JPH0669609A - 電子部品の基板及びその製造法 - Google Patents

電子部品の基板及びその製造法

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JPH0669609A
JPH0669609A JP15308191A JP15308191A JPH0669609A JP H0669609 A JPH0669609 A JP H0669609A JP 15308191 A JP15308191 A JP 15308191A JP 15308191 A JP15308191 A JP 15308191A JP H0669609 A JPH0669609 A JP H0669609A
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copper
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wiring pattern
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Yoshihiro Hojo
義弘 北城
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Fuji Kiko Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【目的】電子部品よりのピンの引き出しを、省略し、電
子部品の小型化を計ることにより、配線板に対する電子
部品の接続を高密度に行うことを可能にする。 【構成並びに効果】電子部品の基板の周側部に端子膜付
の凹所を設け、この凹所を利用して配線板上への固定と
電気的接続とを同時に行ない得るような構成にすること
により、電子部品の小型化ひいては高密度接続が可能に
なる。

Description

【発明の詳細な説明】
【産業上の利用分野】本発明は電子部品の基板及びその
製造法、更に詳しくは配線板への高密度化実装に対処す
ることができる電子部品の基板、該基板を用いた電子部
品及び之等の製造法に関する。
【従来の技術とその問題点】従来、配線板に対する電子
部品の電気的接続は主として次の方法で行なわれてい
た。 (イ)電子部品のリード線を配線板のスルホールに挿入
しハンダ付けする。 (ロ)電子部品の端子部と配線板の端子部とを位置合せ
しておき、之等を表面でハンダ付けする。 (ハ)配線板にソケット部品を実装しておき、このソケ
ット部品に電子部品を挿入する。 従来の(イ)〜(ハ)の方法には、次の通りの問題点が
ある。即ち(イ)及び(ロ)の方法はハンダ付けをする
ので、端子間隔を適当に設けなければならず、微細な接
続を連続して行うには不適である。例えばDIPおよび
SOP、QFPではパッケージの側面より多数のハンダ
付け用のピンが引き出されているが、いずれもハンダブ
リッジを考慮し最短間隔でも0.5mm程度の間隔を必
要としている。このような間隔を形成しておいてもソル
ダリング工程では不良率が大きく、問題になっている。
このような問題点はPLCCのようにピンがパッケージ
側面に沿うように取り付けられていても改善されること
はない。一方(ハ)による方法では、ソケットはある程
度大きな円筒状に加工したリード装入用金具を所定間隔
に配置しなければならず、ソケットの細密化は構造上困
難であるため、この方法でも細密な接続は当然困難であ
った。このようなパッケージの問題により、特に近年の
超高集積LSIの多ピン化対応では製造限界に直面して
いる現状にある。従来技術の基本的問題点として次の点
を揚げることができる。まず第1には、電子部品からピ
ンが引き出される場合、ピンを電子部品に固定しなけれ
ばならないが、部品の軽量、小型化が進んでいる現在、
電子部品にピンを固定するだけの余裕がなくなって来て
いること。第2には、電子部品からピンが引き出されて
いる場合、それを配線板に固定して電気的に接続するた
めには、信頼性向上の見地からどうしても再度新たなハ
ンダを外部より接続部に与えなければならず、面倒であ
り、一方与えない場合には、電子部品のピンに予め付着
されているハンダを必要時まで清浄に保たなければなら
