JPH08250911A - 高周波気密モジュール - Google Patents
高周波気密モジュールInfo
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- JPH08250911A JPH08250911A JP7054158A JP5415895A JPH08250911A JP H08250911 A JPH08250911 A JP H08250911A JP 7054158 A JP7054158 A JP 7054158A JP 5415895 A JP5415895 A JP 5415895A JP H08250911 A JPH08250911 A JP H08250911A
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Abstract
周波気密モジュールを得る。 【構成】 高周波気密モジュールの入出力信号線路にお
いて、一方の面に先端をオープンスタブ4により開放し
たマイクロストリップ線路を、他の面に地導体5を有す
る2枚の基板の地導体5どうしを貼り合わせ、前記地導
体5に設けられた結合孔6を介して高周波信号を伝搬さ
せるようにした。
Description
気密を保った高周波気密モジュールに関するものであ
る。
示す平面透視図、図18は図17のB6視図、図19は
図17のA6−A6断面図である。これらの図において
1は導体フレーム、5は地導体、9は高周波集積回路基
板、10は入出力端子、11はバイアス端子、12はロ
ウ材、14は導体ワイヤ、15は気密カバー、24は導
体ベース、25は入出力用フィードスルー基板、26は
入出力用パターン、27は誘電体ブロック、28はバイ
アス用フィードスルー基板、29はバイアス用パターン
である。
の地導体5とバイアス用フィードスルー基板29の地導
体5はそれぞれロウ材12により導体ベース24にロウ
付けされている。また、入出力用フィードスルー基板2
5の入出力用パターン26の上に誘電体ブロック27を
貼り合わせ、その周りを導体ベース24及び導体フレー
ム1で囲むことによりトリプレートのフィードスルーを
構成し、同様にバイアス線路もバイアス用フィードスル
ー基板28のバイアス用パターン29の上に誘電体ブロ
ック27を貼り合わせ、その周りを導体ベース24及び
導体フレーム1で囲むことにより気密のフィードスルー
を構成している。これらのフィードスルーのパターンと
高周波集積回路基板9の入出力端子10及びバイアス端
子11を導体ワイヤ14で接続し、気密カバー15をロ
ウ付け又は熔接することによりとりつけることにより、
モジュール内の気密を保ち高周波集積回路基板9の耐環
境性を高めている。
では、トリプレート型のフィードスルーによりモジュー
ル内の気密を保ちながら高周波集積回路基板9と高周波
信号およびバイアスをインタフェースしていた。例えば
高周波集積回路基板9が増幅器の場合には、入出力用フ
ィードスルー基板25から入力された高周波信号はトリ
プレートのフィードスルーを通過し高周波集積回路基板
9に入力される。入力された信号は高周波集積回路基板
9で電力増幅されトリプレートのフィードスルーを通過
し入出力用フィードスルー基板25から出力される。
モジュールでは入出力用フィードスルー基板25やバイ
アス用フィードスルー基板28は加工の実現性から高温
焼成厚膜基板が使用されている。高温焼成厚膜基板の線
路パターンは一般に下地にタングステン等の電気抵抗の
大きい金属を用い厚みも7〜15μmと薄膜基板の線路
パターンに比べ厚いため、マイクロストリップ線路を伝
送する信号が高周波になると表皮効果のため抵抗の大き
い下地金属にほとんどの電流が流れ損失が大きくなると
いう問題があった。
を防ぐために基板厚を薄くする必要があり、必然的にマ
イクロストリップ線路のパターン幅も狭くなる。更にト
リプレート線路部においてはマイクロストリップ線路部
と同一の特性インピーダンスにするためにはパターン幅
はより狭くなるためパターン精度がいっそう厳しくな
る。厚膜のパターン寸法精度は薄膜に比べ悪いため、寸
法誤差により特性インピーダンスが大きくずれてしまう
という問題点があった。
ためになされたもので、高周波気密モジュールの入出力
端子の高周波信号伝搬特性を改善することを目的とす
る。
1の高周波気密モジュールは高周波信号が伝搬するトリ
プレート型フィードスルーの代わりに、オープンスタブ
により先端を開放にしたマイクロストリップ線路の地導
体どうしを貼り合わせその地導体に設けた結合孔を介し
て電磁結合により高周波信号を伝搬させることにより気
密モジュールを実現したものである。
ルは実施例1の高周波気密モジュールにおいて、入出力
のインタフェースを表面にグラウンド端子を設けたマイ
クロストリップ線路としたものである。
ジュールは実施例1の高周波気密モジュールにおいて、
入出力のインタフェースをコプレーナ線路としたもので
ある。
ルは実施例1の高周波気密モジュールにおいて、E面プ
ローブ型導波管−マイクロストリップ線路変換器付加す
ることにより入出力のインタフェースを矩形導波管とし
たものである。
ジュールは実施例1の高周波気密モジュールにおいて、
