JPH07142690A - 撮像装置 - Google Patents
撮像装置Info
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- JPH07142690A JPH07142690A JP5314021A JP31402193A JPH07142690A JP H07142690 A JPH07142690 A JP H07142690A JP 5314021 A JP5314021 A JP 5314021A JP 31402193 A JP31402193 A JP 31402193A JP H07142690 A JPH07142690 A JP H07142690A
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- metal wiring
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 電子内視鏡の先端部などの微小部分に容易に
装着できる小型化の可能な撮像装置を提供する。 【構成】 半導体基板１にアンプ回路等の構成用半導体
素子を形成して半導体素子形成部２を設けると共に、第
１のメタル配線３，絶縁層４，第２のメタル配線５を形
成して半導体素子基板６を構成する。そして該半導体素
子基板６にチップ部品７を取り付けると共に、該基板６
の一端に設けた第２のメタル配線５に、固体撮像素子13
を実装したパッケージ12のリード11をハンダ付けし、更
に前記基板６の他端に設けた第２のメタル配線５に、外
部信号線22をハンダ付けして撮像装置を構成する。
装着できる小型化の可能な撮像装置を提供する。 【構成】 半導体基板１にアンプ回路等の構成用半導体
素子を形成して半導体素子形成部２を設けると共に、第
１のメタル配線３，絶縁層４，第２のメタル配線５を形
成して半導体素子基板６を構成する。そして該半導体素
子基板６にチップ部品７を取り付けると共に、該基板６
の一端に設けた第２のメタル配線５に、固体撮像素子13
を実装したパッケージ12のリード11をハンダ付けし、更
に前記基板６の他端に設けた第２のメタル配線５に、外
部信号線22をハンダ付けして撮像装置を構成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、電子内視鏡の先端部
などの微小部分に装着されて用いられる撮像装置に関す
る。
などの微小部分に装着されて用いられる撮像装置に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】従来、電子内視鏡の先端部などの微小部
分に装着されて用いられる撮像装置としては、次のよう
な構成のものが知られている。すなわち、図９に示すよ
うに、実装基板101 にアンプ回路やバイアス回路構成用
の半導体素子102 を配置し、ワイヤ103 で配線部と接続
したのち接続部を封止樹脂104 で封止し、更にチップ部
品105 を設けて実装基板部106 を構成する。また図10に
示すように、固体撮像素子111 を、下面にパッケージリ
ード112 を設けたパッケージ113 の上面に載置して、ワ
イヤ114 でパッケージ113 の接続部と接続し、更に固体
撮像素子111 上に光学部品115 を配置すると共に固体撮
像素子111 及び光学部品115 の側面部を封止樹脂116 で
封止して固体撮像素子部117 を構成する。そして、固体
撮像素子部117 のパッケージ113 のパッケージリード11
2 に対して、実装基板部106 の実装基板101 と中継基板
121 の一端に形成されている配線部をハンダ122 で接続
し、また実装基板101 と中継基板121 の他端に形成され
ている配線部と外部信号線123 とをハンダ122 で接続し
て撮像装置を構成し、電子内視鏡の先端部等へ組み込ん
で用いるようにしている。
分に装着されて用いられる撮像装置としては、次のよう
な構成のものが知られている。すなわち、図９に示すよ
うに、実装基板101 にアンプ回路やバイアス回路構成用