ず、部品管理が非常に難しくなること。第3には、ハン
ダ接続を行なう場合、ハンダを外部より与えるとすれば
どうしてもハンダブリッジが起き易いこと。第4にはピ
ンが電子部品より引き出されており、配線板上でハンダ
接続する場合、同一平面上でハンダ付けをするのでどう
してもハンダブリッジが起き易いこと。之等の4つの問
題点は、いずれもピンが電子部品より引き出されている
ことに起因し、これが電子部品の多ピン高密度接続を妨
げる原因になっていた。本発明は電子部品の構造、特に
配線板との電気的接続部分の構造を改良することによ
り、配線板に対する電子部品の高密度接続を可能にし、
もって先に述べた従来の問題点を一掃しようとするもの
である。
【問題を解決するための手段】本発明は、絶縁性の基板
本体が、上面及び下面の少なくともいずれか一方に、電
子部品素子の装着ゾーンと、該ゾーンに装着される上記
素子に、一端において電気的に接続される配線パターン
とを有し、基板本体の側部には、上下方向に延出する凹
所が設けられ、凹所内の壁面には、上記配線パターンの
他端と電気的に接続する端子膜が設けられていることを
特徴とする電子部品の基板に係る。
【実施例】以下に本発明の一実施例を添付図面にもとづ
き説明すると、次の通りである。図1は本発明電子部品
基板の一例を示している。基板本体1は主として硬質の
絶縁材から構成され、上面には電子部品素子の装着ゾー
ン2と配線パターン3とが形成されている。配線パター
ン3は一端側の各ターミナル3aにおいて、上記ゾーン
2に装着される電子部品素子に電気的に接続されるよう
になっている。更に基板本体1の周側部には、配線パタ
ーン3の他端側の各ターミナル3bと一致する位置に上
下方向に延出する凹所4が形成され、各凹所4内の壁面
には端子膜5が形成され、各端子膜5は配線パターン3
の対応する各ターミナル3bと電気的に接続している。
基板本体1を構成する絶縁材料として次のようなものを
例示でき、之等は必要に応じ銅ばりして用いられる。 絶縁材料…ガラスエポキシ積層板、ガラスポリイミド積
層板、テフロン積層板、 ガラスBTレジン積
層板、アルミナセラミックス、チッ化アルミニウムセラ
ミック、コーデュライト、ベクトラ(商標、ポリプラス
チックス(株))、ウルテム(商標、エンジニアリング
プラスチックス(株))、PPO、PPS、ポリエーテ
ルエーテルケトンなど また電子部品素子として、次のようなものを例示でき
る。 電子部品素子…半導体集積素子(SSI、MSI、LS
I、VLSI、ハイブリッドIC)、抵抗器、ホトカプ
ラ、コンデンサ、トランジスタ、サイリスタ、ダイオー
ド、トランス、バリスタ、オペアンプ、フィルタ、コイ
ル、スイッチ、リレー 本発明電子部品基板の製造には、各種方法を適用し得る
が、その好ましい製造法の一例を図2乃至図5にもとづ
き説明すると、次の通りである。図2に示すように、最
初に、硬質絶縁材よりなる所定寸法の基板本体1の周側
部に、切削加工手段の適用により上下方向に延出する凹
所4が形成される。この凹所4は、後の工程で形成され
る配線パターン3の他端部のターミナル3bと一致する
位置を占めている。次に図3に示すように、メッキ手段
を適用して、上記基板本体1の上面と側面(凹所4を含
む)に金属(例えば銅)メッキ膜6が形成される。次に
図4に示すようにパターニングにより基板本体1の上面
に配線パターン3と、電子部品を装着するための装着ゾ
ーン2とが形成され、パターニングは常法通りエッチン
グ手段の適用により行なわれる。次に同図4に示すよう
に、基板本体1の縁部がラインlに沿って切り落とさ
れ、この切り落としで、各凹所4内のメッキ膜6が独立
し、図5に示すように端子膜5となり、この端子膜5は
上端において、配線パターン3の対応する他端側ターミ
ナル3bに連成し、電気的に接続している。このよう
に、図2乃至図5に示す各工程を経ることにより、図1
に示す構造の本発明電子部品基板が得られる。尚図では
片面タイプついて述べたが、第3図に示すメッキ工程で
金属メッキ膜6を基板本体1の上下両面に形成し、第4
図に示すパターニング工程で配線パターン3と装着ゾー
ン2とを本体1の上下両面に形成することにより、両面
