JPH0728254A - レジスト用剥離液 - Google Patents
レジスト用剥離液Info
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- JPH0728254A JPH0728254A JP22041093A JP22041093A JPH0728254A JP H0728254 A JPH0728254 A JP H0728254A JP 22041093 A JP22041093 A JP 22041093A JP 22041093 A JP22041093 A JP 22041093A JP H0728254 A JPH0728254 A JP H0728254A
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【構成】 レジストの側壁保護堆積膜の除去用液であっ
て、（ａ）糖アルコール、イソプロピルアルコール、ジ
メチルスルホキシドおよび１，３−ジメチル−２−イミ
ダゾリジノンよりなる群から選ばれる物質少くとも１種
と（ｂ）アルコールアミンと（ｃ）水と必要に応じさら
に、（ｄ）第４級アンモニウム水酸化物とからなるレジ
スト用剥離液。 【効果】 このレジスト用剥離液は、ドライエッチング
の際に形成させたレジストの側壁保護堆積膜に対する剥
離性と配線材料に対する非腐食性と作業の簡便性の両方
を兼ね備えている。
て、（ａ）糖アルコール、イソプロピルアルコール、ジ
メチルスルホキシドおよび１，３−ジメチル−２−イミ
ダゾリジノンよりなる群から選ばれる物質少くとも１種
と（ｂ）アルコールアミンと（ｃ）水と必要に応じさら
に、（ｄ）第４級アンモニウム水酸化物とからなるレジ
スト用剥離液。 【効果】 このレジスト用剥離液は、ドライエッチング
の際に形成させたレジストの側壁保護堆積膜に対する剥
離性と配線材料に対する非腐食性と作業の簡便性の両方
を兼ね備えている。
Description
【０００１】
【技術分野】本発明は、半導体装置製造工程中において
使用するレジスト用剥離液に関し、さらに詳しくは、ハ
ロゲン系ガスによる配線材料のドライエッチングの際に
形成せしめたレジストの側壁保護堆積膜を、配線材料を
腐食することなく剥離する目的で使用されるレジスト用
剥離液に関するものである。
使用するレジスト用剥離液に関し、さらに詳しくは、ハ
ロゲン系ガスによる配線材料のドライエッチングの際に
形成せしめたレジストの側壁保護堆積膜を、配線材料を
腐食することなく剥離する目的で使用されるレジスト用
剥離液に関するものである。
【０００２】
【背景技術】半導体装置製造工程中において、所要のレ
ジストのマスク形成を行った後、非マスク領域の導電層
のエッチングを行い配線パターンを形成せしめ、次いで
配線パターン上のレジスト層を含めて不要のレジスト層
を剥離液により除去する処理が必要とされる。
ジストのマスク形成を行った後、非マスク領域の導電層
のエッチングを行い配線パターンを形成せしめ、次いで
配線パターン上のレジスト層を含めて不要のレジスト層
を剥離液により除去する処理が必要とされる。
【０００３】近年、集積回路の高密度化により、高精度
の微細パターン形成に有利なアルカリ可溶性樹脂を主成
分としたレジストが使用されている。また、エッチング
技術としては、従来の化学薬品を用いたケミカルエッチ
ング技術に対し、より高密度の微細エッチングが可能な
ドライエッチング技術が使用され、これが主流となって
おり、そして、導電層のドライエッチングについてはハ
ロゲン系ガスを用いた異方性のドライエッチングが広く
利用されている。
の微細パターン形成に有利なアルカリ可溶性樹脂を主成
