JPH0791586B2 - 磁気特性の優れた厚い板厚の一方向性電磁鋼板の製造方法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、トランス等の鉄心として使用される一方向性
電磁鋼板の製造方法に関する。

〔従来の技術〕

一方向性電磁鋼板は、主にトランスその他の電気機器の
鉄心材料として使用されており、励磁特性、鉄損特性等
の磁気特性に優れていることが要求される。励磁特性を
表す数値としては、磁場の強さ800A/mにおける磁束密度
B₈が通常使用される。また、鉄損特性を表す数値として
は、周波数50Hzで1.7テスラー（Ｔ）まで磁化したとき
の1kg当りの鉄損W_17/50を使用いている。磁束密度は、
鉄損特性の最大支配因子であり、一般的にいって磁束密
度が高いほど鉄損特性が良好になる。なお、一般的に磁
束密度を高くすると二次再結晶粒が大きくなり、鉄損特
性が不良となる場合がある。これに対しては、磁区制御
により、二次再結晶粒の粒径に拘らず、鉄損特性を改善
することができる。

この一方向性電磁鋼板は、最終仕上焼鈍工程で二次再結
晶を起こさせ、鋼板面に｛110｝，圧延方向に〈001〉軸
をもったいわゆるゴス組織を発達させることにより、製
造されている。良好な磁気特性を得るためには、磁化容
易軸である〈001〉を圧延方向に高度に揃えることが必
要である。二次再結晶粒の方向性は、MnS,AlN等をイン
ヒビターとして利用し、最終強圧下圧延を施す方法によ
って大幅に改善され、それに伴って鉄損特性も著しく向
上する。

〔発明が解決しようとする課題〕

ところで、近年タービン発電機用鉄心材料等の用途に、
現用の高級無方向性電磁鋼板にかわって、方向性電磁鋼
板を用いたいというニーズが高まってきた。上記用途に
関していえば、他の無方向性電磁鋼板の用途と比較し
て、一方向の磁気特性が重要とされるため、方向性電磁
鋼板を用いたいというニーズが高まってきたわけであ
る。一方、方向性電磁鋼板の熱延後の製造の主工程は、
熱延板焼鈍−冷延−脱炭焼鈍−仕上焼鈍となっており、
無方向性電磁鋼板の熱延後の主工程である冷延−焼鈍と
比較して、複雑となっている。そのため、製造コストか
らして方向性電磁鋼板の方が無方向性電磁鋼板よりかな
り高いものとなる。更に、主として0.5mm厚等の厚手を
必要とする上記用途においては、例えば0.08wt％程度の
Ｃを含有する通常の方向性電磁鋼用スラブを素材として
用いると、脱炭焼鈍工程で磁気時効の生じないＣレベル
（例えば0.003wt％以下）まで脱炭するのに要する時間
がかかりすぎるため、当然製造コストが高くなってしま
う。

また、方向性電磁鋼板の製造においては通常熱延後組織
の不均一化、析出処理等を目的として熱延板焼鈍が行わ
れている。例えばAlNを主インヒビターとする製造方法
においては、特公昭46−23820号公報に示すように熱延
板焼鈍においてAlNの析出処理を行ってインヒビターを
制御する方法がとられている。

近年多量のエネルギー消費をするこのような方向性電磁
鋼板の製造工程に対する見直しが進められ、工程、エネ
ルギーの簡省略化の要請が強まってきた。このような要
請に応えるべく、AlNを主インヒビターとする製造方法
において、熱延板焼鈍でのAlNの析出処理を、熱延後の
高温巻取で代替する方法（特公昭59−45730号公報）が
提案された。確かにこの方法によって熱延板焼鈍を省略
しても磁気特性をある程度確保することはできるが、５
〜20トンのコイル状で巻取られる通常の方法において
は、冷却過程でコイル内での場所的な熱履歴の差が生
じ、必然的にAlNの析出が不均一となり、最終的な磁気
特性はコイル内の場所によって変動し、歩留が低下する
結果となる。

そこで本発明者らは、従来ほとんど注目されていなかっ
た仕上熱延最終パス後の再結晶現象に着目し、この現象
を利用して80％以上の強圧下１回冷延による製造法にお
いて熱延板焼鈍を省略することを検討した。

