JPH0145228B2 - - Google Patents

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JPH0145228B2
JPH0145228B2 JP59032069A JP3206984A JPH0145228B2 JP H0145228 B2 JPH0145228 B2 JP H0145228B2 JP 59032069 A JP59032069 A JP 59032069A JP 3206984 A JP3206984 A JP 3206984A JP H0145228 B2 JPH0145228 B2 JP H0145228B2
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semiconductor device
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Toshikazu Shutsuke
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Toshiba Corp
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Tokyo Shibaura Electric Co Ltd
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Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 この発明は、アウターリードの形成工程を含む
樹脂封止形半導体装置の製造方法に関する。
〔発明の技術的背景〕
ハイブリツドICの回路基板等に装着される樹
脂封止形半導体装置は従来次のようにして製造さ
れている。
まず、素子形成の終了したペレツトを、金属板
の抜き打ち（プレス）により形成されたリードフ
レームのベツド上に固着する。そして、ペレツト
のボンデイングパツド部とリードフレームのイン
ナーリード部とをワイヤボンデイングにより電気
的接続する。
この後、上記ペレツトとこのペレツトが配設さ
れたリードフレームのインナーリード部とをモー
ルド金型を用いて樹脂封止する。これにより第１
図に示すようにペレツトを内部に収納する樹脂封
止部１がリードフレーム２と一体となつた状態で
形成される。ここで上記樹脂封止工程において、
モールド金型の間隙よりモールド樹脂３が流れ出
しアウターリード２ａの表面に付着し硬化する。
第２図は第１図のＡ−A′線に沿つた断面図で、
ここに示すように樹脂３はアウターリード２ａの
側面に厚く付着する。
次にこのアウターリード２ａに付着した樹脂３
を除去するため、例えば粒子の吹き付けによるブ
ラスト工程を行う。
この後、半田メツキ等外装メツキをアウターリ
ード２ａに施し、リードフレーム２の不要な枠部
を切り落として製品とする。
この製品を回路基板に装着した場合には、第３
図に示すようにろう材６がアウターリード２ａの
側面から上面にまではい上つた状態で回路基板５
と接着する。
〔背景技術の問題点〕
ところで前述のブラスト工程ではアウターリー
ド２ａに付着した樹脂３を完全に除去することが
できない。このため、樹脂３が付着したままアウ
ターリード２ａに外装メツキを施すと第４図に示
すようにアウターリード２ａの上面および下面に
しか半田４が付着しないことがしばしばある。こ
のような製品を回路基板に装着した場合には、第
５図に示すようにろう材６とアウターリード２ａ
との接着面積が小さく、接着不良が発生し易いも
のである。
また、リードフレーム２としてプレス打ち抜き
加工により形成されたものでは、第６図に示すよ
うにアウターリード２ａにかえり部２a′がある。
このため、アウターリード２ａの全周に半田やメ
ツキが施されても、回路基板５への装着時にろう
材６のアウターリード２ａ上面へのはい上がりが
阻外されて、アウターリード２ａの接着状態が不
完全になり易い。
〔発明の目的〕
この発明は上記のような点に鑑みなされたもの
で、アウターリードへろう材がはい上がりやすく
信頼性の高い装置を製造することができ、アウタ
ーリード側面に付着した樹脂を確実に除去できる
樹脂封止形半導体装置の製造方法を提供すること
を目的とする。
〔発明の概要〕
すなわちこの発明による半導体装置の製造方法
では、リードフレームに配設されリードフレーム
の所定の部位と接続されたペレツトを樹脂封止し
た後、上記リードフレームのアウターリードの長
軸方向に沿つた角部を上下に動く金型によつて圧
潰するものである。このアウターリードの角部を
圧潰する工程において上記樹脂封止工程によりア
ウターリードに付着した樹脂が除去されるととも
にアウターリードの長軸方向に沿つた角部がろう
材のはい上り易い形に塑性変形する。
〔発明の実施例〕
以下図面を参照してこの発明の一実施例につき
説明する。まず、従来と同様の工程によりペレツ
トをリードフレーム上に配設し、このペレツトと
リードフレームの所定の部位とをボンデイングワ
イヤ等により接続する。そして引き続きモールド
金型を用いた樹脂封止工程を行ない、前述の第１
図に示すような装置を形成する。
その後、第７図に示すように上記装置のアウタ
