JPH07142645A - Semiconductor and manufacture thereof - Google Patents

Semiconductor and manufacture thereof

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JPH07142645A
JPH07142645A JP5308655A JP30865593A JPH07142645A JP H07142645 A JPH07142645 A JP H07142645A JP 5308655 A JP5308655 A JP 5308655A JP 30865593 A JP30865593 A JP 30865593A JP H07142645 A JPH07142645 A JP H07142645A
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JP
Japan
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resin
tab
package body
sealed package
pellet
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Withdrawn
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JP5308655A
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Japanese (ja)
Inventor
Yoji Morinaga
洋史 森永
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Hitachi Microcomputer System Ltd
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Microcomputer System Ltd
Hitachi Ltd
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Publication date
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Abstract

PURPOSE:To prevent generation of cracks on the main body of a resin-sealed package. CONSTITUTION:A semicylindrical recess 20a is formed on each main surface of a resin-sealed package main body 27 in a TQFP IC 29, each recess is formed by a bottom face 21a having a uniform circular-shaped recessed curve surface and a semicircular side face 22a which is positioned on both edges of the bottom face. Accordingly, even when stress is on the resin-sealed package main body 27 by the heating in a solder reflowing process and the like, the generation of cracks can be decreased because the main surface of the package main body 27 is formed in an arch shape.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【０００１】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置、特に、樹
脂封止パッケージ本体におけるクラックの発生防止技術
に関し、例えば、表面実装形樹脂封止パッケージを備え
ている半導体集積回路装置（以下、ＩＣという。）に利
用して有効な技術に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor device, and more particularly to a technique for preventing the occurrence of cracks in a resin-sealed package body, for example, a semiconductor integrated circuit device (hereinafter referred to as IC That is) related to effective technology.

【０００２】[0002]

【従来の技術】表面実装形の樹脂封止パッケージを備え
ているＩＣは、半導体ペレット（以下、ペレットとい
う。）と、ペレットがボンディングされているタブと、
ペレットの各ボンディングパッドにボンディングワイヤ
を介して電気的に接続されている複数本のリードと、ペ
レット、タブおよび各リードの一部を樹脂封止するパッ
ケージ本体とを備えている。2. Description of the Related Art An IC having a surface mount type resin-sealed package includes a semiconductor pellet (hereinafter referred to as a pellet), a tab to which the pellet is bonded, and a tab.
A plurality of leads electrically connected to each bonding pad of the pellet via a bonding wire, and a package body for resin-sealing the pellet, the tab, and a part of each lead are provided.

【０００３】なお、樹脂封止パッケージを備えているＩ
Ｃを述べてある例としては、特開昭５９−１６３５７号
公報、特開昭６２−１１５７５２号公報、特開昭６２−
１２８３３号公報、がある。It should be noted that I provided with a resin-sealed package
Examples of C are disclosed in JP-A-59-16357, JP-A-62-115752, and JP-A-62-
There is a 12833 publication.

【０００４】[0004]

【発明が解決しようとする課題】上記ＩＣにおいては、
ペレットを形成しているシリコン、リードフレームを形
成している４２アロイや銅、およびパッケージ本体を形
成している樹脂についての熱膨張係数が大きく異なるた
め、ＩＣが温度サイクル試験や熱衝撃試験等で、また、
実装時におけるはんだディップやリフローはんだ工程等
で加熱されることにより、パッケージ本体の樹脂とリー
ドフレームのリードとの境界面に剥がれが発生し、その
剥がれによって形成された隙間に水分が浸入して溜ま
り、その水分が所謂水蒸気爆発を起こすことにより、樹
脂封止パッケージ本体にクラックが発生する問題があ
る。SUMMARY OF THE INVENTION In the above IC,
Since the thermal expansion coefficient of silicon forming the pellets, 42 alloy or copper forming the lead frame, and resin forming the package body is very different, the IC can be used in temperature cycle tests and thermal shock tests. ,Also,
When heated in the solder dip or reflow soldering process during mounting, peeling occurs at the interface between the resin of the package body and the leads of the lead frame, and water enters the gap formed by the peeling and accumulates. However, there is a problem that cracks occur in the resin-sealed package body due to the so-called steam explosion of the moisture.

【０００５】本発明の目的は、樹脂封止パッケージ本体
におけるクラックの発生を低減することができる半導体
装置を提供することにある。An object of the present invention is to provide a semiconductor device capable of reducing the occurrence of cracks in the resin-sealed package body.

【０００６】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかに
なるであろう。The above and other objects and novel features of the present invention will be apparent from the description of this specification and the accompanying drawings.

