JPH0763064B2 - Ｉｃ素子における配線接続方法 - Google Patents
Ｉｃ素子における配線接続方法Info
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- JPH0763064B2 JPH0763064B2 JP7097986A JP7097986A JPH0763064B2 JP H0763064 B2 JPH0763064 B2 JP H0763064B2 JP 7097986 A JP7097986 A JP 7097986A JP 7097986 A JP7097986 A JP 7097986A JP H0763064 B2 JPH0763064 B2 JP H0763064B2
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は半導体積回路（以下ICと呼ぶ）においてデバッ
グ、修正・不良解析等のためにチップ完成後その内部配
線間を接続するためのIC素子における配線接続方法に関
するものである。
グ、修正・不良解析等のためにチップ完成後その内部配
線間を接続するためのIC素子における配線接続方法に関
するものである。
近年ICの高集積化、微細化に伴ない、開発工程において
LSIのチップ内配線の一部を切断したり、接続したりし
て不良箇所のデバックや修正を行なうことにより設計ミ
ス、プロセスミスを発見したり、不良解析を行なってこ
れをプロセス条件に戻し、製品歩留りを向上させること
がますます重要になってきている。このような目的のた
め従来レーザやイオンビームによりICの配線を切断する
例が報告されている。
LSIのチップ内配線の一部を切断したり、接続したりし
て不良箇所のデバックや修正を行なうことにより設計ミ
ス、プロセスミスを発見したり、不良解析を行なってこ
れをプロセス条件に戻し、製品歩留りを向上させること
がますます重要になってきている。このような目的のた
め従来レーザやイオンビームによりICの配線を切断する
例が報告されている。
すなわち、第１の従来技術としてはテクノ、ダイジェス
トオブクレオ81 1981第160頁（Tech.Digest of CLEO′8
1 1981,p160）「レーザストライプカッティングシィス
テムフオーアイシーデバッキング（Laser Stripe Cutti
ng System for IC debugging）」があり、これにおいて
は、レーザにより配線を切断し、不良箇所のテバックを
行なう例が報告されている。更に第２の従来技術として
は、特願昭58−42126号があり、これには、微細な配線
に対処できるように、液体金属イオン源からのイオンビ
ームを0.5μｍ以下のスポットに集束して配線を切断し
たり、穴あけを行ない、またイオンビームでこの穴に蒸
着して上下の配線を接続する技術が示されている。
トオブクレオ81 1981第160頁（Tech.Digest of CLEO′8
1 1981,p160）「レーザストライプカッティングシィス
テムフオーアイシーデバッキング（Laser Stripe Cutti
ng System for IC debugging）」があり、これにおいて
は、レーザにより配線を切断し、不良箇所のテバックを
行なう例が報告されている。更に第２の従来技術として
は、特願昭58−42126号があり、これには、微細な配線
に対処できるように、液体金属イオン源からのイオンビ
ームを0.5μｍ以下のスポットに集束して配線を切断し
たり、穴あけを行ない、またイオンビームでこの穴に蒸
着して上下の配線を接続する技術が示されている。
更に第３の従来技術としては、イクステンディッドアブ
ストラクトオブ第17コンファレンスオンソリッドスティ
トデバイシズアンドマティリアル1985第193頁（Extende
d Abstruct of 17th Conf.on Solid state Devices and
Material 1985,p193）「ダイレクトライティングオブ
ハイリイコンダクティブモリブデンラインズパイレーザ
ーインデューストケミカルベイパーディポジッション
（Direct Writing of Highly Conductive Mo Lines by
Laser Induced CVD）」がある。
ストラクトオブ第17コンファレンスオンソリッドスティ
トデバイシズアンドマティリアル1985第193頁（Extende
d Abstruct of 17th Conf.on Solid state Devices and
Material 1985,p193）「ダイレクトライティングオブ
ハイリイコンダクティブモリブデンラインズパイレーザ
ーインデューストケミカルベイパーディポジッション
（Direct Writing of Highly Conductive Mo Lines by
Laser Induced CVD）」がある。
上記第１の従来技術においては配線の切断の手段のみが
示され、配線間の接続については何ら手段が示されてい
ない。またレーザ加工法を用いる場合（１）加工過程が
熱的なものであり、周囲への熱伝導がありまた蒸発・噴
出などのプロセスを経ることなどのため0.5μｍ以下の
微細な加工を行うことはきわめて困難である。（２）レ
ーザ光はSiO2,Si3N4などの絶縁膜に吸収されにくく、こ
のため下層のAlやpoli Siの配線などに吸収され、これ
が蒸発・噴出を行なう際に、上部の絶縁膜を爆発的に吹
飛ばすことにより絶縁膜の加工が行われる。このため絶
縁層が２μｍ以上厚い場合は加工が困難である。また周
辺（周囲，上下層）へのダメージが大きく不良発生の原
因となる。これらの結果から多層配線・微細高集積の配
線の加工は困難である。
示され、配線間の接続については何ら手段が示されてい
ない。またレーザ加工法を用いる場合（１）加工過程が
熱的なものであり、周囲への熱伝導がありまた蒸発・噴
出などのプロセスを経ることなどのため0.5μｍ以下の
微細な加工を行うことはきわめて困難である。（２）レ
ーザ光はSiO2,Si3N4などの絶縁膜に吸収されにくく、こ
のため下層のAlやpoli Siの配線などに吸収され、これ
が蒸発・噴出を行なう際に、上部の絶縁膜を爆発的に吹
飛ばすことにより絶縁膜の加工が行われる。このため絶
縁層が２μｍ以上厚い場合は加工が困難である。また周
辺（周囲，上下層）へのダメージが大きく不良発生の原
因となる。これらの結果から多層配線・微細高集積の配
線の加工は困難である。
また、第２の従来技術においては（１）′集束イオンビ
ームによる切断および穴あけ、（２）′集束イオンビー
ムを用いた上下配線の接続の手段が示されている。集束
イオンビームによる加工は0.5μｍ以下の加工が可能で
あること、どのような材料でもスパッタリングにより上
層から順次容易に加工が行えることなどから、第１の従
来技術における問題点をカバーしている。しかしながら
（２）′の配線間の接続の手段については、上下の配線
の接続の手順が示されているのみであり、一つの配線か
ら別の場所の配線へと接続を行なう手段に関しては何ら
触れられていない。
ームによる切断および穴あけ、（２）′集束イオンビー
ムを用いた上下配線の接続の手段が示されている。集束
イオンビームによる加工は0.5μｍ以下の加工が可能で
あること、どのような材料でもスパッタリングにより上
層から順次容易に加工が行えることなどから、第１の従
来技術における問題点をカバーしている。しかしながら
