JPH07159801A - 液晶表示装置 - Google Patents
液晶表示装置Info
- Publication number
- JPH07159801A JPH07159801A JP30902493A JP30902493A JPH07159801A JP H07159801 A JPH07159801 A JP H07159801A JP 30902493 A JP30902493 A JP 30902493A JP 30902493 A JP30902493 A JP 30902493A JP H07159801 A JPH07159801 A JP H07159801A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- liquid crystal
- substrate
- display device
- crystal display
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 光が透過する開口を大きくし、基板同士を張
り合わせるときの位置合わせを容易にする。 【構成】 第１の基板９には信号線１、走査線２、画素
電極８、ソース５が信号線１にゲート６が走査線２にド
レイン７が画素電極８に接続された画素トランジスタ４
および画素トランジスタ４のドレイン７に接続された補
助容量２１が形成されており、第２の基板１１には対向
電極１５が形成されており、第１の基板９と第２の基板
１１とで液晶１６を挟持してなり、かつ走査線１、画素
トランジスタ４のゲート６および補助容量２１の下電極
１８、共通電極線１９が不透明材料で形成されている。
り合わせるときの位置合わせを容易にする。 【構成】 第１の基板９には信号線１、走査線２、画素
電極８、ソース５が信号線１にゲート６が走査線２にド
レイン７が画素電極８に接続された画素トランジスタ４
および画素トランジスタ４のドレイン７に接続された補
助容量２１が形成されており、第２の基板１１には対向
電極１５が形成されており、第１の基板９と第２の基板
１１とで液晶１６を挟持してなり、かつ走査線１、画素
トランジスタ４のゲート６および補助容量２１の下電極
１８、共通電極線１９が不透明材料で形成されている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、薄膜トランジスタアレ
イを用いた液晶表示装置に関する。
イを用いた液晶表示装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、アモルファスシリコン膜または多
結晶シリコン膜を用いた薄膜トランジスタを大面積基板
に形成する技術が開発され、この薄膜トランジスタをス
イッチング素子として画素電極を選択するアクテイブマ
トリックス型液晶表示装置が実用化されている。さら
に、多結晶シリコン膜を用いた薄膜トランジスタで駆動
回路を構成し、スイッチング素子としての薄膜トランジ
スタと同一基板上に形成した周辺回路内蔵の薄膜トラン
ジスタアレイを用いた液晶表示装置も実用化されつつあ
る。
結晶シリコン膜を用いた薄膜トランジスタを大面積基板
に形成する技術が開発され、この薄膜トランジスタをス
イッチング素子として画素電極を選択するアクテイブマ
トリックス型液晶表示装置が実用化されている。さら
に、多結晶シリコン膜を用いた薄膜トランジスタで駆動
回路を構成し、スイッチング素子としての薄膜トランジ
スタと同一基板上に形成した周辺回路内蔵の薄膜トラン
ジスタアレイを用いた液晶表示装置も実用化されつつあ
る。
【０００３】液晶表示装置では基板の裏面または表面か
ら光を照射し、その光を液晶シャッタを用いて制御して
いるために、不要な光を極力遮蔽しなければならない。
不要な光の一つは、薄膜トランジスタに入射する光、も
う一つは制御できない領域を通過する光である。前者は
薄膜トランジスタの動作異常を、後者はコントラスト低
下を引き起こす原因となる。このような不要な光が液晶
表示装置に入射することを防止するために、従来から種
々の方法が開発されている。
ら光を照射し、その光を液晶シャッタを用いて制御して
いるために、不要な光を極力遮蔽しなければならない。
不要な光の一つは、薄膜トランジスタに入射する光、も
う一つは制御できない領域を通過する光である。前者は
薄膜トランジスタの動作異常を、後者はコントラスト低
下を引き起こす原因となる。このような不要な光が液晶
表示装置に入射することを防止するために、従来から種
々の方法が開発されている。
【０００４】以下従来の液晶表示装置について説明す
る。図４（ａ）は従来の液晶表示装置で画素トランジス
タアレイが形成された基板の平面図、図４（ｂ）は同液
晶表示装置をＡ−Ａ線で切断した断面図である。これら
の図において、１は信号線、２は走査線、３は多結晶シ
リコン膜、４は画素トランジスタ、５は画素トランジス
