JP4455840B2 - 液晶表示装置とその製造方法 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は液晶表示装置に係り、導電性カラーフィルターを含むCOT(color filter on TFT)構造の液晶表示装置とその製造方法に関する。
【0002】
【関連技術】
一般的に、液晶表示装置は液晶分子の光学的異方性と複屈折特性を利用して画像を表現するものであって、電界が印加されると液晶の配列が変わって、変わった液晶の配列方向によって光が透過する特性も変わる。
一般的に、液晶表示装置は、電界生成電極が各々形成されている二枚の基板を電極が形成されている面が向かい合うように配置して、両基板間に液晶物質を注入した後に、両電極間に電圧を印加して生成される電界により液晶分子を動くようにして、これにより変わる光の透過率により画像を表現する装置である。
【0003】
図1は、一般的な液晶表示装置を概略的に示した図面である。
図示したように、一般的なカラー液晶表示装置11は、上部基板5と下部基板22と両基板間に挿入された液晶14を含んでいる。上部基板5は赤、緑、青色のカラーフィルター8と各カラーフィルター8間に構成されたブラックマトリックス6を含んでおり、前記カラーフィルター8及びブラックマトリックス6の上部には共通電極18が蒸着により形成されている。
【0004】
下部基板22にはゲート配線13及びデータ配線15が交差して画素領域Pが定義されており、画素領域Pには画素電極17とスイッチング素子である薄膜トランジスタTがマトリックス形態で配置されている。すなわち、前記下部基板22はアレイ基板とも称するが、アレイ基板にはスイッチング素子である薄膜トランジスタTをマトリックス形態で配置して、このような多数の薄膜トランジスタTに交差してゲート配線13とデータ配線15が形成される。画素領域Pに形成される画素電極17にはインジウム−スズ−オキサイド(ITO)またはインジウム−ジンク−オキサイド(IZO)のように光の透過率が比較的優れた透明導電性金属を用いる。
【0005】
また、アレイ基板には前記画素電極17と並列に接続したストレージキャパシターCがゲート配線13の上部に構成され、このストレージキャパシターCの第1電極としてゲート配線13の一部を用い、また、第2電極としてソース電極及びドレイン電極と同一物質で同一層に形成されたアイランド状のキャパシター金属層30を用いる。この時、前記キャパシター金属層30は画素電極17と接触させて画素電極の信号を受けるように構成される。
【0006】
前述したようにカラーフィルター基板としての上部基板5とアレイ基板としての下部基板22とを合着して液晶パネルを製作する場合には、上部基板5と下部基板22の合着誤差による光漏れ不良などが発生する確率が非常に高い。
【0007】
以下、図2を参照して説明する。図2は図1のII−IIに沿って切断した断面図である。
先に図1で説明した通り、アレイ基板である下部基板22とカラーフィルター基板である上部基板5は離隔されて構成されており、上部基板5及び下部基板22間には液晶層14を配置する。アレイ基板22の上部にはゲート電極32とアクティブ層34とソース電極36とドレイン電極38を含む薄膜トランジスタTと、前記薄膜トランジスタTの上部にはこれを保護する保護膜40が構成される。ゲート電極32とアクティブ層34間にはゲート絶縁膜16が形成されている。ゲート電極32はゲート配線13から延びて形成されていて、ソース電極36はデータ配線15から延びて形成されている。また、ゲート電極32、ソース電極36及びドレイン電極38はすべて金属物質で形成してあり、アクティブ層34はシリコンで形成する。
【0008】
画素領域Pには前記薄膜トランジスタTのドレイン電極38と接触する透明画素電極17が構成されていて、画素電極17と並列に連結したストレージキャパシターCがゲート配線13の上部に構成される。ストレージキャパシターCはゲート配線13とキャパシター金属層30及びこれらの間に挿入されたゲート絶縁膜16で構成されている。ゲート配線13はストレージキャパシターCの第1電極の役割をして、キャパシター金属層30はストレージキャパシターCの第2電極の役割を遂行し、挿入されたゲート絶縁膜16は誘電層の役割を遂行する。
【0009】
前記上部基板5には前記ゲート配線13とデータ配線15と薄膜トランジスタTに対応してブラックマトリックス6が構成されており、下部基板22の画素領域Pに対応してカラーフィルター8が構成される。ブラックマトリックス6は図1のように上部基板5の全面に形成されてカラーフィルター8が画素領域Pに対応できるように開口部を持っている形状となっている。ブラックマトリックス6は液晶表示装置において光漏れ現象を防止して、薄膜トランジスタTに入射する外部光を遮断して光電流の発生を防止する役割をする。カラーフィルター8は各々赤、緑、青色を有しており、カラーフィルター8の下部には透明導電性物質からなる共通電極18を配置する。
