JPH08269703A - スパッタ用ターゲット - Google Patents
スパッタ用ターゲットInfo
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- JPH08269703A JPH08269703A JP7099951A JP9995195A JPH08269703A JP H08269703 A JPH08269703 A JP H08269703A JP 7099951 A JP7099951 A JP 7099951A JP 9995195 A JP9995195 A JP 9995195A JP H08269703 A JPH08269703 A JP H08269703A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 大電力を投入しても安定した成膜を長時間に
わたって行なうことができるスパッタ用ターゲットを提
供する。 【構成】 本発明のスパッタ用ターゲットは、スパッタ
用ターゲット材料、ＩｎとＡｕとを含有する合金からな
る第１ボンディング層、Ｉｎを主成分とする第２ボンデ
ィング層、およびバッキングプレートの順に構成されて
いることを特徴とする。
わたって行なうことができるスパッタ用ターゲットを提
供する。 【構成】 本発明のスパッタ用ターゲットは、スパッタ
用ターゲット材料、ＩｎとＡｕとを含有する合金からな
る第１ボンディング層、Ｉｎを主成分とする第２ボンデ
ィング層、およびバッキングプレートの順に構成されて
いることを特徴とする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、スパッタ用ターゲット
に関する。
に関する。
【０００２】
【従来の技術】スパッタは、金属、半金属等の薄膜を形
成する際に使用されるもので、目的の材料、もしくはそ
の組成の少なくとも１種の材料で構成されるスパッタタ
ーゲット材料にエネルギを与えることにより行なわれ
る。例えば、シリコンをターゲットとするスパッタによ
りシリコン系薄膜が成膜される。ＳｉＮ系薄膜の成膜で
も、シリコンをターゲットとし窒素ガスにより反応性ス
パッタが行なわれる。また、金属シリサイド等シリコン
を含有するスパッタターゲットが産業上多く使用され
る。これらスパッタターゲットは、通常スパッタターゲ
ット材料を銅、銅合金、鉄合金からなるバッキングプレ
ートにボンディングして形成されたものである。ボンデ
ィング材料は、樹脂とメタルに大別されるが、スパッタ
レートアップのためには、大電力がターゲットに投入さ
れるので、一般的に熱伝導性が良好なメタルが使用され
ている。中でも融点が低く、柔軟性が良好なインジウム
が広く使用されている。
成する際に使用されるもので、目的の材料、もしくはそ
の組成の少なくとも１種の材料で構成されるスパッタタ
ーゲット材料にエネルギを与えることにより行なわれ
る。例えば、シリコンをターゲットとするスパッタによ
りシリコン系薄膜が成膜される。ＳｉＮ系薄膜の成膜で
も、シリコンをターゲットとし窒素ガスにより反応性ス
パッタが行なわれる。また、金属シリサイド等シリコン
を含有するスパッタターゲットが産業上多く使用され
る。これらスパッタターゲットは、通常スパッタターゲ
ット材料を銅、銅合金、鉄合金からなるバッキングプレ
ートにボンディングして形成されたものである。ボンデ
ィング材料は、樹脂とメタルに大別されるが、スパッタ
レートアップのためには、大電力がターゲットに投入さ
れるので、一般的に熱伝導性が良好なメタルが使用され
ている。中でも融点が低く、柔軟性が良好なインジウム
が広く使用されている。
【０００３】しかし、シリコン系等のスパッタターゲッ
ト材料はバッキングプレート材料と熱膨張、弾性率等が
大きく異なり、インジウムとの濡れ性も悪く、安定した
スパッタターゲットの作製が困難であった。
ト材料はバッキングプレート材料と熱膨張、弾性率等が
大きく異なり、インジウムとの濡れ性も悪く、安定した
スパッタターゲットの作製が困難であった。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、大電
力を投入しても安定した成膜を長時間にわたって行なう
ことができるスパッタターゲットを提供することであ
る。
力を投入しても安定した成膜を長時間にわたって行なう
ことができるスパッタターゲットを提供することであ
る。
【０００５】
【課題を解決するための手段】このような目的は、下記
（１）〜（１１）の本発明により達成される。 （１）スパッタ用ターゲット材料、ＩｎとＡｕとを含有
する合金からなる第１ボンディング層、Ｉｎを主成分と
する第２ボンディング層、およびバッキングプレートの
順に構成されたスパッタ用ターゲット。 （２）前記第１ボンディング層を構成する合金が、Ｓｎ
およびＰｂの少なくとも１方を含有する上記（１）のス
パッタ用ターゲット。 （３）前記第１ボンディング層の組成は、Ａｕが０．８
〜３．５wt％、Ｓｎが３０wt％以下、Ｐｂが２０wt％以
下、そして残部がＩｎを含む上記（１）または（２）の
スパッタ用ターゲット。 （４）前記第２ボンディング層は、Ｉｎの含有率が９０
wt％以上である上記（１）ないし（３）のいずれかのス
パッタ用ターゲット。 （５）前記スパッタ用ターゲット材料は、Ｓｉ、金属シ
リサイドおよびＳｉを含む合金、高融点金属およびその
合金、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｚｒおよびその合金、ＩＴＯ、なら
びにＧｅおよびその合金から選ばれる１種である上記
（１）ないし（４）のいずれかのスパッタ用ターゲッ
ト。 （６）前記スパッタ用ターゲットの気孔率が２０％以下
である上記（５）のスパッタ用ターゲット。 （７）前記バッキングプレートの材料が、Ｃｕ、Ｃｕを
９９．５wt％以上含有するＣｕ合金、およびＦｅを５０
