JPH06251873A - エレクトロルミネッセンス素子の形成方法 - Google Patents
エレクトロルミネッセンス素子の形成方法Info
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- JPH06251873A JPH06251873A JP5037620A JP3762093A JPH06251873A JP H06251873 A JPH06251873 A JP H06251873A JP 5037620 A JP5037620 A JP 5037620A JP 3762093 A JP3762093 A JP 3762093A JP H06251873 A JPH06251873 A JP H06251873A
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- JP
- Japan
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- light emitting
- emitting layer
- zinc sulfide
- film
- forming
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Abstract
(57)【要約】
【目的】ＥＬ素子用の発光効率が優れた発光中心が硫化
亜鉛発光層を、スパッタリング法により形成する方法を
提供する。 【構成】硫化亜鉛微粉末に発光中心となる物質を添加混
合し焼結したターゲットを減圧した純不活性ガスでスパ
ッタリングし、スパッタリングされた分子を５００℃〜
６５０℃に維持した基板上に７０ｎｍ／分〜１５０ｎｍ
／分の成膜速度で形成し、発光層とする。
亜鉛発光層を、スパッタリング法により形成する方法を
提供する。 【構成】硫化亜鉛微粉末に発光中心となる物質を添加混
合し焼結したターゲットを減圧した純不活性ガスでスパ
ッタリングし、スパッタリングされた分子を５００℃〜
６５０℃に維持した基板上に７０ｎｍ／分〜１５０ｎｍ
／分の成膜速度で形成し、発光層とする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、電子機器の表示装置と
して用いられるエレクトロルミネッセンス（以下ＥＬと
いう）素子を基板上に形成する方法に関し、さらに詳述
すれば発光効率が改善されたＥＬ素子を基板上に形成す
る方法に関する。
して用いられるエレクトロルミネッセンス（以下ＥＬと
いう）素子を基板上に形成する方法に関し、さらに詳述
すれば発光効率が改善されたＥＬ素子を基板上に形成す
る方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】マンガン（Ｍｎ）または希土類元素など
の活性物質を含む硫化亜鉛薄膜は、ＥＬ素子の発光層と
して用いられ、真空蒸着法や高周波スパッタリング法で
形成される。硫化亜鉛薄膜からなる発光層は、真空蒸着
法によって優れた発光特性を有するものが形成できるこ
とが知られているが、スパッタリングによる方法では良
好な発光特性を有するものが得られていない。たとえ
ば、光電相互変換第１２５委員会ＥＬの特性評価基準分
科会第２回研究会資料２１頁およびJpn.J.Appl.Phys.27
(1988)p.592.に記載されたT.Matsuokaの論文（従来技術
１）には、スパッタリングガスとして純不活性ガスを用
いて、基板温度を２００℃〜３５０℃とし、成膜速度を
２０ｎｍ／分〜６５ｎｍ／分で成膜した硫化亜鉛を発光
層とするＥＬ素子が報告されている。この従来技術１に
よる発光層の成膜条件は、図１の斜線部分２の範囲に示
される。また、得られた硫化亜鉛の結晶構造は、ジンク
ブレンド型である。
の活性物質を含む硫化亜鉛薄膜は、ＥＬ素子の発光層と
