JPH0748584B2 - プリント回路及びその作成法 - Google Patents

プリント回路及びその作成法

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JPH0748584B2
JPH0748584B2 JP3274453A JP27445391A JPH0748584B2 JP H0748584 B2 JPH0748584 B2 JP H0748584B2 JP 3274453 A JP3274453 A JP 3274453A JP 27445391 A JP27445391 A JP 27445391A JP H0748584 B2 JPH0748584 B2 JP H0748584B2
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coating
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    • H05K3/22—Secondary treatment of printed circuits
    • H05K3/24—Reinforcing the conductive pattern
    • H05K3/244—Finish plating of conductors, especially of copper conductors, e.g. for pads or lands
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
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    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
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    • Y10T29/49204—Contact or terminal manufacturing
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  • Parts Printed On Printed Circuit Boards (AREA)
  • Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はプリント回路に関し、さ
らに詳しくは、はんだ付により電子部品と電気的に接続
されうる導電性表面をもつプリント回路に関する。本発
明はまたプリント回路の作成法に関し、さらに詳しく
は、はんだ付により電子部品と電気的に接続されうる通
し孔、パッド、ランド及びこれら組合せよりなる群から
選ばれる導電性表面（銅の特定表面）を有するプリント
回路の作成法に関する。
【０００２】
【従来の技術】プリント回路を利用する電子装置の製造
では、プリント回路への電気部品の接続は、例えば、プ
リント回路に設けられた通し孔及び周りのパッドへ部品
のリードをはんだ付けすること及び／又は代表的にはウ
ェーブはんだ付け技術により、プリント回路に設けられ
た表面領域（「ランド」）（いわゆる表面にマウントさ
れた装置又はＳＭＤについて）に直接電子部品をはんだ
付けすることにより、行われる。
【０００３】このはんだ付け操作を容易に行うために、
プリント回路を作成する場合、通し孔、パッド、ランド
がはんだ付け接続工程を受け付けるように、即ちはんだ
により濡らすことができ、しかもはんだにより電子部品
のリード又は表面と完全な導電性接続を可能にするよう
表面を準備することが要求される。
【０００４】この良好なはんだ付けの能力を準備するた
めの主な手段は、これらの表面にはんだの被覆を設ける
ことであるが、このとき同時にプリント回路の他の表面
