JPH08250407A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH08250407A JPH08250407A JP7080823A JP8082395A JPH08250407A JP H08250407 A JPH08250407 A JP H08250407A JP 7080823 A JP7080823 A JP 7080823A JP 8082395 A JP8082395 A JP 8082395A JP H08250407 A JPH08250407 A JP H08250407A
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- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 段差のある基板面上で微細レジストパターン
を設計値通り形成できるレジストパターン形成工程をも
つ半導体装置の製造方法を提供する。 【構成】 段差面Ａ，Ｂを有するウェハ１０にポジ型レ
ジスト１８を塗布し、露光現像してレジストパターンを
形成するに際し、段差面Ａに対向する部分のマスク部２
１ａを設計値通りの寸法とし、段差面Ｂに対向する部分
のマスク部２２ａを設計値より幅広としたマスクパター
ンを持つ第１のレチクル２０ａを用いて、段差面Ａに焦
点を合わせた第１回目の露光を行い、段差面Ａに対する
マスク部２１ｂを設計値より幅広とし、段差面Ｂに対す
るマスク部２２ｂを設計値通りとした第２のレチクル２
０ｂを用いて、段差面Ｂに焦点を合わせた第２回目の露
光を行う。露光工程を経たレジスト１８を現像してレジ
ストパターンを形成する。
を設計値通り形成できるレジストパターン形成工程をも
つ半導体装置の製造方法を提供する。 【構成】 段差面Ａ，Ｂを有するウェハ１０にポジ型レ
ジスト１８を塗布し、露光現像してレジストパターンを
形成するに際し、段差面Ａに対向する部分のマスク部２
１ａを設計値通りの寸法とし、段差面Ｂに対向する部分
のマスク部２２ａを設計値より幅広としたマスクパター
ンを持つ第１のレチクル２０ａを用いて、段差面Ａに焦
点を合わせた第１回目の露光を行い、段差面Ａに対する
マスク部２１ｂを設計値より幅広とし、段差面Ｂに対す
るマスク部２２ｂを設計値通りとした第２のレチクル２
０ｂを用いて、段差面Ｂに焦点を合わせた第２回目の露
光を行う。露光工程を経たレジスト１８を現像してレジ
ストパターンを形成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、大きな高低差を有す
る半導体基板上でのレジストパターン形成工程を含む半
導体装置の製造方法に関する。
る半導体基板上でのレジストパターン形成工程を含む半
導体装置の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体集積回路等のパターン加工には通
常、焦点調整機能をもつステッパを用いた露光工程が用
いられる。微細配線パターン等を設計通り形成するため
には、半導体基板の各チップ領域内部に段差があり、こ
れに塗布されるレジストにそのまま段差が反映される場
合にも、高低差に拘らず設計通りのレジストパターンを
形成することが望まれる。
常、焦点調整機能をもつステッパを用いた露光工程が用
いられる。微細配線パターン等を設計通り形成するため
には、半導体基板の各チップ領域内部に段差があり、こ
れに塗布されるレジストにそのまま段差が反映される場
合にも、高低差に拘らず設計通りのレジストパターンを
形成することが望まれる。
【０００３】しかし微細パターンを加工する縮小投影露
光装置では、解像度を上げることが第一義であり、解像
度と焦点深度とがトレードオフの関係にあるため、十分
大きな焦点深度を得ることが難しい。このため、高い段
差面に焦点を合わせると低い段差面では焦点ズレが生
じ、逆に低い段差面に焦点を合わせると高い段差面では
