JPH0817574A - 薄膜電場発光素子の製造方法 - Google Patents
薄膜電場発光素子の製造方法Info
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- JPH0817574A JPH0817574A JP6151387A JP15138794A JPH0817574A JP H0817574 A JPH0817574 A JP H0817574A JP 6151387 A JP6151387 A JP 6151387A JP 15138794 A JP15138794 A JP 15138794A JP H0817574 A JPH0817574 A JP H0817574A
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- H05B33/14—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the chemical or physical composition or the arrangement of the electroluminescent material, or by the simultaneous addition of the electroluminescent material in or onto the light source
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- C09K11/572—Chalcogenides
- C09K11/574—Chalcogenides with zinc or cadmium
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- C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
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Abstract
(57)【要約】
【目的】発光層の製法に改良を加え発光輝度に優れる薄
膜電場発光素子を得る。 【構成】発光中心となるドーパントを添加した硫化亜鉛
ＺｎＳ薄膜を成膜する際に、ガス導入口１３より硫化水
素とアルゴンガスの混合ガスを導入し、亜鉛とドーパン
トのターゲット８をアルゴンガスによりスパッタすると
ともにガラス基板１の温度を３８０〜４８０℃の範囲に
維持してスパッタされた亜鉛とドーパントの蒸気と硫化
水素ガスと反応させ発光層をガラス基板１の上に成膜す
る。
膜電場発光素子を得る。 【構成】発光中心となるドーパントを添加した硫化亜鉛
ＺｎＳ薄膜を成膜する際に、ガス導入口１３より硫化水
素とアルゴンガスの混合ガスを導入し、亜鉛とドーパン
トのターゲット８をアルゴンガスによりスパッタすると
ともにガラス基板１の温度を３８０〜４８０℃の範囲に
維持してスパッタされた亜鉛とドーパントの蒸気と硫化
水素ガスと反応させ発光層をガラス基板１の上に成膜す
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は薄膜電場発光素子の発
光層の製造方法に係り、特に発光輝度に優れる発光層の
製造方法に関する。
光層の製造方法に係り、特に発光輝度に優れる発光層の
製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】最近、高解像度および大容量表示が可能
な平面型表示素子として全固体素子である薄膜電場発光
素子が注目されている。図７は薄膜電場発光素子を示す
断面図である。薄膜電場発光素子は図に示すようにガラ
ス基板１上に透明電極２、第１の絶縁層３、発光層４、
第２の絶縁層５、および裏面電極６を積層した２重絶縁
構造をしている。この中で薄膜電場発光素子の発光層
は、硫化亜鉛（ＺｎＳ）を母材とし、その中に少量の発
光中心（Ｍｎ）を添加した材料で構成されている。
な平面型表示素子として全固体素子である薄膜電場発光
素子が注目されている。図７は薄膜電場発光素子を示す
断面図である。薄膜電場発光素子は図に示すようにガラ
ス基板１上に透明電極２、第１の絶縁層３、発光層４、