タイプの本発明電子部品基板が得られる。以下に基板本
体に対するメッキ工程の詳細を述べる。先ず基板本体を
脱脂処理する。脱脂方法は特に制限されず、公知の方法
で実施すれば良く、具体例として、アルカリ脱脂、酸性
脱脂、中性脱脂、溶剤脱脂、エマルジョン脱脂、蒸気脱
脂などがある。次いで、クロム酸処理などの常法のデス
ミア処理、スルホールクリーニングプロセスなどを施し
ても良い。次に常法のパラジウム触媒化処理を施すが、
センシタイジング−アクチベーティング法の場合は、セ
ンシタイザー液に晒してからアクチベータ液に晒し、キ
ャタライジングーアクセラレーティング法の場合は、キ
ャタライザー液に晒してからアクセラレーター液に晒
す。その後、常法に従って、無電解めっき液に浸漬させ
て、めっき被膜を析出させる。また無電解めっきしたあ
と、更に電解めっきすると、より効果的に層間接続する
ことができる。触媒化処理においては、必要に応じて予
め多層配線板用クリーニングやコンディショニングを行
なっても良い。コンディショニングは、カチオン性界面
活性剤、アニオン性界面活性剤、ノニオン性界面活性
剤、両性界面活性剤、多価アルコール、ポリエーテル、
アミン、ポリアミンなどの公知のコンディショニング用
化合物の溶液に浸漬することにより行なわれる。その後
の触媒化処理では、プラスチックにめっきを施す際の触
媒化方法に従って行なうことができる。その触媒方法と
して、センシタイジング−アクチベーティング法、キャ
タライジング−アクセラレーティング法などを挙げるこ
とができる。以下、上記の2つの方法について説明す
る。センシタイジング−アクチベーティング法 セラミックスをセンシタイザー液に浸し、水洗し、次い
でアクチベーター液に浸す。センシタイザー液及びアク
チベーター液としては公知のものが使用できる。以下に
具体例を挙げる。尚、以下において塩酸の濃度は、塩化
水素(HCl)としての濃度を示すものとする。 (センシタイザー液)組 成 5〜50g/l(リットル)塩化第1錫 5〜50g/l塩酸操作条件 5〜80℃ 10秒〜10分間 (アクチベーター液)組 成 0.05〜1.0g/lパラジウム塩操作条件 5〜80℃ 10秒〜10分間キャタライジング−アクセラレーティング法 セラミックスをキャタライザー液に浸し、水洗し、つい
でアクセラレーター液に浸す。キャタライザー液及びア
クセラレーター液としては公知のものが使用できる。以
下に具体例を挙げる。 (キャタライザー液)組 成 5〜50g/l塩化第1錫 0.05〜1.0g/lパラジウム塩 5〜50g/l塩酸操作条件 5〜80℃ 10秒〜50間 上記アクチベーター液及びキャタライザー液において使
用されるパラジウム塩としては、塩化パラジウム、塩化
パラジウムナトリウム、塩化パラジウムカリウム、テト
ラアンミン塩化パラジウムなどを挙げることができる。
触媒化処理により、セラミックス表面にパラジウム触媒
が吸着する。その後、水洗する。次に無電解めっきを行
なう。無電解めっきは、プラスチックスにめっきを施す
のと同様にして行なわれる。以下に代表的なめっき液及
びその操作条件を示す。 (Cuめっき)組 成 硫酸銅 5〜50g/l
(リットル) ロッシェル塩又はEDTA塩 10〜150g/l ホルムアルデヒド水溶液(37%) 2〜50g/l 炭酸アルカリ塩 0〜50g/l 水酸化アルカリ塩 0〜50g/l ビピリジル 0〜50mg/l NaCN 0〜100mg/
操作条件 温度 10〜80℃ pH 10〜14 (Ni又はCoめっき)組 成 Ni又はCoめっき 1〜250g/l 錯化剤 0〜250g/l 還元剤 1〜250g/l pH調整剤 0〜250g/l 添加剤 0〜250g/l操作条件 温度 10〜110℃ pH 2〜14 (Ni又はCoめっき)組 成 Ni又はCoめっき 1〜250g/l 金属塩 1〜250g/l 錯化剤 0〜250g/l pH調整剤 0〜250g/l 添加剤 0〜250g/l操作条件 温度 10〜110℃ pH 2〜14 (Agめっき)組 成 シアン化銀 0.5〜50g/l シアン化アルカリ塩 0.5〜50g/l 水酸化アルカリ塩 0〜50g/l ジメチルアミンボラン 0.5〜50g/l操作条件 温度 10〜80℃ pH 7〜14 上記めっき液に使用される塩、錯化剤、pH調整剤及び
