JPH07191461A - ポジ型レジスト組成物 - Google Patents
ポジ型レジスト組成物Info
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- JPH07191461A JPH07191461A JP5333798A JP33379893A JPH07191461A JP H07191461 A JPH07191461 A JP H07191461A JP 5333798 A JP5333798 A JP 5333798A JP 33379893 A JP33379893 A JP 33379893A JP H07191461 A JPH07191461 A JP H07191461A
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- xylenol
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 感度、解像度、耐熱性、プロファイル及び焦
点深度等の諸性能のバランスに優れ、且つ現像残さのな
いポジ型レジスト組成物を提供する。 【構成】 ｍ−クレゾール、３，４−キシレノール及び
一般式（Ｉ） 【化１】 （式中、Ｒ1 は低級アルキル基を、Ｒ2 は水素又は低級
アルキル基を、各々表す。）で示されるフェノール類の
フェノール混合物並びにアルデヒド類を縮合反応させて
得られるノボラック樹脂と、キノンジアジド化合物と、
分子量900 未満のアルカリ可溶性化合物とを含有するポ
ジ型レジスト組成物。
点深度等の諸性能のバランスに優れ、且つ現像残さのな
いポジ型レジスト組成物を提供する。 【構成】 ｍ−クレゾール、３，４−キシレノール及び
一般式（Ｉ） 【化１】 （式中、Ｒ1 は低級アルキル基を、Ｒ2 は水素又は低級
アルキル基を、各々表す。）で示されるフェノール類の
フェノール混合物並びにアルデヒド類を縮合反応させて
得られるノボラック樹脂と、キノンジアジド化合物と、
分子量900 未満のアルカリ可溶性化合物とを含有するポ
ジ型レジスト組成物。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は紫外線、エキシマーレー
ザー等を含む遠紫外線等の放射線に感応するポジ型レジ
スト組成物に関する。
ザー等を含む遠紫外線等の放射線に感応するポジ型レジ
スト組成物に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、集積回路については高集積化に伴
う微細化が進み、サブミクロンのパターン形成が要求さ
れている。この結果、解像度、プロファイル、焦点深度
等の性能により優れたポジ型レジスト組成物が求められ
ている。特に、16〜64ＭDRAMの作製においては0.5 μｍ
以下の線幅のパターンを、プロファイル良く且つ広い焦
点深度で解像することが必要である。特開平５−27446
号公報には、(a) 標準ポリスチレン換算重量平均分子量
が4000〜20000 の範囲にあるアルカリ可溶性ノボラック
樹脂100 重量部、(b) 分子量が100 〜1000の範囲にある
フェノール性化合物５〜100 重量部及び(c) 下式
う微細化が進み、サブミクロンのパターン形成が要求さ
れている。この結果、解像度、プロファイル、焦点深度
等の性能により優れたポジ型レジスト組成物が求められ
ている。特に、16〜64ＭDRAMの作製においては0.5 μｍ
以下の線幅のパターンを、プロファイル良く且つ広い焦
点深度で解像することが必要である。特開平５−27446
号公報には、(a) 標準ポリスチレン換算重量平均分子量
が4000〜20000 の範囲にあるアルカリ可溶性ノボラック
樹脂100 重量部、(b) 分子量が100 〜1000の範囲にある
フェノール性化合物５〜100 重量部及び(c) 下式
【０００３】
【化２】
【０００４】〔式中、Ｒ1 〜Ｒ19は同一又は異なり、水
素原子、水酸基、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数６
〜14のアリール基或いは炭素数７〜18のアラルキル基で
あり（但し、Ｒ1 〜Ｒ5 の少なくとも１つ、Ｒ6 〜Ｒ10
の少なくとも１つ及びＲ15〜Ｒ 19の少なくとも１つは水
酸基である）、Ｒa 、Ｒb 及びＲc は同一又は異なり、
