JPH08162812A - 高周波結合器 - Google Patents
高周波結合器Info
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- JPH08162812A JPH08162812A JP6303925A JP30392594A JPH08162812A JP H08162812 A JPH08162812 A JP H08162812A JP 6303925 A JP6303925 A JP 6303925A JP 30392594 A JP30392594 A JP 30392594A JP H08162812 A JPH08162812 A JP H08162812A
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P5/00—Coupling devices of the waveguide type
- H01P5/12—Coupling devices having more than two ports
- H01P5/16—Conjugate devices, i.e. devices having at least one port decoupled from one other port
- H01P5/18—Conjugate devices, i.e. devices having at least one port decoupled from one other port consisting of two coupled guides, e.g. directional couplers
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/0213—Electrical arrangements not otherwise provided for
- H05K1/0237—High frequency adaptations
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/11—Printed elements for providing electric connections to or between printed circuits
- H05K1/111—Pads for surface mounting, e.g. lay-out
- H05K1/112—Pads for surface mounting, e.g. lay-out directly combined with via connections
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/18—Printed circuits structurally associated with non-printed electric components
- H05K1/181—Printed circuits structurally associated with non-printed electric components associated with surface mounted components
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- Waveguides (AREA)
- Near-Field Transmission Systems (AREA)
Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】 マイクロストリップライン技術を用いて安価
に製造でき、広い周波数帯で小型で外部の電磁波の影響
を受けにくい高周波結合器を提供する。 【構成】 基板１６０上に配置されたマイクロストリッ
プラインよりなる主線路１０２と、主線路１０２に近接
して基板１６０上に配置された結合用部分１１０，１１
１と、基板１６０の内部に設けられ結合用部分１１０，
１１１とスルーホール１１５，１１６を介して接続され
る導体部分１２０，１２１とを有する。
に製造でき、広い周波数帯で小型で外部の電磁波の影響
を受けにくい高周波結合器を提供する。 【構成】 基板１６０上に配置されたマイクロストリッ
プラインよりなる主線路１０２と、主線路１０２に近接
して基板１６０上に配置された結合用部分１１０，１１
１と、基板１６０の内部に設けられ結合用部分１１０，
１１１とスルーホール１１５，１１６を介して接続され
る導体部分１２０，１２１とを有する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、主線路に伝搬するマイ
クロ波帯、ミリ波帯等の高周波信号の一部を外部へ取り
出すための高周波結合器に関し、特に、マイクロストリ
ップラインで構成された高周波結合器に関する。
クロ波帯、ミリ波帯等の高周波信号の一部を外部へ取り
出すための高周波結合器に関し、特に、マイクロストリ
ップラインで構成された高周波結合器に関する。
【０００２】
【従来の技術】無線装置において、送信機の高出力増幅
器の出力に、電力モニタ或いは自動レベル制御（ＡＬ
Ｃ）等のために、高周波信号の電力の一部を取り出す高
周波結合器がしばしば使用される。ＡＬＣでは、高出力
増幅器の入力信号のレベルが、高周波結合器によってモ
ニタされた増幅された高周波信号のレベルによって制御
され、増幅器の出力レベルが一定に維持される。特に、
高周波結合器を送信機のフロントエンドに接続する場
合、アンテナからの反射による影響を避けるために、逆
方向の信号には結合しない方向性結合器が一般に使用さ
れる。
器の出力に、電力モニタ或いは自動レベル制御（ＡＬ
Ｃ）等のために、高周波信号の電力の一部を取り出す高
周波結合器がしばしば使用される。ＡＬＣでは、高出力
増幅器の入力信号のレベルが、高周波結合器によってモ
ニタされた増幅された高周波信号のレベルによって制御
され、増幅器の出力レベルが一定に維持される。特に、
高周波結合器を送信機のフロントエンドに接続する場
合、アンテナからの反射による影響を避けるために、逆
方向の信号には結合しない方向性結合器が一般に使用さ
れる。
【０００３】このような高周波結合器は、移動通信で使
用する携帯型無線装置においても適用されており、そこ
においては結合器の小型化が強く望まれている。高周波
結合器は、一般的には図１２及び図１３に示すような良
く知られたマイクロストリップラインで構成できる。図
１２は、分岐線路形方向性結合器のパターン構成図であ
る。入力線路１に入力された信号は、主線路２を伝搬し
出力線路３から出力される。このとき、この信号の一部
は、並列線路７、８を介して、副線路５の出力線路６に
も供給される。入力線路１における入力電力Ｐｉｎと出
力線路６における結合電力Ｐｃとの比（１０×ｌｏｇ
（Ｐｃ／Ｐｉｎ））は結合度と呼ばれ、基板の材料、パ
ターンの幅、及び周波数に依存する。しかし、本結合器
で得られる結合度は、数ｄＢであり、典型的には約−３
ｄＢである。従って、例えば、−２０ｄＢのような低い
結合度を得ることは、寸法を考慮すると極めて難しい。
用する携帯型無線装置においても適用されており、そこ
においては結合器の小型化が強く望まれている。高周波
結合器は、一般的には図１２及び図１３に示すような良
く知られたマイクロストリップラインで構成できる。図
１２は、分岐線路形方向性結合器のパターン構成図であ
る。入力線路１に入力された信号は、主線路２を伝搬し
出力線路３から出力される。このとき、この信号の一部
は、並列線路７、８を介して、副線路５の出力線路６に
も供給される。入力線路１における入力電力Ｐｉｎと出
力線路６における結合電力Ｐｃとの比（１０×ｌｏｇ
（Ｐｃ／Ｐｉｎ））は結合度と呼ばれ、基板の材料、パ
ターンの幅、及び周波数に依存する。しかし、本結合器
で得られる結合度は、数ｄＢであり、典型的には約−３
ｄＢである。従って、例えば、−２０ｄＢのような低い
結合度を得ることは、寸法を考慮すると極めて難しい。
【０００４】図１３は、分布結合形方向性結合器のパタ
ーン構成図である。主線路２の入力線路１に入力された
信号の一部は、マイクロストリップラインのエッジの分
布結合によって、副線路５に結合され、出力線路４に供
給される。本結合器における結合度も、基板の材料、パ
ターンの幅、及び周波数に依存する。また、本結合器で
は、方向性は、伝送信号の偶モードと奇モードの２つの
直交モードの位相速度を一致させることによって得られ
る。しかし、この一致を達成することは容易ではないた
め、所望の方向性が得られない問題がある。
ーン構成図である。主線路２の入力線路１に入力された
信号の一部は、マイクロストリップラインのエッジの分
布結合によって、副線路５に結合され、出力線路４に供
給される。本結合器における結合度も、基板の材料、パ
ターンの幅、及び周波数に依存する。また、本結合器で
は、方向性は、伝送信号の偶モードと奇モードの２つの
直交モードの位相速度を一致させることによって得られ
る。しかし、この一致を達成することは容易ではないた
め、所望の方向性が得られない問題がある。
【０００５】ページャ、自動車・携帯電話、コードレス
電話等の移動通信では、使用周波数帯が数百ＭＨｚ帯か
ら２ＧＨｚ帯（準マイクロ波帯）であり、ミリ波帯に比
べて低い周波数である。特に、典型的な自動車・携帯電
話では、８００ＭＨｚ帯の周波数が使用されており、こ
の周波数においてλｇ／４線路長は、真空中で約９０ｍ
ｍである。このような低い周波数帯で、既存のマイクロ
ストリップライン技術を使用すると高周波結合器は極め
て大きくなる。特に、最近、携帯型無線装置の低価格化
のため、一般的なガラスエポキシが基板材料として使用