の半導体素子102 を配置し、ワイヤ103 で配線部と接続
したのち接続部を封止樹脂104 で封止し、更にチップ部
品105 を設けて実装基板部106 を構成する。また図10に
示すように、固体撮像素子111 を、下面にパッケージリ
ード112 を設けたパッケージ113 の上面に載置して、ワ
イヤ114 でパッケージ113 の接続部と接続し、更に固体
撮像素子111 上に光学部品115 を配置すると共に固体撮
像素子111 及び光学部品115 の側面部を封止樹脂116 で
封止して固体撮像素子部117 を構成する。そして、固体
撮像素子部117 のパッケージ113 のパッケージリード11
2 に対して、実装基板部106 の実装基板101 と中継基板
121 の一端に形成されている配線部をハンダ122 で接続
し、また実装基板101 と中継基板121 の他端に形成され
ている配線部と外部信号線123 とをハンダ122 で接続し
て撮像装置を構成し、電子内視鏡の先端部等へ組み込ん
で用いるようにしている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上記従来の
撮像装置は、固体撮像素子部117 に取り付けられる実装
基板部106 においては、実装基板101 に半導体素子102
を実装する工程を必要とし、更に半導体素子102 を実装
するスペースを必要とするばかりでなく、その実装によ
って厚み方向の寸法が大となり、電子内視鏡の先端部な
どの微小部分への装着のための小型化には不向きな構成
である。
撮像装置は、固体撮像素子部117 に取り付けられる実装
基板部106 においては、実装基板101 に半導体素子102
を実装する工程を必要とし、更に半導体素子102 を実装
するスペースを必要とするばかりでなく、その実装によ
って厚み方向の寸法が大となり、電子内視鏡の先端部な
どの微小部分への装着のための小型化には不向きな構成
である。
【０００４】本発明は、従来の撮像装置における上記問
題点を解消するためになされたもので、小型化が可能で
電子内視鏡の先端部などの微小部分に容易に装着可能な
撮像装置を提供することを目的とする。
題点を解消するためになされたもので、小型化が可能で
電子内視鏡の先端部などの微小部分に容易に装着可能な
撮像装置を提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段及び作用】上記問題点を解
決するため、請求項１記載の発明は、半導体基板に半導
体素子を一体的に形成し且つメタル配線部を備えた半導
体素子基板と固体撮像素子とを有し、前記半導体素子基
板のメタル配線部に、固体撮像素子，チップ部品及び外
部信号線を直接接続して撮像装置を構成するものであ
る。また、請求項２記載の発明は、半導体基板に固体撮
像素子及び半導体素子を一体的に形成し且つメタル配線
部を備えた半導体素子基板を有し、該半導体素子基板の
メタル配線部に、チップ部品及び外部信号線を直接接続
して撮像装置を構成するものである。
決するため、請求項１記載の発明は、半導体基板に半導
体素子を一体的に形成し且つメタル配線部を備えた半導
体素子基板と固体撮像素子とを有し、前記半導体素子基
板のメタル配線部に、固体撮像素子，チップ部品及び外
部信号線を直接接続して撮像装置を構成するものであ
る。また、請求項２記載の発明は、半導体基板に固体撮
像素子及び半導体素子を一体的に形成し且つメタル配線
部を備えた半導体素子基板を有し、該半導体素子基板の
メタル配線部に、チップ部品及び外部信号線を直接接続
して撮像装置を構成するものである。
【０００６】このように構成した撮像装置においては、
半導体基板に半導体素子、あるいは固体撮像素子及び半
導体素子を一体的に形成した半導体素子基板を実装基板
として用いているため、半導体素子を実装するためのス
ペースが不要となり、また接続部が削減でき、狭ピッチ
化が可能となり容易に小型化を図ることができる。
半導体基板に半導体素子、あるいは固体撮像素子及び半
導体素子を一体的に形成した半導体素子基板を実装基板
として用いているため、半導体素子を実装するためのス