焦点ズレが生じる。
光装置では、解像度を上げることが第一義であり、解像
度と焦点深度とがトレードオフの関係にあるため、十分
大きな焦点深度を得ることが難しい。このため、高い段
差面に焦点を合わせると低い段差面では焦点ズレが生
じ、逆に低い段差面に焦点を合わせると高い段差面では
焦点ズレが生じる。
【０００４】この様な難点を解消するため、従来よりい
くつかの方法が提案されている。例えば、レチクルに位
相シフタを設けて、０次光をカットし、光路長の等しい
±１次回折光を縮小投影レンズ内に入射させて２光束干
渉させ、ウェハ上に転写される光学像のコントラストを
増強させる。これにより、解像度と焦点深度を向上させ
ることができる。あるいはまた、照明光を斜め方向から
入射させ、０次光を光軸に対して傾けて０次光と１次光
の光路長を等しくし、０次光と１次光の２光束干渉をと
る。これも、解像度と焦点深度を向上させることができ
る。
くつかの方法が提案されている。例えば、レチクルに位
相シフタを設けて、０次光をカットし、光路長の等しい
±１次回折光を縮小投影レンズ内に入射させて２光束干
渉させ、ウェハ上に転写される光学像のコントラストを
増強させる。これにより、解像度と焦点深度を向上させ
ることができる。あるいはまた、照明光を斜め方向から
入射させ、０次光を光軸に対して傾けて０次光と１次光
の光路長を等しくし、０次光と１次光の２光束干渉をと
る。これも、解像度と焦点深度を向上させることができ
る。
【０００５】他の方法として、基板上の段差面に応じて
複数枚のレチクルを用意し、焦点のあっていない段差面
上は遮光して複数回の露光を行う方法が提案されている
（特開平４−５８１４，特開平５−８０５２８）。例え
ば、図７に示すように、高低差のある二つの段差面１，
２がある場合に、先ず（ａ）に示すように、段差面１は
全面遮光して段差面２に対して所定のマスクパターンを
形成した第１のレチクル７１を用いて、段差面２に焦点
を合わせて露光し、続いて（ｂ）に示すように段差面２
は遮光し段差面１に対して所定のマスクパターンを形成
した第２のレチクル７２を用いて段差面１に焦点を合わ
せた露光を行う。その後現像する。
複数枚のレチクルを用意し、焦点のあっていない段差面
上は遮光して複数回の露光を行う方法が提案されている
（特開平４−５８１４，特開平５−８０５２８）。例え
ば、図７に示すように、高低差のある二つの段差面１，
２がある場合に、先ず（ａ）に示すように、段差面１は
全面遮光して段差面２に対して所定のマスクパターンを
形成した第１のレチクル７１を用いて、段差面２に焦点
を合わせて露光し、続いて（ｂ）に示すように段差面２
は遮光し段差面１に対して所定のマスクパターンを形成
した第２のレチクル７２を用いて段差面１に焦点を合わ
せた露光を行う。その後現像する。
【０００６】特開平５−８０５２８号にはまた、１枚の
レチクルを用いて段差面に応じて複数回の露光と現像を
繰り返す方法も示されている。第１回目の露光・現像で
は、ある段差面に焦点を合わせ、第２回目の露光・現像
工程では前回の露光で十分解像されていない段差面に焦
点を合わせて露光・現像を行う。
レチクルを用いて段差面に応じて複数回の露光と現像を
繰り返す方法も示されている。第１回目の露光・現像で
は、ある段差面に焦点を合わせ、第２回目の露光・現像
工程では前回の露光で十分解像されていない段差面に焦
点を合わせて露光・現像を行う。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかし、従来提案され
ている方法には、まだ解決すべき問題が残されている。
例えば、位相シフタを配置して照明光を改善する方法
は、パターンのレイアウトによっては位相シフタの配置
に矛盾が生じ、効果が得られなくなる。また照明光の斜
め入射法は、孤立パターンに対しては効果がない。
ている方法には、まだ解決すべき問題が残されている。
例えば、位相シフタを配置して照明光を改善する方法