（例えば、導電パターンすなわちトレースの部分）には
後工程で部品をプリント回路へウエーブはんだ付けする
とき接着的にはんだがのらないようマスクをしなければ
ならない。これらの通し孔、パッド又はランドの表面に
はんだを施すことは、比較的簡単な仕事である。それ
は、代表的なプリント回路作成工程において、錫・鉛の
層はトレース、パッド、通し孔及びランドを含む全ての
露出した銅回路構成領域上に少なくとも選択的に電気メ
ッキされ、そして銅がプリント回路の選択された非回路
構成領域でエッチングにより取り去られる次の工程では
これらがエッチング・レジストとして働くからである。
その後はんだマスクが、孔、バッド及びランド以外の領
域に選択的に適用され、そして電気メッキされた錫・鉛
は、再流動し、融合してこれらの接続領域上で必要なは
んだ合金を形成する。
【０００５】種々の理由のために、前記の方法は、理想
的ではない。特に、所望の露出した孔、パッド及びラン
ドにおけるはんだを形成する錫・鉛の再流動、並びに次
のウェーブはんだ付け操作は、又トレース領域のはんだ
マスク下の錫・鉛を溶融させる。はんだマスクは、字義
通り溶融錫・鉛の層上を浮遊し、マスクの下の錫・鉛の
逃げは、回路上のトレースとその周りの導電性領域との
間の望ましくないはんだのブリッジの形成を生じさせ
る。
【０００６】これらの問題を避ける一つの手段は、はん
だマスクによりカバーされた銅のトレース上に錫・鉛が
ない、いわゆる「裸の銅上のはんだマスク」（ＳＭＯＢ
Ｃ）技術である。この技術は、逃げ及びはんだのブリッ
ジの問題を除くが、一般に処理段階の付加により高価に
なる。従って、前記の代表的な作成法において、エッチ
・レジストとして使用される選択的にメッキされた錫・
鉛は、次いで下層の銅領域から剥がされ、はんだマスク
が、次にパッド、孔及びランド以外の領域（現在、裸の
銅のトレースを含む）上に適用され、次いではんだは、
マスクされていない銅のパッド、孔及びランド上に適用
される。錫・鉛の剥がしの必要性を避ける或るＳＭＯＢ
Ｃ技術は知られているが、これらは又追加の処理段階を
含む。
【０００７】このタイプの方法、即ちプリント回路作成
法の特別な要件のためにその上に既に存在する錫・鉛の
層の再流動による以外のプリント回路上のパッド、孔及
びランドへ、作成機がはんだを適用する必要がある方法
では、多数のはんだ適用の可能性が存在し、それらは次
に再流動される錫・鉛の被覆を施すために、プリント回
路が浸漬される（メッキされるべきでない領域のはんだ
マスキング後）非電解錫・鉛浸漬浴の使用を含む。今ま
で、しかし、最も普遍的な方法は加熱空気はんだレベリ
ングによるものであり、それは、マスクされたプリント
回路が溶融したはんだに浸漬され、取り出すと加熱空気
ナイフを次に用いて全ての非付着表面からはんだを吹き
落とす。加熱空気レベリングは、ウェーブはんだ付けに
よるそれへの電子部品の次の接続のための満足しうるは
んだ付け可能なパッド、孔及びランドをもたらすが、多
数の不利も存在し、その少なからぬものは、２００℃以
上の溶融はんだ処理の結果としてのプリント回路に加え
られる激しい熱的応力であり、しばしば通し孔における
金属の引き離し及び他の同様な問題に導かれる。
【０００８】
【発明の概要】本発明の主な目的は電子部品と容易には
んだ付けできる導電性表面を有するプリント回路を安価
に提供することにある。
【０００９】本発明の他の目的は、プリント回路の選択
された領域を、電子部品のそれへの次のはんだ付けを行
い易いようにする方法を提供することにあり、その方法
は、選択された領域上にはんだを施すためのプリント回
路作成機の必要性を除く。
【００１０】又、本発明のさらに特定の目的は、プリン
ト回路及びプリント回路を作成する方法を提供し、それ
は、例えばウェーブはんだ付けにより次の操作で電子部
品がはんだ付けされるべき通し孔、パッド及びランド