【0010】
一方、透明画素電極17は、それぞれの赤、緑、青カラーフィルター8に一対で対応する。また、一般的なアレイ基板の構成は垂直クロストーク(crosstalk)を防止するために、画素電極17をデータ配線15と第1間隔Aだけ離隔して構成し、また、ゲート配線13とも第2間隔Bだけ離隔して構成する。
【0011】
データ配線15と画素電極17及びゲート配線13と画素電極17間の離隔間隔A、Bは、光漏れ現象が発生する領域であるために、上部カラーフィルター基板5に構成したブラックマトリックス6がこの部分を遮るように構成する。また、前記薄膜トランジスタTの上部に構成されたブラックマトリックス6は外部から照射された光が保護膜40を過ぎてアクティブ層34に影響を与えないようにするために光を遮断する役割をする。
ところが、前記上部基板5と下部基板22を合着する工程において中合着誤差(misalign)が発生する場合があるので、これを勘案して前記ブラックマトリックス6を設計する時に一定の値のマージンをおいて設計するために、それだけ液晶表示装置の開口率が低下する場合が発生する。また、マージンを越えた合着誤差が発生する場合、光漏れ領域A、Bがブラックマトリックス6にすべて遮られない光漏れ不良が発生する場合がたびたびある。このような場合には前記光漏れが外部に現れるために液晶表示装置の画質を低下させる問題がある。
【0012】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は前述したような問題を解決するために提案されたものであって、本発明を要約すればカラーフィルターを下部基板に構成してカラーフィルター間領域すなわち、薄膜トランジスタとゲート配線及びデータ配線の上部にブラックマトリックスを構成するものである。このような構成は高開口率の具現と同時に、工程の単純化による収率改善を目的とする。
【0013】
【課題を解決するための手段】
前述した目的を達成するための本発明による液晶表示装置用アレイ基板は、基板上に相互に交差して画素領域を定義するゲート配線及びデータ配線と;前記ゲート配線とデータ配線の交差地点に構成されてゲート電極とアクティブ層とソース電極とドレイン電極を含む薄膜トランジスタと;前記薄膜トランジスタとデータ配線とゲート配線の上部に構成された、前記ドレイン電極の一部を露出する不透明な有機膜であるブラックマトリックスと;前記露出されたドレイン電極と接触していて前記画素領域に構成された第1透明電極と;前記第1透明電極の上部の画素領域に構成されたカラーフィルターと;前記第1透明電極と接触していて前記カラーフィルターの上部に構成された第2透明電極を含むことを特徴とする。
【0014】
本発明の液晶表示装置用アレイ基板は、前記ゲート電極とアクティブ層間に形成された第1絶縁膜をさらに含み、前記薄膜トランジスタ上部及びブラックマトリックス上部から選択された一ケ所に第2絶縁層をさらに含むことを特徴とする。また、液晶表示装置用アレイ基板において、前記第1絶縁膜は無機絶縁物質で構成されており、この無機絶縁物質は窒化シリコン(SiNx)及び酸化シリコン(SiO2)のうちから選択された一つであることを特徴とする。本発明の液晶表示装置用アレイ基板は前記ゲート配線上部の前記第1絶縁膜上にキャパシター金属層をさらに含み、前記第1透明電極は前記キャパシター金属層にブラックマトリックスに形成されたストレージコンタクトホールを通して接触する。また、前記第1透明電極は前記ブラックマトリックスに形成されたドレインコンタクトホールを通してドレイン電極に接触させることができる。
【0015】
前記ブラックマトリックスは、前記ドレイン電極の一側を完全に露出するようにパターニングされて前記第1透明電極がドレイン電極と側面接触するようにすることもできる。
また、本発明の液晶表示装置用アレイ基板は、前記アクティブ層と前記ソース電極及びドレイン電極間にオーミックコンタクト層をさらに含む。また、前記第1透明電極は前記基板と直接接触するように形成することもできる。
【0016】
本発明の特徴による液晶表示装置用アレイ基板の製造方法は、基板上に相互に交差して画素領域を定義するゲート配線とデータ配線を形成する段階と;前記ゲート配線とデータ配線の交差地点に構成されていて、ゲート電極とアクティブ層とソース電極とドレイン電極を含む薄膜トランジスタを形成する段階と;前記薄膜トランジスターとデータ配線及びゲート配線の上部に配置して、ドレイン電極の一部を露出する不透明な有機膜であるブラックマトリックスを形成する段階と;前記露出されたドレイン電極と接触する第1透明電極を画素領域に形成する段階と;前記第1透明電極上部の画素領域に対応する部分にカラーフィルターを形成する段階と;前記第1透明電極層の一部と接触させてカラーフィルター上部に第2透明電極を形成する段階を含むことを特徴とする。
