JPH07122363A - エレクトロルミネッセンス素子の製造方法 - Google Patents
エレクトロルミネッセンス素子の製造方法Info
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- JPH07122363A JPH07122363A JP5263687A JP26368793A JPH07122363A JP H07122363 A JPH07122363 A JP H07122363A JP 5263687 A JP5263687 A JP 5263687A JP 26368793 A JP26368793 A JP 26368793A JP H07122363 A JPH07122363 A JP H07122363A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 スパッタ法を用いてＥＬ素子の発光層を形成
する際に、発光中心元素を発光層中に効率よく添加し、
膜中組成の安定した薄膜を得ることを目的とする。 【構成】 絶縁性基板１１上に第１電極１２，第１絶縁
層１３，発光層１４，第２絶縁層１５及び第２透明電極
１６を、順次積層したエレクトロルミネッセンス素子の
製造方法であって、発光中心として希土類元素を添加し
たアルカリ土類金属硫化物から成る発光層をスパッタ法
で形成する際に、相対密度９０％以上の焼結ターゲット
を用いる。
する際に、発光中心元素を発光層中に効率よく添加し、
膜中組成の安定した薄膜を得ることを目的とする。 【構成】 絶縁性基板１１上に第１電極１２，第１絶縁
層１３，発光層１４，第２絶縁層１５及び第２透明電極
１６を、順次積層したエレクトロルミネッセンス素子の
製造方法であって、発光中心として希土類元素を添加し
たアルカリ土類金属硫化物から成る発光層をスパッタ法
で形成する際に、相対密度９０％以上の焼結ターゲット
を用いる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、例えば計器類の自発光
型のセグメント表示やマトリックス表示、あるいは各種
情報端末機器のディスプレイなどに使用されるエレクト
ロルミネッセンス（Electroluminescence ）素子（以
下、ＥＬ素子）の製造方法に関する。
型のセグメント表示やマトリックス表示、あるいは各種
情報端末機器のディスプレイなどに使用されるエレクト
ロルミネッセンス（Electroluminescence ）素子（以
下、ＥＬ素子）の製造方法に関する。
【０００２】
【従来技術】従来、ＥＬ素子は、硫化亜鉛（ＺｎＳ）等
のII−VI族化合物に発光中心元素を添加した発光層に電
界を印加したときに発光する現象を利用したもので、自
発光型の平面ディスプレイを構成するものとして注目さ
れている。図４は、従来のＥＬ素子１０の断面構造を示
したものである。
のII−VI族化合物に発光中心元素を添加した発光層に電
界を印加したときに発光する現象を利用したもので、自
発光型の平面ディスプレイを構成するものとして注目さ
れている。図４は、従来のＥＬ素子１０の断面構造を示
したものである。
【０００３】ＥＬ素子１０は、絶縁性基板であるガラス
基板１上に、光学的に透明なＩＴＯ（Indium Tin Oxid
e）膜等から成る第１電極２、五酸化タンタル（Ｔａ2Ｏ
5）等から成る第１絶縁層３、発光層４、第２絶縁層５
および第２電極６を順次積層して形成されている。ＩＴ
Ｏ膜は、酸化インジウム（Ｉｎ2Ｏ3）に錫（Ｓｎ）をド
ープした透明導電膜で、従来より透明電極として広く使
用されている。
基板１上に、光学的に透明なＩＴＯ（Indium Tin Oxid
e）膜等から成る第１電極２、五酸化タンタル（Ｔａ2Ｏ
5）等から成る第１絶縁層３、発光層４、第２絶縁層５
および第２電極６を順次積層して形成されている。ＩＴ
Ｏ膜は、酸化インジウム（Ｉｎ2Ｏ3）に錫（Ｓｎ）をド
ープした透明導電膜で、従来より透明電極として広く使
用されている。
【０００４】発光層４としては硫化亜鉛（ＺｎＳ）を母
