JPH07248507A - 液晶表示装置 - Google Patents
液晶表示装置Info
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- JPH07248507A JPH07248507A JP3976194A JP3976194A JPH07248507A JP H07248507 A JPH07248507 A JP H07248507A JP 3976194 A JP3976194 A JP 3976194A JP 3976194 A JP3976194 A JP 3976194A JP H07248507 A JPH07248507 A JP H07248507A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 アクティブマトリックス型液晶表示装置にお
いて、光が透過する開口を大きくし、かつ基板同士を貼
り合わせるときの位置合わせを容易にする。 【構成】 第１の基板９の上に形成された薄膜トランジ
スタ４のソース５、ドレイン７から引き出す電極配線
１、７ａを２層にし、第２層の電極配線（接続電極）７
ａと同一材料で遮光膜１８を形成し、その遮光膜１８の
上に形成された層間絶縁膜１０ｃの上に画素電極８を形
成している。 【効果】 遮光膜１８が薄膜トランジスタ４の製造工程
で同一基板上に形成されるため、従来は位置合わせ精度
を考慮して大きく作っていた遮光膜１８を最小限の大き
さで作ればよいことになる。
いて、光が透過する開口を大きくし、かつ基板同士を貼
り合わせるときの位置合わせを容易にする。 【構成】 第１の基板９の上に形成された薄膜トランジ
スタ４のソース５、ドレイン７から引き出す電極配線
１、７ａを２層にし、第２層の電極配線（接続電極）７
ａと同一材料で遮光膜１８を形成し、その遮光膜１８の
上に形成された層間絶縁膜１０ｃの上に画素電極８を形
成している。 【効果】 遮光膜１８が薄膜トランジスタ４の製造工程
で同一基板上に形成されるため、従来は位置合わせ精度
を考慮して大きく作っていた遮光膜１８を最小限の大き
さで作ればよいことになる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、薄膜トランジスタが形
成された基板と対向電極が形成された基板とで液晶を挟
持してなる液晶表示装置に関する。
成された基板と対向電極が形成された基板とで液晶を挟
持してなる液晶表示装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、絶縁基板上にアモルファスシリコ
ン膜または多結晶シリコン膜を形成し、それらの膜を活
性領域として使用する薄膜トランジスタの構造および製
造方法が進展し、アクティブマトリックス型の液晶表示
装置などが実用化されている。
ン膜または多結晶シリコン膜を形成し、それらの膜を活
性領域として使用する薄膜トランジスタの構造および製
造方法が進展し、アクティブマトリックス型の液晶表示
装置などが実用化されている。
【０００３】液晶表示装置では基板の裏面または表面か
ら光を照射し、その光を液晶シャッタを用いて制御して
いるために、不要な光を極力遮光しなければならない。
不要な光の一つは薄膜トランジスタに入射する光、もう
一つは制御できない領域を通過する光である。前者は薄
膜トランジスタの動作異常を、後者はコントラスト低下
を引き起こす原因となる。このような不要な光が液晶表
示装置に入射することを防止するために、従来から種々
の方法が開発されている。
ら光を照射し、その光を液晶シャッタを用いて制御して
いるために、不要な光を極力遮光しなければならない。
不要な光の一つは薄膜トランジスタに入射する光、もう
一つは制御できない領域を通過する光である。前者は薄
膜トランジスタの動作異常を、後者はコントラスト低下
を引き起こす原因となる。このような不要な光が液晶表
示装置に入射することを防止するために、従来から種々
の方法が開発されている。
【０００４】以下に従来の液晶表示装置について説明す
る。図２（ａ）は従来の液晶表示装置で画素トランジス
タが形成された基板の平面図、図２（ｂ）は同液晶表示
装置をＡ−Ａ線で切断した断面図である。これらの図に
おいて、１は信号線、２は走査線、３は多結晶シリコン
膜、４は画素トランジスタ、５は画素トランジスタ４の
ソース（信号線１に接続）、６は画素トランジスタ４の
ゲート（走査線２に接続）、７は画素トランジスタ４の
ドレイン（後述の画素電極に接続）、８は透明導電膜で