（２）′の配線間の接続の手段については、上下の配線
の接続の手順が示されているのみであり、一つの配線か
ら別の場所の配線へと接続を行なう手段に関しては何ら
触れられていない。
第３の従来技術においては、M0（CO）６（モリブデンカ
ルボニル）などの金属の有機化合物のガス中において、
紫外のレーザをSiO2をコートしたSi基板上に照射して、
光熱的（photothermal）あるいは光化学的（photochemi
cal）なレーザ誘起CVDプロセスにより、M0（CO）６を分
解し、基板上にM0などの金属を堆積させて金属配線を直
接に描画形成する方法が示されている。しかしながらこ
の場合、単に絶縁膜の上にM0の配線が形成されたのみで
あり、実際のICにおいて保護膜や層間絶縁膜などの絶縁
膜の下部にある配線同志を接続する技術課題については
考慮されていなかった。
ルボニル）などの金属の有機化合物のガス中において、
紫外のレーザをSiO2をコートしたSi基板上に照射して、
光熱的（photothermal）あるいは光化学的（photochemi
cal）なレーザ誘起CVDプロセスにより、M0（CO）６を分
解し、基板上にM0などの金属を堆積させて金属配線を直
接に描画形成する方法が示されている。しかしながらこ
の場合、単に絶縁膜の上にM0の配線が形成されたのみで
あり、実際のICにおいて保護膜や層間絶縁膜などの絶縁
膜の下部にある配線同志を接続する技術課題については
考慮されていなかった。
本発明の目的は、上記従来技術の課題を解決すべく、ほ
ぼ完成されたIC素子の表面絶縁膜（保護膜）上にドライ
プロセスで所望の経路に沿って新たな金属配線を形成し
て所望の配線間を電気的に接続して、IC素子のデバッ
ク、修正、不良解析等を非常に短時間で、容易に行っ
て、開発工程の短縮、量産立上り期間の短縮、しいては
歩留り向上をはかることができるようにしたIC素子にお
ける配線接続方法を提供することにある。
ぼ完成されたIC素子の表面絶縁膜（保護膜）上にドライ
プロセスで所望の経路に沿って新たな金属配線を形成し
て所望の配線間を電気的に接続して、IC素子のデバッ
ク、修正、不良解析等を非常に短時間で、容易に行っ
て、開発工程の短縮、量産立上り期間の短縮、しいては
歩留り向上をはかることができるようにしたIC素子にお
ける配線接続方法を提供することにある。
本発明は、上記目的を達成するために、処理室内にIC素
子製造ラインにおいて製造された既存の配線を有するIC
素子を供給し、供給されたIC素子に第１のエネルギビー
ムを照射してIC素子の表面の絶縁膜に少なくとも２つ以
上の孔をあけることにより既存の配線を少なくとも２つ
以上の個所露出させ、金属化合物ガスの雰囲気中でIC素
子上に第２のエネルギビームを照射して既存の配線の露
出した少なくとも２つ以上の個所を電気的に接続する新
たな配線を絶縁膜上に形成することを特徴とするIC素子
における配線接続方法である。また、本発明は、処理室
内にIC素子製造ラインにおいて製造された既存の配線を
有するIC素子を供給し、供給されたIC素子に第１のエネ
ルギビームを照射し、IC素子の表面の絶縁膜に孔をあけ
てIC素子の既存の配線を露出させ、金属化合物ガスの雰
囲気中でIC素子上に第２のエネルギビームを照射して絶
縁膜上に既存の配線に電気的に接続される新たな配線を
形成することを特徴とするIC素子における配線接続方法
である。
子製造ラインにおいて製造された既存の配線を有するIC
素子を供給し、供給されたIC素子に第１のエネルギビー
ムを照射してIC素子の表面の絶縁膜に少なくとも２つ以
上の孔をあけることにより既存の配線を少なくとも２つ
以上の個所露出させ、金属化合物ガスの雰囲気中でIC素
子上に第２のエネルギビームを照射して既存の配線の露
出した少なくとも２つ以上の個所を電気的に接続する新
たな配線を絶縁膜上に形成することを特徴とするIC素子
における配線接続方法である。また、本発明は、処理室
内にIC素子製造ラインにおいて製造された既存の配線を
有するIC素子を供給し、供給されたIC素子に第１のエネ
ルギビームを照射し、IC素子の表面の絶縁膜に孔をあけ
てIC素子の既存の配線を露出させ、金属化合物ガスの雰
囲気中でIC素子上に第２のエネルギビームを照射して絶
縁膜上に既存の配線に電気的に接続される新たな配線を
形成することを特徴とするIC素子における配線接続方法
である。
上記構成により、IC完成後、その内部配線間をドライプ
ロセスで接続でき、IC素子のデバック、修正、不良解析
等を非常に短時間で、容易に行って、開発工程の短縮、
量産立上り期間の短縮、しいては歩留り向上をはかるこ
とができる。また、接続すべき複数の配線箇所の表面絶
縁膜上の位置を試料からの２次電子信号又は２次イオン
信号を用いた走査イオン顕微鏡を用いることによって検
出し、位置決めや照射箇所の決定を行なった後、イオン
ビームを照射しこの部分の配線の上部の絶縁膜を除去す
る。この場合レーザでなく集束したイオンビームを用い
ているため、0.5μｍ以下に集束して加工することが十
分可能である。また材料による加工の選択性がないため
SiO2,Si3N4などの絶縁膜も上部から逐次に加工出来、こ
れに穴をあけて下部の配線を露出させることが出来る。
その後金属化合物のガスをノズルあるいは配管よりこの
真空容器内へ導入し、試料台を相対的に移動して配線を
形成すべき箇所に集束したイオンビームまたは集光した
レーザビームが照射されるようにして、イオンビーム誘
起CVDプロセスまたはレーザCVDプロセスにより金属配線
を形成する。その結果、IC完成後その内部配線間を接続
でき、CIのテバック、修正、不良解析等を行うことがで
きる。
ロセスで接続でき、IC素子のデバック、修正、不良解析
等を非常に短時間で、容易に行って、開発工程の短縮、
量産立上り期間の短縮、しいては歩留り向上をはかるこ
とができる。また、接続すべき複数の配線箇所の表面絶
縁膜上の位置を試料からの２次電子信号又は２次イオン
信号を用いた走査イオン顕微鏡を用いることによって検
出し、位置決めや照射箇所の決定を行なった後、イオン
ビームを照射しこの部分の配線の上部の絶縁膜を除去す
る。この場合レーザでなく集束したイオンビームを用い
ているため、0.5μｍ以下に集束して加工することが十
分可能である。また材料による加工の選択性がないため
SiO2,Si3N4などの絶縁膜も上部から逐次に加工出来、こ
れに穴をあけて下部の配線を露出させることが出来る。
その後金属化合物のガスをノズルあるいは配管よりこの
真空容器内へ導入し、試料台を相対的に移動して配線を
形成すべき箇所に集束したイオンビームまたは集光した
レーザビームが照射されるようにして、イオンビーム誘
起CVDプロセスまたはレーザCVDプロセスにより金属配線
を形成する。その結果、IC完成後その内部配線間を接続
でき、CIのテバック、修正、不良解析等を行うことがで
きる。
第１図は本発明によるICへの接続配線形成を示す図であ
る。第１図（ａ）はICチップを一部切断した断面をふく
む部分を斜め上方から見た図を示している。断面におい
て基板４（Siなど）の上に絶縁膜３（SiO2など）があ
り、その上に配線（Alなど）2a,2b,2cが形成され、さら
に最上部に保護膜（SiO2,Si3N4など）１が形成されてい
る。今、配線2aと2cとを電気的に接続したい場合、集束
イオンビームにより配線2aおよび2cの上の保護膜１に穴
5a,5bをあけ、配線2aの一部6a,配線2cの一部6cをそれぞ
れ露出される。