タ４のソース（信号線１に接続）、６は画素トランジス
タ４のゲート（走査線２に接続）、７は画素トランジス
タ４のドレイン（後述の画素電極に接続）、８は透明導
電膜で形成された画素電極、９は第１の基板、１０は層
間絶縁膜、１１は第２の基板、１２ａは画素トランジス
タ４を遮蔽する遮光膜、１２ｂは画素電極の周辺部を遮
蔽する遮光膜、１３は色フィルタ、１４はフィルタ保護
膜、１５は対向電極、１６は液晶、１７は光透過領域す
なわち開口である。なお第１の基板９、第２の基板１１
のそれぞれ最上層に形成される配向膜は図示していな
い。従来の液晶表示装置では図４（ｂ）に示すように、
画素トランジスタ４に入射する不要光を遮蔽する膜は、
第２の基板１１側にクロム蒸着膜または色フィルタ１３
を３色重ねた不透明膜で形成されていた。
る。図４（ａ）は従来の液晶表示装置で画素トランジス
タアレイが形成された基板の平面図、図４（ｂ）は同液
晶表示装置をＡ−Ａ線で切断した断面図である。これら
の図において、１は信号線、２は走査線、３は多結晶シ
リコン膜、４は画素トランジスタ、５は画素トランジス
タ４のソース（信号線１に接続）、６は画素トランジス
タ４のゲート（走査線２に接続）、７は画素トランジス
タ４のドレイン（後述の画素電極に接続）、８は透明導
電膜で形成された画素電極、９は第１の基板、１０は層
間絶縁膜、１１は第２の基板、１２ａは画素トランジス
タ４を遮蔽する遮光膜、１２ｂは画素電極の周辺部を遮
蔽する遮光膜、１３は色フィルタ、１４はフィルタ保護
膜、１５は対向電極、１６は液晶、１７は光透過領域す
なわち開口である。なお第１の基板９、第２の基板１１
のそれぞれ最上層に形成される配向膜は図示していな
い。従来の液晶表示装置では図４（ｂ）に示すように、
画素トランジスタ４に入射する不要光を遮蔽する膜は、
第２の基板１１側にクロム蒸着膜または色フィルタ１３
を３色重ねた不透明膜で形成されていた。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記の従
来の構成では、第１の基板と第２の基板とを位置合わせ
する際の位置合わせ精度を考慮しなければならないため
に、遮光膜１２ａ、１２ｂの寸法に余裕をもたせて大き
くしており、開口１７が小さくなるという課題を有して
いた。
来の構成では、第１の基板と第２の基板とを位置合わせ
する際の位置合わせ精度を考慮しなければならないため
に、遮光膜１２ａ、１２ｂの寸法に余裕をもたせて大き
くしており、開口１７が小さくなるという課題を有して
いた。
【０００６】本発明は上記従来の課題を解決するもの
で、従来に比べて光が透過する開口を大きくできるとと
もに、基板を張り合わせるときの位置合わせが容易とな
る液晶表示装置を提供することを目的とする。
で、従来に比べて光が透過する開口を大きくできるとと
もに、基板を張り合わせるときの位置合わせが容易とな
る液晶表示装置を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に本発明の液晶表示装置は、不透明材料からなる走査
線、画素トランジスタのゲート、補助容量の電極、補助
容量の共通電極線が遮光膜を形成した構成を有してい
る。
に本発明の液晶表示装置は、不透明材料からなる走査
線、画素トランジスタのゲート、補助容量の電極、補助
容量の共通電極線が遮光膜を形成した構成を有してい
る。
【０００８】
【作用】この構成によって、遮光膜の大部分は画素トラ
ンジスタが形成された第１の基板上にあるため、色フィ
ルタが形成されている第２の基板側の遮光膜は第１の基
板上の遮光膜で遮光できない領域のみに形成すれば良
い。
ンジスタが形成された第１の基板上にあるため、色フィ
ルタが形成されている第２の基板側の遮光膜は第１の基
板上の遮光膜で遮光できない領域のみに形成すれば良
い。
【０００９】
【実施例】以下本発明の一実施例について、図面を参照
しながら説明する。
しながら説明する。
【００１０】図１（ａ）は本発明の一実施例における液
晶表示装置で画素トランジスタが形成された基板の平面
図、図１（ｂ）は同液晶表示装置をＡ−Ａ線で切断した
断面図である。図１（ａ）においては、簡単のために対
向基板を省略している。これらの図において、図４に示
す従来例と同一箇所には同一符号を付して説明を省略す
る。なお１８は補助容量の下電極、１９は補助容量の上
電極１９ａを共通接続している共通電極線、２０は容量
絶縁膜、２１は補助容量である。本実施例では、走査線
２、ゲート６、補助容量２１の上電極１９および共通容
量線１９ａがポリサイド、シリサイドなどの不透明膜で
形成されており、画素電極８の周辺を遮蔽する遮光膜を
構成している。したがって、第２の基板側１１側に形成
されている遮光膜１２ａ、１２ｂは図４に示す従来例よ
り小さくて良いことになる。すなわち、遮光すべき主要
部はほとんど画素トランジスタ４が形成された第１の基
板９側に形成された前述の膜で遮光されることになり、