wt％以上含有するＦｅ合金から選ばれた１種である上記
（１）ないし（６）のいずれかのスパッタ用ターゲッ
ト。 （８）前記第１ボンディング層と前記第２ボンディング
層の層厚の比が１対１〜１対５０で、かつ２層の層厚の
合計が５〜８０μｍである上記（１）ないし（７）のい
ずれかのスパッタ用ターゲット。 （９）前記スパッタ用ターゲット材料が、Ｓｉ単結晶、
Ｓｉ多結晶、金属シリサイド、およびＳｉを３０wt％以
上含有する合金のいずれかであり、スパッタ用ターゲッ
ト材料と第１ボンディング層の間に厚さ２０ｎｍ以上の
シリコン酸化物層を有する上記（１）ないし（８）のい
ずれかのスパッタ用ターゲット。 （１０）前記スパッタ用ターゲット材料のボンディング
面の最大表面粗度Ｒｍａｘが３μｍ以下である上記
（１）ないし（９）のいずれかのスパッタ用ターゲッ
ト。 （１１）全体形状が凸状の湾曲状である上記（１）ない
し（10）のいずれかのスパッタ用ターゲット。
（１）〜（１１）の本発明により達成される。 （１）スパッタ用ターゲット材料、ＩｎとＡｕとを含有
する合金からなる第１ボンディング層、Ｉｎを主成分と
する第２ボンディング層、およびバッキングプレートの
順に構成されたスパッタ用ターゲット。 （２）前記第１ボンディング層を構成する合金が、Ｓｎ
およびＰｂの少なくとも１方を含有する上記（１）のス
パッタ用ターゲット。 （３）前記第１ボンディング層の組成は、Ａｕが０．８
〜３．５wt％、Ｓｎが３０wt％以下、Ｐｂが２０wt％以
下、そして残部がＩｎを含む上記（１）または（２）の
スパッタ用ターゲット。 （４）前記第２ボンディング層は、Ｉｎの含有率が９０
wt％以上である上記（１）ないし（３）のいずれかのス
パッタ用ターゲット。 （５）前記スパッタ用ターゲット材料は、Ｓｉ、金属シ
リサイドおよびＳｉを含む合金、高融点金属およびその
合金、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｚｒおよびその合金、ＩＴＯ、なら
びにＧｅおよびその合金から選ばれる１種である上記
（１）ないし（４）のいずれかのスパッタ用ターゲッ
ト。 （６）前記スパッタ用ターゲットの気孔率が２０％以下
である上記（５）のスパッタ用ターゲット。 （７）前記バッキングプレートの材料が、Ｃｕ、Ｃｕを
９９．５wt％以上含有するＣｕ合金、およびＦｅを５０
wt％以上含有するＦｅ合金から選ばれた１種である上記
（１）ないし（６）のいずれかのスパッタ用ターゲッ
ト。 （８）前記第１ボンディング層と前記第２ボンディング
層の層厚の比が１対１〜１対５０で、かつ２層の層厚の
合計が５〜８０μｍである上記（１）ないし（７）のい
ずれかのスパッタ用ターゲット。 （９）前記スパッタ用ターゲット材料が、Ｓｉ単結晶、
Ｓｉ多結晶、金属シリサイド、およびＳｉを３０wt％以
上含有する合金のいずれかであり、スパッタ用ターゲッ
ト材料と第１ボンディング層の間に厚さ２０ｎｍ以上の
シリコン酸化物層を有する上記（１）ないし（８）のい
ずれかのスパッタ用ターゲット。 （１０）前記スパッタ用ターゲット材料のボンディング
面の最大表面粗度Ｒｍａｘが３μｍ以下である上記
（１）ないし（９）のいずれかのスパッタ用ターゲッ
ト。 （１１）全体形状が凸状の湾曲状である上記（１）ない
し（10）のいずれかのスパッタ用ターゲット。
【０００６】
【作用】本発明においては、Ｓｉ系等のスパッタターゲ
ット材料に接する第１ボンディング層にＡｕを添加した
ことにより、スパッタターゲット材料に対する第１ボン
ディング層の濡れ性を向上し、それらの間の結合を強固
なものとした。また、第２ボンディング層にはＩｎを用
いることにより、通常よく使用されている銅、銅合金、
鉄合金等のバッキングプレートに対して、スパッタター
ゲット材料を強固に結合するようにした。また、第１ボ
ンディング層と第２ボンディング層とは、共通にＩｎを
使用しているので、互いに濡れ性がよく、強固に結合す
る。以上により、ターゲット全体として、接着強度が高
く、大電力を投入しても長時間安定したものとなった。
さらに、上記のように、第２ボンディング層として、柔
軟性の高いＩｎを用いたので、スパッタターゲット材料
とバッキングプレートとの熱膨張の違い等によるストレ
スを良好に吸収でき、これによっても耐久性が向上し
た。
ット材料に接する第１ボンディング層にＡｕを添加した
ことにより、スパッタターゲット材料に対する第１ボン
ディング層の濡れ性を向上し、それらの間の結合を強固
なものとした。また、第２ボンディング層にはＩｎを用
いることにより、通常よく使用されている銅、銅合金、
鉄合金等のバッキングプレートに対して、スパッタター
ゲット材料を強固に結合するようにした。また、第１ボ
ンディング層と第２ボンディング層とは、共通にＩｎを
使用しているので、互いに濡れ性がよく、強固に結合す
る。以上により、ターゲット全体として、接着強度が高
く、大電力を投入しても長時間安定したものとなった。
さらに、上記のように、第２ボンディング層として、柔
軟性の高いＩｎを用いたので、スパッタターゲット材料
とバッキングプレートとの熱膨張の違い等によるストレ
スを良好に吸収でき、これによっても耐久性が向上し
た。
【０００７】
【具体的構成】以下、本発明の具体的構成について詳細
に説明する。
に説明する。
【０００８】本発明のスパッタ用ターゲットにおけるボ
ンディング構造は、図１に示すように、インジュウム
（Ｉｎ）と金（Ａｕ）とを含有する合金により構成され
る第１ボンディング層１、およびこの第１ボンディング
層に結合したＩｎを主体成分とする第２ボンディング層
２を備え、第１ボンディング層１はスパッタターゲット
材料３と接合し、第２ボンディング層２はバッキングプ
レート４と接している。
ンディング構造は、図１に示すように、インジュウム
（Ｉｎ）と金（Ａｕ）とを含有する合金により構成され
る第１ボンディング層１、およびこの第１ボンディング
層に結合したＩｎを主体成分とする第２ボンディング層
