JPH0765955A - エレクトロルミネッセンス素子の製法 - Google Patents
エレクトロルミネッセンス素子の製法Info
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- JPH0765955A JPH0765955A JP5213936A JP21393693A JPH0765955A JP H0765955 A JPH0765955 A JP H0765955A JP 5213936 A JP5213936 A JP 5213936A JP 21393693 A JP21393693 A JP 21393693A JP H0765955 A JPH0765955 A JP H0765955A
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 14
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 title claims description 9
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims abstract description 15
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims abstract description 13
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 23
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 11
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 7
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 claims description 5
- -1 alkaline earth metal sulfide Chemical class 0.000 claims description 5
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 claims description 3
- 239000002245 particle Substances 0.000 abstract description 15
- RWSOTUBLDIXVET-UHFFFAOYSA-N Dihydrogen sulfide Chemical compound S RWSOTUBLDIXVET-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 13
- 239000007789 gas Substances 0.000 abstract description 13
- 239000011521 glass Substances 0.000 abstract description 12
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 10
- 239000012535 impurity Substances 0.000 abstract description 7
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 7
- PBCFLUZVCVVTBY-UHFFFAOYSA-N tantalum pentoxide Inorganic materials O=[Ta](=O)O[Ta](=O)=O PBCFLUZVCVVTBY-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 7
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 abstract description 6
- GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N cerium Chemical compound [Ce] GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 6
- 229910000037 hydrogen sulfide Inorganic materials 0.000 abstract description 6
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 abstract description 5
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 abstract description 4