【0017】
本発明の液晶表示装置用アレイ基板製造方法は、前記ゲート電極と前記アクティブ層間に第1絶縁膜を形成する段階をさらに含み、前記薄膜トランジスタ上部及びブラックマトリックス上部から選択された一ケ所に第2絶縁層を形成する段階をさらに含むことを特徴とする。
【0018】
本発明の液晶表示装置用アレイ基板製造方法は、前記薄膜トランジスタ上部及びブラックマトリックス上部すべてに絶縁層を形成する段階をさらに含み、前記第1絶縁膜は無機絶縁物質からなることを特徴とする。前記無機絶縁物質は窒化シリコン(SiNx)及び酸化シリコン( SiO2)のうちから選択された一つである。
【0019】
本発明による液晶表示装置用アレイ基板製造方法は、前記ゲート配線上部の前記第1絶縁膜上にキャパシター金属層を形成する段階をさらに含む。前記第1透明電極は前記キャパシター金属層をブラックマトリックスに形成されたストレージコンタクトホールを通して接触し、または前記第1透明電極は前記ブラックマトリックスに形成されたドレインコンタクトホールを通してドレイン電極に接触する。
前記ブラックマトリックスは、前記ドレイン電極の一側を完全に露出するようにパターニングされて前記第1透明電極がドレイン電極と側面接触するように形成できる。また、本発明の液晶表示装置用アレイ基板製造方法は前記アクティブ層と前記ソース及びドレイン電極間にオーミックコンタクト層を形成する段階をさらに含むことを特徴とする。
【0020】
また、本発明の液晶表示装置用アレイ基板製造方法では前記第1透明電極は前記基板に直接接触することを特徴とする。また本液晶表示装置用アレイ基板製造方法において、前記第1透明電極及び第2透明電極を形成する段階は、基板の全面に第1透明導電性物質を蒸着する段階と;前記第1透明導電性物質の上部に第2透明導電性物質を蒸着する段階と;前記第1透明導電性物質及び第2透明導電性物質を同時にパターニングする段階を含むことを特徴とする。
【0021】
【発明の実施の形態】
以下、添附した図面を参照しながら、本発明による望ましい実施例を説明する。
【0022】
−−第1実施例−−
図3は、本発明による液晶表示装置用アレイ基板の構成を概略的に示した図面である。図3に示したように、ゲート配線102とデータ配線116を基板100上に交差させて構成している。ゲート配線102とデータ配線116の交差地点にはゲート電極104とアクティブ層108とソース電極112及びドレイン電極114を含む薄膜トランジスタTを構成する。前記ゲート配線102、データ配線116が交差して定義される画素領域Pにはドレイン電極114と接触する二重層の透明電極126、130と赤、緑、青色のカラーフィルター128a、128b、128cを構成する。
前記透明電極126、130は、二重層で構成され、このうち第1電極126はドレイン電極114と接触しながらカラーフィルター128a、128b、128cの下部に構成し、第2電極130はカラーフィルター128a、128b、128cの上部に構成する。すなわち、前記第2電極130は前記第1電極126を通してドレイン電極114と間接的に接触する形状である。また、前記第1透明電極126及び第2透明電極130はゲート配線102の上部に構成されたストレージキャパシターCと並列に連結する。ここで、ストレージキャパシターCはゲート配線102の一部を第1電極として、前記第1透明電極126及び第2透明電極130と連結しながら前記ソース電極112、ドレイン電極114と同一物質で同一層に形成されたキャパシター金属層118を第2電極とする。
【0023】
本発明によるCOT構造においては図示したように、前記薄膜トランジスタTのアレイの上部にブラックマトリックス120が構成され、画素領域Pに赤、緑、青色のカラーフィルター128a、128b、128cが構成された形態である。ブラックマトリックス120は光漏れ領域を遮る役割をし、ゲート配線102及びデータ配線116と薄膜トランジスタTに対応して構成する。前記ブラックマトリックス120は不透明な有機物質を塗布して形成し、光を遮断する役割と一緒に薄膜トランジスタTを保護する保護膜の役割をする。前述した構成において、前記第1透明電極126はカラーフィルター128a、128b、128cをパターニングする薬液から下部のゲート配線102を保護するために構成するものである。
【0024】