第１の基板９と第２の基板１１を張り合わせる際の余裕
度も従来例に比べて大きくなる。その結果、開口１７も
従来例に比べて大きくすることができ、明るい液晶表示
装置が実現できる。
晶表示装置で画素トランジスタが形成された基板の平面
図、図１（ｂ）は同液晶表示装置をＡ−Ａ線で切断した
断面図である。図１（ａ）においては、簡単のために対
向基板を省略している。これらの図において、図４に示
す従来例と同一箇所には同一符号を付して説明を省略す
る。なお１８は補助容量の下電極、１９は補助容量の上
電極１９ａを共通接続している共通電極線、２０は容量
絶縁膜、２１は補助容量である。本実施例では、走査線
２、ゲート６、補助容量２１の上電極１９および共通容
量線１９ａがポリサイド、シリサイドなどの不透明膜で
形成されており、画素電極８の周辺を遮蔽する遮光膜を
構成している。したがって、第２の基板側１１側に形成
されている遮光膜１２ａ、１２ｂは図４に示す従来例よ
り小さくて良いことになる。すなわち、遮光すべき主要
部はほとんど画素トランジスタ４が形成された第１の基
板９側に形成された前述の膜で遮光されることになり、
第１の基板９と第２の基板１１を張り合わせる際の余裕
度も従来例に比べて大きくなる。その結果、開口１７も
従来例に比べて大きくすることができ、明るい液晶表示
装置が実現できる。
【００１１】次に共通容量線の配置を変えた例について
説明する。図２は本発明の一実施例における液晶表示装
置の画素トランジスタが形成された基板で共通容量線の
配置を変えた例を示す平面図である。このように、図１
（ａ）に示す配置以外に、補助容量２１の共通電極線１
９を画素電極８の下側に持ってきても良い。また共通容
量線１９ａを切り放し、補助容量２１を個々の画素電極
８に独立に接続した構成としても良い。
説明する。図２は本発明の一実施例における液晶表示装
置の画素トランジスタが形成された基板で共通容量線の
配置を変えた例を示す平面図である。このように、図１
（ａ）に示す配置以外に、補助容量２１の共通電極線１
９を画素電極８の下側に持ってきても良い。また共通容
量線１９ａを切り放し、補助容量２１を個々の画素電極
８に独立に接続した構成としても良い。
【００１２】次に本発明の第２の実施例について、図面
を参照しながら説明する。図３は本発明の第２の実施例
における液晶表示装置の要部断面図である。図３におい
て、図１（ｂ）に示す本発明の第１の実施例における液
晶表示装置の断面図と同一箇所には同一符号を付して説
明を省略する。なお２２ａ、２２ｂはバリヤメタル層で
ある。本実施例においては、画素トランジスタ４のドレ
イン７と画素電極８を構成する透明導電膜の反応を防止
するためにバリヤメタル層２２ａを形成している。この
バリヤメタル層２２ａはコンタクト部以外にも形成さ
れ、遮光膜２２ｂとしての機能を果たしている。バリヤ
メタル層２２ａとしては、タングステンシリサイドやモ
リブデンシリサイドなどの不透明な金属シリサイド膜ま
たは窒化チタン膜などが望ましい。本実施例において
も、画素トランジスタ４が形成された第１の基板９側に
必要とするほとんどの遮光が施されているために、第１
の基板と第２の基板を張り合わせる工程における位置合
わせが極めて容易となる。
を参照しながら説明する。図３は本発明の第２の実施例
における液晶表示装置の要部断面図である。図３におい
て、図１（ｂ）に示す本発明の第１の実施例における液
晶表示装置の断面図と同一箇所には同一符号を付して説
明を省略する。なお２２ａ、２２ｂはバリヤメタル層で
ある。本実施例においては、画素トランジスタ４のドレ
イン７と画素電極８を構成する透明導電膜の反応を防止
するためにバリヤメタル層２２ａを形成している。この
バリヤメタル層２２ａはコンタクト部以外にも形成さ
れ、遮光膜２２ｂとしての機能を果たしている。バリヤ
メタル層２２ａとしては、タングステンシリサイドやモ
リブデンシリサイドなどの不透明な金属シリサイド膜ま
たは窒化チタン膜などが望ましい。本実施例において
も、画素トランジスタ４が形成された第１の基板９側に
必要とするほとんどの遮光が施されているために、第１
の基板と第２の基板を張り合わせる工程における位置合
わせが極めて容易となる。
【００１３】
【発明の効果】以上のように本発明は、不透明材料で形
成された走査線、画素トランジスタのゲートおよび補助
容量の電極、補助容量の共通電極線が画素電極をほぼ取
り囲んだ構成を有しており、光が透過する開口を大きく
できるとともに、基板を張り合わせるときの位置合わせ
が容易となる液晶表示装置を実現できるものである。
成された走査線、画素トランジスタのゲートおよび補助
容量の電極、補助容量の共通電極線が画素電極をほぼ取
り囲んだ構成を有しており、光が透過する開口を大きく
できるとともに、基板を張り合わせるときの位置合わせ
が容易となる液晶表示装置を実現できるものである。
【図１】（ａ）は本発明の一実施例における液晶表示装
