JPH0820756A - 半導体ウエハ表面保護用粘着テープ - Google Patents
半導体ウエハ表面保護用粘着テープInfo
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- JPH0820756A JPH0820756A JP15388694A JP15388694A JPH0820756A JP H0820756 A JPH0820756 A JP H0820756A JP 15388694 A JP15388694 A JP 15388694A JP 15388694 A JP15388694 A JP 15388694A JP H0820756 A JPH0820756 A JP H0820756A
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Abstract
(57)【要約】
【構成】 放射線透過性基材上に、粘着剤層を設けてな
る半導体ウエハ表面保護用粘着テープにおいて、前記粘
着剤層として塗布する粘着剤が、分子中にヨウ素価０．
５〜２０の光重合性炭素−炭素二重結合を有し、ガラス
転移点が−７０〜−３５℃である分子量１万〜２２万の
化合物（Ａ）１００重量部と、エポキシ樹脂、ポリイソ
シアネート類、メラミン・ホルムアルデヒド樹脂から選
ばれる少なくとも１種（Ｂ）０．１〜１０重量部とを主
成分として含有してなる。前記粘着剤層の粘着剤が光重
合性の炭素−炭素二重結合を繰り返し単位当たり少なく
とも１個有する分子量１万未満のシアヌレート化合物ま
たはイソシアヌレート化合物（Ｃ）を含有していてもよ
い。 【効果】 ウエハ表面に貼着させた際にパターン面の凹
凸によくなじむので裏面研削時の冷却水やエッチング液
の浸入を防ぐ。かつ放射線照射しても粘着剤の流動性が
適度にあるため、パターン面の凹凸に入り込んだ糊がち
ぎれて残ることなくウエハ表面から剥離することができ
る。
る半導体ウエハ表面保護用粘着テープにおいて、前記粘
着剤層として塗布する粘着剤が、分子中にヨウ素価０．
５〜２０の光重合性炭素−炭素二重結合を有し、ガラス
転移点が−７０〜−３５℃である分子量１万〜２２万の
化合物（Ａ）１００重量部と、エポキシ樹脂、ポリイソ
シアネート類、メラミン・ホルムアルデヒド樹脂から選
ばれる少なくとも１種（Ｂ）０．１〜１０重量部とを主
成分として含有してなる。前記粘着剤層の粘着剤が光重
合性の炭素−炭素二重結合を繰り返し単位当たり少なく
とも１個有する分子量１万未満のシアヌレート化合物ま
たはイソシアヌレート化合物（Ｃ）を含有していてもよ
い。 【効果】 ウエハ表面に貼着させた際にパターン面の凹
凸によくなじむので裏面研削時の冷却水やエッチング液
の浸入を防ぐ。かつ放射線照射しても粘着剤の流動性が
適度にあるため、パターン面の凹凸に入り込んだ糊がち
ぎれて残ることなくウエハ表面から剥離することができ
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、各種半導体装置を製造
する工程において使用する粘着テープに関し、ウエハ裏
面研削時のウエハ表面のパターン保護等に使用される半
導体ウエハ表面保護用粘着テープに関する。
する工程において使用する粘着テープに関し、ウエハ裏
面研削時のウエハ表面のパターン保護等に使用される半
導体ウエハ表面保護用粘着テープに関する。
【０００２】
【従来の技術】ＩＣ、ＬＳＩ等の半導体装置の製造工程
においては、パターン形成後のウエハは、通常、その厚
さを薄くするため、ウエハ裏面に研削、エッチング等の
処理が施される。この際、ウエハ表面のパターンを保護
する目的で該パターン面に粘着テープを貼着する。
においては、パターン形成後のウエハは、通常、その厚
さを薄くするため、ウエハ裏面に研削、エッチング等の
処理が施される。この際、ウエハ表面のパターンを保護
する目的で該パターン面に粘着テープを貼着する。
【０００３】このような目的を達成する方法として、放
射線、例えば紫外線のような光または電子線のような電
離性放射線を透過する基材フィルム上に放射線照射によ
り硬化する性質を有する粘着剤を塗工した放射線硬化性
粘着テープを用いる方法が提案されている。パターン形
成後のウエハ表面に放射線硬化性粘着テープを貼着し、
この状態でウエハ裏面に研削、エッチング等の処理を施
す。次いで、粘着テープに対して放射線を照射すること
によって、基材上の粘着剤層を硬化させて粘着性を失わ
せ、粘着テープより処理後のウエハを剥離する。
射線、例えば紫外線のような光または電子線のような電
離性放射線を透過する基材フィルム上に放射線照射によ
り硬化する性質を有する粘着剤を塗工した放射線硬化性
粘着テープを用いる方法が提案されている。パターン形
成後のウエハ表面に放射線硬化性粘着テープを貼着し、
この状態でウエハ裏面に研削、エッチング等の処理を施
す。次いで、粘着テープに対して放射線を照射すること
によって、基材上の粘着剤層を硬化させて粘着性を失わ
せ、粘着テープより処理後のウエハを剥離する。
【０００４】このように、放射線硬化性粘着テープにお
いて、その接着剤層は放射線照射し硬化させた後では表
面の粘着性がほとんど失われるように設計されている一
方、放射線照射前ではウエハ表面に対する粘着性が非常
に高くなるように設計されている。
いて、その接着剤層は放射線照射し硬化させた後では表
面の粘着性がほとんど失われるように設計されている一
方、放射線照射前ではウエハ表面に対する粘着性が非常
に高くなるように設計されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながらこのよう
な放射線硬化性粘着テープは、ウエハ表面からテープを
容易に剥離させるために、放射線照射による架橋硬化反
応により粘着剤の流動性を著しく低下させ粘着力を下げ
ることから、ウエハ裏面研削、エッチング処理時に有し
ていた粘着剤の可撓性が剥離時にはほとんどなくなって
しまう。このため、テープ剥離時の屈曲によりパターン
面の微細な凹凸部に浸入した糊がちぎれて残ってしまう
糊残りが生じるという問題があった。
な放射線硬化性粘着テープは、ウエハ表面からテープを
容易に剥離させるために、放射線照射による架橋硬化反
応により粘着剤の流動性を著しく低下させ粘着力を下げ