ペースが不要となり、また接続部が削減でき、狭ピッチ
化が可能となり容易に小型化を図ることができる。
【０００７】
【実施例】次に実施例について説明する。図１は、本発
明に係る撮像装置の第１実施例の半導体素子基板を示す
断面図で、図２は、図１に示した半導体素子基板と固体
撮像素子部とを接続してなる撮像装置の第１実施例を示
す断面図である。図１において、１はシリコン，ガリウ
ムヒ素等からなる半導体基板で、該半導体基板１の表面
部に、アンプ回路やバイアス回路等の周辺回路構成用半
導体素子を形成して半導体素子形成部２を設け、次いで
Al等の金属を用いて第１のメタル配線３を形成する。次
に、固体撮像素子を実装したパッケージのパッケージリ
ード，チップ部品（能動素子及びあるいは受動素子），
外部信号線等の接続に必要な部分に、Au，Ag，Cu，Ni，
Cr，Ti，Ｗ等の金属を用いて第２のメタル配線５を単層
又は多層で形成し、第２のメタル配線５を形成した部分
以外の部分に、パッシベーション膜，樹脂等からなる絶
縁層４を設けて半導体素子基板６を形成する。
明に係る撮像装置の第１実施例の半導体素子基板を示す
断面図で、図２は、図１に示した半導体素子基板と固体
撮像素子部とを接続してなる撮像装置の第１実施例を示
す断面図である。図１において、１はシリコン，ガリウ
ムヒ素等からなる半導体基板で、該半導体基板１の表面
部に、アンプ回路やバイアス回路等の周辺回路構成用半
導体素子を形成して半導体素子形成部２を設け、次いで
Al等の金属を用いて第１のメタル配線３を形成する。次
に、固体撮像素子を実装したパッケージのパッケージリ
ード，チップ部品（能動素子及びあるいは受動素子），
外部信号線等の接続に必要な部分に、Au，Ag，Cu，Ni，
Cr，Ti，Ｗ等の金属を用いて第２のメタル配線５を単層
又は多層で形成し、第２のメタル配線５を形成した部分
以外の部分に、パッシベーション膜，樹脂等からなる絶
縁層４を設けて半導体素子基板６を形成する。
【０００８】次に、図２に示すように、下面にパッケー
ジリード11を設けたパッケージ12に、固体撮像素子13を
配置してパッケージ12の電極部とワイヤ14で接続し、更
に固体撮像素子13の上面に光学部品15を載置し、固体撮
像素子13と光学部品15の側面部を封止樹脂16で封止し
て、固体撮像素子部17を構成する。そして、前記半導体
素子基板６の一端に設けた第２のメタル配線５に固体撮
像素子部17のパッケージリード11の一方をハンダ22で接
続し、更にパッケージリード11の他方を中継基板21に設
けた配線の一端にハンダ22で接続して、半導体素子基板
６，固体撮像素子部17及び中継基板21を一体化し、半導
体素子基板６の他端に設けた第２のメタル配線５及び中
継基板21に設けた配線の他端に、それぞれ外部信号線23
をハンダ22で接続して、撮像装置を構成する。なお、こ
の場合、撮像装置に対する入射光方向と半導体素子基板
６の長手方向とは平行になるように配置され、細径の微
小部分への装着が容易な構成となっている。
ジリード11を設けたパッケージ12に、固体撮像素子13を
配置してパッケージ12の電極部とワイヤ14で接続し、更
に固体撮像素子13の上面に光学部品15を載置し、固体撮
像素子13と光学部品15の側面部を封止樹脂16で封止し
て、固体撮像素子部17を構成する。そして、前記半導体
素子基板６の一端に設けた第２のメタル配線５に固体撮
像素子部17のパッケージリード11の一方をハンダ22で接
続し、更にパッケージリード11の他方を中継基板21に設
けた配線の一端にハンダ22で接続して、半導体素子基板
６，固体撮像素子部17及び中継基板21を一体化し、半導
体素子基板６の他端に設けた第２のメタル配線５及び中
継基板21に設けた配線の他端に、それぞれ外部信号線23
をハンダ22で接続して、撮像装置を構成する。なお、こ
の場合、撮像装置に対する入射光方向と半導体素子基板
６の長手方向とは平行になるように配置され、細径の微
小部分への装着が容易な構成となっている。
【０００９】このように構成した撮像装置においては、
半導体基板１に半導体素子を一体的に形成した半導体素