水素原子又は炭素数１〜６のアルキル基である〕で示さ
れるフェノール性化合物の１，２−キノンジアジドスル
ホン酸エステル１〜85重量部を含有してなることを特徴
とするポジ型レジスト組成物が記載されている。しかし
ながら、この組成物は焦点深度等の観点から満足できる
ものではない。
素原子、水酸基、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数６
〜14のアリール基或いは炭素数７〜18のアラルキル基で
あり（但し、Ｒ1 〜Ｒ5 の少なくとも１つ、Ｒ6 〜Ｒ10
の少なくとも１つ及びＲ15〜Ｒ 19の少なくとも１つは水
酸基である）、Ｒa 、Ｒb 及びＲc は同一又は異なり、
水素原子又は炭素数１〜６のアルキル基である〕で示さ
れるフェノール性化合物の１，２−キノンジアジドスル
ホン酸エステル１〜85重量部を含有してなることを特徴
とするポジ型レジスト組成物が記載されている。しかし
ながら、この組成物は焦点深度等の観点から満足できる
ものではない。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明は感度、解像
度、耐熱性、プロファイル及び焦点深度等諸性能のバラ
ンスに優れ、且つ現像残さ（スカム）のないポジ型レジ
スト組成物を提供する。
度、耐熱性、プロファイル及び焦点深度等諸性能のバラ
ンスに優れ、且つ現像残さ（スカム）のないポジ型レジ
スト組成物を提供する。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、(A) ｍ−クレ
ゾール、３，４−キシレノール及び一般式（Ｉ）
ゾール、３，４−キシレノール及び一般式（Ｉ）
【０００７】
【化３】
【０００８】（式中、Ｒ1 は低級アルキル基を、Ｒ2 は
水素原子又は低級アルキル基を、各々表わす。）で示さ
れるフェノール類のフェノール類混合物並びにアルデヒ
ド類を縮合反応させて得られるノボラック樹脂と、(B)
１，２−キノンジアジド化合物と、(C) 分子量900 未満
のアルカリ可溶性化合物とを含有することを特徴とする
ポジ型レジスト組成物である。
水素原子又は低級アルキル基を、各々表わす。）で示さ
れるフェノール類のフェノール類混合物並びにアルデヒ
ド類を縮合反応させて得られるノボラック樹脂と、(B)
１，２−キノンジアジド化合物と、(C) 分子量900 未満
のアルカリ可溶性化合物とを含有することを特徴とする
ポジ型レジスト組成物である。
【０００９】一般式（Ｉ）で示されるフェノール類とし
ては、ｏ−クレゾール、ｏ−エチルフェノール、ｏ−ブ
チルフェノール及び２，５−キシレノール等が挙げられ
る。好ましくはｏ−クレゾール及び２，５−キシレノー
ルから選ばれた少なくとも１種以上が、より好ましくは
ｏ−クレゾール又は２，５−キシレノールが、特に好ま
しくは２，５−キシレノールが、各々挙げられる。上記
フェノール類混合物の好ましい組成はｍ−クレゾール：
３，４−キシレノール：一般式（Ｉ）で示されるフェノ
ール類＝55〜75：５〜10：15〜30（モル％）〔より好ま
しい組成は同じく60〜75：８〜10：15〜30〕の範囲であ
る。
ては、ｏ−クレゾール、ｏ−エチルフェノール、ｏ−ブ
チルフェノール及び２，５−キシレノール等が挙げられ
る。好ましくはｏ−クレゾール及び２，５−キシレノー
ルから選ばれた少なくとも１種以上が、より好ましくは
ｏ−クレゾール又は２，５−キシレノールが、特に好ま
しくは２，５−キシレノールが、各々挙げられる。上記
フェノール類混合物の好ましい組成はｍ−クレゾール：
３，４−キシレノール：一般式（Ｉ）で示されるフェノ
ール類＝55〜75：５〜10：15〜30（モル％）〔より好ま
しい組成は同じく60〜75：８〜10：15〜30〕の範囲であ
る。
【００１０】アルデヒド類としては、例えばホルムアル
デヒド、パラホルムアルデヒド、アセトアルデヒド、グ
リオキサール、ベンズアルデヒド、ｐ−ヒドロキシベン
ズアルデヒド、テレフタルアルデヒド及びサリチルアル
デヒド等から選ばれた少なくとも１種以上が挙げられ
る。アルデヒド類としてはホルムアルデヒドが好まし
い。縮合反応は常法により行われる。反応温度及び時間
は通常60〜120 ℃・２〜30時間であり、触媒としては無
機酸（塩酸、硫酸もしくは燐酸等）、有機酸（蓚酸、酢