ることから、ウエハ裏面研削、エッチング処理時に有し
ていた粘着剤の可撓性が剥離時にはほとんどなくなって
しまう。このため、テープ剥離時の屈曲によりパターン
面の微細な凹凸部に浸入した糊がちぎれて残ってしまう
糊残りが生じるという問題があった。
【０００６】本発明は、上記の問題点を解決した半導体
ウエハ表面保護用粘着テープを提供することを目的とす
る。すなわち、放射線照射しても粘着剤が適度な可撓性
を有しているため、テープ剥離時に半導体ウエハのパタ
ーン面の微細な凹凸部に糊残りを生じることのない半導
体ウエハ表面保護用粘着テープを提供することを目的と
する。
ウエハ表面保護用粘着テープを提供することを目的とす
る。すなわち、放射線照射しても粘着剤が適度な可撓性
を有しているため、テープ剥離時に半導体ウエハのパタ
ーン面の微細な凹凸部に糊残りを生じることのない半導
体ウエハ表面保護用粘着テープを提供することを目的と
する。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明においては、放射
線透過性基材上に、粘着剤層を設けてなる半導体ウエハ
表面保護用粘着テープにおいて、前記粘着剤層として塗
布する粘着剤が、分子中にヨウ素価０．５〜２０の光重
合性炭素−炭素二重結合を有し、ガラス転移点が−７０
〜−３５℃である分子量１万〜２２万の化合物（Ａ）１
００重量部と、エポキシ樹脂、ポリイソシアネート類、
メラミン・ホルムアルデヒド樹脂から選ばれる少なくと
も１種（Ｂ）０．１〜１０重量部とを主成分として含有
してなることを特徴とする半導体ウエハ表面保護用粘着
テープが提供される。
線透過性基材上に、粘着剤層を設けてなる半導体ウエハ
表面保護用粘着テープにおいて、前記粘着剤層として塗
布する粘着剤が、分子中にヨウ素価０．５〜２０の光重
合性炭素−炭素二重結合を有し、ガラス転移点が−７０
〜−３５℃である分子量１万〜２２万の化合物（Ａ）１
００重量部と、エポキシ樹脂、ポリイソシアネート類、
メラミン・ホルムアルデヒド樹脂から選ばれる少なくと
も１種（Ｂ）０．１〜１０重量部とを主成分として含有
してなることを特徴とする半導体ウエハ表面保護用粘着
テープが提供される。
【０００８】なお、ここで放射線とは、紫外線のような
光線、または電子線などの電離性放射線を言う。
光線、または電子線などの電離性放射線を言う。
【０００９】本発明における、分子中にヨウ素価０．５
〜２０の光重合性炭素−炭素二重結合を有する分子量１
万〜２２万の化合物（Ａ）はどのような製造方法のもの
でもよいが、例えば、アクリル系共重合体またはメタク
リル系共重合体などの光重合性炭素−炭素二重結合を有
し、かつ官能基をもつ化合物（）と、その官能基と反
応し得る官能基及び炭素−炭素二重結合をもつ化合物
（）とを反応させて得られるものが用いられる。
〜２０の光重合性炭素−炭素二重結合を有する分子量１
万〜２２万の化合物（Ａ）はどのような製造方法のもの
でもよいが、例えば、アクリル系共重合体またはメタク
リル系共重合体などの光重合性炭素−炭素二重結合を有
し、かつ官能基をもつ化合物（）と、その官能基と反
応し得る官能基及び炭素−炭素二重結合をもつ化合物
（）とを反応させて得られるものが用いられる。
【００１０】このうち、前記の光重合性炭素−炭素二重
結合及び官能基を有する化合物（）は、アクリル酸ア
ルキルエステルまたはメタクリル酸アルキルエステル等
の光重合性炭素−炭素二重結合を有する単量体（−
１）と、官能基を有する単量体（−２）とを反応させ
て得ることができる。
結合及び官能基を有する化合物（）は、アクリル酸ア
ルキルエステルまたはメタクリル酸アルキルエステル等
の光重合性炭素−炭素二重結合を有する単量体（−
１）と、官能基を有する単量体（−２）とを反応させ
て得ることができる。
【００１１】単量体（−１）としては炭素数６〜１２
のヘキシルアクリレート、ｎ−オクチルアクリレート、
イソオクチルアクリレート、２−エチルヘキシルアクリ
レート、ドデシルアクリレート、デシルアクリレート、
または炭素数５以下の単量体である、ペンチルアクリレ
ート、ｎ−ブチルアクリレート、エチルアクリレート、
メチルアクリレート、またはこれらと同様のメタクリレ
ートなどを列挙することができる。
のヘキシルアクリレート、ｎ−オクチルアクリレート、
イソオクチルアクリレート、２−エチルヘキシルアクリ
レート、ドデシルアクリレート、デシルアクリレート、
または炭素数５以下の単量体である、ペンチルアクリレ
ート、ｎ−ブチルアクリレート、エチルアクリレート、
メチルアクリレート、またはこれらと同様のメタクリレ
ートなどを列挙することができる。
【００１２】単量体（−２）が有する官能基として
は、カルボキシル基、水酸基、アミノ基、環状酸無水
基、エポキシ基、イソシアネート基等をあげることがで
き、単量体（−２）の具体例としては、アクリル酸、
メタクリル酸、けい皮酸、イタコン酸、フマル酸、フタ
ル酸、２−ヒドロキシアルキルアクリレート類、２−ヒ
ドロキシアルキルメタクリレート類、グリコールモノメ
タクリレート類、Ｎ−メチロールアクリルアミド、Ｎ−
メチロールメタクリルアミド、アリルアルコール、Ｎ−
アルキルアミノエチルアクリレート類、Ｎ−アルキルア
ミノエチルメタクリレート類、アクリルアミド類、メタ
クリルアミド類、無水マレイン酸、無水イタコン酸、無
水フマル酸、無水フタル酸、グリシジルアクリレート、
グリシジルメタクリレート、アリルグリシジルエーテ
ル、ポリイソシアネート化合物のイソシアネート基の一
部を水酸基またはカルボキシル基及び光重合性炭素−炭
素二重結合を有する単量体でウレタン化したもの等を列
挙することができる。
は、カルボキシル基、水酸基、アミノ基、環状酸無水
基、エポキシ基、イソシアネート基等をあげることがで
き、単量体（−２）の具体例としては、アクリル酸、
メタクリル酸、けい皮酸、イタコン酸、フマル酸、フタ
ル酸、２−ヒドロキシアルキルアクリレート類、２−ヒ
ドロキシアルキルメタクリレート類、グリコールモノメ
タクリレート類、Ｎ−メチロールアクリルアミド、Ｎ−
メチロールメタクリルアミド、アリルアルコール、Ｎ−
アルキルアミノエチルアクリレート類、Ｎ−アルキルア
ミノエチルメタクリレート類、アクリルアミド類、メタ