【０００７】[0007]

【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち代表的なものの概要を説明すれば、次の通り
である。The typical ones of the inventions disclosed in the present application will be outlined below.

【０００８】すなわち、半導体ペレットと、半導体ペレ
ットがボンディングされているタブと、半導体ペレット
の各ボンディングパッドに電気的に接続されている複数
本のリードと、半導体ペレット、タブおよび各リードの
一部を樹脂封止するパッケージ本体とを備えている半導
体装置において、前記樹脂封止パッケージ本体の少なく
とも一主面に、底面が凹曲面に形成されている凹みが主
面の略全体にわたって形成されていることを特徴とす
る。That is, the semiconductor pellet, the tab to which the semiconductor pellet is bonded, the plurality of leads electrically connected to each bonding pad of the semiconductor pellet, the semiconductor pellet, the tab, and part of each lead are In a semiconductor device having a package body to be resin-sealed, at least one main surface of the resin-sealed package body has a recess whose bottom surface is formed into a concave curved surface over substantially the entire main surface. Is characterized by.

【０００９】[0009]

【作用】前記した手段によれば、樹脂封止パッケージ本
体の主面には底面が凹曲面を成す凹みが形成されてアー
チ形状を成しているので、リフローはんだ付け工程時等
に樹脂封止パッケージが加熱されることによって応力が
発生したとしても、アーチ形状の効果によってその応力
を充分に支えることができ、その結果、樹脂封止パッケ
ージ本体にクラックが発生するのを低減できる。According to the above-mentioned means, since the main surface of the resin-sealed package main body is formed with an indentation having a concave curved surface to form an arch shape, the resin-sealed package body is sealed with resin during the reflow soldering process or the like. Even if stress is generated by heating the package, the effect of the arch shape can sufficiently support the stress, and as a result, the occurrence of cracks in the resin-sealed package body can be reduced.

【００１０】[0010]

【実施例】図１は本発明の一実施例である樹脂封止形Ｔ
ＱＦＰ・ＩＣ（Ｔｈｉｎ Ｑｕａｄ Ｆｌａｔ Ｐａｃ
ｋａｇｅ・ＩＣ）の実装状態を示す斜視図である。図２
〜図８はその製造方法における各工程を示す各説明図で
ある。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS FIG. 1 is a resin-sealed type T which is an embodiment of the present invention.
QFP / IC (Thin Quad Flat Pac)
FIG. 3 is a perspective view showing a mounted state of the IC card. Figure 2
8A to 8C are explanatory views showing each step in the manufacturing method.

【００１１】本実施例において、本発明に係る半導体装
置は、ＴＱＦＰ・ＩＣとして構成されている。このＴＱ
ＦＰ・ＩＣ２９は、ペレット２４と、ペレット２４がボ
ンディングされているタブ１８と、ペレット２４の各ボ
ンディングパッド２４ａにボンディングワイヤ２５を介
して電気的に接続されている複数本のリード１９と、ペ
レット２４、タブ１８および各リード１９の一部を樹脂
封止する樹脂封止パッケージ本体２７とを備えている。In this embodiment, the semiconductor device according to the present invention is constructed as a TQFP IC. This TQ
The FP / IC 29 includes a pellet 24, a tab 18 to which the pellet 24 is bonded, a plurality of leads 19 electrically connected to each bonding pad 24 a of the pellet 24 via a bonding wire 25, and a pellet 24. , A tab 18 and a resin-sealed package body 27 for sealing a part of each lead 19 with a resin.

【００１２】樹脂封止パッケージ本体２７の２つの主面
は平面から見て略正方形を成しており、これらの各主面
にはそれぞれ主面の略全体にわたって主面の外形と同心
的に平面から見て略正方形の凹み２０ａ、２０ｂが形成
されている。これらの凹み２０ａ、２０ｂはかまぼこ形
を成しており、一方向において一様な円弧形の凹曲面に
形成されている底面２１ａ、２１ｂと、底面２１ａ、２
１ｂの両端に位置する欠円形の一対の垂直な側面２２
ａ、２２ｂとで形成されている。The two main surfaces of the resin-sealed package main body 27 are substantially square in plan view, and each of these main surfaces has a flat surface concentric with the outer shape of the main surface over substantially the entire main surface. Substantially square recesses 20a and 20b are formed when viewed from above. These recesses 20a and 20b are in the shape of a semi-cylindrical shape, and have bottom surfaces 21a and 21b, which are formed in a uniform arcuate concave curved surface in one direction, and bottom surfaces 21a and 2b.
A pair of vertical side surfaces 22 each having a truncated circular shape and located at both ends of 1b.
a and 22b.