る。第１図（ａ）はICチップを一部切断した断面をふく
む部分を斜め上方から見た図を示している。断面におい
て基板４（Siなど）の上に絶縁膜３（SiO2など）があ
り、その上に配線（Alなど）2a,2b,2cが形成され、さら
に最上部に保護膜（SiO2,Si3N4など）１が形成されてい
る。今、配線2aと2cとを電気的に接続したい場合、集束
イオンビームにより配線2aおよび2cの上の保護膜１に穴
5a,5bをあけ、配線2aの一部6a,配線2cの一部6cをそれぞ
れ露出される。
その後イオンビーム誘起CVD技術またはレーザ誘起CVD技
術により第１図（ｂ）に示すように穴5aと5cとを結ぶ方
向に金属配線７を形成する。このようにして配線2aと2c
とが金属配線７を通じて接続される。
術により第１図（ｂ）に示すように穴5aと5cとを結ぶ方
向に金属配線７を形成する。このようにして配線2aと2c
とが金属配線７を通じて接続される。
第２図は本発明による配線接続装置の一実施例を示すも
のである。配線接続箇所を有するICチップ18が取付けら
れた反応容器16は、バルブ21を介して修正物質（Al（CH
3）３、Al（C2H5）３、Al（C4H9）３、Cd（CH3）２、Cd
（C2H5）２等の金属アルキル化合物、Mo（CO）６の金属
カルボニル化合物等の有機金属化合物）が納められた修
正物質容器19とバルブ25を介して真空ポンプ26と、そし
て、バルブ29を介して不活性ガスボンベ28と配管により
接続されている。
のである。配線接続箇所を有するICチップ18が取付けら
れた反応容器16は、バルブ21を介して修正物質（Al（CH
3）３、Al（C2H5）３、Al（C4H9）３、Cd（CH3）２、Cd
（C2H5）２等の金属アルキル化合物、Mo（CO）６の金属
カルボニル化合物等の有機金属化合物）が納められた修
正物質容器19とバルブ25を介して真空ポンプ26と、そし
て、バルブ29を介して不活性ガスボンベ28と配管により
接続されている。
レーザ発振器8aで発振されたレーザ光は、シャッタ30a
を介してダイクロイックミラー9aで反射され、対物レン
ズ２で集光されて、反応容器16に設けた窓15を通ってLS
Iアルミ配線修正箇所に照射できるようになっており、
照射光学系14、ハーフミラー10、レーザ光カットフィル
タ11、プリズム12、接眼レンズ13を介して修正箇所を観
察しながら行なえるように構成されている。
を介してダイクロイックミラー9aで反射され、対物レン
ズ２で集光されて、反応容器16に設けた窓15を通ってLS
Iアルミ配線修正箇所に照射できるようになっており、
照射光学系14、ハーフミラー10、レーザ光カットフィル
タ11、プリズム12、接眼レンズ13を介して修正箇所を観
察しながら行なえるように構成されている。
反応容器16にはこの他バルブ22を介して予備ガスボンベ
20が接続されている。ICチップはXYステージ17の上にの
せられた載物台24の上にとりつけられている。ゲートバ
ルブ25を介して反応容器16の隣にイオンビーム加工用真
空容器39がとりつけられており、その上部にはイオンビ
ーム鏡筒用真空容器26がとりつけられている。真空容器
39の中にはXYステージ40が有り、ステージ17とステージ
40がゲートバルブ25の近くに移動したときゲートバルブ
が開けられた状態において、図示していないがステージ
17および40に設置されたチャック機構によってステージ
17と40の間で載物台24の受け渡しが可能なようになって
いる。したがってこの受け渡しとその後のステージの移
動により載物台24およびその上にとりつけられたICチッ
プ18はXYステージ40の上24a,18aの位置に来ることがで
きる。この位置において上部のイオンビーム鏡筒26中の
高揮度イオン源（例えばGa等の液体金属イオン源）27か
らその下部に設置された引出し電極30により引出された
イオンビーム40が静電レンズ31,ブランキング電極32,デ
フレクター電極33等を通り集束偏向されて、試料18aに
照射されるようになっている。また真空容器39には２次
電子ディテクター34が設置されており偏向電極用電源37
の偏向用信号に同期させて試料からの２次電子信号を増
幅してモニタ38上に試料の走査イオン顕微鏡像を映し出
しこれにより試料の拡大像を得て試料の検出，位置合せ
ができるようになっている。真空容器にはバルブ35を介
して真空ポンプ36が接続されており排気を行なう。真空
ポンプ16,39には試料を出し入れするための予備排気室4
3が設けられている。
20が接続されている。ICチップはXYステージ17の上にの
せられた載物台24の上にとりつけられている。ゲートバ
ルブ25を介して反応容器16の隣にイオンビーム加工用真
空容器39がとりつけられており、その上部にはイオンビ
ーム鏡筒用真空容器26がとりつけられている。真空容器
39の中にはXYステージ40が有り、ステージ17とステージ
40がゲートバルブ25の近くに移動したときゲートバルブ
が開けられた状態において、図示していないがステージ
17および40に設置されたチャック機構によってステージ
17と40の間で載物台24の受け渡しが可能なようになって
いる。したがってこの受け渡しとその後のステージの移
動により載物台24およびその上にとりつけられたICチッ
プ18はXYステージ40の上24a,18aの位置に来ることがで
きる。この位置において上部のイオンビーム鏡筒26中の
高揮度イオン源（例えばGa等の液体金属イオン源）27か
らその下部に設置された引出し電極30により引出された
イオンビーム40が静電レンズ31,ブランキング電極32,デ
フレクター電極33等を通り集束偏向されて、試料18aに
照射されるようになっている。また真空容器39には２次
電子ディテクター34が設置されており偏向電極用電源37
の偏向用信号に同期させて試料からの２次電子信号を増
幅してモニタ38上に試料の走査イオン顕微鏡像を映し出
しこれにより試料の拡大像を得て試料の検出，位置合せ
ができるようになっている。真空容器にはバルブ35を介
して真空ポンプ36が接続されており排気を行なう。真空
ポンプ16,39には試料を出し入れするための予備排気室4
3が設けられている。
すなわちゲートバルブ41を開いた時、ステージ40の上の
載物台24aはその上のIC18aとともに移動ステージ42の上
の24b,18bの位置に移動可能である。
載物台24aはその上のIC18aとともに移動ステージ42の上
の24b,18bの位置に移動可能である。
そしてバルブ45、排気ポンプ46により予備排気管は排気
される。フタ44を44aの位置に開くことにより、試料の
交換ができる。
される。フタ44を44aの位置に開くことにより、試料の
交換ができる。
以下この装置の動作を説明する。フタ44を開き、ICチッ
プ18bをステージ42の上の載物台24bの上に設置する。フ
タ44を閉じバルブ45を開き排気ポンプ46により試料交換
室43を真空に排気する。その後ゲートバルブ41を開き、
載物台を24bの位置に移送する。ゲートバルブ41を閉じ
て後、十分排気をしてから、ステージ40を移動しながら
イオンビームを集束してモニタ38上で走査イオン像を観
察し、ICテープ上の接続すべき箇所を検出する。その後
第１図に示したようにイオンビームを接続すべき箇所に
のみ照射して絶縁膜の加工を行なう。次にゲートバルブ
25を開き、載物台を24の位置へ移送する。
プ18bをステージ42の上の載物台24bの上に設置する。フ
タ44を閉じバルブ45を開き排気ポンプ46により試料交換