クリルアミド類、無水マレイン酸、無水イタコン酸、無
水フマル酸、無水フタル酸、グリシジルアクリレート、
グリシジルメタクリレート、アリルグリシジルエーテ
ル、ポリイソシアネート化合物のイソシアネート基の一
部を水酸基またはカルボキシル基及び光重合性炭素−炭
素二重結合を有する単量体でウレタン化したもの等を列
挙することができる。
【００１３】化合物（）が有する官能基としては、化
合物（）、つまり単量体（−２）の有する官能基
が、カルボキシル基または環状酸無水基である場合に
は、水酸基、エポキシ基、イソシアネート基等をあげる
ことができ、水酸基である場合には、環状酸無水基、イ
ソシアネート基などをあげることができ、アミノ基であ
る場合には、エポキシ基、イソシアネート基などをあげ
ることができ、エポキシ基である場合にはカルボキシル
基、環状酸無水基、アミノ基等をあげることができ、具
体例としては単量体（−２）の具体例で列挙したもの
と同様のものを列挙することができる。
合物（）、つまり単量体（−２）の有する官能基
が、カルボキシル基または環状酸無水基である場合に
は、水酸基、エポキシ基、イソシアネート基等をあげる
ことができ、水酸基である場合には、環状酸無水基、イ
ソシアネート基などをあげることができ、アミノ基であ
る場合には、エポキシ基、イソシアネート基などをあげ
ることができ、エポキシ基である場合にはカルボキシル
基、環状酸無水基、アミノ基等をあげることができ、具
体例としては単量体（−２）の具体例で列挙したもの
と同様のものを列挙することができる。
【００１４】化合物（）と化合物（）として、炭素
数の大きな単量体を使用するほどガラス転移点は低くな
るので、所望のガラス転移点のものを作製することがで
きる。また、ガラス転移点の他、相溶性と各種性能をあ
げる目的で酢酸ビニル、スチレン、アクリロニトリル等
の炭素−炭素二重結合を持つ低分子化合物を配合するこ
とも５重量％以下の範囲内でできる。
数の大きな単量体を使用するほどガラス転移点は低くな
るので、所望のガラス転移点のものを作製することがで
きる。また、ガラス転移点の他、相溶性と各種性能をあ
げる目的で酢酸ビニル、スチレン、アクリロニトリル等
の炭素−炭素二重結合を持つ低分子化合物を配合するこ
とも５重量％以下の範囲内でできる。
【００１５】化合物（）と化合物（）の反応におい
て、未反応の官能基を残すことにより、酸価または水酸
基価等の特性に関して、所望のものを調製することがで
きる。
て、未反応の官能基を残すことにより、酸価または水酸
基価等の特性に関して、所望のものを調製することがで
きる。
【００１６】上記の化合物（Ａ）の合成において、反応
を溶液重合で行う場合の有機溶媒としては、ケトン類、
エステル類、アルコール類、芳香族系のものを使用する
ことができるが、中でもトルエン、酢酸エチル、イソプ
ロピルアルコール、ベンゼンメチルセロソルブ、エチル
セロソルブ、アセトン、メチルエチルケトンなどの、一
般的にアクリル系ポリマーの良溶媒で、沸点６０〜１２
０℃の溶媒が好ましく、重合開始剤としてはα，α’−
アゾビスイソブチルニトリルなどのアゾビス系、ベンゾ
イルペルオキシドなどの有機過酸化物系などのラジカル
発生剤を通常用いる。
を溶液重合で行う場合の有機溶媒としては、ケトン類、
エステル類、アルコール類、芳香族系のものを使用する
ことができるが、中でもトルエン、酢酸エチル、イソプ
ロピルアルコール、ベンゼンメチルセロソルブ、エチル
セロソルブ、アセトン、メチルエチルケトンなどの、一
般的にアクリル系ポリマーの良溶媒で、沸点６０〜１２
０℃の溶媒が好ましく、重合開始剤としてはα，α’−
アゾビスイソブチルニトリルなどのアゾビス系、ベンゾ
イルペルオキシドなどの有機過酸化物系などのラジカル
発生剤を通常用いる。
【００１７】この際、必要に応じて、触媒、重合禁止剤
を併用することができ、重合温度及び重合時間を調節す
ることにより、所望の分子量の化合物（Ａ）を得ること
ができる。また分子量を調節することに関しては、メル
カプタン、四塩化炭素系の溶剤を用いることが好まし
い。なおこの反応は溶液重合に限定されるものではな
く、塊状重合、懸濁重合など従来公知の別の方法でも差
し支えない。
を併用することができ、重合温度及び重合時間を調節す
ることにより、所望の分子量の化合物（Ａ）を得ること
ができる。また分子量を調節することに関しては、メル
カプタン、四塩化炭素系の溶剤を用いることが好まし
い。なおこの反応は溶液重合に限定されるものではな
く、塊状重合、懸濁重合など従来公知の別の方法でも差
し支えない。
【００１８】以上のようにして、化合物（Ａ）を得るこ
とができるが、本発明において、化合物（Ａ）の分子量
は、１万〜２２万程度が好ましい。分子量が２２万を越
えると、放射線照射した場合に、放射線照射後の粘着剤
の可撓性がなく、脆くなっているため、ウエハ表面から
の剥離時に、ウエハ表面パターンの微細な凹凸部に糊残
りを生じる。
とができるが、本発明において、化合物（Ａ）の分子量
は、１万〜２２万程度が好ましい。分子量が２２万を越
えると、放射線照射した場合に、放射線照射後の粘着剤
の可撓性がなく、脆くなっているため、ウエハ表面から
の剥離時に、ウエハ表面パターンの微細な凹凸部に糊残
りを生じる。
【００１９】分子量が１万未満では、放射線照射前の凝
集力が小さく粘着力が弱いため、ウエハ裏面を研削した
り、エッチングする際にエッチング液が浸入しやすくな
り、ウエハ表面を汚染するおそれがある。また、放射線
照射後も硬化が不十分で、ウエハ表面からの剥離時に、
ウエハ表面パターンの微細な凹凸部に糊残りを生じる。
これらを極力防止するためには、分子量が１０万以上で
ある方が好ましい。
集力が小さく粘着力が弱いため、ウエハ裏面を研削した
り、エッチングする際にエッチング液が浸入しやすくな
り、ウエハ表面を汚染するおそれがある。また、放射線
照射後も硬化が不十分で、ウエハ表面からの剥離時に、
ウエハ表面パターンの微細な凹凸部に糊残りを生じる。
これらを極力防止するためには、分子量が１０万以上で
ある方が好ましい。
【００２０】また、本発明において、化合物（Ａ）の光
重合性炭素−炭素二重結合の導入量はヨウ素価で０．５
〜２０、好ましくは５〜１５とする。ヨウ素価が０．５
未満では、放射線照射後の粘着力の低減効果が小さくな