第２の絶縁層５、および裏面電極６を積層した２重絶縁
構造をしている。この中で薄膜電場発光素子の発光層
は、硫化亜鉛（ＺｎＳ）を母材とし、その中に少量の発
光中心（Ｍｎ）を添加した材料で構成されている。
【０００３】現在この様な薄膜電場発光素子の発光層の
製造方法は、真空蒸着法、ＣＶＤ法の１つであるＡＬＥ
法、およびスパッタリング法などが検討されている。こ
の中で、スパッタリング法は、大面積で均一な膜が成膜
でき、さらに成膜速度が非常に速いため生産性に優れた
製造方法である。
製造方法は、真空蒸着法、ＣＶＤ法の１つであるＡＬＥ
法、およびスパッタリング法などが検討されている。こ
の中で、スパッタリング法は、大面積で均一な膜が成膜
でき、さらに成膜速度が非常に速いため生産性に優れた
製造方法である。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながらスパッタ
リング法で薄膜電場発光素子の発光層を作製する場合に
はその発光輝度が低いという問題点があった（ACTA POL
YTECHNICA SCANDINAVICAApplied Physics Series No.17
0 "5th International Workshop on Electroluminescen
ce" pp41〜48) 。
リング法で薄膜電場発光素子の発光層を作製する場合に
はその発光輝度が低いという問題点があった（ACTA POL
YTECHNICA SCANDINAVICAApplied Physics Series No.17
0 "5th International Workshop on Electroluminescen
ce" pp41〜48) 。
【０００５】この原因を検討したところ構成元素である
亜鉛Ｚｎ、硫黄Ｓ、マンガンＭｎはスパッタ率や蒸気圧
などの物理的特性が異なるために成膜した膜の組成はタ
ーゲットの組成と大きく異なり、ストイキオメトリが化
学量論組成からずれて輝度低下をもたらすことがわかっ
た。この対策として反応性スパッタリングによる硫化亜
鉛ＺｎＳ発光層の成膜を検討して発光輝度が改善される
ことを見出した。しかし発光層の成膜に際して基板温度
を従来の条件である３００〜３５０℃に設定して成膜す
ると、発光輝度は改善されるものの成膜初期に結晶粒径
の小さい領域であるデッドレイヤーが約１００ｎｍ程度
の厚さで生成し、さらに発光層の結晶粒径も約２６０ｎ
ｍ程度と小さいために実用的に使用可能なレベルの発光
輝度が得られないという問題があった。デッドレイヤー
が存在しまた結晶粒径が小さいと電子の加速が阻害され
ドーパントの励起が不充分で発光輝度が小さくなる。
亜鉛Ｚｎ、硫黄Ｓ、マンガンＭｎはスパッタ率や蒸気圧
などの物理的特性が異なるために成膜した膜の組成はタ
ーゲットの組成と大きく異なり、ストイキオメトリが化
学量論組成からずれて輝度低下をもたらすことがわかっ
た。この対策として反応性スパッタリングによる硫化亜
鉛ＺｎＳ発光層の成膜を検討して発光輝度が改善される
ことを見出した。しかし発光層の成膜に際して基板温度
を従来の条件である３００〜３５０℃に設定して成膜す
ると、発光輝度は改善されるものの成膜初期に結晶粒径
の小さい領域であるデッドレイヤーが約１００ｎｍ程度
の厚さで生成し、さらに発光層の結晶粒径も約２６０ｎ
ｍ程度と小さいために実用的に使用可能なレベルの発光
輝度が得られないという問題があった。デッドレイヤー
が存在しまた結晶粒径が小さいと電子の加速が阻害され
ドーパントの励起が不充分で発光輝度が小さくなる。
【０００６】図６は従来の薄膜電場発光素子の要部を示
す断面図である。発光層にデッドレイヤー４Ａが発生し
ている。この発明は上述の点に鑑みてなされ、その目的
は反応性スパッタリングにおける基板温度に改良を加え
ることにより発光層生成の初期にみられるデッドレイヤ
ーの発生を防ぐとともに発光層成膜の際の硫化亜鉛結晶
粒径を大きくして発光輝度に優れる薄膜電場発光素子を
提供することにある。
す断面図である。発光層にデッドレイヤー４Ａが発生し
ている。この発明は上述の点に鑑みてなされ、その目的
は反応性スパッタリングにおける基板温度に改良を加え
ることにより発光層生成の初期にみられるデッドレイヤ
