の移動後、次のショットを行い、これらの動作を繰り返すことによって、基板1全体が露光される。
【選択図】 図1
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、デバイス製造工程で回路パターンの形成に用いられる投影露光装置及び投影露光方法、並びにそれらを用いたデバイス製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
IC,LSI等の半導体デバイスや液晶パネル等の表示デバイスの製造工程では、いわゆるフォトリソグラフィー技術を用いて、回路パターンを形成している。フォトリソグラフィー技術では、投影露光装置を用いて、レチクルやフォトマスク(以下、これらを総称して「マスク」と呼ぶ)に形成されたパターンを、感光材料(レジスト)を塗布した半導体ウェーハ等の基板上へ転写する。そして、現像処理によってレジストパターンを形成し、さらに、このレジストパターンをマスクとしてドライエッチングにより回路パターンを形成する。
【0003】
図12は、従来のステップ式投影露光装置の概略構成を示す図である。ステップ式投影露光装置は、基板のステップ移動と静止状態での露光とを繰り返し(ステップアンドリピート)、マスクのパターンを基板上に繰り返し露光するものであり、一般にステッパと呼ばれている。図12では、基板上に既に形成された回路パターンとマスクのパターンとをアライメントするための光学系やアライメント機構等は、省略されている。
【0004】
マスク2は、図示しない搬送機構によって、図示しないマスクステージ上に搭載される。マスクステージ上に搭載されたマスク2は、図示しないアライメント機構によって、正確に位置決めされる。
【0005】
半導体ウェーハ等の基板1は、図示しない搬送機構によって、予めプリアライメントされた後、基板チャック5上に搭載される。基板チャック5上に搭載された基板1は、図示しないアライメント機構によって、正確にアライメントされる。
【0006】
シャッター13を一定時間開くと、水銀ランプ10aで発生した光は、楕円鏡11で集光され、ミラー12で反射して、フライアイレンズ14へ入射する。フライアイレンズ14で均一化された光は、照明σ絞り15を通過して、照明コンデンサーレンズ16からマスキングブレード4へ照射される。マスキングブレード4を通過した光は、ミラー17で反射して、照明結像レンズ18からマスク2へ照射される。
【0007】
ここで、マスキングブレード面とマスク面とは、照明結像レンズ18を介して共役な位置関係にあり、マスキングブレード4を通過した光の領域のみが正確にマスク面へ照射される。マスク2を透過した光は、投影レンズ19から基板1へ照射され、これによりマスク2のパターンが基板1上に投影露光される。
【0008】
シャッター13は、基板1へ照射される光の量を制御するためのものであり、露光量が一定となるように開閉時間が制御される。また、照明σ絞り15は、基板1上に投影されるマスク2のパターンの像のコントラストを最適に設定するための絞りであり、通常、パーシャルコヒーレンシーσ=0.6程度に設定される。
【0009】
マスキングブレード4は、投影露光領域を決定するための絞りであり、通常、4枚の可動プレートで構成され、矩形の開口を自由に設定することができる。一般に、ステップ式投影露光装置の投影露光領域は、基板1の面積と比較して相対的に小さく、1回の露光で基板1全体を露光することはできない。そこで、1つの投影露光領域の露光が終了すると、基板チャック5の下方に設けたXYZθステージ6を駆動して基板1のXY位置をステップ移動した後、再度露光を行う。これらの動作を繰り返すことによって、基板1全体が露光される。
【0010】
ステップ式投影露光装置は高価な装置であり、処理能力を大きくするためには、1回の露光(ショット)で作成するデバイスのチップ数を多くして、ショット数を少なくする必要がある。このため、一般に、ショットサイズは、デバイスのチップサイズと比較して相対的に大きくとられている。
【0011】
なお、このようなステップ式投影露光装置に関するものとして、特開2001−297961号公報(特許文献1)がある。
【特許文献1】
特開2001−297961号公報
【0012】
【発明が解決しようとする課題】
1枚の基板からできるだけ多くのデバイスを製造するためには、基板表面のできるだけ広い範囲にデバイスのチップを作成しなければならない。しかしながら、基板の外周近傍にまで微細なパターンを転写した場合、基板の外周近傍では、面取り等の影響で表面の平面度が十分でないため、パターンの形成が不完全となって、パターンのはがれ等が起こり易くなる。はがれたパターンは異物となって、デバイスの歩留まり低下の原因となる。
【0013】
この対策として、ポジ型レジストの場合、基板の外周近傍をリング状に露光して、外周近傍に形成されたパターンを除去する処理が行われる。しかしながら、この方法は、はがれやすい金属系の成膜(デポジション膜)については必ずしも有効ではない。はがれやすい金属系の成膜については、基板の外周近傍に未露光のレジストを保護膜として残した上でエッチング処理を行った方が、パターンのはがれが少なく歩留まりが向上する。
【0014】
このため、従来は、基板の外周付近を露光するショット毎に、マスキングブレードの開口の形状を変更して、基板の外周近傍に未露光部を形成している。このため、マスキングブレードの可動プレートの移動に時間が掛かり、スループットが低下するという問題があった。
【0015】
1枚の基板当たりのチップ取得数を多くする程、基板上のチップの配置は複雑となる。また、ステップ式投影露光装置において、処理能力を大きくするために、ショットサイズを広くして1つのショット当たりのチップ数を多くする程、基板上のチップの配置は複雑となる。そして、基板上のチップの配置が複雑となる程、基板の外周近傍に未露光部を形成するためにマスキングブレードの開口の形状を何度も変更しなければならず、スループットの低下が顕著となる。
【0016】
感光性ポリイミド等のネガ型の感光材料では、さらに深刻な問題を引き起こす場合がある。感光性ポリイミドは、半導体の保護膜として用いられることが多いが、有機材料で弾力性があるため、基板を切断する際にダイシングブレードとの相性が非常に悪い。このため、基板の外周近傍の面取り部分で、スクライブラインのパターンが十分に解像できずに感光性ポリイミドが残ってしまうと、上手に切断ができなくなる。しかも、ネガ型の場合は、ポジ型の場合の様に基板の外周近傍をリング状に露光して除去することもできない。従って、マスキングブレードの開口の形状を変更して、基板の外周近傍に未露光部を形成することが不可欠となる。感光性ポリイミドは感度が低く、より多くの露光量を必要とするため、スループットが著しく低下する。
【0017】
本発明は、円形の基板の外周近傍に未露光部を形成しながら回路バターンを露光する作業のスループットを向上することを目的とする。
【0018】
本発明また、デバイスの製造コストを削減することを目的とする。
【0019】
【課題を解決するための手段】
本発明の投影露光装置は、投影光学系を備え、マスクのパターンを円形の基板上へ投影する投影露光装置であって、円形の開口又はその一部を有し、基板の外周近傍へ照射される光を遮断する遮断手段を備えたものである。
【0020】
また、本発明の投影露光方法は、投影光学系を用いて、マスクのパターンを円形の基板上へ投影する投影露光方法であって、円形の開口又はその一部を有する遮光手段を用いて、基板の外周近傍へ照射される光を遮断し、基板の外周近傍に未露光部を形成するものである。
【0021】
遮断手段の開口の直径は、基板の直径と未露光部の幅とに応じた固定値となり、ショットサイズ及びショット数に依存しない。従って、同じ遮断手段を、どのようなショットサイズ及びショット数にも適用することができる。そして、基板の外周近傍に未露光部を形成する際、従来のようにマスキングブレードの可動プレートを移動して開口の形状を変更する必要がなくなり、スループットが向上する。
【0022】
ステップ式投影露光においては、複数のショットで基板全体を露光し、各ショットの位置へ基板を移動したとき、または基板の外周付近を露光するショットの位置へ基板を移動したとき、基板と遮光手段の開口との相対位置を一定に保つように遮光手段を移動する。このため、投影露光装置は、基板をステップ移動する第1の移動手段と、基板と遮光手段の開口との相対位置を一定に保つように遮光手段を移動する第2の移動手段とを備える。第2の移動手段が、第1の移動手段による基板の移動に同期して遮光手段を移動すると、移動時間が短くなり、スループットがさらに向上する。あるいは、第2の移動手段が、基板の外周付近を露光するショットの位置へ基板を移動したとき遮光手段を移動すると、基板の外周付近に及ばないショットでは遮断手段の移動を省略でき、スループットがさらに向上する。
【0023】
ステップアンドスキャン式投影露光おいては、さらに、各ショットを、投影光学系に対して相対的に基板とマスクとを1次元方向又は2次元方向へ同期走査して行い、基板の走査に同期して遮光手段を移動する。このため、投影露光装置は、さらに、投影光学系に対して相対的に基板とマスクとを1次元方向へ同期走査する走査手段又は2次元方向へ同期走査する走査手段と、走査手段による基板の走査に同期して遮光手段を移動する第3の移動手段とを備える。第3の移動手段は、第2の移動手段を兼ねてもよい。