以下、図4Aないし図4Gを参照して本発明の第1実施例による液晶表示装置用アレイ基板の製造方法を説明する。図4Aないし図4Gは図3のIV−IVに沿って切断して本発明の第1実施例による工程順序によって示した工程断面図である。図4Aと図4Bはアレイ部を形成する工程であって、図4Cないし図4Gはアレイ部の上部にカラーフィルターを形成する工程である。
【0025】
図4Aに示したように、基板100の上部に導電性第1金属を蒸着してからパターニングして、ゲート配線102とゲート電極104を形成する。前記ゲート配線102とゲート電極104が形成された基板100の全面に窒化シリコン(SiNx)と酸化シリコン( SiO2)を含む無機絶縁物質グループのうちから選択された一つを蒸着して第1絶縁層であるゲート絶縁膜106を形成する。前記ゲート絶縁膜106上に純粋非晶質シリコン(a−Si:H)と不純物が含まれた非晶質シリコン(n+a−Si:H)を蒸着してからパターニングして、ゲート電極104上部のゲート絶縁膜106上にアクティブ層108とオーミックコンタクト層110を形成する。
【0026】
次に図4Bに示したように、前記アクティブ層108とオーミックコンタクト層110が形成された基板100の全面にクロム(Cr)、モリブデン(Mo)、銅(Cu)、タングステン(W)、タンタル(Ta)等を含む導電性金属グループのうちから選択された一つを蒸着して第2金属層をパターニングにより形成して、前記オーミックコンタクト層110と各々接触するソース電極112とドレイン電極114を形成する。同時に、ソース電極112と連結したデータ配線116を形成して、前記ゲート配線102の上部にアイランド状のキャパシター金属層118を形成する。前記ソース電極112は図3に示したようにデータ配線116から延びて形成されており、ドレイン電極114はアクティブ層108を挟んでソース電極112と一定間隔離隔されて形成されている。第2金属層をパターニングした後には、ソース電極112とドレイン電極114間に現れたオーミックコンタクト層110をエッチングしてチャンネル領域(channelregion)を形成する。
【0027】
したがって、薄膜トランジスタTは、ゲート電極104、アクティブ層108、オーミックコンタクト層110、ソース電極112及びドレイン電極114を含むようになり、ストレージキャパシターCはゲート配線102の一部とキャパシター金属層118及びその間のゲート絶縁膜106を含むようになる。
【0028】
前記ソース電極112及びドレイン電極114が形成された基板100の全面に窒化シリコン(SiN2)と酸化シリコン( SiO2)を含んだ無機絶縁物質グループのうちから選択された一つを蒸着して第2絶縁膜119を形成する。この時、第2絶縁膜119の機能は以後に形成される有機膜(図示せず)と前記アクティブ層108間に発生する接触不良を防止するための機能をする。第2絶縁膜119は前記有機膜とアクティブ層108間に接触不良が発生しないならばあえて形成する必要はない。
【0029】
前述したような工程を通して薄膜トランジスタアレイ部を形成する工程が完了したならば以下、図4Cないし図4Gの工程を通してカラーフィルターを形成する。
【0030】
図4Cに示したように、前記第2絶縁膜119上部に誘電率が低い不透明な有機物質を塗布して有機層120aを形成する。前記有機層120aは黒色顔料を含んでいて以後工程でブラックマトリックスとなる。
【0031】
図4Dに示したように、塗布された有機層120aをパターニングして、前記薄膜トランジスタTとデータ配線116及びゲート配線102の上部にブラックマトリックス120を形成する。ブラックマトリックス120は有機物であるために、薄膜トランジスタTを保護する役割をする。この時、前記薄膜トランジスタTを保護する保護膜としてブラックマトリックス120を用いないで誘電率が低い透明有機絶縁物質または無機絶縁物質を用いることができ、このような場合には上部基板に別途のブラックマトリックスを形成する。前述した薄膜トランジスタTを形成する工程において、前記薄膜トランジスタTのドレイン電極114を露出するドレインコンタクトホール122が形成され、画素領域Pに対応する部分はゲート絶縁膜106まで除去できるが、この部分のゲート絶縁膜は除去出来なくて残っている場合がある。また、この時キャパシター金属層118の一部を露出するストレージコンタクトホール124を形成する。
一方、図面上に図示しなかったが、ブラックマトリックス120上部には無機絶縁層を形成することができ、この無機絶縁層が形成されればドレイン電極を露出させるために別途のパターニング工程が追加される。
【0032】