ーの発生を防ぐとともに発光層成膜の際の硫化亜鉛結晶
粒径を大きくして発光輝度に優れる薄膜電場発光素子を
提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上述の目的はこの発明に
よれば発光中心となるドーパントを添加した硫化亜鉛Ｚ
ｎＳ薄膜を発光層として用いる薄膜電場発光素子の製造
方法において、亜鉛とドーパントをスパッタするととも
に基板温度を３８０〜４８０℃の範囲に維持して硫黄元
素を含むガスと希ガスとの混合ガスを用い反応性スパッ
タリング法により発光層を成膜するとすることにより達
成される。
よれば発光中心となるドーパントを添加した硫化亜鉛Ｚ
ｎＳ薄膜を発光層として用いる薄膜電場発光素子の製造
方法において、亜鉛とドーパントをスパッタするととも
に基板温度を３８０〜４８０℃の範囲に維持して硫黄元
素を含むガスと希ガスとの混合ガスを用い反応性スパッ
タリング法により発光層を成膜するとすることにより達
成される。
【０００８】上述の薄膜電場発光素子の製造方法におい
てドーパントはマンガン，マンガン硫化物あるいはマン
ガンハロゲン化物あるいは希土類元素，希土類硫化物あ
るいは希土類ハロゲン化物であるとすることが有効であ
る。さらに硫黄元素を含むガスと希ガスとの混合ガスは
硫化水素とアルゴンの混合ガスであるとすることが好ま
しい。
てドーパントはマンガン，マンガン硫化物あるいはマン
ガンハロゲン化物あるいは希土類元素，希土類硫化物あ
るいは希土類ハロゲン化物であるとすることが有効であ
る。さらに硫黄元素を含むガスと希ガスとの混合ガスは
硫化水素とアルゴンの混合ガスであるとすることが好ま
しい。
【０００９】
【作用】亜鉛Ｚｎ，硫黄Ｓ各元素の融点はＺｎ＝４２０
℃、Ｓ＝１２０℃であるが、通常成膜が困難と考えられ
る亜鉛の融点付近以上に基板温度を設定すると基板温度
が高いために結晶の成長速度が大きくなり、さらに過剰
の亜鉛や硫黄が蒸発し易くなる。
℃、Ｓ＝１２０℃であるが、通常成膜が困難と考えられ
る亜鉛の融点付近以上に基板温度を設定すると基板温度
が高いために結晶の成長速度が大きくなり、さらに過剰
の亜鉛や硫黄が蒸発し易くなる。
【００１０】
実施例１ 図１はこの発明の実施例に係る薄膜電場発光素子を作製
するスパッタリング装置を示す配置図である。同図にお
いてターゲット８を被着した陰極９は、マッチング回路
１２を介して13.56MHzのＲＦ電源１１に接続されてい
る。一方陽極１０はターゲットと対向する位置にあり、
基板１は陽極１０に載置される。
するスパッタリング装置を示す配置図である。同図にお
いてターゲット８を被着した陰極９は、マッチング回路
１２を介して13.56MHzのＲＦ電源１１に接続されてい
る。一方陽極１０はターゲットと対向する位置にあり、
基板１は陽極１０に載置される。
【００１１】図５はこの発明の実施例に係る薄膜電場発
光素子の要部を示す断面図である。透明電極２であるＩ
ＴＯを1700Åの厚さに成膜し、酸化珪素または窒化珪素
よりなる第１の絶縁膜２を2100Å、発光層４を7000Å、
窒化珪素または酸化珪素よりなる第２の絶縁膜５を2100
Å、アルミニウムよりなる背面電極６を7000Åの厚さに
順次積層した。
光素子の要部を示す断面図である。透明電極２であるＩ
ＴＯを1700Åの厚さに成膜し、酸化珪素または窒化珪素
よりなる第１の絶縁膜２を2100Å、発光層４を7000Å、
窒化珪素または酸化珪素よりなる第２の絶縁膜５を2100
Å、アルミニウムよりなる背面電極６を7000Åの厚さに
順次積層した。
【００１２】発光層の成膜は、ターゲットとしては亜鉛
にマンガンを添加し、ターゲット中のＭｎ濃度〔Ｍｎ／
（Ｚｎ＋Ｍｎ）〕として０．３wt％となるように調整し
たものを用いた。スパッタリングガスは硫黄元素を含む
ガスと希ガスの混合ガスであり、ガス導入口１３より２
０〜４０％の硫化水素を添加したアルゴンガスを反応室
１４内に導入した。スパッタリング条件としては、ガス
圧力１０mTorr 、基板温度３５０〜５００℃、放電電力
３W/cm2 に調整した。この条件ではターゲット表面は硫
化され亜鉛のスパッタレートが小さくなり、化学量論組
成に近い硫化亜鉛膜が得られる。発光層は成膜後にさら
に５００℃の温度で熱処理を行った。
