JPH08179376A

JPH08179376A - カラー表示装置

Info

Publication number: JPH08179376A
Application number: JP33589294A
Authority: JP
Inventors: Hisashi Kadota; 久志門田; Shinji Nakamura; 真治中村; Takenobu Urazono; 丈展浦園; Yuko Inoue; 祐子井上; Masabumi Kunii; 正文国井
Original assignee: Sony Corp
Current assignee: Sony Corp
Priority date: 1994-12-22
Filing date: 1994-12-22
Publication date: 1996-07-12

Abstract

(57)【要約】【目的】オンチップカラーフィルタ構造の表示装置に
おいて、画素電極と薄膜トランジスタ間のコンタクト不
良を除去する。【構成】カラー表示装置は所定の間隙を介して接合し
た駆動基板０及び対向基板１２と、該間隙に保持された
液晶１４とを備えている。駆動基板０は格子配列した画
素開口部Ａと、個々の画素開口部を囲む非開口部Ｂとを
有する。画素開口部Ａには画素電極１が形成される一
方、非開口部Ｂには画素電極１を駆動する薄膜トランジ
スタＴＦＴが形成される。対向基板１２は画素電極１に
対面する対向電極１３を有する。駆動基板０には着色膜
からなるカラーフィルタ８，９，１０が形成されてい
る。この着色膜は格子状にパタニングされ、個々の画素
開口部Ａのみに配置し、非開口部Ｂからは除去されてい
る。着色膜はＴＦＴが属する下層と画素電極１が属する
上層との間に介在し、画素電極１は着色膜が除去された
非開口部Ｂに設けたコンタクトホールＣＯＮを通じて、
対応するＴＦＴに電気接続している。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明はカラー表示装置に関す
る。より詳しくは、画素電極を駆動するスイッチング素
子が形成された駆動基板にカラーフィルタを備えた構造
を有するアクティブマトリクス型のカラー表示装置に関
する。

【０００２】

【従来の技術】薄膜トランジスタを画素電極駆動用のス
イッチング素子として用いるカラー液晶表示装置は近年
その開発が活発に行なわれている。従来、この種のカラ
ー表示装置としては、例えば図４に示す様な構成が知ら
れている。この従来例では、ガラス等からなる透明基板
０上に透明な画素電極１を駆動する為の薄膜トランジス
タ（ＴＦＴ）が集積形成されている。ＴＦＴは半導体薄
膜２を素子領域とし、その上にはゲート絶縁膜１５を介
してゲート電極３がパタニング形成されている。半導体
薄膜２にはソース領域Ｓとドレイン領域Ｄが設けられて
いる。かかる構成を有するＴＦＴは第１層間絶縁膜４に
より被覆されている。この上には所定の形状にパタニン
グされた配線電極６が設けられており、コンタクトホー
ルを介してソース領域Ｓに電気接続している。この配線
電極６は信号線の一部を構成する。配線電極６は第２層
間絶縁膜５により被覆されている。第２層間絶縁膜５の
上には所定の形状にパタニングされた金属膜からなるブ
ラックマスク７が形成されている。これらＴＦＴ、配線
電極６、ブラックマスク７等は平坦化膜１１により被覆
されており、その上に前述した画素電極１がパタニング
形成されている。なお、画素電極１は平坦化膜１１、第
２層間絶縁膜５及び第１層間絶縁膜４に形成したコンタ
クトホールＣＯＮを介してＴＦＴのドレイン領域Ｄに電
気接続している。以下、ＴＦＴ等が集積形成された透明
基板０を駆動基板と呼ぶ事にする。

【０００３】この駆動基板０に対し所定の間隙を介して
ガラス等からなる他方の透明基板１２が接合している。
以下、この透明基板１２を対向基板と呼ぶ事にする。対
向基板１２の内表面には透明な対向電極１３が形成され
ている。両基板０，１２の間に液晶１４等の電気光学物
質が保持されている。対向基板１２の内表面には画素電
極１をＲＧＢ三原色に着色する為カラーフィルタ８，
９，１０が形成されている。カラーフィルタ８は例えば
赤色に着色され、カラーフィルタ９は緑色に着色され、
カラーフィルタ１０は青色に着色されている。