るため粘着剤の硬化が不十分で、糊残りの原因となり、
ヨウ素価が２０を越えると、放射線照射後の粘着剤の流
動性が十分ではなく、粘着剤が脆くなっており、剥離時
に硬化した粘着剤がちぎれて糊残りが生じてしまうほ
か、化合物（Ａ）そのものの安定性に欠け、製造が困難
になるためである。
重合性炭素−炭素二重結合の導入量はヨウ素価で０．５
〜２０、好ましくは５〜１５とする。ヨウ素価が０．５
未満では、放射線照射後の粘着力の低減効果が小さくな
るため粘着剤の硬化が不十分で、糊残りの原因となり、
ヨウ素価が２０を越えると、放射線照射後の粘着剤の流
動性が十分ではなく、粘着剤が脆くなっており、剥離時
に硬化した粘着剤がちぎれて糊残りが生じてしまうほ
か、化合物（Ａ）そのものの安定性に欠け、製造が困難
になるためである。
【００２１】本発明において、（Ａ）のガラス転移点を
−７０〜−３５℃、好ましくは−７０〜−４０℃とす
る。ガラス転移点が−７０℃より低いと、粘着剤の流動
性が高く糊残りの原因となってしまい、−３５℃より高
いと流動性が不十分でパターン面になじみにくく、エッ
チング液がウエハ表面と粘着テープの間に浸入する原因
となってしまうためである。
−７０〜−３５℃、好ましくは−７０〜−４０℃とす
る。ガラス転移点が−７０℃より低いと、粘着剤の流動
性が高く糊残りの原因となってしまい、−３５℃より高
いと流動性が不十分でパターン面になじみにくく、エッ
チング液がウエハ表面と粘着テープの間に浸入する原因
となってしまうためである。
【００２２】さらに、本発明において、化合物（Ａ）の
酸価を０．５〜３０、好ましくは１〜２０、また、水酸
基価を５〜１００、好ましくは１０〜８０とすると、さ
らに粘着テープ剥離時の糊残り防止効果に優れた粘着テ
ープが得られる。
酸価を０．５〜３０、好ましくは１〜２０、また、水酸
基価を５〜１００、好ましくは１０〜８０とすると、さ
らに粘着テープ剥離時の糊残り防止効果に優れた粘着テ
ープが得られる。
【００２３】つぎに、本発明の粘着剤に主成分の１つと
して、ポリイソシアネート類、メラミン・ホルムアルデ
ヒド樹脂、またはエポキシ樹脂の群から選ばれる少なく
とも１種（Ｂ）を、化合物（Ａ）１００重量部に対して
０．１〜１０重量部、好ましくは１〜１０重量部の割合
で含有する。（Ｂ）は架橋剤として働き、化合物（Ａ）
及び基材フィルムと反応した結果できる架橋構造によ
り、化合物（Ａ）及び化合物（Ｂ）を主成分とした粘着
剤の凝集力を粘着剤塗布後に向上することができる。
して、ポリイソシアネート類、メラミン・ホルムアルデ
ヒド樹脂、またはエポキシ樹脂の群から選ばれる少なく
とも１種（Ｂ）を、化合物（Ａ）１００重量部に対して
０．１〜１０重量部、好ましくは１〜１０重量部の割合
で含有する。（Ｂ）は架橋剤として働き、化合物（Ａ）
及び基材フィルムと反応した結果できる架橋構造によ
り、化合物（Ａ）及び化合物（Ｂ）を主成分とした粘着
剤の凝集力を粘着剤塗布後に向上することができる。
【００２４】（Ｂ）の添加量が０．１重量部未満では凝
集力向上効果が十分でないため、粘着剤の流動性が高く
糊残りの原因となってしまい、また粘着剤面と被着体面
がずれやすくウエハ裏面の研削、エッチング時に剥がれ
てしまう。１０重量部を越えると粘着剤の配合及び塗布
作業中に架橋構造が急速に形成され、硬化反応が進行す
るため、作業性が損なわれる。また、粘着剤の柔軟性が
損なわれ、パターン面になじみにくくエッチング液の浸
入の原因となってしまう。
集力向上効果が十分でないため、粘着剤の流動性が高く
糊残りの原因となってしまい、また粘着剤面と被着体面
がずれやすくウエハ裏面の研削、エッチング時に剥がれ
てしまう。１０重量部を越えると粘着剤の配合及び塗布
作業中に架橋構造が急速に形成され、硬化反応が進行す
るため、作業性が損なわれる。また、粘着剤の柔軟性が
損なわれ、パターン面になじみにくくエッチング液の浸
入の原因となってしまう。
【００２５】このようにして得られた粘着剤の放射線照
射後の粘着力の低減効果を向上させ、なおかつ放射線照
射後の粘着剤の流動性を損なわないために、化合物
（Ａ）１００重量部に対して、光重合性の炭素−炭素二
重結合を少なくとも１固有する分子量１万未満のシアヌ
レート化合物及びイソシアヌレート化合物（Ｃ）を１０
重量部以下含有させるのが好ましい。
射後の粘着力の低減効果を向上させ、なおかつ放射線照
射後の粘着剤の流動性を損なわないために、化合物
（Ａ）１００重量部に対して、光重合性の炭素−炭素二
重結合を少なくとも１固有する分子量１万未満のシアヌ
レート化合物及びイソシアヌレート化合物（Ｃ）を１０
重量部以下含有させるのが好ましい。
【００２６】本発明における光重合性の炭素−炭素二重
結合を繰り返し単位当り少なくとも１個有する分子量１
万未満のシアヌレート化合物またはイソシアヌレート化
合物（Ｃ）とは、分子内にトリアジン環を有し、さらに
光重合性の炭素−炭素二重結合を有する分子量１万未満
の化合物である。トリアジン環またはイソトリアジン環
を有する化合物は、一般に、ハロシアン化合物、ジアニ
リン化合物、ジイソシアネート化合物等を原料として常
法の環化反応によって合成することができる。さらにこ
のようにして合成された化合物に光重合性炭素−炭素二
重結合含有基、例えばビニル基、アリル基、アクリロキ
シ基、メタクリロキシ基等を含む官能基を導入して得る
ことができる。
結合を繰り返し単位当り少なくとも１個有する分子量１
万未満のシアヌレート化合物またはイソシアヌレート化
合物（Ｃ）とは、分子内にトリアジン環を有し、さらに
光重合性の炭素−炭素二重結合を有する分子量１万未満
の化合物である。トリアジン環またはイソトリアジン環
を有する化合物は、一般に、ハロシアン化合物、ジアニ
リン化合物、ジイソシアネート化合物等を原料として常
法の環化反応によって合成することができる。さらにこ
のようにして合成された化合物に光重合性炭素−炭素二
重結合含有基、例えばビニル基、アリル基、アクリロキ
シ基、メタクリロキシ基等を含む官能基を導入して得る
ことができる。
【００２７】化合物（Ｃ）は、上記の点以外は特に限定
されるものではないが、トリアジン環またはイソトリア
ジン環に導入された炭素−炭素二重結合含有基がいわゆ
る剛直な分子構造、例えば芳香環、異節環基等を含まな