体材料とし、発光中心としてマンガン（Ｍｎ）、テルビ
ウム（Ｔｂ）、サマリウム（Ｓｍ）を添加したものや、
硫化ストロンチウム（ＳｒＳ）を母体材料とし発光中心
としてセリウム（Ｃｅ）を添加したものが使用される。
ＥＬ素子の発光色は母体材料と発光中心として添加され
る元素の組み合わせで決まり、硫化亜鉛（ＺｎＳ）を母
体材料とし、発光中心としてマンガン（Ｍｎ）を添加し
た場合には黄橙色、テルビウム（Ｔｂ）を添加した場合
には緑色、サマリウム（Ｓｍ）を添加した場合には赤
色、硫化ストロンチウム（ＳｒＳ）を母体材料とし、発
光中心としてセリウム（Ｃｅ）を添加した場合には青緑
色が得られる。
体材料とし、発光中心としてマンガン（Ｍｎ）、テルビ
ウム（Ｔｂ）、サマリウム（Ｓｍ）を添加したものや、
硫化ストロンチウム（ＳｒＳ）を母体材料とし発光中心
としてセリウム（Ｃｅ）を添加したものが使用される。
ＥＬ素子の発光色は母体材料と発光中心として添加され
る元素の組み合わせで決まり、硫化亜鉛（ＺｎＳ）を母
体材料とし、発光中心としてマンガン（Ｍｎ）を添加し
た場合には黄橙色、テルビウム（Ｔｂ）を添加した場合
には緑色、サマリウム（Ｓｍ）を添加した場合には赤
色、硫化ストロンチウム（ＳｒＳ）を母体材料とし、発
光中心としてセリウム（Ｃｅ）を添加した場合には青緑
色が得られる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上述の構造からなるＥ
Ｌ素子１０の発光層４をスパッタ法で形成する場合に、
粉末もしくは焼結ターゲットが用いられる。粉末ターゲ
ットを用いた場合には、ターゲットの粉末表面のならし
具合等によってスパッタ中の異常放電、成膜レートの不
安定等の問題が生じるため、組成、膜質の安定した薄膜
を得ることは難しい。
Ｌ素子１０の発光層４をスパッタ法で形成する場合に、
粉末もしくは焼結ターゲットが用いられる。粉末ターゲ
ットを用いた場合には、ターゲットの粉末表面のならし
具合等によってスパッタ中の異常放電、成膜レートの不
安定等の問題が生じるため、組成、膜質の安定した薄膜
を得ることは難しい。
【０００６】一方、焼結ターゲットを用いた場合には、
再現性、制御性が粉末ターゲットより優れている。ここ
で、焼結ターゲットを用いたスパッタ法によるアルカリ
土類金属硫化物を発光層としたＥＬ素子の製造方法とし
ては、例えば特開平４−３６９９２号公報に記載されて
いる。
再現性、制御性が粉末ターゲットより優れている。ここ
で、焼結ターゲットを用いたスパッタ法によるアルカリ
土類金属硫化物を発光層としたＥＬ素子の製造方法とし
ては、例えば特開平４−３６９９２号公報に記載されて
いる。
【０００７】しかしながら、焼結ターゲットを採用した
としてもいまだ膜中組成の安定した発光層を得ることが
できなかった。即ち、焼結ターゲットの作製は焼結する
工程において焼結方法、焼結温度、焼結時間等の様々な
要因があり、特にアルカリ土類金属硫化物はその物質自
体不安定であるため、これらの要因によるターゲットの
焼結具合のばらつきが著しいためである。そのため同一
の割合でターゲット中に発光中心元素を添加し焼結した
場合でも、ターゲットの焼結具合によって発光層中に添
加できる発光中心元素の量が大きく異なってしまうとい
う問題が生じてしまうのである。
としてもいまだ膜中組成の安定した発光層を得ることが
できなかった。即ち、焼結ターゲットの作製は焼結する
工程において焼結方法、焼結温度、焼結時間等の様々な
要因があり、特にアルカリ土類金属硫化物はその物質自
体不安定であるため、これらの要因によるターゲットの
焼結具合のばらつきが著しいためである。そのため同一
の割合でターゲット中に発光中心元素を添加し焼結した
場合でも、ターゲットの焼結具合によって発光層中に添
加できる発光中心元素の量が大きく異なってしまうとい
う問題が生じてしまうのである。
【０００８】本発明は上述のようなスパッタ法を用いて
ＥＬ素子の発光層を形成する場合に、発光中心元素を発
光層中に効率よく添加し、膜中組成の安定した発光層を
得ることを目的とする。