形成された画素電極、９は第１の基板、１０は層間絶縁
膜、１１は第２の基板、１２ａは画素トランジスタ４を
遮光する遮光膜、１２ｂは画素電極８の周辺部を遮光す
る遮光膜、１３は色フィルタ、１４はフィルタ保護膜、
１５は対向電極、１６は液晶である。なお第１の基板
９、第２の基板１１のそれぞれ最上層に形成される配向
膜は図示していない。
る。図２（ａ）は従来の液晶表示装置で画素トランジス
タが形成された基板の平面図、図２（ｂ）は同液晶表示
装置をＡ−Ａ線で切断した断面図である。これらの図に
おいて、１は信号線、２は走査線、３は多結晶シリコン
膜、４は画素トランジスタ、５は画素トランジスタ４の
ソース（信号線１に接続）、６は画素トランジスタ４の
ゲート（走査線２に接続）、７は画素トランジスタ４の
ドレイン（後述の画素電極に接続）、８は透明導電膜で
形成された画素電極、９は第１の基板、１０は層間絶縁
膜、１１は第２の基板、１２ａは画素トランジスタ４を
遮光する遮光膜、１２ｂは画素電極８の周辺部を遮光す
る遮光膜、１３は色フィルタ、１４はフィルタ保護膜、
１５は対向電極、１６は液晶である。なお第１の基板
９、第２の基板１１のそれぞれ最上層に形成される配向
膜は図示していない。
【０００５】従来の液晶表示装置では、図２（ｂ）に示
すように、画素トランジスタ４に入射する不要光を遮光
する膜は、第２の基板１１側にクロム蒸着膜または色フ
ィルタ１３を３色重ねた不透明膜で形成されていた。
すように、画素トランジスタ４に入射する不要光を遮光
する膜は、第２の基板１１側にクロム蒸着膜または色フ
ィルタ１３を３色重ねた不透明膜で形成されていた。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記の従
来の構成では、第１の基板と第２の基板とを位置合わせ
する際の位置合わせ精度を考慮しなければならないため
に、遮光膜１２ａ、１２ｂの寸法に余裕をもたせて大き
くしており、開口１７が小さくなるという課題を有して
いた。
来の構成では、第１の基板と第２の基板とを位置合わせ
する際の位置合わせ精度を考慮しなければならないため
に、遮光膜１２ａ、１２ｂの寸法に余裕をもたせて大き
くしており、開口１７が小さくなるという課題を有して
いた。
【０００７】本発明は上記従来の課題を解決するもの
で、従来に比べて光が透過する開口を大きくできるとと
もに、基板を貼り合わせるときの位置合わせが容易とな
る液晶表示装置を提供することを目的とする。
で、従来に比べて光が透過する開口を大きくできるとと
もに、基板を貼り合わせるときの位置合わせが容易とな
る液晶表示装置を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に本発明の液晶表示装置は、画素トランジスタのドレイ
ンと画素電極とが中間に接続電極を介して接続されてお
り、かつ遮光膜が前記接続電極と同一膜で形成されてい
る構成を有している。
に本発明の液晶表示装置は、画素トランジスタのドレイ
ンと画素電極とが中間に接続電極を介して接続されてお
り、かつ遮光膜が前記接続電極と同一膜で形成されてい
る構成を有している。
【０００９】
【作用】この構成によって、画素トランジスタが形成さ
れた基板側に遮光膜が直接形成されるため、画素トラン
ジスタと遮光膜との合わせ精度がよくなり、基板貼り合
わせ工程で要求される精度が緩くなる。その結果、従来
は合わせ精度も考慮して大きくとっていた遮光膜パター
ンが小さくなり、開口が大きくなる。
れた基板側に遮光膜が直接形成されるため、画素トラン
ジスタと遮光膜との合わせ精度がよくなり、基板貼り合
わせ工程で要求される精度が緩くなる。その結果、従来
は合わせ精度も考慮して大きくとっていた遮光膜パター
ンが小さくなり、開口が大きくなる。
【００１０】
【実施例】以下本発明の一実施例について、図面を参照
しながら説明する。
しながら説明する。
【００１１】図１（ａ）は本発明の一実施例における液
晶表示装置の平面図、図１（ｂ）は同液晶表示装置をＡ
−Ａ線で切断した断面図である。図１において、図２に
示す従来例と同一箇所には同一符号を付して説明を省略
する。なお、７ａは薄膜トランジスタ４のドレイン７と
画素電極８とを接続する接続電極、１０ａは第１の層間
絶縁膜、１０ｂは第２の層間絶縁膜、１０ｃは第３の層
間絶縁膜、１８は第１の基板９上に設けられた遮光膜で
ある。
晶表示装置の平面図、図１（ｂ）は同液晶表示装置をＡ
−Ａ線で切断した断面図である。図１において、図２に
示す従来例と同一箇所には同一符号を付して説明を省略