- ZEGFMFQPWDMMEP-UHFFFAOYSA-N strontium;sulfide Chemical compound [S-2].[Sr+2] ZEGFMFQPWDMMEP-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- 239000010408 film Substances 0.000 description 11
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000005083 Zinc sulfide Substances 0.000 description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 6
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 description 6
- 229910052984 zinc sulfide Inorganic materials 0.000 description 6
- XXCMBPUMZXRBTN-UHFFFAOYSA-N strontium sulfide Chemical compound [Sr]=S XXCMBPUMZXRBTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 4
- 239000011572 manganese Substances 0.000 description 4
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 4
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- DRDVZXDWVBGGMH-UHFFFAOYSA-N zinc;sulfide Chemical compound [S-2].[Zn+2] DRDVZXDWVBGGMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N Manganese Chemical compound [Mn] PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052772 Samarium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052771 Terbium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 238000010549 co-Evaporation Methods 0.000 description 2
- 238000007733 ion plating Methods 0.000 description 2
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052976 metal sulfide Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- KZUNJOHGWZRPMI-UHFFFAOYSA-N samarium atom Chemical compound [Sm] KZUNJOHGWZRPMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GZCRRIHWUXGPOV-UHFFFAOYSA-N terbium atom Chemical compound [Tb] GZCRRIHWUXGPOV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910007541 Zn O Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N digallium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Ga+3].[Ga+3] AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical group [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000008188 pellet Substances 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 ＥＬ素子の発光層の形成領域を決定するマス
クにおける、不純物，パーティクルの発生を抑えること
によって、ＥＬ素子の耐圧の低下，点破壊の発生等の信
頼性の低下を防ぐ。 【構成】 ＥＬ素子を構成する発光層を還元ガスを含む
雰囲気中において形成する際に使用する発光層の形成領
域を決定するマスクを、還元ガスに対して安定な物質で