【0024】
スキャン式投影露光においては、基板全体の露光を、投影光学系に対して相対的に基板とマスクとを2次元方向へ同期走査して行い、基板の走査に同期して遮光手段を移動する。このため、投影露光装置は、投影光学系に対して相対的に基板とマスクとを2次元方向へ同期走査する走査手段と、走査手段による基板の走査に同期して遮光手段を移動する手段とを備える。
【0025】
ステップアンドスキャン式投影露光又はスキャン式投影露光において、凹面鏡と、単一光学ガラスからなる凹レンズ及び異なる光学ガラスからなる3種類のレンズで構成されたアクロマート凸レンズを含む組み合わせレンズとを備えた投影光学系を用いて、マスクのパターンの等倍正立像を基板上へ投影すると、高い照度で高コントラストな投影露光を行うことができる。また、投影光学系のコストが大幅に削減し、装置のコストが削減する。
【0026】
本発明のデバイス製造方法は、上記の投影露光方法を用いて回路パターンの形成を行う工程を含むものである。上記の投影露光方法により、基板の外周近傍に未露光部を形成しながら回路パターンを露光する作業のスループットを向上するので、デバイスの製造コストが削減する。
【0027】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を添付図面に従って説明する。図1は、本発明の一実施の形態による投影露光装置の概略構成を示す図である。本実施の形態は、ステップ式投影露光装置の例を示す。投影露光装置は、マスク2、円形マスキングブレード3、基板チャック5、XYZθステージ6、水銀ランプ10a、楕円鏡11、ミラー12,17、シャッター13、フライアイレンズ14、照明σ絞り15、照明コンデンサーレンズ16、照明結像レンズ18、投影レンズ19、XY移動機構31、及び制御装置51を含んで構成されている。なお、図1では、基板上に既に形成された回路パターンとマスクのパターンとをアライメントするための光学系やアライメント機構等は、省略されている。
【0028】
マスク2は、図示しない搬送機構によって、図示しないマスクステージ上に搭載される。マスクステージ上に搭載されたマスク2は、図示しないアライメント機構によって、正確に位置決めされる。
【0029】
半導体ウェーハ等の基板1は、図示しない搬送機構によって、予めプリアライメントされた後、基板チャック5上に搭載される。基板チャック5上に搭載された基板1は、図示しないアライメント機構によって、正確にアライメントされる。
【0030】
シャッター13を一定時間開くと、水銀ランプ10aで発生した光は、楕円鏡11で集光され、ミラー12で反射して、フライアイレンズ14へ入射する。フライアイレンズ14で均一化された光は、照明σ絞り15を通過して、照明コンデンサーレンズ16から円形マスキングブレード3へ照射される。円形マスキングブレード3を通過した光は、ミラー17で反射して、照明結像レンズ18からマスク2へ照射される。
【0031】
ここで、円形マスキングブレード面とマスク面とは、照明結像レンズ18を介して共役な位置関係にあり、円形マスキングブレード3を通過した光の領域のみが正確にマスク面へ照射される。マスク2を透過した光は、投影レンズ19から基板1へ照射され、これによりマスク2のパターンが基板1上に投影露光される。
【0032】
シャッター13は、基板1へ照射される光の量を制御するためのものであり、露光量が一定となるように開閉時間が制御される。また、照明σ絞り15は、基板1上に投影されるマスク2のパターンの像のコントラストを最適に設定するための絞りであり、通常、パーシャルコヒーレンシーσ=0.6程度に設定される。
【0033】
円形マスキングブレード3は、基板1の外周近傍に未露光部を形成するための絞りであり、円形の開口を有するプレートで構成されている。円形マスキングブレード3は、XY移動機構31に取り付けられており、XY方向へ移動可能となっている。
【0034】
1つのショットが終了すると、制御装置51は、XYZθステージ6を駆動して、基板1のXY位置をステップ移動する。また、制御装置51は、XY移動機構31を駆動して、基板1と円形マスキングブレード3の開口との相対位置を一定に保つように、円形マスキングブレード3のXY位置を移動する。なお、この円形マスキングブレード3の移動は、基板1の移動後に行ってもよく、また基板1の移動に同期して行ってもよい。基板1の移動に同期して円形マスキングブレード3を移動すると、移動時間が短くなり、スループットをさらに向上させることができる。基板1及び円形マスキングブレード3の移動後、次のショットを行い、これらの動作を繰り返すことによって、基板1全体が露光される。
【0035】
図2は、基板と円形マスキングブレードの開口との位置関係を示す側面図である。図2は、投影光学系及び照明光学系の結像倍率が等倍の例を示している。図2(a)は基板1の中央部を露光する場合であり、光軸が基板1の中心と一致している。一方、図2(b)は基板1の外周付近を露光する場合であり、光軸が基板1の中心からずれている。
【0036】
投影光学系及び照明光学系が等倍正立像を結像する場合、基板1の中心の座標を(Xw,Yw)、円形マスキングブレード3の開口の中心の座標を(Xm,Ym)とすると、制御装置51は、各ショットにおいて、
Xm=Xw
Ym=Yw
となるように、基板1及び円形マスキングブレード3のXY位置を制御する。
【0037】
投影光学系又は照明光学系で像が反転したり倍率が変わる場合、制御装置51は、上式で符号を反転したり倍率を掛けることにより、円形マスキングブレード3の開口の中心が、基板1の中心と一致するように制御を行う。
【0038】
図2(a),(b)において、光が円形マスキングブレード3を及びマスク2を通過した領域が、基板1上で投影露光領域となる。一方、図2(b)において、光が円形マスキングブレード3によって遮断された領域が、基板1上で未露光部となる。
【0039】
図3は、基板と円形マスキングブレードの開口との位置関係を示す上面図である。図3は、一例として、投影光学系及び照明光学系の結像倍率が等倍で、基板全体の露光と外周近傍の未露光部の形成とを9つのショットで行う場合を示している。
【0040】
基板のステップ移動により、ショットの中心は9点移動する。各ショットにおいて、円形マスキングブレード3の開口の中心は、基板1の中心と一致する。円形マスキングブレード3の開口の直径は、基板1の外周の直径よりわずかに小さい。基板1の表面のうち、円形マスキングブレード3の開口位置の内側は光が通過して投影露光領域となり、外側は光が遮断されて未露光部となる。
【0041】
円形マスキングブレード3の開口の直径は、基板1の直径から未露光部の幅の2倍を引いた値であり、固定値となる。また、円形マスキングブレード3の開口の直径は、ショットサイズ及びショット数に依存しない。従って、同じ円形マスキングブレードを、どのようなショットサイズ及びショット数にも適用することができる。
【0042】
なお、図3は基板全体の露光と外周近傍の未露光部の形成とを9つのショットで行う場合であったが、ショット数がさらに多い場合には、基板の外周付近を露光するショットの位置へ基板を移動したときだけ円形マスキングブレード3を移動し、基板の外周付近に及ばないショットでは円形マスキングブレード3の移動を省略してもよい。これにより、スループットをさらに向上させることができる。
【0043】
投影光学レンズは、通常、複数のレンズ群からなる。ステップ式投影露光装置のショットサイズを広くして処理能力を大きくするためには、高精度で広い投影露光領域を有する投影レンズが必要であるが、高精度で広い投影露光領域を有する投影レンズを製作することは大変難しい。そこで、小さな投影露光領域の投影レンズを用い、投影レンズに対して相対的に基板とマスクとを同期走査するスキャン式投影露光装置が知られている。しかしながら、スキャン式投影露光装置において、スキャンニング露光の範囲を広くしすぎると、非常に大きなマスクが必要となって、マスクのコストが増大する。これらのバランスを取ったものとして、基板をステップ動作させる機構をスキャン式投影露光装置に付加したステップアンドスキャン式投影露光装置がある。
【0044】
図4は、本発明の他の実施の形態による投影露光装置の概略構成を示す図である。本実施の形態は、1次元方向のスキャンニング露光を行うステップアンドスキャン式投影露光装置の例を示す。投影露光装置は、マスク2、円形マスキングブレード3、基板チャック5、XYZθステージ6、レーザー光源10b、ミラー12,17、シャッター13、フライアイレンズ14、照明σ絞り15、照明コンデンサーレンズ16、照明結像レンズ18、投影レンズ19、スキャン機構22、スキャン/XY移動機構32、及び制御装置52を含んで構成されている。なお、図4では、基板上に既に形成された回路パターンとマスクのパターンとをアライメントするための光学系やアライメント機構等は、省略されている。また、図1と同等の構成要素には同一の符号を付し、その説明は省略する。
【0045】
図4に示したステップアンドスキャン式投影露光装置では、露光用の光源として、エキシマレーザー等のレーザー光源10bが用いられる。マスク2を搭載したマスクステージには、スキャン機構22が取り付けられている。また、円形マスキングブレード3には、スキャン/XY移動機構32が取り付けられている。
【0046】
各ショットにおいて、スキャンニング露光時、制御装置52は、XYZθステージ6及びスキャン機構22を駆動して、投影レンズ19に対して相対的に基板1とマスク2とをY方向(又はX方向)へ同期走査する。この時、制御装置52は、スキャン/XY移動機構32を駆動して、円形マスキングブレード3を基板1に同期して走査し、基板1と円形マスキングブレード3の開口との相対位置を一定に保持する。
【0047】
1つのショットが終了すると、制御装置52は、XYZθステージ6を駆動して、基板1のXY位置をステップ移動する。また、制御装置52は、スキャン/XY移動機構32を駆動して、基板1と円形マスキングブレード3の開口との相対位置を一定に保つように、円形マスキングブレード3のXY位置を移動する。なお、この円形マスキングブレード3の移動は、基板1の移動後に行ってもよく、また基板1の移動に同期して行ってもよい。基板1の移動に同期して円形マスキングブレード3を移動すると、移動時間が短くなり、スループットをさらに向上させることができる。基板1及び円形マスキングブレード3の移動後、次のショットを行い、これらの動作を繰り返すことによって、基板1全体が露光される。
【0048】
なお、図4示した実施の形態では、スキャンニング露光時の円形マスキングブレード3の走査と、基板1のステップ移動に伴う円形マスキングブレード3の移動とを、スキャン/XY移動機構32で兼ねて行っているが、これらは別々の機構を設けて行ってもよい。
【0049】
図4に示した実施の形態によれば、1次元方向のスキャンニング露光を行うことにより、小さな投影露光領域の投影レンズを用いて広い範囲を露光することができる。
【0050】
図5は、本発明のさらに他の実施の形態による投影露光装置の概略構成を示す図である。本実施の形態は、2次元方向のスキャンニング露光を行うステップアンドスキャン式投影露光装置の例を示す。投影露光装置は、マスク2、円形マスキングブレード3、基板チャック5、XYZθステージ6、水銀ランプ10a、楕円鏡11、ミラー12,17、シャッター13、フライアイレンズ14、照明σ絞り15、照明コンデンサーレンズ16、照明結像レンズ18、投影レンズ19、XY移動機構23,33、投影光学系40、及び制御装置53を含んで構成されている。なお、図5では、基板上に既に形成された回路パターンとマスクのパターンとをアライメントするための光学系やアライメント機構等は、省略されている。また、図1と同等の構成要素には同一の符号を付し、その説明は省略する。
【0051】
図5に示したステップアンドスキャン式投影露光装置では、後述する投影光学系40が用いられる。マスク2を搭載したマスクステージには、XY移動機構23が取り付けられている。また、円形マスキングブレード3には、XY移動機構33が取り付けられている。
【0052】
各ショットにおいて、スキャンニング露光時、制御装置53は、XYZθステージ6及びXY移動機構23を駆動して、投影光学系40に対して相対的に基板1とマスク2とをX方向及びY方向へ同期走査する。この時、制御装置53は、XY移動機構33を駆動して、円形マスキングブレード3を基板1に同期して走査し、基板1と円形マスキングブレード3の開口との相対位置を一定に保持する。
【0053】
図6は、本発明の一実施の形態による投影光学系の概略構成を示す図である。水銀ランプ10aの光のうち露光に寄与する波長は、g線(436nm)、h線(404nm)、i線(365nm)の3波長である。そこで、本実施の形態では、より高い照度を得るために、g線、h線、i線の3波長が使用できる等倍正立像の投影光学系を使用する。
【0054】
投影光学系40は、三角ミラー41a,41b、組み合わせレンズ42a,42b、NA絞り43a,43b、凹面鏡44a,44b、及び露光領域絞り46を含んで構成されている。組み合わせレンズ42a,42bは、それぞれレンズ筒48a,48b内に取り付けられており、レンズ筒48a,48bの可動部の先端には、それぞれ凹面鏡44a,44bが取り付けられている。レンズ筒48a,48bは、支持ブロック47で支持されている。
【0055】
本実施の形態による投影光学系40の基本特性は、組み合わせレンズ42a,42b及び凹面鏡44a,44bの加工精度と、相対位置とで決まる。従って、それぞれのレンズ筒48a,48b単位で、光学的な精密調整が実施される。図7は、図6の投影光学系の相対位置を示す図である。本実施の形態では、一例として、G=49.5mm、H=75mm、L=450mmとする。
【0056】
図6及び図7において、マスク面から入射した光は、三角ミラー41aで反射し、組み合わせレンズ42a及びNA絞り43aを通って、凹面鏡44aへ到達する。凹面鏡44aで反射した照明光は、NA絞り43a及び組み合わせレンズ42aを通って、三角ミラー41aに到達する。三角ミラー41aで反射した照明光は、第1結像面で結像する。凹面鏡44aは第1瞳面に配置されており、マスク面と第1結像面は、第1瞳面に対して対象に配置されている。
【0057】
第1結像面には露光領域絞り46が設置されており、露光領域絞り46を通った照明光は、三角ミラー41bで反射し、組み合わせレンズ42b及びNA絞り43bを通って、凹面鏡44bへ到達する。凹面鏡44bで反射した照明光は、NA絞り43b及び組み合わせレンズ42bを通って、三角ミラー41bに到達する。三角ミラー41bで反射した照明光は、第2結像面で結像する。凹面鏡44bは第2瞳面に配置されており、基板面は第2結像面に配置されている。第1結像面と基板面(第2結像面)は、第2瞳面に対して対象に配置されている。
【0058】
投影光学系において、レンズの代わりに凹面鏡を用いると、照明光の波長の差による色収差が発生しない。従って、より多くの波長を用いた投影露光が可能となる。しかしながら、凹面鏡は球面収差があり、そのままでは照明光のスポットの半径方法と円周方向とで焦点位置誤差が発生する。そこで本実施の形態では、組み合わせレンズにより焦点位置誤差を補正している。組み合わせレンズ42a,42bは、単一光学ガラスからなる凹レンズと、凸レンズとで構成される。凸レンズは、異なる光学ガラスからなる3種類のレンズで構成されたアクロマートレンズとする。
【0059】
組み合わせレンズ42a,42bは、レンズ筒48a,48b内で光軸方向に移動可能となっており、組み合わせレンズ42a,42bを構成する各レンズの間隔を調整することにより、フォーカス位置と投影倍率を調整することができる。上述した例の設計位置に調整された場合、ベストフォーカスで倍率は完全に1倍、コマ収差等の非対称な収差は零となる。
【0060】
図8は、図6の投影光学系の投影露光領域を示す図である。投影光学系40は、凹面鏡を用いるため、投影露光可能領域が半円形となる。半円形のうち、円の中心線から所定距離Eの範囲は、三角ミラー41a,41bの境界線の影ができるので、投影露光可能領域から外している。露光領域絞り46は、投影露光可能領域のうちから、図8に示すような台形の投影露光領域を設定する。本実施の形態では、一例として、A=39mm、B=43mm、C=47mm、D=9.5mm、E=4.5mm、R=24mm(直径48mm)とする。露光領域絞り46は、第1結像面に設置されており、XY方向に移動可能となっている。露光領域絞り46をXY方向に移動することにより、投影露光領域の位置を調整することができる。
【0061】
図6に示した投影光学系によれば、凹面鏡と組み合わせレンズとを備えた投影光学系を用いることにより、必要なレンズ枚数が減少して、レンズによる光の吸収や反射が少なくなる。また、アクロマート凸レンズにより色収差を補正して、より多くの波長を用いた投影露光が可能となる。従って、高い照度で高コントラストな投影露光を行うことができる。また、投影光学系のコストを大幅に削減することができ、装置のコストを削減することができる。
【0062】
なお、図6に示した投影光学系は、投影露光可能領域の大きさとショットサイズとを調整することにより、図4に示した1次元方向のスキャンニング露光を行うステップアンドスキャン式投影露光装置にも適用することができる。
【0063】
図9は、図5の投影露光装置のスキャンニング露光動作を説明する図である。図5において、投影光学系40に対して相対的に基板1とマスク2とをY方向へ同期走査すると、投影光学系40の投影露光領域が基板1上を相対的にY方向へ移動しながら露光を行う。図9の例では、1回目の走査で、完全に露光される完全露光範囲と、中間的に露光される半露光範囲と、露光されない未露光範囲とが得られる。図8において、投影露光領域のうち幅Aの領域が走査した部分が1回目の走査の完全露光範囲、投影露光領域のうち残りの領域が走査した部分が1回目の走査の半露光範囲である。
【0064】