室43を真空に排気する。その後ゲートバルブ41を開き、
載物台を24bの位置に移送する。ゲートバルブ41を閉じ
て後、十分排気をしてから、ステージ40を移動しながら
イオンビームを集束してモニタ38上で走査イオン像を観
察し、ICテープ上の接続すべき箇所を検出する。その後
第１図に示したようにイオンビームを接続すべき箇所に
のみ照射して絶縁膜の加工を行なう。次にゲートバルブ
25を開き、載物台を24の位置へ移送する。
Ｘ−Ｙテーブル17によりレーザ光の照射位置にLSIチッ
プを移動させ、配線修正箇所の位置合せを行なう。しか
る後に、バルブ21およびバルブ29を開け、前記修正物質
と不活性ガスを適当な混合比になるように流量計（図示
せず）を見ながら調整し、全圧力が数十〜数百Torrにな
る様、バルブ25を調整する。この後、シャッタ30aを開
き、配線修正箇所にレーザ光を照射し、一定時間後シャ
ッタ30aを閉じる。このレーザ照射により、レーザ照射
部近傍の有機金属ガスは分解され、AlあるいはCd,M0等
の金属薄膜が析出して配線修正が行なわれる。必要に応
じてLSIチップ内の全てのアルミ配線修正箇所を修正す
る。次に、バルブ25を開け、反応容器16内を十分排気し
てから試料をチャンバ39に、更に予備排気室43へと移
し、外部へとり出す。本実施例のようにレーザ誘起CVD
用のチャンバとイオンビーム加工用チャンバが一体とな
っているので、イオンビーム加工後一たん大気へとり出
したときに配線の露出部が汚れ、、または酸化すること
なく、その上にレーザCVDによる配線を形成することが
できるため、ICの配線とCVDによる配線の接合性がよ
く、電導性が良好となるという特徴を有する。
プを移動させ、配線修正箇所の位置合せを行なう。しか
る後に、バルブ21およびバルブ29を開け、前記修正物質
と不活性ガスを適当な混合比になるように流量計（図示
せず）を見ながら調整し、全圧力が数十〜数百Torrにな
る様、バルブ25を調整する。この後、シャッタ30aを開
き、配線修正箇所にレーザ光を照射し、一定時間後シャ
ッタ30aを閉じる。このレーザ照射により、レーザ照射
部近傍の有機金属ガスは分解され、AlあるいはCd,M0等
の金属薄膜が析出して配線修正が行なわれる。必要に応
じてLSIチップ内の全てのアルミ配線修正箇所を修正す
る。次に、バルブ25を開け、反応容器16内を十分排気し
てから試料をチャンバ39に、更に予備排気室43へと移
し、外部へとり出す。本実施例のようにレーザ誘起CVD
用のチャンバとイオンビーム加工用チャンバが一体とな
っているので、イオンビーム加工後一たん大気へとり出
したときに配線の露出部が汚れ、、または酸化すること
なく、その上にレーザCVDによる配線を形成することが
できるため、ICの配線とCVDによる配線の接合性がよ
く、電導性が良好となるという特徴を有する。
第３図は反応容器とイオンビーム加工用真空容器との間
のゲートバルブをとり除き、一体としたものであって、
二つの容器の間の移動にともなう排気操作をゲートバル
ブの開閉が不要となり、操作性が向上している。一方、
イオンビームの容器の方に反応ガスが入ってくるため、
イオンビーム鏡筒の汚れを防ぐために、反応ガスは局所
的にノズル51,52により、試料近辺へ吹付けるように
し、またイオンビーム鏡筒と試料室の間にイオンビーム
が通る細いオリフィス（開孔）50を設け、さらにイオン
ビーム鏡筒側にも排気系53,54を設けるなどの対策がほ
どこされている。
のゲートバルブをとり除き、一体としたものであって、
二つの容器の間の移動にともなう排気操作をゲートバル
ブの開閉が不要となり、操作性が向上している。一方、
イオンビームの容器の方に反応ガスが入ってくるため、
イオンビーム鏡筒の汚れを防ぐために、反応ガスは局所
的にノズル51,52により、試料近辺へ吹付けるように
し、またイオンビーム鏡筒と試料室の間にイオンビーム
が通る細いオリフィス（開孔）50を設け、さらにイオン
ビーム鏡筒側にも排気系53,54を設けるなどの対策がほ
どこされている。
第４図は本発明の別の実施例の装置の説明図である。こ
の場合はレーザ発振器8a,8bが２つ設けられているのが
特徴である。9aはハーフミラー,9bはダイクロイックミ
ラーである。
の場合はレーザ発振器8a,8bが２つ設けられているのが
特徴である。9aはハーフミラー,9bはダイクロイックミ
ラーである。
一例として、第１図の説明で述べたような金属配線を形
成した後、この金属膜が露出したままでは、特性，信頼
性上問題が多いため、この上に保護膜をコートする必要
がある。そこでArレーザの第３高調波を発生する8aの他
にArレーザの第３高調波8bを設けて補助ガスボンベ20,2
0aに充たされたSi2H6（ジシラン）およびN2O（笑気）ガ
スを導入しこれを集光して形成された配線上にSiO2を形
成する。図では二つのレーザ発振器を示しているが、こ
の場合はArレーザ１台を切換えミラーで切換え、第２高
調波発生用結晶、第３高調波発生用結晶に導びいてもよ
い。
成した後、この金属膜が露出したままでは、特性，信頼
性上問題が多いため、この上に保護膜をコートする必要
がある。そこでArレーザの第３高調波を発生する8aの他
にArレーザの第３高調波8bを設けて補助ガスボンベ20,2
0aに充たされたSi2H6（ジシラン）およびN2O（笑気）ガ
スを導入しこれを集光して形成された配線上にSiO2を形
成する。図では二つのレーザ発振器を示しているが、こ
の場合はArレーザ１台を切換えミラーで切換え、第２高
調波発生用結晶、第３高調波発生用結晶に導びいてもよ
い。
第４図のこの他の例としては、レーザ8bとして加工用の
大出力レーザを用意し、イオンビームによりあけた穴に
おいて上下配線を接続するのに、加工用レーザ8bにより
下層配線を加工してその一部を噴出させ、上下を接続す
ることができる。
大出力レーザを用意し、イオンビームによりあけた穴に
おいて上下配線を接続するのに、加工用レーザ8bにより
下層配線を加工してその一部を噴出させ、上下を接続す
ることができる。
第５図は、穴をあけて配線から接続を行なう接続端部の
実施例を示している。
実施例を示している。
第５図（ａ）においてAl配線62が下方に存在する場合、
上部に保護膜60、絶縁膜61など厚い絶縁層が存在する場
合がある。このような場合、イオンビームにより同図
（ａ）のような垂直に近い断面形状の穴あけを行うとア
スペクト比が高いため、レーザビームまたはイオンビー
ム63による照射により接続端部を形成する場合、第５図
（ｂ）のように段切れをおこす可能性が大きい。これは
レーザビームまたはイオンビームが垂直穴の奥に届きに
くいこと、上部に成膜するとこれに妨げられて中へ届く
ことが困難になること、穴の内部へ金属有機物ガスが入
りにくいことなどの理由による。
上部に保護膜60、絶縁膜61など厚い絶縁層が存在する場
合がある。このような場合、イオンビームにより同図
（ａ）のような垂直に近い断面形状の穴あけを行うとア
スペクト比が高いため、レーザビームまたはイオンビー
ム63による照射により接続端部を形成する場合、第５図
（ｂ）のように段切れをおこす可能性が大きい。これは
レーザビームまたはイオンビームが垂直穴の奥に届きに
くいこと、上部に成膜するとこれに妨げられて中へ届く
ことが困難になること、穴の内部へ金属有機物ガスが入
りにくいことなどの理由による。
そこでイオンビーム加工を行う場合、ビームの走査幅を
変化させつつ加工を行うことにより、第５図（ｃ）に示
すごとく、上部が広く、下部に狭い傾斜断面を有するよ
うに加工できる。このように上面に露出する構造である
から、レーザビームまたはイオンビーム67を照射した
際、金属膜69は穴の内面に断切れを生じることなく広く
形成できる。更に第５図（ｅ）に示すようにレーザビー
ムまたはイオンビーム70を照射して配線71を形成する。
変化させつつ加工を行うことにより、第５図（ｃ）に示
すごとく、上部が広く、下部に狭い傾斜断面を有するよ
うに加工できる。このように上面に露出する構造である
から、レーザビームまたはイオンビーム67を照射した
際、金属膜69は穴の内面に断切れを生じることなく広く
形成できる。更に第５図（ｅ）に示すようにレーザビー
ムまたはイオンビーム70を照射して配線71を形成する。
またこの上に第４図によって説明したようにSiO2などの
絶縁膜72を保護膜として形成したものを第５図（ｆ）に
示す。
絶縁膜72を保護膜として形成したものを第５図（ｆ）に
示す。
第６図は本発明による金属配線形成の別の実施例であ
る。この実施例は、上層Al80と下層Al81からなる２層配
線構造になっていて下層Al81のみから別の場所にある配
線へと接続配線を形成したい場合を示す。この場合、前
記したような方法（第６図（ａ）に示す方法）では、配
線82が下層Al81にも上層Al80にも接続されてしまう。そ
こでイオンビームにより第６図（ｂ）に示すように上層
Al80まで穴あけを行った後、第６図（ｃ）に示すように
前記した方法によりSiO2などの絶縁膜83を形成し、その
後第６図（ｄ）に示すように更らに層間絶縁膜84に加工
し、下層Al81を露出させる。この後、レーザまたはイオ
ンビーム誘起CVDにより配線85をして下層Al81と他の配
線との接続を行なう。
る。この実施例は、上層Al80と下層Al81からなる２層配
線構造になっていて下層Al81のみから別の場所にある配
線へと接続配線を形成したい場合を示す。この場合、前
記したような方法（第６図（ａ）に示す方法）では、配
線82が下層Al81にも上層Al80にも接続されてしまう。そ
こでイオンビームにより第６図（ｂ）に示すように上層
Al80まで穴あけを行った後、第６図（ｃ）に示すように
前記した方法によりSiO2などの絶縁膜83を形成し、その
後第６図（ｄ）に示すように更らに層間絶縁膜84に加工
し、下層Al81を露出させる。この後、レーザまたはイオ
ンビーム誘起CVDにより配線85をして下層Al81と他の配
線との接続を行なう。
第７図，第８図は本発明の別の実施例で、同一箇所にお
いて上下の配線を接続することを目的としている。第７
図においては、第４図に示したように加工用のレーザを
備え、イオンビームを第７図（ａ）のように下層配線81
が露出するまで加工し、加工用レーザにより下層配線Al
81を加工し、Alが溶融飛散して上部の配線Al80と接続す
るようにする。第７図（ｃ）はその後、レーザまたはイ
オンビーム誘起CVD法で、SiO2などの保護膜86を形成し
たものである。
いて上下の配線を接続することを目的としている。第７
図においては、第４図に示したように加工用のレーザを
備え、イオンビームを第７図（ａ）のように下層配線81
が露出するまで加工し、加工用レーザにより下層配線Al
81を加工し、Alが溶融飛散して上部の配線Al80と接続す
るようにする。第７図（ｃ）はその後、レーザまたはイ
オンビーム誘起CVD法で、SiO2などの保護膜86を形成し
たものである。
第８図においては上下の配線を接続する場合、集束イオ
ンビーム加工における再付着現象を用いている。これは
ジャーナル・バキューム・ソサイアテイ・テクノロジー
B3（１）１月/2月1985第71頁〜第74頁（J.Vac.Sci.Tech
nol B3（１）,Jan/Feb 1985 p71〜p74）「キャラクタリ
スティックオブシリコンレムーバルバイファインフォー
カストガリュームイオンビーム（Characte−ristics of
silicon removal by fine focussed gallium ion bea
m）」に見られるものであって、イオンビームにより材
料を加工する場合、繰り返し走査加工の条件により加工
結果が異なり（ｉ）高速で繰返し加工を行なえば周囲へ
の再付着は少ないが（ii）低速走査で繰返し数を少なく
すると側面へ著しい再付着が行われることを利用するも
のである。
ンビーム加工における再付着現象を用いている。これは
ジャーナル・バキューム・ソサイアテイ・テクノロジー
B3（１）１月/2月1985第71頁〜第74頁（J.Vac.Sci.Tech
nol B3（１）,Jan/Feb 1985 p71〜p74）「キャラクタリ
スティックオブシリコンレムーバルバイファインフォー
カストガリュームイオンビーム（Characte−ristics of
silicon removal by fine focussed gallium ion bea
m）」に見られるものであって、イオンビームにより材
料を加工する場合、繰り返し走査加工の条件により加工
結果が異なり（ｉ）高速で繰返し加工を行なえば周囲へ
の再付着は少ないが（ii）低速走査で繰返し数を少なく
すると側面へ著しい再付着が行われることを利用するも
のである。
すなわち、第８図において、（ａ）図に示すように下層
配線81の上部まで集束イオンビームにより上記（ｉ）の
条件にて加工した後、上記（ii）の条件にて下層Al81を
矢印方向に加工すれば（ｂ）図のように紙面に低速で垂
直に走査しつつそのビームを矢印方向に移動すればAlが
再付着して87のような再付着領域を生成する。また
（ｄ）図のように紙面に垂直に低速で走査しつつそのビ
ームを二つの矢印のように加工穴の両端から中央へ移動
すれば両側に再付着層89が形成される。いずれも上層と
下層との配線80,81間の接続が可能となる。その後
（ｃ），（ｅ）に示すようにレーザまたはイオンビーム
誘起CVD法によりSiO2などの保護膜88,89を上部へ形成す
る。
配線81の上部まで集束イオンビームにより上記（ｉ）の
条件にて加工した後、上記（ii）の条件にて下層Al81を
矢印方向に加工すれば（ｂ）図のように紙面に低速で垂
直に走査しつつそのビームを矢印方向に移動すればAlが
再付着して87のような再付着領域を生成する。また
（ｄ）図のように紙面に垂直に低速で走査しつつそのビ
ームを二つの矢印のように加工穴の両端から中央へ移動
すれば両側に再付着層89が形成される。いずれも上層と
下層との配線80,81間の接続が可能となる。その後
（ｃ），（ｅ）に示すようにレーザまたはイオンビーム
誘起CVD法によりSiO2などの保護膜88,89を上部へ形成す
る。
上記の他、同一箇所において、上下配線を接続する場
合、集束イオンビームにより、上部配線80および保護膜
84に穴あけを行ない、その後レーザまたはイオンビーム
誘起CVD法により加工穴に金属を析出させて上下の接続
ができることは本発明の前記したところにより明らかで
ある。
合、集束イオンビームにより、上部配線80および保護膜
84に穴あけを行ない、その後レーザまたはイオンビーム
誘起CVD法により加工穴に金属を析出させて上下の接続
ができることは本発明の前記したところにより明らかで
ある。
これまでの記述においては、レーザまたはイオンビーム
誘起CVD法の成膜材料として金属化合物をとっている
が、導電性材料膜を形成するものなら使用できる。また
CVDをひきおこすエネルギービームとしてレーザまたは