置で画素トランジスタが形成された基板の平面図 （ｂ）は同液晶表示装置をＡ−Ａ線で切断した断面図
置で画素トランジスタが形成された基板の平面図 （ｂ）は同液晶表示装置をＡ−Ａ線で切断した断面図
【図２】本発明の一実施例における液晶表示装置の画素
トランジスタが形成された基板で共通容量線の配置を変
えた例を示す平面図
トランジスタが形成された基板で共通容量線の配置を変
えた例を示す平面図
【図３】本発明の第３の実施例における液晶表示装置の
要部断面図
要部断面図
【図４】（ａ）は従来の液晶表示装置で画素トランジス
タアレイが形成された基板の平面図 （ｂ）は同液晶表示装置をＡ−Ａ線で切断した断面図
タアレイが形成された基板の平面図 （ｂ）は同液晶表示装置をＡ−Ａ線で切断した断面図
１ 信号線 ２ 走査線 ４ 画素トランジスタ ５ ソース ６ ゲート ７ ドレイン ８ 画素電極 ９ 第１の基板 １１ 第２の基板 １５ 対向電極 １６ 液晶 １８ 下電極 １９ 共通電極線 ２１ 補助容量
Claims (6)
- 【請求項１】 第１の基板には信号線、走査線、画素電
極、ソースが前記信号線にゲートが前記走査線にドレイ
ンが前記画素電極に接続された画素トランジスタおよび
前記画素トランジスタのドレインに接続された補助容量
が形成されており、第２の基板には対向電極が形成され
ており、前記第１の基板と前記第２の基板とで液晶を挟
持してなり、かつ前記走査線、前記画素トランジスタの
ゲートおよび前記補助容量の電極、補助容量の共通電極
線が不透明材料で形成されている液晶表示装置。 - 【請求項２】 走査線、補助容量の電極および補助容量
の共通電極線のいずれかで画素電極の周辺をほぼ囲んで
いる請求項１記載の液晶表示装置。 - 【請求項３】 走査線、補助容量の電極および補助容量
の共通電極線のいずれかが画素電極と重なり合って形成
されている請求項２記載の液晶表示装置。 - 【請求項４】 走査線、補助容量の電極、補助容量の共
通電極線がポリサイド膜で形成されている請求項１、２
または３記載の液晶表示装置。 - 【請求項５】 第１の基板には信号線、走査線、画素電
極、ソースが前記信号線にゲートが前記走査線にドレイ
ンが前記画素電極に接続された画素トランジスタおよび
前記画素トランジスタのドレインに接続された補助容量
が形成されており、第２の基板には対向電極が形成され
ており、前記第１の基板と前記第２の基板とで液晶を挟
持してなり、前記画素電極と前記画素トランジスタのド
レインとが画素トランジスタを構成する半導体層と画素
電極を構成する透明導電膜の反応を防止するバリヤメタ
ル層を介して接続されており、かつ前記バリヤメタル層
と同一層で画素電極の少なくとも３辺に重なりを有する
遮光膜を形成している液晶表示装置。 - 【請求項６】 バリヤメタル層が金属シリサイド膜また
は金属窒化膜である請求項５記載の液晶表示装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30902493A JPH07159801A (ja) | 1993-12-09 | 1993-12-09 | 液晶表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30902493A JPH07159801A (ja) | 1993-12-09 | 1993-12-09 | 液晶表示装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07159801A true JPH07159801A (ja) | 1995-06-23 |
Family
ID=17987963
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30902493A Pending JPH07159801A (ja) | 1993-12-09 | 1993-12-09 | 液晶表示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07159801A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100634157B1 (ko) * | 1999-08-31 | 2006-10-16 | 삼성전자주식회사 | 박막트랜지스터 액정표시장치 |
-
1993
- 1993-12-09 JP JP30902493A patent/JPH07159801A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100634157B1 (ko) * | 1999-08-31 | 2006-10-16 | 삼성전자주식회사 | 박막트랜지스터 액정표시장치 |
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