ＥＬ素子の発光層を形成する場合に、発光中心元素を発
光層中に効率よく添加し、膜中組成の安定した発光層を
得ることを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】我々発明者らは、鋭意研
究した結果、焼結ターゲットを用いたスパッタ法を用い
て、発光中心元素を添加したアルカリ土類金属硫化物か
ら成る発光層を形成する際に、得られた発光層の組成の
安定度合いは、焼結ターゲットの相対密度に大きく起因
することをはじめて見出したのである。
究した結果、焼結ターゲットを用いたスパッタ法を用い
て、発光中心元素を添加したアルカリ土類金属硫化物か
ら成る発光層を形成する際に、得られた発光層の組成の
安定度合いは、焼結ターゲットの相対密度に大きく起因
することをはじめて見出したのである。
【００１０】そこで、上記課題を解決するための本発明
の第１の特徴として、絶縁性基板上に第１電極，第１絶
縁層，発光層，第２絶縁層及び第２電極を、少なくとも
光取り出し側の材料を光学的に透明なものにて順次積層
したエレクトロルミネッセンス素子の製造工程であっ
て、発光中心として希土類元素を添加したアルカリ土類
金属硫化物から成る発光層をスパッタ法で形成する際
に、相対密度９０％以上の焼結ターゲットを用いること
である。
の第１の特徴として、絶縁性基板上に第１電極，第１絶
縁層，発光層，第２絶縁層及び第２電極を、少なくとも
光取り出し側の材料を光学的に透明なものにて順次積層
したエレクトロルミネッセンス素子の製造工程であっ
て、発光中心として希土類元素を添加したアルカリ土類
金属硫化物から成る発光層をスパッタ法で形成する際
に、相対密度９０％以上の焼結ターゲットを用いること
である。
【００１１】また、第２の特徴は、第１の特徴に加え
て、前記焼結ターゲット中に添加された発光中心元素の
仕込濃度が０．０２ａｔ％から０．６ａｔ％の範囲であ
り、基板温度を３００℃〜５００℃で発光層を形成する
ことである。さらにまた、第３の特徴は、第１及び第２
の特徴に加えて、前記発光中心がセリウム（Ｃｅ）、ユ
ーロピウム（Ｅｕ）であることである。
て、前記焼結ターゲット中に添加された発光中心元素の
仕込濃度が０．０２ａｔ％から０．６ａｔ％の範囲であ
り、基板温度を３００℃〜５００℃で発光層を形成する
ことである。さらにまた、第３の特徴は、第１及び第２
の特徴に加えて、前記発光中心がセリウム（Ｃｅ）、ユ
ーロピウム（Ｅｕ）であることである。
【００１２】
【作用】即ち本発明を用いることによって、焼結ターゲ
ットの中に添加した発光中心元素及びその他微量元素を
ＥＬ素子の発光層中に非常に効率よく添加できる。ま
た、本発明を用いた場合には、ＥＬ素子の発光層中の発
光中心元素の濃度は焼結ターゲット中に添加した発光中
心元素の濃度に比例するため、ＥＬ素子の発光層中の発
光中心元素の濃度を再現性良く制御することができる。
ットの中に添加した発光中心元素及びその他微量元素を
ＥＬ素子の発光層中に非常に効率よく添加できる。ま
た、本発明を用いた場合には、ＥＬ素子の発光層中の発
光中心元素の濃度は焼結ターゲット中に添加した発光中
心元素の濃度に比例するため、ＥＬ素子の発光層中の発
光中心元素の濃度を再現性良く制御することができる。
【００１３】
【発明の効果】本願発明を採用することによって、スパ
ッタ法を用いてＥＬ素子の発光層を形成する場合に、発
光中心元素を発光層中に効率よく添加し、膜中組成の安
定した発光層を得ることができる。
ッタ法を用いてＥＬ素子の発光層を形成する場合に、発
光中心元素を発光層中に効率よく添加し、膜中組成の安
定した発光層を得ることができる。
【００１４】
【実施例】（実施例１）以下、本発明を具体的な実施例
に基づいて説明する。図１は本発明に係わるＥＬ素子１
００の断面の模式図である。尚、図１のＥＬ素子１００
では矢印方向に光を取り出している。
に基づいて説明する。図１は本発明に係わるＥＬ素子１
００の断面の模式図である。尚、図１のＥＬ素子１００
では矢印方向に光を取り出している。