一方向性電磁鋼板の熱延に関しては、高温スラブ加熱
（例えば1300℃以上）時のスラブ結晶粒の粗大成長に起
因する二次再結晶不良（圧延方向に連なった線状細粒発
生）を防止するために、熱延時の960〜1190℃での温度
で１パス当り30％以上の圧下率で再結晶化高圧下圧延を
施し、粗大結晶粒を分断する方法が提案されている（特
公昭60−37172号公報）。確かにこの方法によって線状
細粒発生が減少するが、熱延板焼鈍を施す製造プロセス
を前提としている。

また、MnS,MnSe,Sbをインヒビターとする製造方法にお
いて、熱延時の950〜1200℃の温度で圧下率10％以上で
連続して熱延し、引き続き３℃/sec以上の冷却速度で冷
却することによってMnS,MnSeを均一微細に析出させ、磁
気特性を向上させる方法が提案されている（特開昭51−
20716号公報）。また、熱延を低温で行い、再結晶の進
行を抑制し、剪断変形で形成される｛110｝〈001〉方向
粒が引き続く再結晶で減少するのを防止することによっ
て磁気特性を向上させる方法が提案されている（特公昭
59−32526号公報、特公昭59−35415号公報）。これらの
方法においても、熱延板焼鈍無しの１回冷延法での製造
は検討さえされていない。また超低炭素を含有する珪素
鋼スラブの熱延において、熱延板で歪を蓄積させる低温
大圧下熱延を行い、引き続く熱延板焼鈍での再結晶によ
り超低炭素材特有の粗大結晶粒を分断する方法が提案さ
れている（特公昭59−34212号公報）。しかしこの方法
においても、熱延板焼鈍なしの１回冷延法での製造は検
討さえされていない。

そこで本発明者らは、従来ほとんど注目されていなかっ
た仕上熱延の最終パス後の再結晶現象に着目し、この現
象を利用して80％以上の強圧下１回冷延による製造法に
おいて熱延板焼鈍を省略して優れた磁気特性をもつ一方
向性電磁鋼板を得ることを目的として研究を行った。

〔課題を解決するための手段〕

本発明は、かかる目的を達成するために、重量でC:0.01
0〜0.060％、Si:2.5〜4.5％ならびに通常のインヒビタ
ー成分を含み、残余はFeおよび不可避的不純物よりなる
珪素鋼スラブを熱延し、熱延板焼鈍をすることなく、引
き続き圧下率80％以上の冷延、脱炭焼鈍、最終仕上焼鈍
を施して0.4〜1.0mm厚の厚手一方向性電磁鋼板を製造す
る方法において、仕上熱延の最終３パスの累積圧下率を
50％以上とし、熱延終了温度を750〜1150℃とし、熱延
終了後少くとも１秒以上、700℃以上の温度に保持し、
巻取温度を700℃未満とすることを特徴とする磁気特性
の優れた厚い板厚の一方向性電磁鋼板の製造方法を提供
するものである。

更にこの特徴に加えて、仕上熱延の最終パスの圧下率を
20％以上にすることによって、一層磁気特性の優れた一
方向性電磁鋼板が得られるようにしたものである。

〔作用〕

本発明が対象としている一方向性電磁鋼板は、従来用い
られている製鋼法で得られた溶鋼を連続鋳造法或いは造
塊法で鋳造し、必要に応じて分塊工程を挟んでスラブと
し、引き続き熱間圧延して熱延板とし、次いで熱延板焼
鈍を施すことなく圧下率80％以上の冷延、脱炭焼鈍、最
終仕上焼鈍を順次行うことによって製造される。

本発明者らは、仕上熱延の最終パス後の再結晶現象に注
目して、種々の観点から広範囲にわたって研究したとこ
ろ、この現象と磁気特性が密接に関係していることを確
かめた。以下、実験結果を基に詳細に説明する。

第１図は熱延終了温度及び熱延終了後700℃以上に鋼板
が保持された時間が製品の磁束密度に与える影響を表し
たグラフである。ここでは、C:0.034重量％、Si:3.23重
量％、酸可溶性Al:0.027重量％、N:0.0079重量％、S:0.
006重量％、Mn:0.14重量％を含有し、残部Fe及び不可避
的不純物からなる20〜80mm厚のスラブを1150〜1400℃に
加熱し、６パスで3.4mm厚の熱延板に熱延し、ただちに
水冷、一定時間空冷後に水冷、空冷等の種々の冷却を行
い、550℃で冷却を終了し550℃に１時間保持した後炉冷
する巻取シミュレーションを行った。次いで、熱延板焼
鈍を施すことなく約85％最終強圧下圧延を行って最終板
厚0.5mmの冷延板とし、830〜1000℃の温度で脱炭焼鈍を
行い、引き続きMgOを主成分とする焼鈍分離剤を塗布し
て最終仕上焼鈍を行った。