ーリード２ａを下金型７上に載置し、この上方か
ら所定の開口角θを有するポンチ（上金型）８を
エアープレスによつて図示矢印方向に降ろしアウ
ターリード２ａを圧潰する。これによつて第８図
に示すようにアウターリード２ａの長軸方向に沿
つた角部が潰され、アウターリード２ａの上面お
よび側面と鈍角を成す圧潰面Ａが形成されるとと
もに、このアウターリード２ａの側面に付着した
樹脂３は剥離される方向に力を受け樹脂３の１部
が剥れる。
次いで、第９図に示すように上辺が塑性変形さ
れたアウターリード２ａを、開口角θを有するア
ウターリード受け台である下金型９上に載置し、
この上方から上金型１０を降ろしてアウターリー
ド２ａを下金型９に押し付ける。
これによつて第１０図に示すように、アウター
リード２ａの下面側も塑性変形し圧潰面Ａが形成
されるとともに、アウターリード２ａの側面に付
着した樹脂３が剥離状態となる。
次にブラスト工程を行つてアウターリード２ａ
に付着している樹脂を完全に除去し、第１１図に
示すようにアウターリード２ａに樹脂の残つてい
ない装置を形成する。この後、適宜リードフレー
ム２の不要な枠部の切断や、半田メツキ等の外装
メツキ処理を行ない製品とする。
このような樹脂封止形半導体装置の製造方法に
よれば、アウターリード２ａの側面の樹脂３を金
型８，９によつて予め剥離状態と成し、その後ブ
ラスト工程において樹脂３の除去作業を行なうの
で、樹脂３をほぼ完全に除去することができる。
加えてプレス打抜き加工により形成されたリー
ドフレーム２を有するものでは、リードフレーム
２のかえり部が金型８，９で潰されるため、回路
基板への装着時におけるろう材のはい上りが改善
される。
なお、アウターリード２ａを加圧し圧潰面Ａを
形成する工程は、第７図乃至第１０図に示すよう
な形状のポンチを用いるばかでなく例えば第１２
図に示すように円弧状の加圧面を有するポンチを
用いて行つてもよい。
〔発明の効果〕
第１３図は、樹脂封止工程後、第７図乃至第１
１図を用いて説明したようにアウターリードの角
部を圧潰する工程を行なつた後、ブラスト工程を
行なつて製造した樹脂封止形半導体装置のアウタ
ーリードの残存樹脂による不良発生率を示したも
のである。この図に示すように従来の製造方法に
よるものでは不良が約10％〜35％発生したが、こ
の発明によれば、ほぼ０％に低減した。
以上のように本発明によれば樹脂封止工程にお
いてアウターリードに付着した樹脂をほぼ完全に
除去できるとともに、アウターリードへのろう材
のはい上りが良好で回路基板への確実な装置の可
能な信頼性の高い樹脂封止形半導体装置を得られ
る樹脂封止形半導体装置の製造方法を提供でき
る。
【図面の簡単な説明】
第１図乃至第４図はそれぞれの従来の樹脂封止
形半導体装置の製造方法を説明する図、第５図お
よび第６図はそれぞれアウターリードの不良な装
着状態を示す図、第７図乃至第１１図はそれぞれ
この発明の一実施例に係る樹脂封止形半導体装置
の製造方法を説明する図、第１２図は同実施例方
法で用いられる金型の形状の一例を示す図、第１
３図はこの発明の一実施例方法による装置の残存
樹脂による不良発生率を従来の場合と比較して示
す図である。 １……樹脂部、２……リードフレーム、２ａ…
…アウターリード、３……樹脂、４……外装メツ
キ（半田）、５……回路基板、６……ろう材、７，
１０……下金型、８，９……上金型、Ａ……潰圧
面。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. １ リードフレーム上に配設されリードフレーム
    の所定の部位と接続されたペレツトを樹脂封止す
    る樹脂封止工程と、上記リードフレームのアウタ
    ーリードの長軸方向に沿つた角部を圧潰する工程
    とを具備したことを特徴とする樹脂封止形半導体
    装置の製造方法。
JP59032069A 1984-02-22 1984-02-22 樹脂封止形半導体装置の製造方法 Granted JPS60176259A (ja)

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JP59032069A JPS60176259A (ja) 1984-02-22 1984-02-22 樹脂封止形半導体装置の製造方法
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DE19843446647 DE3446647A1 (de) 1984-02-22 1984-12-20 Verfahren zur herstellung von kunstharzversiegelten halbleitervorrichtungen

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JPS60176259A JPS60176259A (ja) 1985-09-10
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KR850006259A (ko) 1985-10-02
DE3446647A1 (de) 1985-08-29
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