に、これらの領域を次の操作で容易にはんだ付け可能に
する非はんだ表面を選択的に提供する。
【００１１】本発明のこれらの目的は電子部品がはんだ
付けされるべきプリント回路の通し孔、パッド及びラン
ドの領域の銅の表面にニッケルからなる第一の被覆、そ
の上にニッケルと燐よりなる第二の被覆及びその上に保
護被覆を設けることにより達成される。ニッケルと燐よ
りなる第二の被覆は次亜リン酸塩還元浴から安価に得ら
れる。保護被覆の材料は、はんだ付け操作以前において
は上記被覆を保護し、はんだ付け操作においてははんだ
により濡れることができて且つ電子部品とのはんだ接続
に有害な影響なしにはんだに実質的に溶解する材料であ
る。好ましい保護材料は金である。
【００１２】得られた通し孔、パッド及びランドの表面
は、電子部品のそれへの後のはんだ接続のための優れた
活性のあるはんだ付け可能な表面として働く。
【００１３】本発明の方法によれば、まず通し孔、バッ
ド及びランド等はんだ付けにより電子部品と接続されう
る特定表面以外の表面領域にはんだマスクを適用し、次
いで非マスク領域である銅の特定表面の上にニッケル及
びホウ素よりなる第一の被覆並びに該第一の被覆上にニ
ッケル及び燐よりなる第二の被覆を無電解的に適用し、
そして該ニッケル被覆の上に、主として保護金属よりな
る保護被覆を無電解的に適用する。（所望ならば、ニッ
ケル又はコバルトの次の形成を伴う）。すなわちＳＭＯ
ＢＣタイプの方法では、はんだマスクが次のはんだ接続
に含まれるべきではない裸の銅のトレース（導電パター
ン）を含む領域上に適用され、非マスク領域 （即ち、
銅の通し孔、パッド及びランド）は次にニッケルより主
としてなる第一及び第二のニッケル層、並びに保護材料
例えば金より主としてなる保護層が選択的に被覆され
る。
【００１４】銅、その上の主としてニッケルよりなる被
覆及びその上の主として保護材料よりなる被覆をもつ通
し孔、パッド及びランドの製法には多くの異なる技術が
用いうる。本発明の方法を基に当業者にはその変法が容
易に想定できよう。例えばトレース（導電パターン）、
通し孔、パッド及びランドを含む全ての回路表面に主と
してニッケルよりなる層を適用し、次いではんだ付けさ
れるべきでない領域にはんだマスクを適用し、そして
（ニッケルを被覆されている）非マスク領域に主として
保護材料よりなる保護被覆を適用してもよいだろう。
（所望ならばニッケル被覆をさらに形成する）。 ニッケ
ルは、代表的に用いられる次のはんだ接続操作では再流
動できないので、ニッケルで被覆された銅のトレース上
へのはんだマスクの適用は、はんだマスクが例えば錫・
鉛で被覆された銅のトレース上に適用したときのような
前記のブリッジング及び他の問題を生じないことは注目
される。 この点についてはコバルトがニッケル同様に使
用できる。
【００１５】ＳＭＯＢＣタイプの方法は非常に好ましい
ものであって、この点に関し、非マスクの銅の通し孔、
パッド及びランドの表面に、ニッケル（又はコバルト）
の必要な被覆層及びその上の例えば金の被覆層は非電解
的に施されるだろう。任意の非電解ニッケル（又はコバ
ルト）析出浴及び方法がこの点で使用できるが、銅の表
面だけを選択的にメッキし、はんだマスク上のニッケル
（又はコバルト）の析出を最小にし、理想的には完全に
避ける浴及び技術が好ましい。このため、貴金属触媒を
要する浴及び方法、即ちパラジウムのような触媒を活性
化するためにメッキされるべき銅表面へ予備的適用（パ
ラジウム／錫のゾル又は溶液）を必要とする方法は、触
媒のはんだマスク上の析出によるニッケル（又はコバル
ト）のメッキを避けるのが困難なので、好ましくない。
より好ましいのは、触媒なしに銅のみを選択的にメッキ
して有機はんだマスク表面はメッキしない無電解ニッケ
ル（又はコバルト）浴である。例えばボラン又はホウ化
水素還元無電解ニッケル又はコバルト浴がある。同じく