して用いられ、真空蒸着法や高周波スパッタリング法で
形成される。硫化亜鉛薄膜からなる発光層は、真空蒸着
法によって優れた発光特性を有するものが形成できるこ
とが知られているが、スパッタリングによる方法では良
好な発光特性を有するものが得られていない。たとえ
ば、光電相互変換第１２５委員会ＥＬの特性評価基準分
科会第２回研究会資料２１頁およびJpn.J.Appl.Phys.27
(1988)p.592.に記載されたT.Matsuokaの論文（従来技術
１）には、スパッタリングガスとして純不活性ガスを用
いて、基板温度を２００℃〜３５０℃とし、成膜速度を
２０ｎｍ／分〜６５ｎｍ／分で成膜した硫化亜鉛を発光
層とするＥＬ素子が報告されている。この従来技術１に
よる発光層の成膜条件は、図１の斜線部分２の範囲に示
される。また、得られた硫化亜鉛の結晶構造は、ジンク
ブレンド型である。
【０００３】また、スパッタリングガスとして不活性ガ
スであるアルゴンと硫化水素の混合ガスを用いた方法
が、SID（SOCIETY FOR INFORMATION DISPLAY）84,Diges
t, p.245のM.I.Abdallaの論文（従来技術２）に報告さ
れている。
スであるアルゴンと硫化水素の混合ガスを用いた方法
が、SID（SOCIETY FOR INFORMATION DISPLAY）84,Diges
t, p.245のM.I.Abdallaの論文（従来技術２）に報告さ
れている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】良好なＥＬ特性を示す
発光層をスパッタリング法により得るには、結晶の粒径
を大きくすることおよび化学量論的組成からのずれの小
さい硫化亜鉛膜を形成することが重要である。硫化亜鉛
の結晶粒径を大きくするためには、膜の成長初期段階に
おいて粒径が小さくなる原因となる不安定核を取り除く
ために高い基板温度が必要である。しかし、硫化亜鉛薄
膜は、その膜を形成するときの基板の温度を高くすれば
する程、硫黄の蒸気圧が亜鉛の蒸気圧に比べて高いた
め、基板表面からの硫黄の再蒸発量が亜鉛より多くな
り、形成される膜の化学量論的組成からのずれが生じる
という欠点がある。したがって、膜の結晶性を良くする
ために必要な基板温度に上限があり、このことは、良い
結晶性の薄膜を得る上で妨げとなり、得られるＥＬ素子
の発光輝度、発光効率ともに低いという問題があった。
発光層をスパッタリング法により得るには、結晶の粒径
を大きくすることおよび化学量論的組成からのずれの小
さい硫化亜鉛膜を形成することが重要である。硫化亜鉛
の結晶粒径を大きくするためには、膜の成長初期段階に
おいて粒径が小さくなる原因となる不安定核を取り除く
ために高い基板温度が必要である。しかし、硫化亜鉛薄
膜は、その膜を形成するときの基板の温度を高くすれば
する程、硫黄の蒸気圧が亜鉛の蒸気圧に比べて高いた
め、基板表面からの硫黄の再蒸発量が亜鉛より多くな
り、形成される膜の化学量論的組成からのずれが生じる
という欠点がある。したがって、膜の結晶性を良くする
ために必要な基板温度に上限があり、このことは、良い
結晶性の薄膜を得る上で妨げとなり、得られるＥＬ素子
の発光輝度、発光効率ともに低いという問題があった。
【０００５】スパッタリングするときに硫化水素を混入
し、膜中の硫黄の欠損（化学量論量よりも硫黄が少ない
こと）を補う上記M.I.Abdallaの論文に記載の従来技術
２では、硫化水素ガスを用いることから、成膜装置を腐
食して工業的に実施する上で問題があった。本発明は、
上記問題点を解決するためになされたものであって、発
光効率の大きいＥＬ素子を、その発光層をスパッタリン
グ法により形成して製造する方法を提供することを目的
としている。
し、膜中の硫黄の欠損（化学量論量よりも硫黄が少ない
こと）を補う上記M.I.Abdallaの論文に記載の従来技術