次に、基板1及びマスク2をX方向へ移動する。移動する距離は、図8に示した寸法Bと同じである。そして、投影光学系40に対して相対的に基板1とマスク2とをY方向へ同期走査し、2回目の走査を行う。1回目の走査の半露光範囲は、2回目の走査で重ねて露光されるため、最終的には完全に露光される。このようにして、複数回の走査により、1つのショットの範囲が一様に露光される。
【0065】
図5において、1つのショットが終了すると、制御装置53は、XYZθステージ6を駆動して、基板1のXY位置をステップ移動する。また、制御装置53は、XY移動機構33を駆動して、基板1と円形マスキングブレード3の開口との相対位置を一定に保つように、円形マスキングブレード3のXY位置を移動する。なお、この円形マスキングブレード3の移動は、基板1の移動後に行ってもよく、また基板1の移動に同期して行ってもよい。基板1の移動に同期して円形マスキングブレード3を移動すると、移動時間が短くなり、スループットをさらに向上させることができる。基板1及び円形マスキングブレード3の移動後、次のショットを行い、これらの動作を繰り返すことによって、基板1全体が露光される。
【0066】
なお、図5示した実施の形態では、スキャンニング露光時の円形マスキングブレード3の走査と、基板1のステップ移動に伴う円形マスキングブレード3の移動とを、XY移動機構33で兼ねて行っているが、これらは別々の機構を設けて行ってもよい。
【0067】
図5に示した実施の形態によれば、2次元方向のスキャンニング露光を行うことにより、より小さな投影露光領域の投影光学系を用いて広い範囲を露光することができる。
【0068】
図5に示した実施の形態は、ステップアンドスキャン式投影露光装置の例であったが、同じ投影光学系40を用いて、マスク2を大型化すると、1つのショットで基板1全体を露光するスキャン式投影露光装置となる。この場合、XYZθステージ6により基板1をステップ移動する必要はなく、それに伴ってXY移動機構33により円形マスキングブレード3を移動する必要もない。その他は、図5に示した投影露光装置と同様である。さらに、投影光学系40を複数設けると、全体の露光時間が短くなり、スループットをさらに向上させることができる。
【0069】
なお、以上説明した実施の形態では、円形マスキングブレード3が円形の開口を有するプレートであったが、本発明で基板の外周近傍へ照射される光を遮断する遮断手段は、円形の開口を中心に沿ってn等分した一部を有するものであってもよい。この場合、図1のXY移動機構31、図4のスキャン/XY移動機構32及び図5のXY移動機構33にそれぞれθ移動機構を付加し、基板1の外周付近を露光するショットの位置に応じて遮断手段を回転させることにより、円形マスキングブレード3と同様の働きを行わせることができる。
【0070】
図10は、デバイス製造工程の概略を示すフローチャートである。デバイス製造工程は、次の6つの工程に大きく分けられる。
(1)設計工程(ステップ110)
デバイスの設計を行う作業で、論理設計、回路設計、レイアウト設計、テスト設計等の工程を含む。
(2)マスク製作工程(ステップ120)
マスクを製作する作業で、マスクブランク製作、パターン形成、修正、検査等の工程を含む。
(3)基板製造工程(ステップ130)
半導体ウェーハ等の基板を製造する作業で、単結晶製造、切断、研磨等の工程を含む。
(4)基板処理工程(前工程)(ステップ140)
基板上にチップを作成する作業で、洗浄、酸化、薄膜形成、イオン注入、パターン形成等の工程を含む。
(5)組立工程(後工程)(ステップ150)
基板上のチップをデバイス化する作業で、ダイシング、ボンディング、パッケージング、仕上げ、マーキング等の工程を含む。
(6)検査工程(ステップ160)
デバイスを検査する作業で、製品検査、信頼性試験等を行う。
【0071】
図11は、基板処理工程でパターン形成を行う際のフローチャートである。まず、基板表面にレジストを塗布する(ステップ210)。次に、本発明の投影露光装置を用いて、マスクのパターンを基板上へ露光する(ステップ220)。続いて、現像処理によってレジストパターンを形成する(ステップ230)。続いて、レジストパターンをマスクとしてエッチングにより回路パターンを形成する(ステップ240)。最後に、レジストを剥離して取り除く(ステップ250)。これらの処理を繰り返すことにより、基板上に複雑な回路パターンが形成される。
【0072】
【発明の効果】
本発明によれば、円形の基板の外周近傍に未露光部を形成しながら回路バターンを露光する作業のスループットを向上することができる。基板の外周近傍に未露光部を形成することにより、回路パターンのはがれ等を防止することができ、デバイスの歩留まりが向上する。
【0073】
また、本発明のデバイス製造方法によれば、回路パターンを形成する作業のスループットが向上するので、デバイスの製造コストを削減することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施の形態による投影露光装置の概略構成を示す図である。
【図2】基板と円形マスキングブレードの開口との位置関係を示す側面図である。
【図3】基板と円形マスキングブレードの開口との位置関係を示す上面図である。
【図4】本発明の他の実施の形態による投影露光装置の概略構成を示す図である。
【図5】本発明のさらに他の実施の形態による投影露光装置の概略構成を示す図である。
【図6】本発明の一実施の形態による投影光学系の概略構成を示す図である。
【図7】図6の投影光学系の相対位置を示す図である。
【図8】図6の投影光学系の投影露光領域を示す図である。
【図9】図5の投影露光装置のスキャンニング露光動作を説明する図である。
【図10】デバイス製造工程の概略を示すフローチャートである。
【図11】基板処理工程でパターン形成を行う際のフローチャートである。
【図12】従来のステップ式投影露光装置の概略構成を示す図である。
【符号の説明】
1…基板
2…マスク
3…円形マスキングブレード
5…基板チャック
6…XYZθステージ
10a…水銀ランプ
10b…レーザー光源
11…楕円鏡
12,17…ミラー
13…シャッター
14…フライアイレンズ
15…照明σ絞り
16…照明コンデンサーレンズ
18…照明結像レンズ
19…投影レンズ
22…スキャン機構
23,31,33…XY移動機構
32…スキャン/XY移動機構
40…投影光学系
41a,41b…三角ミラー
42a,42b…組み合わせレンズ
43a,43b…NA絞り
44a,44b…凹面鏡
46…露光領域絞り
51,52,53…制御装置
【発明の属する技術分野】
本発明は、デバイス製造工程で回路パターンの形成に用いられる投影露光装置及び投影露光方法、並びにそれらを用いたデバイス製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
IC,LSI等の半導体デバイスや液晶パネル等の表示デバイスの製造工程では、いわゆるフォトリソグラフィー技術を用いて、回路パターンを形成している。フォトリソグラフィー技術では、投影露光装置を用いて、レチクルやフォトマスク(以下、これらを総称して「マスク」と呼ぶ)に形成されたパターンを、感光材料(レジスト)を塗布した半導体ウェーハ等の基板上へ転写する。そして、現像処理によってレジストパターンを形成し、さらに、このレジストパターンをマスクとしてドライエッチングにより回路パターンを形成する。
【0003】
図12は、従来のステップ式投影露光装置の概略構成を示す図である。ステップ式投影露光装置は、基板のステップ移動と静止状態での露光とを繰り返し(ステップアンドリピート)、マスクのパターンを基板上に繰り返し露光するものであり、一般にステッパと呼ばれている。図12では、基板上に既に形成された回路パターンとマスクのパターンとをアライメントするための光学系やアライメント機構等は、省略されている。
【0004】
マスク2は、図示しない搬送機構によって、図示しないマスクステージ上に搭載される。マスクステージ上に搭載されたマスク2は、図示しないアライメント機構によって、正確に位置決めされる。
【0005】
半導体ウェーハ等の基板1は、図示しない搬送機構によって、予めプリアライメントされた後、基板チャック5上に搭載される。基板チャック5上に搭載された基板1は、図示しないアライメント機構によって、正確にアライメントされる。
【0006】
シャッター13を一定時間開くと、水銀ランプ10aで発生した光は、楕円鏡11で集光され、ミラー12で反射して、フライアイレンズ14へ入射する。フライアイレンズ14で均一化された光は、照明σ絞り15を通過して、照明コンデンサーレンズ16からマスキングブレード4へ照射される。マスキングブレード4を通過した光は、ミラー17で反射して、照明結像レンズ18からマスク2へ照射される。
【0007】
ここで、マスキングブレード面とマスク面とは、照明結像レンズ18を介して共役な位置関係にあり、マスキングブレード4を通過した光の領域のみが正確にマスク面へ照射される。マスク2を透過した光は、投影レンズ19から基板1へ照射され、これによりマスク2のパターンが基板1上に投影露光される。
【0008】