添加剤としては、公知のものがいずれも使用できる。以
下に具体例を挙げる。 ●Ni塩…硫酸ニッケル、硫酸ニッケルアンモニウム、
硫酸ニッケルカリウム、塩化ニッケル、スルファミン酸
ニッケル、酢酸ニッケル、次亜リン酸ニッケル、など。 ●Co塩…硫酸コバルト、硫酸コバルトアンモニウム、
硫酸コバルトカリウム、塩化コバルト、スルファミン酸
コバルト、酢酸コバルト、次亜リン酸コバルトなど。 ●金属塩…硫酸鉄、硫酸鉄アンモニウム、スルファミン
酸鉄、酢酸鉄、硫酸銅、スルファミン酸銅、酢酸銅、硫
酸亜鉛、塩化亜鉛、酢酸亜鉛、モリブデン酸、モリブデ
ン酸ナトリウム、モリブデン酸カリウム、モリブデン酸
アンモニウム、タングステン酸、タングステン酸ナトリ
ウム、タングステン酸カリウム、タングステン酸アンモ
ニウムなど。 ●水酸化アルカリ塩…水酸化リチウム、水酸化ナトリウ
ム、水酸化カリウムなど。 ●シアン化アルカリ塩…シアン化ナトリウム、シアン化
カリウムなど。 ●錯化剤…有機酸(アジピン酸、アスコルビン酸、アス
パラギン酸、アラニン、イタコン酸、イミノニ酢酸、ギ
酸、クエン酸、グリコール酸、グリシン、グルコン酸、
グルタミン酸、コハク酸、酢酸、酒石酸、乳酸、ピロリ
ン酸、フマル酸、プロピオン酸、マレイン酸、マロン
酸、リンゴ酸など)のアルカリ金属塩(ナトリウム塩、
カリウム塩など)及びアンモニウム塩、エチレンジアミ
ン、ジエタノールアミン、ジエチレントリアミン、トリ
エタノールアミン、モノエタノールアミンなどのアミン
類など。 ●還元剤…次亜リン酸ナトリウム、次亜リン酸カリウ
ム、次亜リン酸マグネシウム、次亜リン酸アンモニウ
ム、次亜リン酸ニッケル、次亜リン酸コバルト、ジメチ
ルアミンボランなど。 ●pH調整剤…硫酸、塩酸、スルファミン酸、酢酸、水
酸化リチウム、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水
酸化アンモニウムなど。 ●添加剤…ホウ酸、硫酸アンモニウム、塩化アンモニウ
ム、カオチン性界面活性剤、アニオン性界面活性剤、ノ
ニオン性界面活性剤、両性界面活性剤など。 めっき液中において、表面に金属を析出させた後、水洗
し乾燥させる。尚、無電解めっきによる層間接続をより
完全なものにするために、無電解めっき後に、更に電解
めっきを施すことが好ましい。この電解めっきの方法
は、公知の方法を用いればよく、その具体例を下記に示
す。組 成 硫酸銅(CuSO4 ・5H2 O) 50〜100(g/
l) 硫酸 150〜250(g/
l) 塩素イオン 10〜100(mg
/l) 光沢剤 所定量操作条件 温度 10〜50℃ 陰極電流密度 0.5〜5(A/d
m) 次にパターニング工程の詳細を述べる。メッキが施され
た基板本体の両面をバフ研摩し、ポジ型電着法感光性樹
脂レジスト液に浸漬し感光性樹脂レジストを電着させ
る。これを乾燥しパターンマスクを置いて露光する。こ
れを現像し、エッチングしレジストを剥離して配線板と
してのパターニングを行なう。パターニング後、端部や
必要個所にハンダメッキ、ニッケルメッキ、金メッキを
施すことができる。図6は本発明電子部品基板の装着ゾ
ーン2に電子部品素子7を装着した状況を示し、この装
着状態において、上記素子7の所定部位が、適宜のボン
デイング手段を適用して、上記配線パターン3の一方側
のターミナル3aにそれぞれ電気的に接続される。次い
で図7に示すように、基板に上記素子7を覆うようにキ
ャップ8を施すことにより、本発明電子部品が得られ
る。キャップ8を施す代わりに、上記素子7を樹脂封止
してもよい。図8は本発明電子部品Aの配線板搭載ゾー
ンB上への搭載直前の状況を、また図9は搭載後の状況
をそれぞれ示している。配線板上には、搭載ゾーンBの
周囲を取り囲むように、ピンaが植設され、このピンa
は配線板上の配線パターンbの各ターミナルb1 上に位
置している。このピンaの平面配列状態は、電子部品A
の側部の凹所4の平面配列状態と等しい。而して、図8
に示すように、電子部品Aを、その凹所4と上記ピンa
とを位置合せした状態で配線板上に押し付けると、各凹
所4が各ピンaに嵌入し、よって電子部品Aが配線板上