【０００４】図４に示す従来例では、駆動基板０側に画
素電極１が形成され、対向基板１２側にカラーフィルタ
８，９，１０が形成されている。この為、両基板を精密
にアライメントする必要がある。しかしながら、画素の
高精細化が進むにつれ精密なアライメントが困難になっ
ている。そこで、図５に示す様に、カラーフィルタ８，
９，１０を駆動基板０側に形成した、所謂オンチップカ
ラーフィルタ構造が開発されている。このオンチップカ
ラーフィルタ構造は、例えば特開平２−５４２１７号公
報、特開平３−２３７４３２号公報、特開平３−７２３
２２号公報、特開平３−１１９８２９号公報、特開平４
−２５３０２８号公報、特開平２−１５３３２５号公
報、特開平５−５８７４号公報等に開示されている。駆
動基板側にカラーフィルタを設けた構造は、対向基板側
にカラーフィルタを形成した構造に比べ種々の利点を有
している。例えば、カラーフィルタ８，９，１０が個々
の画素電極１と重なっている為、両者の間に視差が生ぜ
ず画素部の開口率を大きくとれる。又、画素電極１とカ
ラーフィルタ８，９，１０のアライメント誤差が殆どな
くなるので、画素部が微細化しても高開口率を維持でき
る。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】図６は、図５に示した
オンチップカラーフィルタ構造の模式的な平面図であ
る。信号線６ａが垂直方向にパタニングされ、ゲート線
３ａが水平方向にパタニングされている。信号線６ａと
ゲート線３ａの各交差部にＴＦＴが形成されている。
又、補助容量Ｃｓも形成されている。対応する画素電極
（図示せず）はコンタクトホールＣＯＮを介してＴＦＴ
に接続している。赤色のカラーフィルタ８は垂直方向に
ストライプ状に形成されている。緑色のカラーフィルタ
９もストライプ状に形成されている。図示しないが、青
色のカラーフィルタもストライプ状である。この様に、
従来のカラーフィルタは垂直方向に沿って連続的に形成
されている為、コンタクトホールＣＯＮを覆っている。
その為、画素電極はカラーフィルタに形成したコンタク
トホールＣＯＮを貫通してＴＦＴに電気接続する（図５
参照）。一般に、カラーフィルタは顔料を分散した有機
感光材料からなるカラーレジストを用いて形成されてい
る。フォトリソグラフィによりカラーレジストをストラ
イプ状にパタニングする際、同時にコンタクトホールＣ
ＯＮを開口している。しかしながら、カラーレジストに
はある程度の粒径を有する顔料が分散されている為、解
像度に不安があり微小なコンタクトホールＣＯＮを精密
にエッチングする事は困難である。コンタクトホールＣ
ＯＮ内にカラーレジストの残渣が残る為、接続不良とな
る可能性が高い。これを防ぐ為、コンタクトホールＣＯ
Ｎの開口寸法を大きくとると、画素開口率が犠牲になる
為、オンチップカラーフィルタ構造としたメリットが失
われる。

【０００６】

【課題を解決するための手段】上述した従来の技術の課
題を解決する為以下の手段を講じた。本発明にかかるカ
ラー表示装置は所定の間隙を介して接合した一対の透明
基板と該間隙に保持された電気光学物質（例えば液晶）
とを備えている。一方の透明基板（駆動基板）は格子配
列した画素開口部と個々の画素開口部を囲む非開口部と
を有する。画素開口部には透明電極（画素電極）が形成
される一方、非開口部には画素電極を駆動するスイッチ
ング素子（例えば薄膜トランジスタ）及び必要な配線
（信号線、ゲート線等）が形成されている。他方の透明
基板（対向基板）は画素電極に対面する別の透明電極
（対向電極）を有する。特徴事項として、駆動基板には
着色膜からなるカラーフィルタが形成されており、且つ
該着色膜は格子状にパタニングされ個々の画素開口部の
みに配置し非開口部からは除去されている。具体的に
は、前記着色膜はスイッチング素子が属する下層と画素
電極が属する上層との間に介在し、該画素電極は着色膜
が除去された非開口部に設けたコンタクトホールを通じ
て対応するスイッチング素子に電気接続している。又、
駆動基板には非開口部に形成した薄膜トランジスタから
なるスイッチング素子を被覆する様に遮光膜（ブラック
マスク）がパタニング形成されている。