分としたレジストが使用されている。また、エッチング
技術としては、従来の化学薬品を用いたケミカルエッチ
ング技術に対し、より高密度の微細エッチングが可能な
ドライエッチング技術が使用され、これが主流となって
おり、そして、導電層のドライエッチングについてはハ
ロゲン系ガスを用いた異方性のドライエッチングが広く
利用されている。
【０００４】このようなドライエッチングではレジスト
の側壁保護堆積膜を利用し異方性エッチングを可能とし
ているがこの側壁保護堆積膜は通常のレジストに比べ剥
離されにくくなるという問題があり、加えて、側壁保護
堆積膜に取り込まれたハロゲンラジカルやハロゲンイオ
ンは、エッチング終了後空気中に放置すると吸湿により
酸を発生し配線材料を腐食する。これは通常アフターコ
ロージョンと呼ばれており（Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏ
ｒ Ｗｏｒｌｄ １９９１，１１，ｐ６２−６６）この
アフターコロージョンは近年配線材料として多用されて
いるＡｌ−Ｓｉ、Ａｌ−Ｓｉ−Ｃｕ等の合金において特
に、観察される。
の側壁保護堆積膜を利用し異方性エッチングを可能とし
ているがこの側壁保護堆積膜は通常のレジストに比べ剥
離されにくくなるという問題があり、加えて、側壁保護
堆積膜に取り込まれたハロゲンラジカルやハロゲンイオ
ンは、エッチング終了後空気中に放置すると吸湿により
酸を発生し配線材料を腐食する。これは通常アフターコ
ロージョンと呼ばれており（Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏ
ｒ Ｗｏｒｌｄ １９９１，１１，ｐ６２−６６）この
アフターコロージョンは近年配線材料として多用されて
いるＡｌ−Ｓｉ、Ａｌ−Ｓｉ−Ｃｕ等の合金において特
に、観察される。
【０００５】このような側壁保護堆積膜を除去しようと
する場合に、通常使用されている酸性剥離液やアルカリ
性剥離液を用いると下記の如き不都合な問題が見出され
る。第一に、酸性剥離液について言えば、例えばアルキ
ルベンゼンスルホン酸にフェノール化合物や塩素系溶
剤、芳香族炭化水素を配合した剥離液による場合には、
１００℃以上に加熱しても側壁保護堆積膜の除去はかな
り困難であるし、また、これらの酸性剥離液は水への溶
解性が低いため、剥離後、水との相溶性が良い有機溶剤
でリンスした後さらに、水洗するという操作を行わなけ
ればならず、工程が煩雑になる。そして、水洗時に発生
する酸性成分により配線材料を腐食するという問題もあ
る。また、代表的なアルカリ性剥離液である有機アミン
と各種有機溶剤とから成る剥離液を使用する場合も上記
の酸性剥離液の場合と同様に１００℃以上に加熱しても
側壁保護堆積膜の剥離にはかなりの困難を要するととも
に、これらのアルカリ性剥離液が水溶性であることか
ら、剥離後の水洗にあたり、アルカリ性成分による配線
材料の腐食が起るという問題もある。これらの結果、酸
性、アルカリ性のいずれの剥離液を用いた場合において
も、側壁保護堆積膜を完全に剥離することはできないた
め、残存したハロゲンラジカルやハロゲンイオンにより
アフターコロージョンの発生がしばしば、観察される。
する場合に、通常使用されている酸性剥離液やアルカリ
性剥離液を用いると下記の如き不都合な問題が見出され
る。第一に、酸性剥離液について言えば、例えばアルキ
ルベンゼンスルホン酸にフェノール化合物や塩素系溶
剤、芳香族炭化水素を配合した剥離液による場合には、
１００℃以上に加熱しても側壁保護堆積膜の除去はかな
り困難であるし、また、これらの酸性剥離液は水への溶
解性が低いため、剥離後、水との相溶性が良い有機溶剤
でリンスした後さらに、水洗するという操作を行わなけ
ればならず、工程が煩雑になる。そして、水洗時に発生
する酸性成分により配線材料を腐食するという問題もあ
る。また、代表的なアルカリ性剥離液である有機アミン
と各種有機溶剤とから成る剥離液を使用する場合も上記
の酸性剥離液の場合と同様に１００℃以上に加熱しても
側壁保護堆積膜の剥離にはかなりの困難を要するととも
に、これらのアルカリ性剥離液が水溶性であることか
ら、剥離後の水洗にあたり、アルカリ性成分による配線
材料の腐食が起るという問題もある。これらの結果、酸
性、アルカリ性のいずれの剥離液を用いた場合において
も、側壁保護堆積膜を完全に剥離することはできないた
め、残存したハロゲンラジカルやハロゲンイオンにより
アフターコロージョンの発生がしばしば、観察される。
【０００６】また、プラズマ灰化後のレジスト残りをテ
トラメチルアンモニウムハイドロオキサイド（以下、Ｔ
ＭＡＨと略記する）の水溶液を用いて除去する方法が知
られているが、この方法によるとアルミニウムを含む基
体から成る導電層が激しく腐食されるという問題があっ
た。仮に、ＴＭＡＨの濃度を希薄にして導電層の腐食現
象を抑さえたとしてもＴＭＡＨが強アルカリのため、大
気中からの炭酸ガスの吸収により水溶液のｐＨが大きく
低下し側壁保護堆積膜の剥離は困難になる。
トラメチルアンモニウムハイドロオキサイド（以下、Ｔ
ＭＡＨと略記する）の水溶液を用いて除去する方法が知
られているが、この方法によるとアルミニウムを含む基
体から成る導電層が激しく腐食されるという問題があっ
た。仮に、ＴＭＡＨの濃度を希薄にして導電層の腐食現
象を抑さえたとしてもＴＭＡＨが強アルカリのため、大
気中からの炭酸ガスの吸収により水溶液のｐＨが大きく
低下し側壁保護堆積膜の剥離は困難になる。
【０００７】このような状況から、側壁保護堆積膜を容
易に剥離することができ、しかも、その際にアルミニウ
ムを含有している基体から成る導電層を腐食しない安定
なレジスト用剥離液の開発が要望されている。
易に剥離することができ、しかも、その際にアルミニウ
ムを含有している基体から成る導電層を腐食しない安定
なレジスト用剥離液の開発が要望されている。
【０００８】
【発明の開示】本発明者らは、上述の如き、従来技術に
おけるレジストの側壁保護堆積膜の除去についての技術
的課題を解決すべく鋭意研究を重ねた結果、（ａ）糖ア
ルコール、イソプロピルアルコール、ジメチルスルホキ
シドおよび１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノンよ
りなる群から選ばれる物質少くとも１種と（ｂ）アルコ
ールアミンと（ｃ）水と必要に応じさらに、（ｄ）第４
級アンモニウム水酸化物とからなる溶液が側壁保護堆積
膜を容易に剥離し配線材料に対する非腐食性も高めると
いうことを見い出した。
おけるレジストの側壁保護堆積膜の除去についての技術
的課題を解決すべく鋭意研究を重ねた結果、（ａ）糖ア
ルコール、イソプロピルアルコール、ジメチルスルホキ
シドおよび１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノンよ
りなる群から選ばれる物質少くとも１種と（ｂ）アルコ
ールアミンと（ｃ）水と必要に応じさらに、（ｄ）第４
級アンモニウム水酸化物とからなる溶液が側壁保護堆積
膜を容易に剥離し配線材料に対する非腐食性も高めると
いうことを見い出した。
【０００９】すなわち、本発明は、レジストの側壁保護
堆積膜の除去用液であって、（ａ）糖アルコール、イソ
プロピルアルコール、ジメチルスルホキシドおよび１，
３−ジメチル−２−イミダゾリジノンよりなる群から選