に固定されると共に、この嵌入でピンaが凹所4内の端
子膜5に接触し電気的に接触される。凹所4内へのピン
aの嵌入状態が、図5に仮想線で示されている。このよ
うに本発明に於ては、電子部品Aの周側部に形成した端
子膜5付の凹所4と、配線板上に、植設したピンaとを
利用して、配線板に対する電子部品の固定を電気的接続
とを同時に達成できるので電子部品からは、従来品にみ
られるようなピンの引き出しを必要としない。従ってピ
ンの引き出しを要しない分だけ電子部品を小型化するこ
とが可能になる。図9に示す搭載状態においては、電子
部品Aの差し替えは自由であるが、例えば電子部品Aの
凹所4内と、ピンaにハンダを予め施しておき、搭載後
に適宜の温度に加熱してハンダ付けすれば、差し換え不
能になる反面、堅固な固定状態が得られる。差し換えの
自由または不能の選択は、電子部品の種類などに応じ適
宜選択決定すればよい。配線板への固定並びに電気的接
続は、上記ピン手段に代え、図10に示すように配線板
上に固定されるソケットa1 を用いてもよい。ソケット
1 の内周面には、電子部品Aの周側部の凹所4内に嵌
入係止する凹型の接続端子a2 が形成されている。ソケ
ットa1 には従来品にみられるようなリード装入用円筒
状金具を備える必要がないので、それだけソケットa1
を小型化することが可能になる。図11は図6に対応す
る本発明の他の実施例を示し、本実施例では、電子部品
素子7を単品搭載する図6と異なり異種複数部品を搭載
している。図12は搭載している異種複数部品の一つ
が、本発明電子部品即ち子部品A1である場合の一例を
示し、親部品Aの基板面には、子部品A1 の周側部の凹
所41に嵌入する接続端子としてのピン9が植立されて
いる。キャップ(図示せず)は親子部品A、A1 に共用
して設けられる場合と個別に設けられる場合とがある。
親部品A上への子部品A1 の搭載は、図13に示すよう
にソケット部10を利用して行なってもよいし、あるい
は図14に示すようにキャップ8上に植設したピン9を
利用して行なうようにしてもよい。図15は両面実装さ
れた本発明電子部品Aの一例をキャップを省略して示し
ている。以下に本発明の各種実施態様を揚げる。
【実施態様1】厚さ1.6mmの銅張りガラス−エポキ
シ積層板を、図2のようにプレス加工にて凸凹状切断加
工を行った。この表面をバフ研摩し更に常法に従って全
面及び側面に無電解銅鍍金及び電解銅鍍金を施した。そ
の工程を次に述べる。まず、バフ研摩した銅張りガラス
−エポキシ積層板をアセトン中に室温にて10分間浸漬
し溶解脱脂を施した。その後、アルカリ脱脂液に50度
にて10分間浸漬しアルカリ脱脂処理を施した。アルカ
リ脱脂液の組成は水酸化ナトリウム50g/l、珪酸ナ
トリウム30g/l、酢酸ナトリウム7g/l、オレイ
ン酸ナトリウム10g/lである。次いで充分水洗して
から室温下5分間、5%硫酸にて良く酸洗浄する。次い
で充分水洗してから室温下5分間、トリエタノールアミ
ン10g/1、ラウリルトリメチルアンモニウムクロリ
ド0.1g/lの組成の液にて材料表面のコンディショ
ニングを施した。次いで充分水洗してから室温下2分
間、塩化第1錫25g/l、塩酸100g/lの組成の
液にてセンシタイジングを施し、更に充分水洗してから
室温下2分間、塩化パラジウム0.5g/l、塩酸1g
/lの組成物の液にてアクチベーティングを施した。次
いで充分水洗してから無電解銅鍍金を施した。無電解銅
鍍金液の組成は、硫酸銅10g/l、EDTA・2Na
30g/1.37%ホルマリン3g/l、シアン化ナト
リウム20mg/lであり、操作は70度で20分であ
る。次いで充分水洗してから電解銅鍍金を施した。電解
銅鍍金液の組成は、硫酸銅200g/l、硫酸60g/
l、塩素イオン10mg/l、ポリオキシエチレンオレ
イルエーテル0.4g/lであり、操作は陰極電液密度
3A/dm2 で25度20分である。その後充分水洗し
乾燥した。このようにして全面及び側面に厚さ25μm
の銅鍍金を完了した。次にパターニング工程に入る。ま
ず銅鍍金したものをバフ研摩してから、ホジ型電着法感
光性樹脂レジスト液に浸漬し感光性樹脂レジストを電着
させる。操作は陽極にて100Vで室温下10秒であ