あるＥＬ素子のガラス基板と同一のガラスよりなるマス
クとする。
クにおける、不純物，パーティクルの発生を抑えること
によって、ＥＬ素子の耐圧の低下，点破壊の発生等の信
頼性の低下を防ぐ。 【構成】 ＥＬ素子を構成する発光層を還元ガスを含む
雰囲気中において形成する際に使用する発光層の形成領
域を決定するマスクを、還元ガスに対して安定な物質で
あるＥＬ素子のガラス基板と同一のガラスよりなるマス
クとする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、エレクトロルミネッセ
ンス（Electroluminescence）素子（以下、ＥＬ素子と
称す）の製法に関するものであり、例えば計器類の自発
光型のセグメント表示やマトリックス表示、或いは各種
情報端末機器のディスプレイなどに使用されるＥＬ素子
の製法に関するものである。
ンス（Electroluminescence）素子（以下、ＥＬ素子と
称す）の製法に関するものであり、例えば計器類の自発
光型のセグメント表示やマトリックス表示、或いは各種
情報端末機器のディスプレイなどに使用されるＥＬ素子
の製法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、ＥＬ素子は、硫化亜鉛（ＺｎＳ）
等のＩＩ−ＶＩ族化合物に発光中心元素を添加した発光
層に電界を印加したときに発光する現象を利用したもの
で、自発光型の平面ディスプレイを構成するものとして
注目されている。図４は、従来のＥＬ素子１０の断面構
造を示したものである。
等のＩＩ−ＶＩ族化合物に発光中心元素を添加した発光
層に電界を印加したときに発光する現象を利用したもの
で、自発光型の平面ディスプレイを構成するものとして
注目されている。図４は、従来のＥＬ素子１０の断面構
造を示したものである。
【０００３】ＥＬ素子１０は、絶縁性基板であるガラス
基板１上に、光学的に透明なＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔ
ｉｎ Ｏｘｉｄｅ）膜等から成る第１電極２、五酸化タ
ンタル（Ｔａ2Ｏ5）等から成る第１絶縁層３、発光層
４、第２絶縁層５および第２電極６を順次積層して形成
されている。ＩＴＯ膜は、酸化インジウム（Ｉｎ2Ｏ3）
にすず（Ｓｎ）をドープした透明導電膜で、従来より透
明電極として広く使用されている。
基板１上に、光学的に透明なＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔ
ｉｎ Ｏｘｉｄｅ）膜等から成る第１電極２、五酸化タ
ンタル（Ｔａ2Ｏ5）等から成る第１絶縁層３、発光層
４、第２絶縁層５および第２電極６を順次積層して形成
されている。ＩＴＯ膜は、酸化インジウム（Ｉｎ2Ｏ3）
にすず（Ｓｎ）をドープした透明導電膜で、従来より透
明電極として広く使用されている。
【０００４】発光層４としては硫化亜鉛（ＺｎＳ）を母
体材料とし、発光中心としてマンガン（Ｍｎ），テルビ
ウム（Ｔｂ），サマリウム（Ｓｍ），を添加したもの
や、硫化ストロンチウム（ＳｒＳ）を母体材料とし発光
中心としてセリウム（Ｃｅ）を添加したものが使用され
る。ＥＬ素子の発光色は母体材料と発光中心として添加
される元素の組み合わせで決まり、硫化亜鉛（ＺｎＳ）
を母体材料とし、発光中心としてマンガン（Ｍｎ）を添
加した場合には黄橙色、テルビウム（Ｔｂ）を添加した
場合には緑色、サマリウム（Ｓｍ）を添加した場合には
赤色、硫化ストロンチウム（ＳｒＳ）を母体材料とし、
発光中心としてセリウム（Ｃｅ）を添加した場合には青
緑色が得られる。
体材料とし、発光中心としてマンガン（Ｍｎ），テルビ
ウム（Ｔｂ），サマリウム（Ｓｍ），を添加したもの
や、硫化ストロンチウム（ＳｒＳ）を母体材料とし発光
中心としてセリウム（Ｃｅ）を添加したものが使用され
る。ＥＬ素子の発光色は母体材料と発光中心として添加
される元素の組み合わせで決まり、硫化亜鉛（ＺｎＳ）
を母体材料とし、発光中心としてマンガン（Ｍｎ）を添
加した場合には黄橙色、テルビウム（Ｔｂ）を添加した
場合には緑色、サマリウム（Ｓｍ）を添加した場合には
赤色、硫化ストロンチウム（ＳｒＳ）を母体材料とし、
発光中心としてセリウム（Ｃｅ）を添加した場合には青
緑色が得られる。
【０００５】上述の構造からなるＥＬ素子１０の発光層
４に硫化ストロンチウム（ＳｒＳ）等のアルカリ土類金
属硫化物を用いる場合、これらの物質は不安定であるた
めに酸化しやすい。また硫黄（Ｓ）の蒸気圧が高いため
に硫黄（Ｓ）抜けが生じることが知られている。このよ
うな酸化，硫黄（Ｓ）抜け等の問題は、ＥＬ素子の発光
輝度を低下させる要因となる。
４に硫化ストロンチウム（ＳｒＳ）等のアルカリ土類金
属硫化物を用いる場合、これらの物質は不安定であるた
めに酸化しやすい。また硫黄（Ｓ）の蒸気圧が高いため
に硫黄（Ｓ）抜けが生じることが知られている。このよ