されている。この基板材料を採用しても、約５０ｍｍと
高周波結合器は大きい。
電話等の移動通信では、使用周波数帯が数百ＭＨｚ帯か
ら２ＧＨｚ帯（準マイクロ波帯）であり、ミリ波帯に比
べて低い周波数である。特に、典型的な自動車・携帯電
話では、８００ＭＨｚ帯の周波数が使用されており、こ
の周波数においてλｇ／４線路長は、真空中で約９０ｍ
ｍである。このような低い周波数帯で、既存のマイクロ
ストリップライン技術を使用すると高周波結合器は極め
て大きくなる。特に、最近、携帯型無線装置の低価格化
のため、一般的なガラスエポキシが基板材料として使用
されている。この基板材料を採用しても、約５０ｍｍと
高周波結合器は大きい。
【０００６】また、副線路内に結合用パターンとして、
λｇ／４の線路が構成されているため、この結合用パタ
ーンがアンテナとして作用し、外部の影響を受けやすく
なる。特に、携帯形無線装置の場合、非常に狭いスペー
スに多種類の回路が実装されているため、種々の電磁波
の影響を受けやすい。そこで、最近では、小型でかつ外
部の影響を受けにくい高周波結合器として、図１４に示
すような積層型チップ結合器が多く使用されている。こ
のチップ結合器は、小型でかつ電気的特性にも優れてい
るが、携帯型装置に使用する部品としては非常に高価で
ある。
λｇ／４の線路が構成されているため、この結合用パタ
ーンがアンテナとして作用し、外部の影響を受けやすく
なる。特に、携帯形無線装置の場合、非常に狭いスペー
スに多種類の回路が実装されているため、種々の電磁波
の影響を受けやすい。そこで、最近では、小型でかつ外
部の影響を受けにくい高周波結合器として、図１４に示
すような積層型チップ結合器が多く使用されている。こ
のチップ結合器は、小型でかつ電気的特性にも優れてい
るが、携帯型装置に使用する部品としては非常に高価で
ある。
【０００７】従って、マイクロストリップライン技術を
用いた小型の高周波結合器の開発が強く望まれる。高周
波結合器がマイクロストリップライン技術で製作できれ
ば、この高周波結合器は、高周波増幅器や高周波フィル
タなどの高周波回路の製作と同じプロセスの中で製作可
能であり、チップ結合器が不要になることによって低価
格化が達成できる。
用いた小型の高周波結合器の開発が強く望まれる。高周
波結合器がマイクロストリップライン技術で製作できれ
ば、この高周波結合器は、高周波増幅器や高周波フィル
タなどの高周波回路の製作と同じプロセスの中で製作可
能であり、チップ結合器が不要になることによって低価
格化が達成できる。
【０００８】現在、マイクロストリップライン技術を用
いた実用的な高周波結合器は、いくつか提案されてい
る。以下に、提案されている従来例の構成について、図
１５から図１８を用いて説明する。図１５は、改善され
た高周波結合器の第１の従来例を示すパターン構成図で
ある。本結合器は、特許公報特公平１−３０３２１号
「超高周波結合器」で開示されている。主線路２に供給
された信号の一部が、結合部９を介して副線路５へ結合
され、出力線路６から出力される。副線路５は、２つの
抵抗１０、１１を介してグランド１２に接地されてお
り、これによって出力線路６に対する良好なインピーダ
ンス整合を得ることができる。本結合器は、副線路５が
主線路２とポイントの形状で結合しているため、小型化
が可能である。また、結合度は、主線路２と副線路５の
結合部９との間の距離によって調整可能である。しか
し、本結合器では、方向性が得られない。
いた実用的な高周波結合器は、いくつか提案されてい
る。以下に、提案されている従来例の構成について、図
１５から図１８を用いて説明する。図１５は、改善され
た高周波結合器の第１の従来例を示すパターン構成図で
ある。本結合器は、特許公報特公平１−３０３２１号
「超高周波結合器」で開示されている。主線路２に供給
された信号の一部が、結合部９を介して副線路５へ結合
され、出力線路６から出力される。副線路５は、２つの
抵抗１０、１１を介してグランド１２に接地されてお
り、これによって出力線路６に対する良好なインピーダ
ンス整合を得ることができる。本結合器は、副線路５が
主線路２とポイントの形状で結合しているため、小型化
が可能である。また、結合度は、主線路２と副線路５の
結合部９との間の距離によって調整可能である。しか
し、本結合器では、方向性が得られない。
【０００９】図１６は、改善された高周波結合器の第２
の従来例を示すパターン構成図である。本結合器は、特
許公報特公平４−４７６３号「方向性結合器」で開示さ
れている。主線路２に供給された信号の一部が、結合用
パターン１３、１４を介して副線路１５、１６に結合さ
れ、出力線路６から出力される。結合用パターン１３、
１４の間のピッチ、及び副線路１５、１６の線路長の差
をλｇ／４に設定することによって、十分な方向性を得
ることができる。また、副線路１５、１６の線路幅を細
くできるため、外部からの影響を低減することができ
る。本結合器においても、結合度は、主線路２と結合パ
ターン１３、１４との距離によって調整可能である。
の従来例を示すパターン構成図である。本結合器は、特
許公報特公平４−４７６３号「方向性結合器」で開示さ
れている。主線路２に供給された信号の一部が、結合用
パターン１３、１４を介して副線路１５、１６に結合さ
れ、出力線路６から出力される。結合用パターン１３、
１４の間のピッチ、及び副線路１５、１６の線路長の差
をλｇ／４に設定することによって、十分な方向性を得
ることができる。また、副線路１５、１６の線路幅を細
くできるため、外部からの影響を低減することができ
る。本結合器においても、結合度は、主線路２と結合パ
ターン１３、１４との距離によって調整可能である。
【００１０】図１７は、改善された高周波結合器の第３
の従来例を示すパターン構成図である。本結合器は、公
開特許公報特開平５−１４０１９号「方向性結合器」で
開示されている。本結合器では、副線路５が、主線路２
の上に誘電体を介して積層されている。結合動作に関し
ては、主線路２に供給された信号の一部が、誘電体を介
して副線路５に結合され、出力線路６へ供給される。本
文献では、このような構成によって、適用周波数範囲が
拡大できると説明している。さらに、本文献は、これら
の線路のオーバーコートによる電磁遮蔽によって、外部
からの影響を低減できることを示している。
の従来例を示すパターン構成図である。本結合器は、公
開特許公報特開平５−１４０１９号「方向性結合器」で
開示されている。本結合器では、副線路５が、主線路２
の上に誘電体を介して積層されている。結合動作に関し
ては、主線路２に供給された信号の一部が、誘電体を介
して副線路５に結合され、出力線路６へ供給される。本
文献では、このような構成によって、適用周波数範囲が
拡大できると説明している。さらに、本文献は、これら
の線路のオーバーコートによる電磁遮蔽によって、外部
からの影響を低減できることを示している。
【００１１】図１８は、改善された高周波結合器の第４
の従来例を示すパターン構成図である。本結合器は、公
開特許公報特開平５−８３０１５号「方向性結合器」で
開示されている。誘電体基板４０が、主線路２と副線路
５とでサンドイッチされ、さらに、それがグランド面を
有する２つの外部基板４１、４２によってサンドイッチ
されている。結合部分を電磁遮蔽することによって、外
部からの影響を低減することが可能となる。
の従来例を示すパターン構成図である。本結合器は、公
開特許公報特開平５−８３０１５号「方向性結合器」で
開示されている。誘電体基板４０が、主線路２と副線路
５とでサンドイッチされ、さらに、それがグランド面を
有する２つの外部基板４１、４２によってサンドイッチ
されている。結合部分を電磁遮蔽することによって、外
部からの影響を低減することが可能となる。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た従来の高周波結合器は、以下のような問題点を有す
る。図１６、図１７及び図１８の高周波結合器では、携
帯形無線装置に適した大幅な小型化の達成が難しい。図
１６の高周波結合器の小型化を行う場合、結合用パター
ン１３、１４の間のピッチをλｇ／４より小さくする必
要があり、その場合、良好な方向性を得るために副線路
１５、１６をさらに拡張しなければならない。従って、
全体の大きさを小型化することは難しかった。一方、図
１７及び図１８の高周波結合器の大きさはλｇ／４で決
定されるため、大きさの縮小は電気的特性の大きな劣化
を引き起こすことになる。
た従来の高周波結合器は、以下のような問題点を有す
る。図１６、図１７及び図１８の高周波結合器では、携
帯形無線装置に適した大幅な小型化の達成が難しい。図
１６の高周波結合器の小型化を行う場合、結合用パター
ン１３、１４の間のピッチをλｇ／４より小さくする必
要があり、その場合、良好な方向性を得るために副線路
１５、１６をさらに拡張しなければならない。従って、
全体の大きさを小型化することは難しかった。一方、図
１７及び図１８の高周波結合器の大きさはλｇ／４で決
定されるため、大きさの縮小は電気的特性の大きな劣化
を引き起こすことになる。
【００１３】その他、図１５及び図１６の高周波結合器
では、副線路がアンテナとして作用して外部の電磁波の
影響を受けやすい。図１６の高周波結合器では、副線路
を細くすることによって、改善が試みられているが、影
響の程度は、携帯形無線装置へ適用するためには十分低
い値とはいえない。本発明の目的は、マイクロストリッ
プライン技術を用いて安価に製造でき、数百ＭＨｚから
数ＧＨｚの周波数帯で小型な高周波結合器を提供するこ
とにある。
では、副線路がアンテナとして作用して外部の電磁波の
影響を受けやすい。図１６の高周波結合器では、副線路