る。これを150度で5分間乾燥し、パターンマスクを
おいて室温下400mJ/cm2 にて露光する。次いで
これを炭酸ナトリウム10g/l水溶液にて30度20
秒で現像する。次いでこれを塩化第2鉄200g/l、
塩酸50g/lの組成の液にて40度2分で銅をエッチ
ングする。次いでこれを水酸化ナトリウム20g/l水
溶液にて室温下1分でレジスト剥離する。このようにし
て上下両面にはパターニングし側面には銅を残した。次
に端部の切断加工に入る。端部に設けた凸凹状部分の丁
度中央から外側の部分をプレス加工にて切断する。する
と凹部は全て切り離され独立したメスのコネクターにな
った。(図4参照) 一方、ガラス−エポキシ樹脂配線板には作成した部品の
凹部の配置と全く同じ配置に、その凹部と同じ寸法のピ
ンを立てた。そして作成した部品をそのピン群に作成し
た部品の一つひとつの凹部が丁度一つひとつのピンに当
てはまるように挿入した。かくて部品の凹部と配線板の
ピンは一つ残らず完全に接触し電気的に接続された。
(図5参照)
【実施態様2】銅張りガラス−エポキシ積層板を、凸凹
状切断加工の代わりに鋸状切断加工に代えた以外は全て
実施態様1と同じ加工をした。結果は実施態様1と同じ
く部品の凹部と配線板のピンは一つ残らず完全に接触し
電気的に接続された。
【実施態様3】銅張りガラス−エポキシ積層板を、プレ
ス加工の代わりにルーター加工にした以外は全て実施態
様1と同じ加工をした。結果は実施態様1と同じく部品
の凹部と配線板のピンは一つ残らず完全に接触し電気的
に接続された。
【実施態様4】銅張りガラス−エポキシ積層板を、凸凹
状切断加工の代わりにプレス加工にて□状穿孔加工をし
た以外は全て実施態様1と同じ加工をした。結果は実施
態様1と同じく部品の凹部と配線板のピンは一つ残らず
完全に接触し電気的に接続された。
【実施態様5】銅張りガラス−エポキシ積層板を、凸凹
状切断加工の代わりにプレス加工にて〇状穿孔加工をし
た以外は全て実施態様1と同じ加工をした。結果は実施
態様1と同じく部品の凹部と配線板のピンは一つ残らず
完全に接触し電気的に接続された。
【実施態様6】銅張りガラス−エポキシ積層板を、凸凹
状切断加工の代わりにドリル加工にて〇状穿孔加工をし
た以外は全て実施態様1と同じ加工をした。結果は実施
態様1と同じく部品の凹部と配線板のピンは一つ残らず
完全に接触し電気的に接続された。
【実施態様7〜9】銅張りガラス−エポキシ積層板を、
厚さ1.6mmを0.4、0.8、1.2mmに代えた
以外は全て実施態様1と同じ加工をした。結果は実施態
様1と同じく部品の凹部と配線板のピンは一つ残らず完
全に接触し電気的に接続された。
【実施態様10〜14】銅張りガラス−エポキシ積層板
を、内層入り4層、6層、8層、10層、20層に代え
た以外は全て実施態様1と同じ加工をした。結果は実施
態様1と同じく部品の凹部と配線板のピンは一つ残らず
完全に接触し電気的に接続された。
【実施態様15〜16】銅張りガラス−エポキシ積層板
を、銅張りガラス−ポリイミド積層板、銅張りガラス−
BTレジン積層板、銅張りガラス−ポリ4フッ化エチレ
ン積層板に代えた以外は全て実施態様1と同じ加工をし
た。結果は実施態様1と同じく部品の凹部と配線板のピ
ンは一つ残らず完全に接触し電気的に接続された。
【実施態様19】銅張りガラス−エポキシ積層板を、銅
張り96%アルミナセラミックに代え凸凹状切断加工を
グリーンシート時にプレス加工をし、端部の切断加工を
ダイアモンドカッターで施した以外は全て実施態様1と
同じ加工をした。結果は実施態様1と同じく部品の凹部
と配線板のピンは一つ残らず完全に接触し電気的に接続
された。
【実施態様20】銅張り96%アルミナセラミックの凸
凹状切断加工をレーザー加工に、端部の切断加工をダイ
アモンドカッターで施した以外は全て実施態様19と同
じ加工をした。結果は実施態様19と同じく部品の凹部
と配線板のピンは一つ残らず完全に接触し電気的に接続
された。
【実施態様21】銅張り96%アルミナセラミックの端
部の切断加工をレーザー加工した以外は全て実施態様1
9と同じ加工をした。結果は実施態様19と同じく部品
の凹部と配線板のピンは一つ残らず完全に接触し電気的