うな酸化，硫黄（Ｓ）抜け等の問題は、ＥＬ素子の発光
輝度を低下させる要因となる。
【０００６】発光層４の形成方法として、従来より、上
述するような酸化，硫黄抜け等を防止するために、硫化
水素（Ｈ2Ｓ）等の還元ガスを含む雰囲気中でのスパッ
タ法，蒸着法，もしくは硫黄（Ｓ）を別の蒸発源から供
給しながらの共蒸着法等が用いられる。
述するような酸化，硫黄抜け等を防止するために、硫化
水素（Ｈ2Ｓ）等の還元ガスを含む雰囲気中でのスパッ
タ法，蒸着法，もしくは硫黄（Ｓ）を別の蒸発源から供
給しながらの共蒸着法等が用いられる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、硫黄
（Ｓ）の共蒸着は真空装置、基板加熱用ヒータ等にダメ
ージを与えるうえに制御性も悪いため、硫化水素（Ｈ2
Ｓ）等の還元ガスを導入する方法の方が有効である。し
かし硫化水素（Ｈ2Ｓ）は金属と反応して金属硫化物等
を生成しやすいという性質を持つ。即ち、反応して生成
した金属硫化物等が発光層中に混入、もしくはパーティ
クルとしてＥＬ発光素子の発光層表面に付着した場合、
耐圧の低下、点破壊等が発生し、信頼性に対して著しい
悪影響を及ぼすのである。
（Ｓ）の共蒸着は真空装置、基板加熱用ヒータ等にダメ
ージを与えるうえに制御性も悪いため、硫化水素（Ｈ2
Ｓ）等の還元ガスを導入する方法の方が有効である。し
かし硫化水素（Ｈ2Ｓ）は金属と反応して金属硫化物等
を生成しやすいという性質を持つ。即ち、反応して生成
した金属硫化物等が発光層中に混入、もしくはパーティ
クルとしてＥＬ発光素子の発光層表面に付着した場合、
耐圧の低下、点破壊等が発生し、信頼性に対して著しい
悪影響を及ぼすのである。
【０００８】さらに、一般にＥＬ素子の発光層４を形成
する場合、少なくとも２００℃程度の基板温度を必要と
する。特に、発光層４にアルカリ土類金属硫化物を用い
る場合には４００℃〜６００℃と高温において発光層４
を形成する場合が多い。この時、発光層４の形成領域を
決定するマスクは、基板と接しているため基板温度と同
じ温度となる。
する場合、少なくとも２００℃程度の基板温度を必要と
する。特に、発光層４にアルカリ土類金属硫化物を用い
る場合には４００℃〜６００℃と高温において発光層４
を形成する場合が多い。この時、発光層４の形成領域を
決定するマスクは、基板と接しているため基板温度と同
じ温度となる。
【０００９】従来、発光層４の形成領域を決定するマス
クとしては、例えばスパッタ法では特公平５−６３１９
号公報に示されたように、ステンレス製のメタルマスク
が使用されていた。そのため、硫化水素（Ｈ2Ｓ）の反
応性は温度上昇とともに高くなり、ステンレス製メタル
マスクと硫化水素は激しく反応する。また、ステンレス
製メタルマスクが形成する発光層４に近くかつ同一平面
にあるため、発光層４へ反応によって生成された物質の
混入、パーティクルが付着する可能性も非常に高くな
る。
クとしては、例えばスパッタ法では特公平５−６３１９
号公報に示されたように、ステンレス製のメタルマスク
が使用されていた。そのため、硫化水素（Ｈ2Ｓ）の反
応性は温度上昇とともに高くなり、ステンレス製メタル
マスクと硫化水素は激しく反応する。また、ステンレス
製メタルマスクが形成する発光層４に近くかつ同一平面
にあるため、発光層４へ反応によって生成された物質の
混入、パーティクルが付着する可能性も非常に高くな
る。
【００１０】そのため従来、発光層４にアルカリ土類金
属硫化物を用いたＥＬ素子では、耐圧の低下、点破壊の
発生が著しく、その信頼性は実用上乏しいものであっ
た。また信頼性低下による製造歩留まりの悪化が避けら
れず、安価な製造コストを実現することができなかっ
た。本発明は、上記の課題を解決するために成されたも
のであり、ＥＬ素子の発光層の形成領域を決定するマス
クにおける不純物，パーティクルの発生を抑えることに
よって、ＥＬ素子の耐圧の低下，点破壊の発生等の信頼
性の低下を防ぐことを目的とするものである。
属硫化物を用いたＥＬ素子では、耐圧の低下、点破壊の
発生が著しく、その信頼性は実用上乏しいものであっ
た。また信頼性低下による製造歩留まりの悪化が避けら
れず、安価な製造コストを実現することができなかっ
た。本発明は、上記の課題を解決するために成されたも
のであり、ＥＬ素子の発光層の形成領域を決定するマス
クにおける不純物，パーティクルの発生を抑えることに
よって、ＥＬ素子の耐圧の低下，点破壊の発生等の信頼
性の低下を防ぐことを目的とするものである。
【００１１】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
の本発明の第１の特徴は、絶縁性基板上に第１電極，第
１絶縁層，発光層，第２絶縁層及び第２電極よりなるエ
レクトロルミネッセンス素子の製法であって、前記発光
層を還元ガスを含む雰囲気中において形成する際に、前