シャッター13は、基板1へ照射される光の量を制御するためのものであり、露光量が一定となるように開閉時間が制御される。また、照明σ絞り15は、基板1上に投影されるマスク2のパターンの像のコントラストを最適に設定するための絞りであり、通常、パーシャルコヒーレンシーσ=0.6程度に設定される。
【0009】
マスキングブレード4は、投影露光領域を決定するための絞りであり、通常、4枚の可動プレートで構成され、矩形の開口を自由に設定することができる。一般に、ステップ式投影露光装置の投影露光領域は、基板1の面積と比較して相対的に小さく、1回の露光で基板1全体を露光することはできない。そこで、1つの投影露光領域の露光が終了すると、基板チャック5の下方に設けたXYZθステージ6を駆動して基板1のXY位置をステップ移動した後、再度露光を行う。これらの動作を繰り返すことによって、基板1全体が露光される。
【0010】
ステップ式投影露光装置は高価な装置であり、処理能力を大きくするためには、1回の露光(ショット)で作成するデバイスのチップ数を多くして、ショット数を少なくする必要がある。このため、一般に、ショットサイズは、デバイスのチップサイズと比較して相対的に大きくとられている。
【0011】
なお、このようなステップ式投影露光装置に関するものとして、特開2001−297961号公報(特許文献1)がある。
【特許文献1】
特開2001−297961号公報
【0012】
【発明が解決しようとする課題】
1枚の基板からできるだけ多くのデバイスを製造するためには、基板表面のできるだけ広い範囲にデバイスのチップを作成しなければならない。しかしながら、基板の外周近傍にまで微細なパターンを転写した場合、基板の外周近傍では、面取り等の影響で表面の平面度が十分でないため、パターンの形成が不完全となって、パターンのはがれ等が起こり易くなる。はがれたパターンは異物となって、デバイスの歩留まり低下の原因となる。
【0013】
この対策として、ポジ型レジストの場合、基板の外周近傍をリング状に露光して、外周近傍に形成されたパターンを除去する処理が行われる。しかしながら、この方法は、はがれやすい金属系の成膜(デポジション膜)については必ずしも有効ではない。はがれやすい金属系の成膜については、基板の外周近傍に未露光のレジストを保護膜として残した上でエッチング処理を行った方が、パターンのはがれが少なく歩留まりが向上する。
【0014】
このため、従来は、基板の外周付近を露光するショット毎に、マスキングブレードの開口の形状を変更して、基板の外周近傍に未露光部を形成している。このため、マスキングブレードの可動プレートの移動に時間が掛かり、スループットが低下するという問題があった。
【0015】
1枚の基板当たりのチップ取得数を多くする程、基板上のチップの配置は複雑となる。また、ステップ式投影露光装置において、処理能力を大きくするために、ショットサイズを広くして1つのショット当たりのチップ数を多くする程、基板上のチップの配置は複雑となる。そして、基板上のチップの配置が複雑となる程、基板の外周近傍に未露光部を形成するためにマスキングブレードの開口の形状を何度も変更しなければならず、スループットの低下が顕著となる。
【0016】
感光性ポリイミド等のネガ型の感光材料では、さらに深刻な問題を引き起こす場合がある。感光性ポリイミドは、半導体の保護膜として用いられることが多いが、有機材料で弾力性があるため、基板を切断する際にダイシングブレードとの相性が非常に悪い。このため、基板の外周近傍の面取り部分で、スクライブラインのパターンが十分に解像できずに感光性ポリイミドが残ってしまうと、上手に切断ができなくなる。しかも、ネガ型の場合は、ポジ型の場合の様に基板の外周近傍をリング状に露光して除去することもできない。従って、マスキングブレードの開口の形状を変更して、基板の外周近傍に未露光部を形成することが不可欠となる。感光性ポリイミドは感度が低く、より多くの露光量を必要とするため、スループットが著しく低下する。
【0017】
本発明は、円形の基板の外周近傍に未露光部を形成しながら回路バターンを露光する作業のスループットを向上することを目的とする。
【0018】
本発明また、デバイスの製造コストを削減することを目的とする。
【0019】
【課題を解決するための手段】
本発明の投影露光装置は、投影光学系を備え、マスクのパターンを円形の基板上へ投影する投影露光装置であって、円形の開口又はその一部を有し、基板の外周近傍へ照射される光を遮断する遮断手段を備えたものである。
【0020】
また、本発明の投影露光方法は、投影光学系を用いて、マスクのパターンを円形の基板上へ投影する投影露光方法であって、円形の開口又はその一部を有する遮光手段を用いて、基板の外周近傍へ照射される光を遮断し、基板の外周近傍に未露光部を形成するものである。
【0021】
遮断手段の開口の直径は、基板の直径と未露光部の幅とに応じた固定値となり、ショットサイズ及びショット数に依存しない。従って、同じ遮断手段を、どのようなショットサイズ及びショット数にも適用することができる。そして、基板の外周近傍に未露光部を形成する際、従来のようにマスキングブレードの可動プレートを移動して開口の形状を変更する必要がなくなり、スループットが向上する。
【0022】
ステップ式投影露光においては、複数のショットで基板全体を露光し、各ショットの位置へ基板を移動したとき、または基板の外周付近を露光するショットの位置へ基板を移動したとき、基板と遮光手段の開口との相対位置を一定に保つように遮光手段を移動する。このため、投影露光装置は、基板をステップ移動する第1の移動手段と、基板と遮光手段の開口との相対位置を一定に保つように遮光手段を移動する第2の移動手段とを備える。第2の移動手段が、第1の移動手段による基板の移動に同期して遮光手段を移動すると、移動時間が短くなり、スループットがさらに向上する。あるいは、第2の移動手段が、基板の外周付近を露光するショットの位置へ基板を移動したとき遮光手段を移動すると、基板の外周付近に及ばないショットでは遮断手段の移動を省略でき、スループットがさらに向上する。
【0023】
ステップアンドスキャン式投影露光おいては、さらに、各ショットを、投影光学系に対して相対的に基板とマスクとを1次元方向又は2次元方向へ同期走査して行い、基板の走査に同期して遮光手段を移動する。このため、投影露光装置は、さらに、投影光学系に対して相対的に基板とマスクとを1次元方向へ同期走査する走査手段又は2次元方向へ同期走査する走査手段と、走査手段による基板の走査に同期して遮光手段を移動する第3の移動手段とを備える。第3の移動手段は、第2の移動手段を兼ねてもよい。
【0024】
スキャン式投影露光においては、基板全体の露光を、投影光学系に対して相対的に基板とマスクとを2次元方向へ同期走査して行い、基板の走査に同期して遮光手段を移動する。このため、投影露光装置は、投影光学系に対して相対的に基板とマスクとを2次元方向へ同期走査する走査手段と、走査手段による基板の走査に同期して遮光手段を移動する手段とを備える。
【0025】
ステップアンドスキャン式投影露光又はスキャン式投影露光において、凹面鏡と、単一光学ガラスからなる凹レンズ及び異なる光学ガラスからなる3種類のレンズで構成されたアクロマート凸レンズを含む組み合わせレンズとを備えた投影光学系を用いて、マスクのパターンの等倍正立像を基板上へ投影すると、高い照度で高コントラストな投影露光を行うことができる。また、投影光学系のコストが大幅に削減し、装置のコストが削減する。
【0026】
本発明のデバイス製造方法は、上記の投影露光方法を用いて回路パターンの形成を行う工程を含むものである。上記の投影露光方法により、基板の外周近傍に未露光部を形成しながら回路パターンを露光する作業のスループットを向上するので、デバイスの製造コストが削減する。
【0027】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を添付図面に従って説明する。図1は、本発明の一実施の形態による投影露光装置の概略構成を示す図である。本実施の形態は、ステップ式投影露光装置の例を示す。投影露光装置は、マスク2、円形マスキングブレード3、基板チャック5、XYZθステージ6、水銀ランプ10a、楕円鏡11、ミラー12,17、シャッター13、フライアイレンズ14、照明σ絞り15、照明コンデンサーレンズ16、照明結像レンズ18、投影レンズ19、XY移動機構31、及び制御装置51を含んで構成されている。なお、図1では、基板上に既に形成された回路パターンとマスクのパターンとをアライメントするための光学系やアライメント機構等は、省略されている。
【0028】
マスク2は、図示しない搬送機構によって、図示しないマスクステージ上に搭載される。マスクステージ上に搭載されたマスク2は、図示しないアライメント機構によって、正確に位置決めされる。
【0029】
半導体ウェーハ等の基板1は、図示しない搬送機構によって、予めプリアライメントされた後、基板チャック5上に搭載される。基板チャック5上に搭載された基板1は、図示しないアライメント機構によって、正確にアライメントされる。
【0030】