ステップ変成器を用いた導波管−マイクロストリップ線
路変換器付加することにより入出力のインタフェースを
矩形導波管としたものである。
ールは、気密部との高周波信号のインタフェースを結合
孔を介した電磁結合により行っているため、厚膜基板を
用いたトリプレート型フィードスルーが不要になり高周
波信号の伝搬特性が改善でき、更に不要な直流成分を遮
断することができる。
ルは、気密部との高周波信号のインタフェースを結合孔
を介した電磁結合により行っているため、厚膜基板を用
いたトリプレート型フィードスルーが不要になり高周波
信号の伝搬特性が改善でき、更に不要な直流成分を遮断
することができる。そして、入出力のインタフェースに
おいて、入出力マイクロストリップ線路の両側にスルー
ホールにより地導体と導通がとられたグラウンド端子を
設け、モジュールどうしのグラウンドを接続できるよう
にしているため、モジュールどうしの接続部の高周波特
性が改善できる。
ジュールは、気密部との高周波信号のインタフェースを
結合孔を介した電磁結合により行っているため、厚膜基
板を用いたトリプレート型フィードスルーが不要になり
高周波信号の伝搬特性が改善でき、更に不要な直流成分
を遮断することができる。そして、入出力のインタフェ
ースをマイクロストリップ線路からコプレーナ線路に変
換して行っているため、モジュールどうしの接続部の高
周波特性が更に改善できる。
ルは、気密部との高周波信号のインタフェースを結合孔
を介した電磁結合により行っているため、厚膜基板を用
いたトリプレート型フィードスルーが不要になり高周波
信号の伝搬特性が改善でき、更に不要な直流成分を遮断
することができる。そして、入出力のインタフェースを
マイクロストリップ線路からE面プローブ型の導波管−
マイクロストリップ変換器により矩形導波管に変換して
行っているため、モジュールどうしの接続部の高周波特
性がよりいっそう改善できる。
ジュールは、気密部との高周波信号のインタフェースを
結合孔を介した電磁結合により行っているため、厚膜基
板を用いたトリプレート型フィードスルーが不要になり
高周波信号の伝搬特性が改善でき、更に不要な直流成分
を遮断することができる。そして、入出力のインタフェ
ースをマイクロストリップ線路から導波管インピーダン
ス変成器を用いた導波管−マイクロストリップ変換器に
より矩形導波管に変換して行っているため、モジュール
どうしの接続部の高周波特性が広帯域によりいっそう改
善できる。
の平面図、図2は図1におけるA1−A1断面図、図3
は図2におけるB1方向からの透視図、図4は電磁結合
部の詳細図である。図において1は導体フレーム、2は
誘電体又は半導体からなるベース基板、3は入出力用マ
イクロストリップ線路、4はオープンスタブ、5は地導
体、6は結合孔、7は誘電体又は半導体からなる副基
板、8は接続用マイクロストリップ線路、9は誘電体又
は半導体からなる高周波集積回路基板、10は入出力線
路、11はバイアス端子、12はロウ材、13はバイア
ス用気密貫通端子、14は導体ワイヤ、15は気密カバ
ーである。
ロウ材12により取付けられている。ベース基板2には
表面に入出力用マイクロストリップ線路3とマイクロス
トリップ線路3に接続されたオープンスタブ4が二組設
けられている。また、裏面には結合孔6を有する地導体
5が設けられており、結合孔6は入出力用マイクロスト
リップ線路3とオープンスタブ4の接続部の真裏に入出
力用マイクロストリップ線路3の信号伝搬方向と結合孔
6の長手方向が直交するように位置する。副基板7には
表面に接続用マイクロストリップ線路8と接続用マイク
ロストリップ線路8に接続されたオープンスタブ4が設
けられている。また、裏面には結合孔6を有する地導体
5が設けられている。ベース基板2と二枚の副基板7は
それぞれの地導体5に設けられた結合孔6の部分を合致
させロウ材12により地導体5どうしを貼り合わせてい
る。高周波集積回路基板9は、表面に入出力端子10と
バイアス端子11が設けられている。また、裏面には地
導体5が設けられている。高周波集積回路基板9は、二
枚の副基板7の間に挟まれ地導体5がベース基板2の地
導体5にロウ材12により貼り合わせている。バイアス
用気密貫通端子13は導体フレーム1の側面に隙間なく
埋め込まれている。また、接続用マイクロストリップ線
路8と入出力端子10間およびバイアス端子11とバイ
アス用気密貫通端子13間は導体ワイヤ14によりボン
ディングされている。気密カバー15は導体フレーム1
に隙間なくロウ付けまたは熔接されている。
線路3と接続用マイクロストリップ線路4は、オープン
スタブ4及び結合孔6の効果による電磁結合で高周波信
号に対して接続される。入出力用マイクロストリップ線
路3から入力された高周波信号は結合孔6を介して接続
用マイクロストリップ線路8に伝搬され、導体ワイヤ1
4を通じて高周波集積回路基板9の入出力端子10に入
力される。一方、高周波集積回路基板9の入出力端子1
0から出力された高周波信号は、導体ワイヤ14を通じ
て接続用マイクロストリップ線路8に伝搬され、結合孔
6を介して入出力用マイクロストリップ線路3に伝搬さ
れ出力される。このような気密モジュールにおいては、