子基板６に、固体撮像素子部17，チップ部品７，外部信
号線23等を直接接続して実装基板として用いているた
め、半導体素子を実装するためのスペースが不要とな
り、また半導体素子の接続部が削減できるため容易に小
型化することができる。
半導体基板１に半導体素子を一体的に形成した半導体素
子基板６に、固体撮像素子部17，チップ部品７，外部信
号線23等を直接接続して実装基板として用いているた
め、半導体素子を実装するためのスペースが不要とな
り、また半導体素子の接続部が削減できるため容易に小
型化することができる。
【００１０】上記第１実施例においては、第１のメタル
配線をAl等の金属を用いて単層で形成したものを示した
が、第１のメタル配線をAu，Ag，Cu，Ni，Cr，Ti，Ｗ等
の金属を用いて単層又は多層で形成し、第２のメタル配
線を設けずに、パッケージリード，チップ部品，外部信
号線等の接続部以外に、パッシベーション膜，樹脂等か
らなる絶縁層を形成して構成するようにしてもよい。ま
た、上記実施例では、半導体素子基板の表面部に半導体
素子形成部を設けたものを示したが、半導体素子形成部
は半導体素子基板の裏面部あるいは表裏両面部に形成し
てもよい。
配線をAl等の金属を用いて単層で形成したものを示した
が、第１のメタル配線をAu，Ag，Cu，Ni，Cr，Ti，Ｗ等
の金属を用いて単層又は多層で形成し、第２のメタル配
線を設けずに、パッケージリード，チップ部品，外部信
号線等の接続部以外に、パッシベーション膜，樹脂等か
らなる絶縁層を形成して構成するようにしてもよい。ま
た、上記実施例では、半導体素子基板の表面部に半導体
素子形成部を設けたものを示したが、半導体素子形成部
は半導体素子基板の裏面部あるいは表裏両面部に形成し
てもよい。
【００１１】また上記実施例では、パッケージリード及
び外部信号線はハンダで接続したものを示したが、パッ
ケージリード，外部信号線並びにチップ部品は、ハンダ
で接続するばかりでなく、導電性樹脂，異方導電性樹
脂，熱圧着，超音波，超音波併用熱圧着等の手段を用い
て接続することができる。また、上記実施例において、
半導体素子基板の半導体素子形成部を遮光のため、樹脂
又は第２のメタル配線で覆うように構成してもよい。ま
た更に、全体の機械的補強及び遮光並びに外部からのノ
イズ対策として、固体撮像素子を実装したパッケージ，
チップ部品，外部信号線等を接続した後に、半導体素子
基板全体を樹脂等で覆いかくすようにしてもよい。
び外部信号線はハンダで接続したものを示したが、パッ
ケージリード，外部信号線並びにチップ部品は、ハンダ
で接続するばかりでなく、導電性樹脂，異方導電性樹
脂，熱圧着，超音波，超音波併用熱圧着等の手段を用い
て接続することができる。また、上記実施例において、
半導体素子基板の半導体素子形成部を遮光のため、樹脂
又は第２のメタル配線で覆うように構成してもよい。ま
た更に、全体の機械的補強及び遮光並びに外部からのノ
イズ対策として、固体撮像素子を実装したパッケージ，
チップ部品，外部信号線等を接続した後に、半導体素子
基板全体を樹脂等で覆いかくすようにしてもよい。
【００１２】次に第２実施例について説明する。図３
は、本発明の第２実施例の半導体素子基板を示す断面図
で、図４は、図３に示した半導体素子基板と固体撮像素
子部とを接続してなる第２実施例の撮像装置を示す断面
図であり、図１及び図２に示した第１実施例と同一又は
対応する構成要素には同一符号を付して示している。こ
の実施例における半導体素子基板６は、次のように構成
されている。すなわち図３に示すように、シリコン，ガ
リウムヒ素等からなる半導体基板１の表面部に、アン
プ，バイアス回路等の構成用半導体素子を形成して半導
体素子形成部２を設け、次いで、Al等の金属を用いて第
１のメタル配線３を形成する。次に第１のメタル配線３
と第２のメタル配線５のコンタクト部を除き、パッシベ
ーション膜，樹脂等で絶縁層４を形成する。次に、Au，
Ag，Cu，Ni，Cr，Ti，Ｗ等の金属を用いて必要な部分に
第２のメタル配線５を形成し、半導体素子基板６を構成