２では、硫化水素ガスを用いることから、成膜装置を腐
食して工業的に実施する上で問題があった。本発明は、
上記問題点を解決するためになされたものであって、発
光効率の大きいＥＬ素子を、その発光層をスパッタリン
グ法により形成して製造する方法を提供することを目的
としている。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、発光中心がド
ープされた硫化亜鉛からなる発光層を有するエレクトロ
ルミネッセンス素子を基板上に形成する方法であって、
前記発光層を、硫化亜鉛微粉末に発光中心となる物質を
添加混合し焼結したターゲットを減圧した純不活性ガス
でスパッタリングし、前記スパッタリングされた分子を
５００℃〜６５０℃に維持した前記基板上に、７０ｎｍ
／分〜１５０ｎｍ／分の成膜速度で形成することを特徴
とするエレクトロルミネッセンス素子の形成方法であ
る。
ープされた硫化亜鉛からなる発光層を有するエレクトロ
ルミネッセンス素子を基板上に形成する方法であって、
前記発光層を、硫化亜鉛微粉末に発光中心となる物質を
添加混合し焼結したターゲットを減圧した純不活性ガス
でスパッタリングし、前記スパッタリングされた分子を
５００℃〜６５０℃に維持した前記基板上に、７０ｎｍ
／分〜１５０ｎｍ／分の成膜速度で形成することを特徴
とするエレクトロルミネッセンス素子の形成方法であ
る。
【０００７】本発明にかかる発光層を形成するときの基
板温度は、５００℃〜６５０℃に維持され、発光層の成
膜速度が７０ｎｍ／分〜１５０ｎｍ／分になるようにタ
ーゲットに印加するスパッタリングパワーがを調節され
る。図１の斜線部分１に、本発明にかかる発光層を形成
するときの成膜速度と基板温度の範囲を示す。基板温度
を５００℃以上とすることにより、膜の結晶性が良くな
る。また、基板温度を約６５０℃より高くすることは、
亜鉛と硫黄の両者の基板表面からの再蒸発量が大きくな
り、ターゲットを有効に使えないばかり、大きなスパッ
タリングパワーをターゲットに印加する必要があるので
ターゲット表面を劣化させ安定して成膜する上で好まし
くない。さらに基板にホーヤ製ＮＡ４０や、コーニング
ガラス製７０５９ガラス板を用いる場合には、基板の変
形が生じるので好ましくない。
板温度は、５００℃〜６５０℃に維持され、発光層の成
膜速度が７０ｎｍ／分〜１５０ｎｍ／分になるようにタ
ーゲットに印加するスパッタリングパワーがを調節され
る。図１の斜線部分１に、本発明にかかる発光層を形成
するときの成膜速度と基板温度の範囲を示す。基板温度
を５００℃以上とすることにより、膜の結晶性が良くな
る。また、基板温度を約６５０℃より高くすることは、
亜鉛と硫黄の両者の基板表面からの再蒸発量が大きくな
り、ターゲットを有効に使えないばかり、大きなスパッ
タリングパワーをターゲットに印加する必要があるので
ターゲット表面を劣化させ安定して成膜する上で好まし
くない。さらに基板にホーヤ製ＮＡ４０や、コーニング
ガラス製７０５９ガラス板を用いる場合には、基板の変
形が生じるので好ましくない。
【０００８】発光層の成膜速度が７０ｎｍ／分より小さ
いと、形成される発光層は、化学量論的組成からのずれ
が大きくなり、良好な発光効率を示す発光層を得ること
が困難になる。成膜速度が１５０ｎｍ／分より大きい
と、化学量論組成からのずれは小さいが、成膜された発
光層の結晶粒径が小さくなってしまうという不都合を生
じる。本発明のスパッタリング法の成膜条件の範囲内で
形成される硫化亜鉛の結晶構造は、ウルツ型結晶構造と
なる。
いと、形成される発光層は、化学量論的組成からのずれ
が大きくなり、良好な発光効率を示す発光層を得ること
が困難になる。成膜速度が１５０ｎｍ／分より大きい
と、化学量論組成からのずれは小さいが、成膜された発
光層の結晶粒径が小さくなってしまうという不都合を生
じる。本発明のスパッタリング法の成膜条件の範囲内で
形成される硫化亜鉛の結晶構造は、ウルツ型結晶構造と
なる。
【０００９】
【作用】本発明によれば、高い基板温度に維持された基
板に硫化亜鉛が堆積し充分な沿面運動を行いながら膜が
形成されるので、比較的膜の成長初期段階から結晶粒径
の大きな硫化亜鉛薄膜を得ることができる。基板表面で
は硫黄と亜鉛の蒸気圧の差により、硫黄欠陥の多い（化
学量論量よりも亜鉛が多い）硫化亜鉛薄膜ができる傾向
を有するが、本発明の方法では、硫化亜鉛の成膜速度を
大きくすることにより、化学量論的組成からのずれの小
さい硫化亜鉛薄膜とすることができる。すなわち、本発
明では基板温度を高温度にすると同時に、基板表面から
の亜鉛と硫黄の再蒸発量よりも、はるかに多くの亜鉛と
硫黄の等量を、基板表面に到達させるように成膜速度を
選んでいるので、亜鉛と硫黄のそれぞれの基板表面に堆
積し薄膜として成長するものをほぼ同じ量にすることが
でき、基板上に形成される硫化亜鉛薄膜の化学量論量か
らのズレを小さくすることができる。
板に硫化亜鉛が堆積し充分な沿面運動を行いながら膜が
形成されるので、比較的膜の成長初期段階から結晶粒径
の大きな硫化亜鉛薄膜を得ることができる。基板表面で
は硫黄と亜鉛の蒸気圧の差により、硫黄欠陥の多い（化
学量論量よりも亜鉛が多い）硫化亜鉛薄膜ができる傾向
を有するが、本発明の方法では、硫化亜鉛の成膜速度を
大きくすることにより、化学量論的組成からのずれの小
さい硫化亜鉛薄膜とすることができる。すなわち、本発
明では基板温度を高温度にすると同時に、基板表面から
の亜鉛と硫黄の再蒸発量よりも、はるかに多くの亜鉛と
硫黄の等量を、基板表面に到達させるように成膜速度を
選んでいるので、亜鉛と硫黄のそれぞれの基板表面に堆
積し薄膜として成長するものをほぼ同じ量にすることが
でき、基板上に形成される硫化亜鉛薄膜の化学量論量か
らのズレを小さくすることができる。
【００１０】
実施例１ 図５の模式的断面図で示されるＥＬ素子を製作した。透
明ガラス基板の加熱温度を５００℃とした。まずこのガ
ラス基上に２００ｎｍの厚みのＩＴＯ透明導電膜（ＩＴ
Ｏ：錫ドープ酸化インジウム膜）を３ｍＴｏｒｒのアル
ゴンの圧力下でＩＴＯターゲットをスパッタリングして
形成し、その上に絶縁膜としてシリコンターゲットをア
ルゴンと窒素と酸素の６：２：２で、その圧力が５ｍＴ
ｏｒｒの混合ガス中でスパッタリングして２２０ｎｍの
厚みのシリコンオキシナイトライド膜を形成し、その上
に０．１２５重量％のマンガンを混合した硫化亜鉛ター
ゲットを２０ｍＴｏｒｒのアルゴンガスで約８５ｎｍ／
分の成膜速度でスパッタリングし７００ｎｍの厚みのマ
ンガンドープ硫化亜鉛発光層を形成し、その上に第２層
目のシリコンオキシナイトライド絶縁膜を第１層目と同
じように形成し、最後にアルミニウム電極膜を真空中で
電子銃蒸着法により形成した。得られたＥＬ素子を室温
まで冷却し、スパッタリング装置より取り出して、図５
に示すようにＩＴＯ電極とアルミニウム電極との間に両
極性パルス波を印加し、ソイヤータワー回路を用いてＥ
Ｌ素子内を流れる移動電荷量を測定することにより、Ｅ
Ｌ素子の発光効率を求めた。実施例１の発光層の成膜条
件と、得られた発光層の結晶構造、結晶粒径、エネルギ
ーバンドギャップＥｇ、化学組成比およびＥＬ素子の発
光効率を表１に示す。また、このＥＬ素子の発光効率の
素子駆動時の印加電圧依存性を、従来技術１で得られる
ＥＬ素子（図４中の２で示される）と比較できるように
図４中の１で示した。
明ガラス基板の加熱温度を５００℃とした。まずこのガ
ラス基上に２００ｎｍの厚みのＩＴＯ透明導電膜（ＩＴ
Ｏ：錫ドープ酸化インジウム膜）を３ｍＴｏｒｒのアル
ゴンの圧力下でＩＴＯターゲットをスパッタリングして
形成し、その上に絶縁膜としてシリコンターゲットをア