【００１５】薄膜ＥＬ素子１００では、絶縁性基板であ
るガラス基板１１上に順次、以下の薄膜が積層形成さ
れ、構成されている。尚、以下各層の膜厚はその中央の
部分を基準として述べている。絶縁性基板１１上に第１
電極１２として光学的に透明である酸化亜鉛（Ｚｎ
Ｏ）、第１絶縁層１３として五酸化タンタル（Ｔａ
2Ｏ5）を順次積層し、その上に発光層１４としてセリウ
ム（Ｃｅ）を発光中心として添加した硫化ストロンチウ
ム（ＳｒＳ）をスパッタ法で成膜した。その後、第２絶
縁層１５として五酸化タンタル（Ｔａ2Ｏ5）、第２電極
１６として光学的に透明な酸化亜鉛（ＺｎＯ）を積層し
てＥＬ素子を構成した。
るガラス基板１１上に順次、以下の薄膜が積層形成さ
れ、構成されている。尚、以下各層の膜厚はその中央の
部分を基準として述べている。絶縁性基板１１上に第１
電極１２として光学的に透明である酸化亜鉛（Ｚｎ
Ｏ）、第１絶縁層１３として五酸化タンタル（Ｔａ
2Ｏ5）を順次積層し、その上に発光層１４としてセリウ
ム（Ｃｅ）を発光中心として添加した硫化ストロンチウ
ム（ＳｒＳ）をスパッタ法で成膜した。その後、第２絶
縁層１５として五酸化タンタル（Ｔａ2Ｏ5）、第２電極
１６として光学的に透明な酸化亜鉛（ＺｎＯ）を積層し
てＥＬ素子を構成した。
【００１６】次に、上述の薄膜ＥＬ素子１００の製造方
法を以下に述べる。先ず、ガラス基板１１上に第１透明
電極１２を成膜した。蒸着材料としては、酸化亜鉛（Ｚ
ｎＯ）粉末に酸化ガリウム（Ｇａ2Ｏ3）を加えて混合
し、ペレット状に成形したものを用い、成膜装置として
はイオンプレーティング装置を用いた。
法を以下に述べる。先ず、ガラス基板１１上に第１透明
電極１２を成膜した。蒸着材料としては、酸化亜鉛（Ｚ
ｎＯ）粉末に酸化ガリウム（Ｇａ2Ｏ3）を加えて混合
し、ペレット状に成形したものを用い、成膜装置として
はイオンプレーティング装置を用いた。
【００１７】具体的には、上記ガラス基板１１の温度を
一定に保持したままイオンプレーティング装置内を真空
に排気した後、アルゴン（Ａｒ）ガスを導入して圧力を
一定に保ち、成膜速度が６〜１８ｎｍ／ｍｉｎの範囲と
なるようなビーム電力及び高周波電力を調整し、成膜し
た。次に、上記第１透明電極１２上に、五酸化タンタル
（Ｔａ2Ｏ5）から成る第１絶縁層１３をスパッタ法によ
り形成した。具体的には、上記ガラス基板１１の温度を
一定に保持し、スパッタ装置内にアルゴン（Ａｒ）と酸
素（Ｏ2）の混合ガスを導入し、１ｋＷの高周波電力で
成膜を行った。
一定に保持したままイオンプレーティング装置内を真空
に排気した後、アルゴン（Ａｒ）ガスを導入して圧力を
一定に保ち、成膜速度が６〜１８ｎｍ／ｍｉｎの範囲と
なるようなビーム電力及び高周波電力を調整し、成膜し
た。次に、上記第１透明電極１２上に、五酸化タンタル
（Ｔａ2Ｏ5）から成る第１絶縁層１３をスパッタ法によ
り形成した。具体的には、上記ガラス基板１１の温度を
一定に保持し、スパッタ装置内にアルゴン（Ａｒ）と酸
素（Ｏ2）の混合ガスを導入し、１ｋＷの高周波電力で
成膜を行った。
【００１８】上記第１絶縁層１３上に、硫化ストロンチ
ウム（ＳｒＳ）を母体材料とし、発光中心としてセリウ
ム（Ｃｅ）を添加した硫化ストロンチウム：セリウム
（ＳｒＳ：Ｃｅ）発光層１４をスパッタ法により形成し
た。具体的には、上記ガラス基板１１を５００℃の高温
に保持し、スパッタ装置内にアルゴン（Ａｒ）ガスに５
％の割合で硫化水素（Ｈ2Ｓ）を混合した混合ガスを導
入し、１５０Ｗの高周波電力で成膜した。
ウム（ＳｒＳ）を母体材料とし、発光中心としてセリウ
ム（Ｃｅ）を添加した硫化ストロンチウム：セリウム
（ＳｒＳ：Ｃｅ）発光層１４をスパッタ法により形成し
た。具体的には、上記ガラス基板１１を５００℃の高温
に保持し、スパッタ装置内にアルゴン（Ａｒ）ガスに５
％の割合で硫化水素（Ｈ2Ｓ）を混合した混合ガスを導
入し、１５０Ｗの高周波電力で成膜した。
【００１９】この時、本発明を用いた硫化ストロンチウ
ム（ＳｒＳ）に０．１５ａｔ％の割合でフッ化セリウム
（ＣｅＦ3）を添加した相対密度９６％の焼結ターゲッ