好ましいものに、特殊な活性化技術によって選択的に銅
をメッキして有機はんだマスクはメッキしないようでき
る無電解ニッケル（又はコバルト）浴がある。例えば、
米国特許出願第５２０６３５号に記載され、ここに参考
として引用される触媒として特定の亜鉛金属を用いる次
亜リン酸塩還元無電解ニッケル浴がある。
【００１６】本発明の好ましい態様によれば、はんだ接
続が後で行われる選択された通し孔、パッド及びランド
上の保護材料特に金の外側の保護層は、代表的には厚さ
が約０．１−約１．０ミクロンのオーダーであり、最も
好ましくは厚さが約０．２−約０．８ミクロンのオーダ
ーであろう。
【００１７】ニッケルより主としてなる被覆層の厚さ
は、好ましくは約０．１−約２５ミクロンのオーダーで
あり、最も好ましくは約１．０−約５ミクロンであろ
う。ニッケル層のこの全ての厚さは、完全にニッケル被
覆の単一の形、例えばそれら自体を電解析出にする方法
における完全に電解のニッケル、又はボラン又はホウ化
水素還元無電解ニッケル浴から析出した完全にニッケル
−ホウ素（一般に約０．１−約６重量％のホウ素を含
む）、又は次亜リン酸塩還元無電解ニッケル浴から析出
した完全にニッケル−燐（一般に約１−約１３重量％の
燐含量を有する）により提供されるが本発明においては
ニッケルの被覆は、異なる形のニッケルの被覆の層より
なる。例えば、ニッケルの被覆が銅の上に無電解的に形
成されるとき、全体の厚さは、ニッケル−ホウ素の第一
の薄い（ストライク）被覆（例えば厚さ０．１−約１．
０ミクロン）次に所望の全厚さのニッケル−燐の第二の
被覆から形成される。即ちボラン又はホウ化水素還元浴
からのニッケル−ホウ素は接触の活性化工程は必要とせ
ずに銅それ自体をメッキし、次に次亜リン酸塩還元浴か
らのニッケル−燐の析出のための活性表面として働く。
そしてそれが次亜リン酸塩還元析出浴に比べてより高価
であるボラン又はホウ化水素還元浴の使用を最小にする
ので望ましい。
【００１８】この多数回ニッケル又はコバルト被覆技術
も又、ニッケル又はコバルトの被覆が、前述したよう
に、例えばエッチ・レジストとしてプリント回路作成法
の一部として全ての露出された銅の回路構成上に（代表
的には電気メッキにより）選択的に適用されたとき、有
利に使用できる。パタニングレジストが取り去られると
き、以前その下にある銅は、エッチングにより取リ去ら
れ、はんだマスクが選択的に適用され、銅の上の電解ニ
ッケル又はコバルトよりなる非マスクパッド及びランド
領域は、それにもかかわらず銅の縁がニッケル又はコバ
ルトにより被覆されていない側壁を有する。これらの銅
の縁も又次のはんだ接続操作に完全に従い得ることが、
使用者によりしばしば望まれよう。従って、銅の縁を完
全にカバーするために、これらの領域で追加のニッケル
又はコバルトを選択的に無電解で析出させることが、こ
れらの状態において本発明で好ましいだろう（もちろ
ん、この析出に付随して、通し孔も又追加のニッケル又
はコバルトの被覆を受けるだろう）。事実、これらの領
域に既に存在しているニッケル又はコバルトは、触媒化
又は特別な技術の必要なしに、次亜リン酸塩還元ニッケ
ル又はコバルト浴からすら析出を自動触媒化し、存在す
るニッケル又はコバルトの層により引き起こされたニッ
ケル又はコバルトの析出は、問題の領域で銅の縁を十分
に被覆するように成長又は広がることが見出されるだろ
う。
【００１９】明らかなように、本発明の主な利点は、接
続のための好適にはんだ付け可能な表面を提供するため
にニッケル被覆上に保護材料を利用することにより、電
子部品が接続され得るプリント回路の表面にはんだが付
着するように準備する必要性を本発明が排除できること
である。プリント回路は、加熱空気はんだレベリンクの
応力に曝されないので、プリント回路の物理的及び電気
的完全性は損なわれず、欠陥又は失敗のない回路が得ら