ルゴンと窒素と酸素の６：２：２で、その圧力が５ｍＴ
ｏｒｒの混合ガス中でスパッタリングして２２０ｎｍの
厚みのシリコンオキシナイトライド膜を形成し、その上
に０．１２５重量％のマンガンを混合した硫化亜鉛ター
ゲットを２０ｍＴｏｒｒのアルゴンガスで約８５ｎｍ／
分の成膜速度でスパッタリングし７００ｎｍの厚みのマ
ンガンドープ硫化亜鉛発光層を形成し、その上に第２層
目のシリコンオキシナイトライド絶縁膜を第１層目と同
じように形成し、最後にアルミニウム電極膜を真空中で
電子銃蒸着法により形成した。得られたＥＬ素子を室温
まで冷却し、スパッタリング装置より取り出して、図５
に示すようにＩＴＯ電極とアルミニウム電極との間に両
極性パルス波を印加し、ソイヤータワー回路を用いてＥ
Ｌ素子内を流れる移動電荷量を測定することにより、Ｅ
Ｌ素子の発光効率を求めた。実施例１の発光層の成膜条
件と、得られた発光層の結晶構造、結晶粒径、エネルギ
ーバンドギャップＥｇ、化学組成比およびＥＬ素子の発
光効率を表１に示す。また、このＥＬ素子の発光効率の
素子駆動時の印加電圧依存性を、従来技術１で得られる
ＥＬ素子（図４中の２で示される）と比較できるように
図４中の１で示した。
【００１１】
【表１】
【００１２】実施例２〜７ 硫化亜鉛発光層の成膜速度と成膜時の基板温度を種々変
えた他は、実施例１と同じようにして、ＥＬ素子を作成
した。成膜条件および得られた結果を表１に示す。実施
例２〜７の発光層はいずれもウルツ型結晶構造をとり、
結晶粒径が１５０ｎｍ以上と大きく、膜のＺｎとＳの化
学組成比は化学量論量である１にほぼ近い値を示してい
ることが分かる。また、発光効率は、１．９ルーメン／
ワット（ｌｍ／Ｗ）以上と大きい値であった。
えた他は、実施例１と同じようにして、ＥＬ素子を作成
した。成膜条件および得られた結果を表１に示す。実施
例２〜７の発光層はいずれもウルツ型結晶構造をとり、
結晶粒径が１５０ｎｍ以上と大きく、膜のＺｎとＳの化
学組成比は化学量論量である１にほぼ近い値を示してい
ることが分かる。また、発光効率は、１．９ルーメン／
ワット（ｌｍ／Ｗ）以上と大きい値であった。
【００１３】比較例１〜７ 硫化亜鉛発光層の成膜速度と成膜時の基板温度を種々変
えた他は、実施例１と同じようにしてＥＬ素子を作成し
た。発光層の成膜条件と得られた発光層の特性およびＥ
Ｌ素子特性を表１に示す。これより、基板温度が５００
℃以上としても、発光層の成膜速度が７０ｎｍ／分より
小さければ、結晶性が良く、かつ、化学量論的組成から
のずれの小さい硫化亜鉛膜を得ることはできず、得られ
たＥＬ素子は大きい発光効率を示さないことが分かる。
また、成膜速度が７０ｎｍ／分以上であっても基板温度
が５００℃未満であれば、化学量論的組成のずれは小さ
いが、結晶粒径は小さく、そのＥＬ素子は大きい発光効
率を示さないことが分かる。
えた他は、実施例１と同じようにしてＥＬ素子を作成し
た。発光層の成膜条件と得られた発光層の特性およびＥ
Ｌ素子特性を表１に示す。これより、基板温度が５００
℃以上としても、発光層の成膜速度が７０ｎｍ／分より
小さければ、結晶性が良く、かつ、化学量論的組成から
のずれの小さい硫化亜鉛膜を得ることはできず、得られ
たＥＬ素子は大きい発光効率を示さないことが分かる。
また、成膜速度が７０ｎｍ／分以上であっても基板温度
が５００℃未満であれば、化学量論的組成のずれは小さ
いが、結晶粒径は小さく、そのＥＬ素子は大きい発光効
率を示さないことが分かる。
【００１４】実施例１〜７および比較例１〜７で得たサ
ンプルについて、発光層の成膜速度が及ぼす発光層の化
学組成比とエネルギーバンドギャップＥｇへの影響を図
３に示した。図３から、発光層の成膜速度が７０ｎｍ／
分以上であるときに、硫化亜鉛のＺｎとＳの原子組成比
が１（硫化亜鉛の化学量論組成）に近づき、エネルギー
バンドギャップが３．６０ｅＶ以上になる。実用的な輝