【００１３】以下、本発明の一実施例であるこのＴＱＦ
Ｐ・ＩＣの製造方法を説明する。この説明により、ＴＱ
ＦＰ・ＩＣについての前記した構成の詳細が共に明らか
にされる。The TQF which is an embodiment of the present invention will be described below.
A method for manufacturing the PIC will be described. By this explanation, TQ
Details of the above-described configuration of the FP IC will be clarified together.

【００１４】本実施例において、ＴＱＦＰ・ＩＣの製造
方法には、図２に示されている多連リードフレーム１１
が使用されており、この多連リードフレーム１１は多連
リードフレーム成形工程によって製作されて準備されて
いる。この多連リードフレーム１１は、鉄−ニッケル合
金や燐青銅等のような比較的大きい機械的強度を有する
ばね材料からなる薄板が用いられて、打ち抜きプレス加
工またはエッチング加工等のような適当な手段により一
体成形されている。多連リードフレーム１１の表面には
銀（Ａｇ）等を用いためっき処理が、後述するワイヤボ
ンディングが適正に実施されるように部分的または全体
的に施されている（図示せず）。この多連リードフレー
ム１１には複数の単位リードフレーム１２が横方向に１
列に並設されている。但し、一単位のみが図示されてい
る。In this embodiment, the manufacturing method of the TQFP / IC is based on the multiple lead frame 11 shown in FIG.
The multiple lead frame 11 is manufactured and prepared by a multiple lead frame molding process. The multiple lead frame 11 is made of a thin plate made of a spring material having a relatively large mechanical strength such as iron-nickel alloy or phosphor bronze, and is suitable for punching or etching. Are integrally molded by. A plating process using silver (Ag) or the like is partially or entirely applied to the surface of the multiple lead frame 11 so as to appropriately perform the wire bonding described later (not shown). This multiple lead frame 11 has a plurality of unit lead frames 12 in the horizontal direction.
They are lined up in rows. However, only one unit is shown.

【００１５】単位リードフレーム１２は位置決め孔１３
ａが開設されている外枠１３を一対備えており、両外枠
１３は所定の間隔で平行になるように配されて一連にそ
れぞれ延設されている。隣り合う単位リードフレーム１
２、１２間には一対のセクション枠１４が両外枠１３、
１３間に互いに平行に配されて一体的に架設されてお
り、これら外枠、セクション枠により形成される略正方
形の枠体（フレーム）内に単位リードフレーム１２が構
成されている。The unit lead frame 12 has a positioning hole 13
There is provided a pair of outer frames 13 in which a is provided, and both outer frames 13 are arranged in parallel at a predetermined interval and extend in series. Adjacent unit lead frame 1
A pair of section frames 14 are provided between the outer frame 13 and the outer frame 13,
The unit lead frames 12 are arranged in parallel with each other between the 13 and are integrally installed. The unit lead frame 12 is formed in a substantially square frame body (frame) formed by the outer frame and the section frame.

【００１６】各単位リードフレーム１２において、外枠
１３およびセクション枠１４の接続部にはダム吊り部材
１５が略直角方向にそれぞれ配されて一体的に突設され
ており、ダム吊り部材１５には４本のダム部材１６が略
正方形の枠形状になるように配されて、一体的に吊持さ
れている。In each unit lead frame 12, a dam suspension member 15 is provided at the connecting portion of the outer frame 13 and the section frame 14 so as to be disposed in a substantially right angle direction and integrally projected. The four dam members 16 are arranged so as to have a substantially square frame shape and are integrally suspended.

【００１７】セクション枠１４側の各ダム部材１６には
タブ吊りリード１７がそれぞれの一端に配されて、略４
５度方向に対向して一体的に突設されており、各タブ吊
りリード１７の先端には略正方形の平板形状に形成され
たタブ１８が、ダム部材１６群の枠形状と略同心的に配
されて、これらタブ吊りリード１７により吊持されるよ
うに一体的に連設されている。A tab suspension lead 17 is arranged at one end of each dam member 16 on the side of the section frame 14, and the tab suspension leads 17 are arranged at approximately 4
The tabs 18, which are integrally provided so as to face each other in the direction of 5 degrees and are formed in a substantially square flat plate shape at the tips of the tab suspension leads 17, are substantially concentric with the frame shape of the dam member 16 group. The tab suspension leads 17 are integrally arranged so as to be suspended by the tab suspension leads 17.