２を備え、第１ボンディング層１はスパッタターゲット
材料３と接合し、第２ボンディング層２はバッキングプ
レート４と接している。
【０００９】第１ボンディング層には、さらに錫（Ｓ
ｎ）および／または鉛（Ｐｂ）が含有されていることが
好ましい。
ｎ）および／または鉛（Ｐｂ）が含有されていることが
好ましい。
【００１０】上記したボンディング構造は、スパッタタ
ーゲット材料として、Ｓｉ、金属シリサイドおよびＳｉ
を含む合金、高融点金属およびその合金、Ｃｒ、Ｔｉ、
Ｚｒおよびその合金、ＩＴＯ（組成：ＩｎＯ／ＳｎＯ比
（wt％）＝９０／１０〜９８／２）、ならびにＧｅおよ
びその合金から選ばれる１種に用いたとき、特に好まし
い。
ーゲット材料として、Ｓｉ、金属シリサイドおよびＳｉ
を含む合金、高融点金属およびその合金、Ｃｒ、Ｔｉ、
Ｚｒおよびその合金、ＩＴＯ（組成：ＩｎＯ／ＳｎＯ比
（wt％）＝９０／１０〜９８／２）、ならびにＧｅおよ
びその合金から選ばれる１種に用いたとき、特に好まし
い。
【００１１】上記Ｓｉとしては、Ｓｉ単結晶、Ｓｉ多結
晶を用いることができる。金属シリサイドとしては、Ｍ
ｏＳｉ2 、ＷＳｉ2 、ＴａＳｉ2 、ＮｂＳｉ2 等を用い
ることができる。また、上記Ｓｉ系合金としては、Ｓｉ
−Ｆｅ合金、Ｓｉ−Ｎｉ−Ｃｒ合金等を用いることがで
きる。
晶を用いることができる。金属シリサイドとしては、Ｍ
ｏＳｉ2 、ＷＳｉ2 、ＴａＳｉ2 、ＮｂＳｉ2 等を用い
ることができる。また、上記Ｓｉ系合金としては、Ｓｉ
−Ｆｅ合金、Ｓｉ−Ｎｉ−Ｃｒ合金等を用いることがで
きる。
【００１２】上記高融点金属としては、Ｍｏ、Ｔａ、
Ｗ、Ｎｂ等を用いることができる。また、それらの合金
とは、上記の高融点金属を３０wt％以上、特に５０wt％
以上含有することが好ましい。このような合金として
は、Ｗ−Ｔａ合金、Ｍｏ−Ｔａ合金等を挙げることがで
きる。
Ｗ、Ｎｂ等を用いることができる。また、それらの合金
とは、上記の高融点金属を３０wt％以上、特に５０wt％
以上含有することが好ましい。このような合金として
は、Ｗ−Ｔａ合金、Ｍｏ−Ｔａ合金等を挙げることがで
きる。
【００１３】上記Ｃｒ、Ｔｉ、Ｚｒ（以下、主金属と称
することもある）の合金とは、上記の主金属を３０wt％
以上、特に５０wt％以上含有することが好ましい。この
ような合金としては、Ｔｉ−Ａｌ合金、Ｔｉ−Ｚｒ合金
等を挙げることができる。
することもある）の合金とは、上記の主金属を３０wt％
以上、特に５０wt％以上含有することが好ましい。この
ような合金としては、Ｔｉ−Ａｌ合金、Ｔｉ−Ｚｒ合金
等を挙げることができる。
【００１４】Ｇｅの合金も、Ｇｅを３０wt％以上、特に
５０wt％以上含有することが好ましい。このような合金
としてはＧｅ−Ｆｅ合金等を挙げることができる。
５０wt％以上含有することが好ましい。このような合金
としてはＧｅ−Ｆｅ合金等を挙げることができる。
【００１５】そして、スパッタターゲット材料が、ＩＴ
Ｏ、ＭｏＳｉ2 、ＷＳｉ2 、ＴａＳｉ2 、ＮｂＳｉ2 等
のときには、内部に気孔を有するが、そのスパッタター
ゲット材料の気孔率は２０％以下、特に１０％、さらに
５％以下であることが好ましい。上限気孔率が上記を越
えると接合強度が低下するので、目止め等を行わなけれ
ばならなくなる。この気孔率の下限値は特にないが、通
常１％程度であると思われる。Ｓｉの単結晶等を用いる
場合には、実質的に気孔が無く、気孔率が０％となる。
Ｏ、ＭｏＳｉ2 、ＷＳｉ2 、ＴａＳｉ2 、ＮｂＳｉ2 等
のときには、内部に気孔を有するが、そのスパッタター
ゲット材料の気孔率は２０％以下、特に１０％、さらに
５％以下であることが好ましい。上限気孔率が上記を越
えると接合強度が低下するので、目止め等を行わなけれ
ばならなくなる。この気孔率の下限値は特にないが、通
常１％程度であると思われる。Ｓｉの単結晶等を用いる
場合には、実質的に気孔が無く、気孔率が０％となる。
【００１６】第１ボンディング層におけるＡｕの含有量
は、０．８〜３．５wt% 、特に１〜３wt％が好ましい。
Ａｕ金は上記のＳｉ等のスパッタターゲット材料とＩｎ
の濡れ性を改善する効果がある。０．８wt% 未満では、
十分な効果が得られなくなる傾向があり、３．５wt% よ
り多いと、第１ボンディング層材料の融点が上り、金属
間化合物が析出しやすくなりスパッタターゲット材料に
均一に塗布する作業性が低下してくる。
は、０．８〜３．５wt% 、特に１〜３wt％が好ましい。
Ａｕ金は上記のＳｉ等のスパッタターゲット材料とＩｎ
の濡れ性を改善する効果がある。０．８wt% 未満では、
十分な効果が得られなくなる傾向があり、３．５wt% よ
り多いと、第１ボンディング層材料の融点が上り、金属
間化合物が析出しやすくなりスパッタターゲット材料に
均一に塗布する作業性が低下してくる。
【００１７】Ｓｎの含有量は、３０wt% 以下、特に２０
wt％以下であることが好ましい。ＳｎはＡｕをＩｎにに
均一に溶かし込む助剤となり添加するのが好ましいが、
３０wt% を越えると第２ボンディング層によりバッキン
グプレートと接合する際に第２ボンディング層に錫が拡
散しやすくなり第２ボンディング層の柔軟性を損なう傾
向がある。このＳｎは添加しなくてもよいが、添加する
場合には、５wt％以上とすることが好ましい。これ未満
であると、助剤としての効果が十分に発揮されにくくな
る。
wt％以下であることが好ましい。ＳｎはＡｕをＩｎにに
均一に溶かし込む助剤となり添加するのが好ましいが、
３０wt% を越えると第２ボンディング層によりバッキン
グプレートと接合する際に第２ボンディング層に錫が拡
散しやすくなり第２ボンディング層の柔軟性を損なう傾
向がある。このＳｎは添加しなくてもよいが、添加する
場合には、５wt％以上とすることが好ましい。これ未満
であると、助剤としての効果が十分に発揮されにくくな
る。
【００１８】Ｐｂの含有量は、２０wt% 以下、特に１０