に接続された。
【実施態様22〜27】銅張り96%アルミナセラミッ
クを銅張り99.9%をアルミナセラミック、銅張り9
0%アルミナセラミック、銅張り96%窒化アルミニウ
ムセラミック、銅張りコージェライトセラミック、銅張
りアルミナマグネシアセラミック、銅張り96%マシナ
ブルセラミックにした以外は全て実施態様19と同じ加
工をした。結果は実施態様19と同じく部品の凹部と配
線板のピンは一つ残らず完全に接触し電気的に接続され
た。
【実施態様23〜31】銅張り96%アルミナセラミッ
クを銅張り96%アルミナセラミックと銅張りガラス−
エポキシ配線板を貼り合わせたアルミナセラミック−エ
ポキシ樹脂複合配線板に、同じく96%アルミニウムセ
ラミックと銅張りガラス−ポリイミド配線板を張り合わ
せたアルミナセラミック−ポリイミド樹脂複合板に、同
じくコージェライトセラミックと銅張りガラス−エポキ
シ樹脂配線版を張り合わせた窒化アルミニウムセラミッ
ク−エポキシ樹脂複合配線板に代えた以外は全て実施態
様20と同じ加工をした。結果は実施態様20と同じく
部品の凹部と配線板のピンは一つ残らず完全に接触し電
気的に接続された。
【実施態様32】銅張りガラス−エポキシ樹脂配線版を
銅パターンに電気半田鍍金をした以外は全て実施態様1
と同じ加工をした。電気半田鍍金液は47%ホウフッ化
鉛75g/l、ホウフッ酸100g/1であり、操作は
陰極電流密度3A/dm2 で20度10分である。更に
配線板のピンにも電気半田鍍金をした部品を配線板にに
装着後250度に加熱した。結果は部品の凹部と配線板
のピンは一つ残らず完全に半田付けされ電気的に接続さ
れた。
【実施態様33】銅張り96%アルミニウムセラミック
を、銅パターンに電気半田鍍金をした以外は全て実施態
様20と同じ加工をした。電気半田鍍金は実施態様32
と同じである。更に配線板のピンにも電気半田鍍金を
し、部品を配線板に装着後250度に加熱した。結果は
部品の凹部と配線板のピンは一つ残らず完全に半田付け
され電気的に接続された。
【実施態様34】銅張り96%アルミニウムセラミック
と、銅張りガラス−エポキシ配線板を張り合わせたアル
ミナセラミック−エポキシ樹脂複合板を、銅パターンに
電気半田鍍金した以外は全て実施態様28と同じ加工を
した。。電気半田鍍金は実施態様32と同じである。さ
らに配線板のピンにも電気半田鍍金をし、部品を配線板
に装着後250度に加熱した。結果は部品の凹部と配線
板のピンは一つ残らず完全に半田付けされ電気的に接続
された。
【実施態様35〜37】電着法感光性樹脂レジストの代
わりにドライフィルムを使用した。積層板を穿孔加工し
て後、バフ研摩した。次いでドライフィルムをラミネー
トした。操作は110度で1m/Secである。次いで
これをパターンマスクをおいて室温下125mJ/cm
にて露光してから炭酸ナトリウム10g1l水溶液にて
30度1分で現像する。穿孔した穴は完全にテンテイン
グした。次いでこれを塩化第2鉄200g/1l、塩酸
50g/lの組成液にて40度2分で銅をエッチングす
る。上記パターニングの工程により作製した以外は全て
実施態様4,5,6と同じ加工をした。結果は実施態様
1と同じ部品の凹部と配線板のピンは一つ残らず完全に
接触し電気的に接続された。
【効果】本発明に於ては、電子部品の基板の周側部に形
成した端子膜付凹所を利用して配線板に対する電子部品
の固定と電気的接続を同時に達成できるので、ピンの引
き出しを必要とする従来品に比べ電子部品を小型化で
き、次の通りの効果を奏することができる。 (1) 本発明によれば多ピン高密度接続を有する電子
部品を極めて効率的に製造することができる。 (2) 本発明によれば高信頼性にて多ピン高密度接続
することができる。 (3) 本発明によれば多ピン高密度接続を有する電子
部品を極めて簡単に取り替えることができる。 (4) 本発明によれば多ピン高密度接続を有する電子
部品を極めて薄型に実装することができる。 (5) 本発明によれば多ピン高密度接続を有する電子
部品を実装して動作を検査し、異常が有れば何度でも半
田を溶融させること無く交換することができるので、部