は、パターンのレイアウトによっては位相シフタの配置
に矛盾が生じ、効果が得られなくなる。また照明光の斜
め入射法は、孤立パターンに対しては効果がない。
【０００８】段差に応じて多重露光を行う方法では、例
えば２枚のレチクルを用いる図７の方法の場合、現像し
て得られるレジストパターン７３にはしばしば、図７
（ｃ）に示すように、段差面１，２の境界部には除き切
れないレジストによるブリッジ７４が発生する。１枚の
レチクルを用いて多重の露光・現像を行う方法では、現
像も複数回になるために工程は非常に複雑になる。
えば２枚のレチクルを用いる図７の方法の場合、現像し
て得られるレジストパターン７３にはしばしば、図７
（ｃ）に示すように、段差面１，２の境界部には除き切
れないレジストによるブリッジ７４が発生する。１枚の
レチクルを用いて多重の露光・現像を行う方法では、現
像も複数回になるために工程は非常に複雑になる。
【０００９】この発明は、上記の点に鑑みなされたもの
で、段差のある基板面上で微細レジストパターンを設計
値通り形成できるレジストパターン形成工程をもつ半導
体装置の製造方法を提供することを目的としている。
で、段差のある基板面上で微細レジストパターンを設計
値通り形成できるレジストパターン形成工程をもつ半導
体装置の製造方法を提供することを目的としている。
【００１０】
【課題を解決するための手段】この発明は、高さの異な
る少なくとも第１、第２の段差面を有する半導体基板上
にレジストを塗布し、露光現像してレジストパターンを
形成する工程を有する半導体装置の製造方法において、
前記レジストパターンを形成する工程は、前記第１の段
差面に対向する部分のマスク部を設計値通りの寸法と
し、前記第２の段差面に対向する部分のマスク部を設計
値より幅広としたマスクパターンを持つ第１のレチクル
を用いて、前記レジストが塗布された基板の前記第１の
段差面に焦点を合わせた露光を行う第１の露光工程と、
前記第１の段差面に対するマスク部を設計値より幅広と
し、前記第２の段差面に対するマスク部を設計値通りの
寸法とした第２のレチクルを用いて、前記第２の段差面
に焦点を合わせた露光を行う第２の露光工程と、これら
の露光工程を経たレジストを現像してレジストパターン
を形成する現像工程とを有することを特徴としている。
る少なくとも第１、第２の段差面を有する半導体基板上
にレジストを塗布し、露光現像してレジストパターンを
形成する工程を有する半導体装置の製造方法において、
前記レジストパターンを形成する工程は、前記第１の段
差面に対向する部分のマスク部を設計値通りの寸法と
し、前記第２の段差面に対向する部分のマスク部を設計
値より幅広としたマスクパターンを持つ第１のレチクル
を用いて、前記レジストが塗布された基板の前記第１の
段差面に焦点を合わせた露光を行う第１の露光工程と、
前記第１の段差面に対するマスク部を設計値より幅広と
し、前記第２の段差面に対するマスク部を設計値通りの
寸法とした第２のレチクルを用いて、前記第２の段差面
に焦点を合わせた露光を行う第２の露光工程と、これら
の露光工程を経たレジストを現像してレジストパターン
を形成する現像工程とを有することを特徴としている。
【００１１】
【作用】この発明によると、段差面に応じてレチクルを
作り分け、段差面に応じて焦点合わせをした複数回の露
光と１回の現像によって、所望のレジストパターンを得
ることができる。焦点の合わない段差面を全面遮光する
方法と異なり、この発明においては、ある露光工程での
レチクルには焦点の合わない段差面に対しても、マスク
部寸法を設計値からずらしたマスク部を設けているの
で、焦点の合わない段差面を全面遮光する従来の多重露
光法と異なり、最終的なレジストパターンにブリッジが
発生することはない。また現像工程は１回であるから、
１枚のレチクルを用いて露光，現像を繰り返す方法に比
べて工程は簡単である。
作り分け、段差面に応じて焦点合わせをした複数回の露
光と１回の現像によって、所望のレジストパターンを得
ることができる。焦点の合わない段差面を全面遮光する
方法と異なり、この発明においては、ある露光工程での
レチクルには焦点の合わない段差面に対しても、マスク
部寸法を設計値からずらしたマスク部を設けているの
で、焦点の合わない段差面を全面遮光する従来の多重露
光法と異なり、最終的なレジストパターンにブリッジが
発生することはない。また現像工程は１回であるから、
１枚のレチクルを用いて露光，現像を繰り返す方法に比
べて工程は簡単である。
【００１２】
【実施例】以下、図面を参照して、この発明の実施例を
説明する。図１及び図２は、一実施例のレジストパター
ン形成工程を示す。露光工程の流れは図５に示す。露光
工程の照明には、図６（ｂ）に示すような斜入射照明法
を用いる。即ち、レチクル６１に照明光を斜め方向から
入射して、０次、１次の回折光のみを取り出して縮小投
影系６３に導入し、２光束干渉法によりレジストが塗布
されたウェハ６４上に集光させる。あるいは図６（ａ）
に示すように、位相シフト法を利用して０次光と＋１次
光（又は−１次光）を用いる方法でもよい。
説明する。図１及び図２は、一実施例のレジストパター
ン形成工程を示す。露光工程の流れは図５に示す。露光
工程の照明には、図６（ｂ）に示すような斜入射照明法
を用いる。即ち、レチクル６１に照明光を斜め方向から
入射して、０次、１次の回折光のみを取り出して縮小投
影系６３に導入し、２光束干渉法によりレジストが塗布
されたウェハ６４上に集光させる。あるいは図６（ａ）
に示すように、位相シフト法を利用して０次光と＋１次
光（又は−１次光）を用いる方法でもよい。
【００１３】具体的にこの実施例の露光，現像工程を説
明すれば、図５に示すようにステッパステージにウェハ
をロードし（Ｓ１）、第１のレチクル２０ａをセットし
て（Ｓ２）、ウェハ・アラインメントを行い（Ｓ３）、
第１回目の露光をする（Ｓ４）。この第１回目の露光工
程が、図１（ａ）である。
明すれば、図５に示すようにステッパステージにウェハ
をロードし（Ｓ１）、第１のレチクル２０ａをセットし
て（Ｓ２）、ウェハ・アラインメントを行い（Ｓ３）、
第１回目の露光をする（Ｓ４）。この第１回目の露光工
程が、図１（ａ）である。
【００１４】半導体ウェハ１０は、図１に例示したよう
に、シリコン基板１１にＬＯＣＯＳ酸化膜１２が形成さ
れ、第１層配線１３、絶縁膜１４、第２層配線１５、絶
縁膜１６、第３層配線層１７が形成されて大きな段差を
有する。このウェハ１０の表面には段差を反映したポジ
型レジスト１８が塗布されている。１回目の露光は、少
なくとも二つの段差面Ａ，Ｂのうち、段差面Ａに焦点を
合わせて行う。この１回目の露光に用いる第１のレチク
ル２０ａは、段差面Ａに対向する部分のマスク部２１ａ
が設計値通りの幅Ｘであり、このとき焦点の合わない段
差面Ｂに対向する部分のマスク部２２ａは、設計値Ｘに
対してこれより幅の広いＸ＋ｄＸとしている。
に、シリコン基板１１にＬＯＣＯＳ酸化膜１２が形成さ
れ、第１層配線１３、絶縁膜１４、第２層配線１５、絶
縁膜１６、第３層配線層１７が形成されて大きな段差を
有する。このウェハ１０の表面には段差を反映したポジ
型レジスト１８が塗布されている。１回目の露光は、少
なくとも二つの段差面Ａ，Ｂのうち、段差面Ａに焦点を
合わせて行う。この１回目の露光に用いる第１のレチク
ル２０ａは、段差面Ａに対向する部分のマスク部２１ａ
が設計値通りの幅Ｘであり、このとき焦点の合わない段
差面Ｂに対向する部分のマスク部２２ａは、設計値Ｘに
対してこれより幅の広いＸ＋ｄＸとしている。
【００１５】この第１回目の露光により、破線で示した
ように段差面Ａに対してはマスク部２１ａがそのまま転
写される。焦点のずれた段差面Ｂについては、シャープ
な像転写はできないが、マスク部２２ａが幅広に形成さ
れるいるため、少なくともレジストパターンとして必要
な幅Ｘの範囲は露光されずに残る。