イオンビームの他の電子ビーム等のエネルギービームも
可能である。
誘起CVD法の成膜材料として金属化合物をとっている
が、導電性材料膜を形成するものなら使用できる。また
CVDをひきおこすエネルギービームとしてレーザまたは
イオンビームの他の電子ビーム等のエネルギービームも
可能である。
穴あけ加工の手段として集束イオンビームを用いている
がサブミクロン加工が可能な他のエネルギビームを用い
ることもできる。
がサブミクロン加工が可能な他のエネルギビームを用い
ることもできる。
第９図は本発明による配線接続装置の他の一実施例を示
すものである。配線接続箇所を有するICチップ18aが取
付けられた反応容器39aは、バルブ21を介して修正物質
（Al（CH3）３、Al（C2H5）３、Al（C4H9）３、Cd（C
H3）２、Cd（C2H5）2M0（CO）６等の有機金属化合物）
が納められた修正物質容器19と、バルブ35を介して真空
ポンプ36と、そしてバルブ29を介して不活性ガスボンベ
28と配管により接続されている。反応容器39aにはこの
他バルブ22を介して予備ガスボンベ20が接続されてい
る。ICチップ18aはXYステージ40の上にのせられた載物
台24aの上にとりつけられている。容器39aの上部にはイ
オンビーム鏡筒用真空容器26がとりつけられている。そ
して上部のイオンビーム鏡筒26中の高輝度イオン源（例
えばGa等の液体金属イオン源）27からその下部に設置さ
れた引出し電極30、により引出されたイオンビーム40が
静電レンズ31、ブランキング電極32、デフレクター電極
33等を通り集束偏向されて、試料18aに照射されるよう
になっている。また真空容器39aには２次電子ディテク
ター34および２次イオン質量分析管34aが設置されてお
り偏向電極用電源37の偏向用信号に同期させて試料18a
からの２次電子信号あるいは２次イオン電流を増幅して
モンタ38上に試料の走査イオン顕微鏡群を映し出し、こ
れにより試料18aの拡大像を得て試料の検出，位置合せ
ができるようになっている。真空容器には、バルブ35を
介して真空ポンプ36が接続されており、排気を行なう。
真空容器39aには、試料を出し入れするための予備排気
室43が設けられている。
すものである。配線接続箇所を有するICチップ18aが取
付けられた反応容器39aは、バルブ21を介して修正物質
（Al（CH3）３、Al（C2H5）３、Al（C4H9）３、Cd（C
H3）２、Cd（C2H5）2M0（CO）６等の有機金属化合物）
が納められた修正物質容器19と、バルブ35を介して真空
ポンプ36と、そしてバルブ29を介して不活性ガスボンベ
28と配管により接続されている。反応容器39aにはこの
他バルブ22を介して予備ガスボンベ20が接続されてい
る。ICチップ18aはXYステージ40の上にのせられた載物
台24aの上にとりつけられている。容器39aの上部にはイ
オンビーム鏡筒用真空容器26がとりつけられている。そ
して上部のイオンビーム鏡筒26中の高輝度イオン源（例
えばGa等の液体金属イオン源）27からその下部に設置さ
れた引出し電極30、により引出されたイオンビーム40が
静電レンズ31、ブランキング電極32、デフレクター電極
33等を通り集束偏向されて、試料18aに照射されるよう
になっている。また真空容器39aには２次電子ディテク
ター34および２次イオン質量分析管34aが設置されてお
り偏向電極用電源37の偏向用信号に同期させて試料18a
からの２次電子信号あるいは２次イオン電流を増幅して
モンタ38上に試料の走査イオン顕微鏡群を映し出し、こ
れにより試料18aの拡大像を得て試料の検出，位置合せ
ができるようになっている。真空容器には、バルブ35を
介して真空ポンプ36が接続されており、排気を行なう。
真空容器39aには、試料を出し入れするための予備排気
室43が設けられている。
すなわちゲートバルブ41を開いた時、ステージ40の上の
載物台24aはその上のIC18aとともに移動ステージ42の上
の24b,18bの位置に移動可能である。そしてバルブ45、
排気ポンプ46により予備排気室は排気される。フタ44を
44aの位置に開くことにより、試料の交換ができる。
載物台24aはその上のIC18aとともに移動ステージ42の上
の24b,18bの位置に移動可能である。そしてバルブ45、
排気ポンプ46により予備排気室は排気される。フタ44を
44aの位置に開くことにより、試料の交換ができる。
以下この装置の動作を説明する。フタ44を開きICチップ
18bをステージ42の上の載物台24bの上に設置する。フタ
44を閉じ、バルブ45を開き、排気ポンプ46により試料交
換室43を真空に排気する。その後ゲートバルブ41を開
き、載物台を24bの位置に移送する。ゲートバルブ41を
閉じて後、十分に排気をしてからステージ40を移動しな
がらイオンビームを集束してモニタ上で走査イオン像を
観察し、ICチップ上の接続すべき箇所を検出する。その
後、第１図に示したようにイオンビームを接続すべき箇
所にのみ照射して絶縁膜加工を行なう。しかる後に、バ
ルブ21およびバルブ29を開け、前記修正物質と不活性ガ
スを適当な混合比になるように流量計（図示せず）を見
ながら調整し、全圧力が数十〜数百Torrになる様、バル
ブ35を調整する。この後、配線修正箇所にイオンビーム
を照射する。この照射により、照射部近傍の有機金属ガ
スは分解され、AlあるいはCd,M0等の金属薄膜が析出し
て配線修正が行なわれる。必要に応じてLSIチップ内の
全てのアルミ配線修正箇所を修正する。次に、バルブ35
を開け、反応容器39a内を十分排気してから試料を予備
排気室43へと移し、外部へとり出す。
18bをステージ42の上の載物台24bの上に設置する。フタ
44を閉じ、バルブ45を開き、排気ポンプ46により試料交
換室43を真空に排気する。その後ゲートバルブ41を開
き、載物台を24bの位置に移送する。ゲートバルブ41を
閉じて後、十分に排気をしてからステージ40を移動しな
がらイオンビームを集束してモニタ上で走査イオン像を
観察し、ICチップ上の接続すべき箇所を検出する。その
後、第１図に示したようにイオンビームを接続すべき箇
所にのみ照射して絶縁膜加工を行なう。しかる後に、バ
ルブ21およびバルブ29を開け、前記修正物質と不活性ガ
スを適当な混合比になるように流量計（図示せず）を見
ながら調整し、全圧力が数十〜数百Torrになる様、バル
ブ35を調整する。この後、配線修正箇所にイオンビーム
を照射する。この照射により、照射部近傍の有機金属ガ
スは分解され、AlあるいはCd,M0等の金属薄膜が析出し
て配線修正が行なわれる。必要に応じてLSIチップ内の
全てのアルミ配線修正箇所を修正する。次に、バルブ35
を開け、反応容器39a内を十分排気してから試料を予備
排気室43へと移し、外部へとり出す。
第10図は他の形の装置の実施例を示す。イオンビーム鏡
筒の汚れを防ぐために、反応ガスは局所的にノズル51,5
2により、試料近辺へ吹付けるようにし、またイオンビ
ーム鏡筒26と試料室の間にイオンビームが通る細いオリ
フィス（開孔）50を設け、さらにイオンビーム鏡筒側に
も排気系53,54を設けるなどの対策がほどこされてい
る。
筒の汚れを防ぐために、反応ガスは局所的にノズル51,5
2により、試料近辺へ吹付けるようにし、またイオンビ
ーム鏡筒26と試料室の間にイオンビームが通る細いオリ
フィス（開孔）50を設け、さらにイオンビーム鏡筒側に