を細くすることによって、改善が試みられているが、影
響の程度は、携帯形無線装置へ適用するためには十分低
い値とはいえない。本発明の目的は、マイクロストリッ
プライン技術を用いて安価に製造でき、数百ＭＨｚから
数ＧＨｚの周波数帯で小型な高周波結合器を提供するこ
とにある。
【００１４】本発明のその他の目的は、外部の電磁波の
影響を受けにくい高周波結合器を提供することにある。
影響を受けにくい高周波結合器を提供することにある。
【００１５】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に本発明では、下記の手段を講じたことを特徴とするも
のである。請求項１記載の発明装置では、基板上に配置
されたマイクロストリップラインよりなる主線路と、前
記主線路に近接して前記基板上に配置された結合用部分
と、前記基板の内部に設けられ前記結合用部分とスルー
ホールを介して接続される導体部分とを有することを特
徴とする。
に本発明では、下記の手段を講じたことを特徴とするも
のである。請求項１記載の発明装置では、基板上に配置
されたマイクロストリップラインよりなる主線路と、前
記主線路に近接して前記基板上に配置された結合用部分
と、前記基板の内部に設けられ前記結合用部分とスルー
ホールを介して接続される導体部分とを有することを特
徴とする。
【００１６】請求項２記載の発明装置では、請求項１記
載の発明装置における前記結合用部分は、前記主線路に
沿って、第１の距離を隔てた２個の結合用パターンで構
成され、また、前記導体部分は、線路長の異なる２個の
導体パターンで構成され、該２個の導体パターンは前記
２個の結合用パターンと出力端子との間にそれぞれ配置
され、それらとスルーホールを介して接続されることを
特徴とする。
載の発明装置における前記結合用部分は、前記主線路に
沿って、第１の距離を隔てた２個の結合用パターンで構
成され、また、前記導体部分は、線路長の異なる２個の
導体パターンで構成され、該２個の導体パターンは前記
２個の結合用パターンと出力端子との間にそれぞれ配置
され、それらとスルーホールを介して接続されることを
特徴とする。
【００１７】請求項３記載の発明装置では、前記２個の
結合用パターンをそれぞれグランドへ接続するための終
端抵抗をさらに有することを特徴とする。請求項４記載
の発明装置では、請求項２記載の発明装置における前記
第１の距離はマイクロ波の約４分の１波長に対応した距
離であることを特徴とする。請求項５記載の発明装置で
は、請求項２記載の発明装置における前記２個の導体パ
ターンの線路長の差は、マイクロ波の約４分の１波長に
対応した距離であることを特徴とする。
結合用パターンをそれぞれグランドへ接続するための終
端抵抗をさらに有することを特徴とする。請求項４記載
の発明装置では、請求項２記載の発明装置における前記
第１の距離はマイクロ波の約４分の１波長に対応した距
離であることを特徴とする。請求項５記載の発明装置で
は、請求項２記載の発明装置における前記２個の導体パ
ターンの線路長の差は、マイクロ波の約４分の１波長に
対応した距離であることを特徴とする。
【００１８】請求項６記載の発明装置では、請求項１記
載の発明装置における前記結合用部分は、外部からトリ
ミング可能な材料で形成されていることを特徴とする。
請求項７記載の発明装置では、前記主線路と前記結合用
部分との間を接続するコンデンサををさらに有すること
を特徴とする。請求項８記載の発明装置では、前記主線
路と前記２個の結合用パターンの各々との間を接続し、
互いに異なるキャパシタンスの値を有する２つのコンデ
ンサをさらに有することを特徴とする。
載の発明装置における前記結合用部分は、外部からトリ
ミング可能な材料で形成されていることを特徴とする。
請求項７記載の発明装置では、前記主線路と前記結合用
部分との間を接続するコンデンサををさらに有すること
を特徴とする。請求項８記載の発明装置では、前記主線
路と前記２個の結合用パターンの各々との間を接続し、
互いに異なるキャパシタンスの値を有する２つのコンデ
ンサをさらに有することを特徴とする。
【００１９】請求項９記載の発明装置では、前記主線路
と前記結合部分との間を接続する抵抗をさらに有するこ
とを特徴とする。請求項１０記載の発明装置では、前記
主線路と前記２個の結合用パターンの各々との間を接続
し、互いに異なる抵抗値を有する２つの抵抗をさらに有
することを特徴とする。
と前記結合部分との間を接続する抵抗をさらに有するこ
とを特徴とする。請求項１０記載の発明装置では、前記
主線路と前記２個の結合用パターンの各々との間を接続
し、互いに異なる抵抗値を有する２つの抵抗をさらに有
することを特徴とする。
【００２０】請求項１１記載の発明装置では、前記導体
部分の一部はスパイラルコイルで構成されていることを
特徴とする。請求項１２記載の発明装置では、基板上に
配置されたマイクロストリップラインよりなる主線路
と、前記主線路に近接して前記基板上に配置され前記主
線路とコンデンサを介して接続された結合用部分とを有
することを特徴とする。
部分の一部はスパイラルコイルで構成されていることを
特徴とする。請求項１２記載の発明装置では、基板上に
配置されたマイクロストリップラインよりなる主線路
と、前記主線路に近接して前記基板上に配置され前記主
線路とコンデンサを介して接続された結合用部分とを有
することを特徴とする。
【００２１】請求項１３記載の発明装置では、基板上に
配置されたマイクロストリップラインよりなる主線路
と、前記主線路に近接して前記基板上に配置され前記主
線路と抵抗を介して接続された結合用部分とを有するこ
とを特徴とする。
配置されたマイクロストリップラインよりなる主線路
と、前記主線路に近接して前記基板上に配置され前記主
線路と抵抗を介して接続された結合用部分とを有するこ
とを特徴とする。
【００２２】
【作用】請求項１記載の高周波結合器においては、主線
路に伝送される高周波信号の一部は、結合用部分に結合
され、スルーホールを介して導体部分に伝搬される。本
高周波結合器においては、方向性を必要としない場合、
大きさがλｇ／４に依存しないので、小型化が可能であ
る。特に、導体部分は、基板の内部に設けられているた
め、一層の小型化が期待できる。さらに、導体部分の基
板内部における形成は、外部の電磁波の影響を受けにく
くしている。一方、結合用部分は、基板の表面に配置さ
れているため、トリミング等によって外部からの結合度
の調整が可能である。
路に伝送される高周波信号の一部は、結合用部分に結合
され、スルーホールを介して導体部分に伝搬される。本
高周波結合器においては、方向性を必要としない場合、
大きさがλｇ／４に依存しないので、小型化が可能であ
る。特に、導体部分は、基板の内部に設けられているた
め、一層の小型化が期待できる。さらに、導体部分の基
板内部における形成は、外部の電磁波の影響を受けにく
くしている。一方、結合用部分は、基板の表面に配置さ
れているため、トリミング等によって外部からの結合度
の調整が可能である。
【００２３】請求項２記載の高周波結合器においては、
主線路に伝送される高周波信号の一部は、２つの結合用
パターンに結合され、スルーホールを介して２つの導体
パターンに伝搬される。本高周波結合器では、方向性を
得ることができる。特に、第１の距離をマイクロ波の４
分の１波長よりも短く設定した場合、方向性は多少劣化
するが、大幅な小型化が可能となる。さらに、２個の結
合用パターンが主線路に点状に結合されているため、さ
らに外部からの影響を受けにくく、かつ外部からの調整
面積が少なくなり調整を容易にしている。
主線路に伝送される高周波信号の一部は、２つの結合用
パターンに結合され、スルーホールを介して２つの導体
パターンに伝搬される。本高周波結合器では、方向性を
得ることができる。特に、第１の距離をマイクロ波の４
分の１波長よりも短く設定した場合、方向性は多少劣化
するが、大幅な小型化が可能となる。さらに、２個の結
合用パターンが主線路に点状に結合されているため、さ
らに外部からの影響を受けにくく、かつ外部からの調整
面積が少なくなり調整を容易にしている。
【００２４】請求項３記載の高周波結合器においては、
２個の結合用パターンがそれぞれ終端抵抗を介して接地
されているので、結合動作が安定化される。請求項４又
は５記載の高周波結合器においては、出力端子におい
て、主線路に順方向の入力信号は同相で、主線路に逆方
向の入力信号は逆相で、かつ同振幅で合成される。従っ
て、理想的な方向性が得られる。
２個の結合用パターンがそれぞれ終端抵抗を介して接地
されているので、結合動作が安定化される。請求項４又
は５記載の高周波結合器においては、出力端子におい
て、主線路に順方向の入力信号は同相で、主線路に逆方
向の入力信号は逆相で、かつ同振幅で合成される。従っ
て、理想的な方向性が得られる。
【００２５】請求項６記載の高周波結合器においては、
結合用部分がトリミングによって容易に調整することが
できる。請求項７又は１２記載の高周波結合器において
は、主線路に伝送される高周波信号の一部は、コンデン
サを介して結合用部分に結合される。請求項７記載の高
周波結合器では、結合された高周波信号は、さらに基板
の内部に形成された導体部分に伝搬される。コンデンサ
による結合によって、結合容量を自由に設定でき、幅広
い結合度を選択できる。特に、結合用部分の主線路に対
する近接接地が難しく大きな結合容量が得られない場合
でも、大きなキャパシタンスのコンデンサを使用するこ
とによって大きな結合度を得ることが可能である。
結合用部分がトリミングによって容易に調整することが
できる。請求項７又は１２記載の高周波結合器において
は、主線路に伝送される高周波信号の一部は、コンデン
サを介して結合用部分に結合される。請求項７記載の高