れることになる。本発明の別の利点はニッケル及び燐か
らなる第二のニッケル被覆が次亜リン酸塩還元浴等によ
り比較的安価に得られる点である。
【００２０】前述したように、方法が、電子部品の接続
が次になされる選ばれた通し孔、パッド及びランドが、
銅、そしてニッケル又はコバルトの保護膜さらに保護材
料例えば金の保護膜から形成されるように準備される回
路をもたらす限り、本発明は、プリント回路作成法それ
自体に厳重に依存しない。
【００２１】一つの代表的な一般法において、金属被覆
通し孔を有する両面（ｄｏｕｂｌｅ−ｓｉｄｅｄ）プリ
ント回路は、好適な熱硬化性又は熱可塑性の誘電基体材
料（例えばエポキシ又はポリアミドそして一般にガラス
補強されている）から製造され、代表的には両側に銅の
フォイルの薄い張合わせを有する。通し孔は、ボードに
ドリルで孔を開けられ、ボードは、次に無電解銅析出浴
に浸漬して（ボード及び通し孔の表面の好適な活性化／
触媒化の後）、通し孔の表面を金属被覆し、ボードの表
面上（場合に応じ、誘電体それ自体の上又は既に誘電体
上に存在する銅のフォイル張合わせ上）に連続した無電
解銅の形成をもたらす。銅の厚さは、この段階で電解的
に形成されるか、又は次のパターニング段階を待つこと
ができる。パターニングでは、所望の回路構成のネガ
が、有機レジストを用いてボードの表面に準備され（例
えばフォトレジストの層の適用、イメージに関する露出
及び現像により）、次の金属メッキ段階は、レジストに
よりカバーされない領域について選択的である。
【００２２】ＳＭＯＢＣタイプの方法では、一つの代表
的なやり方は、パターニングレジストによりカバーされ
ない形成された銅の表面上にエッチング抵抗性材料例え
ば鉛、錫・鉛などを適用することを含む。次に、パター
ニングレジストを取りのぞき、従来パターニングレジス
トの下の銅を誘電基体の表面にまでエッチングして取り
去る。次に、エッチング抵抗性材料を剥がして、その下
の裸の銅の回路構成を露出させ、そしてボードは、次に
電子部品の接続が次のはんだ付け操作（例えばウェーブ
はんだ付け）で使用者によりなされる通し孔、パッド又
はランドの領域を除いて、適切な有機材料を用いてはん
だマスクされる。
【００２３】実施されうるこのＳＭＯＢＣタイプ作成法
には種々の変法があり、添加物処理の使用、多層回路の
作成などを含み、全て当業者に周知である。
【００２４】前記の作成技術の任意のものによる露出し
た裸の銅の通し孔、パッド及びランドを有するはんだマ
スクをしたプリント回路は、次いで処理されて、これら
露出した裸の銅の表面上に、本発明によりニッケル又は
コバルトの被覆の上の必要な保護材料を非電解的に施
す。
【００２５】前述のように、前記の作成のやり方の任意
のものにより到達した、問題の露出した銅の表面へニッ
ケル又はコバルトの被覆を行う好ましい手段は、ニッケ
ル−ホウ素又はコバルト−ホウ素無電解メッキ浴即ち還
元剤としてホウ化水素又はボランを利用する無電解ニッ
ケル又はコバルトメッキ浴を、先ず使用することを含
む。それは、これらの浴が、銅の表面の触媒による活性
化の必要なしに、清浄な銅の表面のメッキを開始するか
らである。無電解ニッケル−ホウ素及びコバルト−ホウ
素の浴は、同業者に周知であり、アルカリ又は酸の何れ
かの浴として利用できる。このタイプの浴は、ニッケル
又はコバルト塩（例えば、塩化物、硫酸塩など）、錯体
形成剤、ｐＨ調節剤、安定剤及び還元剤、代表的には、
ホウ水素化ナトリウム、ｎ−ジメチルアミンボラン又は
ｎ−ジエチルアミンボランを含む水溶液である。酸の浴
では、ｐＨは、一般に約４−約６．０であり、約７５−
約１６０°Ｆの操作温度が使用され、得られた析出物
は、０．１−約６重量％のホウ素を含む。アルカリ浴で
は、１２を超えるｐＨが概して用いられ、操作温度は約
７５−約１６０Ｆであって、約０．１−６重量％のホウ
素を含む析出物を得る。