第１図から明らかなように熱延終了温度750〜1150℃
で、かつ熱延終了後、少くとも１秒以上、700℃以上に
鋼板を保持する場合にB₈≧1.88Tの高い磁束密度が得ら
れている。また本発明者らはこの新知見をさらに詳細に
検討した。

第２図は第１図で磁束密度が良好であった熱延終了温度
750〜1150℃で、かつ熱延終了後、少くとも１秒以上、7
00℃以上に鋼板を保持した場合における仕上熱延の最終
３パスの累積圧下率と磁束密度との関係を表したグラフ
である。

第２図から明らかなように仕上熱延の最終３パスの累積
圧下率が50％以上の場合にB₈≧1.90Tの高い磁束密度が
得られている。また本発明者らはこの新知見をさらに詳
細に検討した。

第３図は第２図で磁束密度が良好であった熱延終了温度
750〜1150℃で、かつ熱延終了後、少くとも１秒以上、7
00℃以上に鋼板を保持し、かつ仕上熱延の最終３パスの
累積圧下率が50％以上の場合における仕上熱延の最終パ
スの圧下率と磁束密度との関係を表したグラフである。

第３図から明らかなように仕上熱延の最終パスの圧下率
が20％以上の場合にB₈≧1.92Tの高い磁束密度が得られ
ている。

熱延終了温度、熱延後700℃以上に鋼板を保持する時
間、仕上熱延の最終３パスの累積圧下率、仕上熱延の最
終パスの圧下率と製品の磁束密度との間に第１図、第２
図及び第３図に示した関係が成立する理由については必
ずしも明らかではないが、本発明者らは次のように推察
している。

従来から｛110｝〈001〉二次再結晶粒の母体は熱延時表
面層での剪断変形で形成されると考えられており、熱延
板での｛110｝〈001〉方位粒を冷延再結晶後に富化する
ためには、熱延板での｛110｝〈001〉方位粒を粗粒で、
かつ歪の少ない状態にすることが有効と考えられてい
る。他方、通常行われる熱延板焼鈍の役割は、AlN等の
析出処理、冷却時の変態相の形成、冷却時の固溶Ｃ、固
溶Ｎ、微細炭窒化物の生成等が考えられるが、これらの
役割に加えて、再結晶による歪の低下も熱延板焼鈍の重
要な役割と考えられる。

そこで本発明者らは、熱間加工シミュレーターを用い
て、熱間加工再結晶挙動を詳細に検討した。第４図は、
熱間加工後の再結晶挙動を示すグラフである。この場
合、重量でC:0.040％、Si:3.27％、Mn:0.14％、S:0.007
％、酸可溶性Al:0.027％、N:0.0076％を含有する粗圧延
材より試料を切り出し、1150℃×10分の加熱後、各温度
で75％の１パス圧下を加え、加工した温度で所定の時間
保持した後水焼入れした。しかる後、本発明者らが開発
したECP（Electron channelling pattern）を画像解析
して結晶歪を測定する方法（日本金属学会秋期講演大会
概要集（1988.11）P289）を用いて再結晶率を測定し
た。ここでは、標準試料の焼鈍板に1.5％の圧下率の冷
延を施した場合のECPの鮮明度より高い値を示す粒の面
積率（低歪粒の面積率）を再結晶率と呼んでいる。この
方法は従来の金属組織を目視判定して再結晶率を測定す
る方法と比較して格段に精度がよい。第４図からわかる
ように、1000〜1050℃の温度範囲で最も再結晶の進行が
速いことがわかる。

また、同一素材の試料を用いて、同一条件の加熱を行
い、10〜90％の圧下率で1000℃で圧下し、1000℃の温度
に10秒間保持した後水焼入れした。しかる後上記と同一
の方法で再結晶粒を判定し、その再結粒の粒径（円相当
直径）を画像解析機を用いて測定した。圧下率と粒径の
関係を第５図に示す。第５図からわかるように、圧下率
が大きいほど粒径が小さくなる。

本発明の条件である、仕上熱延の最終３パスの累積圧下
率を50％以上とし、熱延終了温度を750〜1150℃とし、
少くとも熱延後１秒以上、700℃以上に保持すること、
さらに加えて、最終パスの圧下率を20％以上とすること
は、第４図、第５図からわかるように、いずれも仕上熱
延の最終パス後に再結晶を容易ならしめ、再結晶粒径を
微細とする要件となっていると考えられる。