モジュールを構成する基板にパターン精度にすぐれ、パ
ターン下地の金属の電気抵抗が小さい薄膜基板を用いる
ことができる。このため、高周波気密モジュールの入出
力線路が低損失になり、性能が改善される。更に電磁結
合部は導体により接続されていないため高周波信号線路
から直流を遮断することができる。
た際の高周波特性を改善するために、上記入出力用マイ
クロストリップ線路の両側にスルーホールにより地導体
と導通がとられたグラウンド端子を設けた高周波気密モ
ジュールの平面図、図5は図4におけるA2−A2断面
図、図6は図5におけるB2方向からの透視図である。
図において1は導体フレーム、2はベース基板、3は入
出力用マイクロストリップ線路、4はオープンスタブ、
5は地導体、6は結合孔、7は副基板、8は接続用マイ
クロストリップ線路、9は高周波集積回路基板、10は
入出力線路、11はバイアス端子、12はロウ材、13
はバイアス用気密貫通端子、14は導体ワイヤ、15は
気密カバー、16はグラウンド端子、17はスルーホー
ルである。
ム1にロウ材12により取付けられている。ベース基板
2には表面に入出力用マイクロストリップ線路3とマイ
クロストリップ線路3に接続されたオープンスタブ4が
二組設けられている。また、裏面には結合孔6を有する
地導体5が設けられており、結合孔6は入出力用マイク
ロストリップ線路3とオープンスタブ4の接続部の真裏
に入出力用マイクロストリップ線路3の信号伝搬方向と
結合孔6の長手方向が直交するように位置する。副基板
7には表面に接続用マイクロストリップ線路8と接続用
マイクロストリップ線路8に接続されたオープンスタブ
4が設けられている。また、裏面には結合孔6を有する
地導体5が設けられている。ベース基板2と二枚の副基
板7はそれぞれの地導体5に設けられた結合孔6の部分
を合致させロウ材12により地導体5どうしを貼り合わ
せている。高周波集積回路基板9は、表面に入出力端子
10とバイアス端子11が設けられている。また、裏面
には地導体5が設けられている。高周波集積回路基板9
は、二枚の副基板7の間に挟まれ地導体5がベース基板
2の地導体5にロウ材12により貼り合わせている。バ
イアス用気密貫通端子13は導体フレーム1の側面に隙
間なく埋め込まれている。また、接続用マイクロストリ
ップ線路8と入出力端子10間およびバイアス端子11
とバイアス用気密貫通端子13間は導体ワイヤ14によ
りボンディングされている。気密カバー15は導体フレ
ーム1に隙間なくロウ付けまたは熔接されている。
線路3と接続用マイクロストリップ線路4は、オープン
スタブ4及び結合孔6の効果による電磁結合で高周波信
号に対して接続される。入出力用マイクロストリップ線
路3から入力された高周波信号は結合孔6を介して接続
用マイクロストリップ線路8に伝搬され、導体ワイヤ1
4を通じて高周波集積回路基板9の入出力端子10に入
力される。一方、高周波集積回路基板9の入出力端子1
0から出力された高周波信号は、導体ワイヤ14を通じ
て接続用マイクロストリップ線路8に伝搬され、結合孔
6を介して入出力用マイクロストリップ線路3に伝搬さ
れ出力される。このような気密モジュールにおいては、
モジュールを構成する基板にパターン精度にすぐれ、パ
ターン下地の金属の電気抵抗が小さい薄膜基板を用いる
ことができる。このため、高周波気密モジュールの入出
力線路が低損失になり、性能が改善される。更に電磁結
合部は導体により接続されていないため高周波信号線路
から直流を遮断することができる。
の両側にスルーホール17により地導体5と導通がとら
れたグラウンド端子16を設けているため、モジュール
どうしの入出力の接続においてグラウンド端子16どう
しを接続することによりグラウンドを流れる電流の経路
を短くすることができるため、モジュールどうしの接続
部の高周波特性が改善できる。
た際の高周波特性を改善するために、上記入出力用マイ
クロストリップ線路の両側にスルーホールにより地導体
と導通がとられたグラウンド端子を設けた高周波気密モ
ジュールの平面図、図8は図7におけるA3−A3断面
図、図9は図8におけるB3方向からの透視図である。
図において1は導体フレーム、2はベース基板、3は入
出力用マイクロストリップ線路、4はオープンスタブ、
5は地導体、6は結合孔、7は副基板、8は接続用マイ
クロストリップ線路、9は高周波集積回路基板、10は
入出力線路、11はバイアス端子、12はロウ材、13
はバイアス用気密貫通端子、14は導体ワイヤ、15は
気密カバー、18はコプレーナ線路中心導体、19はコ
プレーナ線路地導体である。
ム1にロウ材12により取付けられている。ベース基板
2には表面に入出力用マイクロストリップ線路3とマイ
クロストリップ線路3に接続されたオープンスタブ4が
二組設けられている。また、裏面には結合孔6を有する
地導体5が設けられており、結合孔6は入出力用マイク
ロストリップ線路3とオープンスタブ4の接続部の真裏
に入出力用マイクロストリップ線路3の信号伝搬方向と
結合孔6の長手方向が直交するように位置する。副基板
7には表面に接続用マイクロストリップ線路8と接続用
マイクロストリップ線路8に接続されたオープンスタブ
4が設けられている。また、裏面には結合孔6を有する