【００２６】全ニッケル又はコバルト被覆がニッケル−
ホウ素又はコバルト−ホウ素浴によりもたらされると
き、無電解析出は、約０．１−約２５ミクロン好ましく
は約１−５ミクロンの被覆の厚さが達成されるまで、続
けられるだろう。しかし、理解されるように、ニッケル
−ホウ素及びコバルト−ホウ素の浴は比較的高価であり
（特にニッケル−燐及びコバルト−燐の浴に比較したと
き）、従って本発明の好ましい態様は、厚さ約０．１−
約１．０ミクロンのオーダーのニッケル−ホウ素及びコ
バルト−ホウ素の薄いストライク層のみの析出を含み、
それは次に所望の厚さを充たすためにニッケル−燐及び
コバルト−燐の被覆を伴う。
【００２７】ニッケル−燐及びコバルト−燐の浴は、当
業者に周知であり、ニッケル又はコバルトの塩、錯体形
成剤、ｐＨ調節剤、安定剤及び次亜リン酸塩還元剤、代
表的には次亜リン酸ナトリウムを含む酸及びアルカリ処
方で入手できる。酸の浴は、一般に約４−７のｐＨを有
し、約１２０−２２０°Ｆの温度で操作し、約１−約１
３重量％の燐を有する析出物を生成し、一方アルカリ浴
は、一般に７−１２のｐＨ及び約７５−１５０°Ｆの温
度で操作する。最初に析出したニッケル−ホウ素及びコ
バルト−ホウ素の被覆の厚さに応じて、無電解ニッケル
−燐及びコバルト−燐の被覆は、厚さが大体約１−約２
５ミクロンであろう。
【００２８】ニッケル−燐の被覆から、即ち下層のニッ
ケル−ホウ素の層の必要なしに、裸の銅の表面の上にニ
ッケル層のみを形成することも、このタイプの作成のや
り方で可能である。代表的には、次亜リン酸塩還元浴か
ら直接銅上へのニッケル−燐の無電解析出は、貴金属触
媒による銅の表面の活性化を必要とし、そしてはんだマ
スクの活性化及びその上のメッキを同時に避けること
は、不可能でないないにしても、難しい。しかし、前記
の米国特許出願第５２０６３５号に開示されているよう
に、選択的ニッケル−燐のメッキは、粒状亜鉛金属活性
化の使用により達成できる。従って、例えば、ニッケル
−燐をメッキされるべき露出した裸の銅の表面を有する
はんだマスクした回路は、銅の表面の上に亜鉛金属粒子
を捕捉又は付着するために粒状の亜鉛金属（５０ミクロ
ン以下、より代表的には１−２０ミクロンのオーダーの
粒子の大きさ）を水性担体（例えば水）に懸濁した組成
物と接触され、次に非付着亜鉛を流れ取る。ボードが次
亜リン酸塩還元無電解ニッケル浴中に浸漬されたとき、
メッキは、銅の表面の上にのみ生じ、はんだマスクした
表面では生じない。生ずることは、銅の表面上の亜鉛が
銅の表面と接触してメッキ浴に溶解し、浴からのその上
のニッケルの析出を促進する、銅の表面に関してカソー
ドの電流が生成する（一度ニッケルの析出がこのやり方
で引き起こされると、析出物上のニッケルの連続した無
電解析出が自動触媒的に生ずる）。同じ亜鉛の溶解が、
亜鉛の粒子が付着又は捕捉されたはんだマスクされた領
域で生ずるとき、溶解は、カソードの電流を伴わない。
それは、銅がそこに存在せず、ニッケルの析出がそこで
は生じないからである。このやり方で、即ち約１−約２
５ミクロンの厚さに、次亜リン酸塩還元無電解ニッケル
浴から完全に銅の通し孔、パッド及びランド上に必要な
ニッケルの被覆を生成できる。
【００２９】ニッケル又はコバルトの被覆操作後、ニッ
ケル又はコバルトは、保護材料の保護膜を施さられる。
好ましい金の被覆の特定の場合では、はんだマスクされ
たプリント回路は、非電解的金析出浴に浸漬されて、ニ
ッケル又はコバルト上に必要な好ましくは非常に高純度
の金の被覆を析出させる。多くの非電解的金浴は、金が
下層の金属基体との置換／交換反応により析出する浸漬
浴であり、そして２００−２１５°Ｆの温度で代表的に
は操作される酸性浴（例えば４．０又はそれに近いｐ
Ｈ）である。無電解金浴は、又金が浴に存在する強還元
剤の影響下金塩の還元により析出されることにより知ら
