JPH071800Y2 - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPH071800Y2 JPH071800Y2 JP16649388U JP16649388U JPH071800Y2 JP H071800 Y2 JPH071800 Y2 JP H071800Y2 JP 16649388 U JP16649388 U JP 16649388U JP 16649388 U JP16649388 U JP 16649388U JP H071800 Y2 JPH071800 Y2 JP H071800Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resin
- package
- lead
- semiconductor device
- tie bar
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】 本考案は半導体装置、特に樹脂封止型半導体装置に関す
るものである。従来の半導体装置は第1図(a)に示す
ように金属板或はリードフレームで固着された半導体素
子Sを樹脂封止材で封止してパッケージ1を形成しリー
ド部4を突出して構成されている。このような従来の半
導体装置は第1図(b)、(c)に示すように予め金属
板等を打抜きリードフレーム2を形成して半導体素子を
固着した後、樹脂封止材で同時に複数個のパッケージ1
を形成し、その後タイバー3a及びリード部4を切断する
ことにより個別の半導体装置を形成している。所で係る
従来装置はパッケージ1の形成時にパッケージ1から突
出するリード部4とタイバー3aとの間に樹脂バリ或は樹
脂詰等のダム内レジン5aが発生する。このため切断工程
において、先ず第2図(a)の如く同一又は個別の支持
金型8a上にパッケージ1及びリード部4を置き、上部よ
りレジン押圧型材7aよりダム内レジン5aを押圧除去し、
次いで第2図(b)の如くタイバー打抜型材7bによりタ
イバー打抜除去を行う。或は、第2図(c)のごとくレ
ジン、タイバー打抜型材7cにより同時にダム内レジン
と、タイバーの除去を行う方法が採用されている。然し
乍らこれらの方法では押圧或は打抜き加工時にパッケー
ジ端部まで打抜屑3b又は打抜かれたダム内レジン5bが漏
れ出し、パッケージ端部の損傷を来だし、又、リード部
4のダム内レジン5aと、支持金型8a、8cとの間隔Soが押
圧、又は打抜型材(7a又は7c)の貫通距離に比し大きい
ため、金型内で打抜屑等が詰まる。
るものである。従来の半導体装置は第1図(a)に示す
ように金属板或はリードフレームで固着された半導体素
子Sを樹脂封止材で封止してパッケージ1を形成しリー
ド部4を突出して構成されている。このような従来の半
導体装置は第1図(b)、(c)に示すように予め金属
板等を打抜きリードフレーム2を形成して半導体素子を
固着した後、樹脂封止材で同時に複数個のパッケージ1
を形成し、その後タイバー3a及びリード部4を切断する
ことにより個別の半導体装置を形成している。所で係る
従来装置はパッケージ1の形成時にパッケージ1から突
出するリード部4とタイバー3aとの間に樹脂バリ或は樹
脂詰等のダム内レジン5aが発生する。このため切断工程
において、先ず第2図(a)の如く同一又は個別の支持
金型8a上にパッケージ1及びリード部4を置き、上部よ
りレジン押圧型材7aよりダム内レジン5aを押圧除去し、
次いで第2図(b)の如くタイバー打抜型材7bによりタ
イバー打抜除去を行う。或は、第2図(c)のごとくレ
ジン、タイバー打抜型材7cにより同時にダム内レジン
と、タイバーの除去を行う方法が採用されている。然し
乍らこれらの方法では押圧或は打抜き加工時にパッケー
ジ端部まで打抜屑3b又は打抜かれたダム内レジン5bが漏
れ出し、パッケージ端部の損傷を来だし、又、リード部
4のダム内レジン5aと、支持金型8a、8cとの間隔Soが押
圧、又は打抜型材(7a又は7c)の貫通距離に比し大きい
ため、金型内で打抜屑等が詰まる。
このため金型或は打抜型材の清掃等に工数を要する等、
除去効率の点で問題があり、しかも打抜型材に打抜屑が
付着するため打抜型材或は金型の摩耗が激しく、金型等
の寿命が短い等の欠点がある。本考案は係る欠点を解消
した半導体装置を提供するものでリードフレーム等に固
着した半導体素子を樹脂封止材で封止してパッケージを
形成した半導体装置において、リード部が突出している
側の該リード部と対向する前記パッケージ端部に切欠部
を形成すると共に前記リード部面から前記切欠部までの
樹脂厚を前記リード部の厚さとほヾ同程度に設定したこ
とを特徴とするものである。
除去効率の点で問題があり、しかも打抜型材に打抜屑が
付着するため打抜型材或は金型の摩耗が激しく、金型等
の寿命が短い等の欠点がある。本考案は係る欠点を解消
した半導体装置を提供するものでリードフレーム等に固
着した半導体素子を樹脂封止材で封止してパッケージを
形成した半導体装置において、リード部が突出している
側の該リード部と対向する前記パッケージ端部に切欠部
を形成すると共に前記リード部面から前記切欠部までの
樹脂厚を前記リード部の厚さとほヾ同程度に設定したこ
とを特徴とするものである。
第3図(a)(b)は本考案の一実施例構造図及びその
部分的拡大図で従来例と同一符号は同等部分を示す。
部分的拡大図で従来例と同一符号は同等部分を示す。
1はパッケージ(樹脂部)、3aはタイバー、9aは本考案
の要部を形成する封止樹脂の逃がし溝(以下切欠部)で
ある。なお、切欠部9aは、リード部下面より切欠部9aま
での樹脂部厚さ(9b)を、リードフレームの板厚(t)
とほヾ同程度(t≒9b)、又切欠部9aの巾9cを板厚t<
9cになるように設定する。
の要部を形成する封止樹脂の逃がし溝(以下切欠部)で
ある。なお、切欠部9aは、リード部下面より切欠部9aま
での樹脂部厚さ(9b)を、リードフレームの板厚(t)
とほヾ同程度(t≒9b)、又切欠部9aの巾9cを板厚t<
9cになるように設定する。
このように構成すれば、第4図の打抜き説明図に示す如
く支持金型8bが切欠部9aに入り込みパッケージ端部を支