地導体5が設けられている。ベース基板2と二枚の副基
板7はそれぞれの地導体5に設けられた結合孔6の部分
を合致させロウ材12により地導体5どうしを貼り合わ
せている。高周波集積回路基板9は、表面に入出力端子
10とバイアス端子11が設けられている。また、裏面
には地導体5が設けられている。高周波集積回路基板9
は、二枚の副基板7の間に挟まれ地導体5がベース基板
2の地導体5にロウ材12により貼り合わせている。バ
イアス用気密貫通端子13は導体フレーム1の側面に隙
間なく埋め込まれている。また、接続用マイクロストリ
ップ線路8と入出力端子10間およびバイアス端子11
とバイアス用気密貫通端子13間は導体ワイヤ14によ
りボンディングされている。気密カバー15は導体フレ
ーム1に隙間なくロウ付けまたは熔接されている。
線路3と接続用マイクロストリップ線路4は、オープン
スタブ4及び結合孔6の効果による電磁結合で高周波信
号に対して接続される。入出力用マイクロストリップ線
路3から入力された高周波信号は結合孔6を介して接続
用マイクロストリップ線路8に伝搬され、導体ワイヤ1
4を通じて高周波集積回路基板9の入出力端子10に入
力される。一方、高周波集積回路基板9の入出力端子1
0から出力された高周波信号は、導体ワイヤ14を通じ
て接続用マイクロストリップ線路8に伝搬され、結合孔
6を介して入出力用マイクロストリップ線路3に伝搬さ
れ出力される。このような気密モジュールにおいては、
モジュールを構成する基板にパターン精度にすぐれ、パ
ターン下地の金属の電気抵抗が小さい薄膜基板を用いる
ことができる。このため、高周波気密モジュールの入出
力線路が低損失になり、性能が改善される。更に電磁結
合部は導体により接続されていないため高周波信号線路
から直流を遮断することができる。
に接続されたコプレーナ線路中心導体18、コプレーナ
線路中心導体18の両側に設けられたコプレーナ線路地
導体19及びコプレーナ線路地導体19とベース基板2
の地導体5を接続するスルーホールによりマイクロスト
リップ−コプレーナ変換を行っている。このため、モジ
ュールどうしの入出力の接続においてコプレーナ線路中
心導体18及びコプレーナ線路地導体19どうしを接続
することによりコプレーナ線路のイタンフェースとなる
ため、モジュールどうしの接続部の高周波特性を更に改
善できる。
部高周波特性を改善するために、モジュール内でE面プ
ローブ型の導波管−マイクロストリップ変換を行うこと
により入出力のインタフェースを矩形導波管とした高周
波気密モジュールの平面図、図11は図10におけるA
4−A4断面図、図12は図11におけるB4方向から
の透視図である。図において1は導体フレーム、2はベ
ース基板、3は入出力用マイクロストリップ線路、4は
オープンスタブ、5は地導体、6は結合孔、7は副基
板、8は接続用マイクロストリップ線路、9は高周波集
積回路基板、10は入出力線路、11はバイアス端子、
12はロウ材、13はバイアス用気密貫通端子、14は
導体ワイヤ、15は気密カバー、20は入出力用矩形導
波管、21は導波管−マイクロストリップ変換基板、2
2はプローブ用マイクロストリップ線路である。
ム1にロウ材12により取付けられている。ベース基板
2には表面に入出力用マイクロストリップ線路3とマイ
クロストリップ線路3に接続されたオープンスタブ4が
二組設けられている。また、裏面には結合孔6を有する
地導体5が設けられており、結合孔6は入出力用マイク
ロストリップ線路3とオープンスタブ4の接続部の真裏
に入出力用マイクロストリップ線路3の信号伝搬方向と
結合孔6の長手方向が直交するように位置する。副基板
7には表面に接続用マイクロストリップ線路8と接続用
マイクロストリップ線路8に接続されたオープンスタブ
4が設けられている。また、裏面には結合孔6を有する
地導体5が設けられている。ベース基板2と二枚の副基
板7はそれぞれの地導体5に設けられた結合孔6の部分
を合致させロウ材12により地導体5どうしを貼り合わ
せている。高周波集積回路基板9は、表面に入出力端子
10とバイアス端子11が設けられている。また、裏面
には地導体5が設けられている。高周波集積回路基板9
は、二枚の副基板7の間に挟まれ地導体5がベース基板
2の地導体5にロウ材12により貼り合わせている。バ
イアス用気密貫通端子13は導体フレーム1の側面に隙
間なく埋め込まれている。また、接続用マイクロストリ
ップ線路8と入出力端子10間およびバイアス端子11
とバイアス用気密貫通端子13間は導体ワイヤ14によ
りボンディングされている。気密カバー15は導体フレ
ーム1に隙間なくロウ付けまたは熔接されている。
線路3と接続用マイクロストリップ線路4は、オープン
スタブ4及び結合孔6の効果による電磁結合で高周波信
号に対して接続される。入出力用マイクロストリップ線
路3から入力された高周波信号は結合孔6を介して接続
用マイクロストリップ線路8に伝搬され、導体ワイヤ1
4を通じて高周波集積回路基板9の入出力端子10に入
力される。一方、高周波集積回路基板9の入出力端子1
0から出力された高周波信号は、導体ワイヤ14を通じ
て接続用マイクロストリップ線路8に伝搬され、結合孔