記発光層の形成領域を決定するマスクを、前記還元ガス
に対して安定な物質もしくは耐性のある表面処理を施し
た物質とするエレクトロミネッセンス素子の製法を提供
するものである。
の本発明の第１の特徴は、絶縁性基板上に第１電極，第
１絶縁層，発光層，第２絶縁層及び第２電極よりなるエ
レクトロルミネッセンス素子の製法であって、前記発光
層を還元ガスを含む雰囲気中において形成する際に、前
記発光層の形成領域を決定するマスクを、前記還元ガス
に対して安定な物質もしくは耐性のある表面処理を施し
た物質とするエレクトロミネッセンス素子の製法を提供
するものである。
【００１２】また第２の特徴は、前記発光層をスパッタ
法によって形成することである。第３の特徴は、前記発
光層が発光中心元素を添加したアルカリ土類金属硫化物
よりなることである。第４の特徴は、前記マスクと前記
絶縁性基板とは、同一の物質よりなることである。
法によって形成することである。第３の特徴は、前記発
光層が発光中心元素を添加したアルカリ土類金属硫化物
よりなることである。第４の特徴は、前記マスクと前記
絶縁性基板とは、同一の物質よりなることである。
【００１３】
【作用及び効果】即ち本発明では、少なくとも発光層の
形成領域を決定するマスクに、硫化水素（Ｈ2Ｓ）等の
前記還元ガスに対して安定な物質もしくは耐性のある表
面処理を施した物質を用いることによって、発光層の形
成領域を決定するマスクからの不純物，パーティクルの
発生を抑えることができる。
形成領域を決定するマスクに、硫化水素（Ｈ2Ｓ）等の
前記還元ガスに対して安定な物質もしくは耐性のある表
面処理を施した物質を用いることによって、発光層の形
成領域を決定するマスクからの不純物，パーティクルの
発生を抑えることができる。
【００１４】そのためＥＬ素子の発光層形成時における
発光層への不純物混入，発光層表面へのパーティクル付
着が無くなり、信頼性の低下を防ぐことができる。特に
発光層形成領域を決定するマスクとＥＬ素子の基板とを
同一の物質を用いた場合には不純物、パーティクルの発
生を抑えるだけでなく、熱膨張係数が等しいために熱膨
張による発光層形成領域のズレも無くすこともできる。
発光層への不純物混入，発光層表面へのパーティクル付
着が無くなり、信頼性の低下を防ぐことができる。特に
発光層形成領域を決定するマスクとＥＬ素子の基板とを
同一の物質を用いた場合には不純物、パーティクルの発
生を抑えるだけでなく、熱膨張係数が等しいために熱膨
張による発光層形成領域のズレも無くすこともできる。
【００１５】そのため本発明によって、従来信頼性に乏
しかったＥＬ素子に対しても著しく信頼性が向上する。
しかったＥＬ素子に対しても著しく信頼性が向上する。
【００１６】
【実施例】以下、本発明を具体的な実施例に基づいて説
明する。図１は本発明に係わるＥＬ素子１００の断面の
模式図である。尚、図１のＥＬ素子１００では矢印方向
に光を取り出している。薄膜ＥＬ素子１００では、絶縁
性基板であるガラス基板１１上に順次、以下の薄膜が積
層形成され、構成されている。尚、以下各層の膜厚はそ
の中央の部分を基準として述べている。
明する。図１は本発明に係わるＥＬ素子１００の断面の
模式図である。尚、図１のＥＬ素子１００では矢印方向
に光を取り出している。薄膜ＥＬ素子１００では、絶縁
性基板であるガラス基板１１上に順次、以下の薄膜が積
層形成され、構成されている。尚、以下各層の膜厚はそ
の中央の部分を基準として述べている。
【００１７】絶縁性基板１１上に第１電極１２として光
学的に透明である酸化亜鉛（ＺｎＯ）、第１絶縁層１３
として五酸化タンタル（Ｔａ2Ｏ5）を順次積層し、その
上に発光層１４としてセリウム（Ｃｅ）を発光中心とし
て添加した硫化ストロンチウム（ＳｒＳ）をスパッタ法
で成膜した。その後、第２絶縁層１５として五酸化タン
タル（Ｔａ2Ｏ5）、第２電極１６として光学的に透明な
酸化亜鉛（ＺｎＯ）を積層してＥＬ素子を構成した。
学的に透明である酸化亜鉛（ＺｎＯ）、第１絶縁層１３
として五酸化タンタル（Ｔａ2Ｏ5）を順次積層し、その
上に発光層１４としてセリウム（Ｃｅ）を発光中心とし
て添加した硫化ストロンチウム（ＳｒＳ）をスパッタ法
で成膜した。その後、第２絶縁層１５として五酸化タン
タル（Ｔａ2Ｏ5）、第２電極１６として光学的に透明な
酸化亜鉛（ＺｎＯ）を積層してＥＬ素子を構成した。
【００１８】次に、上述の薄膜ＥＬ素子１００の製法を
以下に述べる。先ず、ガラス基板１１上に第１透明電極
１２を成膜した。蒸着材料としては、酸化亜鉛（Ｚｎ
Ｏ）粉末に酸化ガリウム（Ｇａ2Ｏ3）を加えて混合し、
ペレット状に成形したものを用いた。また、成膜装置と
してはイオンプレーティング装置を用いた。
以下に述べる。先ず、ガラス基板１１上に第１透明電極
１２を成膜した。蒸着材料としては、酸化亜鉛（Ｚｎ
Ｏ）粉末に酸化ガリウム（Ｇａ2Ｏ3）を加えて混合し、
ペレット状に成形したものを用いた。また、成膜装置と