も排気系53,54を設けるなどの対策がほどこされてい
る。
第10図の装置の使用法の一例として、第１図の説明で述
べたような金属配線を形成した後この金属膜が露出した
ままでは、特性上、信頼性上、問題が多いため、この上
に保護膜をコートする必要がある。
べたような金属配線を形成した後この金属膜が露出した
ままでは、特性上、信頼性上、問題が多いため、この上
に保護膜をコートする必要がある。
このため補助ガスボンベ20,20aに入れたSiH6（ジシラ
ン）ガスとN2O（笑気）ガスを容器へ導入し、ノズルよ
りICに吹付け、先に集束イオンビームを照射して形成し
た配線の上に、更に集束イオンビームを照射してイオン
ビーム誘起CVDおよび酸化のプロセスによってSiO2の保
護膜を形成する。
ン）ガスとN2O（笑気）ガスを容器へ導入し、ノズルよ
りICに吹付け、先に集束イオンビームを照射して形成し
た配線の上に、更に集束イオンビームを照射してイオン
ビーム誘起CVDおよび酸化のプロセスによってSiO2の保
護膜を形成する。
前記実施例ではレーザ照射の場合について説明したが、
このようにイオンビーム照射に換えることもできること
は明らかである。
このようにイオンビーム照射に換えることもできること
は明らかである。
以上説明したように本発明によれば、高集積で多層の配
線のICの異なる場所にある配線間を任意に接続すること
ができ、これにより、LSIの設計，試作，量産工程にお
いて不良解析を容易に行うことができ、開発工程の短
縮，量産立上り期間の短縮，歩留りの向上が可能となる
効果をする。
線のICの異なる場所にある配線間を任意に接続すること
ができ、これにより、LSIの設計，試作，量産工程にお
いて不良解析を容易に行うことができ、開発工程の短
縮，量産立上り期間の短縮，歩留りの向上が可能となる
効果をする。
第１図は本発明に係るICの配線間の接続法を説明するた
めの図、第２図乃至第４図は本発明によるICの配線接続
装置を示す図、第５図乃至第８図は本発明による配線形
成および上下配線の接続を行なう方法を説明したICの断
面を示す図、第９図及び第10図は第２図乃至第４図に示
す本発明によるICの配線接続装置の他の実施例を示した
図である。 符号の説明 1,60……保護膜、2a〜2e,62,80,84……配線、3,61,84…
…絶縁膜、４……基板、6,71,83,87,89……配線、72,8
5,88,90……保護膜、8a,8b……レーザ発振器、16……反
応容器、17,40……XYステージ、19……修正物質容器、2
7……イオン源、28……不活性ガスボンベ、31……静電
レンズ、39……イオンビーム加工用真空容器。
めの図、第２図乃至第４図は本発明によるICの配線接続
装置を示す図、第５図乃至第８図は本発明による配線形
成および上下配線の接続を行なう方法を説明したICの断
面を示す図、第９図及び第10図は第２図乃至第４図に示
す本発明によるICの配線接続装置の他の実施例を示した
図である。 符号の説明 1,60……保護膜、2a〜2e,62,80,84……配線、3,61,84…
…絶縁膜、４……基板、6,71,83,87,89……配線、72,8
5,88,90……保護膜、8a,8b……レーザ発振器、16……反
応容器、17,40……XYステージ、19……修正物質容器、2
7……イオン源、28……不活性ガスボンベ、31……静電
レンズ、39……イオンビーム加工用真空容器。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 嶋瀬 朗 神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地 株 式会社日立製作所生産技術研究所内 (72)発明者 原市 聡 神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地 株 式会社日立製作所生産技術研究所内 (72)発明者 高橋 貴彦 東京都青梅市今井2326番地 株式会社日立 製作所デバイス開発センタ内 (72)発明者 斎藤 啓谷 神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地 株 式会社日立製作所生産技術研究所内 (56)参考文献 特開 昭60−216555（ＪＰ，Ａ) 特開 昭60−52022（ＪＰ，Ａ)
Claims (26)
- 【請求項１】処理室内にIC素子製造ラインにおいて製造
された既存の配線を有するIC素子を供給し、該供給され
たIC素子に第１のエネルギビームを照射して前記IC素子
の表面の絶縁膜に少なくとも２つ以上の孔をあけること
により前記既存の配線を少なくとも２つ以上の個所露出
させ、金属化合物ガスの雰囲気中で前記IC素子上に第２
のエネルギビームを照射して前記既存の配線の露出した
前記少なくとも２つ以上の個所を電気的に接続する新た
な配線を前記絶縁膜上に形成することを特徴とするIC素
子における配線接続方法。 - 【請求項２】前記第２のエネルギビームの照射による前
記新たな配線の形成が、エネルギビーム誘起CVDにより
行われることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の
IC素子における配線接続方法。 - 【請求項３】前記金属化合物ガスが有機金属化合物のガ
スであることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の
IC素子における配線接続方法。 - 【請求項４】前記金属化合物ガスが金属アルキル化合物
ガスであることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載
のIC素子における配線接続方法。 - 【請求項５】前記金属化合物ガスが金属カルボニル化合
物ガスであることを特徴とする特許請求の範囲第１項記
載のIC素子における配線接続方法。 - 【請求項６】前記金属化合物ガスを前記第２のエネルギ
ビームを照射する部分に局所的に供給することを特徴と
する特許請求の範囲第１項乃至第５項の何れかに記載の
IC素子における配線接続方法。 - 【請求項７】前記第１のエネルギビームと前記第２のエ
ネルギビームとは、同じ種類のエネルギビームであるこ
とを特徴とする特許請求の範囲第１項乃至第６項の何れ
かに記載のIC素子における配線接続方法。 - 【請求項８】前記第１のエネルギビームと前記第２のエ
ネルギビームとは、異なる種類のエネルギビームである
ことを特徴とする特許請求の範囲第１項乃至第６項の何
れかに記載のIC素子における配線接続方法。 - 【請求項９】前記第１のエネルギビームが、集束イオン
ビームあることを特徴とする特許請求の範囲第１項乃至
第８項の何れかに記載のIC素子における配線接続方法。 - 【請求項１０】前記第２のエネルギビームが、集束イオ
ンビームあることを特徴とする特許請求の範囲第１項乃
至第８項の何れかに記載のIC素子における配線接続方
法。 - 【請求項１１】前記第２のエネルギビームが、レーザビ
ームあることを特徴とする特許請求の範囲第１項乃至第
８項の何れかに記載のIC素子における配線接続方法。 - 【請求項１２】前記第１のエネルギビームの照射による
前記既存の配線の露出と、前記第２のエネルギビームの
照射による前記新たな配線の形成とを、同一の処理室内
で行うことを特徴とする特許請求の範囲第１項乃至第11
項の何れかに記載のIC素子における配線接続方法。 - 【請求項１３】前記第１のエネルギビームの照射による