する。この際、第２のメタル配線５は単層でも多層でも
よい。
は、本発明の第２実施例の半導体素子基板を示す断面図
で、図４は、図３に示した半導体素子基板と固体撮像素
子部とを接続してなる第２実施例の撮像装置を示す断面
図であり、図１及び図２に示した第１実施例と同一又は
対応する構成要素には同一符号を付して示している。こ
の実施例における半導体素子基板６は、次のように構成
されている。すなわち図３に示すように、シリコン，ガ
リウムヒ素等からなる半導体基板１の表面部に、アン
プ，バイアス回路等の構成用半導体素子を形成して半導
体素子形成部２を設け、次いで、Al等の金属を用いて第
１のメタル配線３を形成する。次に第１のメタル配線３
と第２のメタル配線５のコンタクト部を除き、パッシベ
ーション膜，樹脂等で絶縁層４を形成する。次に、Au，
Ag，Cu，Ni，Cr，Ti，Ｗ等の金属を用いて必要な部分に
第２のメタル配線５を形成し、半導体素子基板６を構成
する。この際、第２のメタル配線５は単層でも多層でも
よい。
【００１３】次に、図４に示すように、半導体素子基板
６にチップ部品７を取り付けると共に、該半導体素子基
板６の一端に設けた第２のメタル配線５に、図２に示し
た第１実施例と同様に構成した固体撮像素子部17のパッ
ケージリード11の一方をハンダ22で接続し、更にパッケ
ージリード11の他方を中継基板21に設けた配線の一端に
ハンダ22で接続し、半導体素子基板６の他端に設けた第
２のメタル配線５及び中継基板21に設けた配線の他端
に、それぞれ外部信号線23をハンダ22で接続して、撮像
装置を構成する。
６にチップ部品７を取り付けると共に、該半導体素子基
板６の一端に設けた第２のメタル配線５に、図２に示し
た第１実施例と同様に構成した固体撮像素子部17のパッ
ケージリード11の一方をハンダ22で接続し、更にパッケ
ージリード11の他方を中継基板21に設けた配線の一端に
ハンダ22で接続し、半導体素子基板６の他端に設けた第
２のメタル配線５及び中継基板21に設けた配線の他端
に、それぞれ外部信号線23をハンダ22で接続して、撮像
装置を構成する。
【００１４】このように構成した撮像装置においては、
半導体素子基板６に形成する第１のメタル配線３は、第
２のメタル配線５とのコンタクトに必要なサイズだけで
よく、絶縁層４上の第２のメタル配線５で固体撮像素子
部17のパッケージリード11，チップ部品７，外部信号線
23等との接続部を形成すればよいので、更に小型化を図
ることが可能である。
半導体素子基板６に形成する第１のメタル配線３は、第
２のメタル配線５とのコンタクトに必要なサイズだけで
よく、絶縁層４上の第２のメタル配線５で固体撮像素子
部17のパッケージリード11，チップ部品７，外部信号線
23等との接続部を形成すればよいので、更に小型化を図
ることが可能である。
【００１５】この第２実施例においても、半導体素子基
板に設ける半導体素子形成部は、裏面部あるいは表裏両
面部に形成してもよく、また半導体素子形成部を遮光の
ため、樹脂又は第２のメタル配線で覆うように構成して
もよい。更に、全体の機械的補強及び遮光並びに外部か
らのノイズ対策として、固体撮像素子を実装したパッケ
ージ，チップ部品，外部信号線等をハンダ，導電性樹
脂，異方導電性樹脂，熱圧着，超音波，超音波併用熱圧
着等で接続したのち、半導体素子基板全体を樹脂等で被
覆するようにしてもよい。
板に設ける半導体素子形成部は、裏面部あるいは表裏両
面部に形成してもよく、また半導体素子形成部を遮光の
ため、樹脂又は第２のメタル配線で覆うように構成して
もよい。更に、全体の機械的補強及び遮光並びに外部か
らのノイズ対策として、固体撮像素子を実装したパッケ
ージ，チップ部品，外部信号線等をハンダ，導電性樹
脂，異方導電性樹脂，熱圧着，超音波，超音波併用熱圧
着等で接続したのち、半導体素子基板全体を樹脂等で被
覆するようにしてもよい。
【００１６】図５は、本発明の第３実施例における半導
体素子基板を示す断面図である。この実施例における半
導体素子基板31は、図３に示した第２実施例と同様に、