酸もしくはｐ−トルエンスルホン酸等）又は二価金属塩
（酢酸亜鉛等）が用いられ、反応溶媒の存在下もしくは
無存在下に縮合が行われる。縮合反応により得られたノ
ボラック樹脂は分別等の手段を用いて、そのポリスチレ
ン換算分子量900 以下の範囲のGPC パターン面積比（検
出器：UV２５４ｎｍ）が、未反応フェノール類のパター
ン面積を除く全パターン面積に対して好ましくは25％以
下（より好ましくは20％以下）に調製される。分別は縮
合により得られたノボラック樹脂を、良溶媒（例えばメ
タノールもしくはエタノール等のアルコール類、アセト
ン、メチルエチルケトンもしくはメチルイソブチルケト
ン等のケトン類、エチレングリコールエーテル類、エチ
ルセロソルブアセテート等のエーテルエステル類又はテ
トラヒドロフラン等）に溶解し、次いで得られた溶液を
水中に注いで沈澱させる方法、或いはペンタン、ヘキサ
ンもしくはヘプタン等の溶媒に注いで分液させる方法に
より行われる。
デヒド、パラホルムアルデヒド、アセトアルデヒド、グ
リオキサール、ベンズアルデヒド、ｐ−ヒドロキシベン
ズアルデヒド、テレフタルアルデヒド及びサリチルアル
デヒド等から選ばれた少なくとも１種以上が挙げられ
る。アルデヒド類としてはホルムアルデヒドが好まし
い。縮合反応は常法により行われる。反応温度及び時間
は通常60〜120 ℃・２〜30時間であり、触媒としては無
機酸（塩酸、硫酸もしくは燐酸等）、有機酸（蓚酸、酢
酸もしくはｐ−トルエンスルホン酸等）又は二価金属塩
（酢酸亜鉛等）が用いられ、反応溶媒の存在下もしくは
無存在下に縮合が行われる。縮合反応により得られたノ
ボラック樹脂は分別等の手段を用いて、そのポリスチレ
ン換算分子量900 以下の範囲のGPC パターン面積比（検
出器：UV２５４ｎｍ）が、未反応フェノール類のパター
ン面積を除く全パターン面積に対して好ましくは25％以
下（より好ましくは20％以下）に調製される。分別は縮
合により得られたノボラック樹脂を、良溶媒（例えばメ
タノールもしくはエタノール等のアルコール類、アセト
ン、メチルエチルケトンもしくはメチルイソブチルケト
ン等のケトン類、エチレングリコールエーテル類、エチ
ルセロソルブアセテート等のエーテルエステル類又はテ
トラヒドロフラン等）に溶解し、次いで得られた溶液を
水中に注いで沈澱させる方法、或いはペンタン、ヘキサ
ンもしくはヘプタン等の溶媒に注いで分液させる方法に
より行われる。
【００１１】１，２−キノンジアジド化合物としては、
例えばフェノール化合物と１，２−ナフトキノンジアジ
ド−４−又は−５−スルホン酸クロリドとを、例えばト
リエチルアミン又は炭酸ナトリウム等の弱アルカリの存
在下で縮合させた化合物等が挙げられる。フェノール化
合物としては、例えば特開平２−103543号公報の３頁に
一般式で記載された化合物、特開平２−32352 号公報に
一般式(I) 又は(II)で記載された化合物、特開平２−26
9351号公報に一般式(I) で記載された化合物、特開平４
−50851 号公報の４頁に式で記載されている化合物、特
開平５−27446 号公報に式(1) で記載された化合物及び
特開平３−185447号公報に一般式(I) で記載された化合
物を含むオキシフラバン類等が挙げられる。これらの
１，２−キノンジアジド化合物は１種又は２種以上混合
して用いられる。１，２−キノンジアジド化合物の好ま
しい使用量はポジ型レジスト組成物の全固形分中、10〜
50重量％である。
例えばフェノール化合物と１，２−ナフトキノンジアジ
ド−４−又は−５−スルホン酸クロリドとを、例えばト
リエチルアミン又は炭酸ナトリウム等の弱アルカリの存
在下で縮合させた化合物等が挙げられる。フェノール化
合物としては、例えば特開平２−103543号公報の３頁に
一般式で記載された化合物、特開平２−32352 号公報に
一般式(I) 又は(II)で記載された化合物、特開平２−26
9351号公報に一般式(I) で記載された化合物、特開平４
−50851 号公報の４頁に式で記載されている化合物、特
開平５−27446 号公報に式(1) で記載された化合物及び
特開平３−185447号公報に一般式(I) で記載された化合
物を含むオキシフラバン類等が挙げられる。これらの
１，２−キノンジアジド化合物は１種又は２種以上混合