いものが好ましい。その理由は、これらによって粘着剤
に過度の剛直性を与えることにより、放射線照射後の粘
着剤の流動性が損なわれるためである。したがって、炭
素−炭素二重結合との間の結合基は原子の自由回転性に
富むことが好ましく、これらの官能基を例示すれば、ア
ルキレン基、アルキリデン基などの脂肪族基などであ
り、これらには−Ｏ−、−ＯＣＯ−、−ＣＯＯ−、−Ｎ
ＨＣＯ−、−ＮＨＣＯＯ−結合等を有してもよい。
されるものではないが、トリアジン環またはイソトリア
ジン環に導入された炭素−炭素二重結合含有基がいわゆ
る剛直な分子構造、例えば芳香環、異節環基等を含まな
いものが好ましい。その理由は、これらによって粘着剤
に過度の剛直性を与えることにより、放射線照射後の粘
着剤の流動性が損なわれるためである。したがって、炭
素−炭素二重結合との間の結合基は原子の自由回転性に
富むことが好ましく、これらの官能基を例示すれば、ア
ルキレン基、アルキリデン基などの脂肪族基などであ
り、これらには−Ｏ−、−ＯＣＯ−、−ＣＯＯ−、−Ｎ
ＨＣＯ−、−ＮＨＣＯＯ−結合等を有してもよい。
【００２８】これらのシアヌレート化合物またはイソシ
アヌレート化合物（Ｃ）の具体例としては、２−プロペ
ニル ジ−３−ブテニルシアヌレート、２−ヒドロキシ
エチル ビス（２−アクリロキシエチル）イソシアヌレ
ート、トリス（アクリロキシエチル）イソシアヌレー
ト、トリス（メタクリロキシエチル）イソシアヌレー
ト、ビス（２−アクリロキシエチル）２−（５−アクリ
ロキシ）ヘキシロキシエチルイソシアヌレート、トリス
（１，３−ジアクリロキシイソプロピル−オキシカルボ
ニル−ｎ−ヘキシル）イソシアヌレート、トリス（１−
アクリロキシ−３−メタクリロキシイソプロピル−オキ
イソプロピル−オキシジカルボニルアミノ−ｎ−ヘキシ
ル）イソシアヌレートなどを列挙することができる。
アヌレート化合物（Ｃ）の具体例としては、２−プロペ
ニル ジ−３−ブテニルシアヌレート、２−ヒドロキシ
エチル ビス（２−アクリロキシエチル）イソシアヌレ
ート、トリス（アクリロキシエチル）イソシアヌレー
ト、トリス（メタクリロキシエチル）イソシアヌレー
ト、ビス（２−アクリロキシエチル）２−（５−アクリ
ロキシ）ヘキシロキシエチルイソシアヌレート、トリス
（１，３−ジアクリロキシイソプロピル−オキシカルボ
ニル−ｎ−ヘキシル）イソシアヌレート、トリス（１−
アクリロキシ−３−メタクリロキシイソプロピル−オキ
イソプロピル−オキシジカルボニルアミノ−ｎ−ヘキシ
ル）イソシアヌレートなどを列挙することができる。
【００２９】化合物（Ｃ）の含有量は、化合物（Ａ）１
００重量部に対して１０重量部以下が好ましい。１０重
量部を越えると、粘着剤の放射線照射前の粘着力が小さ
くなり、ウエハ裏面の研削、エッチング時に粘着テープ
が剥がれやすくなる。
００重量部に対して１０重量部以下が好ましい。１０重
量部を越えると、粘着剤の放射線照射前の粘着力が小さ
くなり、ウエハ裏面の研削、エッチング時に粘着テープ
が剥がれやすくなる。
【００３０】なお、この発明の粘着テープを紫外線照射
によって硬化させる場合には、光重合開始剤、例えば、
イソプロピルベンゾインエーテル、イソブチルベンゾイ
ンエーテル、ベンゾフェノン、ミヒラーズケトン、クロ
ロチオキサントン、ドデシルチオキサントン、ジメチル
チオキサントン、ジエチルチオキサントン、ベンジルジ
メチルケタール、α−ヒドロキシクロロヘキシルフェニ
ルケトン、２−ヒドロキシメチルフェニルプロパン等を
併用することができる。これらのうち、１種あるいは２
種以上を粘着剤に添加することによって、紫外線照射時
間または紫外線照射量が少なくても効率よく硬化反応を
進行させ、粘着力を低下させることができる。
によって硬化させる場合には、光重合開始剤、例えば、
イソプロピルベンゾインエーテル、イソブチルベンゾイ
ンエーテル、ベンゾフェノン、ミヒラーズケトン、クロ
ロチオキサントン、ドデシルチオキサントン、ジメチル
チオキサントン、ジエチルチオキサントン、ベンジルジ
メチルケタール、α−ヒドロキシクロロヘキシルフェニ
ルケトン、２−ヒドロキシメチルフェニルプロパン等を
併用することができる。これらのうち、１種あるいは２
種以上を粘着剤に添加することによって、紫外線照射時
間または紫外線照射量が少なくても効率よく硬化反応を
進行させ、粘着力を低下させることができる。
【００３１】さらにこの発明に用いられる放射線硬化性
粘着剤には必要に応じて粘着付与剤、粘着調製剤、界面
活性剤等、あるいはその他の改質剤及び慣用成分を配合
することができる。
粘着剤には必要に応じて粘着付与剤、粘着調製剤、界面
活性剤等、あるいはその他の改質剤及び慣用成分を配合
することができる。
【００３２】放射線硬化性粘着剤層の厚さは特に制限さ
れるものではないが、通常２〜５０μｍである。
れるものではないが、通常２〜５０μｍである。
【００３３】本発明における放射線透過基材は、通常、
プラスチック、ゴムなどを好ましく用い、放射線を透過
する限りにおいて特に制限されるものではないが、紫外
線照射によって放射線硬化性粘着剤を硬化させる場合に
は、この基材としては光透過性の良いものを選択する必
要がある。このような基材として選択しうるポリマーの
例としては、ポリエチレン、ポリプロピレン、エチレン
−プロピレン共重合体、ポリブテン−１、ポリ−４−メ
チルペンテン−１、エチレン−酢酸ビニル共重合体、エ
チレン−アクリル酸共重合体、アイオノマー等のα−オ
レフィンの単独重合体または共重合体あるいはこれらの
混合物、ポリエチレンテレフタレート、ポリカーボネー
ト、ポリメチルメタクリレート等のエンジニアリングプ
ラスチック、ポリウレタン、スチレン−エチレン−ブテ
ンもしくはペンテン系共重合体等の熱可塑性エラストマ
ー等を列挙することができる。
プラスチック、ゴムなどを好ましく用い、放射線を透過
する限りにおいて特に制限されるものではないが、紫外
線照射によって放射線硬化性粘着剤を硬化させる場合に
は、この基材としては光透過性の良いものを選択する必
要がある。このような基材として選択しうるポリマーの
例としては、ポリエチレン、ポリプロピレン、エチレン
−プロピレン共重合体、ポリブテン−１、ポリ−４−メ
チルペンテン−１、エチレン−酢酸ビニル共重合体、エ