トを用いた。上記発光層１４上に五酸化タンタル（Ｔａ
2Ｏ5）から成る第２絶縁層１５を上述の第１絶縁層１３
と同様の方法で形成した。そして酸化亜鉛（ＺｎＯ）膜
から成る第２透明電極１６を、上述第１透明電極と同様
の方法により、第２絶縁層１５上に形成した。
ム（ＳｒＳ）に０．１５ａｔ％の割合でフッ化セリウム
（ＣｅＦ3）を添加した相対密度９６％の焼結ターゲッ
トを用いた。上記発光層１４上に五酸化タンタル（Ｔａ
2Ｏ5）から成る第２絶縁層１５を上述の第１絶縁層１３
と同様の方法で形成した。そして酸化亜鉛（ＺｎＯ）膜
から成る第２透明電極１６を、上述第１透明電極と同様
の方法により、第２絶縁層１５上に形成した。
【００２０】各層の膜厚は、第１、第２透明電極１２，
１６が３００ｎｍ、第１、第２絶縁層１３，１５が４０
０ｎｍ、発光層１４が８００ｎｍである。図２に実施例
１のＥＬ素子の発光層中のセリウム（Ｃｅ）の濃度を示
す。図２の比較例１及び２はそれぞれ実施例１のＥＬ素
子と同量のフッ化セリウム（ＣｅＦ3) を添加した相対
密度８６％及び相対密度７０％の焼結ターゲットを用い
て、上記成膜条件で作製したＥＬ発光素子の発光層中の
セリウム（Ｃｅ）の濃度である。
１６が３００ｎｍ、第１、第２絶縁層１３，１５が４０
０ｎｍ、発光層１４が８００ｎｍである。図２に実施例
１のＥＬ素子の発光層中のセリウム（Ｃｅ）の濃度を示
す。図２の比較例１及び２はそれぞれ実施例１のＥＬ素
子と同量のフッ化セリウム（ＣｅＦ3) を添加した相対
密度８６％及び相対密度７０％の焼結ターゲットを用い
て、上記成膜条件で作製したＥＬ発光素子の発光層中の
セリウム（Ｃｅ）の濃度である。
【００２１】この図から分かるように実施例１のＥＬ素
子の場合には、セリウム（Ｃｅ）をＥＬ素子の発光層中
に効率よく添加できるが、比較例１及び２ではほとんど
添加することができない。特に、比較例２においては分
析装置の検出限界以下であった。 （実施例２，実施例３）次に焼結ターゲット中に添加し
たフッ化セリウム（ＣｅＦ3) の濃度を変化させて、実
施例１と同様の方法でＥＬ素子を作製した。
子の場合には、セリウム（Ｃｅ）をＥＬ素子の発光層中
に効率よく添加できるが、比較例１及び２ではほとんど
添加することができない。特に、比較例２においては分
析装置の検出限界以下であった。 （実施例２，実施例３）次に焼結ターゲット中に添加し
たフッ化セリウム（ＣｅＦ3) の濃度を変化させて、実
施例１と同様の方法でＥＬ素子を作製した。
【００２２】図３は焼結ターゲット中に添加したフッ化
セリウム（ＣｅＦ3) の濃度を変化させて作製したＥＬ
素子の発光層中のセリウム（Ｃｅ）の濃度である。この
時、実施例２として基板温度３００℃および実施例３と
して５００℃で発光層を形成した。図３に示す如く、基
板温度を高くすると発光層中のセリウム（Ｃｅ）の濃度
は増加する傾向にある。尚、図３に示す比較例３は相対
密度７０％〜８０％の焼結ターゲットを用いた場合であ
り、この時の基板温度は５００℃である。
セリウム（ＣｅＦ3) の濃度を変化させて作製したＥＬ
素子の発光層中のセリウム（Ｃｅ）の濃度である。この
時、実施例２として基板温度３００℃および実施例３と
して５００℃で発光層を形成した。図３に示す如く、基
板温度を高くすると発光層中のセリウム（Ｃｅ）の濃度
は増加する傾向にある。尚、図３に示す比較例３は相対
密度７０％〜８０％の焼結ターゲットを用いた場合であ
り、この時の基板温度は５００℃である。
【００２３】図３より、本発明を用いることによって、
焼結ターゲット中に添加したフッ化セリウム（ＣｅＦ3)
の濃度に比例してＥＬ発光層中のセリウム（Ｃｅ) 濃
度も増加するため、ＥＬ発光層中のセリウム（Ｃｅ) 濃
度を容易に制御することができることがわかる。それに
対して、相対密度７０％〜８０％の焼結ターゲットで
は、ターゲット中のフッ化セリウム（ＣｅＦ3) の濃度
を変化させたにも関わらず、ＥＬ発光層中に発光中心で
あるセリウム（Ｃｅ) をほとんど添加することはできな
い。
焼結ターゲット中に添加したフッ化セリウム（ＣｅＦ3)