して用いられる。１，２−キノンジアジド化合物の好ま
しい使用量はポジ型レジスト組成物の全固形分中、10〜
50重量％である。
【００１２】分子量900 未満のアルカリ可溶性化合物と
しては、フェノール性水酸基を少なくとも２個以上有す
る化合物が好ましい。より好ましいアルカリ可溶性化合
物としては特開平２−275955号公報に一般式（Ｉ）で記
載されている化合物、特開平４−50851 号公報に一般式
（Ｉ）で記載されている化合物又は特開平３−179353号
公報に一般式（Ｉ）で記載されている化合物等が挙げら
れる。分子量900 未満のアルカリ可溶性化合物の好まし
い使用量はポジ型レジスト組成物の全固形分中、３〜40
重量％である。本発明のポジ型レジスト組成物には必要
に応じて染料、接着性改良剤等の当該技術分野で慣用さ
れている添加物を加えてもよい。
しては、フェノール性水酸基を少なくとも２個以上有す
る化合物が好ましい。より好ましいアルカリ可溶性化合
物としては特開平２−275955号公報に一般式（Ｉ）で記
載されている化合物、特開平４−50851 号公報に一般式
（Ｉ）で記載されている化合物又は特開平３−179353号
公報に一般式（Ｉ）で記載されている化合物等が挙げら
れる。分子量900 未満のアルカリ可溶性化合物の好まし
い使用量はポジ型レジスト組成物の全固形分中、３〜40
重量％である。本発明のポジ型レジスト組成物には必要
に応じて染料、接着性改良剤等の当該技術分野で慣用さ
れている添加物を加えてもよい。
【００１３】ポジ型レジスト液の調製に用いる溶媒とし
ては適当な乾燥速度を有し、溶媒が蒸発して均一で平滑
な塗膜を与えるものがよい。このような溶媒としては、
例えばエチルセロソルブアセテート、プロピレングリコ
ールモノメチルエーテルアセテート等のグリコールエー
テルエステル類、特開平２−220056号公報に記載の溶
媒、ピルビン酸エチル、酢酸ｎ−アミルもしくは乳酸エ
チル等のエステル類、２−ヘプタノン、γ−ブチロラク
トン等のケトン類が挙げられる。これらの溶媒は単独
で、或いは２種以上混合して使用される。
ては適当な乾燥速度を有し、溶媒が蒸発して均一で平滑
な塗膜を与えるものがよい。このような溶媒としては、
例えばエチルセロソルブアセテート、プロピレングリコ
ールモノメチルエーテルアセテート等のグリコールエー
テルエステル類、特開平２−220056号公報に記載の溶
媒、ピルビン酸エチル、酢酸ｎ−アミルもしくは乳酸エ
チル等のエステル類、２−ヘプタノン、γ−ブチロラク
トン等のケトン類が挙げられる。これらの溶媒は単独
で、或いは２種以上混合して使用される。
【００１４】
【発明の効果】本発明のポジ型レジスト組成物は感度、
解像度、プロファイル、耐熱性及び焦点深度等の諸性能
のバランスに優れ、且つスカムがない。
解像度、プロファイル、耐熱性及び焦点深度等の諸性能
のバランスに優れ、且つスカムがない。
【００１５】
【実施例】以下、本発明を実施例により具体的に説明す
るが、本発明はこれらの実施例により何ら限定されるも
のではない。例中、部は重量部を示す。
るが、本発明はこれらの実施例により何ら限定されるも
のではない。例中、部は重量部を示す。
【００１６】合成例１ 内容積１０００mlの三ツ口フラスコに３，４−キシレノ
ール１６．８ｇ、２，５−キシレノール３３．６ｇ、ｍ
−クレゾール１３３．８ｇ、メチルイソブチルケトン１
４０．２ｇ、蓚酸２水和物４．２ｇ及び90％酢酸５６．
２ｇを仕込み、攪拌しながら３７％ホルマリン水溶液１
２２ｇを６０分かけて滴下した。その後、９５℃で１０
時間反応させた。次いで水洗脱水してノボラック樹脂の
メチルイソブチルケトン溶液を得た。ＧＰＣによるポリ
スチレン換算重量平均分子量は５１２３であった。 合成例２ 内容積１０００mlの三ツ口フラスコに３，４−キシレノ
ール１４．４ｇ、２，５−キシレノール５７．６ｇ、ｍ
−クレゾール１１４．７ｇ、メチルイソブチルケトン１
２０．１ｇ、蓚酸２水和物４．２ｇ及び90％酢酸５６．
２ｇを仕込み、攪拌しながら３７％ホルマリン水溶液１
２２ｇを６０分かけて滴下した。その後、９５℃で１０
時間反応させた。次いで水洗脱水してノボラック樹脂の
メチルイソブチルケトン溶液を得た。ＧＰＣによるポリ
スチレン換算重量平均分子量は５４２３であった。 合成例３ 内容積１０００mlの三ツ口フラスコに３，４−キシレノ
ール１６．８ｇ、ｍ−クレゾール１３３．８ｇ、ｏ−ク
レゾール２９．７ｇ、メチルイソブチルケトン３３６
ｇ、蓚酸２水和物４．２ｇ及び90％酢酸５６．２ｇを仕
込み、攪拌しながら３７％ホルマリン水溶液１２２ｇを
６０分かけて滴下した。その後、９５℃で１２時間反応
させた。次いで水洗脱水してノボラック樹脂のメチルイ
ソブチルケトン溶液を得た。ＧＰＣによるポリスチレン
換算重量平均分子量は５００２であった。 合成例４ 内容積１０００mlの三ツ口フラスコに３，４−キシレノ
ール１６．８ｇ、ｍ−クレゾール１３３．８ｇ、ｏ−ク
レゾール５９．５ｇ、メチルイソブチルケトン３９１
ｇ、蓚酸２水和物４．９ｇ及び90％酢酸６５．５ｇを仕
込み、攪拌しながら３７％ホルマリン水溶液１４０ｇを
６０分かけて滴下した。その後、９５℃で１２時間反応
させた。次いで水洗脱水してノボラック樹脂のメチルイ
ソブチルケトン溶液を得た。ＧＰＣによるポリスチレン
換算重量平均分子量は５２０７であった。
ール１６．８ｇ、２，５−キシレノール３３．６ｇ、ｍ
−クレゾール１３３．８ｇ、メチルイソブチルケトン１
４０．２ｇ、蓚酸２水和物４．２ｇ及び90％酢酸５６．
２ｇを仕込み、攪拌しながら３７％ホルマリン水溶液１
２２ｇを６０分かけて滴下した。その後、９５℃で１０
時間反応させた。次いで水洗脱水してノボラック樹脂の
メチルイソブチルケトン溶液を得た。ＧＰＣによるポリ
スチレン換算重量平均分子量は５１２３であった。 合成例２ 内容積１０００mlの三ツ口フラスコに３，４−キシレノ
ール１４．４ｇ、２，５−キシレノール５７．６ｇ、ｍ
−クレゾール１１４．７ｇ、メチルイソブチルケトン１
２０．１ｇ、蓚酸２水和物４．２ｇ及び90％酢酸５６．
２ｇを仕込み、攪拌しながら３７％ホルマリン水溶液１
２２ｇを６０分かけて滴下した。その後、９５℃で１０
時間反応させた。次いで水洗脱水してノボラック樹脂の
メチルイソブチルケトン溶液を得た。ＧＰＣによるポリ
スチレン換算重量平均分子量は５４２３であった。 合成例３ 内容積１０００mlの三ツ口フラスコに３，４−キシレノ
ール１６．８ｇ、ｍ−クレゾール１３３．８ｇ、ｏ−ク
レゾール２９．７ｇ、メチルイソブチルケトン３３６
ｇ、蓚酸２水和物４．２ｇ及び90％酢酸５６．２ｇを仕
込み、攪拌しながら３７％ホルマリン水溶液１２２ｇを
６０分かけて滴下した。その後、９５℃で１２時間反応
させた。次いで水洗脱水してノボラック樹脂のメチルイ
ソブチルケトン溶液を得た。ＧＰＣによるポリスチレン
換算重量平均分子量は５００２であった。 合成例４ 内容積１０００mlの三ツ口フラスコに３，４−キシレノ
ール１６．８ｇ、ｍ−クレゾール１３３．８ｇ、ｏ−ク
レゾール５９．５ｇ、メチルイソブチルケトン３９１
ｇ、蓚酸２水和物４．９ｇ及び90％酢酸６５．５ｇを仕
込み、攪拌しながら３７％ホルマリン水溶液１４０ｇを
６０分かけて滴下した。その後、９５℃で１２時間反応
させた。次いで水洗脱水してノボラック樹脂のメチルイ
ソブチルケトン溶液を得た。ＧＰＣによるポリスチレン
換算重量平均分子量は５２０７であった。
【００１７】合成例５ 合成例１で得られたノボラック樹脂のメチルイソブチル
ケトン溶液（ノボラック樹脂の含有量４６．９重量％）
２００ｇを５Ｌの底抜きセパラブルフラスコに仕込み、
さらにメチルイソブチルケトン２６９ｇとノルマルヘプ
タン３１９ｇを加えて６０℃で３０分間攪拌後、静置、
分液した。分液後、得られた下層に２−ヘプタノン３０
０ｇを仕込み、次いでメチルイソブチルケトン及びノル
マルヘプタンをエバポレーターにより除去してノボラッ
ク樹脂の２−ヘプタノン溶液を得た。ＧＰＣによるポリ
スチレン換算重量平均分子量は７６３２でありポリスチ
レン換算分子量で９００以下の範囲の面積比は全パター
ン面積に対して１６．４％であった。 合成例６ 合成例２で得られたノボラック樹脂のメチルイソブチル
ケトン溶液（ノボラック樹脂の含有量４０．５重量％）
２００ｇを５Ｌの底抜きセパラブルフラスコに仕込み、
さらにメチルイソブチルケトン２０５．３ｇとノルマル
ヘプタン２７６．２ｇを加えて６０℃で３０分間攪拌
後、静置、分液した。分液後、得られた下層に２−ヘプ
タノン３００ｇを仕込み、次いでメチルイソブチルケト
ン及びノルマルヘプタンをエバポレーターにより除去し
てノボラック樹脂の２−ヘプタノン溶液を得た。ＧＰＣ
によるポリスチレン換算重量平均分子量は７８０２であ
り、ポリスチレン換算分子量で９００以下の範囲の面積
比は全パターン面積に対して１６．４％であった。 合成例７ 合成例３で得られたノボラック樹脂のメチルイソブチル
ケトン溶液（ノボラック樹脂の含有量３７．７重量％）
１５０ｇを５Ｌの底抜きセパラブルフラスコに仕込み、
さらにメチルイソブチルケトン１４０ｇとノルマルヘプ
タン１８３ｇを加えて６０℃で３０分間攪拌後、静置、
分液した。分液後、得られた下層に２−ヘプタノン２０
０ｇを仕込み、次いでメチルイソブチルケトン及びノル
マルヘプタンをエバポレーターにより除去してノボラッ
ク樹脂の２−ヘプタノン溶液を得た。ＧＰＣによるポリ
スチレン換算重量平均分子量は７３６２であり、ポリス
チレン換算分子量で９００以下の範囲の面積比は全パタ
ーン面積に対して１８．３％であった。 合成例８ 合成例４で得られたノボラック樹脂のメチルイソブチル
ケトン溶液（ノボラック樹脂の含有量４２．５重量％）
１５０ｇを５Ｌの底抜きセパラブルフラスコに仕込み、
さらにメチルイソブチルケトン１２７ｇとノルマルヘプ
タン１８９ｇを加えて６０℃で３０分間攪拌後、静置、
分液した。分液後、得られた下層に２−ヘプタノン２０
０ｇを仕込み、次いでメチルイソブチルケトン及びノル
マルヘプタンをエバポレーターにより除去してノボラッ
ク樹脂の２−ヘプタノン溶液を得た。ＧＰＣによるポリ
スチレン換算重量平均分子量は７０５２であり、ポリス
チレン換算分子量で９００以下の範囲の面積比は全パタ
ーン面積に対して２０．５％であった。
ケトン溶液（ノボラック樹脂の含有量４６．９重量％）
２００ｇを５Ｌの底抜きセパラブルフラスコに仕込み、
さらにメチルイソブチルケトン２６９ｇとノルマルヘプ
タン３１９ｇを加えて６０℃で３０分間攪拌後、静置、
分液した。分液後、得られた下層に２−ヘプタノン３０
０ｇを仕込み、次いでメチルイソブチルケトン及びノル
マルヘプタンをエバポレーターにより除去してノボラッ
ク樹脂の２−ヘプタノン溶液を得た。ＧＰＣによるポリ
スチレン換算重量平均分子量は７６３２でありポリスチ
レン換算分子量で９００以下の範囲の面積比は全パター
ン面積に対して１６．４％であった。 合成例６ 合成例２で得られたノボラック樹脂のメチルイソブチル
ケトン溶液（ノボラック樹脂の含有量４０．５重量％）
２００ｇを５Ｌの底抜きセパラブルフラスコに仕込み、
さらにメチルイソブチルケトン２０５．３ｇとノルマル
ヘプタン２７６．２ｇを加えて６０℃で３０分間攪拌
後、静置、分液した。分液後、得られた下層に２−ヘプ
タノン３００ｇを仕込み、次いでメチルイソブチルケト
ン及びノルマルヘプタンをエバポレーターにより除去し
てノボラック樹脂の２−ヘプタノン溶液を得た。ＧＰＣ
によるポリスチレン換算重量平均分子量は７８０２であ
り、ポリスチレン換算分子量で９００以下の範囲の面積
比は全パターン面積に対して１６．４％であった。 合成例７ 合成例３で得られたノボラック樹脂のメチルイソブチル
ケトン溶液（ノボラック樹脂の含有量３７．７重量％）
１５０ｇを５Ｌの底抜きセパラブルフラスコに仕込み、
さらにメチルイソブチルケトン１４０ｇとノルマルヘプ
タン１８３ｇを加えて６０℃で３０分間攪拌後、静置、
分液した。分液後、得られた下層に２−ヘプタノン２０
０ｇを仕込み、次いでメチルイソブチルケトン及びノル
マルヘプタンをエバポレーターにより除去してノボラッ
ク樹脂の２−ヘプタノン溶液を得た。ＧＰＣによるポリ
スチレン換算重量平均分子量は７３６２であり、ポリス
チレン換算分子量で９００以下の範囲の面積比は全パタ
ーン面積に対して１８．３％であった。 合成例８ 合成例４で得られたノボラック樹脂のメチルイソブチル
ケトン溶液（ノボラック樹脂の含有量４２．５重量％）
１５０ｇを５Ｌの底抜きセパラブルフラスコに仕込み、
さらにメチルイソブチルケトン１２７ｇとノルマルヘプ
タン１８９ｇを加えて６０℃で３０分間攪拌後、静置、
分液した。分液後、得られた下層に２−ヘプタノン２０
０ｇを仕込み、次いでメチルイソブチルケトン及びノル
マルヘプタンをエバポレーターにより除去してノボラッ
ク樹脂の２−ヘプタノン溶液を得た。ＧＰＣによるポリ
スチレン換算重量平均分子量は７０５２であり、ポリス
チレン換算分子量で９００以下の範囲の面積比は全パタ
ーン面積に対して２０．５％であった。
【００１８】実施例（例番号１〜４） ノボラック樹脂（表中、樹脂と略記する）、１，２−キ
ノンジアジド化合物（表中、感光剤と略記する）及びア
ルカリ可溶性化合物（表中、添加剤と略記する）を下表
に示す組成で、２−ヘプタノン５１部に混合・溶解し
た。溶液を孔径０．２μｍのテフロン製フィルターで濾
過してレジスト液を調製した。常法により洗浄したシリ
コウェハーに回転塗布器を用いて上記レジスト液を１．
０６μｍ厚に塗布し、ホットプレートで９０℃・１分ベ
ークした。次いで、３６５ｎｍ（ｉ線）の露光波長を有
する縮小投影露光器（ニコン社製品，ＮＳＲ１７５５ｉ
７Ａ ＮＡ＝０．５）を用いて露光量を段階的に変化さ
せて露光した。次いで、このウェハーをホットプレート
で１１０℃・１分ベークした。これをＳＯＰＤ〔アルカ
リ現像液；住友化学工業（株）製品〕で１分現像してポ
ジ型パターンを得た。解像度は０．５μｍラインアンド
スペースパターンが１：１になる露光量（実効感度）で
膜減り無く分離する最小のラインアンドスペースパター
ンの寸法を走査型電子顕微鏡で評価した。プロファイル
及びスカムは各々０．５μｍ及び０．３５μｍラインア
ンドスペースパターンの、それぞれ実効感度における断
面形状及び現像残さを走査型電子顕微鏡で観察した。耐
熱性は１２４℃のホットプレート上で３分間加熱したと
きのレジストパターンのだれ具合を５段階で評価した。
（５は耐熱性が最も良好であり、１は耐熱性が不良であ
ることを示す。）
ノンジアジド化合物（表中、感光剤と略記する）及びア
ルカリ可溶性化合物（表中、添加剤と略記する）を下表
に示す組成で、２−ヘプタノン５１部に混合・溶解し
た。溶液を孔径０．２μｍのテフロン製フィルターで濾
過してレジスト液を調製した。常法により洗浄したシリ
コウェハーに回転塗布器を用いて上記レジスト液を１．
０６μｍ厚に塗布し、ホットプレートで９０℃・１分ベ
ークした。次いで、３６５ｎｍ（ｉ線）の露光波長を有
する縮小投影露光器（ニコン社製品，ＮＳＲ１７５５ｉ
７Ａ ＮＡ＝０．５）を用いて露光量を段階的に変化さ
せて露光した。次いで、このウェハーをホットプレート
で１１０℃・１分ベークした。これをＳＯＰＤ〔アルカ
リ現像液；住友化学工業（株）製品〕で１分現像してポ
ジ型パターンを得た。解像度は０．５μｍラインアンド
スペースパターンが１：１になる露光量（実効感度）で
膜減り無く分離する最小のラインアンドスペースパター
ンの寸法を走査型電子顕微鏡で評価した。プロファイル
及びスカムは各々０．５μｍ及び０．３５μｍラインア
ンドスペースパターンの、それぞれ実効感度における断
面形状及び現像残さを走査型電子顕微鏡で観察した。耐
熱性は１２４℃のホットプレート上で３分間加熱したと
きのレジストパターンのだれ具合を５段階で評価した。
（５は耐熱性が最も良好であり、１は耐熱性が不良であ
ることを示す。）
【００１９】
【表１】
【００２０】上表中、添加剤Ｃは下式
【００２１】
【化４】
【００２２】で示される分子量900 未満のアルカリ可溶
性化合物である。
性化合物である。
【００２３】上表中、感光剤Ｂ及びＡは１，２−ナフト
キノンジアジド−５−スルホン酸クロリドと、下式
キノンジアジド−５−スルホン酸クロリドと、下式
【００２４】
【化５】
【００２５】
【化６】
【００２６】で示されるフェノール化合物との縮合生成
物であり、各フェノール化合物１モルに対する１，２−
ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸クロリドの使用
量はそれぞれ２モル及び2.8 モルである。
物であり、各フェノール化合物１モルに対する１，２−
ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸クロリドの使用
量はそれぞれ２モル及び2.8 モルである。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 橋本 和彦 大阪府大阪市此花区春日出中３丁目１番98 号 住友化学工業株式会社内
Claims (6)
- 【請求項１】(A) ｍ−クレゾール、３，４−キシレノー
ル及び一般式（Ｉ） 【化１】 （式中、Ｒ1 は低級アルキル基を、Ｒ2 は水素原子又は
低級アルキル基を、各々表わす。）で示されるフェノー
ル類のフェノール類混合物並びにアルデヒド類を縮合反