度を有する発光を得るためには、発光層のエネルギーバ
ンドギャップは３．５９以上が必要で、３．６０以上が
好ましい値である。また、７０ｎｍ／分以上の速い成膜
速度で形成した発光層は、外部からの不純物の混入を減
らすこともできる。図２に、７０ｎｍ／分の一定成膜速
度のとき、発光層を形成するときの基板温度が発光層の
結晶粒径に与える影響を示したものを示す。図２から、
基板温度を高くすることにより結晶粒径は大きくなり、
大きな結晶粒径が得られる温度は、図２から５００℃〜
６５０℃であることが分かる。この基板温度をこの温度
範囲でとし、発光層の成膜速度を７０ｎｍ／分とするこ
とにより、発光層を化学量論組成にほぼ近い組成で、か
つエネルギーバンドギャップが３．６０またはそれ以上
のマンガンがドープされた硫化亜鉛薄膜とすることがで
きる。
ンプルについて、発光層の成膜速度が及ぼす発光層の化
学組成比とエネルギーバンドギャップＥｇへの影響を図
３に示した。図３から、発光層の成膜速度が７０ｎｍ／
分以上であるときに、硫化亜鉛のＺｎとＳの原子組成比
が１（硫化亜鉛の化学量論組成）に近づき、エネルギー
バンドギャップが３．６０ｅＶ以上になる。実用的な輝
度を有する発光を得るためには、発光層のエネルギーバ
ンドギャップは３．５９以上が必要で、３．６０以上が
好ましい値である。また、７０ｎｍ／分以上の速い成膜
速度で形成した発光層は、外部からの不純物の混入を減
らすこともできる。図２に、７０ｎｍ／分の一定成膜速
度のとき、発光層を形成するときの基板温度が発光層の
結晶粒径に与える影響を示したものを示す。図２から、
基板温度を高くすることにより結晶粒径は大きくなり、
大きな結晶粒径が得られる温度は、図２から５００℃〜
６５０℃であることが分かる。この基板温度をこの温度
範囲でとし、発光層の成膜速度を７０ｎｍ／分とするこ
とにより、発光層を化学量論組成にほぼ近い組成で、か
つエネルギーバンドギャップが３．６０またはそれ以上
のマンガンがドープされた硫化亜鉛薄膜とすることがで
きる。
【００１５】
【発明の効果】本発明の方法によれば、スパッタリング
ガスとして有毒性で腐食性の硫化水素ガスを用いること
なく、化学量論的組成からのずれが小さく結晶粒径の大
きい硫化亜鉛を発光層とする高発光効率ＥＬ素子を作成
することができる。また、結晶欠陥の少ない発光層がそ
の成膜工程で得られるので、ＥＬ素子作成後のアニーリ
ング工程が不要になるとともに、硫化水素ガスを使用し
ないので設備の腐食による劣化がなく、設備コストが小
さくなる。
ガスとして有毒性で腐食性の硫化水素ガスを用いること
なく、化学量論的組成からのずれが小さく結晶粒径の大
きい硫化亜鉛を発光層とする高発光効率ＥＬ素子を作成
することができる。また、結晶欠陥の少ない発光層がそ
の成膜工程で得られるので、ＥＬ素子作成後のアニーリ
ング工程が不要になるとともに、硫化水素ガスを使用し
ないので設備の腐食による劣化がなく、設備コストが小
さくなる。
【図１】本発明にかかる発光層を形成するときの成膜速
度とそのときの基板温度の範囲を示す図である。
度とそのときの基板温度の範囲を示す図である。
【図２】発光層の結晶粒径に及ぼす発光層を形成すると
きの基板温度の影響を示す図である。
きの基板温度の影響を示す図である。
【図３】硫化亜鉛発光層の化学組成およびエネルギーバ
ンドギャップに及ぼす発光層の成膜速度の影響を示す図
である。
ンドギャップに及ぼす発光層の成膜速度の影響を示す図
である。
【図４】実施例１で得られたＥＬ素子の発光効率の素子
駆動時の印加電圧依存性を示す図である。
駆動時の印加電圧依存性を示す図である。
【図５】本発明を用いて製作したＥＬ素子の発光効率を
測定評価するために試作したＥＬ素子の模式的断面図で
ある。
測定評価するために試作したＥＬ素子の模式的断面図で
ある。
１・・・ガラス板、２・・・透明電極、３・・・絶縁