する。なお、７ａは薄膜トランジスタ４のドレイン７と
画素電極８とを接続する接続電極、１０ａは第１の層間
絶縁膜、１０ｂは第２の層間絶縁膜、１０ｃは第３の層
間絶縁膜、１８は第１の基板９上に設けられた遮光膜で
ある。
【００１２】本実施例では矢印で挟んだ領域が遮光膜１
８を示しており、図１（ａ）に示すように、開口１７以
外の領域は全て遮光膜１８で覆われている。またその断
面構造は図１（ｂ）に示すように、第１の基板９の上に
画素トランジスタ４が形成されており、第１の層間絶縁
膜１０ａのコンタクトホールを通して薄膜トランジスタ
４のソース５に導通する信号線１がアルミニウムを主成
分とする蒸着膜で形成されている。その上には第２の層
間絶縁膜１０ｂが形成されており、第１の層間絶縁膜１
０ａおよび第２の層間絶縁膜１０ｂのコンタクトホール
を通して薄膜トランジスタ４のドレイン７に導通する接
続電極７ａが形成されている。また第２の層間絶縁膜１
０ｂの上には遮光膜１８が形成されており、その上には
第３の層間絶縁膜１０ｃが形成されている。この第３の
層間絶縁膜１０ｃの上には画素電極８が形成されている
が、この画素電極８と接続電極７ａとは第３の層間絶縁
膜１０ｃに設けられたコンタクトホールを介して接続さ
れる。また画素電極８は遮光膜１８と一部オーバーラッ
プして形成されている。
８を示しており、図１（ａ）に示すように、開口１７以
外の領域は全て遮光膜１８で覆われている。またその断
面構造は図１（ｂ）に示すように、第１の基板９の上に
画素トランジスタ４が形成されており、第１の層間絶縁
膜１０ａのコンタクトホールを通して薄膜トランジスタ
４のソース５に導通する信号線１がアルミニウムを主成
分とする蒸着膜で形成されている。その上には第２の層
間絶縁膜１０ｂが形成されており、第１の層間絶縁膜１
０ａおよび第２の層間絶縁膜１０ｂのコンタクトホール
を通して薄膜トランジスタ４のドレイン７に導通する接
続電極７ａが形成されている。また第２の層間絶縁膜１
０ｂの上には遮光膜１８が形成されており、その上には
第３の層間絶縁膜１０ｃが形成されている。この第３の
層間絶縁膜１０ｃの上には画素電極８が形成されている
が、この画素電極８と接続電極７ａとは第３の層間絶縁
膜１０ｃに設けられたコンタクトホールを介して接続さ
れる。また画素電極８は遮光膜１８と一部オーバーラッ
プして形成されている。
【００１３】また本実施例においては、画素トランジス
タ４と画素電極８とを例えばアルミニウムを主成分とす
る接続電極７ａを介して接続しているが、さらに、接続
電極７ａとドレイン７との間または接続電極７ａと画素
電極８との間に相互の反応を防止するバリヤメタル層を
介在させることにより、いっそう画素電極８とドレイン
７とのコンタクトを安定させることができる。また本実
施例においては、遮光膜１８を接続電極７ａと同一材料
で構成しているが、接続電極７ａとドレイン７との間ま
たは接続電極７ａと画素電極８との間に挿入するバリヤ
メタル層を例えばタングステンやチタンのシリサイド膜
またはチタンの窒化膜などの不透明金属材料で構成し、
それと同一材料で遮光膜１８を構成してもよいし、さら
にはバリヤメタル層と接続電極７ａとの２層構造として
もよい。
タ４と画素電極８とを例えばアルミニウムを主成分とす
る接続電極７ａを介して接続しているが、さらに、接続
電極７ａとドレイン７との間または接続電極７ａと画素
電極８との間に相互の反応を防止するバリヤメタル層を
介在させることにより、いっそう画素電極８とドレイン
７とのコンタクトを安定させることができる。また本実
施例においては、遮光膜１８を接続電極７ａと同一材料
で構成しているが、接続電極７ａとドレイン７との間ま
たは接続電極７ａと画素電極８との間に挿入するバリヤ
メタル層を例えばタングステンやチタンのシリサイド膜
またはチタンの窒化膜などの不透明金属材料で構成し、
それと同一材料で遮光膜１８を構成してもよいし、さら
にはバリヤメタル層と接続電極７ａとの２層構造として
もよい。
【００１４】このような構成とすることにより、第２の
基板１１側に遮光膜を必要とせず、そのために遮光膜１
８と画素トランジスタ４との高精度の位置合わせが不要
となり、遮光膜１８の形状を従来の構成に比べて小さく
することができる。したがって、開口１７を大きくとる
ことができ、また明るさが同じでよければ、従来の構成
に比べて画素数を増やすことができる。
基板１１側に遮光膜を必要とせず、そのために遮光膜１
８と画素トランジスタ４との高精度の位置合わせが不要
となり、遮光膜１８の形状を従来の構成に比べて小さく