ように段差面Ａに対してはマスク部２１ａがそのまま転
写される。焦点のずれた段差面Ｂについては、シャープ
な像転写はできないが、マスク部２２ａが幅広に形成さ
れるいるため、少なくともレジストパターンとして必要
な幅Ｘの範囲は露光されずに残る。
【００１６】続いて、図５に示すように、第２のレチク
ル２０ｂをセットし（Ｓ５）、ウェハ・アラインメント
を行い（Ｓ６）、第２回目の露光を行って（Ｓ７）、ウ
ェハを取り出す（Ｓ８）。この２回目の露光工程が、図
１（ｂ）である。
ル２０ｂをセットし（Ｓ５）、ウェハ・アラインメント
を行い（Ｓ６）、第２回目の露光を行って（Ｓ７）、ウ
ェハを取り出す（Ｓ８）。この２回目の露光工程が、図
１（ｂ）である。
【００１７】この２回目の露光は、二つの段差面Ａ，Ｂ
のうち、段差面Ｂに焦点を合わせて行う。この２回目の
露光に用いる第２のレチクル２０ｂは、段差面Ｂに対向
する部分のマスク部２２ｂが設計値通りの幅Ｘであり、
このとき焦点の合わない段差面Ａに対向する部分のマス
ク部２１ｂは、設計値Ｘに対してこれより幅の広いＸ＋
ｄＸとしている。従ってこの第２回目の露光では、破線
で示したように段差面Ｂに対してはマスク部２２ｂがそ
のまま転写され、焦点のずれた段差面Ａについては、少
なくともレジストパターンとして必要な幅Ｘの範囲は露
光されずに残る。
のうち、段差面Ｂに焦点を合わせて行う。この２回目の
露光に用いる第２のレチクル２０ｂは、段差面Ｂに対向
する部分のマスク部２２ｂが設計値通りの幅Ｘであり、
このとき焦点の合わない段差面Ａに対向する部分のマス
ク部２１ｂは、設計値Ｘに対してこれより幅の広いＸ＋
ｄＸとしている。従ってこの第２回目の露光では、破線
で示したように段差面Ｂに対してはマスク部２２ｂがそ
のまま転写され、焦点のずれた段差面Ａについては、少
なくともレジストパターンとして必要な幅Ｘの範囲は露
光されずに残る。
【００１８】以上の２回の露光工程を経た後、レジスト
１８を現像する。この現像により、図２に示すように、
段差面Ａ，Ｂ共に設計値通りの幅Ｘを持ったレジストパ
ターン１８Ａ，１８Ｂが得られる。
１８を現像する。この現像により、図２に示すように、
段差面Ａ，Ｂ共に設計値通りの幅Ｘを持ったレジストパ
ターン１８Ａ，１８Ｂが得られる。
【００１９】この実施例によると、多重露光を行うが現
像は１回であり、従って工程は簡単である。また前述の
多重露光法と、高解像度が得られる位相シフト法あるい
は、斜め入射照明法とを併用することで、高解像度特性
を維持しながら実質的に焦点深度の向上を図ることが可
能になる。特に、所定のスペースをもって多数のライン
状レジストパターンを加工する場合に、深い焦点深度が
得られる。また孤立ラインに対しては、ＦＬＥＸ法と同
じメカニズムにより焦点深度増大の効果が得られる。
像は１回であり、従って工程は簡単である。また前述の
多重露光法と、高解像度が得られる位相シフト法あるい
は、斜め入射照明法とを併用することで、高解像度特性
を維持しながら実質的に焦点深度の向上を図ることが可
能になる。特に、所定のスペースをもって多数のライン
状レジストパターンを加工する場合に、深い焦点深度が
得られる。また孤立ラインに対しては、ＦＬＥＸ法と同
じメカニズムにより焦点深度増大の効果が得られる。
【００２０】またこの実施例では、２回の露光工程で、
合焦しない領域も図７の従来例のように完全に遮光され
るわけではなく、一定の光が照射されるようにしてい
る。この結果、図７で説明したように段差の境界部で取
り残されたレジストによるブリッジが発生することはな
い。この点を明らかにするため、図３には、従来の図７
に対応させて、段差境界を横切るように一定幅Ｘのレジ
ストパターンを加工する場合の工程を示している。
合焦しない領域も図７の従来例のように完全に遮光され
るわけではなく、一定の光が照射されるようにしてい
る。この結果、図７で説明したように段差の境界部で取
り残されたレジストによるブリッジが発生することはな