wt％以下であることが好ましい。ＰｂはＩｎにＡｕを添
加することにより硬くなることを抑えるる効果があり添
加するのが好ましいが、２０wt% を越えると第２ボンデ
ィング層との濡れ性が低下する。このＰｂは添加しなく
てもよいが、添加する場合には、５wt％以上とすること
が好ましい。これ未満であると、第１ボンディング層が
硬くなることを抑える効果が十分に発揮されなくなって
くる。
wt％以下であることが好ましい。ＰｂはＩｎにＡｕを添
加することにより硬くなることを抑えるる効果があり添
加するのが好ましいが、２０wt% を越えると第２ボンデ
ィング層との濡れ性が低下する。このＰｂは添加しなく
てもよいが、添加する場合には、５wt％以上とすること
が好ましい。これ未満であると、第１ボンディング層が
硬くなることを抑える効果が十分に発揮されなくなって
くる。
【００１９】第１ボンディング層材料の融点は、２００
〜３００℃、特に２５０〜２８０℃程度であることが好
ましい。２００℃未満であると、ボンディング作業性が
悪くなる傾向があり、３００℃を越えると、上記のよう
に金属間化合物を析出しやすくなるとともに、バッキン
グプレート材料として無酸素銅を用いたとき、ろう付け
作業中に、この無酸素銅が焼純されて、バッキングプレ
ートの強度が低下する傾向がある。
〜３００℃、特に２５０〜２８０℃程度であることが好
ましい。２００℃未満であると、ボンディング作業性が
悪くなる傾向があり、３００℃を越えると、上記のよう
に金属間化合物を析出しやすくなるとともに、バッキン
グプレート材料として無酸素銅を用いたとき、ろう付け
作業中に、この無酸素銅が焼純されて、バッキングプレ
ートの強度が低下する傾向がある。
【００２０】そして、上記ＳｎとＰｂの総量の含有率
は、５〜４０wt％、特に１０〜３５wt％程度であること
が好ましい。ＳｎとＰｂはこの範囲で添加することによ
りボンディング性能が特に向上する。なお、Ａｕ、Ｓ
ｎ、Ｐｂの他の残部は、Ｉｎであるが、全体の５wt％以
下の範囲でＴｉ、Ｍｎ、Ａｇ、Ｐｔ、Ｚｎ、Ｃｕ等が含
有されていてもよい。
は、５〜４０wt％、特に１０〜３５wt％程度であること
が好ましい。ＳｎとＰｂはこの範囲で添加することによ
りボンディング性能が特に向上する。なお、Ａｕ、Ｓ
ｎ、Ｐｂの他の残部は、Ｉｎであるが、全体の５wt％以
下の範囲でＴｉ、Ｍｎ、Ａｇ、Ｐｔ、Ｚｎ、Ｃｕ等が含
有されていてもよい。
【００２１】第２ボンディング層は、Ｉｎを主成分とし
て９０wt% 以上、特に９５wt% 以上、さらに９８wt% 以
上含有するものであることが好ましい。第２ボンディン
グ層のインジュウムはスパッタターゲット材料とバッキ
ングプレートの熱膨張率、弾性係数の違いを緩和する効
果を持ち、その含有量が９０wt% 未満となると、満足の
ゆく柔軟性が得られなくなってくる。この第２ボンディ
ング層には、１０wt%を限度として、Ｓｎ、Ｐｂ等を含
有していてもよい。
て９０wt% 以上、特に９５wt% 以上、さらに９８wt% 以
上含有するものであることが好ましい。第２ボンディン
グ層のインジュウムはスパッタターゲット材料とバッキ
ングプレートの熱膨張率、弾性係数の違いを緩和する効
果を持ち、その含有量が９０wt% 未満となると、満足の
ゆく柔軟性が得られなくなってくる。この第２ボンディ
ング層には、１０wt%を限度として、Ｓｎ、Ｐｂ等を含
有していてもよい。
【００２２】第１ボンディング層と第２ボンディング層
は、２層全体の層厚が５〜８０μmであり、それらの層
厚の比が１対５０から１対１の範囲であることが好まし
い。５μｍ未満ではボンディング層を均一に維持できな
くなってくる。一方、８０μm を越えるとボンディング
強度が著しく低下してくる。第１ボンディング層と第２
ボンディング層の層厚の比が１対５０から１対１の範囲
で２層全体の層厚が５〜８０μm であることの緩和作用
が最大に生かされる。
は、２層全体の層厚が５〜８０μmであり、それらの層
厚の比が１対５０から１対１の範囲であることが好まし
い。５μｍ未満ではボンディング層を均一に維持できな
くなってくる。一方、８０μm を越えるとボンディング
強度が著しく低下してくる。第１ボンディング層と第２
ボンディング層の層厚の比が１対５０から１対１の範囲
で２層全体の層厚が５〜８０μm であることの緩和作用
が最大に生かされる。
【００２３】また、本発明は上記スパッタターゲット材
料と熱膨張率、弾性率の異なるバッキングプレート材料
との組み合わせで特に効果が現れる。このようなバッキ
ングプレート材料としては、Ｃｕ、Ｃｕ合金、Ｆｅ合金
等を挙げることができる。例えば、スパッタターゲット
材料がＳｉの場合、熱膨張率αが２．４×１０-6／ｄｅ
ｇで、もろく、一方、バッキングプレート材料としてＣ
ｕを用いた場合、その銅の熱膨張率αが１．７×１０-5
／ｄｅｇ、ヤング率が１．２３×１０-6Ｎ／ｃｍ2 であ
り、違いが大きい。
料と熱膨張率、弾性率の異なるバッキングプレート材料
との組み合わせで特に効果が現れる。このようなバッキ
ングプレート材料としては、Ｃｕ、Ｃｕ合金、Ｆｅ合金
等を挙げることができる。例えば、スパッタターゲット
材料がＳｉの場合、熱膨張率αが２．４×１０-6／ｄｅ
ｇで、もろく、一方、バッキングプレート材料としてＣ
ｕを用いた場合、その銅の熱膨張率αが１．７×１０-5
／ｄｅｇ、ヤング率が１．２３×１０-6Ｎ／ｃｍ2 であ
り、違いが大きい。
【００２４】Ｃｕとしては、特に純度が９９．９６wt%
以上の無酸素銅を用いることが好ましい。Ｃｕ合金とし
ては、Ｃｕの含有率が９９．５wt％以上であることが好
ましく、その例としては、Ｚｒ−Ｃｕ合金（Ｚｒ：０．
１wt％）、Ｓｎ−Ｃｕ合金（Ｓｎ：０．１wt％）、Ａｇ
−Ｃｕ合金（Ａｇ：０．１wt％）等が挙げられる。ま
た、Ｆｅ合金としては、ＳＵＳ３０４（組成：Ｆｅ−１
８％Ｃｒ−８％Ｎｉ）のＦｅを５０wt％以上、特に７０
