JPH0728085B2 - 半導体レ−ザ装置 - Google Patents
半導体レ−ザ装置Info
- Publication number
- JPH0728085B2 JPH0728085B2 JP61038575A JP3857586A JPH0728085B2 JP H0728085 B2 JPH0728085 B2 JP H0728085B2 JP 61038575 A JP61038575 A JP 61038575A JP 3857586 A JP3857586 A JP 3857586A JP H0728085 B2 JPH0728085 B2 JP H0728085B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor laser
- prism
- laser device
- photodetector
- semiconductor substrate
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- Semiconductor Lasers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、ビームによる照射と入射ビームの検出とを行
い、特に光学ヘッドに用いて有用な半導体レーザ装置に
関するものである。
い、特に光学ヘッドに用いて有用な半導体レーザ装置に
関するものである。
本発明は、上記の様な半導体レーザ装置において、半導
体レーザと光検出器とビームスプリッタとを一体とし、
しかもビームスプリッタ中でビームを１回以上反射させ
てから検出することによって、装置が小型且つ低コスト
である様にしたものである。
体レーザと光検出器とビームスプリッタとを一体とし、
しかもビームスプリッタ中でビームを１回以上反射させ
てから検出することによって、装置が小型且つ低コスト
である様にしたものである。
光学式記録再生装置等で用いられている光学ヘッドは、
光学記録媒体をビームで照射してこの光学記録媒体から
の変調されたビームを検出することによって、情報の記
録や再生を行う。
光学記録媒体をビームで照射してこの光学記録媒体から
の変調されたビームを検出することによって、情報の記
録や再生を行う。
また光学ヘッドは、光学記録媒体に対して非接触で用い
られるために、フォーカスサーボが必要である。フォー
カス誤差検出法としては、各種の方法があるが、非点収
差法が多用されている。
られるために、フォーカスサーボが必要である。フォー
カス誤差検出法としては、各種の方法があるが、非点収
差法が多用されている。
そして、光学ヘッドには通常は半導体レーザ装置が用い
られており、この半導体レーザ装置は半導体レーザ、ビ
ームスプリッタ、非点収差発生素子、及び光検出器等の
光学部品を有している。
られており、この半導体レーザ装置は半導体レーザ、ビ
ームスプリッタ、非点収差発生素子、及び光検出器等の
光学部品を有している。
しかし従来の半導体レーザ装置では、上記の光学部品が
互いに別個の部品であるために、光路の調整に多くの工
数を要し、低コスト化が困難であった。
互いに別個の部品であるために、光路の調整に多くの工
数を要し、低コスト化が困難であった。
また半導体レーザ装置は、上述の様に多くの光学部品を
必要とするので、光学ヘッドの小型化、低コスト化にも
限界がある。
必要とするので、光学ヘッドの小型化、低コスト化にも
限界がある。
そこで、第２図に示す様な半導体レーザ装置10が考えら
れている。この半導体レーザ装置10は、半導体レーザ11
をSi基板等の半導体基板12に対して固定すると共にこの
半導体基板12に光検出器13を形成し、この光検出器13上
にプリズム14を接着剤によって固定し、光学記録媒体15
からの収束状態のビーム16をプリズム14内へ斜めに入射
させることによってビームスプリッタの機能と非点収差
発生の機能とをプリズム14に兼備させる様にしたもので
ある。
れている。この半導体レーザ装置10は、半導体レーザ11
をSi基板等の半導体基板12に対して固定すると共にこの
半導体基板12に光検出器13を形成し、この光検出器13上
にプリズム14を接着剤によって固定し、光学記録媒体15
からの収束状態のビーム16をプリズム14内へ斜めに入射
させることによってビームスプリッタの機能と非点収差
発生の機能とをプリズム14に兼備させる様にしたもので
ある。
ところがこの様な半導体レーザ装置10でも、半導体レー
ザ11と半導体基板12との間にスペーサ17を介挿させる必
要がある。
ザ11と半導体基板12との間にスペーサ17を介挿させる必
要がある。
もしこのスペーサ17がなければ、光学記録媒体15からの
ビーム16が半導体基板12に近い位置でプリズム14へ入射
し、プリズム14内でのつまり非点収差発生後のビーム16
の光路長が短くなる。この結果、ビーム16の非点隔差が
小さくなると共に、合焦時の光検出器13上でのビーム16
のスポットサイズも小さくなる。
ビーム16が半導体基板12に近い位置でプリズム14へ入射
し、プリズム14内でのつまり非点収差発生後のビーム16
の光路長が短くなる。この結果、ビーム16の非点隔差が
小さくなると共に、合焦時の光検出器13上でのビーム16
のスポットサイズも小さくなる。
非点隔差が小さくなると、フォーカスサーボの引込み範
囲が狭くなって、フォーカスサーボを安定的に行うこと
ができなくなる。
囲が狭くなって、フォーカスサーボを安定的に行うこと
ができなくなる。
またスポットサイズが小さくなると、光検出器13を四分
割している巾５μｍ程度の不感帯にスポットの多くの部
分が入り込み光検出器から得られる信号のレベルが低く
なつて再生信号やフオーカス誤差信号を高感度で得るこ
とができなくなると共に、スポットと光検出器13とを高
精度で位置合わせする必要があり高精度の組立工程が要