シャッター13を一定時間開くと、水銀ランプ10aで発生した光は、楕円鏡11で集光され、ミラー12で反射して、フライアイレンズ14へ入射する。フライアイレンズ14で均一化された光は、照明σ絞り15を通過して、照明コンデンサーレンズ16から円形マスキングブレード3へ照射される。円形マスキングブレード3を通過した光は、ミラー17で反射して、照明結像レンズ18からマスク2へ照射される。
【0031】
ここで、円形マスキングブレード面とマスク面とは、照明結像レンズ18を介して共役な位置関係にあり、円形マスキングブレード3を通過した光の領域のみが正確にマスク面へ照射される。マスク2を透過した光は、投影レンズ19から基板1へ照射され、これによりマスク2のパターンが基板1上に投影露光される。
【0032】
シャッター13は、基板1へ照射される光の量を制御するためのものであり、露光量が一定となるように開閉時間が制御される。また、照明σ絞り15は、基板1上に投影されるマスク2のパターンの像のコントラストを最適に設定するための絞りであり、通常、パーシャルコヒーレンシーσ=0.6程度に設定される。
【0033】
円形マスキングブレード3は、基板1の外周近傍に未露光部を形成するための絞りであり、円形の開口を有するプレートで構成されている。円形マスキングブレード3は、XY移動機構31に取り付けられており、XY方向へ移動可能となっている。
【0034】
1つのショットが終了すると、制御装置51は、XYZθステージ6を駆動して、基板1のXY位置をステップ移動する。また、制御装置51は、XY移動機構31を駆動して、基板1と円形マスキングブレード3の開口との相対位置を一定に保つように、円形マスキングブレード3のXY位置を移動する。なお、この円形マスキングブレード3の移動は、基板1の移動後に行ってもよく、また基板1の移動に同期して行ってもよい。基板1の移動に同期して円形マスキングブレード3を移動すると、移動時間が短くなり、スループットをさらに向上させることができる。基板1及び円形マスキングブレード3の移動後、次のショットを行い、これらの動作を繰り返すことによって、基板1全体が露光される。
【0035】
図2は、基板と円形マスキングブレードの開口との位置関係を示す側面図である。図2は、投影光学系及び照明光学系の結像倍率が等倍の例を示している。図2(a)は基板1の中央部を露光する場合であり、光軸が基板1の中心と一致している。一方、図2(b)は基板1の外周付近を露光する場合であり、光軸が基板1の中心からずれている。
【0036】
投影光学系及び照明光学系が等倍正立像を結像する場合、基板1の中心の座標を(Xw,Yw)、円形マスキングブレード3の開口の中心の座標を(Xm,Ym)とすると、制御装置51は、各ショットにおいて、
Xm=Xw
Ym=Yw
となるように、基板1及び円形マスキングブレード3のXY位置を制御する。
【0037】
投影光学系又は照明光学系で像が反転したり倍率が変わる場合、制御装置51は、上式で符号を反転したり倍率を掛けることにより、円形マスキングブレード3の開口の中心が、基板1の中心と一致するように制御を行う。
【0038】
図2(a),(b)において、光が円形マスキングブレード3を及びマスク2を通過した領域が、基板1上で投影露光領域となる。一方、図2(b)において、光が円形マスキングブレード3によって遮断された領域が、基板1上で未露光部となる。
【0039】
図3は、基板と円形マスキングブレードの開口との位置関係を示す上面図である。図3は、一例として、投影光学系及び照明光学系の結像倍率が等倍で、基板全体の露光と外周近傍の未露光部の形成とを9つのショットで行う場合を示している。
【0040】
基板のステップ移動により、ショットの中心は9点移動する。各ショットにおいて、円形マスキングブレード3の開口の中心は、基板1の中心と一致する。円形マスキングブレード3の開口の直径は、基板1の外周の直径よりわずかに小さい。基板1の表面のうち、円形マスキングブレード3の開口位置の内側は光が通過して投影露光領域となり、外側は光が遮断されて未露光部となる。
【0041】
円形マスキングブレード3の開口の直径は、基板1の直径から未露光部の幅の2倍を引いた値であり、固定値となる。また、円形マスキングブレード3の開口の直径は、ショットサイズ及びショット数に依存しない。従って、同じ円形マスキングブレードを、どのようなショットサイズ及びショット数にも適用することができる。
【0042】
なお、図3は基板全体の露光と外周近傍の未露光部の形成とを9つのショットで行う場合であったが、ショット数がさらに多い場合には、基板の外周付近を露光するショットの位置へ基板を移動したときだけ円形マスキングブレード3を移動し、基板の外周付近に及ばないショットでは円形マスキングブレード3の移動を省略してもよい。これにより、スループットをさらに向上させることができる。
【0043】
投影光学レンズは、通常、複数のレンズ群からなる。ステップ式投影露光装置のショットサイズを広くして処理能力を大きくするためには、高精度で広い投影露光領域を有する投影レンズが必要であるが、高精度で広い投影露光領域を有する投影レンズを製作することは大変難しい。そこで、小さな投影露光領域の投影レンズを用い、投影レンズに対して相対的に基板とマスクとを同期走査するスキャン式投影露光装置が知られている。しかしながら、スキャン式投影露光装置において、スキャンニング露光の範囲を広くしすぎると、非常に大きなマスクが必要となって、マスクのコストが増大する。これらのバランスを取ったものとして、基板をステップ動作させる機構をスキャン式投影露光装置に付加したステップアンドスキャン式投影露光装置がある。
【0044】
図4は、本発明の他の実施の形態による投影露光装置の概略構成を示す図である。本実施の形態は、1次元方向のスキャンニング露光を行うステップアンドスキャン式投影露光装置の例を示す。投影露光装置は、マスク2、円形マスキングブレード3、基板チャック5、XYZθステージ6、レーザー光源10b、ミラー12,17、シャッター13、フライアイレンズ14、照明σ絞り15、照明コンデンサーレンズ16、照明結像レンズ18、投影レンズ19、スキャン機構22、スキャン/XY移動機構32、及び制御装置52を含んで構成されている。なお、図4では、基板上に既に形成された回路パターンとマスクのパターンとをアライメントするための光学系やアライメント機構等は、省略されている。また、図1と同等の構成要素には同一の符号を付し、その説明は省略する。
【0045】
図4に示したステップアンドスキャン式投影露光装置では、露光用の光源として、エキシマレーザー等のレーザー光源10bが用いられる。マスク2を搭載したマスクステージには、スキャン機構22が取り付けられている。また、円形マスキングブレード3には、スキャン/XY移動機構32が取り付けられている。
【0046】
各ショットにおいて、スキャンニング露光時、制御装置52は、XYZθステージ6及びスキャン機構22を駆動して、投影レンズ19に対して相対的に基板1とマスク2とをY方向(又はX方向)へ同期走査する。この時、制御装置52は、スキャン/XY移動機構32を駆動して、円形マスキングブレード3を基板1に同期して走査し、基板1と円形マスキングブレード3の開口との相対位置を一定に保持する。
【0047】
1つのショットが終了すると、制御装置52は、XYZθステージ6を駆動して、基板1のXY位置をステップ移動する。また、制御装置52は、スキャン/XY移動機構32を駆動して、基板1と円形マスキングブレード3の開口との相対位置を一定に保つように、円形マスキングブレード3のXY位置を移動する。なお、この円形マスキングブレード3の移動は、基板1の移動後に行ってもよく、また基板1の移動に同期して行ってもよい。基板1の移動に同期して円形マスキングブレード3を移動すると、移動時間が短くなり、スループットをさらに向上させることができる。基板1及び円形マスキングブレード3の移動後、次のショットを行い、これらの動作を繰り返すことによって、基板1全体が露光される。
【0048】
なお、図4示した実施の形態では、スキャンニング露光時の円形マスキングブレード3の走査と、基板1のステップ移動に伴う円形マスキングブレード3の移動とを、スキャン/XY移動機構32で兼ねて行っているが、これらは別々の機構を設けて行ってもよい。
【0049】
図4に示した実施の形態によれば、1次元方向のスキャンニング露光を行うことにより、小さな投影露光領域の投影レンズを用いて広い範囲を露光することができる。
【0050】
図5は、本発明のさらに他の実施の形態による投影露光装置の概略構成を示す図である。本実施の形態は、2次元方向のスキャンニング露光を行うステップアンドスキャン式投影露光装置の例を示す。投影露光装置は、マスク2、円形マスキングブレード3、基板チャック5、XYZθステージ6、水銀ランプ10a、楕円鏡11、ミラー12,17、シャッター13、フライアイレンズ14、照明σ絞り15、照明コンデンサーレンズ16、照明結像レンズ18、投影レンズ19、XY移動機構23,33、投影光学系40、及び制御装置53を含んで構成されている。なお、図5では、基板上に既に形成された回路パターンとマスクのパターンとをアライメントするための光学系やアライメント機構等は、省略されている。また、図1と同等の構成要素には同一の符号を付し、その説明は省略する。
【0051】