ばれる物質少くとも１種と（ｂ）アルコールアミンと
（ｃ）水と必要に応じさらに、（ｄ）第４級アンモニウ
ム水酸化物とからなるレジスト用剥離液を提供するもの
である。
堆積膜の除去用液であって、（ａ）糖アルコール、イソ
プロピルアルコール、ジメチルスルホキシドおよび１，
３−ジメチル−２−イミダゾリジノンよりなる群から選
ばれる物質少くとも１種と（ｂ）アルコールアミンと
（ｃ）水と必要に応じさらに、（ｄ）第４級アンモニウ
ム水酸化物とからなるレジスト用剥離液を提供するもの
である。
【００１０】本発明に係るレジスト用剥離液は、有機ア
ミン水溶液の側壁保護堆積膜の剥離能と糖アルコールま
たは有機溶剤の配線材料に対する非腐食性を調和させる
とともに、第４級アンモニウム水酸化物の添加により側
壁保護堆積膜の剥離性を向上させ、高精度の回路配線を
製造することを可能にしたものである。以下に本発明を
詳しく説明する。
ミン水溶液の側壁保護堆積膜の剥離能と糖アルコールま
たは有機溶剤の配線材料に対する非腐食性を調和させる
とともに、第４級アンモニウム水酸化物の添加により側
壁保護堆積膜の剥離性を向上させ、高精度の回路配線を
製造することを可能にしたものである。以下に本発明を
詳しく説明する。
【００１１】上記の糖アルコールとしては、Ｄ−ソルビ
トール、アラビトール、マンニトール等があげられる。
上記の糖アルコール、イソプロピルアルコール、ジメチ
ルスルホキシド、１，３−ジメチル−２−イミダゾリジ
ノンは単独で用いてもまたは２種以上併用してもよい。
トール、アラビトール、マンニトール等があげられる。
上記の糖アルコール、イソプロピルアルコール、ジメチ
ルスルホキシド、１，３−ジメチル−２−イミダゾリジ
ノンは単独で用いてもまたは２種以上併用してもよい。
【００１２】上記のアルコールアミンとしてはモノエタ
ノールアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールア
ミン等があげられるが、これらは単独で用いてもまたは
２種以上併用してもよい。上記の第４級アンモニウム水
酸化物としては、水酸化アンモニウム、テトラメチルア
ンモニウムハイドロオキサイドおよびトリメチル（２−
ヒドロキシエチル）アンモニウムハイドロオキサイド等
があげられるが、これらは単独で用いることができ、ま
たは２種以上を併用することができる。
ノールアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールア
ミン等があげられるが、これらは単独で用いてもまたは
２種以上併用してもよい。上記の第４級アンモニウム水
酸化物としては、水酸化アンモニウム、テトラメチルア
ンモニウムハイドロオキサイドおよびトリメチル（２−
ヒドロキシエチル）アンモニウムハイドロオキサイド等
があげられるが、これらは単独で用いることができ、ま
たは２種以上を併用することができる。
【００１３】本発明に係るレジスト用剥離液には、他の
成分を適宜添加して用いることができる。例えば、表面
張力を低下させるため、あるいは基板へのレジストの再
付着を防止するために常用の界面活性剤を添加すること
ができる。
成分を適宜添加して用いることができる。例えば、表面
張力を低下させるため、あるいは基板へのレジストの再
付着を防止するために常用の界面活性剤を添加すること
ができる。
【００１４】本発明に係る除去用液における各成分の好
ましい配合割合について言えば、これらは側壁保護堆積
膜や基板の性質に応じて決められる。通常、水は、５重
量％以上９９重量％未満、好ましくは７〜９５重量％の
配合割合で配合される。この場合、５重量％未満では側
壁保護堆積膜の除去能力が低下し、９９重量％以上では