れている。これらの浴は、代表的にはアルカリ性が強
く、又比較的高い温度例えば約１９０°Ｆ−２００°Ｆ
で操作する。
【００３０】このやり方でニッケル又はコバルト、銅の
上に析出される金は、好ましくは厚さ約０．１−約１．
０ミクロン、さらに好ましくは厚さ約０．２−約０．８
ミクロンであろう。もちろん、金の被覆は、１層より多
い金の層、例えば無電解金により上にメッキされた浸漬
金よりなる。
【００３１】別の非ＳＭＯＢＣ処理のやり方において、
銅の通し孔、パッド及びランドについてニッケル又はコ
バルトの被覆の上の必要な保護材料は、電解ニッケル又
はコバルトメッキ浴を使用して得られる。従って、例え
ば、プリント回路は、メッキレジストパターン銅回路を
得るために前述したように形成できる。次に、ニッケル
又はコバルトは、銅についてエッチングレジストとして
働くために、全ての露出した銅の領域上に電気メッキさ
れる。メッキレジストは、次に取り去られ、以前メッキ
レジストの下の銅は、誘電基体の表面に迄エッチングに
より取り去られる。はんだマスクは、次いでニッケル又
はコバルトを被覆したトレースを含む領域上に適用さ
れ、それは電子部品の次のはんだ接続に含まれないだろ
う。既に説明したように、電気メッキしたニッケル又は
コバルトの非再流動性は、錫・鉛又は他の再流動可能な
金属がはんだマスクしたトレース上に存在するとき次の
はんだ操作下で生ずるブリッジなどに関する懸念なし
に、ニッケル又はコバルトにより被覆された銅のトレー
スの上にはんだマスクを施すことを可能にする。
【００３２】処理のこの段階で、マスクされていないニ
ッケル又はコバルトにより被覆された通し孔、パッド及
びランドは、処理されて、ニッケル又はコバルトの上に
保護材料例えば金の被覆を直接施す。一方、追加のニッ
ケル又はコバルトは、保護材料の被覆前に無電解的に形
成されて、追加の厚さそれ自体をもたらすか、又は露出
した銅の縁が前述のように被覆されることを確実にする
の何れかを行う。
【００３３】上記説明にもある通りコバルトをニッケル
と同様に用いうることは当業者には明らかであろう。
【００３４】
【実施例】本発明は、下記の実施例に関してさらに記述
され説明される。
【００３５】実施例 多数の露出された裸の銅の通し孔及びパッドを有し、は
んだマスクした両面プリント回路は、１分間１４０°Ｆ
でクリーナー溶液（ＳＯＡＫ ０２８，Ｍａｃ−Ｄｅｒ
ｍｉｄ，Ｉｎｃ．，Ｗａｔｅｒｂｕｒｙ，Ｃｏｎｎｅｃ
ｔｉｃｕｔ）中に浸漬され、次に冷水により洗われ、１
分間８５°Ｆで酸つやだし溶液（Ｍｅｔｅｘ ＢＣＤ，
ＭａｃＤｅｒｍｉｄ，Ｉｎｃ．）に浸漬され、冷水によ
り洗われ、アルカリ中和剤（１００ｇ／１の炭酸カリウ
ム）中に浸漬された。
【００３６】プリント回路は、次に１分間９０°Ｆで還
元剤としてジメチルアミンボラン（Ｅｌｎｉｃ、Ｍａｃ
Ｄｅｒｍｉｄ、Ｉｎｃ．）を含む無電解ニッケル−ホウ
素浴中に浸漬されて、露出した銅の上に約４ミクロイン
チの厚さを有するニッケル−ホウ素ストライク被覆を生
成した。洗浄後、プリント回路は、２０分間１８５゜Ｆ
で還元剤として次亜リン酸塩陰イオン（Ｅｌｎｉｃ １
１０）を含む無電解ニッケル−燐浴に浸漬されて、ニッ
ケル−ホウ素ストライクの上の厚さ０．３ミルを有する
ニッケル−燐被覆を生成した。洗浄後、プリント回路
は、５分間１４０°Ｆで浸漬金メッキ浴（ＡＣＲ ７０
５、Ａｍｅｒｉｃａｎ Ｃｈｅｍｉｃａｌ ａｎｄ Ｒ
ｅｆｉｎｉｎｇ Ｃｏ．、Ｗａｔｅｒｂｕｒｙ、Ｃ
Ｔ．）中に浸漬されて、ニッケルの上に約７−１０ミク
ロインチの厚さの金の被覆を生成した。
【００３７】プリント回路の生成された領域は、電子チ
ップのそれへのウェーブはんだ付け接続において優れた
はんだ付け可能性を示す。
【００３８】本発明は、特別な好ましい態様及び実施例
に関して記載されたが、これらは、本発明及びその最良
の実施の態様の説明で提供され、請求の範囲に示された