次に、図4Eに示したように、前記ブラックマトリックス120が形成された基板100の全面にインジウム−スズ−オキサイド(ITO)とインジウム−ジンク−オキサイド(IZO)を含んだ透明導電性金属物質グループのうちから選択された一つを蒸着して第1透明電極層126を形成する。前記第1透明電極層126はドレインコンタクトホール122を通して露出されたドレイン電極114と接触して、同時にストレージコンタクトホール124を通してキャパシター金属層118と接触するように構成される。
第1透明電極層126は、以後に形成されるカラーフィルター(図示せず)をパターニングする薬液が下部のゲート絶縁膜106に浸透して、ゲート配線102及びゲート電極104に触れることを防止するためのものであって工程安全性のために形成するものである。前記薬液がゲート配線102及びゲート電極104に流れ込んでしまう理由はゲート絶縁膜106の蒸着不良のためであり、ゲート配線102及びゲート電極104の段差部分でゲート絶縁膜106の蒸着不良が頻繁に発生するようになるので、この部分にカラーフィルター(図示せず)をパターニングする薬液が流れ込んでしまう。すなわち、ゲート絶縁膜106に形成されることがあるピンホールやクラックを通してカラーフィルターを形成するために使われる薬液が入り込むことができ、この薬液はゲート配線102及びゲート電極104を腐蝕させる。これを防止するために第1透明電極層126をカラーフィルター形成前に前もって基板100の全面に形成するものである。
【0033】
前記第1透明電極層126を形成した後に図4Fに示したように、カラー樹脂を塗布して、多数の画素領域Pに赤色と緑色と青色のカラーフィルター128a、128b、128cを各々形成する。次に、前記カラーフィルター128a、128b、128cが形成された基板100の全面に前述したITOまたはIZOのような透明導電性金属物質で第2透明電極層130を形成する。前記第2透明電極層130はカラーフィルター128a、128b、128cが存在しない部分では下部の第1透明電極層126と接触して構成される。したがって、前記第2透明電極層130は第1透明電極層126を通して前記ドレイン電極114とキャパシター電極118と間接接触する形となる。
【0034】
次に、図4Gに示したように、前記第1透明電極層126と第2透明電極層130を同時にパターニングして画素領域ごとに独立的に構成された二重層の画素電極を形成する。すなわち、二重層の画素電極は第1画素電極126aと第2画素電極130aで構成された二重層構造であり、その間にはカラーフィルター128a、128b、128cが挿入された形状である。
上の説明では第1透明電極層126と第2透明電極層130が同時にパターニングされて二重層の画素電極を形成する例を説明したが、第1透明電極層126及び第2透明電極層130は各々別にパターニングすることができ、この時第1画素電極126aと第2画素電極130aは別々に形成される方式を取る。
【0035】
前述したような工程を通して本発明の第1実施例による液晶表示装置用アレイ基板を製作できる。本発明の第1実施例によるアレイ基板は従来と違ってブラックマトリックスとカラーフィルターを含んでいて高い開口率を有する液晶表示装置を形成できるようにする。また、二重層の画素電極を形成して、アレイ基板を製作する工程で工程安全性を向上させることができる。
【0036】
以下、第1実施例の変形例を第2実施例を通して説明する。
−−第2実施例−−
本発明の第2実施例は、前述した第1実施例の構成において、前記ドレイン電極と透明電極層の接触面積を広げるために(接触不良を防止するために)ドレイン電極の一部を完全に露出することを特徴とする。以下、図5Aないし図5Fを参照して説明する。
【0037】
図5Aに示したように、基板200の上部に導電性金属を蒸着してからパターニングして、ゲート配線202とゲート電極204を形成する。前記ゲート配線204とゲート電極202が形成された基板200の全面に窒化シリコン(SiNx)と酸化シリコン( SiO2)を含む無機絶縁物質グループのうちから選択された一つを蒸着して、第1絶縁層であるゲート絶縁膜206を形成する。
前記ゲート絶縁膜206上に純粋非晶質シリコン(a−Si:H)と不純物が含まれた非晶質シリコン(n+a−Si:H)を蒸着してからパターニングして、ゲート電極204上部のゲート絶縁膜206上にアクティブ層208とオーミックコンタクト層210を形成する。
【0038】
次に図5Bに示したように、前記アクティブ層208とオーミックコンタクト層210が形成された基板200の全面にクロム(Cr)、モリブデン(Mo)、銅(Cu)、タングステン(W)、タンタル(Ta)等を含む導電性金属グループのうちから選択された一つを蒸着してからパターニングして、前記オーミックコンタクト層210と各々接触するソース電極212とドレイン電極214を形成する。また、ソース電極212と接触するデータ配線216を形成して、前記ゲート配線202の上部にアイランド状のキャパシター金属層218を形成する。
