JPH07142645A - 半導体装置およびその製造方法 - Google Patents
半導体装置およびその製造方法Info
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- JPH07142645A JPH07142645A JP5308655A JP30865593A JPH07142645A JP H07142645 A JPH07142645 A JP H07142645A JP 5308655 A JP5308655 A JP 5308655A JP 30865593 A JP30865593 A JP 30865593A JP H07142645 A JPH07142645 A JP H07142645A
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- H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
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- H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
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- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
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- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
- H01L2924/1815—Shape
Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 樹脂封止パッケージ本体におけるクラックの
発生を防止する。 【構成】 ＴＱＦＰ・ＩＣ２９における樹脂封止パッケ
ージ本体２７の各主面にかまぼこ形の凹み２０ａを形成
し、各凹みは一様な円弧形の凹曲面を成している底面２
１ａと、底面の両端に位置している欠円形の側面２２ａ
とで形成されている。 【効果】 はんだリフロー工程時等における加熱により
樹脂封止パッケージ本体に応力が発生したとしても、パ
ッケージ本体の主面がアーチ形状に形成されているた
め、クラックの発生が低減される。
発生を防止する。 【構成】 ＴＱＦＰ・ＩＣ２９における樹脂封止パッケ
ージ本体２７の各主面にかまぼこ形の凹み２０ａを形成
し、各凹みは一様な円弧形の凹曲面を成している底面２
１ａと、底面の両端に位置している欠円形の側面２２ａ
とで形成されている。 【効果】 はんだリフロー工程時等における加熱により
樹脂封止パッケージ本体に応力が発生したとしても、パ
ッケージ本体の主面がアーチ形状に形成されているた
め、クラックの発生が低減される。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置、特に、樹
脂封止パッケージ本体におけるクラックの発生防止技術
に関し、例えば、表面実装形樹脂封止パッケージを備え
ている半導体集積回路装置（以下、ＩＣという。）に利
用して有効な技術に関する。
脂封止パッケージ本体におけるクラックの発生防止技術
に関し、例えば、表面実装形樹脂封止パッケージを備え
ている半導体集積回路装置（以下、ＩＣという。）に利
用して有効な技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】表面実装形の樹脂封止パッケージを備え
ているＩＣは、半導体ペレット（以下、ペレットとい
う。）と、ペレットがボンディングされているタブと、
ペレットの各ボンディングパッドにボンディングワイヤ
を介して電気的に接続されている複数本のリードと、ペ
レット、タブおよび各リードの一部を樹脂封止するパッ
ケージ本体とを備えている。
ているＩＣは、半導体ペレット（以下、ペレットとい
う。）と、ペレットがボンディングされているタブと、
ペレットの各ボンディングパッドにボンディングワイヤ
を介して電気的に接続されている複数本のリードと、ペ
レット、タブおよび各リードの一部を樹脂封止するパッ
ケージ本体とを備えている。
【０００３】なお、樹脂封止パッケージを備えているＩ
Ｃを述べてある例としては、特開昭５９−１６３５７号
公報、特開昭６２−１１５７５２号公報、特開昭６２−
１２８３３号公報、がある。
Ｃを述べてある例としては、特開昭５９−１６３５７号
公報、特開昭６２−１１５７５２号公報、特開昭６２−
１２８３３号公報、がある。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上記ＩＣにおいては、
ペレットを形成しているシリコン、リードフレームを形
成している４２アロイや銅、およびパッケージ本体を形
成している樹脂についての熱膨張係数が大きく異なるた
め、ＩＣが温度サイクル試験や熱衝撃試験等で、また、
実装時におけるはんだディップやリフローはんだ工程等
で加熱されることにより、パッケージ本体の樹脂とリー
ドフレームのリードとの境界面に剥がれが発生し、その
剥がれによって形成された隙間に水分が浸入して溜ま
り、その水分が所謂水蒸気爆発を起こすことにより、樹
脂封止パッケージ本体にクラックが発生する問題があ
る。
ペレットを形成しているシリコン、リードフレームを形
成している４２アロイや銅、およびパッケージ本体を形
成している樹脂についての熱膨張係数が大きく異なるた
め、ＩＣが温度サイクル試験や熱衝撃試験等で、また、
実装時におけるはんだディップやリフローはんだ工程等
で加熱されることにより、パッケージ本体の樹脂とリー
ドフレームのリードとの境界面に剥がれが発生し、その