ものを除き、本発明の範囲を制限することを目的として
いない。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭63−173389（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−125891（ＪＰ，Ａ) 特開 昭60−110192（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−128788（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−291991（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−225894（ＪＰ，Ａ) 実開 昭63−55574（ＪＰ，Ｕ)

Claims (10)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 はんだ付けにより電子部品と電気的に接
    続されうる露出した導電性表面を有し、該導電性表面が
    銅、該銅上の主としてニッケルよりなるニッケル被覆及
    び該ニッケル被覆上の主として保護金属よりなる保護被
    覆をもち、そして該ニッケル被覆がニッケルよりなる第
    一の被覆並びに該第一の被覆上のニッケル及び燐よりな
    る第二の被覆をもつプリント回路。
  2. 【請求項２】 該第一の被覆がさらにホウ素を含む請求
    項１のプリント回路。
  3. 【請求項３】 ニッケル及びホウ素よりなる第一の被覆
    の厚さが約０．１から約１．０ミクロンであり、ニッケ
    ル及び燐よりなる第二の被覆の厚さが約０．１から約２
    ５ミクロンである請求項２のプリント回路。
  4. 【請求項４】 第一の被覆が電解ニッケルよりなり、該
    第一の被覆上の第二の被覆が無電解ニッケル及び燐から
    なる請求項１のプリント回路。
  5. 【請求項５】 露出した導電性表面が、通し孔、パッ
    ド、ランド及びこれらの組合せよりなる群から選ばれる
    請求項１〜４の何れか一つの項のプリント回路。
  6. 【請求項６】 露出した導電性表面以外の該プリント回
    路の表面が、はんだマスクによりカバーされている請求
    項１〜４の何れか一つの項のプリント回路。
  7. 【請求項７】 ニッケルより主としてなる該ニッケル被
    覆が、約１−約２５ミクロンの厚さのものである請求項
    １〜４の何れか一つの項のプリント回路。
  8. 【請求項８】 保護金属より主としてなる該保護被覆
    が、約０．１−約１．０ミクロンの厚さのものである請
    求項１〜４の何れか一つの項のプリント回路。
  9. 【請求項９】 はんだ付けにより電子部品と電気的に接
    続されうる通し孔、パッド、ランド及びこれらの組合せ
    よりなる群から選ばれる銅の特定表面を有するプリント
    回路の作成法であって、 （１）銅の特定表面以外のプリント回路の表面領域には
    んだマスクを施し、 （２）銅の特定表面の上に、ニッケル及びホウ素よりな
    る第一の被覆並びに該第一の被覆上にニッケル及び燐よ
    りなる第二の被覆を無電解的に適用し、そして、 （３）該ニッケル被覆の上に、主として保護金属よりな
    る保護被覆を無電解的に 施すことを特徴として含む上記
    プリント回路の作成法。
  10. 【請求項１０】 ニッケル及びホウ素よりなる第一の被
    覆の厚さが約０．１から約１．０ミクロンであり、ニッ
    ケル及び燐よりなる第二の被覆の厚さが約０．１から約
    ２５ミクロンである請求項９の方法。
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