配線材料が腐食されやすくなる。
ましい配合割合について言えば、これらは側壁保護堆積
膜や基板の性質に応じて決められる。通常、水は、５重
量％以上９９重量％未満、好ましくは７〜９５重量％の
配合割合で配合される。この場合、５重量％未満では側
壁保護堆積膜の除去能力が低下し、９９重量％以上では
配線材料が腐食されやすくなる。
【００１５】また、アルコールアミンは、０．１重量％
以上８０重量％未満、好ましくは０．３〜５０重量％の
配合割合で配合される。この場合、０．１重量％未満で
は側壁保護堆積膜の除去能力が低下し、８０重量％以上
では配線材料が腐食されやすくなる。
以上８０重量％未満、好ましくは０．３〜５０重量％の
配合割合で配合される。この場合、０．１重量％未満で
は側壁保護堆積膜の除去能力が低下し、８０重量％以上
では配線材料が腐食されやすくなる。
【００１６】さらに、糖アルコール、イソプロピルアル
コール、ジメチルスルホキシドおよび１，３−ジメチル
−２−イミダゾリジノンから選ばれる物質の配合割合は
通常、１重量％以上９０重量％未満、好ましくは３〜８
０重量％である。この場合１重量％未満では配線材料が
腐食されやすくなり、９０重量％以上では側壁保護堆積
膜の除去能力が低下する。
コール、ジメチルスルホキシドおよび１，３−ジメチル
−２−イミダゾリジノンから選ばれる物質の配合割合は
通常、１重量％以上９０重量％未満、好ましくは３〜８
０重量％である。この場合１重量％未満では配線材料が
腐食されやすくなり、９０重量％以上では側壁保護堆積
膜の除去能力が低下する。
【００１７】加えて、側壁保護堆積膜の除去能力を高め
る目的で配合される第４級アンモニウム水酸化物は０．
０１重量％以上２０重量％未満、好ましくは０．１〜２
重量％の割合で配合するのが好ましい。この場合０．０
１重量％未満では側壁保護堆積膜の除去能力の向上に対
する効果が期待できず、２０重量％以上では配線材料が
かえって、腐食されやすくなる。
る目的で配合される第４級アンモニウム水酸化物は０．
０１重量％以上２０重量％未満、好ましくは０．１〜２
重量％の割合で配合するのが好ましい。この場合０．０
１重量％未満では側壁保護堆積膜の除去能力の向上に対
する効果が期待できず、２０重量％以上では配線材料が
かえって、腐食されやすくなる。
【００１８】本発明に係る除去用液の好ましい使用方法
について言えば側壁保護堆積膜の残存する基板をこの除
去用液中に入れ、室温であるいは加熱して１〜１０分間
程度浸漬した後、水洗するかイソプロピルアルコール等
の有機溶剤でリンス後水洗し乾燥する。
について言えば側壁保護堆積膜の残存する基板をこの除
去用液中に入れ、室温であるいは加熱して１〜１０分間
程度浸漬した後、水洗するかイソプロピルアルコール等
の有機溶剤でリンス後水洗し乾燥する。
【００１９】以下に、本発明の実施例を比較例とともに
掲げ、本発明をさらに詳細に説明する。なお、側壁保護
堆積膜の剥離状況、配線材料の腐食性およびアフターコ
ロージョンの発生状況の評価は次の２種の基板を用い膜
厚計、光学顕微鏡および走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）に
より行った。
掲げ、本発明をさらに詳細に説明する。なお、側壁保護
堆積膜の剥離状況、配線材料の腐食性およびアフターコ
ロージョンの発生状況の評価は次の２種の基板を用い膜
厚計、光学顕微鏡および走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）に
より行った。
【００２０】基板作成例１ Ｓｉ基板上に絶縁膜であるＣＶＤ酸化膜を形成しその上