にマンガンを添加し、ターゲット中のＭｎ濃度〔Ｍｎ／
（Ｚｎ＋Ｍｎ）〕として０．３wt％となるように調整し
たものを用いた。スパッタリングガスは硫黄元素を含む
ガスと希ガスの混合ガスであり、ガス導入口１３より２
０〜４０％の硫化水素を添加したアルゴンガスを反応室
１４内に導入した。スパッタリング条件としては、ガス
圧力１０mTorr 、基板温度３５０〜５００℃、放電電力
３W/cm2 に調整した。この条件ではターゲット表面は硫
化され亜鉛のスパッタレートが小さくなり、化学量論組
成に近い硫化亜鉛膜が得られる。発光層は成膜後にさら
に５００℃の温度で熱処理を行った。
【００１３】このようにして得られた発光層はその結晶
粒径が約４５０ｎｍと大きく、基板温度が３８０〜４８
０℃の広い範囲で２００ｃｄ／ｍ2 以上の高い発光輝度
を示した。この値は従来の基板温度３５０℃の条件で成
膜した場合の２倍の発光輝度である。図４はこの発明の
実施例に係る薄膜電場発光素子につき発光輝度の基板温
度依存性を示す線図である。
粒径が約４５０ｎｍと大きく、基板温度が３８０〜４８
０℃の広い範囲で２００ｃｄ／ｍ2 以上の高い発光輝度
を示した。この値は従来の基板温度３５０℃の条件で成
膜した場合の２倍の発光輝度である。図４はこの発明の
実施例に係る薄膜電場発光素子につき発光輝度の基板温
度依存性を示す線図である。
【００１４】基板温度が３８０℃以上で発光輝度が約２
００ｃｄ／ 以上になっていることがわかる。基板温度
が高いために結晶の成長速度が大きくなりさらに過剰の
亜鉛や硫黄が蒸発する。このようにして第１の絶縁層の
表面より約４５０ｎｍ程度の大きな結晶が直接に成長し
てデッドレイヤーもなくなり、結晶のストイキオメトリ
も化学量論組成に制御される。実施例２図２はこの発明
の異なる実施例に係る製造方法のターゲットを示し、図
（ａ）は平面図、図（ｂ）は断面図である。亜鉛のター
ゲット４１の中にフッ化テルビウムTbF3４２が配置され
ている。
００ｃｄ／ 以上になっていることがわかる。基板温度
が高いために結晶の成長速度が大きくなりさらに過剰の
亜鉛や硫黄が蒸発する。このようにして第１の絶縁層の
表面より約４５０ｎｍ程度の大きな結晶が直接に成長し
てデッドレイヤーもなくなり、結晶のストイキオメトリ
も化学量論組成に制御される。実施例２図２はこの発明
の異なる実施例に係る製造方法のターゲットを示し、図
（ａ）は平面図、図（ｂ）は断面図である。亜鉛のター
ゲット４１の中にフッ化テルビウムTbF3４２が配置され
ている。
【００１５】装置は実施例１と同様な装置を用いた。こ
こで用いるターゲットは、ＺｎにＴｂＦ3 を適当に配置
し、ターゲット表面として平均Ｔｂ濃度〔Ｔｂ／（Ｚｎ
＋Ｔｂ）〕を２．５wt％程度に調整した。スパッタリン
グ条件は、硫化水素４０％を添加したアルゴンガスを用
い、ガス圧力１０mTorr 、基板温度４００℃、放電電力
３W/cm2 である。成膜後発光層は６００℃の温度で熱処
理を行った。
こで用いるターゲットは、ＺｎにＴｂＦ3 を適当に配置
し、ターゲット表面として平均Ｔｂ濃度〔Ｔｂ／（Ｚｎ
＋Ｔｂ）〕を２．５wt％程度に調整した。スパッタリン
グ条件は、硫化水素４０％を添加したアルゴンガスを用
い、ガス圧力１０mTorr 、基板温度４００℃、放電電力
３W/cm2 である。成膜後発光層は６００℃の温度で熱処
理を行った。
【００１６】結晶粒径の大きな発光層が得られており、
発光輝度の高い薄膜薄膜電場発光素子が得られた。希土
類元素としてはＴｂを用いているが、希土類元素として
はＴｂに限らずＳｍ，Ｔｍ，Ｐｒ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｄｙ，
Ｅｕ，Ｃｅなども同様に使用できる。図３はこの発明の
異なる実施例に係る製造方法につき異なるターゲットを
示す平面図である。Ｚｎターゲットに上記の濃度になる
ようにＴｂを配置した、いわゆるモザイクターゲットで
ある。実施例３スパッタリングガスとして、硫化水素と
アルゴンガスの混合ガスに替えて硫黄蒸気とアルゴンガ
スの混合ガスを用いる他は実施例１と同様にして成膜を
行った。
発光輝度の高い薄膜薄膜電場発光素子が得られた。希土
類元素としてはＴｂを用いているが、希土類元素として