周波結合器では、結合された高周波信号は、さらに基板
の内部に形成された導体部分に伝搬される。コンデンサ
による結合によって、結合容量を自由に設定でき、幅広
い結合度を選択できる。特に、結合用部分の主線路に対
する近接接地が難しく大きな結合容量が得られない場合
でも、大きなキャパシタンスのコンデンサを使用するこ
とによって大きな結合度を得ることが可能である。
【００２６】請求項９又は１３記載の高周波結合器にお
いては、主線路に伝送される高周波信号の一部は、抵抗
を介して結合用部分に結合される。請求項９記載の高周
波結合器では、結合された高周波信号は、さらに基板の
内部に形成された導体部分に伝搬される。抵抗による結
合によって、広い周波数範囲に亘って所望の結合量を得
ることができる。
いては、主線路に伝送される高周波信号の一部は、抵抗
を介して結合用部分に結合される。請求項９記載の高周
波結合器では、結合された高周波信号は、さらに基板の
内部に形成された導体部分に伝搬される。抵抗による結
合によって、広い周波数範囲に亘って所望の結合量を得
ることができる。
【００２７】請求項１１記載の高周波結合器において
は、主線路から結合部分を介して結合してきた高周波信
号の一部は、導体部分の一部を構成するスパイラルコイ
ルを伝搬する。導体部分の一部が、スパイラルコイル状
に構成されているため、導体部分に必要なスペースが縮
小化される。従って、結合器の小型化が図れる。請求項
８又は１０記載の高周波結合器においては、主線路に伝
送される高周波信号の一部は、異なるキャパシタンス値
を有するコンデンサ或いは異なる抵抗値を有する抵抗を
介して２つの結合用パターンに結合される。２つの結合
用パターンに結合れた信号は、基板の内部に形成された
それぞれ２つの導体パターンを介して出力端子へ伝搬さ
れ、そこで合成される。２つの導体パターンの損失が異
なる場合でも、出力端子へ伝搬される２つの信号の振幅
は、２つのコンデンサ或いは２つの抵抗によって、均等
化される。従って、良好な方向性が得られる。
は、主線路から結合部分を介して結合してきた高周波信
号の一部は、導体部分の一部を構成するスパイラルコイ
ルを伝搬する。導体部分の一部が、スパイラルコイル状
に構成されているため、導体部分に必要なスペースが縮
小化される。従って、結合器の小型化が図れる。請求項
８又は１０記載の高周波結合器においては、主線路に伝
送される高周波信号の一部は、異なるキャパシタンス値
を有するコンデンサ或いは異なる抵抗値を有する抵抗を
介して２つの結合用パターンに結合される。２つの結合
用パターンに結合れた信号は、基板の内部に形成された
それぞれ２つの導体パターンを介して出力端子へ伝搬さ
れ、そこで合成される。２つの導体パターンの損失が異
なる場合でも、出力端子へ伝搬される２つの信号の振幅
は、２つのコンデンサ或いは２つの抵抗によって、均等
化される。従って、良好な方向性が得られる。
【００２８】
【実施例】図１は本発明に係わる高周波結合器の第１の
実施例の構成図である。（Ａ）は、第１の実施例の平面
図であり、（Ｂ）は、その断面の透視図である。本高周
波結合器１００は、入力線路１０１及び出力線路１０３
を有する主線路１０２、２つの結合用パターン１１０、
１１１、２つの長さの異なる導体パターン１２０、１２
１、結合信号出力線路１３０から構成される。結合用パ
ターン１１０は、抵抗１４０を介してグランド１５０に
接続され、該グランド１５０はスルーホールを介してグ
ランドプレート１７０に接続されている。同様に、結合
用パターン１１１は、抵抗１４１を介してグランド１５
１に接続され、該グランド１５１はスルーホールを介し
てグランドプレート１７０に接続されている。
実施例の構成図である。（Ａ）は、第１の実施例の平面
図であり、（Ｂ）は、その断面の透視図である。本高周
波結合器１００は、入力線路１０１及び出力線路１０３
を有する主線路１０２、２つの結合用パターン１１０、
１１１、２つの長さの異なる導体パターン１２０、１２
１、結合信号出力線路１３０から構成される。結合用パ
ターン１１０は、抵抗１４０を介してグランド１５０に
接続され、該グランド１５０はスルーホールを介してグ
ランドプレート１７０に接続されている。同様に、結合
用パターン１１１は、抵抗１４１を介してグランド１５
１に接続され、該グランド１５１はスルーホールを介し
てグランドプレート１７０に接続されている。
【００２９】主線路１０２は、誘電体基板１６０の表面
に配置されている。基板の同じ表面上において、結合用
パターン１１０、１１１が、それぞれ所定の距離Ｄ1 、
Ｄ2を隔てて、主線路１０２に近接して配置されてい
る。一方、導体パターン１２０、１２１は、図１（Ｂ）
に示すように、誘電体基板１６０の内部に内層されてお
り、基板上に形成された結合用パターン１１０、１１１
とそれぞれスルーホール１１５、１１６を介して接続さ
れている。さらに、基板内部の導体パターン１２０、１
２１の他の端は、基板の表面に形成された結合信号出力
線路１３０にスルーホール１３１を介して接続されてい
る。
に配置されている。基板の同じ表面上において、結合用
パターン１１０、１１１が、それぞれ所定の距離Ｄ1 、
Ｄ2を隔てて、主線路１０２に近接して配置されてい
る。一方、導体パターン１２０、１２１は、図１（Ｂ）
に示すように、誘電体基板１６０の内部に内層されてお
り、基板上に形成された結合用パターン１１０、１１１
とそれぞれスルーホール１１５、１１６を介して接続さ
れている。さらに、基板内部の導体パターン１２０、１
２１の他の端は、基板の表面に形成された結合信号出力
線路１３０にスルーホール１３１を介して接続されてい
る。
【００３０】以下に、本高周波結合器１００の動作につ
いて説明する。例えば、高周波増幅器から到来した高周
波信号は、典型的には、入力線路１０１に供給され、主
線路１０２を伝搬して、出力線路１０３から出力され
る。出力線路１０３から出力された高周波信号は、例え
ば、高周波フィルタやアンテナへ供給される。この場
合、主線路１０２を伝搬する高周波信号の一部は、結合
パターン１１０、１１１に結合される。結合された高周
波信号は、それぞれ基板内部の導体パターン１２０、１
２１を介して伝送され、結合信号出力線路１３０におい
て合成される。このように、２つの経路から到来する位
相の異なる信号を合成することによって、方向性が生じ
る。信号の位相は、２つの結合用パターン１１０、１１
１の間のピッチＬ0 、導体パターン１２０、１２１の長
さ、Ｌ1 、Ｌ2によって設定できるため、これらの長さ
を適切に選択することによって、所望の方向性が得られ
る。
いて説明する。例えば、高周波増幅器から到来した高周
波信号は、典型的には、入力線路１０１に供給され、主
線路１０２を伝搬して、出力線路１０３から出力され
る。出力線路１０３から出力された高周波信号は、例え
ば、高周波フィルタやアンテナへ供給される。この場
合、主線路１０２を伝搬する高周波信号の一部は、結合
パターン１１０、１１１に結合される。結合された高周
波信号は、それぞれ基板内部の導体パターン１２０、１
２１を介して伝送され、結合信号出力線路１３０におい
て合成される。このように、２つの経路から到来する位
相の異なる信号を合成することによって、方向性が生じ
る。信号の位相は、２つの結合用パターン１１０、１１
１の間のピッチＬ0 、導体パターン１２０、１２１の長
さ、Ｌ1 、Ｌ2によって設定できるため、これらの長さ
を適切に選択することによって、所望の方向性が得られ
る。
【００３１】例えば、今、２つの結合用パターン１１
０、１１１の間のピッチＬ0 、導体パターン１２０、１
２１の長さ、Ｌ1 、Ｌ2 を以下のように選択する。 Ｌ0 ＝λｇ／４、 Ｌ1 ＝ Ｌ2 ＋ λｇ／４ ただし、λｇは、高周波信号の線路の伝搬波長である。
ポイントＰ１から結合信号出力線路１３０までの線路に
関して、導体パターン１２０を介する経路における線路
長（Ｌ1 ＝ Ｌ2 ＋ λｇ／４）は、主線路１０２及び
導体パターン１２１を介する経路における線路長（Ｌ0
＋Ｌ2 ＝Ｌ2 ＋λｇ／４）と等しい。従って、入力線路
１０１から入力された信号は、結合信号出力線路１３０
においては、同相で合成される。一方、ポイントＰ２か
ら結合信号出力線路１３０までの線路に関して、主線路
１０２及び導体パターン１２０を介する経路における線
路長（Ｌ0 ＋Ｌ1 ＝Ｌ2 ＋ λｇ／２）は、導体パター
ン１２１を介する経路における線路長（Ｌ2 ）と線路長
λｇ／２だけ異なる。従って、出力線路１０３から入力
された信号は、結合信号出力線路１３０においては、逆
相で合成される。この場合、両方の信号の振幅が等しい
と、合成信号は打ち消される。このようにして、方向性
が生じる。
０、１１１の間のピッチＬ0 、導体パターン１２０、１
２１の長さ、Ｌ1 、Ｌ2 を以下のように選択する。 Ｌ0 ＝λｇ／４、 Ｌ1 ＝ Ｌ2 ＋ λｇ／４ ただし、λｇは、高周波信号の線路の伝搬波長である。
ポイントＰ１から結合信号出力線路１３０までの線路に
関して、導体パターン１２０を介する経路における線路
長（Ｌ1 ＝ Ｌ2 ＋ λｇ／４）は、主線路１０２及び
導体パターン１２１を介する経路における線路長（Ｌ0
＋Ｌ2 ＝Ｌ2 ＋λｇ／４）と等しい。従って、入力線路
１０１から入力された信号は、結合信号出力線路１３０
においては、同相で合成される。一方、ポイントＰ２か
ら結合信号出力線路１３０までの線路に関して、主線路
１０２及び導体パターン１２０を介する経路における線
路長（Ｌ0 ＋Ｌ1 ＝Ｌ2 ＋ λｇ／２）は、導体パター
ン１２１を介する経路における線路長（Ｌ2 ）と線路長
λｇ／２だけ異なる。従って、出力線路１０３から入力
された信号は、結合信号出力線路１３０においては、逆