応させて得られるノボラック樹脂と、(B) １，２−キノ
ンジアジド化合物と、(C) 分子量900 未満のアルカリ可
溶性化合物とを含有することを特徴とするポジ型レジス
ト組成物。 - 【請求項２】フェノール類混合物の組成がｍ−クレゾー
ル：３，４−キシレノール：一般式（Ｉ）で示されるフ
ェノール類＝55〜75：５〜10：15〜30（モル％）の範囲
にある、請求項１に記載のポジ型レジスト組成物。 - 【請求項３】ノボラック樹脂のポリスチレン換算分子量
900 以下の範囲のGPC パターン面積比が、未反応フェノ
ール類混合物のパターン面積を除く全パターン面積に対
して25％以下である請求項１又は２に記載のポジ型レジ
スト組成物。 - 【請求項４】一般式（Ｉ）で示されるフェノール類がｏ
−クレゾール及び２，５−キシレノールから選ばれた少
なくとも１種以上である請求項１〜３のいずれかに記載
のポジ型レジスト組成物。 - 【請求項５】一般式（Ｉ）で示されるフェノール類がｏ
−クレゾール又は２，５−キシレノールである請求項１
〜３のいずれかに記載のポジ型レジスト組成物。 - 【請求項６】分子量900 未満のアルカリ可溶性化合物が
フェノール性水酸基を２個以上有する化合物である、請
求項１〜５のいずれかに記載のポジ型レジスト組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5333798A JPH07191461A (ja) | 1993-12-27 | 1993-12-27 | ポジ型レジスト組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5333798A JPH07191461A (ja) | 1993-12-27 | 1993-12-27 | ポジ型レジスト組成物 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07191461A true JPH07191461A (ja) | 1995-07-28 |
Family
ID=18270079
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5333798A Pending JPH07191461A (ja) | 1993-12-27 | 1993-12-27 | ポジ型レジスト組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07191461A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004053595A1 (ja) * | 2002-12-06 | 2004-06-24 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Ｌｃｄ製造用ポジ型ホトレジスト組成物およびレジストパターンの形成方法 |
| KR100531595B1 (ko) * | 2001-11-16 | 2005-11-28 | 도오꾜오까고오교 가부시끼가이샤 | 포지티브형 포토레지스트 조성물 및 경사 임플랜테이션프로세스용 박막 레지스트 패턴의 형성방법 |
-
1993
- 1993-12-27 JP JP5333798A patent/JPH07191461A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100531595B1 (ko) * | 2001-11-16 | 2005-11-28 | 도오꾜오까고오교 가부시끼가이샤 | 포지티브형 포토레지스트 조성물 및 경사 임플랜테이션프로세스용 박막 레지스트 패턴의 형성방법 |
| WO2004053595A1 (ja) * | 2002-12-06 | 2004-06-24 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Ｌｃｄ製造用ポジ型ホトレジスト組成物およびレジストパターンの形成方法 |
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Effective date: 20040601 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 |