の濃度に比例してＥＬ発光層中のセリウム（Ｃｅ) 濃
度も増加するため、ＥＬ発光層中のセリウム（Ｃｅ) 濃
度を容易に制御することができることがわかる。それに
対して、相対密度７０％〜８０％の焼結ターゲットで
は、ターゲット中のフッ化セリウム（ＣｅＦ3) の濃度
を変化させたにも関わらず、ＥＬ発光層中に発光中心で
あるセリウム（Ｃｅ) をほとんど添加することはできな
い。
【００２４】表１に上記実施例及び比較例の発光結果を
示す。
示す。
【００２５】
【表１】
【００２６】相対密度９０％以上の焼結ターゲットを用
いた場合で、基板温度５００℃ではターゲット仕込量
０．０２ａｔ％〜０．３ａｔ％、３００℃では０．１５
ａｔ％〜０．６ａｔ％の間でさらなる高輝度発光が確認
できた。特に基板温度５００℃で発光層を形成した場合
には、発光層の結晶性も非常に良く、本実施例の中でも
より高輝度のＥＬ素子が得られた。
いた場合で、基板温度５００℃ではターゲット仕込量
０．０２ａｔ％〜０．３ａｔ％、３００℃では０．１５
ａｔ％〜０．６ａｔ％の間でさらなる高輝度発光が確認
できた。特に基板温度５００℃で発光層を形成した場合
には、発光層の結晶性も非常に良く、本実施例の中でも
より高輝度のＥＬ素子が得られた。
【００２７】表１から分かるように、本発明を用いるこ
とによって発光層中に発光中心元素を効率よく添加で
き、焼結ターゲット中の発光中心元素の仕込量を基板温
度と対応させて調節することによって、より高輝度を達
成することができる。以上説明したように、ＥＬ素子の
発光層をスパッタ法で形成する際に、本発明を用いるこ
とによって、発光中心元素を発光層中に非常に効率よく
添加でき、高輝度、かつ信頼性のあるＥＬ素子を作製す
ることができる。
とによって発光層中に発光中心元素を効率よく添加で
き、焼結ターゲット中の発光中心元素の仕込量を基板温
度と対応させて調節することによって、より高輝度を達
成することができる。以上説明したように、ＥＬ素子の
発光層をスパッタ法で形成する際に、本発明を用いるこ
とによって、発光中心元素を発光層中に非常に効率よく
添加でき、高輝度、かつ信頼性のあるＥＬ素子を作製す
ることができる。
【００２８】さらにまた、上記実施例においては、高密
度のターゲットを採用したので、高密度ターゲットは成
膜中にターゲットが割れにくく、成膜時のパーティクル
の発生も抑えることができる。
度のターゲットを採用したので、高密度ターゲットは成
膜中にターゲットが割れにくく、成膜時のパーティクル
の発生も抑えることができる。
【図１】本発明の具体的な実施例に係わるエレクトロル
ミネッセンス素子の縦断面を示した模式図である。
ミネッセンス素子の縦断面を示した模式図である。
【図２】実施例１に係わるエレクトロルミネッセンス素
子の発光層中のセリウム（Ｃｅ) の濃度を示した特性図
である。
子の発光層中のセリウム（Ｃｅ) の濃度を示した特性図
である。
【図３】実施例２，３に係わるエレクトロルミネッセン
ス素子の発光層形成に用いた焼結ターゲット中に添加し
たセリウム（Ｃｅ) の濃度と、発光層形成後の発光層中
のセリウム（Ｃｅ) 濃度を示した特性図である。
ス素子の発光層形成に用いた焼結ターゲット中に添加し
たセリウム（Ｃｅ) の濃度と、発光層形成後の発光層中
のセリウム（Ｃｅ) 濃度を示した特性図である。
【図４】従来のエレクトロルミネッセンス素子の縦断面
を示した模式図である。
を示した模式図である。
１ ガラス基板（絶縁性基板） ２ 第１透明電極（第１電極） ４ 発光層 ６ 第２透明電極（第２電極） １０ ＥＬ素子（エレクトロルミネッセンス素子） １１ ガラス基板（絶縁性基板） １２ 第１透明電極（第１電極） １４ 発光層 １６ 第２透明電極（第２電極） １００ ＥＬ素子（エレクトロルミネッセンス素子）
Claims (3)
- 【請求項１】 絶縁性基板上に第１電極，第１絶縁層，
発光層，第２絶縁層及び第２電極を、少なくとも光取り
出し側の材料を光学的に透明なものにして順次積層した
エレクトロルミネッセンス素子の製造方法であって、 発光中心として希土類元素を添加したアルカリ土類金属
硫化物から成る発光層をスパッタ法を用いて形成する場
合に、相対密度９０％以上の焼結ターゲットを用いるこ
とを特徴とするエレクトロルミネッセンス素子の製造方
法。 - 【請求項２】 前記焼結ターゲット中に添加された発光
中心元素の仕込濃度が０．０２ａｔ％〜０．６ａｔ％の
範囲であり、基板温度を３００℃〜５００℃で発光層を
形成することを特徴とする請求項１記載のエレクトロル
ミネッセンス素子の製造方法。 - 【請求項３】 前記発光層の発光中心がセリウム（Ｃ
ｅ）及びユーロピウム（Ｅｕ）であることを特徴とした
請求項１記載のエレクトロルミネッセンス素子の製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5263687A JPH07122363A (ja) | 1993-10-21 | 1993-10-21 | エレクトロルミネッセンス素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5263687A JPH07122363A (ja) | 1993-10-21 | 1993-10-21 | エレクトロルミネッセンス素子の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07122363A true JPH07122363A (ja) | 1995-05-12 |
Family
ID=17392949
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5263687A Withdrawn JPH07122363A (ja) | 1993-10-21 | 1993-10-21 | エレクトロルミネッセンス素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07122363A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5780966A (en) * | 1995-04-20 | 1998-07-14 | Nippondenso Co., Ltd. | Electroluminescent device with improved blue color purity |
| JP2006528788A (ja) * | 2003-07-24 | 2006-12-21 | ペリコン リミテッド | エレクトロルミネセントディスプレイの制御 |
-
1993
- 1993-10-21 JP JP5263687A patent/JPH07122363A/ja not_active Withdrawn
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5780966A (en) * | 1995-04-20 | 1998-07-14 | Nippondenso Co., Ltd. | Electroluminescent device with improved blue color purity |
| US6254740B1 (en) | 1995-04-20 | 2001-07-03 | Nippondenso Co., Ltd. | Sputtering method of producing and electroluminescent device with improved blue color purity |
| JP2006528788A (ja) * | 2003-07-24 | 2006-12-21 | ペリコン リミテッド | エレクトロルミネセントディスプレイの制御 |
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| Date | Code | Title | Description |
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