相で合成される。この場合、両方の信号の振幅が等しい
と、合成信号は打ち消される。このようにして、方向性
が生じる。
【００３２】本高周波結合器１００では、導体パターン
１２０、１２１がそれぞれ所定の線路長を有することに
よって、異なる位相の高周波信号を生成している。従っ
て、導体パターンはこのような長い線路長によって、外
部からの電磁波を影響を受けやすい。しかしながら、本
高周波結合器では、これらの導体パターン１２０、１２
１が、誘電体基板１６０の内部に内層されているため、
その遮蔽効果によって外部からの影響を大幅に低減する
ことができる。
１２０、１２１がそれぞれ所定の線路長を有することに
よって、異なる位相の高周波信号を生成している。従っ
て、導体パターンはこのような長い線路長によって、外
部からの電磁波を影響を受けやすい。しかしながら、本
高周波結合器では、これらの導体パターン１２０、１２
１が、誘電体基板１６０の内部に内層されているため、
その遮蔽効果によって外部からの影響を大幅に低減する
ことができる。
【００３３】一方、本高周波結合器１００の結合度は、
主線路１０２と結合用パターン１１０、１１１との間の
距離Ｄ1 、Ｄ2 で決定される。従って、結合用パターン
１１０、１１１が基板上に現れているため、トリミング
等によってその距離を調整することが可能となる。特
に、本高周波結合器の結合用パターンは、主線路１０２
に対して、線状ではなく点状に結合しているため、トリ
ミングが容易になる。また、結合用パターンを例えば金
属或いは導電ペーストで形成すれば、レーザによって容
易に外部からトリミングすることができる。
主線路１０２と結合用パターン１１０、１１１との間の
距離Ｄ1 、Ｄ2 で決定される。従って、結合用パターン
１１０、１１１が基板上に現れているため、トリミング
等によってその距離を調整することが可能となる。特
に、本高周波結合器の結合用パターンは、主線路１０２
に対して、線状ではなく点状に結合しているため、トリ
ミングが容易になる。また、結合用パターンを例えば金
属或いは導電ペーストで形成すれば、レーザによって容
易に外部からトリミングすることができる。
【００３４】以上示したように、本高周波結合器は、結
合用パターンに接続される導体パターンを基板内に内層
化することによって、結合度の調整を可能としたまま外
部からの影響を抑圧することができる。これにより、所
望の特性で安定な動作が容易に得られる。さらに、本回
路では、結合用パターン１２０、１２１が、抵抗１４
０、１４１でそれぞれ終端されており、これによって、
さらに安定な動作を確立することができる。
合用パターンに接続される導体パターンを基板内に内層
化することによって、結合度の調整を可能としたまま外
部からの影響を抑圧することができる。これにより、所
望の特性で安定な動作が容易に得られる。さらに、本回
路では、結合用パターン１２０、１２１が、抵抗１４
０、１４１でそれぞれ終端されており、これによって、
さらに安定な動作を確立することができる。
【００３５】また、上記の本高周波結合器１００の動作
説明では、結合用パターン１１０、１１１の間のピッチ
Ｌ0 が、λｇ／４と仮定した。λｇ／４のピッチＬ0 の
場合、最良の方向性が得られるが、本発明に係わる高周
波結合器はこの長さのものに限定されない。特に、携帯
形無線装置では、高周波結合器を実装するためのスペー
スが限られているため、ピッチＬ0 をλｇ／４に設定す
ることは難しい。
説明では、結合用パターン１１０、１１１の間のピッチ
Ｌ0 が、λｇ／４と仮定した。λｇ／４のピッチＬ0 の
場合、最良の方向性が得られるが、本発明に係わる高周
波結合器はこの長さのものに限定されない。特に、携帯
形無線装置では、高周波結合器を実装するためのスペー
スが限られているため、ピッチＬ0 をλｇ／４に設定す
ることは難しい。
【００３６】例えば、このピッチＬ0 をλｇ／８に設定
する場合を考える。この場合、Ｌ1＝ Ｌ2 ＋ ３λｇ
／８とすると、出力線路１０３から入力された信号は、
結合信号出力端子１３０において逆相で合成されるが、
入力線路１０１から入力された信号は、９０度の位相差
で構成される。従って、前述の例の場合に比べて、結合
信号のレベルが低下し、結合度、方向性の特性が劣化す
る。しかし、ピッチＬ 0 を前述の例の半分にしているた
め、基板表面での必要なスペースも半分になり、大幅な
小型化が可能となる。
する場合を考える。この場合、Ｌ1＝ Ｌ2 ＋ ３λｇ
／８とすると、出力線路１０３から入力された信号は、
結合信号出力端子１３０において逆相で合成されるが、
入力線路１０１から入力された信号は、９０度の位相差
で構成される。従って、前述の例の場合に比べて、結合
信号のレベルが低下し、結合度、方向性の特性が劣化す
る。しかし、ピッチＬ 0 を前述の例の半分にしているた
め、基板表面での必要なスペースも半分になり、大幅な
小型化が可能となる。
【００３７】さらに、本高周波結合器１００の利点は、
導体パターン１２０、１２１が基板の内部に内層されて
いるため、この導体パターンの長さを拡張できるフレキ
シビリティを有することである。即ち、導体パターンの
長さを拡張しつつ基板表面の実装に必要なスペースを低
減させることができる。これによって、無線装置全体の
小型化に貢献できる。なお、結合用パターンを主線路に
さらに近づけることによって、結合信号のレベルを増加
させることも可能である。従って、結合用パターン間の
ピッチ、結合パターンと主線路との間の距離は、結合
性、方向性等の電気的特性とのトレードオフによって決
定される。
導体パターン１２０、１２１が基板の内部に内層されて
いるため、この導体パターンの長さを拡張できるフレキ
シビリティを有することである。即ち、導体パターンの
長さを拡張しつつ基板表面の実装に必要なスペースを低
減させることができる。これによって、無線装置全体の
小型化に貢献できる。なお、結合用パターンを主線路に
さらに近づけることによって、結合信号のレベルを増加
させることも可能である。従って、結合用パターン間の
ピッチ、結合パターンと主線路との間の距離は、結合
性、方向性等の電気的特性とのトレードオフによって決
定される。
【００３８】ところで、本高周波結合器に供給される高
周波信号としては、数百ＭＨｚから数ＧＨｚまでの周波
数を有する信号が想定される。特に、移動通信で典型的
に使用される８００ＭＨｚ帯においても、有効に動作可
能である。また、誘電体基板の材料としては、ガラスエ
ポキシやテフロングラスが実用的に使用される。
周波信号としては、数百ＭＨｚから数ＧＨｚまでの周波
数を有する信号が想定される。特に、移動通信で典型的
に使用される８００ＭＨｚ帯においても、有効に動作可
能である。また、誘電体基板の材料としては、ガラスエ
ポキシやテフロングラスが実用的に使用される。
【００３９】以下に、誘電体基板の材料としてガラスエ
ポキシを使用した場合の本高周波結合器の結合度につい
て検討する。この場合、主線路１０２と結合用パターン
１１０、１１１との間のギャップＤ1 、Ｄ2 は、製作上
約０．１ｍｍ以上に制限される。また、結合パターンの
幅は、インピーダンス整合のために１．５ｍｍと仮定す
る。
ポキシを使用した場合の本高周波結合器の結合度につい
て検討する。この場合、主線路１０２と結合用パターン
１１０、１１１との間のギャップＤ1 、Ｄ2 は、製作上
約０．１ｍｍ以上に制限される。また、結合パターンの
幅は、インピーダンス整合のために１．５ｍｍと仮定す
る。
【００４０】図２は、ギャップＤ1 、Ｄ2 を０．１ｍｍ
とした場合の第１の実施例に係わる高周波結合器の電気
的特性のシミュレーション結果を示す。ただし、結合用
パターン間のピッチＬ0 はλｇ／４である。横軸は、１
００ＭＨｚから２．１ＧＨｚまでの周波数範囲を示す。
図中、マーカ“▽”で示されている周波数は、８００Ｍ
Ｈｚである。縦軸は、主線路１０２における挿入損失
（ｄＢ）、入力線路１０１の信号入力に対する順方向結
合度（ｄＢ）、及び出力線路１０３の信号入力に対する
逆方向結合度（ｄＢ）を表す。
とした場合の第１の実施例に係わる高周波結合器の電気
的特性のシミュレーション結果を示す。ただし、結合用
パターン間のピッチＬ0 はλｇ／４である。横軸は、１
００ＭＨｚから２．１ＧＨｚまでの周波数範囲を示す。
図中、マーカ“▽”で示されている周波数は、８００Ｍ
Ｈｚである。縦軸は、主線路１０２における挿入損失
（ｄＢ）、入力線路１０１の信号入力に対する順方向結
合度（ｄＢ）、及び出力線路１０３の信号入力に対する
逆方向結合度（ｄＢ）を表す。
【００４１】周波数８００ＭＨｚにおける順方向結合度
は、約−３９ｄＢである。この値は、移動通信への応用
では、−２０ｄＢ程度の順方向結合度が必要とされるた
め、かなり低い。これは、シミュレーションの結果、結
合用パターンと主線路との間の結合容量が０．０４５ｐ
Ｆと極めて小さいことによるものとわかった。この場
合、周波数８００ＭＨｚにおけるインピーダンスは、式
Ｚ＝１／ωＣより、約４ｋΩと大きい。即ち、高い結合
度を得るためには、結合用パターンと主線路との間のギ
ャップを０．１ｍｍよりさらに短くする必要がある。
は、約−３９ｄＢである。この値は、移動通信への応用
では、−２０ｄＢ程度の順方向結合度が必要とされるた
め、かなり低い。これは、シミュレーションの結果、結
合用パターンと主線路との間の結合容量が０．０４５ｐ
Ｆと極めて小さいことによるものとわかった。この場
合、周波数８００ＭＨｚにおけるインピーダンスは、式
Ｚ＝１／ωＣより、約４ｋΩと大きい。即ち、高い結合
度を得るためには、結合用パターンと主線路との間のギ
ャップを０．１ｍｍよりさらに短くする必要がある。
【００４２】そこで、第１の実施例に係わる高周波結合
器１００の特性をさらに向上する結合器を以下に第２の
実施例として示す。図３は、本発明に係わる第２の実施
例の高周波結合器の構成図を示す。本高周波結合器２０
０は、高周波結合器１００の構成とほぼ同じであるが、
高周波結合器２００では、結合用パターン１１０、１１
１が、主線路１０２とそれぞれコンデンサ２１０、２１
１を介して接続されている。その他の構成は同じなの
で、高周波結合器１００で使用したのと同じ参照番号
が、相当する要素に使用されている。コンデンサ２１
０、２１１としては、例えば、チップコンデンサが使用
可能である。
器１００の特性をさらに向上する結合器を以下に第２の
実施例として示す。図３は、本発明に係わる第２の実施
例の高周波結合器の構成図を示す。本高周波結合器２０
０は、高周波結合器１００の構成とほぼ同じであるが、
高周波結合器２００では、結合用パターン１１０、１１
１が、主線路１０２とそれぞれコンデンサ２１０、２１
１を介して接続されている。その他の構成は同じなの
で、高周波結合器１００で使用したのと同じ参照番号
が、相当する要素に使用されている。コンデンサ２１
０、２１１としては、例えば、チップコンデンサが使用
可能である。
【００４３】本高周波結合器２００では、主線路１０２
を伝搬する高周波信号は、コンデンサ２１０、２１１を
介して結合用パターン１１０、１１１と結合され、それ
ぞれ導体パターン１２０、１２１へ供給される。後の動
作、及び方向性を生じる動作は、高周波結合器１００の
動作と同じである。従って、本周波数結合器２００にお
いても、高周波結合器１００が有する利点と同様の利点
を有する。
を伝搬する高周波信号は、コンデンサ２１０、２１１を
介して結合用パターン１１０、１１１と結合され、それ
ぞれ導体パターン１２０、１２１へ供給される。後の動
作、及び方向性を生じる動作は、高周波結合器１００の
動作と同じである。従って、本周波数結合器２００にお
いても、高周波結合器１００が有する利点と同様の利点
を有する。
【００４４】本高周波結合器２００では、高周波信号を
結合するための手段としてコンデンサを使用しているた
め、その値を自由に設定することが可能である。高周波
結合器１００では、ガラスエポキシの誘電体基板１６０
に対して、約０．０５ｐＦ以上の結合容量を得ることが
難しかったが、高周波結合器２００では、それ以上の結
合容量を容易に設定できる。
結合するための手段としてコンデンサを使用しているた
め、その値を自由に設定することが可能である。高周波
結合器１００では、ガラスエポキシの誘電体基板１６０
に対して、約０．０５ｐＦ以上の結合容量を得ることが
難しかったが、高周波結合器２００では、それ以上の結
合容量を容易に設定できる。
【００４５】図４は、０．５ｐＦのコンデンサを結合手
段として用いた第２の実施例に係わる高周波結合器の電
気的特性のシミュレーション結果を示す。ただし、結合
用パターン間のピッチＬ0 、即ちコンデンサ２１０、２
１１の間の距離は、λｇ／４である。周波数８００ＭＨ
ｚにおける順方向結合度は、約−１８ｄＢであり、移動
通信用装置に適用可能な値である。この場合、基板の内
部に内層された導体パターン１２０、１２１の長さを適
切に設定することによって、約４０ｄＢの方向性を得る
ことができる。
段として用いた第２の実施例に係わる高周波結合器の電
気的特性のシミュレーション結果を示す。ただし、結合
用パターン間のピッチＬ0 、即ちコンデンサ２１０、２
１１の間の距離は、λｇ／４である。周波数８００ＭＨ
ｚにおける順方向結合度は、約−１８ｄＢであり、移動
通信用装置に適用可能な値である。この場合、基板の内
部に内層された導体パターン１２０、１２１の長さを適
切に設定することによって、約４０ｄＢの方向性を得る
ことができる。
【００４６】このように、高周波信号を結合する手段と
して、コンデンサを使用することによって、ガラスエポ
キシの基板を使用して、移動通信で使用する周波数の信
号に適した良好な特性を得ることが可能である。本高周
波結合器２００をさらに小型化するためには、高周波結
合器１００の説明で述べたように、より短い結合用パタ
ーン間のピッチを適用することが効果的である。
して、コンデンサを使用することによって、ガラスエポ
キシの基板を使用して、移動通信で使用する周波数の信
号に適した良好な特性を得ることが可能である。本高周
波結合器２００をさらに小型化するためには、高周波結
合器１００の説明で述べたように、より短い結合用パタ
ーン間のピッチを適用することが効果的である。
【００４７】図５は、２０ｍｍの結合用パターン間のピ
ッチに対する第２の実施例に係わる高周波結合器の電気
的特性のシミュレーション結果を示す。ただし、コンデ
ンサ２１０、２１１は、０．５ｐＦである。２０ｍｍの
結合用パターン間のピッチは、λｇ／４（８００ＭＨｚ
で約５０ｍｍ）に比べて半分以下である。周波数８００
ＭＨｚにおける順方向結合度は、約−２３ｄＢであり、
図４の回路に比べて５ｄＢ劣化しているが、移動通信用
装置には適用可能である。しかし、方向性を確保するた
めには、導体パターン１２０を拡張する必要がある。シ
ミュレーションの結果、２０ｄＢの方向性を得るため
に、ガラスエポキシ基板では約７０ｍｍの長さの導体パ
ターンが必要である。ガラスエポキシよりも誘電率の小
さい基板では、それ以上の長さ、例えば１００ｍｍの導
体パターンが必要となる。
ッチに対する第２の実施例に係わる高周波結合器の電気
的特性のシミュレーション結果を示す。ただし、コンデ
ンサ２１０、２１１は、０．５ｐＦである。２０ｍｍの
結合用パターン間のピッチは、λｇ／４（８００ＭＨｚ
で約５０ｍｍ）に比べて半分以下である。周波数８００
ＭＨｚにおける順方向結合度は、約−２３ｄＢであり、
図４の回路に比べて５ｄＢ劣化しているが、移動通信用
装置には適用可能である。しかし、方向性を確保するた
めには、導体パターン１２０を拡張する必要がある。シ
ミュレーションの結果、２０ｄＢの方向性を得るため
に、ガラスエポキシ基板では約７０ｍｍの長さの導体パ
ターンが必要である。ガラスエポキシよりも誘電率の小
さい基板では、それ以上の長さ、例えば１００ｍｍの導
体パターンが必要となる。
【００４８】そこで、このような長い導体パターンを小
さいスペースに実装可能とした高周波結合回路を第３の
実施例として示す。図６は、本発明に係わる第３の実施
例の高周波結合器の模式的な構成図を示す。本高周波結
合器３００は、高周波結合器２００の構成とほぼ同じで
あるが、高周波結合器３００では、導体パターン１２０
の代わりにスパイラルコイルで構成された導体パターン
３１０が適用されている。即ち、スパイラルコイル３１
０及び導体パターン１２１が、基板１６０の内部に内層
されている。スパイラルコイル３１０は、導体パターン
１２１に比べて大きいスペースを必要とするが、スパイ
ラルコイル３１０は基板の内部に内層されているため
に、基板の表面に大きなスペースを必要としない。従っ
て、高周波結合器全体の大幅な縮小化が図れる。その他
の構成に関しては、高周波結合器２００で使用したのと
同じ参照番号が、相当する要素に使用されている。
さいスペースに実装可能とした高周波結合回路を第３の
実施例として示す。図６は、本発明に係わる第３の実施
例の高周波結合器の模式的な構成図を示す。本高周波結
合器３００は、高周波結合器２００の構成とほぼ同じで
あるが、高周波結合器３００では、導体パターン１２０
の代わりにスパイラルコイルで構成された導体パターン
３１０が適用されている。即ち、スパイラルコイル３１
０及び導体パターン１２１が、基板１６０の内部に内層
されている。スパイラルコイル３１０は、導体パターン
１２１に比べて大きいスペースを必要とするが、スパイ
ラルコイル３１０は基板の内部に内層されているため
に、基板の表面に大きなスペースを必要としない。従っ
て、高周波結合器全体の大幅な縮小化が図れる。その他
の構成に関しては、高周波結合器２００で使用したのと
同じ参照番号が、相当する要素に使用されている。
【００４９】図７は、導体パターンとしてスパイラルコ
イルを使用する第３の実施例に係わる高周波結合器の電
気的特性のシミュレーション結果を示す。ただし、結合
用パターン間のピッチは、２０ｍｍである。この場合、
コンデンサ２１０、２１１のキャパシタンス値を０，４
ｐＦに設定することによって、図５の回路と同等の結合
度（約２３ｄＢ）が得られる。また、シミュレーション
によって、１００ｍｍの導体パターンは、１０ｍｍ×１
０ｍｍのスパイラルコイルで構成できることが示され、
結合器の小型化にスパイラルコイルの適用が有効である
ことが裏付けられる。
イルを使用する第３の実施例に係わる高周波結合器の電
気的特性のシミュレーション結果を示す。ただし、結合
用パターン間のピッチは、２０ｍｍである。この場合、
コンデンサ２１０、２１１のキャパシタンス値を０，４
ｐＦに設定することによって、図５の回路と同等の結合
度（約２３ｄＢ）が得られる。また、シミュレーション
によって、１００ｍｍの導体パターンは、１０ｍｍ×１
０ｍｍのスパイラルコイルで構成できることが示され、
結合器の小型化にスパイラルコイルの適用が有効である
ことが裏付けられる。
【００５０】ところで、図７において、周波数８００Ｍ
Ｈｚにおける方向性は約５ｄＢに劣化している。これ
は、以下の理由による。スパイラルコイルの損失が導体
パターン１２０で使用する一般の線路の損失に比べて大
きいため、結合信号出力線路１３０における２つの経路
を介した出力線路１０３からの２つの信号の振幅が異な
る。この２つの信号は、結合信号出力線路１３０におい
て逆位相の関係にあるが、振幅の差によって互いにキャ
ンセルできない。従って、逆方向結合度が高くなり、方
向性が劣化している。
Ｈｚにおける方向性は約５ｄＢに劣化している。これ