【0039】
前記ソース電極212は、図3に示したようにデータ配線216から延びて形成されていて、ドレイン電極214はアクティブ層208を挟んでソース電極212と一定間隔離隔されて形成されている。第2金属層をパターニングした後には、ソース電極212とドレイン電極214間に現れたオーミックコンタクト層210をエッチングしてチャンネル領域を形成する。
上のような工程により薄膜トランジスタTとストレージキャパシターCを完成する。薄膜トランジスタTはゲート電極204、アクティブ層208、オーミックコンタクト層210、ソース電極212及びドレイン電極214を含むようになり、ストレージキャパシターCはゲート配線202の一部とキャパシター金属層218及びその間のゲート絶縁膜206を含むようになる。
前記ソース電極212及びドレイン電極214が形成された基板200の全面に窒化シリコン(SiN2)と酸化シリコン( SiO2)を含んだ無機絶縁物質グループのうちから選択された一つを蒸着して第2絶縁膜219を形成する。この時、第2絶縁膜219の機能は以後に形成される有機膜(図示せず)と前記アクティブ層208間に発生する接触不良を防止するための機能をする。前記第2絶縁膜219は有機膜とアクティブ層208との接触不良が発生しないならばあえて形成する必要はない。
【0040】
前述したような工程を通して薄膜トランジスタアレイ部を形成する工程が完了したならば以下、図5Cないし図5Fの工程を通してカラーフィルターを形成する。
図5Cに示したように、前記第2絶縁膜219上部に不透明な有機物質を塗布して有機層220aを形成する。前記有機層220aは黒色顔料を含んでいて、以後の工程によりブラックマトリックスとなる。前記有機層220aは前記薄膜トランジスタT及びストレージキャパシターCを外部環境及び衝撃から保護する役割を遂行する。この時、前記薄膜トランジスタTを保護する保護膜として有機層220aを用いないで誘電率が低い透明有機絶縁物質または無機絶縁物質を用いることができるが、このような場合には上部基板に別途のブラックマトリックスを形成する工程が必要になる。
【0041】
以後図5Dに示したように、前記有機層220aをパターニングして、前記薄膜トランジスタTとデータ配線216及びゲート配線202の上部にブラックマトリックス220を形成する。本発明の第2実施例においては前記ブラックマトリックス220形成時、図5Dのように薄膜トランジスタTのドレイン電極214は一部が完全に露出されるようにする。また、前記キャパシター金属層218の一部を露出するストレージコンタクトホール224を形成し、画素領域Pには第1絶縁膜及び第2絶縁膜までパターニングして基板200が露出されるようにする。ドレインコンタクトホール代わりにドレイン電極の一部を完全に露出させることによって、以後に形成される透明電極とドレイン電極との接触特性を大幅に向上させることができる。図5Dにおいては画素領域のゲート絶縁膜206までパターニングされるが、ゲート絶縁膜206はパターニング出来なくて画素領域にそのまま残っている場合がある。
【0042】
一方、図面上に図示しなかったが、ブラックマトリックス120上部には無機絶縁層を形成することができ、この無機絶縁層が形成されればドレイン電極を露出させるために別途のパターニング工程が追加される。
次に、前記ブラックマトリックス220が形成された基板200の全面にインジウム−スズ−オキサイド(ITO)とインジウム−ジンク−オキサイド(IZO)を含んだ透明導電性物質グループのうちから選択された一つを蒸着して第1透明電極層226を形成する。この時、前記第1透明電極層226は一部が完全に露出されたドレイン電極214と接触して、同時にストレージコンタクトホール224を通してキャパシター金属層218と接触しながら構成される。前記ドレイン電極214は一部が完全に露出された形状であるので第1実施例の構成のように一部だけ露出するコンタクトホールを形成する工程より前記ドレイン電極214と第1透明電極層226の接触特性が安定的である。
【0043】
詳細に説明すれば、一般的に不透明樹脂またはカラーフィルターをパターニングする工程のうち問題になることは、微少なコンタクトホールを形成することにおいて、他の物質とは違った工程上の難しさがある。したがって、コンタクトホールが詰まるコンタクトホール不良が頻繁に発生して、これを解決するために前で説明したようにドレイン電極214の一側面を全部露出する方法を用いればコンタクト不良を防止する良い方法になる。
【0044】