品の熱履歴がなくなり回路の信頼性が向上する。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明による電子部品の基板の一例を示す斜視
図である。
【図2】本発明製造法に於ける凹所の切削加工状況を示
す平面図である。
【図3】同金属メッキ状況を示す縦断面である。
【図4】同パターニング工程並びに端部の切り落とし状
況を示す平面図である。
【図5】本発明製造法より得られた電子部品基板の一例
を示す平面図である。
【図6】基板への電子部品素子の搭載状況を示す斜視図
である。
【図7】本発明電子部品の一例を示す斜視図である。
【図8】本発明電子部品の配線板上への搭載直前の状況
を示す斜視図である。
【図9】同搭載後の状況を示す斜視図である。
【図10】ピン手段に代え適用されるソケット手段の斜
視図である。
【図11】異種複数部品の搭載の一例を示す斜視図であ
る。
【図12】基板上に子部品を搭載した状況を示す斜視図
である。
【図13】親部品上に子部品をソケット手段の適用によ
り搭載した状況を示す斜視図である。
【図14】同ピン手段の適用により搭載した状況を示す
斜視図である。
【図15】両面実装状態をキャップを省略して示す斜視
図である。
【符号の説明】
1 基板本体 2 装着ゾーン 3 配線パターン 4 凹所 5 端子膜 6 金属メッキ膜 7 電子部品素子 8 キャップ 9 ピン 10 ソケット部
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 H05K 3/00 C 6921−4E

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】絶縁性の基板本体が、上面及び下面の少な
    くともいずれか一方に、電子部品素子の装着ゾーンと、
    該ゾーンに装着される上記素子に、一端において電気的
    に接続される配線パターンとを有し、基板本体の側部に
    は、上下方向に延出する凹所が設けられ、凹所内の壁面
    には、上記配線パターンの他端と電気的に接続する端子
    膜が設けられていることを特徴とする電子部品の基板。
  2. 【請求項2】請求項1記載の基板と、該基板の装着ゾー
    ンに装着された少なくとも一つの電子部品素子とを備え
    ていることを特徴とする電子部品。
  3. 【請求項3】絶縁性の基板本体の周側部のうち、下記配
    線パターンのターミナルを占める位置に、上下方向に延
    出する端子膜形成用凹所を形成する工程、 上記基板本体の上面及び下面の少なくともいずれか一方
    並びに側面の全面に、金属メッキ膜を形成する工程、 エッチング処理により、上記金属メッキ膜の所定部位を
    除去することにより、上記基板本体の上面及び下面の少
    なくともいずれか一方に、配線パターンと電子部品素子
    の装着ゾーンとを形成する工程、及び基板本体の周側部
    のうち、各凹所間から金属メッキ膜を除去し、残る金属
    メッキ膜を各凹所ごとに独立させることにより、各凹所
    内に、配線パターンに電気的に接続する端子膜を形成す
    る工程、 とを含んでいることを特徴とする電子部品基板の製造
    法。
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07273471A (ja) * 1994-04-01 1995-10-20 Fujitsu Ten Ltd 収納装置
JP2008114805A (ja) * 2006-11-07 2008-05-22 Yuhshin Co Ltd 車両用空調制御装置
JP2011159826A (ja) * 2010-02-01 2011-08-18 Nhk Spring Co Ltd マシナブルセラミックス回路基板及びその製造方法
WO2023091328A1 (en) * 2021-11-22 2023-05-25 Corning Incorporated Methods and apparatus for manufacturing an electronic apparatus

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