6を介して入出力用マイクロストリップ線路3に伝搬さ
れ出力される。このような気密モジュールにおいては、
モジュールを構成する基板にパターン精度にすぐれ、パ
ターン下地の金属の電気抵抗が小さい薄膜基板を用いる
ことができる。このため、高周波気密モジュールの入出
力線路が低損失になり、性能が改善される。更に電磁結
合部は導体により接続されていないため高周波信号線路
から直流を遮断することができる。
に接続された導波管−マイクロストリップ変換基板2
1、プローブ用マイクロストリップ線路22、入出力用
矩形導波管20により導波管−マイクロストリップ変換
をおこなっている。このため、モジュールどうしの入出
力の接続において入出力用矩形導波管20どうしを接続
することにより矩形導波管のインタフェースとなるた
め、モジュールどうしの接続部の高周波特性をよりいっ
そう改善できる。
部高周波特性を改善するために、モジュール内で導波管
インピーダンス変成器を用いた導波管−マイクロストリ
ップ変換を行うことにより入出力のインタフェースを矩
形導波管とした高周波気密モジュールの平面図、図14
は図13におけるC5視図、図15は図13におけるA
5−A5断面図、図16は図15におけるB5方向から
の透視図である。図において1は導体フレーム、2はベ
ース基板、3は入出力用マイクロストリップ線路、4は
オープンスタブ、5は地導体、6は結合孔、7は副基
板、8は接続用マイクロストリップ線路、9は高周波集
積回路基板、10は入出力線路、11はバイアス端子、
12はロウ材、13はバイアス用気密貫通端子、14は
導体ワイヤ、15は気密カバー、20は入出力用矩形導
波管、23は導波管インピーダンス変成器である。
ム1にロウ材12により取付けられている。ベース基板
2には表面に入出力用マイクロストリップ線路3とマイ
クロストリップ線路3に接続されたオープンスタブ4が
二組設けられている。また、裏面には結合孔6を有する
地導体5が設けられており、結合孔6は入出力用マイク
ロストリップ線路3とオープンスタブ4の接続部の真裏
に入出力用マイクロストリップ線路3の信号伝搬方向と
結合孔6の長手方向が直交するように位置する。副基板
7には表面に接続用マイクロストリップ線路8と接続用
マイクロストリップ線路8に接続されたオープンスタブ
4が設けられている。また、裏面には結合孔6を有する
地導体5が設けられている。ベース基板2と二枚の副基
板7はそれぞれの地導体5に設けられた結合孔6の部分
を合致させロウ材12により地導体5どうしを貼り合わ
せている。高周波集積回路基板9は、表面に入出力端子
10とバイアス端子11が設けられている。また、裏面
には地導体5が設けられている。高周波集積回路基板9
は、二枚の副基板7の間に挟まれ地導体5がベース基板
2の地導体5にロウ材12により貼り合わせている。バ
イアス用気密貫通端子13は導体フレーム1の側面に隙
間なく埋め込まれている。また、接続用マイクロストリ
ップ線路8と入出力端子10間およびバイアス端子11
とバイアス用気密貫通端子13間は導体ワイヤ14によ
りボンディングされている。気密カバー15は導体フレ
ーム1に隙間なくロウ付けまたは熔接されている。
線路3と接続用マイクロストリップ線路4は、オープン
スタブ4及び結合孔6の効果による電磁結合で高周波信
号に対して接続される。入出力用マイクロストリップ線
路3から入力された高周波信号は結合孔6を介して接続
用マイクロストリップ線路8に伝搬され、導体ワイヤ1
4を通じて高周波集積回路基板9の入出力端子10に入
力される。一方、高周波集積回路基板9の入出力端子1
0から出力された高周波信号は、導体ワイヤ14を通じ
て接続用マイクロストリップ線路8に伝搬され、結合孔
6を介して入出力用マイクロストリップ線路3に伝搬さ
れ出力される。このような気密モジュールにおいては、
モジュールを構成する基板にパターン精度にすぐれ、パ
ターン下地の金属の電気抵抗が小さい薄膜基板を用いる
ことができる。このため、高周波気密モジュールの入出
力線路が低損失になり、性能が改善される。更に電磁結
合部は導体により接続されていないため高周波信号線路
から直流を遮断することができる。
に接続された導波管インピーダンス変成器23、入出力
用矩形導波管20により広帯域な導波管−マイクロスト
リップ変換をおこなっている。このため、モジュールど
うしの入出力の接続において入出力用矩形導波管20ど
うしを接続することにより矩形導波管のインタフェース
となるため、モジュールどうしの接続部の高周波特性を
広帯域によりよりいっそう改善できる。
ブにより先端を開放にしたマイクロストリップ線路の地
導体どうしを接合しその地導体に設けた結合孔を介して
電磁結合により高周波信号を伝搬させることにより気密
モジュールを実現しているため、厚膜基板を用いたトリ
プレート型フィードスルーが不要になり入出力線路の伝
搬特性を改善でき、更に不要な直流成分を遮断すること
ができる。
先端を開放にしたマイクロストリップ線路の地導体どう
しを接合しその地導体に設けた結合孔を介して電磁結合
により高周波信号を伝搬させることにより気密モジュー
ルを実現しているため、厚膜基板を用いたトリプレート
型フィードスルーが不要になり入出力線路の伝搬特性を