することができる。したがって、開口１７を大きくとる
ことができ、また明るさが同じでよければ、従来の構成
に比べて画素数を増やすことができる。
【００１５】
【発明の効果】本発明は、薄膜トランジスタのソース、
ドレインから引き出す電極配線を２層にし、第２層の電
極配線と同一材料で遮光膜を形成し、その遮光膜の上に
形成された層間絶縁膜上に画素電極を形成した構成を有
しており、薄膜トランジスタと遮光膜の合わせ精度が高
く、かつ遮光膜を位置合わせ精度を考慮することなく最
小限度で作ればよいため開口を大きくとれる優れた液晶
表示装置を実現できるものである。またこのような構成
を採用することにより、同じ明るさであれば、従来の液
晶表示装置より微細化でき、その結果、画素数を増やす
ことができる。
ドレインから引き出す電極配線を２層にし、第２層の電
極配線と同一材料で遮光膜を形成し、その遮光膜の上に
形成された層間絶縁膜上に画素電極を形成した構成を有
しており、薄膜トランジスタと遮光膜の合わせ精度が高
く、かつ遮光膜を位置合わせ精度を考慮することなく最
小限度で作ればよいため開口を大きくとれる優れた液晶
表示装置を実現できるものである。またこのような構成
を採用することにより、同じ明るさであれば、従来の液
晶表示装置より微細化でき、その結果、画素数を増やす
ことができる。
【図１】（ａ）は本発明の一実施例における液晶表示装
置で画素トランジスタが形成された基板の平面図 （ｂ）は同液晶表示装置をＡ−Ａ線で切断した断面図
置で画素トランジスタが形成された基板の平面図 （ｂ）は同液晶表示装置をＡ−Ａ線で切断した断面図
【図２】（ａ）は従来の液晶表示装置で画素トランジス
タが形成された基板の平面図 （ｂ）は同液晶表示装置をＡ−Ａ線で切断した断面図
タが形成された基板の平面図 （ｂ）は同液晶表示装置をＡ−Ａ線で切断した断面図
１ 信号線 ４ 画素トランジスタ（薄膜トランジスタ） ５ ソース ７ ドレイン ７ａ 接続電極 ８ 画素電極 ９ 第１の基板 １０ａ 第１の層間絶縁膜 １０ｂ 第２の層間絶縁膜 １０ｃ 第３の層間絶縁膜 １１ 第２の基板 １３ 色フィルタ １５ 対向電極 １８ 遮光膜
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 石原 知明 大阪府高槻市幸町１番１号 松下電子工業 株式会社内
Claims (4)
- 【請求項１】 薄膜トランジスタがマトリックス状に形
成された第１の基板と、色フィルタおよび対向電極が形
成された第２の基板とを対向保持してなる液晶表示装置
であって、前記薄膜トランジスタを覆って前記第１の基
板上には第１の層間絶縁膜が形成されており、前記第１
の層間絶縁膜の上に前記薄膜トランジスタのソースに接
続された信号線が形成されており、前記信号線を覆って
第１の層間絶縁膜の上に第２の層間絶縁膜が形成されて
おり、前記第２の層間絶縁膜の上に前記薄膜トランジス
タのドレインに接続され画素電極とドレインとを接続す
るための接続電極および格子状の遮光膜が形成されてお
り、前記接続電極および遮光膜を覆って第３の層間絶縁
膜が形成されており、かつ前記第３の層間絶縁膜の上に
前記格子状の遮光膜と周辺部で重なりをもって前記接続
電極に接続された画素電極が形成されている液晶表示装
置。 - 【請求項２】 接続電極および遮光膜がアルミニウムを
主成分とする金属薄膜で構成されている請求項１記載の
液晶表示装置。 - 【請求項３】 薄膜トランジスタのドレインと接続電極
の間に相互の反応を防止するバリヤメタル層を挿入して
なる請求項２記載の液晶表示装置。 - 【請求項４】 接続電極がバリヤメタル層とその上に形
成されたアルミニウムを主成分とする金属薄膜からな
り、遮光膜がバリヤメタル層からなる請求項１記載の液
晶表示装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3976194A JPH07248507A (ja) | 1994-03-10 | 1994-03-10 | 液晶表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3976194A JPH07248507A (ja) | 1994-03-10 | 1994-03-10 | 液晶表示装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07248507A true JPH07248507A (ja) | 1995-09-26 |
Family
ID=12561936