求されて低コスト化が困難となる。
割している巾５μｍ程度の不感帯にスポットの多くの部
分が入り込み光検出器から得られる信号のレベルが低く
なつて再生信号やフオーカス誤差信号を高感度で得るこ
とができなくなると共に、スポットと光検出器13とを高
精度で位置合わせする必要があり高精度の組立工程が要
求されて低コスト化が困難となる。
従ってスペーサ17が必要であるが、スペーサ17を用いる
と、今度は、半導体基板12に対してスペーサ17を位置合
わせすると共に更にこのスペーサ17に対して半導体レー
ザ11を位置合わせする必要がある。このために、半導体
レーザ装置10の小型化が困難であるのみならず、この場
合にも高精度の組立工程が要求されてやはり低コスト化
が困難である。
と、今度は、半導体基板12に対してスペーサ17を位置合
わせすると共に更にこのスペーサ17に対して半導体レー
ザ11を位置合わせする必要がある。このために、半導体
レーザ装置10の小型化が困難であるのみならず、この場
合にも高精度の組立工程が要求されてやはり低コスト化
が困難である。
またスペーサ17を用いることによって、光学記録媒体15
からのビーム16を半導体基板12から遠い位置でプリズム
14へ入射させるためには、寸法の大きなプリズム14を用
いる必要がある。従って、このことによっても半導体レ
ーザ装置10の小型化が困難である。
からのビーム16を半導体基板12から遠い位置でプリズム
14へ入射させるためには、寸法の大きなプリズム14を用
いる必要がある。従って、このことによっても半導体レ
ーザ装置10の小型化が困難である。
本発明による半導体レーザ装置20は、半導体基板12に形
成されている光検出器13と、この光検出器13上に固定さ
れており半透過反射面21aと少なくとも１つの反射面21
b、21cとを有しているプリズム21と、前記半導体基板12
に固定されている半導体レーザ11とを夫々具備し、この
半導体レーザ11から射出されて前記半透過反射面21aで
反射されるビーム16を照射ビームとして用いると共に、
前記半透過反射面21aへ入射してこの半透過反射面21aを
透過し更に前記反射面21b、21cで反射されるビーム16を
前記光検出器13で検出する様にしたものである。
成されている光検出器13と、この光検出器13上に固定さ
れており半透過反射面21aと少なくとも１つの反射面21
b、21cとを有しているプリズム21と、前記半導体基板12
に固定されている半導体レーザ11とを夫々具備し、この
半導体レーザ11から射出されて前記半透過反射面21aで
反射されるビーム16を照射ビームとして用いると共に、
前記半透過反射面21aへ入射してこの半透過反射面21aを
透過し更に前記反射面21b、21cで反射されるビーム16を
前記光検出器13で検出する様にしたものである。
本発明による半導体レーザ装置20では、ビーム16による
照射と入射ビーム16の検出とが一体の光学部品で行われ
る。
照射と入射ビーム16の検出とが一体の光学部品で行われ
る。
また、プリズム21の半透過反射面21aへ斜めに入射する
ビーム16が収束状態であると、このビーム16には半透過
反射面21aを透過することによって非点収差が発生する
ので、プリズム21はビームスプリッタの機能と非点収差
発生機能とを兼備している。
ビーム16が収束状態であると、このビーム16には半透過
反射面21aを透過することによって非点収差が発生する
ので、プリズム21はビームスプリッタの機能と非点収差
発生機能とを兼備している。
しかも、プリズム21内へ入射したビーム16は１つ以上の
反射面21b、21cで反射されてから光検出器13で検出され
るので、ビーム16が半導体基板12に近い位置でプリズム
21へ入射しても、プリズム21内でのビーム16の光路長を
長くすることが可能である。従って、非点収差法によっ
てフォーカスサーボを行う機器に適用すれば、非点隔差
を大きくして引込み範囲を広くすることによってフォー
カスサーボを安定的に行うことができ、また合焦時の光
検出器上でのスポットサイズを大きくすることによって
再生信号やフオーカス誤差信号を高感度で得ることがで
きると共に装置の位置精度を緩和させることができる。
反射面21b、21cで反射されてから光検出器13で検出され
るので、ビーム16が半導体基板12に近い位置でプリズム
21へ入射しても、プリズム21内でのビーム16の光路長を
長くすることが可能である。従って、非点収差法によっ
てフォーカスサーボを行う機器に適用すれば、非点隔差
を大きくして引込み範囲を広くすることによってフォー
カスサーボを安定的に行うことができ、また合焦時の光
検出器上でのスポットサイズを大きくすることによって
再生信号やフオーカス誤差信号を高感度で得ることがで
きると共に装置の位置精度を緩和させることができる。
以下、本発明の一実施例を第１図を参照しながら説明す
る。
る。
この第１図に示す様に、本実施例の半導体レーザ装置20
は、半導体レーザ11が錫半田等によって半導体基板12に
直接に固定されると共に、断面台形のプリズム21が半導
体基板12に固定されていることを除いて、第２図に示し
た既述の半導体レーザ装置10と実質的に同様の構成であ
ってよい。
は、半導体レーザ11が錫半田等によって半導体基板12に
直接に固定されると共に、断面台形のプリズム21が半導
体基板12に固定されていることを除いて、第２図に示し
た既述の半導体レーザ装置10と実質的に同様の構成であ
ってよい。
但しこのプリズム21においては、半導体レーザ11に対向
している面21aはプリズム14の場合と同様に半透過反射
面であるが、半導体基板12に対接している面21bのうち
で光検出器13の近傍以外の部分と面21bに対向している
面21cとが共に反射面となっている。
している面21aはプリズム14の場合と同様に半透過反射
面であるが、半導体基板12に対接している面21bのうち