前記第1透明電極層226は、前に説明したように、以後に形成されるカラーフィルター(図示せず)をパターニングする薬液が下部のゲート絶縁膜206を浸透してゲート配線202及びゲート電極204に触れることを防止するためのものであって工程安全性のために形成するものである。前の第1実施例においても説明したように、前記薬液がゲート配線202及びゲート電極204に流れ込んでしまう理由はゲート絶縁膜206の蒸着不良のためであり、ゲート配線202及びゲート電極204の段差部分でゲート絶縁膜206の蒸着不良が頻繁に発生するため、この部分にカラーフィルター(図示せず)をパターニングする薬液が流れ込んでしまう。すなわち、ゲート絶縁膜206に形成されることがあるピンホールやクラックを通してカラーフィルターを形成するために使われる薬液が入り込むことができ、この薬液はゲート配線202及びゲート電極204を腐蝕させることができる。これを防止するために第1透明電極層226をカラーフィルター形成前に前もって基板200の全面に形成するものである。
【0045】
前記第1透明電極層226を形成した次に図5Eに示したように、カラー樹脂を塗布して多数の画素領域Pに赤色と緑色と青色のカラーフィルター228a、228b、228cを各々形成する。次に、前記カラーフィルター228a、228b、228cが形成された基板200の全面に前述したITO及びIZOのような透明導電性金属物質のうちから選択された一つで第2透明電極層230を形成する。前記第2透明電極層230はカラーフィルター228a、228b、228cが存在しない部分では下部の第1透明電極層226と接触して構成される。したがって、前記第2透明電極層230は第1透明電極層226を通して前記ドレイン電極214とキャパシター金属層218と接触するようになる。
【0046】
次に、図5Fに示したように、前記第1透明電極層226と第2透明電極層230を同時にパターニングして画素領域ごとに独立的にパターニングされた二重層の画素電極を形成する。すなわち、二重層の画素電極は第1透明電極層226でパターニングされた第1画素電極226aと第2透明電極層230でパターニングされた第2画素電極230aで構成されている。
【0047】
上の第2実施例の説明では第1透明電極層226と第2透明電極層230が同時にパターニングされて二重層の画素電極を形成する例を説明したが、第1透明電極層226及び第2透明電極層230は各々別にパターニングすることができ、この時第1画素電極226aと第2画素電極230aは別々に形成される方式を取る。
【0048】
前述した第1実施例と第2実施例の工程において、これまでとは違って前記薄膜トランジスタの上部に別途のマスク工程を必要とする保護膜を省略する代わりにブラックマトリックスを通して保護膜に代わるようにするために工程が単純化される長所がある。
【0049】
【発明の効果】
本発明によるCOT構造の液晶表示装置は、アレイ基板にカラーフィルターを形成するが、薄膜トランジスタを保護する保護膜を別途に形成することなく不透明な有機物質を用いて保護膜とブラックマトリックスを同時に具現するようにして、工程単純化と一緒に費用を節減する効果がある。また、ブラックマトリックスを設計する時の合着誤差のための工程マージンをおく必要がないので開口率を改善する効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】一般的な液晶表示装置の構成を概略的に示した図面である。
【図2】図1のII−II線に沿って切断して示した液晶表示装置の断面図である。
【図3】本発明によるCOT構造の液晶表示装置用アレイ基板の一部を概略的に示した平面図である。
【図4A】図3のIV−IV線に沿って切断して、本発明の第1実施例による工程順序によって示した工程断面図である。
【図4B】図3のIV−IV線に沿って切断して、本発明の第1実施例による工程順序によって示した工程断面図である。
【図4C】図3のIV−IV線に沿って切断して、本発明の第1実施例による工程順序によって示した工程断面図である。
【図4D】図3のIV−IV線に沿って切断して、本発明の第1実施例による工程順序によって示した工程断面図である。
【図4E】図3のIV−IV線に沿って切断して、本発明の第1実施例による工程順序によって示した工程断面図である。
【図4F】図3のIV−IV線に沿って切断して、本発明の第1実施例による工程順序によって示した工程断面図である。
【図4G】図3のIV−IV線に沿って切断して、本発明の第1実施例による工程順序によって示した工程断面図である。
【図5A】本発明の第2実施例によって図3のアレイ基板を製作する工程断面図を工程順序によって示した断面図である。