wt％以上含有する合金を用いることが好ましい。
以上の無酸素銅を用いることが好ましい。Ｃｕ合金とし
ては、Ｃｕの含有率が９９．５wt％以上であることが好
ましく、その例としては、Ｚｒ−Ｃｕ合金（Ｚｒ：０．
１wt％）、Ｓｎ−Ｃｕ合金（Ｓｎ：０．１wt％）、Ａｇ
−Ｃｕ合金（Ａｇ：０．１wt％）等が挙げられる。ま
た、Ｆｅ合金としては、ＳＵＳ３０４（組成：Ｆｅ−１
８％Ｃｒ−８％Ｎｉ）のＦｅを５０wt％以上、特に７０
wt％以上含有する合金を用いることが好ましい。
【００２５】例えば、バッキングプレートとしてよく使
用され、本発明においても好ましい無酸素銅の場合、３
００℃を超えると焼き鈍り現象（異常粒成長）が始まり
強度特性が低下し、スパッタの冷却水圧に耐えられなく
なるが、本発明のボンディング構造によれば、ボンディ
ング作業中に３００℃を超えることがないので、上記の
ような焼き鈍り現象が生ぜず、耐久性が向上する。
用され、本発明においても好ましい無酸素銅の場合、３
００℃を超えると焼き鈍り現象（異常粒成長）が始まり
強度特性が低下し、スパッタの冷却水圧に耐えられなく
なるが、本発明のボンディング構造によれば、ボンディ
ング作業中に３００℃を超えることがないので、上記の
ような焼き鈍り現象が生ぜず、耐久性が向上する。
【００２６】さらに、本発明のスパッタ用ターゲットで
は、スパッタ用ターゲット材料として、Ｓｉ系の材料を
用いる場合には、スパッタターゲット材料と第１ボンデ
ィング層の間に２０nm以上のシリコン酸化物層を設ける
ことが好ましい。このシリコン酸化物層の存在により、
スパッタターゲット材料と第１ボンディング層との結合
が更に強固なものとなる。このシリコン酸化物層の形成
は、例えば、スパッタターゲット材料のボンディング面
を熱酸化すること等により形成することができる。この
シリコン酸化物層は、あまり厚すぎるとボンディング強
度が低下する傾向があるので、１００ｎｍ程度以下とす
ることが好ましい。
は、スパッタ用ターゲット材料として、Ｓｉ系の材料を
用いる場合には、スパッタターゲット材料と第１ボンデ
ィング層の間に２０nm以上のシリコン酸化物層を設ける
ことが好ましい。このシリコン酸化物層の存在により、
スパッタターゲット材料と第１ボンディング層との結合
が更に強固なものとなる。このシリコン酸化物層の形成
は、例えば、スパッタターゲット材料のボンディング面
を熱酸化すること等により形成することができる。この
シリコン酸化物層は、あまり厚すぎるとボンディング強
度が低下する傾向があるので、１００ｎｍ程度以下とす
ることが好ましい。
【００２７】上記スパッタターゲット材料のボンディン
グ面の最大表面粗度Ｒｍａｘは３μm 以下であることが
好ましい。これにより、スパッタターゲット材料と第１
ボンディング層との結合が更に強固なものとなる。この
ようにスパッタターゲット材料のボンディング面の最大
表面粗度Ｒｍａｘを小さくするため、必要な場合には、
このボンディング面に、ラッビング、ポリシング、エッ
チング等の加工を施すことが好ましい。また、この最大
表面粗度Ｒｍａｘの測定は、表面粗度計によって行う。
グ面の最大表面粗度Ｒｍａｘは３μm 以下であることが
好ましい。これにより、スパッタターゲット材料と第１
ボンディング層との結合が更に強固なものとなる。この
ようにスパッタターゲット材料のボンディング面の最大
表面粗度Ｒｍａｘを小さくするため、必要な場合には、
このボンディング面に、ラッビング、ポリシング、エッ
チング等の加工を施すことが好ましい。また、この最大
表面粗度Ｒｍａｘの測定は、表面粗度計によって行う。
【００２８】さらに、本発明のスパッタ用ターゲットで
は、その全体形状がバッキングプレートを下にした状態
で上方が凸となるように湾曲していることが望ましい。
このような形状とすることにより、スパッタ用ターゲッ
トにおける接着強度がさらに向上する。
は、その全体形状がバッキングプレートを下にした状態
で上方が凸となるように湾曲していることが望ましい。
このような形状とすることにより、スパッタ用ターゲッ
トにおける接着強度がさらに向上する。
【００２９】その湾曲の度合（以下、平面度と称する）
は、同一面で見たときの、最高位部（通常、中央部）と
最低位部（通常、両縁部）との差Ｓ（図２参照）が０．
１〜０．２mm程度であることが好ましい。なお、これは
直径が５インチ程度の円板の場合である。
は、同一面で見たときの、最高位部（通常、中央部）と
最低位部（通常、両縁部）との差Ｓ（図２参照）が０．
１〜０．２mm程度であることが好ましい。なお、これは
直径が５インチ程度の円板の場合である。
【００３０】本発明のスパッタ用ターゲットは、例え
ば、次のようにして製造される。
ば、次のようにして製造される。
【００３１】まず、スパッタターゲット材料の接合面に
第１ボンディング層を、バッキングプレートの接合面に
第２ボンディング層をそれぞれ形成する。これらの層の
形成は、それぞれの材料で１０〜１００μm 程度の箔を
形成し、それを接着し、溶着する方法、スパッタ、蒸
着、融した材料のハケの塗り等のいずれの方法であって
もよい。
第１ボンディング層を、バッキングプレートの接合面に
第２ボンディング層をそれぞれ形成する。これらの層の
形成は、それぞれの材料で１０〜１００μm 程度の箔を
形成し、それを接着し、溶着する方法、スパッタ、蒸
着、融した材料のハケの塗り等のいずれの方法であって
もよい。
【００３２】次いで、第１ボンディング層と第２ボンデ
ィング層を接触させた状態で、スパッタターゲット材料
とバッキングプレートを重ね合せ、これを加熱・加圧し
て第１ボンディング層と第２ボンディング層を接触す
る。
ィング層を接触させた状態で、スパッタターゲット材料
とバッキングプレートを重ね合せ、これを加熱・加圧し
て第１ボンディング層と第２ボンディング層を接触す
る。
【００３３】加熱温度は、ボンディング材料の融点によ
り決定され、通常２００〜２５０℃であることが好まし