前記既存の配線の露出と、前記第２のエネルギビームの
照射による前記新たな配線の形成とを、異なる処理室内
で行うことを特徴とする特許請求の範囲第１項乃至第11
項の何れかに記載のIC素子における配線接続方法。 - 【請求項１４】処理室内にIC素子製造ラインにおいて製
造された既存の配線を有するIC素子を供給し、該供給さ
れたIC素子に第１のエネルギビームを照射し、前記IC素
子の表面の絶縁膜に孔をあけて前記IC素子の既存の配線
を露出させ、金属化合物ガスの雰囲気中で前記IC素子上
に第２のエネルギビームを照射して前記絶縁膜上に前記
既存の配線に電気的に接続される新たな配線を形成する
ことを特徴とするIC素子における配線接続方法。 - 【請求項１５】前記第２のエネルギビームの照射による
前記新たな配線の形成が、エネルギビーム誘起CVDによ
り行うことを特徴とする特許請求の範囲第14項記載のIC
素子における配線接続方法。 - 【請求項１６】前記金属化合物ガスが有機金属化合物の
ガスであることを特徴とする特許請求の範囲第14項記載
のIC素子における配線接続方法。 - 【請求項１７】前記金属化合物ガスが金属アルキル化合
物ガスであることを特徴とする特許請求の範囲第14項記
載のIC素子における配線接続方法。 - 【請求項１８】前記金属化合物ガスが金属カルボニル化
合物ガスであることを特徴とする特許請求の範囲第14項
記載のIC素子における配線接続方法。 - 【請求項１９】前記金属化合物ガスを前記第２のエネル
ギビームを照射する部分に局所的に供給することを特徴
とする特許請求の範囲第14項乃至第18項の何れかに記載
のIC素子における配線接続方法。 - 【請求項２０】前記第１のエネルギビームと前記第２の
エネルギビームとは、同じ種類のエネルギビームである
ことを特徴とする特許請求の範囲第14項乃至第19項の何
れかに記載のIC素子における配線接続方法。 - 【請求項２１】前記第１のエネルギビームと前記第２の
エネルギビームとは、異なる種類のエネルギビームであ
ることを特徴とする特許請求の範囲第14項乃至第19項の
何れかに記載のIC素子における配線接続方法。 - 【請求項２２】前記第１のエネルギビームが、集束イオ
ンビームあることを特徴とする特許請求の範囲第14項乃
至第21項の何れかに記載のIC素子における配線接続方
法。 - 【請求項２３】前記第２のエネルギビームが、集束イオ
ンビームあることを特徴とする特許請求の範囲第14項乃
至第21項の何れかに記載のIC素子における配線接続方
法。 - 【請求項２４】前記第２のエネルギビームが、レーザビ
ームあることを特徴とする特許請求の範囲第14項乃至第
21項の何れかに記載のIC素子における配線接続方法。 - 【請求項２５】前記第１のエネルギビームの照射による
前記既存の配線の露出と、前記第２のエネルギビームの
照射による前記新たな配線の形成とを、同一の処理室内
で行うことを特徴とする特許請求の範囲第14項乃至第24
項の何れかに記載のIC素子における配線接続方法。 - 【請求項２６】前記第１のエネルギビームの照射による
前記既存の配線の露出と、前記第２のエネルギビームの
照射による前記新たな配線の形成とを、異なる処理室内
で行うことを特徴とする特許請求の範囲第14項乃至第24
項の何れかに記載のIC素子における配線接続方法。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7097986A JPH0763064B2 (ja) | 1986-03-31 | 1986-03-31 | Ｉｃ素子における配線接続方法 |
| KR1019870002629A KR940002765B1 (ko) | 1986-03-31 | 1987-03-23 | Ic 배선의 접속방법 및 그 장치 |
| US07/032,753 US4868068A (en) | 1986-03-31 | 1987-03-31 | IC wiring connecting method and resulting article |
| US08/238,888 US5472507A (en) | 1986-03-31 | 1994-05-06 | IC wiring connecting method and apparatus |
| US08/318,267 US5497034A (en) | 1986-03-31 | 1994-10-05 | IC wiring connecting method and apparatus |
| US08/561,310 US5824598A (en) | 1986-03-31 | 1995-11-21 | IC wiring connecting method using focused energy beams |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7097986A JPH0763064B2 (ja) | 1986-03-31 | 1986-03-31 | Ｉｃ素子における配線接続方法 |
Related Child Applications (5)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5067875A Division JP2527292B2 (ja) | 1993-03-26 | 1993-03-26 | Ｉｃ素子およびｉｃ素子における配線接続方法 |
| JP6787493A Division JPH06302603A (ja) | 1993-03-26 | 1993-03-26 | Ｉｃ素子 |
| JP6787693A Division JPH06283534A (ja) | 1993-03-26 | 1993-03-26 | Ｉｃ素子における配線接続装置 |
| JP5067877A Division JP2527293B2 (ja) | 1993-03-26 | 1993-03-26 | Ｉｃ素子における配線接続方法 |
| JP12310798A Division JP2962474B2 (ja) | 1998-05-06 | 1998-05-06 | Ｉｃ素子加工方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62229956A JPS62229956A (ja) | 1987-10-08 |
| JPH0763064B2 true JPH0763064B2 (ja) | 1995-07-05 |
Family
ID=13447151
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7097986A Expired - Fee Related JPH0763064B2 (ja) | 1986-03-31 | 1986-03-31 | Ｉｃ素子における配線接続方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (4) | US4868068A (ja) |
| JP (1) | JPH0763064B2 (ja) |
| KR (1) | KR940002765B1 (ja) |
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|---|---|---|---|---|
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