してはイオンプレーティング装置を用いた。
【００１９】具体的には、上記ガラス基板１１の温度を
一定に保持したままイオンプレーティング装置内を真空
に排気した後、アルゴン（Ａｒ）ガスを導入して圧力を
一定に保ち、成膜速度が６〜１８ｎｍ／ｍｉｎの範囲と
なるようなビーム電力及び高周波電力を調整し成膜し
た。次に、第１透明電極１２上に、五酸化タンタル（Ｔ
ａ2Ｏ5）から成る第１絶縁層１３をスパッタ法により形
成した。
一定に保持したままイオンプレーティング装置内を真空
に排気した後、アルゴン（Ａｒ）ガスを導入して圧力を
一定に保ち、成膜速度が６〜１８ｎｍ／ｍｉｎの範囲と
なるようなビーム電力及び高周波電力を調整し成膜し
た。次に、第１透明電極１２上に、五酸化タンタル（Ｔ
ａ2Ｏ5）から成る第１絶縁層１３をスパッタ法により形
成した。
【００２０】具体的には、ガラス基板１１の温度を一定
に保持し、スパッタ装置内にアルゴン（Ａｒ）と酸素
（Ｏ2）の混合ガスを導入し、１ｋＷの高周波電力で成
膜を行った。上記第１絶縁層１３上に、硫化ストロンチ
ウム（ＳｒＳ）を母体材料とし、発光中心としてセリウ
ム（Ｃｅ）を添加した硫化ストロンチウム：セリウム
（ＳｒＳ：Ｃｅ）発光層１４をスパッタ法により形成し
た。
に保持し、スパッタ装置内にアルゴン（Ａｒ）と酸素
（Ｏ2）の混合ガスを導入し、１ｋＷの高周波電力で成
膜を行った。上記第１絶縁層１３上に、硫化ストロンチ
ウム（ＳｒＳ）を母体材料とし、発光中心としてセリウ
ム（Ｃｅ）を添加した硫化ストロンチウム：セリウム
（ＳｒＳ：Ｃｅ）発光層１４をスパッタ法により形成し
た。
【００２１】具体的には、上記ガラス基板１１を５００
℃の高温に保持し、スパッタ装置内にアルゴン（Ａｒ）
ガスに５％の割合で硫化水素（Ｈ2Ｓ）を混合した混合
ガスを導入し、１５０Ｗの高周波電力で成膜した。この
時、発光層の形成領域を決定するマスクとして、硫化水
素に対して安定な物質であるＥＬ素子１００に用いた絶
縁性基板であるガラス基板１１と同一のガラスを用い
た。
℃の高温に保持し、スパッタ装置内にアルゴン（Ａｒ）
ガスに５％の割合で硫化水素（Ｈ2Ｓ）を混合した混合
ガスを導入し、１５０Ｗの高周波電力で成膜した。この
時、発光層の形成領域を決定するマスクとして、硫化水
素に対して安定な物質であるＥＬ素子１００に用いた絶
縁性基板であるガラス基板１１と同一のガラスを用い
た。
【００２２】さらに、発光層１４上に五酸化タンタル
（Ｔａ2Ｏ5）から成る第２絶縁層１５を上述の第１絶縁
層１３と同様の方法で形成した。そして酸化亜鉛（Ｚｎ
Ｏ）膜から成る第２透明電極１６を、上述第１透明電極
と同様の方法により、第２絶縁層１５上に形成した。各
層の膜厚は、第１，第２透明電極１２，１６が３００ｎ
ｍ、第１，第２絶縁層１３，１５が４００ｎｍ、発光層
１４が８００ｎｍである。
（Ｔａ2Ｏ5）から成る第２絶縁層１５を上述の第１絶縁
層１３と同様の方法で形成した。そして酸化亜鉛（Ｚｎ
Ｏ）膜から成る第２透明電極１６を、上述第１透明電極
と同様の方法により、第２絶縁層１５上に形成した。各
層の膜厚は、第１，第２透明電極１２，１６が３００ｎ
ｍ、第１，第２絶縁層１３，１５が４００ｎｍ、発光層
１４が８００ｎｍである。
【００２３】実際に作製したＥＬ素子の電圧−発光輝度
曲線を図２に示す。この図で比較例１は、発光層１４を
成膜する時の発光層形成領域を決定するマスクとして、
従来使用されているステンレス製メタルマスクを用いた
ものである。比較例１の場合には発光輝度が低いうちに
素子破壊が起こり、発光層自体の性能を十分発揮しない
うちに素子が破壊してしまった。
曲線を図２に示す。この図で比較例１は、発光層１４を
成膜する時の発光層形成領域を決定するマスクとして、
従来使用されているステンレス製メタルマスクを用いた
ものである。比較例１の場合には発光輝度が低いうちに
素子破壊が起こり、発光層自体の性能を十分発揮しない
うちに素子が破壊してしまった。
【００２４】次に、図３は発光層１４成膜時に導入した
前記混合ガス中の硫化水素（Ｈ2Ｓ）の割合を変化させ
た時の発光層１４の表面におけるパーティクルの数を示
したものである。図３のパーティクルの数は、発光層１
４を形成後、表面を顕微鏡によって観察し、１ｃｍ2 当
たりの粒径１μｍ以上のパーティクルの数を数えたもの
である。
前記混合ガス中の硫化水素（Ｈ2Ｓ）の割合を変化させ
た時の発光層１４の表面におけるパーティクルの数を示
したものである。図３のパーティクルの数は、発光層１
４を形成後、表面を顕微鏡によって観察し、１ｃｍ2 当
たりの粒径１μｍ以上のパーティクルの数を数えたもの
である。
【００２５】図３においても、比較例１は、発光層１４
を成膜する時の発光層形成領域を決定するマスクとし
て、ステンレス製メタルマスクを用いたものである。図
３から分かるように本実施例を用いることによって、硫
化水素（Ｈ2Ｓ）の割合を増加させても発光層１４を形