にＡｌ−Ｓｉ−Ｃｕ層（Ｓｉ含有率：１重量％、Ｃｕ含
有率：０．５重量％）を形成した。次にＡｌ−Ｓｉ−Ｃ
ｕ層上にポジ型フォトレジストを塗布（コーティング）
し露光、現像しレジストのマスクを形成した。この時の
ポジ型フォトレジストはノボラック系樹脂を主成分とし
たものであり、膜厚は１５０００Åである。そして１５
０℃で３０分間ポストベークを行った後、レジストマス
クに覆われていない導電層（非マスク領域）を塩素系ガ
スを用いたドライエッチングにより取り除いた。続いて
アッシング工程を経て側壁保護堆積膜以外のレジストを
除去し超純水洗浄を行った。
にＡｌ−Ｓｉ−Ｃｕ層（Ｓｉ含有率：１重量％、Ｃｕ含
有率：０．５重量％）を形成した。次にＡｌ−Ｓｉ−Ｃ
ｕ層上にポジ型フォトレジストを塗布（コーティング）
し露光、現像しレジストのマスクを形成した。この時の
ポジ型フォトレジストはノボラック系樹脂を主成分とし
たものであり、膜厚は１５０００Åである。そして１５
０℃で３０分間ポストベークを行った後、レジストマス
クに覆われていない導電層（非マスク領域）を塩素系ガ
スを用いたドライエッチングにより取り除いた。続いて
アッシング工程を経て側壁保護堆積膜以外のレジストを
除去し超純水洗浄を行った。
【００２１】基板作成例２ Ｓｉ基板上に絶縁膜であるＣＶＤ酸化膜を形成しその上
にＡｌ−Ｓｉ層（Ｓｉ含有率：１重量％）を形成した。
次にＡｌ−Ｓｉ層上にポジ型フォトレジストを塗布（コ
ーティング）し露光、現像しレジストのマスクを形成し
た。この時のポジ型フォトレジストはノボラック系樹脂
を主成分としたものであり、膜厚は１５０００Åであ
る。そして１５０℃で３０分間ポストベークを行った後
レジストマスクに覆われていない導電層（非マスク領
域）を塩素系ガスを用いたドライエッチングにより取り
除いた。続いてアッシング工程を経て側壁保護堆積膜以
外のレジストを除去し超純水洗浄を行った。
にＡｌ−Ｓｉ層（Ｓｉ含有率：１重量％）を形成した。
次にＡｌ−Ｓｉ層上にポジ型フォトレジストを塗布（コ
ーティング）し露光、現像しレジストのマスクを形成し
た。この時のポジ型フォトレジストはノボラック系樹脂
を主成分としたものであり、膜厚は１５０００Åであ
る。そして１５０℃で３０分間ポストベークを行った後
レジストマスクに覆われていない導電層（非マスク領
域）を塩素系ガスを用いたドライエッチングにより取り
除いた。続いてアッシング工程を経て側壁保護堆積膜以
外のレジストを除去し超純水洗浄を行った。
【００２２】
実施例１ トリエタノールアミン１．４ｗｔ％、Ｄ−ソルビトール
５ｗｔ％の水溶液中に基板作成例−１で作成した基板を
２３℃で１分間浸漬後、３分間水洗し側壁保護堆積膜の
剥離状況および配線材料の腐食性の評価を行った。その
結果側壁保護堆積膜は剥離され、パターニングされた導
電層表面の腐食は全く観察されなかった。
５ｗｔ％の水溶液中に基板作成例−１で作成した基板を
２３℃で１分間浸漬後、３分間水洗し側壁保護堆積膜の
剥離状況および配線材料の腐食性の評価を行った。その
結果側壁保護堆積膜は剥離され、パターニングされた導
電層表面の腐食は全く観察されなかった。
【００２３】実施例２ トリエタノールアミン０．３１ｗｔ％、イソプロピルア
ルコール７０ｗｔ％の水溶液中に基板作成例−１で作成
した基板を２３℃で１分間浸漬後、３分間水洗し側壁保
護堆積膜の剥離状況および配線材料の腐食性の評価を行
った。その結果側壁保護堆積膜は剥離され、パターニン
グされた導電層表面の腐食は全く観察されなかった。
ルコール７０ｗｔ％の水溶液中に基板作成例−１で作成
した基板を２３℃で１分間浸漬後、３分間水洗し側壁保
護堆積膜の剥離状況および配線材料の腐食性の評価を行