従って、本発明の場合、熱延板の結晶粒径は小さいが歪
が少ない状態となり、｛110｝〈001〉方位粒を冷延再結
晶後に富化する点では、粒径の点で不利であるが、歪の
点で有利であり、結果的には、脱炭焼鈍後の状態で｛11
0｝〈001〉方位粒に大きな影響を与えないと考えられ
る。

他方脱炭板の主方位である｛111｝〈112〉，｛100｝〈0
25〉は｛110｝〈001〉二次再結晶粒の粒成長に影響を与
える方位として知られており、｛111｝〈112〉が多いほ
ど｛100｝〈025〉が少ないほど｛110｝〈001〉二次再結
晶粒の粒成長が容易となると考えられる。本発明におい
ては、最終パス後に引き続く再結晶において、再結晶が
進みやすく、結晶粒も微細化されやすくなる。この本発
明の熱延板を引き続き冷延再結晶させると冷延前の粒径
が小さいがために粒界近傍から｛111｝〈112〉が多く核
生し、粒内から核生する｛100｝〈025〉が相対的に減少
する。

従って、本発明においては熱延最終パス後に引き続く再
結晶によって熱延板が低歪で、かつ結晶粒径が小さい状
態となったがために、脱炭板の状態で｛110｝〈001〉方
位粒に影響を与えることなく、｛110｝〈001〉方位粒の
粒成長に有利な｛111｝〈112〉方位粒を増加させ、｛11
0｝〈001〉方位粒の粒成長を妨げる｛100｝〈025〉方位
粒を減少させることに成功した。これにより熱延板焼鈍
を省略しても良好な磁気特性を得ることが可能となるも
のと考えられる。

次いで、本発明の各要件について説明する。

本発明で使用されるスラブは重量でC:0.010〜0.060％、
Si:2.5〜4.5％ならびに通常のインヒビター成分を含み
残余はFeおよび不可避的不純物よりなる。

次に上記成分の限定理由について述べる。Ｃは0.010％
未満になると二次再結晶が不安定となり、二次再結晶し
た場合でもB₈≧1.80（Ｔ）が得がたいので、0.010％以
上とした。また、0.060％を超えると板厚が0.4〜1.0と
厚いために脱炭不良が発生して好ましくない。また、Si
については4.5％を超えると冷延が困難となり好ましく
なく、2.5％未満では良好な磁気特性を得ることが困難
となり好ましくない。また、インヒビター構成元素とし
て、必要に応じてAl,N,Mn,S,Se,Sb,B,Cu,Bi,Nb,Cr,Sn,T
i等を添加することもできる。

このスラブの加熱温度は、特に限定されるものではない
が、コストの面から1300℃以下とすることが好ましい。

加熱されたスラブは引き続き熱延されて熱延板となる。
本発明の特徴はこの熱延工程にある。つまり、仕上熱延
の最終３パスの累積圧下率を50％以上とし、熱延終了温
度を750〜1150℃とし、熱延終了後少くとも１秒以上、7
00℃以上の温度に保持し、巻取温度を700℃未満とする
ことが良好な磁気特性を得る上で必要である。また、さ
らに加えて、仕上熱延の最終パスの圧下率を20％以上に
することは、良好な磁気特性を得る上で一層好ましい。

熱延工程は通常100〜400mm厚のスラブを加熱した後、い
づれも複数回のパスで行う粗圧延と仕上圧延より成る。
粗圧延の方法については特に限定するものではなく通常
の方法で行われる。本発明の特徴と粗圧延に引き続く仕
上圧延にある。仕上圧延は通常４〜10パスの高速連続圧
延で行われる。通常仕上圧延の圧下配分は前段が圧下率
が高く、後段に行くほど圧下率を下げて形状を良好なも
のとしている。圧延速度と通常100〜300m/minとなって
おり、パス間の時間は0.01〜100秒となっている。本発
明で限定しているのは、熱延終了温度と熱延後の冷却と
巻取温度と最終３パスの累積圧下率であり、さらに好ま
しくは最終パスの圧下率だけであり、その他の条件は特
に限定するものではないが、最終３パスのパス間時間を
1000秒以上と異常に長くとるとパス間の回復、再結晶で
歪が開放され、蓄積歪の効果が得られにくくなるので好
ましくない。その他仕上熱延前段の数パスでの圧下率に
ついては、最終パスまで加えた歪が残っていることが期
待しにくいので特に限定せず、最終３パスだけを重視す
れば十分である。