い。この点を明らかにするため、図３には、従来の図７
に対応させて、段差境界を横切るように一定幅Ｘのレジ
ストパターンを加工する場合の工程を示している。
【００２１】図３（ａ）の第１回目の露光では、段差面
Ａに合焦させる。このとき用いる第１の１のレチクル２
０ａは、合焦しない段差面Ｂに対向する部分では、規定
幅Ｘより広く幅Ｘ＋ｄＸのマスク部を持つ。図３（ｂ）
の第２回目の露光では、段差面Ｂに合焦させる。このと
き用いる第２のレチクル２０ｂは、合焦しない段差面Ａ
に対向する部分で、Ｘ＋ｄＸの幅のマスク部を持つ。２
回の露光後現像すると、図３（ｃ）（ｄ）に示すよう
に、段差面Ａ，Ｂにまたがって連続する幅Ｘのレジスト
パターン３１，３２が得られる。図７の例のように、非
合焦の段差面を完全には遮光しないから、隣接するレジ
ストパターン３１，３２の間は確実に分離される。
Ａに合焦させる。このとき用いる第１の１のレチクル２
０ａは、合焦しない段差面Ｂに対向する部分では、規定
幅Ｘより広く幅Ｘ＋ｄＸのマスク部を持つ。図３（ｂ）
の第２回目の露光では、段差面Ｂに合焦させる。このと
き用いる第２のレチクル２０ｂは、合焦しない段差面Ａ
に対向する部分で、Ｘ＋ｄＸの幅のマスク部を持つ。２
回の露光後現像すると、図３（ｃ）（ｄ）に示すよう
に、段差面Ａ，Ｂにまたがって連続する幅Ｘのレジスト
パターン３１，３２が得られる。図７の例のように、非
合焦の段差面を完全には遮光しないから、隣接するレジ
ストパターン３１，３２の間は確実に分離される。
【００２２】図４は、ネガ型レジストを用いた場合の実
施例の露光工程を図１に対応させて示している。ウェハ
構造は、レジスト１９がネガ型である点を除き、図１と
同様である。１回目の露光は、図４（ａ）に示すよう
に、二つの段差面Ａ，Ｂのうち、段差面Ａに焦点を合わ
せて行う。この１回目の露光に用いる第１のレチクル３
０ａは、段差面Ａに対向する部分の開口部３１ａが設計
値通りの幅Ｘであり、このとき焦点の合わない段差面Ｂ
に対向する部分の開口部３２ａは、設計値Ｘに対してこ
れより幅の狭いＸ−ｄＸとしている。光を遮るマスク部
３３に着目すれば、図１の実施例と同様の関係にある。
この第１回目の露光により、破線で示したように段差面
Ａに対しては開口部３１ａがそのまま転写される。焦点
のずれた段差面Ｂについては、露光幅は小さい。
施例の露光工程を図１に対応させて示している。ウェハ
構造は、レジスト１９がネガ型である点を除き、図１と
同様である。１回目の露光は、図４（ａ）に示すよう
に、二つの段差面Ａ，Ｂのうち、段差面Ａに焦点を合わ
せて行う。この１回目の露光に用いる第１のレチクル３
０ａは、段差面Ａに対向する部分の開口部３１ａが設計
値通りの幅Ｘであり、このとき焦点の合わない段差面Ｂ
に対向する部分の開口部３２ａは、設計値Ｘに対してこ
れより幅の狭いＸ−ｄＸとしている。光を遮るマスク部
３３に着目すれば、図１の実施例と同様の関係にある。
この第１回目の露光により、破線で示したように段差面
Ａに対しては開口部３１ａがそのまま転写される。焦点
のずれた段差面Ｂについては、露光幅は小さい。
【００２３】２回目の露光は、図４（ｂ）に示すよう
に、段差面Ｂに焦点を合わせて行う。この２回目の露光
に用いる第２のレチクル３０ｂは、段差面Ｂに対向する
部分の開口部３２ｂが設計値通りの幅Ｘであり、焦点の
合わない段差面Ａに対向する部分の開口部３１ｂは、設
計値Ｘより狭いＸ−ｄＸとしている。この関係も、マス
ク部３３に着目すれば、図１の実施例と同じである。こ
の第２回目の露光では、破線で示したように段差面Ｂに
対しては開口部３２ｂがそのまま転写され、段差面Ａで
は狭い範囲に露光される。以上の２回の露光工程で、段
差面Ａ，Ｂ共に、幅Ｘの範囲がシャープに露光されてい
るから、これを現像すると、先の実施例の図２と同様
に、段差面Ａ，Ｂともに設計値通りの幅Ｘを持つレジス
トパターンが形成される。
に、段差面Ｂに焦点を合わせて行う。この２回目の露光