改善でき、更に不要な直流成分を遮断することができ
る。そして、入出力のインタフェースにおいて、入出力
マイクロストリップ線路の両側にスルーホールにより地
導体と導通がとられたグラウンド端子を設け、モジュー
ルどうしのグラウンドを接続できるようにしているた
め、モジュールどうしの接続部の高周波特性が改善でき
る。
開放にしたマイクロストリップ線路の地導体どうしを接
合し、その地導体に設けた結合孔を介して電磁結合によ
り高周波信号を伝搬させることにより気密モジュールを
実現しているため、厚膜基板を用いたトリプレート型フ
ィードスルーが不要になり、入出力線路の伝搬特性を改
善でき、更に不要な直流成分を遮断することができる。
そして、入出力のインタフェースをマイクロストリップ
線路からコプレーナ線路に変換して行っているため、モ
ジュールどうしの接続部の高周波特性が更に改善でき
る。
先端を開放にしたマイクロストリップ線路の地導体どう
しを接合し、その地導体に設けた結合孔を介して電磁結
合により高周波信号を伝搬させることにより気密モジュ
ールを実現しているため、厚膜基板を用いたトリプレー
ト型フィードスルーが不要になり入出力線路の伝搬特性
を改善でき、更に不要な直流成分を遮断することができ
る。そして、入出力のインタフェースをマイクロストリ
ップ線路からE面プローブ型の導波管−マイクロストリ
ップ変換器により矩形導波管に変換して行っているた
め、モジュールどうしの接続部の高周波特性がよりいっ
そう改善できる。
開放にしたマイクロストリップ線路の地導体どうしを接
合しその地導体に設けた結合孔を介して電磁結合により
高周波信号を伝搬させることにより気密モジュールを実
現しているため、厚膜基板を用いたトリプレート型フィ
ードスルーが不要になり入出力線路の伝搬特性を改善で
き、更に不要な直流成分を遮断することができる。そし
て、入出力のインタフェースをマイクロストリップ線路
から導波管インピーダンス変成器を用いた導波管−マイ
クロストリップ変換器により矩形導波管に変換して行っ
ているため、モジュールどうしの接続部の高周波特性が
広帯域によりいっそう改善できる。
1における平面図である。
1を示す図1におけるA1−A1断面図である。
1を示す図2におけるB1方向からの透視図である。
2における平面図である。
2を示す図4におけるA2−A2断面図である。
2を示す図5におけるB2方向からの透視図である。
3における平面図である。
3を示す図7におけるA3−A3断面図である。
3を示す図8におけるB3方向からの透視図である。
例4における平面図である。
例4を示す図10におけるA4−A4断面図である。
例4を示す図11におけるB4方向からの透視図であ
る。
例5における平面図である。
例5を示す図13におけるC5視図である。
例5を示す図13におけるA5−A5断面図である。
例5を示す図15におけるB5方向からの透視図であ
る。
視図である。
おけるB6視図である。
おけるA6−A6断面図である。
Claims (5)
- 【請求項1】 導体フレームと、ベース基板と、上記ベ
ース基板の一方の面に形成された入出力用マイクロスト
リップ線路と、上記入出力用マイクロストリップ線路に
接続されたオープンスタブと、上記ベース基板の他の面
に形成された結合孔を有する地導体と、副基板と、上記
副基板の一方の面に形成された接続用マイクロストリッ
プ線路と上記接続用マイクロストリップ線路に接続され
たオープンスタブと、上記副基板の他の面に形成された
結合孔を有する地導体と、高周波集積回路基板と、上記
高周波集積回路基板の一方の面に設けられた入出力端子
と、上記高周波集積回路基板の上記入出力端子と同一面
に設けられたバイアス端子と、上記高周波集積回路基板
の他の面に形成された地導体と、上記導体フレームと上
記ベース基板の上記地導体を接合する接合材と、上記ベ
ース基板及び上記副基板の上記結合孔どうしの位置が合
うように上記地導体どうしを接合する接合材と、上記ベ
ース基板の上記地導体と上記高周波集積回路基板の上記
地導体を接合する接合材と、バイアス用気密貫通端子
と、上記高周波集積回路基板の上記入出力端子と上記副
基板の上記接続用マイクロストリップ線路を接続する導
体ワイヤと、上記高周波集積回路基板の上記バイアス端
子とバイアス用気密貫通端子を接続する導体ワイヤと、
上記導体フレームに固定された気密カバーとを具備した
ことを特徴とする高周波気密モジュール。 - 【請求項2】 導体フレームと、ベース基板と、上記ベ
ース基板の一方の面に形成された入出力用マイクロスト
リップ線路と、上記入出力用マイクロストリップ線路に
接続されたオープンスタブと、上記ベース基板の他の面
に形成された結合孔を有する地導体と、上記入出力用マ
イクロストリップ線路の両側に設けられたグラウンド端
子と、上記グラウンド端子と上記地導体を接続するスル
ーホールと、副基板と、上記副基板の一方の面に形成さ
れた接続用マイクロストリップ線路と、上記接続用マイ
クロストリップ線路に接続されたオープンスタブと、上
記副基板の他の面に形成された結合孔を有する地導体
と、高周波集積回路基板と、上記高周波集積回路基板の
一方の面に設けられた入出力端子と、上記高周波集積回