次いで上記熱延条件の限定理由について述べる。熱延終
了温度を750〜1150℃とし、熱延条件後少くとも１秒以
上、700℃以上の温度に保持すると規定したのは、第１
図から明らかなように、この範囲でB₈≧1.88（Ｔ）の高
い磁束密度B₈をもつ製品が得られるためである。なお、
熱延終了後、鋼板が700℃以上に保持される時間の上限
値については特に限定するものではないが、通常、熱延
終了後巻取られるまでの時間が0.1〜1000秒程度であ
り、1000秒以上鋼板をストリップ状で700℃以上に保持
することは設備の点で困難である。

熱延後の巻取温度については、700℃以上となると冷却
時のコイル内の熱履歴の差に起因して、コイル内にAlN
等の析出状態のバラツキ、表面脱炭状態のバラツキ、金
属組織のバラツキ等が生じ、製品の磁気特性にバラツキ
が生じて好ましくないので、700℃未満としなければな
らない。

上記の条件とともに、本発明では仕上熱延の最終３パス
の累積圧下率を50％以上と限定する。これは、第２図よ
り明らかなように、この範囲でB₈≧1.90（Ｔ）の良好な
磁束密度B₈をもつ製品が得られるためである。なお最終
３パスの累積圧下率の上限については特に限定するもの
ではないが工業的には99.9％以上の累積圧下を加えるこ
とは困難である。

また、さらに好ましくは最終パスの圧下率を20％以上と
したのは、第３図から明らかなように、この範囲におい
てB₈≧1.92（Ｔ）の一層良好な磁束密度B₈をもつ製品が
得られるためである。なお最終パスの圧下率の上限は特
に限定するものではないが、工業的には90％以上の圧下
を加えることは困難である。

この熱延板は熱延板焼鈍を施すことなく80％以上の圧下
率で冷延される。圧下率を80％以上としたのは、圧下率
を上記範囲とすることによって、脱炭板において尖鋭な
｛110｝〈001〉方位粒と、これに蚕食され易い対応方位
粒（｛111｝〈112〉方位粒等）を適正量得ることがで
き、磁束密度を高める上で好ましいためである。

冷延板の板厚を0.4〜1.0mmと規定したのは、厚手一方向
性電磁鋼板を得る本発明の目的のためである。また、1.
0mm超では、脱炭焼鈍に時間がかかりすぎて好ましくな
い。

冷延後鋼板は通常の方法で脱炭焼鈍、焼鈍分離剤塗布、
仕上焼鈍を施されて最終製品となる。なお脱炭焼鈍後の
状態で二次再結晶に必要なインヒビター強度が不足して
いる場合には、仕上焼鈍等においてインヒビターを強化
する処理が必要となる。インヒビター強化法の一例とし
ては、Alを含有する鋼において仕上焼鈍雰囲気ガスの窒
素分圧を高めに設定する方法が知られている。

〔実施例〕

以下実施例を説明する。

−実施例１− C:0.045重量％、Si:3.23重量％、Mn:0.15重量％、S:0.0
07重量％、酸可溶性Al:0.028重量％、N:0.0080重量％を
含有し、残部Fe及び不可避的不純物からなる40mm厚のス
ラブを1150℃の温度で加熱した後、６パスで熱延して2.
3mmの熱延板とした。この時圧下配分を40→21→14→10
→7.3→4.1→3.4（mm）とし、熱延開始温度を1000
℃、900℃、800℃、700℃の４条件とした。熱延
終了後４秒空冷した後に100℃／秒の冷速で550℃まで水
冷し、550℃に１時間保持した後炉冷する巻取りシミュ
レーションを施した。

この熱延板を酸洗して圧下率約85％で厚さ0.5mmの冷延
板とし、830℃で250秒保持する脱炭焼鈍を施した。得ら
れた脱炭焼鈍板に、MgOを主成分とする焼鈍分離剤を塗
布し、N₂25％，H₂75％の雰囲気ガス中で10℃／時の速度
で1200℃まで昇温し、引き続きH₂100％雰囲気ガス中で2
0時間保持する最終仕上焼鈍を行った。