【０００７】

【作用】ストライプ状にパタニングされた従来のカラー
フィルタと異なり、本発明ではカラーフィルタが格子状
にパタニングされている。換言すると、個々の画素開口
部のみに配置し、非開口部からは除去されている。この
非開口部には薄膜トランジスタ等のスイッチング素子が
形成されている。画素電極はこの非開口部に設けたコン
タクトホールを介して薄膜トランジスタに接続する。こ
の際、非開口部にはカラーフィルタが存在しないので、
その解像度を問題にする事なく精密なコンタクトホール
を形成できる。従って、従来問題となっていた画素電極
と薄膜トランジスタ間のコンタクト不良を有効に防止で
きる。

【０００８】

【実施例】以下、本発明にかかるカラー表示装置の好適
な実施例を詳細に説明する。図１は第１実施例の要部を
示す模式的な断面図である。図１において、０はガラス
等の透明絶縁材料からなる駆動基板、１は画素を構成す
る透明な画素電極、２はＴＦＴの活性層となる半導体薄
膜、３はゲート電極、４は第１層間絶縁膜、５は第２層
間絶縁膜、６はＴＦＴのソース領域Ｓに電気接続する信
号線側の配線電極、７はＴＦＴを被覆する遮光膜（ブラ
ックマスク）、８，９，１０は各々赤色、緑色、青色に
着色したカラーフィルタ、１１は平坦化膜、１２は対向
基板、１３は透明導電膜からなる対向電極、１４は電気
光学物質として用いられる液晶である。

【０００９】駆動基板０の上にＴＦＴを構成する半導体
薄膜２として、例えば多結晶シリコン薄膜が形成され、
この半導体薄膜２上にゲート絶縁膜１５を介してゲート
電極３がパタニング形成されている。かかる構成を有す
るＴＦＴはＰＳＧ等からなる第１層間絶縁膜４により被
覆されている。第１層間絶縁膜４の上にはソース領域Ｓ
に接続する配線電極６がパタニング形成されている。こ
の配線電極６は同じくＰＳＧ等からなる第２層間絶縁膜
５により被覆されている。この上には遮光膜７、カラー
フィルタ８，９，１０、平坦化膜１１、ＩＴＯ等の透明
導電膜からなる画素電極１がこの順序で形成されてい
る。ＴＦＴのドレイン領域Ｄは金属膜からなるブラック
マスク７を介して画素電極１と電気的に接続している。
ドレイン領域Ｄと画素電極１の間に介在するブラックマ
スク７はバリヤフィルムとして機能し、ドレイン領域Ｄ
と画素電極１との電気的な接触を良好なものとしてい
る。一方、対向電極１３が全面に形成されたガラス等か
らなる対向基板１２は駆動基板０に対向して配置され、
両基板０，１２間に液晶１４が保持されカラー表示装置
を構成する。

【００１０】以下、本発明の特徴点を説明する。駆動基
板０は格子配列した画素開口部Ａと個々の画素開口部Ａ
を囲む非開口部Ｂとを有する。画素開口部Ａには画素電
極１が形成される一方、非開口部Ｂには画素電極１を駆
動するＴＦＴ及び必要な配線が形成されている。駆動基
板０には着色膜からなるカラーフィルタ８，９，１０が
形成されている。この着色膜は格子状にパタニングさ
れ、個々の画素開口部Ａのみに配置し、非開口部Ｂから
は除去されている。この着色膜はＴＦＴが属する下層と
画素電極１が属する上層との間に介在し、画素電極１は
着色膜が除去された非開口部Ｂに設けたコンタクトホー
ルＣＯＮを通じて対応するＴＦＴのドレイン領域Ｄに電
気接続している。従って、コンタクトホールＣＯＮは平
坦化膜１１にエッチング形成されており、着色膜の解像
度は何等関係しない。なお、駆動基板０には非開口部Ｂ
に形成したＴＦＴを被覆する様にブラックマスク７がパ
タニング形成されている。以上の説明から明らかな様
に、画素開口部Ａは光透過性であり、非開口部Ｂは光不
透過性である。