【図5B】本発明の第2実施例によって図3のアレイ基板を製作する工程断面図を工程順序によって示した断面図である。
【図5C】本発明の第2実施例によって図3のアレイ基板を製作する工程断面図を工程順序によって示した断面図である。
【図5D】本発明の第2実施例によって図3のアレイ基板を製作する工程断面図を工程順序によって示した断面図である。
【図5E】本発明の第2実施例によって図3のアレイ基板を製作する工程断面図を工程順序によって示した断面図である。
【図5F】本発明の第2実施例によって図3のアレイ基板を製作する工程断面図を工程順序によって示した断面図である。
【符号の説明】
100:基板
102:ゲート配線
104:ゲート電極
106:ゲート絶縁膜(第1絶縁膜)
108:アクティブ層
110:オーミックコンタクト層
112:ソース電極
114:ドレイン電極
116:データ配線
118:キャパシター金属層
119:第2絶縁膜
120:ブラックマトリックス
126:第1透明電極層
128a、128b、128c:カラーフィルター
130:第2透明電極層
Claims (12)
- 基板上に相互に交差して画素領域を定義するゲート配線とデータ配線を形成する段階と;
前記ゲート配線とデータ配線の交差地点に構成された、ゲート電極とアクティブ層とソース電極とドレイン電極を含む薄膜トランジスタを形成する段階と;
前記薄膜トランジスタとデータ配線及びゲート配線の上部に配置した、ドレイン電極の一部を露出する不透明な有機膜であるブラックマトリックスを形成する段階と;
第1透明金属電極層を、前記ブラックマトリックスを有する基板の全面に蒸着する段階と;
前記第1透明金属電極層上部の画素領域に対応する部分にカラーフィルターを形成する段階と;
前記第1透明金属電極層の表面全体であり且つ前記カラーフィルター上部に第2透明金属電極層を蒸着する段階と、
第1及び第2の透明電極を形成するために、前記第1及び第2透明金属電極層を単一のマスク処理を用いて同時にパターンニングする段階とを含み、
前記第1透明電極は前記基板に直接接触し、そして前記第1及び第2透明電極は前記カラーフィルターを取り囲むことを特徴とする液晶表示装置用アレイ基板製造方法。 - 前記ゲート電極と前記アクティブ層間に第1絶縁膜を形成する段階をさらに含むことを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置用アレイ基板製造方法。
- 前記薄膜トランジスタ上部及び前記ブラックマトリックス上部のいずれかに第2絶縁層を形成する段階をさらに含むことを特徴とする請求項2に記載の液晶表示装置用アレイ基板製造方法。
- 前記薄膜トランジスタ上部及び前記ブラックマトリックス上部の双方に絶縁層を形成する段階をさらに含むことを特徴とする請求項2に記載の液晶表示装置用アレイ基板製造方法。
- 前記第1絶縁膜は、無機絶縁物質からなることを特徴とする請求項2に記載の液晶表示装置用アレイ基板製造方法。
- 前記無機絶縁物質は、窒化シリコン(SiNx)及び酸化シリコン(SiO2)のうちから選択された一つであることを特徴とする請求項5に記載の液晶表示装置用アレイ基板製造方法。
- 前記ゲート配線上部の前記第1絶縁膜上にキャパシター金属層を形成する段階をさらに含むことを特徴とする請求項2に記載の液晶表示装置用アレイ基板製造方法。
- 前記第1透明電極は、前記キャパシター金属層にブラックマトリックスに形成されたストレージコンタクトホールを通して接触することを特徴とする請求項7に記載の液晶表示装置用アレイ基板製造方法。
- 前記第1透明電極は、前記ブラックマトリックスに形成されたドレインコンタクトホールを通してドレイン電極に接触することを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置用アレイ基板製造方法。
- 前記ブラックマトリックスは、前記ドレイン電極の一側を完全に露出するようにパターニングされて前記第1透明電極がドレイン電極と側面接触するよう形成することを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置用アレイ基板製造方法。
- 前記アクティブ層と前記ソース電極及びドレイン電極間にオーミックコンタクト層を形成する段階をさらに含むことを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置用アレイ基板製造方法。
- 前記第1透明電極は、前記基板を直接接触することを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置用アレイ基板製造方法。
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