図5に示したステップアンドスキャン式投影露光装置では、後述する投影光学系40が用いられる。マスク2を搭載したマスクステージには、XY移動機構23が取り付けられている。また、円形マスキングブレード3には、XY移動機構33が取り付けられている。
【0052】
各ショットにおいて、スキャンニング露光時、制御装置53は、XYZθステージ6及びXY移動機構23を駆動して、投影光学系40に対して相対的に基板1とマスク2とをX方向及びY方向へ同期走査する。この時、制御装置53は、XY移動機構33を駆動して、円形マスキングブレード3を基板1に同期して走査し、基板1と円形マスキングブレード3の開口との相対位置を一定に保持する。
【0053】
図6は、本発明の一実施の形態による投影光学系の概略構成を示す図である。水銀ランプ10aの光のうち露光に寄与する波長は、g線(436nm)、h線(404nm)、i線(365nm)の3波長である。そこで、本実施の形態では、より高い照度を得るために、g線、h線、i線の3波長が使用できる等倍正立像の投影光学系を使用する。
【0054】
投影光学系40は、三角ミラー41a,41b、組み合わせレンズ42a,42b、NA絞り43a,43b、凹面鏡44a,44b、及び露光領域絞り46を含んで構成されている。組み合わせレンズ42a,42bは、それぞれレンズ筒48a,48b内に取り付けられており、レンズ筒48a,48bの可動部の先端には、それぞれ凹面鏡44a,44bが取り付けられている。レンズ筒48a,48bは、支持ブロック47で支持されている。
【0055】
本実施の形態による投影光学系40の基本特性は、組み合わせレンズ42a,42b及び凹面鏡44a,44bの加工精度と、相対位置とで決まる。従って、それぞれのレンズ筒48a,48b単位で、光学的な精密調整が実施される。図7は、図6の投影光学系の相対位置を示す図である。本実施の形態では、一例として、G=49.5mm、H=75mm、L=450mmとする。
【0056】
図6及び図7において、マスク面から入射した光は、三角ミラー41aで反射し、組み合わせレンズ42a及びNA絞り43aを通って、凹面鏡44aへ到達する。凹面鏡44aで反射した照明光は、NA絞り43a及び組み合わせレンズ42aを通って、三角ミラー41aに到達する。三角ミラー41aで反射した照明光は、第1結像面で結像する。凹面鏡44aは第1瞳面に配置されており、マスク面と第1結像面は、第1瞳面に対して対象に配置されている。
【0057】
第1結像面には露光領域絞り46が設置されており、露光領域絞り46を通った照明光は、三角ミラー41bで反射し、組み合わせレンズ42b及びNA絞り43bを通って、凹面鏡44bへ到達する。凹面鏡44bで反射した照明光は、NA絞り43b及び組み合わせレンズ42bを通って、三角ミラー41bに到達する。三角ミラー41bで反射した照明光は、第2結像面で結像する。凹面鏡44bは第2瞳面に配置されており、基板面は第2結像面に配置されている。第1結像面と基板面(第2結像面)は、第2瞳面に対して対象に配置されている。
【0058】
投影光学系において、レンズの代わりに凹面鏡を用いると、照明光の波長の差による色収差が発生しない。従って、より多くの波長を用いた投影露光が可能となる。しかしながら、凹面鏡は球面収差があり、そのままでは照明光のスポットの半径方法と円周方向とで焦点位置誤差が発生する。そこで本実施の形態では、組み合わせレンズにより焦点位置誤差を補正している。組み合わせレンズ42a,42bは、単一光学ガラスからなる凹レンズと、凸レンズとで構成される。凸レンズは、異なる光学ガラスからなる3種類のレンズで構成されたアクロマートレンズとする。
【0059】
組み合わせレンズ42a,42bは、レンズ筒48a,48b内で光軸方向に移動可能となっており、組み合わせレンズ42a,42bを構成する各レンズの間隔を調整することにより、フォーカス位置と投影倍率を調整することができる。上述した例の設計位置に調整された場合、ベストフォーカスで倍率は完全に1倍、コマ収差等の非対称な収差は零となる。
【0060】
図8は、図6の投影光学系の投影露光領域を示す図である。投影光学系40は、凹面鏡を用いるため、投影露光可能領域が半円形となる。半円形のうち、円の中心線から所定距離Eの範囲は、三角ミラー41a,41bの境界線の影ができるので、投影露光可能領域から外している。露光領域絞り46は、投影露光可能領域のうちから、図8に示すような台形の投影露光領域を設定する。本実施の形態では、一例として、A=39mm、B=43mm、C=47mm、D=9.5mm、E=4.5mm、R=24mm(直径48mm)とする。露光領域絞り46は、第1結像面に設置されており、XY方向に移動可能となっている。露光領域絞り46をXY方向に移動することにより、投影露光領域の位置を調整することができる。
【0061】
図6に示した投影光学系によれば、凹面鏡と組み合わせレンズとを備えた投影光学系を用いることにより、必要なレンズ枚数が減少して、レンズによる光の吸収や反射が少なくなる。また、アクロマート凸レンズにより色収差を補正して、より多くの波長を用いた投影露光が可能となる。従って、高い照度で高コントラストな投影露光を行うことができる。また、投影光学系のコストを大幅に削減することができ、装置のコストを削減することができる。
【0062】
なお、図6に示した投影光学系は、投影露光可能領域の大きさとショットサイズとを調整することにより、図4に示した1次元方向のスキャンニング露光を行うステップアンドスキャン式投影露光装置にも適用することができる。
【0063】
図9は、図5の投影露光装置のスキャンニング露光動作を説明する図である。図5において、投影光学系40に対して相対的に基板1とマスク2とをY方向へ同期走査すると、投影光学系40の投影露光領域が基板1上を相対的にY方向へ移動しながら露光を行う。図9の例では、1回目の走査で、完全に露光される完全露光範囲と、中間的に露光される半露光範囲と、露光されない未露光範囲とが得られる。図8において、投影露光領域のうち幅Aの領域が走査した部分が1回目の走査の完全露光範囲、投影露光領域のうち残りの領域が走査した部分が1回目の走査の半露光範囲である。
【0064】
次に、基板1及びマスク2をX方向へ移動する。移動する距離は、図8に示した寸法Bと同じである。そして、投影光学系40に対して相対的に基板1とマスク2とをY方向へ同期走査し、2回目の走査を行う。1回目の走査の半露光範囲は、2回目の走査で重ねて露光されるため、最終的には完全に露光される。このようにして、複数回の走査により、1つのショットの範囲が一様に露光される。
【0065】
図5において、1つのショットが終了すると、制御装置53は、XYZθステージ6を駆動して、基板1のXY位置をステップ移動する。また、制御装置53は、XY移動機構33を駆動して、基板1と円形マスキングブレード3の開口との相対位置を一定に保つように、円形マスキングブレード3のXY位置を移動する。なお、この円形マスキングブレード3の移動は、基板1の移動後に行ってもよく、また基板1の移動に同期して行ってもよい。基板1の移動に同期して円形マスキングブレード3を移動すると、移動時間が短くなり、スループットをさらに向上させることができる。基板1及び円形マスキングブレード3の移動後、次のショットを行い、これらの動作を繰り返すことによって、基板1全体が露光される。
【0066】
なお、図5示した実施の形態では、スキャンニング露光時の円形マスキングブレード3の走査と、基板1のステップ移動に伴う円形マスキングブレード3の移動とを、XY移動機構33で兼ねて行っているが、これらは別々の機構を設けて行ってもよい。
【0067】
図5に示した実施の形態によれば、2次元方向のスキャンニング露光を行うことにより、より小さな投影露光領域の投影光学系を用いて広い範囲を露光することができる。
【0068】
図5に示した実施の形態は、ステップアンドスキャン式投影露光装置の例であったが、同じ投影光学系40を用いて、マスク2を大型化すると、1つのショットで基板1全体を露光するスキャン式投影露光装置となる。この場合、XYZθステージ6により基板1をステップ移動する必要はなく、それに伴ってXY移動機構33により円形マスキングブレード3を移動する必要もない。その他は、図5に示した投影露光装置と同様である。さらに、投影光学系40を複数設けると、全体の露光時間が短くなり、スループットをさらに向上させることができる。
【0069】
なお、以上説明した実施の形態では、円形マスキングブレード3が円形の開口を有するプレートであったが、本発明で基板の外周近傍へ照射される光を遮断する遮断手段は、円形の開口を中心に沿ってn等分した一部を有するものであってもよい。この場合、図1のXY移動機構31、図4のスキャン/XY移動機構32及び図5のXY移動機構33にそれぞれθ移動機構を付加し、基板1の外周付近を露光するショットの位置に応じて遮断手段を回転させることにより、円形マスキングブレード3と同様の働きを行わせることができる。
【0070】
図10は、デバイス製造工程の概略を示すフローチャートである。デバイス製造工程は、次の6つの工程に大きく分けられる。
(1)設計工程(ステップ110)