はＴｂに限らずＳｍ，Ｔｍ，Ｐｒ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｄｙ，
Ｅｕ，Ｃｅなども同様に使用できる。図３はこの発明の
異なる実施例に係る製造方法につき異なるターゲットを
示す平面図である。Ｚｎターゲットに上記の濃度になる
ようにＴｂを配置した、いわゆるモザイクターゲットで
ある。実施例３スパッタリングガスとして、硫化水素と
アルゴンガスの混合ガスに替えて硫黄蒸気とアルゴンガ
スの混合ガスを用いる他は実施例１と同様にして成膜を
行った。
【００１７】このようにして得られた発光層はその結晶
粒径が約４３０ｎｍと大きく、基板温度が３８０〜４８
０℃の広い範囲で２００ｃｄ／ｍ2 以上の高い発光輝度
を示した。この値は従来の基板温度３５０℃の条件で成
膜した場合の約２倍の発光輝度である。スパッタリング
ガスは上記の他に六フッ化硫黄等を用いることができ
る。
粒径が約４３０ｎｍと大きく、基板温度が３８０〜４８
０℃の広い範囲で２００ｃｄ／ｍ2 以上の高い発光輝度
を示した。この値は従来の基板温度３５０℃の条件で成
膜した場合の約２倍の発光輝度である。スパッタリング
ガスは上記の他に六フッ化硫黄等を用いることができ
る。
【００１８】
【発明の効果】この発明によれば基板温度を３８０〜４
８０℃の範囲に維持して硫黄元素を含むガスと希ガスと
の混合ガスを用い反応性スパッタリング法により発光層
を成膜するので、デッドレイヤーが生成しない上に結晶
粒径の大きい発光層が得られ、さらに結晶の組成も化学
量論組成に制御される結果発光輝度が従来の約２倍の薄
膜電場発光素子が得られる。
８０℃の範囲に維持して硫黄元素を含むガスと希ガスと
の混合ガスを用い反応性スパッタリング法により発光層
を成膜するので、デッドレイヤーが生成しない上に結晶
粒径の大きい発光層が得られ、さらに結晶の組成も化学
量論組成に制御される結果発光輝度が従来の約２倍の薄
膜電場発光素子が得られる。
【図１】この発明の実施例に係る薄膜電場発光素子を作
製するスパッタリング装置を示す配置図
製するスパッタリング装置を示す配置図
【図２】この発明の異なる実施例に係る製造方法のター
ゲットを示し、図（ａ）は平面図、図（ｂ）は断面図
ゲットを示し、図（ａ）は平面図、図（ｂ）は断面図
【図３】この発明の異なる実施例に係る製造方法につき
他のターゲットを示す平面図
他のターゲットを示す平面図
【図４】この発明の実施例に係る薄膜電場発光素子につ
き発光輝度の基板温度依存性を示す線図
き発光輝度の基板温度依存性を示す線図
【図５】この発明の実施例に係る薄膜電場発光素子の要
部を示す断面図
部を示す断面図
【図６】従来の薄膜電場発光素子の要部を示す断面図
【図７】薄膜電場発光素子を示す断面図
１ ガラス基板 ２ 透明電極 ３ 第１の絶縁層 ４ 発光層 ４Ａ 発光層 ５ 第２の絶縁層 ６ 背面電極 ７ 駆動電源 ８ ターゲット ９ 陰極 １０ 陽極 １１ ＲＦ電源 １２ 整合回路 １３ ガス導入管 １４ 反応室 ４１ 亜鉛 ４２ フッ化テルビウム
フロントページの続き (72)発明者 辻 崇 神奈川県川崎市川崎区田辺新田１番１号 富士電機株式会社内 (72)発明者 寺尾 豊 神奈川県川崎市川崎区田辺新田１番１号 富士電機株式会社内
Claims (4)
- 【請求項１】発光中心となるドーパントを添加した硫化
亜鉛ＺｎＳ薄膜を発光層として用いる薄膜電場発光素子
の製造方法において、亜鉛とドーパントをスパッタする
とともに基板温度を３８０〜４８０℃の範囲に維持して
硫黄元素を含むガスと希ガスとの混合ガスを用い反応性
スパッタリング法により発光層を成膜することを特徴と
する薄膜電場発光素子の製造方法。 - 【請求項２】請求項１記載の製造方法において、ドーパ
ントはマンガン，マンガン硫化物あるいはマンガンハロ
ゲン化物であることを特徴とする薄膜電場発光素子の製
造方法。 - 【請求項３】請求項１記載の製造方法において、ドーパ
ントは希土類元素，希土類硫化物あるいは希土類ハロゲ
ン化物であることを特徴とする薄膜電場発光素子の製造
方法。 - 【請求項４】請求項１記載の製造方法において、硫黄元
素を含むガスと希ガスとの混合ガスは硫化水素とアルゴ
ンの混合ガスであることを特徴とする薄膜電場発光素子