チレン−アクリル酸共重合体、アイオノマー等のα−オ
レフィンの単独重合体または共重合体あるいはこれらの
混合物、ポリエチレンテレフタレート、ポリカーボネー
ト、ポリメチルメタクリレート等のエンジニアリングプ
ラスチック、ポリウレタン、スチレン−エチレン−ブテ
ンもしくはペンテン系共重合体等の熱可塑性エラストマ
ー等を列挙することができる。
【００３４】基材フィルムの厚みは、強伸度特性、放射
線透過性の観点から通常３０〜３００μｍが適当であ
る。
線透過性の観点から通常３０〜３００μｍが適当であ
る。
【００３５】
【実施例】本発明を実施例に基づきさらに詳細に説明す
る。放射線性硬化性粘着剤を実施例１〜８、比較例１〜
９に示すように調製し、１００μｍ厚のポリエステルフ
ィルム上に、乾燥後の粘着剤塗布厚さが３０μｍとなる
ように塗布した。このようにして製作した粘着テープの
特性は次のように試験し、評価した。
る。放射線性硬化性粘着剤を実施例１〜８、比較例１〜
９に示すように調製し、１００μｍ厚のポリエステルフ
ィルム上に、乾燥後の粘着剤塗布厚さが３０μｍとなる
ように塗布した。このようにして製作した粘着テープの
特性は次のように試験し、評価した。
【００３６】評価 ＃６００研磨処理面のシリコンウエハの表面に粘着テー
プを荷重１ｋｇの加圧ロールを用いて貼着し、 ＨＦ：
ＨＮＯ3＝１：９のエッチング液に１分間浸漬し、水
洗、乾燥後、放射線照射した後、テープを剥離する。テ
ープを貼合していたウエハ表面を顕微鏡にて観察し、エ
ッチング液の浸入、糊残りの有無を観察する。
プを荷重１ｋｇの加圧ロールを用いて貼着し、 ＨＦ：
ＨＮＯ3＝１：９のエッチング液に１分間浸漬し、水
洗、乾燥後、放射線照射した後、テープを剥離する。テ
ープを貼合していたウエハ表面を顕微鏡にて観察し、エ
ッチング液の浸入、糊残りの有無を観察する。
【００３７】実施例１〜８、比較例１〜９の結果を表１
に示す。
に示す。
【００３８】
【表１】
【００３９】実施例１ 溶媒のトルエン４００ｇ中に、２−エチルヘキシルアク
リレート４４６．５ｇ、メチルメタアクリレート４５
ｇ、メタクリル酸３．４ｇ、重合開始剤としてベンゾイ
ルペルオキシド０．５ｇの混合液を２時間かけて滴下し
ながら、１００℃の温度下で４時間反応させ官能基を持
つ化合物（）の溶液を得た。次にこのポリマー溶液
（）に、光重合性炭素−炭素二重結合及び官能基を有
する化合物（）として、２−ヒドロキシエチルメタク
リレート５．１ｇ、重合禁止剤としてハイドロキノン
０．１ｇを加え、１２０℃の温度下で６時間反応させた
後、酢酸にて中和し、化合物（Ａ）の溶液を得た。合成
された化合物（Ａ）の分子量、ガラス転移点、ヨウ素
価、酸価、水酸基価を表１に示す。この化合物（Ａ）溶
液中の化合物（Ａ）１００重量部に対し、ポリイソシア
ネート（Ｂ）（日本ポリウレタン社製：コロネートＬ）
１重量部、光重合開始剤（日本チバガイギー社製イルガ
キュアー１８４）０．５重量部を化合物（Ａ）溶液中に
加えて混合し、放射線硬化性粘着剤を調製した。
リレート４４６．５ｇ、メチルメタアクリレート４５
ｇ、メタクリル酸３．４ｇ、重合開始剤としてベンゾイ
ルペルオキシド０．５ｇの混合液を２時間かけて滴下し
ながら、１００℃の温度下で４時間反応させ官能基を持
つ化合物（）の溶液を得た。次にこのポリマー溶液
（）に、光重合性炭素−炭素二重結合及び官能基を有
する化合物（）として、２−ヒドロキシエチルメタク
リレート５．１ｇ、重合禁止剤としてハイドロキノン
０．１ｇを加え、１２０℃の温度下で６時間反応させた
後、酢酸にて中和し、化合物（Ａ）の溶液を得た。合成
された化合物（Ａ）の分子量、ガラス転移点、ヨウ素
価、酸価、水酸基価を表１に示す。この化合物（Ａ）溶
液中の化合物（Ａ）１００重量部に対し、ポリイソシア
ネート（Ｂ）（日本ポリウレタン社製：コロネートＬ）
１重量部、光重合開始剤（日本チバガイギー社製イルガ
キュアー１８４）０．５重量部を化合物（Ａ）溶液中に
加えて混合し、放射線硬化性粘着剤を調製した。
【００４０】実施例２ 化合物（）として２−ヒドロキシエチルメタクリレー
トの配合量を１ｇとした以外は実施例１と同様にして表
１に示した放射線硬化性粘着剤を調製した。
トの配合量を１ｇとした以外は実施例１と同様にして表
１に示した放射線硬化性粘着剤を調製した。
【００４１】実施例３ 化合物（）調製中の溶液の反応時間を４時間ではなく
３時間２０分とした以外は実施例１と同様にして表１に
示した放射線硬化性粘着剤を調製した。
３時間２０分とした以外は実施例１と同様にして表１に
示した放射線硬化性粘着剤を調製した。
【００４２】実施例４ 実施例１で調製した放射線硬化性粘着剤に化合物（Ｃ）
としてトリス（１，３−ジアクリロキシイソプロピル−
オキシカルボニル−ｎ−ヘキシル）イソシアヌレートを
５重量部配合した以外は実施例１と同様にして表１に示
した放射線硬化性粘着剤を調製した。
としてトリス（１，３−ジアクリロキシイソプロピル−
オキシカルボニル−ｎ−ヘキシル）イソシアヌレートを
５重量部配合した以外は実施例１と同様にして表１に示
した放射線硬化性粘着剤を調製した。
【００４３】実施例５ 化合物（）の合成法で、メタクリル酸を１１ｇとし、
エチレングリコールを４４ｇ加え、酢酸にて中和しない
以外は実施例１と同様にして表１に示した放射線硬化性
粘着剤を調製した。
エチレングリコールを４４ｇ加え、酢酸にて中和しない
以外は実施例１と同様にして表１に示した放射線硬化性
粘着剤を調製した。
【００４４】実施例６ 実施例５で調製した放射線硬化性粘着剤に化合物（Ｃ）
としてトリス（１，３−ジアクリロキシイソプロピル−
オキシカルボニル−ｎ−ヘキシル）イソシアヌレートを
５重量部配合した以外は実施例１と同様にして表１に示
した放射線硬化性粘着剤を調製した。
としてトリス（１，３−ジアクリロキシイソプロピル−
オキシカルボニル−ｎ−ヘキシル）イソシアヌレートを
５重量部配合した以外は実施例１と同様にして表１に示
した放射線硬化性粘着剤を調製した。
【００４５】実施例７ 化合物（）の合成において、エチレングリコールを６
６ｇとし、酢酸にて中和しない以外は実施例１と同様に
して表１に示した放射線硬化性粘着剤を調製した。
６ｇとし、酢酸にて中和しない以外は実施例１と同様に