成するときに発生するパーティクルの数を著しく減少さ
せることができる。
を成膜する時の発光層形成領域を決定するマスクとし
て、ステンレス製メタルマスクを用いたものである。図
３から分かるように本実施例を用いることによって、硫
化水素（Ｈ2Ｓ）の割合を増加させても発光層１４を形
成するときに発生するパーティクルの数を著しく減少さ
せることができる。
【００２６】このように本実施例を用いることによっ
て、従来の方法に較べて、発光層形成時の不純物、パー
ティクルの発生を著しく抑えることができる。以上説明
したように、本実施例を用いることによってＥＬ素子の
発光層形成時の不純物、パーティクルの発生を抑えるこ
とができる。さらには、発光層の性能を十分に発揮でき
るＥＬ素子が得られ、ＥＬ素子の信頼性を著しく向上さ
せることができる。
て、従来の方法に較べて、発光層形成時の不純物、パー
ティクルの発生を著しく抑えることができる。以上説明
したように、本実施例を用いることによってＥＬ素子の
発光層形成時の不純物、パーティクルの発生を抑えるこ
とができる。さらには、発光層の性能を十分に発揮でき
るＥＬ素子が得られ、ＥＬ素子の信頼性を著しく向上さ
せることができる。
【図１】本発明の具体的な一実施例に係わるエレクトロ
ルミネッセンス素子の縦断面を示した模式図である。
ルミネッセンス素子の縦断面を示した模式図である。
【図２】同実施例に係わるエレクトロルミネッセンス素
子の印加電圧に対する発光輝度を示した特性図である。
子の印加電圧に対する発光輝度を示した特性図である。
【図３】同実施例に係わるエレクトロルミネッセンス素
子の発光層形成時に導入する混合ガス中の硫化水素の割
合に対するパーティクル発生量を示した特性図である。
子の発光層形成時に導入する混合ガス中の硫化水素の割
合に対するパーティクル発生量を示した特性図である。
【図４】従来のエレクトロルミネッセンス素子の縦断面
を示した模式図である。
を示した模式図である。
１ ガラス基板（絶縁性基板） ２ 第１透明電極（第１電極） ３ 第１絶縁層 ４ 発光層 ５ 第２絶縁層 ６ 第２透明電極（第２電極） １０ ＥＬ素子（エレクトロルミネッセンス素子） １１ ガラス基板（絶縁性基板） １２ 第１透明電極（第１電極） １３ 第１絶縁層 １４ 発光層 １５ 第２絶縁層 １６ 第２透明電極（第２電極） １００ ＥＬ素子（エレクトロルミネッセンス素子）
Claims (4)
- 【請求項１】 絶縁性基板上に第１電極，第１絶縁層，
発光層，第２絶縁層及び第２電極よりなるエレクトロル
ミネッセンス素子の製法であって、 前記発光層を還元ガスを含む雰囲気中において形成する
際に、前記発光層の形成領域を決定するマスクを、前記
還元ガスに対して安定な物質もしくは耐性のある表面処
理を施した物質とすることを特徴とするエレクトロミネ
ッセンス素子の製法。 - 【請求項２】 前記発光層は、スパッタ法によって形成
されることを特徴とする請求項１記載のエレクトロルミ
ネッセンス素子の製法。 - 【請求項３】 前記発光層は、発光中心元素を添加した
アルカリ土類金属硫化物よりなることを特徴とする請求
項１記載のエレクトロルミネッセンス素子の製法。 - 【請求項４】 前記マスクと前記絶縁性基板とは、同一
の物質よりなることを特徴とする請求項１記載のエレク
トロルミネッセンス素子の製法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5213936A JPH0765955A (ja) | 1993-08-30 | 1993-08-30 | エレクトロルミネッセンス素子の製法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5213936A JPH0765955A (ja) | 1993-08-30 | 1993-08-30 | エレクトロルミネッセンス素子の製法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0765955A true JPH0765955A (ja) | 1995-03-10 |
Family
ID=16647504
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5213936A Withdrawn JPH0765955A (ja) | 1993-08-30 | 1993-08-30 | エレクトロルミネッセンス素子の製法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0765955A (ja) |
-
1993
- 1993-08-30 JP JP5213936A patent/JPH0765955A/ja not_active Withdrawn
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20001031 |