【００１１】以上の特徴事項につき、図２を参照してさ
らに詳細に説明する。図示する様に、垂直方向に沿って
信号線６ａがパタニング形成されており、個々のＴＦＴ
のソース領域に電気接続する。又、水平方向にゲート線
３ａが形成されている。各信号線６ａとゲート線３ａの
交差部にＴＦＴが形成されている。前述した様に、個々
の画素開口部Ａは直交配置した信号線６ａ及びゲート線
３ａにより仕切られる様に格子配列している。個々の画
素開口部Ａを囲む様に非開口部Ｂが設けられている。画
素開口部Ａには画素電極（図示せず）が形成される一
方、非開口部ＢにはＴＦＴ、信号線６ａ、ゲート線３ａ
等が形成されている。特徴事項として、カラーフィルタ
８，９も格子状にパタニングされ、個々の画素開口部Ａ
のみに配置し、非開口部Ｂからは除去されている。従っ
て、画素電極は非開口部Ｂに設けたコンタクトホールＣ
ＯＮを通じて、カラーフィルタ８，９を介する事なく、
ＴＦＴのドレイン領域に電気接続可能である。なお、フ
ォトリソグラフィのアライメントずれ等を考慮して、カ
ラーフィルタ８，９の端部からコンタクトホールＣＯＮ
までは、１〜１０μｍ離す事が好ましい。図６に示した
従来例では、カラーフィルタ８，９がストライプ状に形
成されていたのに対し、図２に示す本発明ではカラーフ
ィルタ８，９が格子状に配列されている。垂直方向に隣
接するカラーフィルタの間にはブラックマスク７が介在
する。

【００１２】引き続き図１及び図２を参照して、本発明
にかかるカラー表示装置の製造方法を詳細に説明する。
先ず、ガラス等からなる透明基板０の上に半導体薄膜
２、例えば多結晶シリコンを７０〜１００nmの厚みで成
膜する。必要ならば、Ｓｉ＋イオンを打ち込み非晶質化
した後、６００℃程度で加熱処理（アニール）して大粒
径化を図る。あるいは、エキシマレーザ光を照射してア
ニールを行なっても良い。この半導体薄膜２は所定の形
状にパタニングされる。この上に熱酸化法あるいはＬＰ
ＣＶＤ法等の手段を用いてゲート絶縁膜１５を１０〜１
００nmの厚みで成膜する。次いで、多結晶シリコンある
いはＭｏＳｉ，ＷＳｉ，Ａｌ，Ｔａ，Ｍｏ／Ｔａ，Ｍ
ｏ，Ｗ，Ｔｉ，Ｃｒ等の金属を成膜し、パタニングして
ゲート電極３及びゲート線３ａに加工する。なお、ゲー
ト電極３として多結晶シリコンを用いた場合は低抵抗化
を図る為、Ｐ等を熱拡散する工程が入る事がある。この
後、ゲート電極３をマスクとしてイオンプランテーショ
ンあるいはイオンドーピングにより不純物イオンを打ち
込み、ソース領域Ｓ及びドレイン領域Ｄを形成する。多
結晶シリコンからなるゲート構造を採用した場合、１０
００℃程度の熱アニールを加え不純物の活性化を図る。
金属ゲート構造を採用した場合、耐熱性の観点から低温
アニール又はレーザアニールを加え不純物の活性化を図
る。

【００１３】続いて、ＰＳＧ，ＮＳＧ等を約６００nmの
厚みで常圧ＣＶＤ法により成膜し第１層間絶縁膜４とす
る。これにソース領域Ｓに連通するコンタクトホールを
開口する。次いで、Ａｌ等の導電性薄膜をスパッタ等に
より４００〜６００nmの厚みで成膜する。これを所定の
形状にパタニングし、配線電極６や信号線６ａに加工す
る。この上に、例えばＰＳＧ等を常圧ＣＶＤ法により約
４００nmの厚みで堆積し、第２層間絶縁膜５を形成す
る。この後、ＴＦＴの性能を改善する為水素化工程を行
なう。この水素化工程では、例えば水素プラズマ中に駆
動基板０を曝露する。あるいは、Ｐ−ＳｉＮ_x膜を積層
し、アニールして水素を半導体薄膜２に拡散させる。こ
の水素化工程後、画素電極との電気接続をとる為の開口
を第２層間絶縁膜５に設ける。この上に、遮光性を有す
る金属膜、例えばＴｉ，Ａｌ，ＴｉＮ_x，Ｍｏ，Ｃｒ，
Ｗ又はこれらのシリサイドをスパッタ等の手段により５
０〜１０００nm程度の厚みで成膜し、所定の形状にパタ
ニングしてブラックマスク７に加工する。

【００１４】このブラックマスク７上に、例えば顔料を
分散した有機感光材料からなるカラーレジストを０．５
〜３．０μｍ程度の膜厚で塗布し、露光、現像、焼成を
行ない、カラーフィルタ８，９，１０を形成する。この
工程は赤、緑、青毎に異なったカラーレジストを用い、
上述した露光、現像、焼成を３回繰り返し、ＲＧＢ三原
色のカラーフィルタ８，９，１０を集積形成する。この
際、各カラーフィルタ８，９，１０を格子状にパタニン
グし、画素開口部Ａにのみ残している。従って、非開口
部Ｂからは除去されている。

【００１５】このカラーフィルタ８，９，１０上に、有
機透明材料からなる平坦化膜１１をスピンコートし、
１．０〜３．０μｍ程度の膜厚で成膜する。この有機透
明材料としてはアクリル樹脂やポリイミド樹脂を用いる
事ができる。この工程で、駆動基板０上の凹凸が平坦化
され、液晶１４の配向性に優れた基板構造が得られる。
同時に、カラーフィルタ８，９，１０中に含まれる不純
物が液晶１４に拡散する事を防止できる。この後、平坦
化膜１１にコンタクトホールＣＯＮを開口する。前述し
た様に、このコンタクトホールＣＯＮはカラーフィルタ
から外れた位置に設けるので、微細化できる。次いで、
例えばＩＴＯ等からなる透明導電膜を５０〜２００nmの
厚みでスパッタ等により成膜し、所定の形状にパタニン
グして画素電極１に加工する。以上で駆動基板０の積層
構造が完成する。この後、配向膜を塗布しラビング処理
後、所定の間隙を介して対向基板１２と接合する。この
間隙に液晶１４を注入してアクティブマトリクス型のカ
ラー表示装置が完成する。

【００１６】図３は、本発明にかかるカラー表示装置の
第２実施例を示す模式的な部分断面図である。基本的に
は図１及び２に示した第１実施例と同様であり、対応す
る部分には対応する参照番号を付して理解を容易にして
いる。異なる点は、第１実施例がトップゲート型のＴＦ
Ｔを採用したのに対し、本実施例はボトムゲート型のＴ
ＦＴを画素電極駆動用のスイッチング素子に用いてい
る。この構造を作成する場合には以下の工程を行なう。
先ず、透明基板０上に多結晶シリコンあるいはＭｏＳ
ｉ，ＷＳｉ，Ａｌ，Ｔａ，Ｍｏ／Ｔａ，Ｍｏ，Ｗ，Ｔ
ｉ，Ｃｒ等の金属を成膜し、所定の形状にパタニングし
てゲート電極３やゲート線に加工する。このゲート電極
形成後、ＳｉＯ₂，ＳｉＯ_xＮ_y等をスパッタ法又はプ
ラズマＣＶＤ法等により約１００〜２００nmの厚みで成
膜し、ゲート絶縁膜１５とする。場合によっては、金属
ゲート電極３の陽極酸化膜をゲート絶縁膜に用いても良
い。あるいは、陽極酸化膜とＳｉＯ₂，ＳｉＯ_xＮ_y等
を重ねてゲート絶縁膜にしても良い。続いて、多結晶シ
リコン、非晶質シリコン等をスパッタ法、プラズマＣＶ
Ｄ法等により約３０〜８０nmの厚みで成膜し、活性層と
なる半導体薄膜２を設ける。必要ならば、エキシマレー
ザ等を照射し結晶化させる。プラズマＣＶＤ法を用いる
場合は、ゲート絶縁膜１５と半導体薄膜２を連続的に成
膜できる。半導体薄膜２を形成した後、ＳｉＯ₂を成膜
し所定の形状にパタニングして保護膜１６とする。これ
をマスクとしてイオンドーピング又はイオンインプラン
テーションにより不純物を半導体薄膜２に打ち込みソー
ス／ドレイン領域を形成する。イオン打ち込みに代え、
プラズマＣＶＤで形成したドープト非晶質シリコン等を
用い不純物拡散を行なっても良い。この様にして完成し
たボトムゲート型のＴＦＴを第１層間絶縁膜４で被覆す
る。これにコンタクトホールを開口した後、ＭｏＳｉ，
Ｗ，Ｓｉ，Ａｌ，Ｔａ，Ｍｏ／Ｔａ，Ｍｏ，Ｗ，Ｔｉ，
Ｃｒ等の金属膜を形成し、所定の形状にパタニングして
配線電極６に加工する。次いで、常圧ＣＶＤ法等により
第２層間絶縁膜５を形成する。この層間絶縁膜５にも予
めコンタクトホールを開口する。次いで、金属膜、例え
ばＴｉ，Ａｌ，ＴｉＮ_x，Ｍｏ，Ｃｒ，Ｗ又はこれ等の
金属シリサイド等をスパッタ法により５０〜１０００nm
程度の厚みで成膜し、所定の形状にパタニングしてブラ
ックマスク７に加工する。このブラックマスク７の上に
カラーフィルタ８，９を格子状にパタニング形成する。
この形成方法は第１実施例と同様である。さらに、カラ
ーフィルタ８，９を被覆する様に平坦化膜１１を成膜す
る。この平坦化膜１１を透明な有機感光材料で構成した
場合、精密なフォトリソグラフィによりコンタクトホー
ルＣＯＮを開口できる。カラーフィルタ８，９を構成す
るカラーレジストと異なり、平坦化膜１１を構成する有
機透明感光材料（例えばフォトレジスト）は顔料を含有
していない為解像度に何等問題はない。この後、透明導
電膜を成膜した後格子状にパタニングして画素電極１を
形成する。