い。
り決定され、通常２００〜２５０℃であることが好まし
い。
【００３４】加圧圧力は、１０〜１００ｇ／ｃｍ2 程度
であることが好ましい。このような作業を行なう装置と
しては、ホットプレス等が好ましい。
であることが好ましい。このような作業を行なう装置と
しては、ホットプレス等が好ましい。
【００３５】以上により、スパッタターゲットが製造さ
れる。
れる。
【００３６】本発明のスパッタ用ターゲットは、加圧圧
力６ｋｇ／ｍ2 までで、特に６ｋｇ／ｍ2 以上で、少な
くともスパッタターゲット材料の剥離が生じないことが
望ましく、特に破壊も剥離も生じないことが好ましい。
力６ｋｇ／ｍ2 までで、特に６ｋｇ／ｍ2 以上で、少な
くともスパッタターゲット材料の剥離が生じないことが
望ましく、特に破壊も剥離も生じないことが好ましい。
【００３７】
【実施例】以下、本発明の具体的実施例を示し、本発明
をさらに詳細に説明する。まず、下記のようにしてスパ
ッタターゲット材料、ボンディング材料およびバッキン
グプレート材料を用意した。
をさらに詳細に説明する。まず、下記のようにしてスパ
ッタターゲット材料、ボンディング材料およびバッキン
グプレート材料を用意した。
【００３８】スパッタターゲット材料として、５インチ
径、５mm厚の単結晶シリコンをインゴットからスライス
した。厚さ、外径バラツキは±０．１mm、平面度は０．
０２mm以下であった。また、スパッタターゲットの全面
において、最大表面粗度Ｒｍａｘは２μm で、全体の表
面に厚さ１０ｎｍのシリコン酸化層が形成されていた。
上記厚さ等の外観はシリコンウエーハの外観検査に関す
る標準仕様（ＪＥＩＤＡ−２３）による。
径、５mm厚の単結晶シリコンをインゴットからスライス
した。厚さ、外径バラツキは±０．１mm、平面度は０．
０２mm以下であった。また、スパッタターゲットの全面
において、最大表面粗度Ｒｍａｘは２μm で、全体の表
面に厚さ１０ｎｍのシリコン酸化層が形成されていた。
上記厚さ等の外観はシリコンウエーハの外観検査に関す
る標準仕様（ＪＥＩＤＡ−２３）による。
【００３９】上記をそのまま用いたものをスパッタター
ゲット材料の試料Ｓ１とし、ボンディング面の表面をラ
ッビングして、その最大表面粗度を５μｍとしたものを
試料Ｓ２、また、酸化物層の厚さを３０ｎｍとしたもの
を試料３とした。
ゲット材料の試料Ｓ１とし、ボンディング面の表面をラ
ッビングして、その最大表面粗度を５μｍとしたものを
試料Ｓ２、また、酸化物層の厚さを３０ｎｍとしたもの
を試料３とした。
【００４０】さらに、上記と同様に５インチ径、５mm厚
のＭｏの試料Ｓ４を作製した。最大表面表面粗度Ｒｍａ
ｘは２μｍであった。また、同様にして、Ｃｒ、ＩＴ
Ｏ，Ｇｅにより、スパッタターゲット材料として、試料
Ｓ５、Ｓ６およびＳ７を作製した。以上作製した試料の
材料、特性等を表１に示した。
のＭｏの試料Ｓ４を作製した。最大表面表面粗度Ｒｍａ
ｘは２μｍであった。また、同様にして、Ｃｒ、ＩＴ
Ｏ，Ｇｅにより、スパッタターゲット材料として、試料
Ｓ５、Ｓ６およびＳ７を作製した。以上作製した試料の
材料、特性等を表１に示した。
【００４１】
【表１】
【００４２】ボンディング材料としては、純度９９．９
９％のショット状のＩｎ、Ａｕ、Ｓｎ、Ｐｂを下記表２
の組成に秤量し３００℃で溶解し、棒状のインゴットで
ある試料Ｂ１〜１５を作製した。
９％のショット状のＩｎ、Ａｕ、Ｓｎ、Ｐｂを下記表２
の組成に秤量し３００℃で溶解し、棒状のインゴットで
ある試料Ｂ１〜１５を作製した。
【００４３】
【表２】
【００４４】なお、試料Ｂ６、Ｂ７は金属間化合物が析
出する傾向がみられ、均一な再溶解性がやや劣ってお
り、また、試料Ｂ１２、Ｂ１４は金の溶解に長時間が必
要であった。
出する傾向がみられ、均一な再溶解性がやや劣ってお
り、また、試料Ｂ１２、Ｂ１４は金の溶解に長時間が必
要であった。
【００４５】バッキングプレートとしては、ＪＩＳ Ｃ
１０２０ １／２Ｈの８mm厚の無酸素銅板から７インチ
径、６ｍｍ厚のディスク状の試料Ｐ１を旋盤加工により
削りだした。この試料Ｐ１の厚さ、外径バラツキは±
０．１mm、平面度は０．０２mm以下、ボンディング面の
最大表面粗度Ｒｍａｘは１．５μm であった。また、同
様にして、ＺｒＣｕ（Ｚｒの含有量０．１wt％）、ＳＵ
Ｓ３０４からバッキングプレート用の試料Ｐ２、Ｐ３を
作製した。
１０２０ １／２Ｈの８mm厚の無酸素銅板から７インチ
径、６ｍｍ厚のディスク状の試料Ｐ１を旋盤加工により
削りだした。この試料Ｐ１の厚さ、外径バラツキは±
０．１mm、平面度は０．０２mm以下、ボンディング面の
最大表面粗度Ｒｍａｘは１．５μm であった。また、同
様にして、ＺｒＣｕ（Ｚｒの含有量０．１wt％）、ＳＵ
Ｓ３０４からバッキングプレート用の試料Ｐ２、Ｐ３を
作製した。
【００４６】次に、スパッタターゲット材料として、表
３に示したものを用い、そのスパッタターゲット材料の
ボンディング面に、表３に示したボンディング材料で、
厚さを５〜１０μｍに制御して、第１ボンディング層を
形成した。一方、バッキングプレート材料として、表３
に示したものを用い、そのバッキングプレート材料のボ
ンディング面に、表２の試料Ｂ１５のボンディング材料
（Ｉｎ：１００％）で、厚さを２５〜３０μｍに制御し
て、第２ボンディング層を形成した。ボンディング層の
形成は、ボンディング材の箔形成により行なった。
３に示したものを用い、そのスパッタターゲット材料の
ボンディング面に、表３に示したボンディング材料で、
厚さを５〜１０μｍに制御して、第１ボンディング層を
形成した。一方、バッキングプレート材料として、表３
に示したものを用い、そのバッキングプレート材料のボ
ンディング面に、表２の試料Ｂ１５のボンディング材料
（Ｉｎ：１００％）で、厚さを２５〜３０μｍに制御し
て、第２ボンディング層を形成した。ボンディング層の
形成は、ボンディング材の箔形成により行なった。