で光検出器13の近傍以外の部分と面21bに対向している
面21cとが共に反射面となっている。
この様な本実施例の半導体レーザー装置20では、面21a
からプリズム21内へ入射したビーム16は、面21bのうち
で反射面となっている部分と面21cとで反射されてから
光検出器13で検出される。
からプリズム21内へ入射したビーム16は、面21bのうち
で反射面となっている部分と面21cとで反射されてから
光検出器13で検出される。
なお本実施例では、半導体基板12が半導体レーザ11に対
するヒートシンクとなっている。
するヒートシンクとなっている。
本発明による半導体レーザー装置は、一体の光学部品で
あるので、光路の調整が容易であり、低コストである。
あるので、光路の調整が容易であり、低コストである。
また、プリズムがビームスプリッタの機能と非点収差発
生機能とを兼備しているので、非点収差を利用する機器
に適用すると、この機器の小型化と低コスト化とが可能
である。
生機能とを兼備しているので、非点収差を利用する機器
に適用すると、この機器の小型化と低コスト化とが可能
である。
しかも、非点収差法によってフォーカスサーボを行う機
器に適用した場合に半導体基板に近い位置で入射ビーム
がプリズム内へ入射しても、フォーカスサーボを安定的
且つ高感度で行うことができると共に装置の位置精度を
緩和させることができるので、半導体レーザと半導体基
板との間にスペーサを介挿させる必要がなく、装置は小
型且つ低コストである。
器に適用した場合に半導体基板に近い位置で入射ビーム
がプリズム内へ入射しても、フォーカスサーボを安定的
且つ高感度で行うことができると共に装置の位置精度を
緩和させることができるので、半導体レーザと半導体基
板との間にスペーサを介挿させる必要がなく、装置は小
型且つ低コストである。
第１図は本発明の一実施例を示す側面図、第２図は従来
から考えられている例を示す側面図である。 なお図面に用いた符号において、 11……半導体レーザ 12……半導体基板 13……光検出器 16……ビーム 20……半導体レーザ装置 21……プリズム 21a,21b,21c……面 である。
から考えられている例を示す側面図である。 なお図面に用いた符号において、 11……半導体レーザ 12……半導体基板 13……光検出器 16……ビーム 20……半導体レーザ装置 21……プリズム 21a,21b,21c……面 である。
Claims (1)
- 【請求項１】半導体基板に形成されている光検出器と、 この光検出器上に固定されており半透過反射面と少なく
とも１つの反射面とを有しているプリズムと、 前記半導体基板に固定されている半導体レーザとを夫々
具備し、 この半導体レーザから射出されて前記半透過反射面で反
射されるビームを照射ビームとして用いると共に、 前記半透過反射面へ入射してこの半透過反射面を透過し
更に前記反射面で反射されるビームを前記光検出器で検
出する様にした半導体レーザ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61038575A JPH0728085B2 (ja) | 1986-02-24 | 1986-02-24 | 半導体レ−ザ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61038575A JPH0728085B2 (ja) | 1986-02-24 | 1986-02-24 | 半導体レ−ザ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62196880A JPS62196880A (ja) | 1987-08-31 |
| JPH0728085B2 true JPH0728085B2 (ja) | 1995-03-29 |
Family
ID=12529085
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61038575A Expired - Fee Related JPH0728085B2 (ja) | 1986-02-24 | 1986-02-24 | 半導体レ−ザ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0728085B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2590902B2 (ja) * | 1987-07-30 | 1997-03-19 | ソニー株式会社 | 発光・受光複合素子 |
| JPH06169136A (ja) * | 1992-11-30 | 1994-06-14 | Canon Inc | 発光装置と光半導体装置及びその製造方法 |
| US5874722A (en) | 1994-07-19 | 1999-02-23 | Spectra-Physics Scanning Systems, Inc. | Compact scanner module mountable to pointing instrument |
| JP3112841B2 (ja) * | 1996-08-27 | 2000-11-27 | 日本電気株式会社 | 光ピックアップ装置 |
| JP2013254889A (ja) * | 2012-06-08 | 2013-12-19 | Idec Corp | 光源装置および照明装置 |
-
1986
- 1986-02-24 JP JP61038575A patent/JPH0728085B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62196880A (ja) | 1987-08-31 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |