JPH1174494A - 光集積回路装置 - Google Patents
光集積回路装置Info
- Publication number
- JPH1174494A JPH1174494A JP9232947A JP23294797A JPH1174494A JP H1174494 A JPH1174494 A JP H1174494A JP 9232947 A JP9232947 A JP 9232947A JP 23294797 A JP23294797 A JP 23294797A JP H1174494 A JPH1174494 A JP H1174494A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- optical
- integrated circuit
- optical integrated
- electrode pad
- circuit device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims abstract description 37
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims abstract description 15
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims 2
- 239000006059 cover glass Substances 0.000 abstract description 18
- 230000001629 suppression Effects 0.000 abstract 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 23
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 15
- 230000006870 function Effects 0.000 description 4
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000005304 optical glass Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14618—Containers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/1462—Coatings
- H01L27/14623—Optical shielding
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N23/00—Cameras or camera modules comprising electronic image sensors; Control thereof
- H04N23/50—Constructional details
- H04N23/54—Mounting of pick-up tubes, electronic image sensors, deviation or focusing coils
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N23/00—Cameras or camera modules comprising electronic image sensors; Control thereof
- H04N23/57—Mechanical or electrical details of cameras or camera modules specially adapted for being embedded in other devices
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Multimedia (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 IC内部の配線の影響による問題やカバーガ
ラスを小さくすることが可能な光集積回路装置を提供す
る。 【解決手段】 撮像部12を含むアナログ部の電源や接
地などは電極パッド14に接続し、デジタル部の電源や
接地などは電極パッド15に接続することにより、撮像
部12およびその周辺回路部13との間での配線の引き
回しによる電源、接地などインピーダンスの上昇や各回
路間の信号のクロストーク、ノイズなどの問題を防ぐこ
とが可能となる。
ラスを小さくすることが可能な光集積回路装置を提供す
る。 【解決手段】 撮像部12を含むアナログ部の電源や接
地などは電極パッド14に接続し、デジタル部の電源や
接地などは電極パッド15に接続することにより、撮像
部12およびその周辺回路部13との間での配線の引き
回しによる電源、接地などインピーダンスの上昇や各回
路間の信号のクロストーク、ノイズなどの問題を防ぐこ
とが可能となる。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】この発明は、ビデオカメラや
電子カメラなどに用いる撮像素子とその周辺回路を集積
化した光集積回路装置に関する。
電子カメラなどに用いる撮像素子とその周辺回路を集積
化した光集積回路装置に関する。
【0002】
【従来の技術】図7に、従来の撮像素子CCDのICチ
ップを示す。CCDは、フォトダイオード71、水平C
CD転送部72、垂直CCD転送部73、信号出力部7
4から構成されている。図8に示すように、このCCD
はセラミックパッケージ81に内蔵され、ワイヤボンド
82により電極パッドを接続した後、カバーガラス83
を用いて、パッケージされている。CCDを用いたカメ
ラでは、図9に示すように、受光部91、CCD92の
他に、信号処理IC93、CCD駆動IC94、ノイズ
処理IC95等により構成されている。
ップを示す。CCDは、フォトダイオード71、水平C
CD転送部72、垂直CCD転送部73、信号出力部7
4から構成されている。図8に示すように、このCCD
はセラミックパッケージ81に内蔵され、ワイヤボンド
82により電極パッドを接続した後、カバーガラス83
を用いて、パッケージされている。CCDを用いたカメ
ラでは、図9に示すように、受光部91、CCD92の
他に、信号処理IC93、CCD駆動IC94、ノイズ
処理IC95等により構成されている。
【0003】近年、以前のCCDと同様に撮像素子とし
て使われていた、MOS型センサーが性能上問題であっ
た感度やS/N等の改善がなされ再び注目されてきた。
CMOSセンサーはCCDとは異なり、通常のICプロ
セスで製造することができるため、図10に示すように
ICの中に撮像部101とCCDカメラで用いていた、
CCDとは1チップ化できない周辺回路102〜107
も内蔵することができ、ビデオカメラを小型化すること
ができる。
て使われていた、MOS型センサーが性能上問題であっ
た感度やS/N等の改善がなされ再び注目されてきた。
CMOSセンサーはCCDとは異なり、通常のICプロ
セスで製造することができるため、図10に示すように
ICの中に撮像部101とCCDカメラで用いていた、
CCDとは1チップ化できない周辺回路102〜107
も内蔵することができ、ビデオカメラを小型化すること
ができる。
【0004】このように撮像部101と周辺回路102
〜107が一体になったICでは、図7で示した周辺に
電極パッドPがあるワイヤボンド方式で実装されると、
IC内部の配線の影響により内部の各回路の電源、接地
等のインピーダンスが上り、ノイズや信号のクロストー
ク等、色々な問題を生じる。
〜107が一体になったICでは、図7で示した周辺に
電極パッドPがあるワイヤボンド方式で実装されると、
IC内部の配線の影響により内部の各回路の電源、接地
等のインピーダンスが上り、ノイズや信号のクロストー
ク等、色々な問題を生じる。
【0005】また、ICの周辺に電極パッドがある状態
で、図11に示すようなベアチップ実装する(特開平7
ー99214号参照)場合、カバーガラス101が大き
くなりコストが上がるとともに、光学精度も悪くなる。
さらに、図12に示すように、カバーガラス101を介
して入射される光Lに対し、CCD112の撮像部12
1の周辺部122などでの内面反射の影響が発生し、映
像にゴーストが発生する。
で、図11に示すようなベアチップ実装する(特開平7
ー99214号参照)場合、カバーガラス101が大き
くなりコストが上がるとともに、光学精度も悪くなる。
さらに、図12に示すように、カバーガラス101を介
して入射される光Lに対し、CCD112の撮像部12
1の周辺部122などでの内面反射の影響が発生し、映
像にゴーストが発生する。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】上記した従来の光集積
回路装置では、IC内部の配線の影響により内部の各回
路の電源、接地等のインピーダンスが上り、ノイズや信
号のクロストーク等、色々な問題を生じたり、カバーガ
ラスが大きくなりコストが上がるとともに、光学精度も
悪くなる等の問題があった。
回路装置では、IC内部の配線の影響により内部の各回
路の電源、接地等のインピーダンスが上り、ノイズや信
号のクロストーク等、色々な問題を生じたり、カバーガ
ラスが大きくなりコストが上がるとともに、光学精度も
悪くなる等の問題があった。
【0007】この発明は、IC内部の配線の影響による
問題やカバーガラスを小さくすることが可能な光集積回
路装置を提供する。
問題やカバーガラスを小さくすることが可能な光集積回
路装置を提供する。
【0008】
【課題を解決するための手段】上記した課題を解決する
ために、この発明の光集積回路装置では、入射された光
を電気信号に変換する、少なくとも1個の光機能部と該
光機能部に関連付けられた信号処理などの周辺回路部を
集積した光集積回路において、信号電極パッドを少なく
とも前記光集積回路のチップ周辺部とチップ内部にある
前記光機能部の領域周辺にも電極パッドを設けたことを
特徴とする。
ために、この発明の光集積回路装置では、入射された光
を電気信号に変換する、少なくとも1個の光機能部と該
光機能部に関連付けられた信号処理などの周辺回路部を
集積した光集積回路において、信号電極パッドを少なく
とも前記光集積回路のチップ周辺部とチップ内部にある
前記光機能部の領域周辺にも電極パッドを設けたことを
特徴とする。
【0009】これにより、アナログ部とデジタル部のそ
れぞれ近傍において配線が可能となるために、光学精度
の向上が図れるばかりか、信号出力インピーダンスを下
げることが可能となる。
れぞれ近傍において配線が可能となるために、光学精度
の向上が図れるばかりか、信号出力インピーダンスを下
げることが可能となる。
【0010】
【発明の実施の形態】以下、この発明の実施の形態につ
いて、図面を参照しながら詳細に説明する。図1,図2
は、この発明の第1の実施の形態について説明するため
の説明図である。図1(a)において、11は、図2に
示す撮像部12およびパルス発生部13a、アナログ部
13b、A/D変換・メモリ部13c、信号処理部13
dなどからなる、撮像部12の周辺回路部13が1チッ
プ化されたICである。撮像部12と周辺回路部13は
1チップ化が可能となる、たとえばMOS型のプロセス
によるトランジスタで構成する。撮像部12が配置され
た近傍周辺のIC11の表面には、撮像部12と電気的
に接続された電極パッド14を形成する。さらに、IC
11の周辺の表面には、周辺回路部13と電気的に接続
された電極パッド15を形成する。
いて、図面を参照しながら詳細に説明する。図1,図2
は、この発明の第1の実施の形態について説明するため
の説明図である。図1(a)において、11は、図2に
示す撮像部12およびパルス発生部13a、アナログ部
13b、A/D変換・メモリ部13c、信号処理部13
dなどからなる、撮像部12の周辺回路部13が1チッ
プ化されたICである。撮像部12と周辺回路部13は
1チップ化が可能となる、たとえばMOS型のプロセス
によるトランジスタで構成する。撮像部12が配置され
た近傍周辺のIC11の表面には、撮像部12と電気的
に接続された電極パッド14を形成する。さらに、IC
11の周辺の表面には、周辺回路部13と電気的に接続
された電極パッド15を形成する。
【0011】撮像部12の出力はアナログ信号であり、
撮像部12の出力が接続された電極パッド14には電源
や接地などを接続する。また、周辺回路部13と電気的
に接続された電極パッド15は、撮像部12の出力をデ
ジタル信号に変換するとともに、所定の信号処理を施し
た出力信号や電源および接地などを接続する。
撮像部12の出力が接続された電極パッド14には電源
や接地などを接続する。また、周辺回路部13と電気的
に接続された電極パッド15は、撮像部12の出力をデ
ジタル信号に変換するとともに、所定の信号処理を施し
た出力信号や電源および接地などを接続する。
【0012】IC11は、図1(b)に示すように、電
極パッド14,15にそれぞれ金バンプ16a,16b
を用い、TABテープ17の開口部18と撮像部12を
対向させた状態で、配線パターンに電気的に接続する。
IC11が接続されたTABテープ17の反対面に、開
口部18を覆うようにしてカバーガラス19を固着す
る。
極パッド14,15にそれぞれ金バンプ16a,16b
を用い、TABテープ17の開口部18と撮像部12を
対向させた状態で、配線パターンに電気的に接続する。
IC11が接続されたTABテープ17の反対面に、開
口部18を覆うようにしてカバーガラス19を固着す
る。
【0013】このように、アナログ部の電源や接地など
は電極パッド14に接続し、デジタル部の電源や接地な
どは電極パッド15に接続することにより、配線の引き
回しによる電源、接地などインピーダンスの上昇や各回
路間の信号のクロストーク、ノイズなどの緒問題を防ぐ
ことが可能となる。また、IC11の中央に撮像部12
を配置したことにより、撮像部12の前方に配置される
光学レンズの光軸が、電子カメラ装置を製作するとき小
型化に有利に、また組み立てときの光学合わせも楽にな
り構造設計もし易いものとなる。
は電極パッド14に接続し、デジタル部の電源や接地な
どは電極パッド15に接続することにより、配線の引き
回しによる電源、接地などインピーダンスの上昇や各回
路間の信号のクロストーク、ノイズなどの緒問題を防ぐ
ことが可能となる。また、IC11の中央に撮像部12
を配置したことにより、撮像部12の前方に配置される
光学レンズの光軸が、電子カメラ装置を製作するとき小
型化に有利に、また組み立てときの光学合わせも楽にな
り構造設計もし易いものとなる。
【0014】図3は、この発明の第2の実施の形態につ
いて説明するための説明図である。この実施の形態は、
図3(a)に示すように、IC31の内側に撮像部3
2,33を配置し、撮像部32,33のそれぞれの周辺
に電極パッド34を形成したものである。
いて説明するための説明図である。この実施の形態は、
図3(a)に示すように、IC31の内側に撮像部3
2,33を配置し、撮像部32,33のそれぞれの周辺
に電極パッド34を形成したものである。
【0015】この場合も、IC31は図3(b)に示す
ように、電極パッド34に金バンプ35を用い、TAB
テープ36の開口部37と撮像部32,33を対向させ
た状態で、配線パターンに電気的に接続する。IC31
が接続されたTABテープ36の反対面に、開口部37
を覆うようにしてカバーガラス38を固着する。
ように、電極パッド34に金バンプ35を用い、TAB
テープ36の開口部37と撮像部32,33を対向させ
た状態で、配線パターンに電気的に接続する。IC31
が接続されたTABテープ36の反対面に、開口部37
を覆うようにしてカバーガラス38を固着する。
【0016】この実施の形態においても、撮像部32,
33と電極パッド34が近い位置で電気的に接続される
ことから、配線の引き回しによる電源、接地などインピ
ーダンスの上昇を抑えることができる。
33と電極パッド34が近い位置で電気的に接続される
ことから、配線の引き回しによる電源、接地などインピ
ーダンスの上昇を抑えることができる。
【0017】図4は、この発明の第3の実施の形態につ
いて説明するための説明図である。なお、図1と同一の
構成部分には同一の符号を付して説明する。この実施の
形態は、図1(a)に示す電極パッド14とTABテー
プ17の接続パターンとを電気的に接続するときに、撮
像部12の撮像面を囲むように反射を抑える反射率の低
い、例えば黒色の異方性導電膜41を用いたものであ
る。カバーガラス191、開口部18を介して入射光
は、撮像部12の周辺に設けた黒色の異方性導電膜41
により、たとえばTABテープ17とIC11間での内
面反射を抑えることができる。
いて説明するための説明図である。なお、図1と同一の
構成部分には同一の符号を付して説明する。この実施の
形態は、図1(a)に示す電極パッド14とTABテー
プ17の接続パターンとを電気的に接続するときに、撮
像部12の撮像面を囲むように反射を抑える反射率の低
い、例えば黒色の異方性導電膜41を用いたものであ
る。カバーガラス191、開口部18を介して入射光
は、撮像部12の周辺に設けた黒色の異方性導電膜41
により、たとえばTABテープ17とIC11間での内
面反射を抑えることができる。
【0018】また、カバーガラス191は、開口部18
より若干大きく、電極パッド14と対向する位置に来る
程度までの大きさとする。カバーガラス191は電極パ
ッド14と対向する位置付近までの小さい面積のもので
あっても、カバーガラス191の位置までTABテープ
17を介して異方性導電膜41があるための、TABテ
ープ17が撓んだりすることがない。
より若干大きく、電極パッド14と対向する位置に来る
程度までの大きさとする。カバーガラス191は電極パ
ッド14と対向する位置付近までの小さい面積のもので
あっても、カバーガラス191の位置までTABテープ
17を介して異方性導電膜41があるための、TABテ
ープ17が撓んだりすることがない。
【0019】この実施の形態では、入射光によるICチ
ップ内面反射によって発生するゴーストを、ICチップ
内部にある撮像部12の周辺に設けた異方性導電膜41
により防ぐことができる。また、カバーガラス191を
小型化でき、コストが安価になる。
ップ内面反射によって発生するゴーストを、ICチップ
内部にある撮像部12の周辺に設けた異方性導電膜41
により防ぐことができる。また、カバーガラス191を
小型化でき、コストが安価になる。
【0020】ところで、カバーガラスは、図1の実施の
形態でも開口部18を覆い、電極パッド14と対向する
位置まで、図2の実施の形態でも開口部37を覆い、電
極パッド34と対向する位置までの大きさのものであっ
てよい。この場合も、第3の実施の形態と同様に、小さ
な面積のカバーガラスを使用できることから安価とな
る。
形態でも開口部18を覆い、電極パッド14と対向する
位置まで、図2の実施の形態でも開口部37を覆い、電
極パッド34と対向する位置までの大きさのものであっ
てよい。この場合も、第3の実施の形態と同様に、小さ
な面積のカバーガラスを使用できることから安価とな
る。
【0021】この発明は、上記した実施の形態に限定さ
れるものではない。たとえば、光機能部である撮像部1
2を図5に示すように、IC11の隅に配置された場合
の電極パッドは、一部をICの周辺部に、他の一部を内
部に配してもよい。また、図6に示すように、IC11
内の撮像部12と電極パッド14,15を除く周辺回路
部を、反射率の低い黒の絶縁膜61で保護すれば、入射
光に対し撮像部12への反射の影響を極力抑えることが
できる。さらに、カバーガラスは光学ガラスであっても
よい。
れるものではない。たとえば、光機能部である撮像部1
2を図5に示すように、IC11の隅に配置された場合
の電極パッドは、一部をICの周辺部に、他の一部を内
部に配してもよい。また、図6に示すように、IC11
内の撮像部12と電極パッド14,15を除く周辺回路
部を、反射率の低い黒の絶縁膜61で保護すれば、入射
光に対し撮像部12への反射の影響を極力抑えることが
できる。さらに、カバーガラスは光学ガラスであっても
よい。
【0022】
【発明の効果】以上説明したように、この発明の光集積
回路装置によれば、IC内部の配線の影響によるインピ
ーダンスの上昇を抑えるばかりか、カバーガラスを小さ
くできることが可能となる。
回路装置によれば、IC内部の配線の影響によるインピ
ーダンスの上昇を抑えるばかりか、カバーガラスを小さ
くできることが可能となる。
【図1】この発明の第1の実施の形態について説明する
ための説明図。
ための説明図。
【図2】図1の撮像部とその周辺回路部を1チップした
場合のICの構成例について説明するための説明図。
場合のICの構成例について説明するための説明図。
【図3】この発明の第2の実施の形態について説明する
ための説明図。
ための説明図。
【図4】この発明の第3の実施の形態について説明する
ための説明図。
ための説明図。
【図5】この発明の変形例について説明するための説明
図。
図。
【図6】この発明の他の変形例について説明するための
説明図。
説明図。
【図7】従来のCCD素子のICチップについて説明す
るための説明図。
るための説明図。
【図8】CCD素子の構造について説明するための説明
図。
図。
【図9】CCDビデオカメラの構成例について説明する
ための説明図。
ための説明図。
【図10】従来のCMOS型撮像素子の内部構成例につ
いて説明するための説明図。
いて説明するための説明図。
【図11】従来の撮像素子のベアチップ実装について説
明するための説明図。
明するための説明図。
【図12】図11の課題について説明するための説明
図。
図。
【符号の説明】 11,31…IC、12…撮像部、13…周辺回路部、
14,15…電極パッド、16a,16b,34…金バ
ンプ、17,36…TABテープ、18,37…開口
部、19,191,38…カバーガラス、41…異方性
導電膜、61…黒の絶縁膜。
14,15…電極パッド、16a,16b,34…金バ
ンプ、17,36…TABテープ、18,37…開口
部、19,191,38…カバーガラス、41…異方性
導電膜、61…黒の絶縁膜。
Claims (5)
- 【請求項1】 入射された光を電気信号に変換する、少
なくとも1個の光機能部と該光機能部に関連付けられた
信号処理などの周辺回路部を集積した光集積回路におい
て、 信号電極パッドを少なくとも前記光集積回路のチップ周
辺部とチップ内部にある前記光機能部の領域周辺にも電
極パッドを設けたことを特徴とする光集積回路装置。 - 【請求項2】 信号を取り出す電極パッドを、前記光機
能部の領域周辺に設けたことを特徴とする請求項1記載
の光集積回路装置。 - 【請求項3】 前記光集積回路は、配線基板に光学部材
を接着した基板を用い、導電性接着により接合して用い
ることを特徴とする請求項1記載の光集積回路装置。 - 【請求項4】 前記光機能部は光集積回路の中央に配置
構成されていることを特徴とする請求項1記載の光集積
回路装置。 - 【請求項5】 前記光機能部と前記電極パッドを除く光
集積回路部を、反射率の低い絶縁膜で保護してなること
を特徴とする請求項1記載の光集積回路装置。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9232947A JPH1174494A (ja) | 1997-08-28 | 1997-08-28 | 光集積回路装置 |
TW087112839A TW387149B (en) | 1997-08-28 | 1998-08-04 | Optical integrated circuit device |
US09/135,552 US6172351B1 (en) | 1997-08-28 | 1998-08-18 | Photoelectric integrated circuit device |
KR1019980034358A KR19990023833A (ko) | 1997-08-28 | 1998-08-25 | 광 집적 회로 장치 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9232947A JPH1174494A (ja) | 1997-08-28 | 1997-08-28 | 光集積回路装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH1174494A true JPH1174494A (ja) | 1999-03-16 |
Family
ID=16947358
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP9232947A Withdrawn JPH1174494A (ja) | 1997-08-28 | 1997-08-28 | 光集積回路装置 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6172351B1 (ja) |
JP (1) | JPH1174494A (ja) |
KR (1) | KR19990023833A (ja) |
TW (1) | TW387149B (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005340475A (ja) * | 2004-05-26 | 2005-12-08 | Sony Corp | 固体撮像装置 |
WO2016143194A1 (ja) * | 2015-03-11 | 2016-09-15 | オリンパス株式会社 | 撮像装置 |
WO2018198802A1 (ja) * | 2017-04-25 | 2018-11-01 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 固体撮像装置および撮像装置 |
KR20190038502A (ko) * | 2019-03-27 | 2019-04-08 | 삼성전자주식회사 | 이미지 센서 |
Families Citing this family (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10257396A (ja) * | 1997-03-06 | 1998-09-25 | Toshiba Corp | エリア分離型固体撮像装置 |
US6879340B1 (en) * | 1998-08-19 | 2005-04-12 | Micron Technology Inc. | CMOS imager with integrated non-volatile memory |
JP3434740B2 (ja) * | 1999-06-30 | 2003-08-11 | Necエレクトロニクス株式会社 | 固体撮像装置 |
US7375757B1 (en) * | 1999-09-03 | 2008-05-20 | Sony Corporation | Imaging element, imaging device, camera module and camera system |
JP2002252338A (ja) * | 2000-12-18 | 2002-09-06 | Canon Inc | 撮像装置及び撮像システム |
JP3821652B2 (ja) * | 2001-02-26 | 2006-09-13 | 三菱電機株式会社 | 撮像装置 |
JP2002299595A (ja) * | 2001-04-03 | 2002-10-11 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 固体撮像装置およびその製造方法 |
US20040150740A1 (en) * | 2003-01-30 | 2004-08-05 | Hsin Chung Hsien | Miniaturized image sensor module |
KR100817070B1 (ko) * | 2006-10-30 | 2008-03-26 | 삼성전자주식회사 | 다중 그라운드 쉴딩 반도체 패키지, 그 패키지의 제조방법 및 그 그라운드 쉴딩을 이용한 노이즈 방지방법 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4447720A (en) * | 1979-09-25 | 1984-05-08 | Matsuchita Electric Industrial Co., Ltd. | Solid-state image pickup element and process for fabricating the same |
JPS6316659A (ja) * | 1986-07-09 | 1988-01-23 | Fuji Photo Film Co Ltd | 固体撮像装置 |
JPH01173752A (ja) | 1987-12-28 | 1989-07-10 | Ricoh Co Ltd | 等倍イメージセンサー |
JP3207319B2 (ja) | 1993-05-28 | 2001-09-10 | 株式会社東芝 | 光電変換装置及びその製造方法 |
-
1997
- 1997-08-28 JP JP9232947A patent/JPH1174494A/ja not_active Withdrawn
-
1998
- 1998-08-04 TW TW087112839A patent/TW387149B/zh active
- 1998-08-18 US US09/135,552 patent/US6172351B1/en not_active Expired - Fee Related
- 1998-08-25 KR KR1019980034358A patent/KR19990023833A/ko not_active IP Right Cessation
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005340475A (ja) * | 2004-05-26 | 2005-12-08 | Sony Corp | 固体撮像装置 |
WO2016143194A1 (ja) * | 2015-03-11 | 2016-09-15 | オリンパス株式会社 | 撮像装置 |
JPWO2016143194A1 (ja) * | 2015-03-11 | 2017-04-27 | オリンパス株式会社 | 撮像装置 |
WO2018198802A1 (ja) * | 2017-04-25 | 2018-11-01 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 固体撮像装置および撮像装置 |
CN110546765A (zh) * | 2017-04-25 | 2019-12-06 | 松下知识产权经营株式会社 | 固体摄像装置以及摄像装置 |
JPWO2018198802A1 (ja) * | 2017-04-25 | 2020-02-27 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 固体撮像装置および撮像装置 |
US10999551B2 (en) | 2017-04-25 | 2021-05-04 | Panasonic Semiconductor Solutions Co., Ltd. | Solid-state image capture device including stacked pixel substrate and circuit substrate and image capture device |
CN110546765B (zh) * | 2017-04-25 | 2023-10-13 | 新唐科技日本株式会社 | 固体摄像装置以及摄像装置 |
KR20190038502A (ko) * | 2019-03-27 | 2019-04-08 | 삼성전자주식회사 | 이미지 센서 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US6172351B1 (en) | 2001-01-09 |
KR19990023833A (ko) | 1999-03-25 |
TW387149B (en) | 2000-04-11 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP3877860B2 (ja) | 固体撮像素子付半導体装置及び該半導体装置の製造方法 | |
US20020096730A1 (en) | Stacked package structure of image sensor | |
US20060024857A1 (en) | Image sensor package structure and method for fabricating the same | |
JPH1174494A (ja) | 光集積回路装置 | |
JPH1084509A (ja) | 撮像装置およびその製造方法 | |
CN113471153B (zh) | 封装结构及封装方法、摄像头模组及电子设备 | |
JPH11261861A (ja) | レンズ鏡枠用撮像ユニット | |
JPH05115435A (ja) | 固体撮像装置 | |
US20090026567A1 (en) | Image sensor package structure and method for fabricating the same | |
US20040041938A1 (en) | Embedded type camera module | |
JP3758311B2 (ja) | 撮像装置 | |
KR100385590B1 (ko) | 고체 촬상 장치의 패키지 모듈 | |
JP2000332225A (ja) | 撮像装置 | |
JP3817859B2 (ja) | 撮像装置 | |
JP3849248B2 (ja) | 撮像装置 | |
JP2002010116A (ja) | 撮像装置およびそれに用いられる撮像素子 | |
JPH04317280A (ja) | 固体撮像装置 | |
WO2022085326A1 (ja) | 撮像装置、電子機器および撮像装置の製造方法 | |
JP3017780B2 (ja) | 電子内視鏡撮像装置 | |
TWI829297B (zh) | 使用具有槽體之玻璃罩之影像感測器封裝件及其製造方法 | |
JPH11354767A (ja) | イメージセンサ実装体 | |
JPH1117997A (ja) | 撮像装置 | |
CN211606607U (zh) | 摄像模块封装结构 | |
US20030227998A1 (en) | X-ray image sensory system | |
JPH08307777A (ja) | 電子内視鏡用固体撮像装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20041102 |