半導体基板１に半導体素子形成部２，第１のメタル配線
３，絶縁層４，第２のメタル配線５を形成したのち、半
導体基板１の裏面に、裏面保護及び裏面配線のために、
フレキシブル基板，ガラスエポキシ基板，セラミック基
板等からなる配線基板32を接着して構成する。
体素子基板を示す断面図である。この実施例における半
導体素子基板31は、図３に示した第２実施例と同様に、
半導体基板１に半導体素子形成部２，第１のメタル配線
３，絶縁層４，第２のメタル配線５を形成したのち、半
導体基板１の裏面に、裏面保護及び裏面配線のために、
フレキシブル基板，ガラスエポキシ基板，セラミック基
板等からなる配線基板32を接着して構成する。
【００１７】このように構成することにより、半導体素
子基板の機械的強度を向上させると共に、より高密度化
が可能であり、固体撮像素子部を半導体素子基板に接続
する場合には、中継基板を省略することができる。
子基板の機械的強度を向上させると共に、より高密度化
が可能であり、固体撮像素子部を半導体素子基板に接続
する場合には、中継基板を省略することができる。
【００１８】図６は、本発明の第４実施例における半導
体素子基板を示す断面図である。この実施例における半
導体素子基板41は、図３に示した第２実施例と同様に、
半導体基板１に半導体素子形成部２を形成し、第１のメ
タル配線３を形成したのち、絶縁層４を形成する際に、
半導体基板１の裏面にも絶縁層42を形成し、そして第２
のメタル配線５を形成する際に、同様に半導体基板１の
裏面に形成した絶縁層42上にメタル配線43を形成して構
成する。更に、図示していないが、必要に応じ、このよ
うに構成した半導体素子基板41に穴をあけ、該穴を絶縁
し導体を設けてスルーホールを形成してもよい。
体素子基板を示す断面図である。この実施例における半
導体素子基板41は、図３に示した第２実施例と同様に、
半導体基板１に半導体素子形成部２を形成し、第１のメ
タル配線３を形成したのち、絶縁層４を形成する際に、
半導体基板１の裏面にも絶縁層42を形成し、そして第２
のメタル配線５を形成する際に、同様に半導体基板１の
裏面に形成した絶縁層42上にメタル配線43を形成して構
成する。更に、図示していないが、必要に応じ、このよ
うに構成した半導体素子基板41に穴をあけ、該穴を絶縁
し導体を設けてスルーホールを形成してもよい。
【００１９】このように構成した半導体素子基板におい
ては、半導体素子基板の厚みのみで両面配線が可能とな
り、より高密度で小型化が可能となり、固体撮像素子部
を接続する場合には、中継基板を省略することができ
る。
ては、半導体素子基板の厚みのみで両面配線が可能とな
り、より高密度で小型化が可能となり、固体撮像素子部
を接続する場合には、中継基板を省略することができ
る。
【００２０】図７は、本発明の第５実施例を示す断面図
である。この実施例は、実装基板51上に、固体撮像素子
13、及びチップ部品７を接続した図３に示した第２実施
例と同様の半導体素子基板６とを、ダイボンディングに
より接着し、固体撮像素子13と半導体素子基板６の一端
に設けた第２のメタル配線５とをワイヤ14で接続し、固
体撮像素子13上に光学部品（例えばプリズム）15を載置
したのち、固体撮像素子13と半導体素子基板６との接続
部を封止樹脂16で封止し、半導体素子基板６の他端に設
けた第２のメタル配線５と外部信号線23をハンダ22で接
続して撮像装置を構成するものである。
である。この実施例は、実装基板51上に、固体撮像素子
13、及びチップ部品７を接続した図３に示した第２実施
例と同様の半導体素子基板６とを、ダイボンディングに
より接着し、固体撮像素子13と半導体素子基板６の一端
に設けた第２のメタル配線５とをワイヤ14で接続し、固
体撮像素子13上に光学部品（例えばプリズム）15を載置
したのち、固体撮像素子13と半導体素子基板６との接続
部を封止樹脂16で封止し、半導体素子基板６の他端に設
けた第２のメタル配線５と外部信号線23をハンダ22で接
続して撮像装置を構成するものである。
【００２１】このように構成した撮像装置においては、
固体撮像素子をパッケージに実装する必要がなく、した