は、以下の理由による。スパイラルコイルの損失が導体
パターン１２０で使用する一般の線路の損失に比べて大
きいため、結合信号出力線路１３０における２つの経路
を介した出力線路１０３からの２つの信号の振幅が異な
る。この２つの信号は、結合信号出力線路１３０におい
て逆位相の関係にあるが、振幅の差によって互いにキャ
ンセルできない。従って、逆方向結合度が高くなり、方
向性が劣化している。
【００５１】この方向性の劣化を改善するために、図６
におる高周波結合器３００において、キャパシタンス値
の異なる２つのコンデンサ２１０、２１１を使用するこ
とができる。特に、スパイラルコイルを含むことによる
損失の大きい経路に対しては、より大きいキャパシタン
ス値のコンデンサを接続することが必要である。図８
は、キャパシタンス値の異なる２つのコンデンサを適用
した第３の実施例に係わる高周波結合器の電気的特性の
シミュレーション結果を示す。０．８ｐＦ、０．３ｐＦ
のキャパシタンスが、それぞれコンデンサ２１０、２１
１として使用されている。図８に示されるように、図６
の結合器とほぼ同じ結合度（約２５ｄＢ）が得られてい
るが、周波数８００ＭＨｚにおける方向性は、約１５ｄ
Ｂであり、図６の結合器に比べて約１０ｄＢ改善されて
いる。しかし、挿入損失は、図６の結合器に比べて、約
０．１ｄＢ増加している。以上の結果により、キャパシ
タンス値の異なる２つのコンデンサの適用が、方向性の
改善に有効であることが示される。
におる高周波結合器３００において、キャパシタンス値
の異なる２つのコンデンサ２１０、２１１を使用するこ
とができる。特に、スパイラルコイルを含むことによる
損失の大きい経路に対しては、より大きいキャパシタン
ス値のコンデンサを接続することが必要である。図８
は、キャパシタンス値の異なる２つのコンデンサを適用
した第３の実施例に係わる高周波結合器の電気的特性の
シミュレーション結果を示す。０．８ｐＦ、０．３ｐＦ
のキャパシタンスが、それぞれコンデンサ２１０、２１
１として使用されている。図８に示されるように、図６
の結合器とほぼ同じ結合度（約２５ｄＢ）が得られてい
るが、周波数８００ＭＨｚにおける方向性は、約１５ｄ
Ｂであり、図６の結合器に比べて約１０ｄＢ改善されて
いる。しかし、挿入損失は、図６の結合器に比べて、約
０．１ｄＢ増加している。以上の結果により、キャパシ
タンス値の異なる２つのコンデンサの適用が、方向性の
改善に有効であることが示される。
【００５２】以上の３つのタイプの高周波結合器、即
ち、図５を参照したタイプ１、図６及び図７を参照した
タイプ２、及び図８を参照したタイプ３についてのまと
めを以下に説明する。図９は、３つのタイプの高周波結
合器の特徴を示した表である。ただし、コンデンサ２１
０、２１１の間の距離は、２０ｍｍ、周波数は８００Ｍ
Ｈｚである。それぞれの特徴を考慮すると、以下に示す
ような用途に合わせた使い分けが必要になる。
ち、図５を参照したタイプ１、図６及び図７を参照した
タイプ２、及び図８を参照したタイプ３についてのまと
めを以下に説明する。図９は、３つのタイプの高周波結
合器の特徴を示した表である。ただし、コンデンサ２１
０、２１１の間の距離は、２０ｍｍ、周波数は８００Ｍ
Ｈｚである。それぞれの特徴を考慮すると、以下に示す
ような用途に合わせた使い分けが必要になる。
【００５３】（１）タイプ１：良好な電気的特性、広い
スペースが必要となる。 （２）タイプ２：良好な挿入損失特性、狭いスペースが
必要な場合に適する。 （３）タイプ３：良好な方向性特性、狭いスペースが必
要な場合に適する。 ところで、図３から図８までに示したコンデンサによる
結合手段を用いる高周波結合器では、１００ＭＨｚから
２．１ＧＨｚの周波数範囲において、平均２０ｄＢの特
性の偏位が生じており、周波数特性が良いとは言えな
い。しかし、この周波数特性の劣化は、結合手段として
コンデンサの代わりに抵抗を使用することによって、改
善できる。
スペースが必要となる。 （２）タイプ２：良好な挿入損失特性、狭いスペースが
必要な場合に適する。 （３）タイプ３：良好な方向性特性、狭いスペースが必
要な場合に適する。 ところで、図３から図８までに示したコンデンサによる
結合手段を用いる高周波結合器では、１００ＭＨｚから
２．１ＧＨｚの周波数範囲において、平均２０ｄＢの特
性の偏位が生じており、周波数特性が良いとは言えな
い。しかし、この周波数特性の劣化は、結合手段として
コンデンサの代わりに抵抗を使用することによって、改
善できる。
【００５４】図１０は、結合手段として抵抗を使用する
第４の実施例に係わる高周波結合器の構成図を示す。本
高周波結合器４００では、図３に示す高周波結合器２０
０において主線路１０２を結合用パターン１１０、１１
１に結合するための手段として、抵抗４１０、４１１を
適用している。この抵抗は、図３の高周波結合器２００
で使用できるチップコンデンサとほぼ同じ大きさのチッ
プ抵抗を使用できる。従って、高周波結合器４００で
は、抵抗４１０、４１１を除いて、高周波結合器３００
と同じ構成を有する。図１０では、高周波結合器３００
で使用したのと同じ参照番号が、相当する要素に使用さ
れている。
第４の実施例に係わる高周波結合器の構成図を示す。本
高周波結合器４００では、図３に示す高周波結合器２０
０において主線路１０２を結合用パターン１１０、１１
１に結合するための手段として、抵抗４１０、４１１を
適用している。この抵抗は、図３の高周波結合器２００
で使用できるチップコンデンサとほぼ同じ大きさのチッ
プ抵抗を使用できる。従って、高周波結合器４００で
は、抵抗４１０、４１１を除いて、高周波結合器３００
と同じ構成を有する。図１０では、高周波結合器３００
で使用したのと同じ参照番号が、相当する要素に使用さ
れている。
【００５５】図１１は、第４の実施例に係わる高周波結
合器の電気的特性のシミュレーション結果を示す。抵抗
４１０、４１１の値は、共に５００Ωであり、抵抗４１
０、４１１の間の距離は、λｇ／４である。図１１に示
されるように、周波数８００ＭＨｚでの挿入損失は、
０．８３ｄＢであり図３の高周波結合器４００に比べて
劣化しているが、結合度に関しては、１００ＭＨｚから
２．１ＧＨｚの周波数範囲で、約２１ｄＢで平坦な特性
が得られている。
合器の電気的特性のシミュレーション結果を示す。抵抗
４１０、４１１の値は、共に５００Ωであり、抵抗４１
０、４１１の間の距離は、λｇ／４である。図１１に示
されるように、周波数８００ＭＨｚでの挿入損失は、
０．８３ｄＢであり図３の高周波結合器４００に比べて
劣化しているが、結合度に関しては、１００ＭＨｚから
２．１ＧＨｚの周波数範囲で、約２１ｄＢで平坦な特性
が得られている。
【００５６】以上示したように、結合手段として抵抗を
用いる高周波結合器では、結合度の良好な周波数特性を
得ることが可能である。また、本高周波結合器４００に
おいて、導体パターンとしてスパイラルコイルを使用す
ることによって、図６に示す高周波結合器３００と同様
に小型化が可能である。
用いる高周波結合器では、結合度の良好な周波数特性を
得ることが可能である。また、本高周波結合器４００に
おいて、導体パターンとしてスパイラルコイルを使用す
ることによって、図６に示す高周波結合器３００と同様
に小型化が可能である。
【００５７】さらに、本高周波結合器４００において、
異なる値の抵抗を抵抗４１０、４１１として使用するこ
とによって、図９に示す場合と同様に、方向性を改善す
ることが可能である。
異なる値の抵抗を抵抗４１０、４１１として使用するこ
とによって、図９に示す場合と同様に、方向性を改善す
ることが可能である。
【００５８】
【発明の効果】上述したように、本発明によれば以下に
示す効果を有する。請求項１記載の高周波結合器におい
ては、方向性を必要としない場合、大きさがλｇ／４に
依存しないので、小型化が可能である。特に、導体部分
は、基板の内部に設けられているため、一層の小型化が
期待できる。さらに、導体部分の内装は、外部の電磁波
の影響を受けにくくしている。一方、結合用部分は、基
板の表面に配置されているため、トリミング等によって
外部からの結合度の調整が可能である。
示す効果を有する。請求項１記載の高周波結合器におい
ては、方向性を必要としない場合、大きさがλｇ／４に
依存しないので、小型化が可能である。特に、導体部分
は、基板の内部に設けられているため、一層の小型化が
期待できる。さらに、導体部分の内装は、外部の電磁波
の影響を受けにくくしている。一方、結合用部分は、基
板の表面に配置されているため、トリミング等によって
外部からの結合度の調整が可能である。
【００５９】請求項２記載の高周波結合器においては、
方向性を得ることができる。特に、第１の距離をマイク
ロ波の４分の１波長よりも短く設定した場合、方向性は
多少劣化するが、大幅な小型化が可能となる。さらに、
２個の結合用パターンが主線路に点状に結合されている
ため、さらに外部からの影響を受けにくく、かつ外部か
らの調整面積が少なくなり調整を容易にしている。
方向性を得ることができる。特に、第１の距離をマイク
ロ波の４分の１波長よりも短く設定した場合、方向性は
多少劣化するが、大幅な小型化が可能となる。さらに、
２個の結合用パターンが主線路に点状に結合されている
ため、さらに外部からの影響を受けにくく、かつ外部か
らの調整面積が少なくなり調整を容易にしている。
【００６０】請求項３記載の高周波結合器においては、
２個の結合用パターンがそれぞれ終端抵抗を介して接地
されているので、結合動作が安定化される。請求項４又
は５記載の高周波結合器においては、理想的な方向性が
得られる。請求項６記載の高周波結合器においては、結
合用部分がトリミングによって容易に調整することがで