層、４・・・発光層、５・・・背面電極、６・・・交流
電源、７・・・センスキャパシタ
層、４・・・発光層、５・・・背面電極、６・・・交流
電源、７・・・センスキャパシタ
フロントページの続き (72)発明者 小林 史朗 大阪府大阪市中央区道修町３丁目５番11号 日本板硝子株式会社内
Claims (1)
- 【請求項１】発光中心がドープされた硫化亜鉛からなる
発光層を有するエレクトロルミネッセンス素子を基板上
に形成する方法において、前記発光層を、硫化亜鉛微粉
末に発光中心となる物質を添加混合し焼結したターゲッ
トを減圧した純不活性ガスでスパッタリングし、前記ス
パッタリングされた分子を５００℃〜６５０℃に維持し
た前記基板上に７０ｎｍ／分〜１５０ｎｍ／分の成膜速
度で形成することを特徴とするエレクトロルミネッセン
ス素子の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP03762093A JP3381292B2 (ja) | 1993-02-26 | 1993-02-26 | エレクトロルミネッセンス素子の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP03762093A JP3381292B2 (ja) | 1993-02-26 | 1993-02-26 | エレクトロルミネッセンス素子の形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06251873A true JPH06251873A (ja) | 1994-09-09 |
| JP3381292B2 JP3381292B2 (ja) | 2003-02-24 |
Family
ID=12502679
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP03762093A Expired - Fee Related JP3381292B2 (ja) | 1993-02-26 | 1993-02-26 | エレクトロルミネッセンス素子の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3381292B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100503139B1 (ko) * | 2002-01-23 | 2005-07-21 | 세이코 엡슨 가부시키가이샤 | 유기 ｅｌ 장치의 제조 방법 및 제조 장치, 유기 ｅｌ장치, 전자기기 및 액체방울 토출 장치 |
| JP2008214461A (ja) * | 2007-03-02 | 2008-09-18 | Canon Inc | 蛍光体膜及び蛍光体膜の製造方法 |
-
1993
- 1993-02-26 JP JP03762093A patent/JP3381292B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100503139B1 (ko) * | 2002-01-23 | 2005-07-21 | 세이코 엡슨 가부시키가이샤 | 유기 ｅｌ 장치의 제조 방법 및 제조 장치, 유기 ｅｌ장치, 전자기기 및 액체방울 토출 장치 |
| JP2008214461A (ja) * | 2007-03-02 | 2008-09-18 | Canon Inc | 蛍光体膜及び蛍光体膜の製造方法 |
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| JP3381292B2 (ja) | 2003-02-24 |
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