して表１に示した放射線硬化性粘着剤を調製した。
【００４６】実施例８ 化合物（）の合成において、エチレングリコールを４
４ｇとし、酢酸にて中和しない以外は実施例１と同様に
して表１に示した放射線硬化性粘着剤を調製した。
４ｇとし、酢酸にて中和しない以外は実施例１と同様に
して表１に示した放射線硬化性粘着剤を調製した。
【００４７】比較例１ 化合物（）調製中の溶液の反応時間を２時間でなく９
０分とした以外は実施例１と同様にして表１に示した放
射線硬化性粘着剤を調製した。
０分とした以外は実施例１と同様にして表１に示した放
射線硬化性粘着剤を調製した。
【００４８】比較例２ 化合物（）調製中の溶液の反応時間を２時間でなく５
時間とした以外は実施例１と同様にして放射線硬化性粘
着剤を調製した。
時間とした以外は実施例１と同様にして放射線硬化性粘
着剤を調製した。
【００４９】比較例３ 化合物（）の合成法において、２−エチルヘキシルア
クリレート７１５．３ｇとした以外は実施例１と同様に
して表１に示した放射線硬化性粘着剤を調製した。
クリレート７１５．３ｇとした以外は実施例１と同様に
して表１に示した放射線硬化性粘着剤を調製した。
【００５０】比較例４ 化合物（）の合成法において、２−エチルヘキシルア
クリレート３７４．３ｇ、メチルメタアクリレート１２
５．７ｇとした以外は実施例１と同様にして表１に示し
た放射線硬化性粘着剤を調製した。
クリレート３７４．３ｇ、メチルメタアクリレート１２
５．７ｇとした以外は実施例１と同様にして表１に示し
た放射線硬化性粘着剤を調製した。
【００５１】比較例５ 化合物（）２−ヒドロキシエチルメタクリレートを配
合しない他は実施例１と同様にして表１に示した放射線
硬化性粘着剤を調製した。
合しない他は実施例１と同様にして表１に示した放射線
硬化性粘着剤を調製した。
【００５２】比較例６ 化合物（）２−ヒドロキシエチルメタクリレートの配
合量を１２．７ｇとした他は実施例１と同様にして表１
に示した放射線硬化性粘着剤を調製した。
合量を１２．７ｇとした他は実施例１と同様にして表１
に示した放射線硬化性粘着剤を調製した。
【００５３】比較例７ 化合物（Ｂ）を配合しない他は実施例１と同様にして表
１に示した放射線硬化性粘着剤を調製した。
１に示した放射線硬化性粘着剤を調製した。
【００５４】比較例８ 化合物（Ｂ）を１５重量部配合する他は実施例１と同様
にして表１に示した放射線硬化性粘着剤を調製した。
にして表１に示した放射線硬化性粘着剤を調製した。
【００５５】比較例９ 化合物（Ｃ）を１５重量部加えた以外は実施例１と同様
にして表１に示した放射線硬化性粘着剤を調製した。
にして表１に示した放射線硬化性粘着剤を調製した。
【００５６】
【発明の効果】本発明の半導体ウエハ固定用粘着テープ
を半導体ウエハ等の裏面研削、エッチング時のパターン
面の保護に用いた場合、パターンの凹凸によくなじむこ
とより裏面研削時の冷却水もしくはエッチング液の浸入
を防ぎ、なおかつ放射線照射しても粘着剤の流動性が多
少あるため、ＩＣパターン面の凹凸に入り込んだ糊がち
ぎれて残ることなく粘着テープを剥離することができ
る。
を半導体ウエハ等の裏面研削、エッチング時のパターン
面の保護に用いた場合、パターンの凹凸によくなじむこ
とより裏面研削時の冷却水もしくはエッチング液の浸入
を防ぎ、なおかつ放射線照射しても粘着剤の流動性が多
少あるため、ＩＣパターン面の凹凸に入り込んだ糊がち
ぎれて残ることなく粘着テープを剥離することができ
る。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｃ０９Ｊ 7/02 ＪＫＥ 163/00 ＪＦＰ 175/00 ＪＦＨ Ｈ０１Ｌ 21/304 ３２１ Ｂ (72)発明者 石渡 伸一 東京都千代田区丸の内２丁目６番１号 古 河電気工業株式会社内
Claims (3)
- 【請求項１】 放射線透過性基材上に、粘着剤層を設け
てなる半導体ウエハ表面保護用粘着テープにおいて、前
記粘着剤層として塗布する粘着剤が、分子中にヨウ素価
０．５〜２０の光重合性炭素−炭素二重結合を有し、ガ
ラス転移点が−７０〜−３５℃である分子量１万〜２２
万の化合物（Ａ）１００重量部と、エポキシ樹脂、ポリ
イソシアネート類、メラミン・ホルムアルデヒド樹脂か
ら選ばれる少なくとも１種（Ｂ）０．１〜１０重量部と
を主成分として含有してなることを特徴とする半導体ウ
エハ表面保護用粘着テープ。 - 【請求項２】 前記粘着剤層の粘着剤が光重合性の炭素
−炭素二重結合を繰り返し単位当たり少なくとも１個有
する分子量１万未満のシアヌレート化合物またはイソシ
アヌレート化合物（Ｃ）を含有し、その含有量が前記化
合物（Ａ）１００重量部に対し１０重量部以下であるこ
とを特徴とする請求項１記載の半導体ウエハ表面保護用
粘着テープ。 - 【請求項３】 前記粘着剤中の化合物（Ａ）が酸価０．
５〜３０、水酸基価５〜１００を有することを特徴とす
る請求項１または２記載の半導体ウエハ表面保護用粘着
テープ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15388694A JP3481307B2 (ja) | 1994-07-05 | 1994-07-05 | 半導体ウエハ表面保護用粘着テープ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15388694A JP3481307B2 (ja) | 1994-07-05 | 1994-07-05 | 半導体ウエハ表面保護用粘着テープ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0820756A true JPH0820756A (ja) | 1996-01-23 |
| JP3481307B2 JP3481307B2 (ja) | 2003-12-22 |
Family
ID=15572270