に用いる第２のレチクル３０ｂは、段差面Ｂに対向する
部分の開口部３２ｂが設計値通りの幅Ｘであり、焦点の
合わない段差面Ａに対向する部分の開口部３１ｂは、設
計値Ｘより狭いＸ−ｄＸとしている。この関係も、マス
ク部３３に着目すれば、図１の実施例と同じである。こ
の第２回目の露光では、破線で示したように段差面Ｂに
対しては開口部３２ｂがそのまま転写され、段差面Ａで
は狭い範囲に露光される。以上の２回の露光工程で、段
差面Ａ，Ｂ共に、幅Ｘの範囲がシャープに露光されてい
るから、これを現像すると、先の実施例の図２と同様
に、段差面Ａ，Ｂともに設計値通りの幅Ｘを持つレジス
トパターンが形成される。
【００２４】
【発明の効果】以上述べたようにこの発明によれば、段
差面に応じてレチクルを作り分け、段差面に応じて焦点
合わせをした複数回の露光と１回の現像によって、所望
のレジストパターンを得ることができる。この発明にお
いては、ある露光工程でのレチクルには焦点の合わない
段差面に対しても全面遮光ではなく、寸法を設計値から
ずらしたマスク部を設けて露光するようにしているの
で、最終的なレジストパターンにブリッジ等が発生する
おそれはない。また現像は１回であるから、工程は簡単
である。
差面に応じてレチクルを作り分け、段差面に応じて焦点
合わせをした複数回の露光と１回の現像によって、所望
のレジストパターンを得ることができる。この発明にお
いては、ある露光工程でのレチクルには焦点の合わない
段差面に対しても全面遮光ではなく、寸法を設計値から
ずらしたマスク部を設けて露光するようにしているの
で、最終的なレジストパターンにブリッジ等が発生する
おそれはない。また現像は１回であるから、工程は簡単
である。
【図１】 この発明の一実施例による露光工程を示す。
【図２】 同実施例によるレジストパターン加工の様子
を示す。
を示す。
【図３】 同実施例による段差部を跨ぐレジストパター
ンの形成系を示す。
ンの形成系を示す。
【図４】 他の実施例による露光工程を示す。
【図５】 実施例の露光工程の流れを示す。
【図６】 実施例の露光光学系の構成を示す。
【図７】 従来の露光法の一例を示す。
１０…半導体ウェハ、１８…ポジ型レジスト、Ａ，Ｂ…
段差面、２０ａ…第１のレチクル、２０ｂ…第２のレチ
クル、２１ａ，２１ｂ，２２ａ，２２ｂ…マスク部、１
９…ネガ型レジスト、３１ａ，３１ｂ，３２ａ，３２ｂ
…開口部、３３…マスク部。
段差面、２０ａ…第１のレチクル、２０ｂ…第２のレチ
クル、２１ａ，２１ｂ，２２ａ，２２ｂ…マスク部、１
９…ネガ型レジスト、３１ａ，３１ｂ，３２ａ，３２ｂ
…開口部、３３…マスク部。
Claims (1)
- 【請求項１】 高さの異なる少なくとも第１、第２の段
差面を有する半導体基板上にレジストを塗布し、露光現
像してレジストパターンを形成する工程を有する半導体
装置の製造方法において、前記レジストパターンを形成
する工程は、 前記第１の段差面に対向する部分のマスク部を設計値通
りの寸法とし、前記第２の段差面に対向する部分のマス
ク部を設計値より幅広としたマスクパターンを持つ第１
のレチクルを用いて、前記レジストが塗布された基板の
前記第１の段差面に焦点を合わせた露光を行う第１の露
光工程と、 前記第１の段差面に対するマスク部を設計値より幅広と
し、前記第２の段差面に対するマスク部を設計値通りの
寸法とした第２のレチクルを用いて、前記第２の段差面
に焦点を合わせた露光を行う第２の露光工程と、 これらの露光工程を経たレジストを現像してレジストパ
ターンを形成する現像工程とを有することを特徴とする
半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7080823A JPH08250407A (ja) | 1995-03-13 | 1995-03-13 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7080823A JPH08250407A (ja) | 1995-03-13 | 1995-03-13 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08250407A true JPH08250407A (ja) | 1996-09-27 |