路基板の上記入出力端子と同一面に設けられたバイアス
端子と、上記高周波集積回路基板の他の面に形成された
地導体と、上記導体フレームと上記ベース基板の上記地
導体を接合する接合材と、上記ベース基板及び上記副基
板の上記結合孔どうしの位置が合うように上記地導体ど
うしを接合する接合材と、上記ベース基板の上記地導体
と上記高周波集積回路基板の上記地導体を接合する接合
材と、バイアス用気密貫通端子と、上記高周波集積回路
基板の上記入出力端子と上記副基板の上記接続用マイク
ロストリップ線路を接続する導体ワイヤと、上記高周波
集積回路基板の上記バイアス端子とバイアス用気密貫通
端子を接続する導体ワイヤと、上記導体フレームに固定
された気密カバーとを具備したことを特徴とする高周波
気密モジュール。 - 【請求項3】 導体フレームと、ベース基板と、上記ベ
ース基板の一方の面に形成された入出力用マイクロスト
リップ線路と、上記入出力用マイクロストリップ線路に
接続されたオープンスタブと、上記ベース基板の他の面
に形成された結合孔を有する地導体と、上記入出力用マ
イクロストリップ線路に接続されたコプレーナ線路中心
導体と、上記コプレーナ線路中心導体の両側に設けられ
たコプレーナ線路地導体と、上記コプレーナ線路地導体
と上記地導体を接続するスルーホールと、副基板と、上
記副基板の一方の面に形成された接続用マイクロストリ
ップ線路と、上記接続用マイクロストリップ線路に接続
されたオープンスタブと、上記副基板の他の面に形成さ
れた結合孔を有する地導体と、高周波集積回路基板と、
上記高周波集積回路基板の一方の面に設けられた入出力
端子と、上記高周波集積回路基板の上記入出力端子と同
一面に設けられたバイアス端子と、上記高周波集積回路
基板の他の面に形成された地導体と、上記導体フレーム
と上記ベース基板の上記地導体を接合する接合材と、上
記ベース基板及び上記副基板の上記結合孔どうしの位置
が合うように上記地導体どうしを接合する接合材と、上
記ベース基板の上記地導体と上記高周波集積回路基板の
上記地導体を接合する接合材と、バイアス用気密貫通端
子と、上記高周波集積回路基板の上記入出力端子と上記
副基板の上記接続用マイクロストリップ線路を接続する
導体ワイヤと、上記高周波集積回路基板の上記バイアス
端子とバイアス用気密貫通端子を接続する導体ワイヤ
と、上記導体フレームに固定された気密カバーとを具備
したことを特徴とする高周波気密モジュール。 - 【請求項4】 導体フレームと、上記導体フレームに設
けられた入出力用矩形導波管と、ベース基板と、上記ベ
ース基板の一方の面に形成された入出力用マイクロスト
リップ線路と、上記入出力用マイクロストリップ線路に
接続されたオープンスタブと、上記ベース基板の他の面
に形成された結合孔を有する地導体と、導波管−マイク
ロストリップ変換基板と、上記導波管−マイクロストリ
ップ変換基板の一方の面に形成されたマイクロストリッ
プ線路と、上記導波管−マイクロストリップ変換基板の
他の面に形成された地導体と、副基板と、上記副基板の
一方の面に形成された接続用マイクロストリップ線路
と、上記接続用マイクロストリップ線路に接続されたオ
ープンスタブと、上記副基板の他の面に形成された結合
孔を有する地導体と、高周波集積回路基板と、上記高周
波集積回路基板の一方の面に設けられた入出力端子と、
上記高周波集積回路基板の上記入出力端子と同一面に設
けられたバイアス端子と、上記高周波集積回路基板の他
の面に形成された地導体と、上記導体フレームと上記ベ
ース基板及び上記導波管−マイクロストリップ変換基板
の上記地導体を接合する接合材と、上記ベース基板及び
上記副基板の上記結合孔どうしの位置が合うように上記
地導体どうしを接合する接合材と、上記ベース基板の上
記地導体と上記高周波集積回路基板の上記地導体を接合
する接合材と、バイアス用気密貫通端子と、上記導波管
−マイクロストリップ変換基板の上記マイクロストリッ
プ線路と上記ベース基板の上記入出力用マイクロストリ
ップ線路を接続する導体ワイヤと、上記高周波集積回路
基板の上記入出力端子と上記副基板の上記接続用マイク
ロストリップ線路を接続する導体ワイヤと、上記高周波
集積回路基板の上記バイアス端子とバイアス用気密貫通
端子を接続する導体ワイヤと、上記導体フレームに固定
された気密カバーとを具備したことを特徴とする高周波
気密モジュール。 - 【請求項5】 導体フレームと、上記導体ブロックに設
けられた入出力用矩形導波管と、上記導体ブロックに設
けられた導波管インピーダンス変成器と、ベース基板
と、上記ベース基板の一方の面に形成された入出力用マ
イクロストリップ線路と、上記入出力用マイクロストリ
ップ線路に接続されたオープンスタブと、上記ベース基
板の他の面に形成された結合孔を有する地導体と、副基
板と、上記副基板の一方の面に形成された接続用マイク
ロストリップ線路と、上記接続用マイクロストリップ線
路に接続されたオープンスタブと、上記副基板の他の面
に形成された結合孔を有する地導体と、高周波集積回路
基板と、上記高周波集積回路基板の一方の面に設けられ
た入出力端子と、上記高周波集積回路基板の上記入出力
端子と同一面に設けられたバイアス端子と、上記高周波