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15388694A Expired - Lifetime JP3481307B2 (ja) | 1994-07-05 | 1994-07-05 | 半導体ウエハ表面保護用粘着テープ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3481307B2 (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08143843A (ja) * | 1994-11-21 | 1996-06-04 | Nitto Denko Corp | 再剥離用粘着剤とその粘着シ―ト類 |
| JPH09310050A (ja) * | 1996-05-23 | 1997-12-02 | Nitto Denko Corp | ウエハ加工用粘着剤とその粘着シ―ト類 |
| EP0819746A2 (en) * | 1996-07-15 | 1998-01-21 | Sekisui Kagaku Kogyo Kabushiki Kaisha | Sheet form, curable pressure-sensitive adhesive |
| JP2000265151A (ja) * | 1999-03-17 | 2000-09-26 | The Inctec Inc | 液状仮着接着剤 |
| JP2003013011A (ja) * | 2001-07-03 | 2003-01-15 | Nitto Denko Corp | 再剥離型粘着剤および再剥離型粘着シート |
| US7413965B2 (en) | 2003-05-29 | 2008-08-19 | The Furukawa Electric Co., Ltd. | Method of manufacturing a thin-film circuit substrate having penetrating structure, and protecting adhesive tape |
| WO2011142401A1 (ja) * | 2010-05-14 | 2011-11-17 | 古河電気工業株式会社 | 硬質ウエハ加工用粘着テープ及びそれを用いた研削方法 |
| JP2016171262A (ja) * | 2015-03-13 | 2016-09-23 | 古河電気工業株式会社 | 半導体ウェハの処理方法、半導体チップおよび表面保護テープ |
-
1994
- 1994-07-05 JP JP15388694A patent/JP3481307B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08143843A (ja) * | 1994-11-21 | 1996-06-04 | Nitto Denko Corp | 再剥離用粘着剤とその粘着シ―ト類 |
| JPH09310050A (ja) * | 1996-05-23 | 1997-12-02 | Nitto Denko Corp | ウエハ加工用粘着剤とその粘着シ―ト類 |
| US6790310B2 (en) | 1996-07-15 | 2004-09-14 | Sekisui Kagaku Kogyo Kabushiki Kaisha | Sheet-form, curable pressure-sensitive adhesive |
| EP0819746A2 (en) * | 1996-07-15 | 1998-01-21 | Sekisui Kagaku Kogyo Kabushiki Kaisha | Sheet form, curable pressure-sensitive adhesive |
| EP0819746A3 (en) * | 1996-07-15 | 2000-08-23 | Sekisui Kagaku Kogyo Kabushiki Kaisha | Sheet form, curable pressure-sensitive adhesive |
| US6376070B1 (en) | 1996-07-15 | 2002-04-23 | Sekisui Kagaku Kogyo Kabushiki Kaisha | Sheet-form, curable pressure-sensitive adhesive |
| JP2000265151A (ja) * | 1999-03-17 | 2000-09-26 | The Inctec Inc | 液状仮着接着剤 |
| JP2003013011A (ja) * | 2001-07-03 | 2003-01-15 | Nitto Denko Corp | 再剥離型粘着剤および再剥離型粘着シート |
| US7413965B2 (en) | 2003-05-29 | 2008-08-19 | The Furukawa Electric Co., Ltd. | Method of manufacturing a thin-film circuit substrate having penetrating structure, and protecting adhesive tape |
| WO2011142401A1 (ja) * | 2010-05-14 | 2011-11-17 | 古河電気工業株式会社 | 硬質ウエハ加工用粘着テープ及びそれを用いた研削方法 |
| JPWO2011142401A1 (ja) * | 2010-05-14 | 2013-07-22 | 古河電気工業株式会社 | 硬質ウエハ加工用粘着テープ及びそれを用いた研削方法 |
| JP2016171262A (ja) * | 2015-03-13 | 2016-09-23 | 古河電気工業株式会社 | 半導体ウェハの処理方法、半導体チップおよび表面保護テープ |
| US10418267B2 (en) | 2015-03-13 | 2019-09-17 | Furukawa Electric Co., Ltd. | Method of processing a semiconductor wafer, semiconductor chip, and surface protective tape |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3481307B2 (ja) | 2003-12-22 |
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