がってパッケージと半導体素子基板とをハンダ等により
接続する必要がなくなり、ワイヤ等により狭ピッチ接続
が可能となる。また全体を平面的に実装するため作業性
がよく、接続部の狭ピッチ化が可能なため、より小型化
を図ることができる。なお、この実施例の場合も、撮像
装置に対する入射光方向と半導体素子基板の長手方向と
は平行になるように配置されている。
固体撮像素子をパッケージに実装する必要がなく、した
がってパッケージと半導体素子基板とをハンダ等により
接続する必要がなくなり、ワイヤ等により狭ピッチ接続
が可能となる。また全体を平面的に実装するため作業性
がよく、接続部の狭ピッチ化が可能なため、より小型化
を図ることができる。なお、この実施例の場合も、撮像
装置に対する入射光方向と半導体素子基板の長手方向と
は平行になるように配置されている。
【００２２】図８は、本発明の第６実施例を示す断面図
である。この実施例は、半導体基板１に、アンプ回路や
バイアス回路構成用半導体素子を形成した半導体素子形
成部２の他に、固体撮像素子61を一体的に形成して半導
体素子基板62を構成するものである。
である。この実施例は、半導体基板１に、アンプ回路や
バイアス回路構成用半導体素子を形成した半導体素子形
成部２の他に、固体撮像素子61を一体的に形成して半導
体素子基板62を構成するものである。
【００２３】このように固体撮像素子を半導体素子基板
に一体的に形成することにより、接続部の削減等が可能
となり、更に小型化が可能となる。なお、この実施例に
おいても、図５及び図６に示した第３及び第４実施例の
ように、半導体素子基板において半導体基板の裏面に別
個の配線基板や、絶縁層を介したメタル配線を設けるこ
とが可能である。
に一体的に形成することにより、接続部の削減等が可能
となり、更に小型化が可能となる。なお、この実施例に
おいても、図５及び図６に示した第３及び第４実施例の
ように、半導体素子基板において半導体基板の裏面に別
個の配線基板や、絶縁層を介したメタル配線を設けるこ
とが可能である。
【００２４】なお、上記各実施例において、アンプ回路
やバイアス回路を構成するために用いるコンデンサは、
チップ部品として構成するばかりでなく、半導体素子基
板に強誘電体膜を用いて一体的に形成することもでき
る。
やバイアス回路を構成するために用いるコンデンサは、
チップ部品として構成するばかりでなく、半導体素子基
板に強誘電体膜を用いて一体的に形成することもでき
る。
【００２５】
【発明の効果】以上実施例に基づいて説明したように、
本発明によれば、半導体基板に半導体素子、あるいは固
体撮像素子及び半導体素子を一体的に形成した半導体素
子基板を実装基板として用いるようにしているので、半
導体素子を実装するためのスペースが不要となり、接続
部が削減でき、その狭ピッチ化が可能となり、これによ
り容易に小型化を図ることができる。
本発明によれば、半導体基板に半導体素子、あるいは固
体撮像素子及び半導体素子を一体的に形成した半導体素
子基板を実装基板として用いるようにしているので、半
導体素子を実装するためのスペースが不要となり、接続
部が削減でき、その狭ピッチ化が可能となり、これによ
り容易に小型化を図ることができる。
【図１】本発明に係る撮像装置の第１実施例の半導体素
子基板を示す断面図である。
子基板を示す断面図である。
【図２】本発明の第１実施例の構成を示す断面図であ
る。
る。
【図３】本発明の第２実施例の半導体素子基板を示す断
面図である。
面図である。
【図４】本発明の第２実施例の構成を示す断面図であ
る。
る。
【図５】本発明の第３実施例の半導体素子基板を示す断
面図である。
面図である。
【図６】本発明の第４実施例の半導体素子基板を示す断
面図である。
面図である。
【図７】本発明の第５実施例の構成を示す断面図であ
る。
る。
【図８】本発明の第６実施例の構成を示す断面図であ
る。
る。
【図９】従来の撮像装置の実装基板部の構成例を示す断
面図である。
面図である。
【図10】従来の撮像装置の構成例を示す断面図である。