【００４７】以上を第１および第２ボンディング層が接
触するようにして、スパッタターゲット材料とバッキン
グプレートを重ね合わせ、これを、２２０℃、３０ｇ／
ｃｍ2 の条件で熱圧着し、スパッタ用ターゲットのサン
プルNo. １〜２４を作製した。また、サンプルNo. ４に
おいて、図３に示す湾曲の度合を示す差Ｓで０．１５ｍ
ｍに湾曲したサンプルNo. ２５を作製した。各サンプル
は３０枚ずつ作製した。
触するようにして、スパッタターゲット材料とバッキン
グプレートを重ね合わせ、これを、２２０℃、３０ｇ／
ｃｍ2 の条件で熱圧着し、スパッタ用ターゲットのサン
プルNo. １〜２４を作製した。また、サンプルNo. ４に
おいて、図３に示す湾曲の度合を示す差Ｓで０．１５ｍ
ｍに湾曲したサンプルNo. ２５を作製した。各サンプル
は３０枚ずつ作製した。
【００４８】以上のスパッタ用ターゲットのサンプルN
o. １〜２５を図３に示すように耐圧容器内にセット
し、アルゴンガスによりバッキングプレート面より均一
に圧力（表３の示したように、圧力を変えた）をかけ、
各サンプルのスパッタターゲット材料の剥離および破壊
枚数を測定した。その結果を表３に示した。
o. １〜２５を図３に示すように耐圧容器内にセット
し、アルゴンガスによりバッキングプレート面より均一
に圧力（表３の示したように、圧力を変えた）をかけ、
各サンプルのスパッタターゲット材料の剥離および破壊
枚数を測定した。その結果を表３に示した。
【００４９】
【表３】
【００５０】
【発明の効果】以上の表３により、本発明の効果が明ら
かである。すなわち、本発明の実施例によるものは、上
記耐圧試験において剥離、破壊ともに少なく、加圧圧力
６ｋｇ／ｍ2 まで１枚もハクリ、破壊が生じなかった。
特に、重要な耐剥離性に関して良好であった。特に好ま
しい範囲の組成をもつ第１ボンディング材料を用いたも
のは、加圧圧力を９ｋｇ／ｍ2 としても１枚も剥離が出
なかった。なお、スパッタターゲット材料として、Ｓｉ
多結晶、金属シリサイドであるＭｏＳｉ2 、ＷＳｉ2 、
ＴａＳｉ2 およびＮｂＳｉ2 、Ｓｉ系合金であるＳｉ−
Ｆｅ合金およびＳｉ−Ｎｉ−Ｃｒ合金、高融点金属であ
るＭｏ、Ｔａ、Ｗ、Ｎｂ、その合金であるＷ−Ｔａ合
金、Ｍｏ−Ｔａ合金、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｚｒ、その合金であ
るＴｉ−Ａｌ合金、Ｔｉ−Ｚｒ合金等について、上記サ
ンプルNo. ４と同様に第１ボンディング層の材料として
Ｂ４を用いて、上記と同様に耐圧試験を行ったところ、
サンプルNo. ４と同等の結果が得られた。
かである。すなわち、本発明の実施例によるものは、上
記耐圧試験において剥離、破壊ともに少なく、加圧圧力
６ｋｇ／ｍ2 まで１枚もハクリ、破壊が生じなかった。
特に、重要な耐剥離性に関して良好であった。特に好ま
しい範囲の組成をもつ第１ボンディング材料を用いたも
のは、加圧圧力を９ｋｇ／ｍ2 としても１枚も剥離が出
なかった。なお、スパッタターゲット材料として、Ｓｉ
多結晶、金属シリサイドであるＭｏＳｉ2 、ＷＳｉ2 、
ＴａＳｉ2 およびＮｂＳｉ2 、Ｓｉ系合金であるＳｉ−
Ｆｅ合金およびＳｉ−Ｎｉ−Ｃｒ合金、高融点金属であ
るＭｏ、Ｔａ、Ｗ、Ｎｂ、その合金であるＷ−Ｔａ合
金、Ｍｏ−Ｔａ合金、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｚｒ、その合金であ
るＴｉ−Ａｌ合金、Ｔｉ−Ｚｒ合金等について、上記サ
ンプルNo. ４と同様に第１ボンディング層の材料として
Ｂ４を用いて、上記と同様に耐圧試験を行ったところ、
サンプルNo. ４と同等の結果が得られた。
【００５１】単結晶シリコンの破壊によってもバッキン
グプレートからのハガレがないボンディングが可能とな
った。
グプレートからのハガレがないボンディングが可能とな
った。
【００５２】バッキングプレートとして広く使用されて
いる純度９９．９６wt% 以上の無酸素銅とのボンディン
グにおいて、ボンディング材の作業温度が３００℃以下
のため、銅の焼き鈍し現象によるバッキングプレートの
強度低下が抑えられた。
いる純度９９．９６wt% 以上の無酸素銅とのボンディン
グにおいて、ボンディング材の作業温度が３００℃以下
のため、銅の焼き鈍し現象によるバッキングプレートの
強度低下が抑えられた。
【図１】本発明のスパッタ用ターゲットの断面図であ
る。
る。
【図２】スパッタ用ターゲットの好ましい形状の断面図
である。
である。
【図３】評価のための圧力容器を示す断面図である。
１ 第１ボンディング層 ２ 第２ボンディング層 ３ スパッタターゲット材料 ４ バッキングプレート
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 川口 行雄 東京都中央区日本橋一丁目13番１号 ティ ーディーケイ株式会社内
Claims (11)
- 【請求項１】 スパッタ用ターゲット材料、ＩｎとＡｕ
とを含有する合金からなる第１ボンディング層、Ｉｎを
主成分とする第２ボンディング層、およびバッキングプ
レートの順に構成されたスパッタ用ターゲット。 - 【請求項２】 前記第１ボンディング層を構成する合金
が、ＳｎおよびＰｂの少なくとも１方を含有する請求項
１のスパッタ用ターゲット。 - 【請求項３】 前記第１ボンディング層の組成は、Ａｕ
が０．８〜３．５wt％、Ｓｎが３０wt％以下、Ｐｂが２
０wt％以下、そして残部がＩｎを含む請求項１または２
のスパッタ用ターゲット。 - 【請求項４】 前記第２ボンディング層は、Ｉｎの含有
率が９０wt％以上である請求項１ないし３のいずれかの
スパッタ用ターゲット。 - 【請求項５】 前記スパッタ用ターゲット材料は、Ｓ
ｉ、金属シリサイドおよびＳｉを含む合金、高融点金属
およびその合金、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｚｒおよびその合金、Ｉ