った。その結果側壁保護堆積膜は剥離され、パターニン
グされた導電層表面の腐食は全く観察されなかった。
【００２４】実施例３ ジメチルスルホキシド６３ｗｔ％、１，３−ジメチル−
２−イミダゾリジノン１８ｗｔ％、モノエタノールアミ
ン９ｗｔ％、テトラメチルアンモニウムハイドロオキサ
イド０．２４ｗｔ％の水溶液中に基板作成例−２で作成
した基板を２５℃で５分間浸漬後イソプロピルアルコー
ルで３分間リンス後３分間水洗し側壁保護堆積膜の剥離
状況および配線材料の腐食性の評価を行った。その結果
側壁保護堆積膜は剥離され、パターニングされた導電層
表面の腐食は全く観察されなかった。
２−イミダゾリジノン１８ｗｔ％、モノエタノールアミ
ン９ｗｔ％、テトラメチルアンモニウムハイドロオキサ
イド０．２４ｗｔ％の水溶液中に基板作成例−２で作成
した基板を２５℃で５分間浸漬後イソプロピルアルコー
ルで３分間リンス後３分間水洗し側壁保護堆積膜の剥離
状況および配線材料の腐食性の評価を行った。その結果
側壁保護堆積膜は剥離され、パターニングされた導電層
表面の腐食は全く観察されなかった。
【００２５】実施例４ ジメチルスルホキシド８０ｗｔ％、モノエタノールアミ
ン１０ｗｔ％、テトラメチルアンモニウムハイドロオキ
サイド０．２４ｗｔ％の水溶液中に基板作成例−２で作
成した基板を２５℃で５分間浸漬後イソプロピルアルコ
ールで３分間リンス後３分間水洗し乾燥し側壁保護堆積
膜の剥離状況および配線材料の腐食性の評価を行った。
その結果側壁保護堆積膜は剥離され、パターニングされ
た導電層表面の腐食は全く観察されなかった。
ン１０ｗｔ％、テトラメチルアンモニウムハイドロオキ
サイド０．２４ｗｔ％の水溶液中に基板作成例−２で作
成した基板を２５℃で５分間浸漬後イソプロピルアルコ
ールで３分間リンス後３分間水洗し乾燥し側壁保護堆積
膜の剥離状況および配線材料の腐食性の評価を行った。
その結果側壁保護堆積膜は剥離され、パターニングされ
た導電層表面の腐食は全く観察されなかった。
【００２６】比較例１ 市販剥離液−１（酸性剥離液）中に基板作成例−１で作
成した基板を１１０℃で、１０分間浸漬後水洗し側壁保
護堆積膜の剥離状況および配線材料の腐食性の評価を行
った。その結果側壁保護堆積膜は剥離されなかった。
成した基板を１１０℃で、１０分間浸漬後水洗し側壁保
護堆積膜の剥離状況および配線材料の腐食性の評価を行
った。その結果側壁保護堆積膜は剥離されなかった。
【００２７】比較例２ 市販剥離液−２（アルカリ性剥離液）中に基板作成例−
１で作成した基板を１００℃で、１０分間浸漬後水洗し
側壁保護堆積膜の剥離状況および配線材料の腐食性の評
価を行った。その結果側壁保護堆積膜は剥離されなかっ
た。
１で作成した基板を１００℃で、１０分間浸漬後水洗し
側壁保護堆積膜の剥離状況および配線材料の腐食性の評
価を行った。その結果側壁保護堆積膜は剥離されなかっ
た。
【００２８】比較例３ ２．４ｗｔ％のテトラメチルアンモニウムハイドロオキ
サイド水溶液２００ｍｌ中に基板作成例−１で作成した
基板を２３℃で、１分間浸漬後水洗し側壁保護堆積膜の
剥離状況および配線材料の腐食性の評価を行った。その
結果側壁保護堆積膜は剥離できたもののピット状の腐食
が多く観察された。
サイド水溶液２００ｍｌ中に基板作成例−１で作成した
基板を２３℃で、１分間浸漬後水洗し側壁保護堆積膜の
剥離状況および配線材料の腐食性の評価を行った。その
結果側壁保護堆積膜は剥離できたもののピット状の腐食
が多く観察された。
【００２９】比較例４ 市販剥離液−１（酸性剥離液）中に基板作成例−２で作
成した基板を１１０℃で、１０分間浸漬後水洗し側壁保
護堆積膜の剥離状況および配線材料の腐食性の評価を行