熱延条件と製品の磁気特性を第１表に示す。

−実施例２− C:0.030重量％、Si:3.20重量％、Mn:0.14重量％、S:0.0
06重量％、酸可溶性Al:0.028重量％、N:0.0080重量％を
含有し、残部Fe及び不可避的不純物からなる70mm厚のス
ラブを1150℃の温度で加熱した後1000℃で熱延を開始
し、圧下配分を70→45→30→15→7.5→4.5→３（mm）と
し、熱延終了後２秒空冷後、100℃／秒で550℃まで水
冷し、550℃で１時間保持した後炉冷、２秒空冷後、5
0℃／秒で750℃まで水冷し、750℃で１時間保持した後
炉冷、なる２条件で冷却した。この熱延板を熱延板焼鈍
を施すことなく酸洗し、引き続く最終仕上焼鈍までの工
程条件は実施例１と同じ条件で行った。

熱延条件と製品の磁気特性を第２表に示す。

−実施例３− C:0.018重量％、Si:3.00重量％、Mn:0.15重量％、S:0.0
06重量％、酸可溶性Al:0.030重量％、N:0.0081重量％を
含有し、残部Fe及び不可避的不純物からなる60mm厚のス
ラブを1150℃の温度で加熱した後、５パスで熱延して3.
8mmの熱延板とした。この時圧下配分を60→35→22.7→1
3.6→6.8→3.8（mm）とし、熱延開始温度を1150℃、
1100℃、750℃の３条件とした。熱延終了後は実施
例２と同じ条件で冷却した。この熱延板を酸洗して圧下
率約87％で0.5mmの冷延板とし、830℃で200秒保持し、
引き続き850℃に20秒保持する脱炭焼鈍を施した。次い
で、この脱炭板に、750℃×30秒の熱処理を施し、この
時NH₃ガスを雰囲気ガスに混合させ、鋼板に窒素吸収を
生ぜしめた。しかる後、鋼板にMgOの主成分とする焼鈍
分離剤を塗布し、N₂25％、H₂75％の雰囲気ガス中で15℃
／時の速度で900℃まで昇温し、引き続きN₂75％、H₂25
％の雰囲気ガス中で15℃／時の速度で1200℃まで昇温
し、引き続きH₂100％の雰囲気ガス中で1200℃で20時間
保持する最終仕上焼鈍を行った。

熱延条件と製品の磁気特性を第３表に示す。

〔発明の効果〕 以上説明したように本発明においては、熱延最終３パス
の累積圧下率、熱延終了温度と熱延終了後鋼板を700℃
以上に保持する時間及び熱延後の巻取温度、またさらに
好ましくは、熱延の最終パスの圧下率を制御することに
より、熱延板焼鈍を施すことなく、１回冷延法で良好な
磁気特性を有する厚手一方向性電磁鋼板を製造すること
ができるので、その工業的効果は極めて大である。

【図面の簡単な説明】 第１図は熱延終了温度及び熱延終了後700℃以上に鋼板
が保持された時間と製品の磁束密度との関係を表したグ
ラフであり、第２図は仕上熱延の最終３パスの累積圧下
率と磁束密度との関係を表したグラフであり、第３図は
仕上熱延の最終パスの圧下率と磁束密度との関係を表し
たグラフであり、第４図は熱間加工再結晶挙動を示すグ
ラフであり、第５図は再結晶粒径に対する圧下率の影響
を示すグラフである。

フロントページの続き (72)発明者 高橋 延幸 福岡県北九州市八幡東区枝光１―１―１ 新日本製鐵株式會社第３技術研究所内 (56)参考文献 特公 昭58−35245（ＪＰ，Ｂ２)

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】重量でC:0.010〜0.060％、Si:2.5〜4.5％
   ならびに通常のインヒビター成分を含み、残余はFeおよ
   び不可避的不純物よりなる珪素鋼スラブを熱延し、熱延
   板焼鈍をすることなく、引き続き圧下率80％以上の冷
   延、脱炭焼鈍、最終仕上焼鈍を施して0.4〜1.0mm厚の厚
   手一方向性電磁鋼板を製造する方法において、仕上熱延
   の最終３パスの累積圧下率を50％以上とし、熱延終了温
   度を750〜1150℃とし、熱延終了後少くとも１秒以上、7
   00℃以上の温度に保持し、巻取温度を700℃未満とする
   ことを特徴とする磁気特性の優れた厚い板厚の一方向性
   電磁鋼板の製造方法。
2. 【請求項２】仕上熱延の最終パスの圧下率が20％以上で
   あることを特徴とする請求項１記載の磁気特性の優れた
   厚い板厚の一方向性電磁鋼板の製造方法。