ＴＯ、ならびにＧｅおよびその合金から選ばれる１種で
ある請求項１ないし４のいずれかのスパッタ用ターゲッ
ト。 - 【請求項６】 前記スパッタ用ターゲットの気孔率が２
０％以下である請求項５のスパッタ用ターゲット。 - 【請求項７】 前記バッキングプレートの材料が、Ｃ
ｕ、Ｃｕを９９．５wt％以上含有するＣｕ合金、および
Ｆｅを５０wt％以上含有するＦｅ合金から選ばれた１種
である請求項１ないし６のいずれかのスパッタ用ターゲ
ット。 - 【請求項８】 前記第１ボンディング層と前記第２ボン
ディング層の層厚の比が１対１〜１対５０で、かつ２層
の層厚の合計が５〜８０μｍである請求項１ないし７の
いずれかのスパッタ用ターゲット。 - 【請求項９】 前記スパッタ用ターゲット材料が、Ｓｉ
単結晶、Ｓｉ多結晶、金属シリサイド、およびＳｉを３
０wt％以上含有する合金のいずれかであり、スパッタ用
ターゲット材料と第１ボンディング層の間に厚さ２０ｎ
ｍ以上のシリコン酸化物層を有する請求項１ないし８の
いずれかのスパッタ用ターゲット。 - 【請求項１０】 前記スパッタ用ターゲット材料のボン
ディング面の最大表面粗度Ｒｍａｘが３μｍ以下である
請求項１ないし９のいずれかのスパッタ用ターゲット。 - 【請求項１１】 全体形状が凸状の湾曲状である請求項
１ないし１０のいずれかのスパッタ用ターゲット。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP09995195A JP3660013B2 (ja) | 1995-03-31 | 1995-03-31 | スパッタ用ターゲット |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP09995195A JP3660013B2 (ja) | 1995-03-31 | 1995-03-31 | スパッタ用ターゲット |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08269703A true JPH08269703A (ja) | 1996-10-15 |
| JP3660013B2 JP3660013B2 (ja) | 2005-06-15 |
Family
ID=14261016
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP09995195A Expired - Fee Related JP3660013B2 (ja) | 1995-03-31 | 1995-03-31 | スパッタ用ターゲット |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3660013B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010270401A (ja) * | 2005-09-26 | 2010-12-02 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co Ltd | 消耗材料からなるｐｖｄ用ターゲット構造体 |
| CN111014930A (zh) * | 2019-12-23 | 2020-04-17 | 有研亿金新材料有限公司 | 一种钨靶材组件两步热等静压扩散焊接方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6340860B2 (ja) * | 1984-05-07 | 1988-08-12 | Nippon Mining Co | |
| JPH05214518A (ja) * | 1992-02-04 | 1993-08-24 | Hitachi Metals Ltd | スパッタリングターゲットとバッキングプレートの接合体の矯正方法およびスパッタリングターゲット材 |
-
1995
- 1995-03-31 JP JP09995195A patent/JP3660013B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6340860B2 (ja) * | 1984-05-07 | 1988-08-12 | Nippon Mining Co | |
| JPH05214518A (ja) * | 1992-02-04 | 1993-08-24 | Hitachi Metals Ltd | スパッタリングターゲットとバッキングプレートの接合体の矯正方法およびスパッタリングターゲット材 |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010270401A (ja) * | 2005-09-26 | 2010-12-02 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co Ltd | 消耗材料からなるｐｖｄ用ターゲット構造体 |
| US8795486B2 (en) | 2005-09-26 | 2014-08-05 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | PVD target with end of service life detection capability |
| CN111014930A (zh) * | 2019-12-23 | 2020-04-17 | 有研亿金新材料有限公司 | 一种钨靶材组件两步热等静压扩散焊接方法 |
| CN111014930B (zh) * | 2019-12-23 | 2022-01-18 | 有研亿金新材料有限公司 | 一种钨靶材组件两步热等静压扩散焊接方法 |
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