持すると共にリード部下面より支持金型8bまでの間隔So
を小さくできるため、打抜屑及び、ダム内レジン押圧除
去屑の加工が容易になり、製品歩溜りを大巾に向上させ
ることが出来る。又、ダム内レジン巾5cを従来のダム内
レジン巾より小さくできるため封止樹脂の歩溜り向上が
計れる。更に従来の位置より樹脂パッケージ近傍へタイ
バーの位置を設けてもタイバー打抜きが可能となり、二
次効果としてダム内レジン打抜きが不要となる。又、実
装基板への実装高さを低くした小型の半導体装置が供給
できる等の利点がある。
く支持金型8bが切欠部9aに入り込みパッケージ端部を支
持すると共にリード部下面より支持金型8bまでの間隔So
を小さくできるため、打抜屑及び、ダム内レジン押圧除
去屑の加工が容易になり、製品歩溜りを大巾に向上させ
ることが出来る。又、ダム内レジン巾5cを従来のダム内
レジン巾より小さくできるため封止樹脂の歩溜り向上が
計れる。更に従来の位置より樹脂パッケージ近傍へタイ
バーの位置を設けてもタイバー打抜きが可能となり、二
次効果としてダム内レジン打抜きが不要となる。又、実
装基板への実装高さを低くした小型の半導体装置が供給
できる等の利点がある。
第5図(a)(b)は本考案の他の実施例構造図で
(a)図は切欠部9aをパッケージ1の端部に沿って連続
的に設けるようにしたものであり、又(b)図は切欠部
9aを前記端部のリード部との対向部のみに設けるように
したものである。以上の説明から明らかなように本考案
によれば、パッケージ端部の損傷防止でき、しかも製作
容易な装置を提供できるので特に小型化要求に適応でき
る等実用上の効果は大きい。
(a)図は切欠部9aをパッケージ1の端部に沿って連続
的に設けるようにしたものであり、又(b)図は切欠部
9aを前記端部のリード部との対向部のみに設けるように
したものである。以上の説明から明らかなように本考案
によれば、パッケージ端部の損傷防止でき、しかも製作
容易な装置を提供できるので特に小型化要求に適応でき
る等実用上の効果は大きい。
第1図、第2図は従来装置の構造図及びその切断工程説
明図、第3図、第4図は本考案の一実施例構造図及びそ
の切断工程説明図、第5図は本考案の他の実施例構造図
である。図において、 1……パッケージ部、2……リードフレーム、3a……タ
イバー、3b……タイバー打抜屑、4……リード部、5a…
…ダム内レジン、5b……ダム内レジン押圧除去屑、5c…
…押圧除去不要寸法のダム内レジン巾、6……切断線、
7a……レジン押圧型材、7b……タイバー打抜型材、7c…
…レジン、タイバー打抜型材、8a……レジン屑落し型
材、8b……タイバー打抜屑落し型材、8c……レジン、タ
イバー屑落し型材、9a……切欠部、9b……リード線面か
ら切欠部面までの高さ、9c……樹脂端面から切欠巾。
明図、第3図、第4図は本考案の一実施例構造図及びそ
の切断工程説明図、第5図は本考案の他の実施例構造図
である。図において、 1……パッケージ部、2……リードフレーム、3a……タ
イバー、3b……タイバー打抜屑、4……リード部、5a…
…ダム内レジン、5b……ダム内レジン押圧除去屑、5c…
…押圧除去不要寸法のダム内レジン巾、6……切断線、
7a……レジン押圧型材、7b……タイバー打抜型材、7c…
…レジン、タイバー打抜型材、8a……レジン屑落し型
材、8b……タイバー打抜屑落し型材、8c……レジン、タ
イバー屑落し型材、9a……切欠部、9b……リード線面か
ら切欠部面までの高さ、9c……樹脂端面から切欠巾。
Claims (2)
- 【請求項1】リードフレーム等に固着した半導体素子を
樹脂封止材で封止してパッケージを形成した半導体装置
において、リード部が突出している側の該リード部と対
向する前記パッケージ端部に切欠部を形成すると共に前
記リード部面から前記切欠部までの樹脂厚を前記リード
部の厚さとほゞ同程厚に設定したことを特徴とする半導
体装置。 - 【請求項2】切欠部をパッケージ端部に沿って連続的に
形成したことを特徴とする実用新案登録請求の範囲第
(1)項記載の半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP16649388U JPH071800Y2 (ja) | 1988-12-23 | 1988-12-23 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP16649388U JPH071800Y2 (ja) | 1988-12-23 | 1988-12-23 | 半導体装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0286142U JPH0286142U (ja) | 1990-07-09 |
JPH071800Y2 true JPH071800Y2 (ja) | 1995-01-18 |
Family
ID=31453923
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP16649388U Expired - Lifetime JPH071800Y2 (ja) | 1988-12-23 | 1988-12-23 | 半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH071800Y2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014207261A (ja) * | 2013-04-10 | 2014-10-30 | 株式会社デンソー | 半導体装置及びその製造方法 |
-
1988
- 1988-12-23 JP JP16649388U patent/JPH071800Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0286142U (ja) | 1990-07-09 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
EXPY | Cancellation because of completion of term |