った。その結果側壁保護堆積膜は剥離されなかった。
成した基板を１１０℃で、１０分間浸漬後水洗し側壁保
護堆積膜の剥離状況および配線材料の腐食性の評価を行
った。その結果側壁保護堆積膜は剥離されなかった。
【００３０】比較例５ 市販剥離液−２（アルカリ性剥離液）中に基板作成例−
２で作成した基板を１００℃で、１０分間浸漬後水洗し
側壁保護堆積膜の剥離状況および配線材料の腐食性の評
価を行った。その結果側壁保護堆積膜は剥離されなかっ
た。
２で作成した基板を１００℃で、１０分間浸漬後水洗し
側壁保護堆積膜の剥離状況および配線材料の腐食性の評
価を行った。その結果側壁保護堆積膜は剥離されなかっ
た。
【００３１】比較例６ ２．４ｗｔ％のテトラメチルアンモニウムハイドロオキ
サイド水溶液中に基板作成例−２で作成した基板を２３
℃で、１分間浸漬後水洗し側壁保護堆積膜の剥離状況お
よび配線材料の腐食性の評価を行った。その結果側壁保
護堆積膜は剥離できたもののピット状の腐食が多く観察
された。
サイド水溶液中に基板作成例−２で作成した基板を２３
℃で、１分間浸漬後水洗し側壁保護堆積膜の剥離状況お
よび配線材料の腐食性の評価を行った。その結果側壁保
護堆積膜は剥離できたもののピット状の腐食が多く観察
された。
【００３２】本発明に係るレジスト用の剥離液は、ハロ
ゲン系ガスによるドライエッチングの際に形成せしめた
レジストの側壁保護堆積膜に対する剥離性と配線材料に
対する非腐食性を高めることができるものであり、ま
た、アフターコロージョン防止性と大気中での安定性と
作業の簡便性等を備えた極めて優れた特性を有するもの
である。この剥離液は人体や環境に対し、悪影響を及ぼ
すことはない。
ゲン系ガスによるドライエッチングの際に形成せしめた
レジストの側壁保護堆積膜に対する剥離性と配線材料に
対する非腐食性を高めることができるものであり、ま
た、アフターコロージョン防止性と大気中での安定性と
作業の簡便性等を備えた極めて優れた特性を有するもの
である。この剥離液は人体や環境に対し、悪影響を及ぼ
すことはない。
Claims (4)
- 【請求項１】 レジストの側壁保護堆積膜の除去用液で
あって、（ａ）糖アルコール、イソプロピルアルコー
ル、ジメチルスルホキシドおよび１，３−ジメチル−２
−イミダゾリジノンよりなる群から選ばれる物質少くと
も１種と（ｂ）アルコールアミンと（ｃ）水と必要に応
じさらに、（ｄ）第４級アンモニウム水酸化物とからな
るレジスト用剥離液。 - 【請求項２】 前記アルコールアミンがモノエタノール
アミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミンよ
りなる群より選ばれる請求項１記載のレジスト用剥離
液。 - 【請求項３】 前記糖アルコールがＤ−ソルビトールで
ある請求項１に記載のレジスト用剥離液。 - 【請求項４】 前記第４級アンモニウム水酸化物が水酸
化アンモニウム、テトラメチルアンモニウムハイドロオ
キサイドおよびトリメチル（２−ヒドロキシエチル）ア
ンモニウムハイドロオキサイドよりなる群より選ばれる
請求項１に記載のレジスト用剥離液。
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- 1993-07-08 JP JP22041093A patent/JP3302120B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| JP3302120B2 (ja) | 2002-07-15 |
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