剥がれによって形成された隙間に水分が浸入して溜ま
り、その水分が所謂水蒸気爆発を起こすことにより、樹
脂封止パッケージ本体にクラックが発生する問題があ
る。
【０００５】本発明の目的は、樹脂封止パッケージ本体
におけるクラックの発生を低減することができる半導体
装置を提供することにある。
におけるクラックの発生を低減することができる半導体
装置を提供することにある。
【０００６】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかに
なるであろう。
な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかに
なるであろう。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち代表的なものの概要を説明すれば、次の通り
である。
発明のうち代表的なものの概要を説明すれば、次の通り
である。
【０００８】すなわち、半導体ペレットと、半導体ペレ
ットがボンディングされているタブと、半導体ペレット
の各ボンディングパッドに電気的に接続されている複数
本のリードと、半導体ペレット、タブおよび各リードの
一部を樹脂封止するパッケージ本体とを備えている半導
体装置において、前記樹脂封止パッケージ本体の少なく
とも一主面に、底面が凹曲面に形成されている凹みが主
面の略全体にわたって形成されていることを特徴とす
る。
ットがボンディングされているタブと、半導体ペレット
の各ボンディングパッドに電気的に接続されている複数
本のリードと、半導体ペレット、タブおよび各リードの
一部を樹脂封止するパッケージ本体とを備えている半導
体装置において、前記樹脂封止パッケージ本体の少なく
とも一主面に、底面が凹曲面に形成されている凹みが主
面の略全体にわたって形成されていることを特徴とす
る。
【０００９】
【作用】前記した手段によれば、樹脂封止パッケージ本
体の主面には底面が凹曲面を成す凹みが形成されてアー
チ形状を成しているので、リフローはんだ付け工程時等
に樹脂封止パッケージが加熱されることによって応力が
発生したとしても、アーチ形状の効果によってその応力
を充分に支えることができ、その結果、樹脂封止パッケ
ージ本体にクラックが発生するのを低減できる。
体の主面には底面が凹曲面を成す凹みが形成されてアー
チ形状を成しているので、リフローはんだ付け工程時等
に樹脂封止パッケージが加熱されることによって応力が
発生したとしても、アーチ形状の効果によってその応力
を充分に支えることができ、その結果、樹脂封止パッケ
ージ本体にクラックが発生するのを低減できる。
【００１０】
【実施例】図１は本発明の一実施例である樹脂封止形Ｔ
ＱＦＰ・ＩＣ（Ｔｈｉｎ Ｑｕａｄ Ｆｌａｔ Ｐａｃ
ｋａｇｅ・ＩＣ）の実装状態を示す斜視図である。図２
〜図８はその製造方法における各工程を示す各説明図で
ある。
ＱＦＰ・ＩＣ（Ｔｈｉｎ Ｑｕａｄ Ｆｌａｔ Ｐａｃ
ｋａｇｅ・ＩＣ）の実装状態を示す斜視図である。図２
〜図８はその製造方法における各工程を示す各説明図で
ある。
【００１１】本実施例において、本発明に係る半導体装
置は、ＴＱＦＰ・ＩＣとして構成されている。このＴＱ
ＦＰ・ＩＣ２９は、ペレット２４と、ペレット２４がボ
ンディングされているタブ１８と、ペレット２４の各ボ
ンディングパッド２４ａにボンディングワイヤ２５を介
して電気的に接続されている複数本のリード１９と、ペ
レット２４、タブ１８および各リード１９の一部を樹脂
封止する樹脂封止パッケージ本体２７とを備えている。
置は、ＴＱＦＰ・ＩＣとして構成されている。このＴＱ
ＦＰ・ＩＣ２９は、ペレット２４と、ペレット２４がボ
ンディングされているタブ１８と、ペレット２４の各ボ
ンディングパッド２４ａにボンディングワイヤ２５を介
して電気的に接続されている複数本のリード１９と、ペ
レット２４、タブ１８および各リード１９の一部を樹脂
封止する樹脂封止パッケージ本体２７とを備えている。
【００１２】樹脂封止パッケージ本体２７の２つの主面
は平面から見て略正方形を成しており、これらの各主面
にはそれぞれ主面の略全体にわたって主面の外形と同心
的に平面から見て略正方形の凹み２０ａ、２０ｂが形成
されている。これらの凹み２０ａ、２０ｂはかまぼこ形
を成しており、一方向において一様な円弧形の凹曲面に
形成されている底面２１ａ、２１ｂと、底面２１ａ、２
１ｂの両端に位置する欠円形の一対の垂直な側面２２
ａ、２２ｂとで形成されている。
は平面から見て略正方形を成しており、これらの各主面
にはそれぞれ主面の略全体にわたって主面の外形と同心
的に平面から見て略正方形の凹み２０ａ、２０ｂが形成
されている。これらの凹み２０ａ、２０ｂはかまぼこ形
を成しており、一方向において一様な円弧形の凹曲面に
形成されている底面２１ａ、２１ｂと、底面２１ａ、２
１ｂの両端に位置する欠円形の一対の垂直な側面２２
ａ、２２ｂとで形成されている。
【００１３】以下、本発明の一実施例であるこのＴＱＦ
Ｐ・ＩＣの製造方法を説明する。この説明により、ＴＱ
ＦＰ・ＩＣについての前記した構成の詳細が共に明らか
にされる。
Ｐ・ＩＣの製造方法を説明する。この説明により、ＴＱ
ＦＰ・ＩＣについての前記した構成の詳細が共に明らか
にされる。
【００１４】本実施例において、ＴＱＦＰ・ＩＣの製造
方法には、図２に示されている多連リードフレーム１１
が使用されており、この多連リードフレーム１１は多連
リードフレーム成形工程によって製作されて準備されて
いる。この多連リードフレーム１１は、鉄−ニッケル合
金や燐青銅等のような比較的大きい機械的強度を有する
ばね材料からなる薄板が用いられて、打ち抜きプレス加
工またはエッチング加工等のような適当な手段により一
体成形されている。多連リードフレーム１１の表面には
銀（Ａｇ）等を用いためっき処理が、後述するワイヤボ
ンディングが適正に実施されるように部分的または全体
的に施されている（図示せず）。この多連リードフレー
ム１１には複数の単位リードフレーム１２が横方向に１
列に並設されている。但し、一単位のみが図示されてい
る。
方法には、図２に示されている多連リードフレーム１１
が使用されており、この多連リードフレーム１１は多連
リードフレーム成形工程によって製作されて準備されて
いる。この多連リードフレーム１１は、鉄−ニッケル合
金や燐青銅等のような比較的大きい機械的強度を有する
ばね材料からなる薄板が用いられて、打ち抜きプレス加
工またはエッチング加工等のような適当な手段により一
体成形されている。多連リードフレーム１１の表面には
銀（Ａｇ）等を用いためっき処理が、後述するワイヤボ
ンディングが適正に実施されるように部分的または全体
的に施されている（図示せず）。この多連リードフレー
ム１１には複数の単位リードフレーム１２が横方向に１
列に並設されている。但し、一単位のみが図示されてい
る。
【００１５】単位リードフレーム１２は位置決め孔１３
ａが開設されている外枠１３を一対備えており、両外枠
１３は所定の間隔で平行になるように配されて一連にそ
れぞれ延設されている。隣り合う単位リードフレーム１
２、１２間には一対のセクション枠１４が両外枠１３、
１３間に互いに平行に配されて一体的に架設されてお
り、これら外枠、セクション枠により形成される略正方
形の枠体（フレーム）内に単位リードフレーム１２が構
成されている。
ａが開設されている外枠１３を一対備えており、両外枠
１３は所定の間隔で平行になるように配されて一連にそ
れぞれ延設されている。隣り合う単位リードフレーム１
２、１２間には一対のセクション枠１４が両外枠１３、
１３間に互いに平行に配されて一体的に架設されてお
り、これら外枠、セクション枠により形成される略正方
形の枠体（フレーム）内に単位リードフレーム１２が構
成されている。
【００１６】各単位リードフレーム１２において、外枠
１３およびセクション枠１４の接続部にはダム吊り部材
１５が略直角方向にそれぞれ配されて一体的に突設され
ており、ダム吊り部材１５には４本のダム部材１６が略
正方形の枠形状になるように配されて、一体的に吊持さ
れている。
１３およびセクション枠１４の接続部にはダム吊り部材
１５が略直角方向にそれぞれ配されて一体的に突設され
ており、ダム吊り部材１５には４本のダム部材１６が略
正方形の枠形状になるように配されて、一体的に吊持さ
れている。
【００１７】セクション枠１４側の各ダム部材１６には
タブ吊りリード１７がそれぞれの一端に配されて、略４
５度方向に対向して一体的に突設されており、各タブ吊
りリード１７の先端には略正方形の平板形状に形成され
たタブ１８が、ダム部材１６群の枠形状と略同心的に配
されて、これらタブ吊りリード１７により吊持されるよ
うに一体的に連設されている。
タブ吊りリード１７がそれぞれの一端に配されて、略４
５度方向に対向して一体的に突設されており、各タブ吊
りリード１７の先端には略正方形の平板形状に形成され
たタブ１８が、ダム部材１６群の枠形状と略同心的に配
されて、これらタブ吊りリード１７により吊持されるよ
うに一体的に連設されている。
【００１８】各タブ吊りリード１７はタブ１８付近にお
いてそれぞれ屈曲されており、このタブ吊りリード１７
の屈曲によって、タブ１８は後記するリード群の面より
も、後記するペレットの厚さ分程度下げられている（所
謂タブ下げ。）。
いてそれぞれ屈曲されており、このタブ吊りリード１７
の屈曲によって、タブ１８は後記するリード群の面より
も、後記するペレットの厚さ分程度下げられている（所
謂タブ下げ。）。
【００１９】また、ダム部材１６には電気配線としての
リード１９が複数本、長手方向に等間隔に配されて、互
いに平行で、ダム部材１６と直交するように一体的に突
設されている。各リード１９の内側端部は先端がタブ１
８を取り囲むように配されることにより、インナ部１９
ａをそれぞれ構成している。他方、各リード１９の外側
延長部分は、その先端が外枠１３およびセクション枠１
４に接続されており、アウタ部１９ｂをそれぞれ構成し
ている。そして、ダム部材１６における隣り合うリード
１９、１９間の部分は、後述するパッケージ本体成形時
にレジンの流れをせき止めるダム１６ａを実質的に構成
している。
リード１９が複数本、長手方向に等間隔に配されて、互
いに平行で、ダム部材１６と直交するように一体的に突
設されている。各リード１９の内側端部は先端がタブ１
８を取り囲むように配されることにより、インナ部１９
ａをそれぞれ構成している。他方、各リード１９の外側
延長部分は、その先端が外枠１３およびセクション枠１
４に接続されており、アウタ部１９ｂをそれぞれ構成し
ている。そして、ダム部材１６における隣り合うリード
１９、１９間の部分は、後述するパッケージ本体成形時
にレジンの流れをせき止めるダム１６ａを実質的に構成
している。
【００２０】多連リードフレーム成形工程において準備
された以上の構成に係る多連リードフレーム１１には、
ペレット・ボンディング工程およびワイヤ・ボンディン
グ工程において、ペレット・ボンディング作業、続い
て、ワイヤ・ボンディング作業が実施される。これらボ
ンディング作業は多連リードフレームが横方向にピッチ
送りされることにより、各単位リードフレーム毎に順次
実施される。
された以上の構成に係る多連リードフレーム１１には、
ペレット・ボンディング工程およびワイヤ・ボンディン
グ工程において、ペレット・ボンディング作業、続い
て、ワイヤ・ボンディング作業が実施される。これらボ
ンディング作業は多連リードフレームが横方向にピッチ
送りされることにより、各単位リードフレーム毎に順次
実施される。
【００２１】まず、ペレット・ボンディング作業によ
り、半導体装置の製造工程における所謂前工程において
集積回路を作り込まれた半導体集積回路構造物としての
ペレット２４が、図３および図４に示されているよう
に、各単位リードフレーム１２におけるタブ１８上の略
中央部に配されて、タブ１８とペレット２４との間に形
成されたボンディング層２３によって機械的に固着され
ることによりボンディングされる。ペレットボンディン
グ層２３の形成手段としては、金−シリコン共晶層、は
んだ付け層および銀ペースト接着層等々によるボンディ
ング法を用いることが可能である。但し、必要に応じ
て、ペレットからタブへの熱伝達の障壁とならないよう
に、ボンディング層２３を形成することが望ましい。
り、半導体装置の製造工程における所謂前工程において
集積回路を作り込まれた半導体集積回路構造物としての
ペレット２４が、図３および図４に示されているよう
に、各単位リードフレーム１２におけるタブ１８上の略
中央部に配されて、タブ１８とペレット２４との間に形
成されたボンディング層２３によって機械的に固着され
ることによりボンディングされる。ペレットボンディン
グ層２３の形成手段としては、金−シリコン共晶層、は
んだ付け層および銀ペースト接着層等々によるボンディ
ング法を用いることが可能である。但し、必要に応じ
て、ペレットからタブへの熱伝達の障壁とならないよう
に、ボンディング層２３を形成することが望ましい。
【００２２】続いて、ワイヤボンディング作業により、
図３および図４に示されているように、タブ１８上にボ
ンディングされたペレット２４のボンディングパッド２
４ａと、各単位リードフレーム１２におけるリード１９
のインナ部１９ａとの間に、ボンディングワイヤ２５が
超音波熱圧着式ワイヤボンディング装置等のような適当
なワイヤボンディング装置（図示せず）が使用されるこ
とにより、その両端部をそれぞれボンディングされて橋
絡される。これにより、ペレット２４に作り込まれてい
る集積回路は、ボンディングパッド２４ａ、ボンディン
グワイヤ２５、リード１９のインナ部１９ａおよびアウ
タ部１９ｂを介して電気的に外部に引き出されることに
なる。
図３および図４に示されているように、タブ１８上にボ
ンディングされたペレット２４のボンディングパッド２
４ａと、各単位リードフレーム１２におけるリード１９
のインナ部１９ａとの間に、ボンディングワイヤ２５が
超音波熱圧着式ワイヤボンディング装置等のような適当
なワイヤボンディング装置（図示せず）が使用されるこ
とにより、その両端部をそれぞれボンディングされて橋
絡される。これにより、ペレット２４に作り込まれてい
る集積回路は、ボンディングパッド２４ａ、ボンディン
グワイヤ２５、リード１９のインナ部１９ａおよびアウ
タ部１９ｂを介して電気的に外部に引き出されることに
なる。
【００２３】このようにしてペレットおよびワイヤ・ボ
ンディングされた組立体２６には、各単位リードフレー
ム毎に樹脂封止するパッケージ本体２７群が、図５およ
び図６に示されているようなトランスファ成形装置３０
が使用されて、単位リードフレーム群について同時成形
される。
ンディングされた組立体２６には、各単位リードフレー
ム毎に樹脂封止するパッケージ本体２７群が、図５およ
び図６に示されているようなトランスファ成形装置３０
が使用されて、単位リードフレーム群について同時成形
される。
【００２４】図５および図６に示されているトランスフ
ァ成形装置３０は、シリンダ装置等（図示せず）によっ
て互いに型締めされる一対の上型３１と下型３２とを備
えており、上型３１と下型３２との合わせ面には上型キ
ャビティー凹部３３ａと下型キャビティー凹部３３ｂと
が互いに協働してキャビティー３３を形成するようにそ
れぞれ複数組没設されている。本実施例において、この
キャビティー３３の全高はＴＱＦＰ・ＩＣに対応するた
めに、１ｍｍ以下に設定されている。
ァ成形装置３０は、シリンダ装置等（図示せず）によっ
て互いに型締めされる一対の上型３１と下型３２とを備
えており、上型３１と下型３２との合わせ面には上型キ
ャビティー凹部３３ａと下型キャビティー凹部３３ｂと
が互いに協働してキャビティー３３を形成するようにそ
れぞれ複数組没設されている。本実施例において、この
キャビティー３３の全高はＴＱＦＰ・ＩＣに対応するた
めに、１ｍｍ以下に設定されている。
【００２５】上型キャビティー凹部３３ａと下型キャビ
ティー凹部３３ｂは平面から見て略正方形を成してお
り、各凹部３３ａ、３３ｂの底面にはそれぞれ底面の略
全体にわたって底面の形状と同心的に平面から見て略正
方形の凸部４３ａ、４３ｂが突出形成されている。各凸
部４３ａ、４３ｂはかまぼこ形を成しており、一方向に
おいて一様な円弧形の凸曲面に形成されている底面４４
ａ、４４ｂと、底面４４ａ、４４ｂの両端に位置する欠
円形の一対の垂直な側面（下型キャビティー凹部３３ｂ
における側面４５ｂは図６（ｃ）参照、上型キャビティ
ー凹部３３ａにおける側面も同様に形成されている。）
とで形成されている。
ティー凹部３３ｂは平面から見て略正方形を成してお
り、各凹部３３ａ、３３ｂの底面にはそれぞれ底面の略
全体にわたって底面の形状と同心的に平面から見て略正
方形の凸部４３ａ、４３ｂが突出形成されている。各凸
部４３ａ、４３ｂはかまぼこ形を成しており、一方向に
おいて一様な円弧形の凸曲面に形成されている底面４４
ａ、４４ｂと、底面４４ａ、４４ｂの両端に位置する欠
円形の一対の垂直な側面（下型キャビティー凹部３３ｂ
における側面４５ｂは図６（ｃ）参照、上型キャビティ
ー凹部３３ａにおける側面も同様に形成されている。）
とで形成されている。
【００２６】上型３１の合わせ面にはポット３４が開設
されており、ポット３４にはシリンダ装置（図示せず）
により進退されるプランジャ３５が成形材料としての樹
脂（以下、レジンという。）を送給し得るように挿入さ
れている。
されており、ポット３４にはシリンダ装置（図示せず）
により進退されるプランジャ３５が成形材料としての樹
脂（以下、レジンという。）を送給し得るように挿入さ
れている。
【００２７】下型３２の合わせ面にはカル３６がポット
３４との対向位置に配されて没設されているとともに、
複数条のランナ３７がカル３６にそれぞれ接続するよう
に放射状に配されて没設されている。各ランナ３７の他
端部は下側キャビティー凹部３３ｂにそれぞれ接続され
ており、その接続部にはゲート３８がレジンをキャビテ
ィー３３内に注入し得るように形成されている。また、
下型３２の合わせ面には逃げ凹所３９がリードフレーム
の厚みを逃げ得るように、多連リードフレーム１１の外
形よりも若干大きめの長方形で、その厚さと略等しい寸
法の一定深さに没設されている。
３４との対向位置に配されて没設されているとともに、
複数条のランナ３７がカル３６にそれぞれ接続するよう
に放射状に配されて没設されている。各ランナ３７の他
端部は下側キャビティー凹部３３ｂにそれぞれ接続され
ており、その接続部にはゲート３８がレジンをキャビテ
ィー３３内に注入し得るように形成されている。また、
下型３２の合わせ面には逃げ凹所３９がリードフレーム
の厚みを逃げ得るように、多連リードフレーム１１の外
形よりも若干大きめの長方形で、その厚さと略等しい寸
法の一定深さに没設されている。
【００２８】前記構成にかかる組立体２６が用いられて
樹脂封止形パッケージ本体がトランスファ成形される場
合、上型３１および下型３２における各キャビティー３
３は各単位リードフレーム１２における一対のダム１６
ａ、１６ａ間の空間にそれぞれ対応される。
樹脂封止形パッケージ本体がトランスファ成形される場
合、上型３１および下型３２における各キャビティー３
３は各単位リードフレーム１２における一対のダム１６
ａ、１６ａ間の空間にそれぞれ対応される。
【００２９】トランスファ成形時において、前記構成に
かかる組立体２６は、多連リードフレーム１１が下型３
２に没設されている逃げ凹所３９内に収容され、各単位
リードフレーム１２におけるペレット２４が各キャビテ
ィー３３内にそれぞれ収容されるように配されてセット
される。
かかる組立体２６は、多連リードフレーム１１が下型３
２に没設されている逃げ凹所３９内に収容され、各単位
リードフレーム１２におけるペレット２４が各キャビテ
ィー３３内にそれぞれ収容されるように配されてセット
される。
【００３０】続いて、上型３１と下型３２とが型締めさ
れ、ポット３４からプランジャ３５によりレジン４０が
ランナ３７およびゲート３８を通じて各キャビティー３
３に送給されて圧入される。
れ、ポット３４からプランジャ３５によりレジン４０が
ランナ３７およびゲート３８を通じて各キャビティー３
３に送給されて圧入される。
【００３１】注入後、レジンが熱硬化されて樹脂封止形
パッケージ本体２７が成形されると、上型３１および下
型３２は型開きされるとともに、エジェクタ・ピン（図
示せず）により樹脂封止パッケージ本体２７群が離型さ
れる。このようにして、図７および図８に示されている
ように、樹脂封止パッケージ本体２７群が成形された組
立体２８はトランスファ成形装置３０から脱装される。
そして、このように樹脂成形された樹脂封止パッケージ
本体２７の内部には、タブ１８、ペレット２４、リード
１９のインナ部１９ａおよびワイヤ２５が樹脂封止され
ることになる。
パッケージ本体２７が成形されると、上型３１および下
型３２は型開きされるとともに、エジェクタ・ピン（図
示せず）により樹脂封止パッケージ本体２７群が離型さ
れる。このようにして、図７および図８に示されている
ように、樹脂封止パッケージ本体２７群が成形された組
立体２８はトランスファ成形装置３０から脱装される。
そして、このように樹脂成形された樹脂封止パッケージ
本体２７の内部には、タブ１８、ペレット２４、リード
１９のインナ部１９ａおよびワイヤ２５が樹脂封止され
ることになる。
【００３２】本実施例においては、上型キャビティー凹
部３３ａと下型キャビティー凹部３３ｂの底面にはそれ
ぞれ底面の略全体にわたってかまぼこ形の凸部４３ａ、
４３ｂが突出形成されているので、樹脂封止パッケージ
本体２７の２つの主面にはそれぞれかまぼこ形の凹み２
０ａ、２０ｂが形成される。
部３３ａと下型キャビティー凹部３３ｂの底面にはそれ
ぞれ底面の略全体にわたってかまぼこ形の凸部４３ａ、
４３ｂが突出形成されているので、樹脂封止パッケージ
本体２７の２つの主面にはそれぞれかまぼこ形の凹み２
０ａ、２０ｂが形成される。
【００３３】樹脂封止パッケージ本体を成形された半完
成品としての組立体２８は、図示しないが、リード切断
成形工程において各単位リードフレーム毎に順次、外枠
１３およびダム１６ａを切り落とされるとともに、各リ
ード１９のアウタ部１９ｂをガル・ウイング形状に屈曲
形成される。
成品としての組立体２８は、図示しないが、リード切断
成形工程において各単位リードフレーム毎に順次、外枠
１３およびダム１６ａを切り落とされるとともに、各リ
ード１９のアウタ部１９ｂをガル・ウイング形状に屈曲
形成される。
【００３４】以上のようにして製造された樹脂封止形Ｔ
ＱＦＰ・ＩＣ２９は図１に示されているようにプリント
配線基板に実装される。
ＱＦＰ・ＩＣ２９は図１に示されているようにプリント
配線基板に実装される。
【００３５】プリント配線基板４１にはランド４２が複
数個、実装対象物となる樹脂封止形ＴＱＦＰ・ＩＣ２９
における各リード１９に対応するように配されて、はん
だ材料を用いられて略長方形の薄板形状に形成されてお
り、このランド４２群にこのＩＣ２９のリード１９群が
それぞれ整合されて当接されているとともに、各リード
１９とランド４２とがリフローはんだ処理により形成さ
れたはんだ盛り層（図示せず）によって電気的かつ機械
的に接続されている。
数個、実装対象物となる樹脂封止形ＴＱＦＰ・ＩＣ２９
における各リード１９に対応するように配されて、はん
だ材料を用いられて略長方形の薄板形状に形成されてお
り、このランド４２群にこのＩＣ２９のリード１９群が
それぞれ整合されて当接されているとともに、各リード
１９とランド４２とがリフローはんだ処理により形成さ
れたはんだ盛り層（図示せず）によって電気的かつ機械
的に接続されている。
【００３６】次に作用を説明する。前記構成にかかるＴ
ＱＦＰ・ＩＣは出荷前に抜き取り検査を実施される。抜
き取り検査としては温度サイクル試験や熱衝撃試験を含
む環境試験が実施される。また、このＴＱＦＰ・ＩＣが
プリント配線基板等に実装される際、はんだディップ処
理やリフローはんだ処理によってＴＱＦＰ・ＩＣは加熱
される。
ＱＦＰ・ＩＣは出荷前に抜き取り検査を実施される。抜
き取り検査としては温度サイクル試験や熱衝撃試験を含
む環境試験が実施される。また、このＴＱＦＰ・ＩＣが
プリント配線基板等に実装される際、はんだディップ処
理やリフローはんだ処理によってＴＱＦＰ・ＩＣは加熱
される。
【００３７】このような環境試験または実装時に熱スト
レスが前記構成に係るＴＱＦＰ・ＩＣ２９に加えられた
場合、構成材料の熱膨張係数差により樹脂封止パッケー
ジ本体２７の内部に応力が発生する。
レスが前記構成に係るＴＱＦＰ・ＩＣ２９に加えられた
場合、構成材料の熱膨張係数差により樹脂封止パッケー
ジ本体２７の内部に応力が発生する。
【００３８】ところで、タブの外周縁が鋭い直角に形成
されている場合、樹脂封止パッケージ本体の内部応力は
タブの裏面における外縁付近に集中する。但し、樹脂封
止パッケージ本体のクラックはこの程度の応力集中では
発生しない。しかし、度重なる熱ストレスによる繰り返
し応力により、タブ下面とパッケージの樹脂との界面
や、タブとペレットとの界面に剥離が発生すると、前記
応力集中箇所に過大な応力が作用するため、そこを起点
にしてクラックが発生する。
されている場合、樹脂封止パッケージ本体の内部応力は
タブの裏面における外縁付近に集中する。但し、樹脂封
止パッケージ本体のクラックはこの程度の応力集中では
発生しない。しかし、度重なる熱ストレスによる繰り返
し応力により、タブ下面とパッケージの樹脂との界面
や、タブとペレットとの界面に剥離が発生すると、前記
応力集中箇所に過大な応力が作用するため、そこを起点
にしてクラックが発生する。
【００３９】さらに、樹脂封止パッケージ完成後の保管
過程において樹脂封止パッケージ本体の内部に吸湿され
た湿気が、万一、タブ下面とパッケージ本体の封止との
間の剥離によって発生した隙間に侵入すると、ＴＱＦＰ
・ＩＣが加熱された際に、加熱によって当該湿気が膨張
することによって所謂水蒸気爆発が発生するため、一層
過大な応力が発生される。このため、前記応力集中箇所
を起点とするクラックは一層発生され易くなるという問
題点があることが明らかにされている。
過程において樹脂封止パッケージ本体の内部に吸湿され
た湿気が、万一、タブ下面とパッケージ本体の封止との
間の剥離によって発生した隙間に侵入すると、ＴＱＦＰ
・ＩＣが加熱された際に、加熱によって当該湿気が膨張
することによって所謂水蒸気爆発が発生するため、一層
過大な応力が発生される。このため、前記応力集中箇所
を起点とするクラックは一層発生され易くなるという問
題点があることが明らかにされている。
【００４０】しかし、本実施例においては、例えば、図
９に示されているように、樹脂封止パッケージ本体２７
に吸湿された水分が、タブ１８下面と樹脂封止パッケー
ジ本体２７の樹脂との界面に形成された隙間に溜まっ
て、前述した加熱時における樹脂封止パッケージ本体２
７の温度上昇に伴って引き起こされる所謂水蒸気爆発が
発生したとしても、樹脂封止パッケージ本体２７の各主
面に形成されている凹み２０ａ、２０ｂの底面２１ａ、
２１ｂが一様な円弧形の凹曲面に形成されてアーチ形状
に形成されているので、応力をアーチ形状の効果により
充分に支えることができ、樹脂封止パッケージ本体２７
にクラックが発生するのを低減することができる。
９に示されているように、樹脂封止パッケージ本体２７
に吸湿された水分が、タブ１８下面と樹脂封止パッケー
ジ本体２７の樹脂との界面に形成された隙間に溜まっ
て、前述した加熱時における樹脂封止パッケージ本体２
７の温度上昇に伴って引き起こされる所謂水蒸気爆発が
発生したとしても、樹脂封止パッケージ本体２７の各主
面に形成されている凹み２０ａ、２０ｂの底面２１ａ、
２１ｂが一様な円弧形の凹曲面に形成されてアーチ形状
に形成されているので、応力をアーチ形状の効果により
充分に支えることができ、樹脂封止パッケージ本体２７
にクラックが発生するのを低減することができる。
【００４１】以上説明した前記実施例によれば、次の効
果が得られる。 樹脂封止パッケージ本体の主面に主面の略全体にわ
たる凹みを形成し、この凹みの底面が一様な円弧形の凹
曲面に形成されていることにより、樹脂封止パッケージ
本体の温度上昇に伴って応力が発生したとしても、凹曲
面によって応力が充分に支えられるため、樹脂封止パッ
ケージ本体のクラックを低減することができる。
果が得られる。 樹脂封止パッケージ本体の主面に主面の略全体にわ
たる凹みを形成し、この凹みの底面が一様な円弧形の凹
曲面に形成されていることにより、樹脂封止パッケージ
本体の温度上昇に伴って応力が発生したとしても、凹曲
面によって応力が充分に支えられるため、樹脂封止パッ
ケージ本体のクラックを低減することができる。
【００４２】 前記により、樹脂封止パッケージ本
体におけるクラックの発生を防止することができるの
で、表面実装形パッケージをさらに薄形で、かつ小形化
させることができ、表面実装形パッケージを備えている
ＩＣの集積密度および実装密度をさらに一層高めること
ができる。
体におけるクラックの発生を防止することができるの
で、表面実装形パッケージをさらに薄形で、かつ小形化
させることができ、表面実装形パッケージを備えている
ＩＣの集積密度および実装密度をさらに一層高めること
ができる。
【００４３】 樹脂封止パッケージ本体の主面に主面
の略全体にわたる凹みを形成し、この凹みの底面が一様
な円弧形の凹曲面に形成されていることにより、樹脂封
止パッケージ本体を形成する樹脂の使用量を低減するこ
とができ、コスト低減等を図ることができる。
の略全体にわたる凹みを形成し、この凹みの底面が一様
な円弧形の凹曲面に形成されていることにより、樹脂封
止パッケージ本体を形成する樹脂の使用量を低減するこ
とができ、コスト低減等を図ることができる。
【００４４】図１０〜図１２は本発明の別の実施例２で
あるＴＱＦＰ・ＩＣを示す。本実施例２と上記実施例１
とは、樹脂封止パッケージ本体の主面に形成されている
凹みの形状が相違するのみで、他の構成は同じである。
あるＴＱＦＰ・ＩＣを示す。本実施例２と上記実施例１
とは、樹脂封止パッケージ本体の主面に形成されている
凹みの形状が相違するのみで、他の構成は同じである。
【００４５】本実施例２における樹脂封止パッケージ本
体２７の各主面の略全体にわたって形成されている凹み
２０ａ、２０ｂは、あらゆる方向において円弧形を成し
ている球面形に形成されている。したがって、樹脂封止
パッケージ本体の成形装置においてキャビティーを形成
する上型キャビティー凹部と下型キャビティー凹部の各
底面にはそれぞれ球面形の凸部が形成されており、これ
らの凸部によってパッケージ本体成形時に樹脂封止パッ
ケージ本体２７の各主面に球面形の凹み２０ａ、２０ｂ
が形成される。
体２７の各主面の略全体にわたって形成されている凹み
２０ａ、２０ｂは、あらゆる方向において円弧形を成し
ている球面形に形成されている。したがって、樹脂封止
パッケージ本体の成形装置においてキャビティーを形成
する上型キャビティー凹部と下型キャビティー凹部の各
底面にはそれぞれ球面形の凸部が形成されており、これ
らの凸部によってパッケージ本体成形時に樹脂封止パッ
ケージ本体２７の各主面に球面形の凹み２０ａ、２０ｂ
が形成される。
【００４６】以上本発明者によってなされた発明を実施
例に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施例に
限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で
種々変更可能であることはいうまでもない。
例に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施例に
限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で
種々変更可能であることはいうまでもない。
【００４７】以上の説明では主として本発明者によって
なされた発明をその背景となった利用分野であるＴＱＦ
Ｐ・ＩＣに適用した場合について主に説明したが、それ
に限定されるものではなく、樹脂封止パッケージを備え
ている半導体装置全般に適用することができる。
なされた発明をその背景となった利用分野であるＴＱＦ
Ｐ・ＩＣに適用した場合について主に説明したが、それ
に限定されるものではなく、樹脂封止パッケージを備え
ている半導体装置全般に適用することができる。
【００４８】
【発明の効果】本願において開示される発明のうち代表
的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、次
の通りである。
的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、次
の通りである。
【００４９】樹脂封止パッケージ本体の少なくとも一主
面に、底面が凹曲面に形成されている凹みが主面の略全
体にわたって形成されていることにより、樹脂封止パッ
ケージ本体にクラックが発生するのを低減することがで
きるとともに、樹脂封止パッケージ本体を形成する樹脂
の使用量を低減することができ、コストの低減等を図る
ことができる。
面に、底面が凹曲面に形成されている凹みが主面の略全
体にわたって形成されていることにより、樹脂封止パッ
ケージ本体にクラックが発生するのを低減することがで
きるとともに、樹脂封止パッケージ本体を形成する樹脂
の使用量を低減することができ、コストの低減等を図る
ことができる。
【図１】本発明の一実施例である樹脂封止形ＴＱＦＰ・
ＩＣの実装状態を示す斜視図である。
ＩＣの実装状態を示す斜視図である。
【図２】そのＴＱＦＰ・ＩＣの製造方法に使用される多
連リードフレームを示す一部省略平面図である。
連リードフレームを示す一部省略平面図である。
【図３】ペレットおよびワイヤ・ボンディング工程後を
示す一部省略平面図である。
示す一部省略平面図である。
【図４】図３のIV−IV線に沿う正面断面図である。
【図５】樹脂封止パッケージ本体の成形工程を示す一部
省略縦断面図である。
省略縦断面図である。
【図６】成形装置の下型キャビティー凹部を示し、
（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）におけるｂ−ｂ線断面
図、（ｃ）は（ａ）におけるｃ−ｃ線断面図である。
（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）におけるｂ−ｂ線断面
図、（ｃ）は（ａ）におけるｃ−ｃ線断面図である。
【図７】樹脂封止パッケージ本体成形後の組立体を示す
平面図である。
平面図である。
【図８】（ａ）は図７におけるａ−ａ線断面図、（ｂ）
は図７におけるｂ−ｂ線断面図である。
は図７におけるｂ−ｂ線断面図である。
【図９】クラック発生防止の作用を説明するための拡大
した正面断面図である。
した正面断面図である。
【図１０】本発明の別の実施例２である樹脂封止形ＴＱ
ＦＰ・ＩＣの実装状態を示す斜視図である。
ＦＰ・ＩＣの実装状態を示す斜視図である。
【図１１】樹脂封止パッケージ本体成形後の組立体を示
す平面図である。
す平面図である。
【図１２】（ａ）は図１１におけるａ−ａ線断面図、
（ｂ）は図１１におけるｂ−ｂ線断面図である。
（ｂ）は図１１におけるｂ−ｂ線断面図である。
【符号の説明】 １１…多連リードフレーム、１２…単位リードフレー
ム、１３…外枠、１４…セクション枠、１５…ダム吊り
部材、１６…ダム部材、１６ａ…ダム、１７…タブ吊り
リード、１８…タブ、１９…リード、１９ａ…インナ
部、１９ｂ…アウタ部、２０ａ、２０ｂ…凹み、２１
ａ、２１ｂ…底面、２２ａ、２２ｂ…側面、２３…ボン
ディング層、２４…ペレット、２４ａ…ボンディングパ
ッド、２５…ワイヤ、２６…組立体、２７…樹脂封止パ
ッケージ本体、２８…樹脂封止パッケージ本体成形後の
組立体、２９…ＴＱＦＰ・ＩＣ（半導体装置）、３０…
トランスファ成形装置、３１…上型、３２…下型、３３
…キャビティー、３３ａ…上型キャビティー凹部、３３
ｂ…下型キャビティー凹部、３４…ポット、３５…プラ
ンジャ、３６…カル、３７…ランナ、３８…ゲート、３
９…逃げ凹所、４０…レジン、４１…プリント配線基
板、４２…ランド、４３ａ、４３ｂ…凸部、４４ａ、４
４ｂ…底面、４５ｂ…側面。
ム、１３…外枠、１４…セクション枠、１５…ダム吊り
部材、１６…ダム部材、１６ａ…ダム、１７…タブ吊り
リード、１８…タブ、１９…リード、１９ａ…インナ
部、１９ｂ…アウタ部、２０ａ、２０ｂ…凹み、２１
ａ、２１ｂ…底面、２２ａ、２２ｂ…側面、２３…ボン
ディング層、２４…ペレット、２４ａ…ボンディングパ
ッド、２５…ワイヤ、２６…組立体、２７…樹脂封止パ
ッケージ本体、２８…樹脂封止パッケージ本体成形後の
組立体、２９…ＴＱＦＰ・ＩＣ（半導体装置）、３０…
トランスファ成形装置、３１…上型、３２…下型、３３
…キャビティー、３３ａ…上型キャビティー凹部、３３
ｂ…下型キャビティー凹部、３４…ポット、３５…プラ
ンジャ、３６…カル、３７…ランナ、３８…ゲート、３
９…逃げ凹所、４０…レジン、４１…プリント配線基
板、４２…ランド、４３ａ、４３ｂ…凸部、４４ａ、４
４ｂ…底面、４５ｂ…側面。
Claims (4)
- 【請求項１】 半導体ペレットと、半導体ペレットがボ
ンディングされているタブと、半導体ペレットの各ボン
ディングパッドに電気的に接続されている複数本のリー
ドと、半導体ペレット、タブおよび各リードの一部を樹
脂封止するパッケージ本体とを備えている半導体装置に
おいて、 前記樹脂封止パッケージ本体の少なくとも一主面に、底
面が凹曲面に形成されている凹みが主面の略全体にわた
って形成されていることを特徴とする半導体装置。 - 【請求項２】 前記凹みが一方向において一様な円弧形
を成しているかまぼこ形に形成されていることを特徴と
する請求項１記載の半導体装置。 - 【請求項３】 前記凹みがあらゆる方向において円弧形
を成している球面形に形成されていることを特徴とする
請求項１記載の半導体装置。 - 【請求項４】 半導体ペレットと、半導体ペレットがボ
ンディングされているタブと、半導体ペレットの各ボン
ディングパッドに電気的に接続されている複数本のリー
ドと、半導体ペレット、タブおよび各リードの一部を樹
脂封止するパッケージ本体とを備えている半導体装置の
製造方法において、 成形型のキャビティーの内面が凸曲面に形成されている
凸部を備えており、この成形型のキャビティー内に樹脂
が注入されて、前記半導体ペレット、タブおよび各リー
ドの一部を樹脂封止するパッケージ本体が成形されると
ともに、成形されたパッケージ本体には少なくとも一主
面に、底面が凹曲面に形成されている凹みが主面の略全
体にわたって形成されているパッケージ本体成形工程を
備えていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5308655A JPH07142645A (ja) | 1993-11-15 | 1993-11-15 | 半導体装置およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5308655A JPH07142645A (ja) | 1993-11-15 | 1993-11-15 | 半導体装置およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07142645A true JPH07142645A (ja) | 1995-06-02 |
Family
ID=17983695
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5308655A Withdrawn JPH07142645A (ja) | 1993-11-15 | 1993-11-15 | 半導体装置およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07142645A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013065648A (ja) * | 2011-09-16 | 2013-04-11 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置及び当該半導体装置の製造方法 |
-
1993
- 1993-11-15 JP JP5308655A patent/JPH07142645A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013065648A (ja) * | 2011-09-16 | 2013-04-11 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置及び当該半導体装置の製造方法 |
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