きる。
２個の結合用パターンがそれぞれ終端抵抗を介して接地
されているので、結合動作が安定化される。請求項４又
は５記載の高周波結合器においては、理想的な方向性が
得られる。請求項６記載の高周波結合器においては、結
合用部分がトリミングによって容易に調整することがで
きる。
【００６１】請求項７又は１２記載の高周波結合器にお
いては、コンデンサによる結合によって、結合容量を自
由に設定でき、幅広い結合度を選択できる。特に、結合
用部分の主線路に対する近接接地が難しく大きな結合容
量が得られない場合でも、大きなキャパシタンスのコン
デンサを使用することによって大きな結合度を得ること
が可能である。
いては、コンデンサによる結合によって、結合容量を自
由に設定でき、幅広い結合度を選択できる。特に、結合
用部分の主線路に対する近接接地が難しく大きな結合容
量が得られない場合でも、大きなキャパシタンスのコン
デンサを使用することによって大きな結合度を得ること
が可能である。
【００６２】請求項９又は１３記載の高周波結合器にお
いては、抵抗による結合によって、広い周波数範囲に亘
って所望の結合量を得ることができる。請求項１１記載
の高周波結合器においては、導体部分の一部が、スパイ
ラルコイル状に構成されているため、導体部分に必要な
スペースが縮小化される。従って、結合器の小型化が図
れる。
いては、抵抗による結合によって、広い周波数範囲に亘
って所望の結合量を得ることができる。請求項１１記載
の高周波結合器においては、導体部分の一部が、スパイ
ラルコイル状に構成されているため、導体部分に必要な
スペースが縮小化される。従って、結合器の小型化が図
れる。
【００６３】請求項８又は１０記載の高周波結合器にお
いては、２つの導体パターンの損失が異なる場合でも、
出力端子へ伝搬される２つの信号の振幅は、２つのコン
デンサ或いは２つの抵抗によって、均等化される。従っ
て、良好な方向性が得られる。
いては、２つの導体パターンの損失が異なる場合でも、
出力端子へ伝搬される２つの信号の振幅は、２つのコン
デンサ或いは２つの抵抗によって、均等化される。従っ
て、良好な方向性が得られる。
【図１】本発明に係わる高周波結合器の第１の実施例の
構成図である。（Ａ）は、第１の実施例の平面図であ
り、（Ｂ）は、その断面の透視図である。
構成図である。（Ａ）は、第１の実施例の平面図であ
り、（Ｂ）は、その断面の透視図である。
【図２】ギャップＤ1 、Ｄ2 を０．１ｍｍとした場合の
第１の実施例に係わる高周波結合器の電気的特性のシミ
ュレーション結果を示す図である。
第１の実施例に係わる高周波結合器の電気的特性のシミ
ュレーション結果を示す図である。
【図３】本発明に係わる高周波結合器の第２の実施例の
構成図である。
構成図である。
【図４】０．５ｐＦのコンデンサを結合手段として用い
た第２の実施例に係わる高周波結合器の電気的特性のシ
ミュレーション結果を示す図である。
た第２の実施例に係わる高周波結合器の電気的特性のシ
ミュレーション結果を示す図である。
【図５】２０ｍｍの結合用パターン間のピッチに対する
第２の実施例に係わる高周波結合器の電気的特性のシミ
ュレーション結果を示す図である。
第２の実施例に係わる高周波結合器の電気的特性のシミ
ュレーション結果を示す図である。
【図６】本発明に係わる高周波結合器の第３の実施例の
模式的な構成図である。
模式的な構成図である。
【図７】導体パターンとしてスパイラルコイルを使用す
る第３の実施例に係わる高周波結合器の電気的特性のシ
ミュレーション結果を示す図である。
る第３の実施例に係わる高周波結合器の電気的特性のシ
ミュレーション結果を示す図である。
【図８】キャパシタンス値の異なる２つのコンデンサを
適用した第３の実施例に係わる高周波結合器の電気的特
性のシミュレーション結果を示す図である。
適用した第３の実施例に係わる高周波結合器の電気的特
性のシミュレーション結果を示す図である。
【図９】３つのタイプの高周波結合器の特徴を示す表で
ある。
ある。
【図１０】結合手段として抵抗を使用する本発明に係わ
る高周波結合器の第４の実施例の構成図である。
る高周波結合器の第４の実施例の構成図である。
【図１１】第４の実施例に係わる高周波結合器の電気的
特性のシミュレーション結果を示す図である。
特性のシミュレーション結果を示す図である。
【図１２】マイクロストリップライン技術で構成される
従来の方向性結合器の構成図である。
従来の方向性結合器の構成図である。
【図１３】マイクロストリップライン技術で構成される
従来の方向性結合器の構成図である。
従来の方向性結合器の構成図である。
【図１４】積層形チップ結合器の外観図である。
【図１５】改善された高周波結合器の第１の従来例を示
すパターン構成図である。
すパターン構成図である。
【図１６】改善された高周波結合器の第２の従来例を示
すパターン構成図である。
すパターン構成図である。
【図１７】改善された高周波結合器の第３の従来例を示
すパターン構成図である。
すパターン構成図である。
【図１８】改善された高周波結合器の第４の従来例を示
すパターン構成図である。
すパターン構成図である。
１、４ 入力線路 ２ 主線路 ３、６ 出力線路 ５ 副線路 ７、８ 並列線路 ９ 結合部 １０、１１ 抵抗 １２ グランド １３、１４ 結合用パターン １５、１６ 副線路 １７、１８ 抵抗 １９、２０ グランド ３０ 誘電体基板 ４０ 誘電体基板 ４１、４２ 外部基板 １００ 高周波結合器 １０１ 入力線路 １０２ 主線路 １０３ 出力線路 １１０、１１１ 結合用パターン １１５、１１６ スルーホール １２０、１２１ 導体パターン １３０ 結合信号出力線路 １３１ スルーホール １４０、１４１ 終端抵抗 １５０、１５１ グランド １５５、１５６ スルーホール １６０ 誘電体基板 １７０ グランド面 ２００ 高周波結合器 ２１０、２１１ コンデンサ ３００ 高周波結合器 ３１０ スパイラルコイル ４００ 高周波結合器 ４１０、４１１ 抵抗
Claims (13)
- 【請求項１】 基板上に配置されたマイクロストリップ
ラインよりなる主線路と、 前記主線路に近接して前記基板上に配置された結合用部
分と、 前記基板の内部に設けられ前記結合用部分とスルーホー
ルを介して接続される導体部分とを有することを特徴と
する高周波結合器。 - 【請求項２】 前記結合用部分は、前記主線路に沿っ
て、第１の距離を隔てた２個の結合用パターンで構成さ
れ、また、前記導体部分は、線路長の異なる２個の導体
パターンで構成され、該２個の導体パターンは前記２個
の結合用パターンと出力端子との間にそれぞれ配置さ
れ、それらとスルーホールを介して接続されることを特
徴とする請求項１記載の高周波結合器。 - 【請求項３】 前記２個の結合用パターンをそれぞれグ
ランドへ接続するための終端抵抗をさらに有することを
特徴とする請求項２記載の高周波結合器。 - 【請求項４】 前記第１の距離はマイクロ波の約４分の
１波長に対応した距離であることを特徴とする請求項２
又は３記載の高周波結合器。 - 【請求項５】 前記２個の導体パターンの線路長の差
は、マイクロ波の約４分の１波長に対応した距離である
ことを特徴とする請求項２又は３記載の高周波結合器。 - 【請求項６】 前記結合用部分は、外部からトリミング
可能な材料で形成されていることを特徴とする請求項１
乃至５のうちいずれか１項記載の高周波結合器。 - 【請求項７】 前記主線路と前記結合用部分との間を接
続するコンデンサををさらに有することを特徴とする請
求項１乃至３のうちいずれか１項記載の高周波結合器。 - 【請求項８】 前記主線路と前記２個の結合用パターン
の各々との間を接続し、互いに異なるキャパシタンスの
値を有する２つのコンデンサをさらに有することを特徴
とする請求項２又は３記載の高周波結合器。 - 【請求項９】 前記主線路と前記結合部分との間を接続
する抵抗をさらに有することを特徴とする請求項１乃至
３のうちいずれか１項記載の高周波結合器。 - 【請求項１０】 前記主線路と前記２個の結合用パター
ンの各々との間を接続し、互いに異なる抵抗値を有する
２つの抵抗をさらに有することを特徴とする請求項２又
は３記載の高周波結合器。 - 【請求項１１】 前記導体部分の一部はスパイラルコイ
ルで構成されていることを特徴とする請求項１乃至１０
のうちいずれか１項記載の高周波結合器。 - 【請求項１２】 基板上に配置されたマイクロストリッ
プラインよりなる主線路と、 前記主線路に近接して前記基板上に配置され前記主線路
とコンデンサを介して接続された結合用部分とを有する
ことを特徴とする高周波結合器。 - 【請求項１３】 基板上に配置されたマイクロストリッ
プラインよりなる主線路と、 前記主線路に近接して前記基板上に配置され前記主線路
と抵抗を介して接続された結合用部分とを有することを
特徴とする高周波結合器。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6303925A JPH08162812A (ja) | 1994-12-07 | 1994-12-07 | 高周波結合器 |
| GB9517391A GB2295928B (en) | 1994-12-07 | 1995-08-24 | High-frequency coupler |
| US08/747,935 US5666090A (en) | 1994-12-07 | 1996-11-12 | High-frequency coupler |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
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