Family
ID=13729158
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7080823A Pending JPH08250407A (ja) | 1995-03-13 | 1995-03-13 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08250407A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002313702A (ja) * | 2001-04-17 | 2002-10-25 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置の製造方法および半導体装置 |
| KR100602129B1 (ko) * | 2004-12-30 | 2006-07-19 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 다단계 노광공정을 이용한 패턴 형성 방법 |
| JP2006215330A (ja) * | 2005-02-04 | 2006-08-17 | Yazaki Corp | 半導体装置の製造方法および該製造方法で製造された半導体装置 |
| US7371592B2 (en) | 2005-01-17 | 2008-05-13 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Manufacturing method of thin film transistor array panel using an optical mask |
| JP2019090961A (ja) * | 2017-11-16 | 2019-06-13 | リバーエレテック株式会社 | 露光装置 |
-
1995
- 1995-03-13 JP JP7080823A patent/JPH08250407A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002313702A (ja) * | 2001-04-17 | 2002-10-25 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置の製造方法および半導体装置 |
| KR100602129B1 (ko) * | 2004-12-30 | 2006-07-19 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 다단계 노광공정을 이용한 패턴 형성 방법 |
| US7371592B2 (en) | 2005-01-17 | 2008-05-13 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Manufacturing method of thin film transistor array panel using an optical mask |
| JP2006215330A (ja) * | 2005-02-04 | 2006-08-17 | Yazaki Corp | 半導体装置の製造方法および該製造方法で製造された半導体装置 |
| JP2019090961A (ja) * | 2017-11-16 | 2019-06-13 | リバーエレテック株式会社 | 露光装置 |
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