デバイスの設計を行う作業で、論理設計、回路設計、レイアウト設計、テスト設計等の工程を含む。
(2)マスク製作工程(ステップ120)
マスクを製作する作業で、マスクブランク製作、パターン形成、修正、検査等の工程を含む。
(3)基板製造工程(ステップ130)
半導体ウェーハ等の基板を製造する作業で、単結晶製造、切断、研磨等の工程を含む。
(4)基板処理工程(前工程)(ステップ140)
基板上にチップを作成する作業で、洗浄、酸化、薄膜形成、イオン注入、パターン形成等の工程を含む。
(5)組立工程(後工程)(ステップ150)
基板上のチップをデバイス化する作業で、ダイシング、ボンディング、パッケージング、仕上げ、マーキング等の工程を含む。
(6)検査工程(ステップ160)
デバイスを検査する作業で、製品検査、信頼性試験等を行う。
【0071】
図11は、基板処理工程でパターン形成を行う際のフローチャートである。まず、基板表面にレジストを塗布する(ステップ210)。次に、本発明の投影露光装置を用いて、マスクのパターンを基板上へ露光する(ステップ220)。続いて、現像処理によってレジストパターンを形成する(ステップ230)。続いて、レジストパターンをマスクとしてエッチングにより回路パターンを形成する(ステップ240)。最後に、レジストを剥離して取り除く(ステップ250)。これらの処理を繰り返すことにより、基板上に複雑な回路パターンが形成される。
【0072】
【発明の効果】
本発明によれば、円形の基板の外周近傍に未露光部を形成しながら回路バターンを露光する作業のスループットを向上することができる。基板の外周近傍に未露光部を形成することにより、回路パターンのはがれ等を防止することができ、デバイスの歩留まりが向上する。
【0073】
また、本発明のデバイス製造方法によれば、回路パターンを形成する作業のスループットが向上するので、デバイスの製造コストを削減することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施の形態による投影露光装置の概略構成を示す図である。
【図2】基板と円形マスキングブレードの開口との位置関係を示す側面図である。
【図3】基板と円形マスキングブレードの開口との位置関係を示す上面図である。
【図4】本発明の他の実施の形態による投影露光装置の概略構成を示す図である。
【図5】本発明のさらに他の実施の形態による投影露光装置の概略構成を示す図である。
【図6】本発明の一実施の形態による投影光学系の概略構成を示す図である。
【図7】図6の投影光学系の相対位置を示す図である。
【図8】図6の投影光学系の投影露光領域を示す図である。
【図9】図5の投影露光装置のスキャンニング露光動作を説明する図である。
【図10】デバイス製造工程の概略を示すフローチャートである。
【図11】基板処理工程でパターン形成を行う際のフローチャートである。
【図12】従来のステップ式投影露光装置の概略構成を示す図である。
【符号の説明】
1…基板
2…マスク
3…円形マスキングブレード
5…基板チャック
6…XYZθステージ
10a…水銀ランプ
10b…レーザー光源
11…楕円鏡
12,17…ミラー
13…シャッター
14…フライアイレンズ
15…照明σ絞り
16…照明コンデンサーレンズ
18…照明結像レンズ
19…投影レンズ
22…スキャン機構
23,31,33…XY移動機構
32…スキャン/XY移動機構
40…投影光学系
41a,41b…三角ミラー
42a,42b…組み合わせレンズ
43a,43b…NA絞り
44a,44b…凹面鏡
46…露光領域絞り
51,52,53…制御装置
Claims (18)
- 投影光学系を備え、マスクのパターンを円形の基板上へ投影する投影露光装置であって、
円形の開口又はその一部を有し、基板の外周近傍へ照射される光を遮断する遮断手段を備えたことを特徴とする投影露光装置。 - 基板をステップ移動する第1の移動手段と、
基板と前記遮光手段の開口との相対位置を一定に保つように前記遮光手段を移動する第2の移動手段とを備えたことを特徴とする請求項1に記載の投影光装置。 - 前記第2の移動手段は、前記第1の移動手段による基板の移動に同期して前記遮光手段を移動することを特徴とする請求項2に記載の投影露光装置。
- 前記第2の移動手段は、前記第1の移動手段が基板の外周付近を露光するショットの位置へ基板を移動したとき、基板と前記遮光手段の開口との相対位置を一定に保つように前記遮光手段を移動することを特徴とする請求項2に記載の投影露光装置。
- 前記投影光学系に対して相対的に基板とマスクとを1次元方向へ同期走査する走査手段と、
前記走査手段による基板の走査に同期して前記遮光手段を移動する第3の移動手段とを備えたことを特徴とする請求項2に記載の投影露光装置。 - 前記第3の移動手段は、前記第2の移動手段を兼ねたことを特徴とする請求項5に記載の投影露光装置。
- 前記投影光学系に対して相対的に基板とマスクとを2次元方向へ同期走査する走査手段と、
前記走査手段による基板の走査に同期して前記遮光手段を移動する第3の移動手段とを備えたことを特徴とする請求項2に記載の投影露光装置。 - 前記第3の移動手段は、前記第2の移動手段を兼ねたことを特徴とする請求項7に記載の投影露光装置。
- 前記投影光学系に対して相対的に基板とマスクとを2次元方向へ同期走査する走査手段と、
前記走査手段による基板の走査に同期して前記遮光手段を移動する手段とを備えたことを特徴とする請求項1に記載の投影露光装置。 - 前記投影光学系は、凹面鏡と、単一光学ガラスからなる凹レンズ及び異なる光学ガラスからなる3種類のレンズで構成されたアクロマート凸レンズを含む組み合わせレンズとを備え、マスクのパターンの等倍正立像を基板上へ投影することを特徴とする請求項5、請求項7、または請求項9に記載の投影露光装置。
- 投影光学系を用いて、マスクのパターンを円形の基板上へ投影する投影露光方法であって、
円形の開口又はその一部を有する遮光手段を用いて、基板の外周近傍へ照射される光を遮断し、基板の外周近傍に未露光部を形成することを特徴とする投影露光方法。 - 複数のショットで基板全体を露光し、
各ショットの位置へ基板を移動したとき、基板と遮光手段の開口との相対位置を一定に保つように遮光手段を移動することを特徴とする請求項11に記載の投影光方法。 - 複数のショットで基板全体を露光し、
基板の外周付近を露光するショットの位置へ基板を移動したとき、基板と遮光手段の開口との相対位置を一定に保つように遮光手段を移動することを特徴とする請求項11に記載の投影露光方法。 - 各ショットを、投影光学系に対して相対的に基板とマスクとを1次元方向へ同期走査して行い、
基板の走査に同期して遮光手段を移動することを特徴とする請求項12又は請求項13に記載の投影露光方法。 - 各ショットを、投影光学系に対して相対的に基板とマスクとを2次元方向へ同期走査して行い、
基板の走査に同期して遮光手段を移動することを特徴とする請求項12又は請求項13に記載の投影露光方法。 - 基板全体の露光を、投影光学系に対して相対的に基板とマスクとを2次元方向へ同期走査して行い、
基板の走査に同期して遮光手段を移動することを特徴とする請求項11に記載の投影露光方法。 - 凹面鏡と、単一光学ガラスからなる凹レンズ及び異なる光学ガラスからなる3種類のレンズで構成されたアクロマート凸レンズを含む組み合わせレンズとを備えた投影光学系を用いて、マスクのパターンの等倍正立像を基板上へ投影することを特徴とする請求項14、請求項15、または請求項16に記載の投影露光方法。
- 請求項11〜17のいずれかに記載の投影露光方法を用いて回路パターンの形成を行う工程を含むことを特徴とするデバイス製造方法。
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Cited By (5)
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JP2008519334A (ja) * | 2004-11-02 | 2008-06-05 | アイデンティクス・インコーポレーテッド | 高パフォーマンス指紋画像化システム |
US8320645B2 (en) | 2004-11-02 | 2012-11-27 | Identix Incorporated | High performance multi-mode palmprint and fingerprint scanning device and system |
JP2007318121A (ja) * | 2006-05-08 | 2007-12-06 | Asml Netherlands Bv | 露光装置及びデバイス製造方法 |
US7936447B2 (en) | 2006-05-08 | 2011-05-03 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
JP2013004817A (ja) * | 2011-06-17 | 2013-01-07 | Canon Inc | 露光装置及びデバイスの製造方法 |
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