集積回路基板の他の面に形成された地導体と、上記導体
フレームと上記ベース基板の上記地導体を接合する接合
材と、上記ベース基板及び上記副基板の上記結合孔どう
しの位置が合うように上記地導体どうしを接合する接合
材と、上記ベース基板の上記地導体と上記高周波集積回
路基板の上記地導体を接合する接合材と、バイアス用気
密貫通端子と、上記導波管インピーダンス変成器と上記
ベース基板の上記入出力用マイクロストリップ線路を接
続する導体ワイヤと、上記高周波集積回路基板の上記入
出力端子と上記副基板の上記接続用マイクロストリップ
線路を接続する導体ワイヤと、上記高周波集積回路基板
の上記バイアス端子とバイアス用気密貫通端子を接続す
る導体ワイヤと、上記導体フレームに固定された気密カ
バーとを具備したことを特徴とする高周波気密モジュー
ル。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP05415895A JP3155901B2 (ja) | 1995-03-14 | 1995-03-14 | 高周波基板装置 |
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP05415895A JP3155901B2 (ja) | 1995-03-14 | 1995-03-14 | 高周波基板装置 |
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JPH08250911A true JPH08250911A (ja) | 1996-09-27 |
JP3155901B2 JP3155901B2 (ja) | 2001-04-16 |
Family
ID=12962748
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP05415895A Expired - Lifetime JP3155901B2 (ja) | 1995-03-14 | 1995-03-14 | 高周波基板装置 |
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Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3155901B2 (ja) |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10303613A (ja) * | 1997-04-25 | 1998-11-13 | Kyocera Corp | 高周波用パッケージ及びその接続構造 |
JPH11163185A (ja) * | 1997-11-28 | 1999-06-18 | Kyocera Corp | 高周波半導体素子用パッケージ |
JPH11312760A (ja) * | 1998-04-28 | 1999-11-09 | Kyocera Corp | 高周波用配線基板 |
JP2001028413A (ja) * | 1996-02-29 | 2001-01-30 | Kyocera Corp | 高周波用パッケージ |
JP2003037420A (ja) * | 2001-07-23 | 2003-02-07 | Hitachi Ltd | 高周波送受信装置 |
US6535090B1 (en) | 2000-06-07 | 2003-03-18 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Compact high-frequency circuit device |
RU2607507C2 (ru) * | 2015-06-18 | 2017-01-10 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Московский авиационный институт (национальный исследовательский университет)" (МАИ) | Способ ремонта сваркой тонкостенных деталей авиационной техники |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8957325B2 (en) | 2013-01-15 | 2015-02-17 | Fujitsu Limited | Optimized via cutouts with ground references |
-
1995
- 1995-03-14 JP JP05415895A patent/JP3155901B2/ja not_active Expired - Lifetime
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JPH11163185A (ja) * | 1997-11-28 | 1999-06-18 | Kyocera Corp | 高周波半導体素子用パッケージ |
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