１ 半導体基板 ２ 半導体素子形成部 ３ 第１のメタル配線 ４ 絶縁層 ５ 第２のメタル配線 ６ 半導体素子基板 ７ チップ部品 11 パッケージリード 12 パッケージ 13 固体撮像素子 14 ワイヤ 15 光学部品 16 封止樹脂 17 固体撮像素子部 21 中継基板 22 ハンダ 23 外部信号線 31 半導体素子基板 32 配線基板 41 半導体素子基板 42 絶縁層 43 メタル配線 51 実装基板 61 固体撮像素子 62 半導体素子基板
Claims (5)
- 【請求項１】 半導体基板に半導体素子を一体的に形成
し且つメタル配線部を備えた半導体素子基板と固体撮像
素子とを有し、前記半導体素子基板のメタル配線部に、
固体撮像素子，チップ部品及び外部信号線を直接接続し
たことを特徴とする撮像装置。 - 【請求項２】 半導体基板に固体撮像素子及び半導体素
子を一体的に形成し且つメタル配線部を備えた半導体素
子基板を有し、該半導体素子基板のメタル配線部に、チ
ップ部品及び外部信号線を直接接続したことを特徴とす
る撮像装置。 - 【請求項３】 前記半導体素子基板の裏面に、別個の配
線基板を接着したことを特徴とする請求項１又は２記載
の撮像装置。 - 【請求項４】 前記半導体素子基板の裏面に、絶縁層及
びメタル配線部を設け、且つ前記絶縁層及びメタル配線
部を設けた半導体素子基板にスルーホールを形成し両面
基板状としたことを特徴とする請求項１又は２記載の撮
像装置。 - 【請求項５】 前記半導体素子基板は撮像装置に対する
入射光方向に対して平行になるように配置されているこ
とを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の撮
像装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5314021A JPH07142690A (ja) | 1993-11-22 | 1993-11-22 | 撮像装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5314021A JPH07142690A (ja) | 1993-11-22 | 1993-11-22 | 撮像装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07142690A true JPH07142690A (ja) | 1995-06-02 |
Family
ID=18048255
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5314021A Pending JPH07142690A (ja) | 1993-11-22 | 1993-11-22 | 撮像装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07142690A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2013150813A1 (ja) * | 2012-04-05 | 2013-10-10 | オリンパス株式会社 | 撮像モジュール |
-
1993
- 1993-11-22 JP JP5314021A patent/JPH07142690A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2013150813A1 (ja) * | 2012-04-05 | 2013-10-10 | オリンパス株式会社 | 撮像モジュール |
| JP2013219468A (ja) * | 2012-04-05 | 2013-10-24 | Olympus Corp | 撮像モジュール |
| US9520434B2 (en) | 2012-04-05 | 2016-12-13 | Olympus Corporation | Image pickup module |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20020702 |