【００１７】

【発明の効果】以上説明した様に、本発明によれば、カ
ラーフィルタは駆動基板上に格子状にパタニングされ、
個々の画素開口部のみに配置し、非開口部からは除去さ
れている。画素電極はカラーフィルタが除去された非開
口部に設けたコンタクトホールを通じて対応するスイッ
チング素子に電気接続している。従って、カラーフィル
タには何等コンタクトホールを開口する必要がないの
で、従来問題となっていた画素電極とスイッチング素子
との間のコンタクト不良を改善する事ができた。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明にかかるカラー表示装置の第１実施例を
示す模式的な断面図である。

【図２】図１に示した第１実施例の模式的な平面図であ
る。

【図３】本発明にかかるカラー表示装置の第２実施例を
示す模式的な部分断面図である。

【図４】従来のカラー表示装置の一例を示す模式的な部
分断面図である。

【図５】従来のカラー表示装置の他の例を示す模式的な
部分断面図である。

【図６】図５に示した従来のカラー表示装置の模式的な
部分平面図である。

【符号の説明】

０駆動基板１画素電極２半導体薄膜３ゲート電極４第１層間絶縁膜５第２層間絶縁膜６配線電極７ブラックマスク８カラーフィルタ９カラーフィルタ１０カラーフィルタ１１平坦化膜１２対向基板１３対向電極１４液晶

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者井上祐子東京都品川区北品川６丁目７番35号ソニー株式会社内 (72)発明者国井正文東京都品川区北品川６丁目７番35号ソニー株式会社内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】所定の間隙を介して接合した一対の透明
基板と該間隙に保持された電気光学物質とを備え、一方
の透明基板は格子配列した画素開口部と個々の画素開口
部を囲む非開口部とを有し、画素開口部には透明電極が
形成される一方非開口部には該透明電極を駆動するスイ
ッチング素子及び必要な配線が形成され、他方の透明基
板は該透明電極に対面する別の透明電極を有するカラー
表示装置であって、前記一方の透明基板には着色膜からなるカラーフィルタ
が形成されており、該着色膜は格子状にパタニングされ
個々の画素開口部のみに配置し非開口部からは除去され
ている事を特徴とするカラー表示装置。
【請求項２】前記着色膜はスイッチング素子が属する
下層と透明電極が属する上層との間に介在し、該透明電
極は着色膜が除去された非開口部に設けたコンタクトホ
ールを通じて対応するスイッチング素子に電気接続して
いる事を特徴とする請求項１記載のカラー表示装置。
【請求項３】前記一方の透明基板には非開口部に形成
した薄膜トランジスタからなるスイッチング素子を被覆
する様に遮光膜がパタニング形成されている事を特徴と
する請求項１記載のカラー表示装置。