の製造方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6151387A JPH0817574A (ja) | 1994-07-04 | 1994-07-04 | 薄膜電場発光素子の製造方法 |
| GB9512980A GB2291259B (en) | 1994-07-04 | 1995-06-26 | Manufacture of thin-film electroluminescent elements |
| DE1995124359 DE19524359A1 (de) | 1994-07-04 | 1995-07-04 | Verfahren zur Herstellung von Dünnschicht-Elektrolumineszenz-Elementen |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6151387A JPH0817574A (ja) | 1994-07-04 | 1994-07-04 | 薄膜電場発光素子の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0817574A true JPH0817574A (ja) | 1996-01-19 |
Family
ID=15517475
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6151387A Pending JPH0817574A (ja) | 1994-07-04 | 1994-07-04 | 薄膜電場発光素子の製造方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0817574A (ja) |
| DE (1) | DE19524359A1 (ja) |
| GB (1) | GB2291259B (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100810629B1 (ko) * | 2004-12-08 | 2008-03-06 | 삼성에스디아이 주식회사 | 대향 타겟식 스퍼터링 장치를 이용한 유기 발광 소자의제조방법 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0752672B2 (ja) * | 1983-02-10 | 1995-06-05 | 松下電器産業株式会社 | 薄膜ｅｌ素子の製造方法 |
| EP0298745B1 (en) * | 1987-07-08 | 1992-11-25 | Sharp Kabushiki Kaisha | Thin film electroluminescent device |
-
1994
- 1994-07-04 JP JP6151387A patent/JPH0817574A/ja active Pending
-
1995
- 1995-06-26 GB GB9512980A patent/GB2291259B/en not_active Expired - Fee Related
- 1995-07-04 DE DE1995124359 patent/DE19524359A1/de not_active Withdrawn
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100810629B1 (ko) * | 2004-12-08 | 2008-03-06 | 삼성에스디아이 주식회사 | 대향 타겟식 스퍼터링 장치를 이용한 유기 발광 소자의제조방법 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE19524359A1 (de) | 1996-01-11 |
| GB2291259B (en) | 1996-11-27 |
| GB9512980D0 (en) | 1995-08-30 |
| GB2291259A (en) | 1996-01-17 |
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