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3976194A Pending JPH07248507A (ja) | 1994-03-10 | 1994-03-10 | 液晶表示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07248507A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08328000A (ja) * | 1995-06-01 | 1996-12-13 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | アクティブマトリクス型液晶表示装置 |
| JPH09311347A (ja) * | 1996-05-22 | 1997-12-02 | Nec Corp | 液晶パネル |
| KR100349022B1 (ko) * | 1996-04-12 | 2002-08-17 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 표시장치 및 그의 제작방법 |
| US6600172B1 (en) * | 1999-11-26 | 2003-07-29 | Nec Corporation | Image sensor and method of fabricating the same |
| KR100502091B1 (ko) * | 1998-04-10 | 2005-11-23 | 삼성전자주식회사 | 유기 절연막을 이용한 액정 표시 장치 및 그 제조 방법 |
| US7110059B2 (en) | 1995-05-08 | 2006-09-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device |
-
1994
- 1994-03-10 JP JP3976194A patent/JPH07248507A/ja active Pending
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7110059B2 (en) | 1995-05-08 | 2006-09-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device |
| US7190420B2 (en) | 1995-05-08 | 2007-03-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device |
| US7683978B2 (en) | 1995-05-08 | 2010-03-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device |
| JPH08328000A (ja) * | 1995-06-01 | 1996-12-13 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | アクティブマトリクス型液晶表示装置 |
| KR100349022B1 (ko) * | 1996-04-12 | 2002-08-17 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 표시장치 및 그의 제작방법 |
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| US6137552A (en) * | 1996-05-22 | 2000-10-24 | Nec Corporation | Liquid crystal panel having a high aperture ratio and light-shielded channels |
| KR100502091B1 (ko) * | 1998-04-10 | 2005-11-23 | 삼성전자주식회사 | 유기 절연막을 이용한 액정 표시 장치 및 그 제조 방법 |
| US6600172B1 (en) * | 1999-11-26 | 2003-07-29 | Nec Corporation | Image sensor and method of fabricating the same |
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