JP2016171262A - 半導体ウェハの処理方法、半導体チップおよび表面保護テープ - Google Patents
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Abstract
Description
ダイシングを水圧で行うウオータージェット方式などのウェットプロセスを用いる場合は、MEMSデバイスやCMOSセンサーなど表面汚染が気になるエリアで問題が起きる可能性がある。カーフ幅が狭くできず、チップ収率が上がらないといった不都合もある。
また本発明は、この半導体ウェハの処理方法を通じて得られる半導体チップを提供すること、およびこの半導体ウェハの処理方法を行うために必要な表面保護テープを提供することを目的とする。
[1]半導体ウェハの処理方法であって、
(a)パターン面側に、基材フィルム上に粘着剤層を有する表面保護テープが貼合された状態で半導体ウェハの裏面を研削し、研削した裏面にウェハ固定テープを貼合して、リングフレームで支持固定する工程、
(b)前記半導体ウェハのストリートに相当する部分のCO2レーザーによる切断および前記基材フィルムの剥離を含む工程により、半導体ウェハのパターン面側からストリートを開口する工程、
(c)SF6プラズマにより半導体ウェハを前記ストリートで分断して半導体チップに個片化するプラズマダイシング工程、および、
(d)O2プラズマにより前記粘着剤層を除去するアッシング工程
を含むことを特徴とする半導体ウェハの処理方法。
[2]前記(b)工程が、(i)半導体ウェハのパターン面に貼合した前記表面保護テープから前記基材フィルムを剥離して前記粘着剤層を表出させる工程、および、(ii)該表出した粘着剤層のうち半導体ウェハのストリートに相当する部分をCO2レーザーで切断して半導体ウェハのストリートを開口する工程であることを特徴とする[1]に記載の半導体ウェハの処理方法。
[3]前記(b)工程が、(iii)半導体ウェハのパターン面に貼合した前記表面保護テープのうち半導体ウェハのストリートに相当する部分をCO2レーザーで切断して半導体ウェハのストリートを開口する工程、および、(iv)該表面保護テープから前記基材フィルムを剥離して前記粘着剤層を表出させる工程であることを特徴とする[1]に記載の半導体ウェハの処理方法。
[4]前記基材フィルムを剥離する以前に紫外線を照射して前記粘着剤層を硬化させる工程を含むことを特徴とする[1]〜[3]のいずれか1項に記載の半導体ウェハの処理方法。
[5]前記(a)工程のウェハ固定テープが、ダイシングテープまたはダイシングダイボンディングテープであることを特徴とする[1]〜[4]のいずれか1項に記載の半導体ウェハの処理方法。
[6]前記(d)工程の後、ウェハ固定テープからチップをピックアップする工程を含むことを特徴とする[1]〜[5]のいずれか1項に記載の半導体ウェハの処理方法。
[7]ピックアップしたチップをダイボンディング工程に移行する工程を含むことを特徴とする[6]に記載の半導体ウェハの処理方法。
[8]前記[1]〜[7]のいずれか1項に記載の半導体ウェハの処理方法によって製造されてなることを特徴とする半導体チップ。
[9]前記[1]〜[7]のいずれか1項に記載の半導体ウェハの処理方法で用いることを特徴とする表面保護テープ。
(a)パターン面側に、基材フィルム上に粘着剤層を有する表面保護テープが貼合された状態で半導体ウェハの裏面を研削し、研削した裏面にウェハ固定テープを貼合して、リングフレームで支持固定する工程、
(b)半導体ウェハのストリートに相当する部分のCO2レーザーによる切断および基材フィルムの剥離を含む工程により、半導体ウェハのパターン面側からストリートを開口する工程、
(c)SF6プラズマにより半導体ウェハをストリートで分断して半導体チップに個片化するプラズマダイシング工程、および、
(d)O2プラズマにより粘着剤層を除去するアッシング工程
(e)ウェハ固定テープからチップをピックアップする工程
(f)ピックアップしたチップをダイボンディング工程に移行する工程
具体的には、以下の工程であることが好ましい。
(i)半導体ウェハのパターン面に貼合した表面保護テープから基材フィルムを剥離して粘着剤層を表出させる工程および、(ii)表出した粘着剤層のうち半導体ウェハのストリートに相当する部分をCO2レーザーで切断して半導体ウェハのストリートを開口する工程からなる。
上記(b)工程の第二の好ましい工程
第二は、(i)半導体ウェハのパターン面に貼合した前記表面保護テープから前記基材フィルムを剥離して前記粘着剤層を表出させる工程、および、(ii)表出した粘着剤層のうち半導体ウェハのストリートに相当する部分をCO2レーザーで切断して半導体ウェハのストリートを開口する工程からなる。
本発明の半導体ウェハの処理方法は、下記に示すように、第1〜4の実施形態に分類される。
なお、以下に示す工程に用いられる装置及び材料は、特に断りのない限り、従来半導体ウェハの加工に用いられている装置等を使用することができ、その使用条件は常法により適切な条件を設定することができる。また、各実施形態で共通する材質、構造、方法、効果などについては重複記載を省略する。
本発明の好ましい第1の実施形態である半導体ウェハの個片化方法を図1〜図5を参照して説明する。
半導体ウェハ1は、その表面Sに半導体素子の回路などが形成されたパターン面2を有している(図1(a)参照)。このパターン面2には、基材フィルム3aに粘着剤層3bを設けた表面保護テープ3を貼合し(図1(b)参照)、パターン面2が表面保護テープ3で被覆された半導体ウェハ1を得る(図1(c)参照)。
半導体ウェハ1は、片面に半導体素子の回路などが形成されたパターン面2を有するシリコンウェハなどであり、パターン面2は、半導体素子の回路などが形成された面であって、平面視においてストリートを有する。
そのため、粘着剤層3bにはこうした性質を有する非硬化性の粘着剤や、好ましくは放射線、より好ましくは紫外線硬化により粘着剤が三次元網状化を呈し、粘着力が低下すると共に剥離した後の表面に粘着剤などの残留物が生じ難い、紫外線硬化型や電子線のような電離性放射線硬化型等の放射線重合型の粘着剤を用いることができる。
なお、放射線とは紫外線のような光線や電子線のような電離性放射線を含む概念である。
アクリル系粘着剤は、(メタ)アクリル系共重合体及び硬化剤を成分とするものである。(メタ)アクリル系共重合体は、例えば(メタ)アクリル酸エステルを重合体構成単位とする重合体、及び(メタ)アクリル酸エステル系共重合体の(メタ)アクリル系重合体、或いは官能性単量体との共重合体、及びこれらの重合体の混合物等が挙げられる。これらの重合体の分子量としては質量平均分子量が50万〜100万程度の高分子量のものが一般的に適用される。
放射線硬化型粘着剤は、前記のアクリル系粘着剤と放射線重合性化合物とを主成分としてなるのが一般的である。放射線重合性化合物とは、例えば紫外線の照射によって三次元網状化しうる分子内に光重合性炭素−炭素二重結合を少なくとも2個以上有する低分量化合物が広く用いられ、具体的には、トリメチロールプロパントリアクリレート、テトラメチロールメタンテトラアクリレート、ペンタエリスリトールトリアクリレート、ペンタエリスリトールテトラアクリレート、ジペンタエリスリトールモノヒドロキシペンタアクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート、1,4−ブチレングリコールジアクリレート、1,6−ヘキサンジオールジアクリレート、ポリエチレングリコールジアクリレートや、オリゴエステルアクリレート等が広く適用可能である。
放射線重合性アクリル酸エステル共重合体は、共重合体の分子中に、放射線、特に紫外線照射で重合反応することが可能な反応性の基を有する共重合体である。このような反応性の基としては、エチレン性不飽和基、すなわち、炭素−炭素二重結合を有する基が好ましく、例えば、ビニル基、アリル基、スチリル基、(メタ)アクリロイルオキシ基、(メタ)アクリルロイルアミノ基などが挙げられる。
このような反応性の基は、例えば、共重合ポリマーの側鎖に、ヒドロキシ基を有する共重合体に、ヒドロキシ基と反応する基、例えば、イソシアネート基などを有し、かつ紫外線照射で重合反応することが可能な上記の反応性の基を有する化合物〔(代表的には、2−(メタ)アクリロイルオキシエチルイソシアネート〕を反応させることによって得ることができる。
また、同様の趣旨から、基材フィルム3aの平滑面に対して粘着剤層3bを積層することが好ましく、基材フィルム3aの凹凸面(シボ面)に対しては粘着剤層3bを積層しないことが好ましい。凹凸面に積層すると基材フィルム3aに対する粘着剤層3bの密着性が高まるからである。また、基材フィルム3aとして、粘着剤層3bとの間の剥離を容易にするセパレータを使用することも好ましい。
また、粘着剤層3bをO2プラズマで除去できるため、プラズマダイシングを行う装置と同じ装置でマスク部分の除去ができる。加えてパターン面2側(表面S側)からプラズマダイシングを行うため、ピッキング作業前にチップの上下を反転させる必要がない。これらの理由から設備を簡易化でき、プロセスコストを大幅に抑えることができる。
本実施形態では第1実施形態における基材フィルム3aを剥離する工程の前に、表面保護テープ3に紫外線等の放射線を照射して粘着剤層を硬化させる工程を含む点で第1実施形態と異なる。その他の工程は第1実施形態と同じである。
粘着剤層3bを紫外線等で硬化させることにより、基材フィルム3aとの剥離を容易にし、また、プラズマダイシング時のプラズマ耐性を向上させることができる。
第1実施形態では、表面保護テープ3の基材フィルム3aを剥がしてからCO2レーザーで粘着剤層3bを切断してストリート部分を開口していたが、本実施形態では、基材フィルム3aを付けたままCO2レーザーでその基材フィルム3aと粘着剤層3bとの両層を切断してストリート部分を開口する点で異なる。
換言すれば、表面保護テープ3のうち半導体ウェハのストリートに相当する部分をCO2レーザーで切断して半導体ウェハのストリートを開口する工程と、表面保護テープ3からその基材フィルム3aを剥離して表面保護テープ3の粘着剤層3bを表出させる工程と、を第1実施形態の表面保護テープ3からその基材フィルム3aを剥離して表面保護テープ3の粘着剤層3bを表出させる工程と、表出した粘着剤層3bのうち半導体ウェハのストリートに相当する部分をCO2レーザーで切断してストリートを開口する工程とに代えて実行する。
本実施形態では、基材フィルム3aごとレーザーで切断したため、基材フィルム部分を事前に剥離する工程が簡略化可能となる。
本実施形態では第3実施形態における基材フィルム3aを剥離する工程の前に、表面保護テープ3に紫外線等の放射線を照射して粘着剤層3bを硬化させる工程を含む点で第3実施形態と異なる。その他の工程は第3実施形態と同じである。
粘着剤層3bを紫外線等で硬化させることにより、基材フィルム3aとの剥離を容易にし、また、プラズマダイシング時のプラズマ耐性を向上させることができる。
下記表1に示す構成からなる試料1〜8の表面保護テープを準備して、それぞれの表面保護テープを用いて次に示す工程の処理を行った。
まず、直径8インチのシリコンウェハのパターン面側にウェハと略同径となるように表面保護テープを貼合し、バックグラインダー〔DFD8540(株式会社ディスコ製)〕にてウェハ厚が50μmになるまで研削した。次いで、研削されたウェハ裏面側にUV硬化型ダイシングテープ〔UC−353EP−110(古河電工製)〕を貼合し、リングフレームにて支持固定した。次いで表面保護テープから基材フィルムを引き剥がし、剥き出しになった粘着剤層の上からシリコンウェハのストリート部分に沿って、CO2レーザーで粘着剤層を除去してストリート部分を開口した。
上記表1に示す構成からなる試料1〜8の表面保護テープを用いて実施例1の一部を変更する処理を行った。
即ち、基材フィルムの引き剥がしの前に紫外線を照射して粘着剤層を硬化する処理を行った。その他の処理は実施例1と同様にした。
ピックアップ後のチップをチェックしたところ、試料1〜8のいずれの表面保護テープを用いて実験した例でもチッピングは観測されなかった。また、良好にピックアップすることができた。
上記表1に示す構成からなる試料1〜8の表面保護テープを用いて実施例1の一部を変更する処理を行った。
即ち、基材フィルムの引き剥がしの前にCO2レーザーで基材フィルムと粘着剤層を除去してストリート部分を開口してから、基材フィルムを除去し、その後プラズマダイシング処理を行った。その他の処理は実施例1と同様にした。
ピックアップ後のチップをチェックしたところ、試料1〜8のいずれの表面保護テープを用いて実験した例でもチッピングは観測されなかった。また、良好にピックアップすることができた。
上記表1に示す構成からなる試料1〜8の表面保護テープを用いて実施例3の一部を変更する処理を行った。
即ち、CO2レーザーを照射する前に紫外線を照射して粘着剤層を硬化する処理を行った。その他の処理は実施例3と同様にした。
ピックアップ後のチップをチェックしたところ、試料1〜8のいずれの表面保護テープを用いて実験した例でもチッピングは観測されなかった。また、良好にピックアップすることができた。
2 パターン面
3 表面保護テープ
3a 基材フィルム
3b 粘着剤層
4 ウェハ固定テープ
4a 粘着剤層または接着剤層
4b 基材フィルム
7 チップ
S 表面
B 裏面
M1 ウェハ研削装置
M2 ピン
M3 コレット
F リングフレーム
L CO2レーザー
P1 SF6ガスのプラズマ
P2 O2ガスのプラズマ
Claims (9)
- 半導体ウェハの処理方法であって、
(a)パターン面側に、基材フィルム上に粘着剤層を有する表面保護テープが貼合された状態で半導体ウェハの裏面を研削し、研削した裏面にウェハ固定テープを貼合して、リングフレームで支持固定する工程、
(b)前記半導体ウェハのストリートに相当する部分のCO2レーザーによる切断および前記基材フィルムの剥離を含む工程により、半導体ウェハのパターン面側からストリートを開口する工程、
(c)SF6プラズマにより半導体ウェハを前記ストリートで分断して半導体チップに個片化するプラズマダイシング工程、および、
(d)O2プラズマにより前記粘着剤層を除去するアッシング工程
を含むことを特徴とする半導体ウェハの処理方法。 - 前記(b)工程が、(i)半導体ウェハのパターン面に貼合した前記表面保護テープから前記基材フィルムを剥離して前記粘着剤層を表出させる工程、および、(ii)該表出した粘着剤層のうち半導体ウェハのストリートに相当する部分をCO2レーザーで切断して半導体ウェハのストリートを開口する工程であることを特徴とする請求項1に記載の半導体ウェハの処理方法。
- 前記(b)工程が、(iii)半導体ウェハのパターン面に貼合した前記表面保護テープのうち半導体ウェハのストリートに相当する部分をCO2レーザーで切断して半導体ウェハのストリートを開口する工程、および、(iv)該表面保護テープから前記基材フィルムを剥離して前記粘着剤層を表出させる工程であることを特徴とする請求項1に記載の半導体ウェハの処理方法。
- 前記基材フィルムを剥離する以前に紫外線を照射して前記粘着剤層を硬化させる工程を含むことを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載の半導体ウェハの処理方法。
- 前記(a)工程のウェハ固定テープが、ダイシングテープまたはダイシングダイボンディングテープであることを特徴とする請求項1〜4のいずれか1項に記載の半導体ウェハの処理方法。
- 前記(d)工程の後、ウェハ固定テープからチップをピックアップする工程を含むことを特徴とする請求項1〜5のいずれか1項に記載の半導体ウェハの処理方法。
- ピックアップしたチップをダイボンディング工程に移行する工程を含むことを特徴とする請求項6に記載の半導体ウェハの処理方法。
- 請求項1〜7のいずれか1項に記載の半導体ウェハの処理方法によって製造されてなることを特徴とする半導体チップ。
- 請求項1〜7のいずれか1項に記載の半導体ウェハの処理方法で用いることを特徴とする表面保護テープ。
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