【００１８】各タブ吊りリード１７はタブ１８付近にお
いてそれぞれ屈曲されており、このタブ吊りリード１７
の屈曲によって、タブ１８は後記するリード群の面より
も、後記するペレットの厚さ分程度下げられている（所
謂タブ下げ。）。Each tab suspension lead 17 is bent near the tab 18, and the tab suspension lead 17 is bent.
Due to the bending, the tab 18 is lowered from the surface of the lead group described later by the thickness of the pellet described later (so-called tab lowering).

【００１９】また、ダム部材１６には電気配線としての
リード１９が複数本、長手方向に等間隔に配されて、互
いに平行で、ダム部材１６と直交するように一体的に突
設されている。各リード１９の内側端部は先端がタブ１
８を取り囲むように配されることにより、インナ部１９
ａをそれぞれ構成している。他方、各リード１９の外側
延長部分は、その先端が外枠１３およびセクション枠１
４に接続されており、アウタ部１９ｂをそれぞれ構成し
ている。そして、ダム部材１６における隣り合うリード
１９、１９間の部分は、後述するパッケージ本体成形時
にレジンの流れをせき止めるダム１６ａを実質的に構成
している。Further, a plurality of leads 19 as electric wiring are arranged on the dam member 16 at equal intervals in the longitudinal direction, and are integrally projected so as to be parallel to each other and orthogonal to the dam member 16. . The inner end of each lead 19 has a tab 1 at the tip.
The inner portion 19 is arranged by surrounding 8
a respectively. On the other hand, the outer extension of each lead 19 has its tip at the outer frame 13 and the section frame 1.
4 and each constitute an outer portion 19b. The portion of the dam member 16 between the adjacent leads 19 substantially constitutes a dam 16a that blocks the flow of the resin at the time of molding the package body, which will be described later.

【００２０】多連リードフレーム成形工程において準備
された以上の構成に係る多連リードフレーム１１には、
ペレット・ボンディング工程およびワイヤ・ボンディン
グ工程において、ペレット・ボンディング作業、続い
て、ワイヤ・ボンディング作業が実施される。これらボ
ンディング作業は多連リードフレームが横方向にピッチ
送りされることにより、各単位リードフレーム毎に順次
実施される。The multiple lead frame 11 having the above-mentioned structure prepared in the multiple lead frame molding step is
In the pellet bonding process and the wire bonding process, the pellet bonding work and then the wire bonding work are performed. These bonding operations are sequentially performed for each unit lead frame by laterally pitching multiple lead frames.

【００２１】まず、ペレット・ボンディング作業によ
り、半導体装置の製造工程における所謂前工程において
集積回路を作り込まれた半導体集積回路構造物としての
ペレット２４が、図３および図４に示されているよう
に、各単位リードフレーム１２におけるタブ１８上の略
中央部に配されて、タブ１８とペレット２４との間に形
成されたボンディング層２３によって機械的に固着され
ることによりボンディングされる。ペレットボンディン
グ層２３の形成手段としては、金−シリコン共晶層、は
んだ付け層および銀ペースト接着層等々によるボンディ
ング法を用いることが可能である。但し、必要に応じ
て、ペレットからタブへの熱伝達の障壁とならないよう
に、ボンディング層２３を形成することが望ましい。First, as shown in FIGS. 3 and 4, a pellet 24 as a semiconductor integrated circuit structure in which an integrated circuit is formed in a so-called pre-process in the manufacturing process of a semiconductor device by a pellet bonding operation is shown. In addition, the unit lead frame 12 is disposed at a substantially central portion on the tab 18 and is mechanically fixed by a bonding layer 23 formed between the tab 18 and the pellet 24 for bonding. As a method for forming the pellet bonding layer 23, a bonding method using a gold-silicon eutectic layer, a soldering layer, a silver paste adhesive layer, etc. can be used. However, it is desirable to form the bonding layer 23 so that it does not become a barrier to heat transfer from the pellet to the tub, if necessary.

【００２２】続いて、ワイヤボンディング作業により、
図３および図４に示されているように、タブ１８上にボ
ンディングされたペレット２４のボンディングパッド２
４ａと、各単位リードフレーム１２におけるリード１９
のインナ部１９ａとの間に、ボンディングワイヤ２５が
超音波熱圧着式ワイヤボンディング装置等のような適当
なワイヤボンディング装置（図示せず）が使用されるこ
とにより、その両端部をそれぞれボンディングされて橋
絡される。これにより、ペレット２４に作り込まれてい
る集積回路は、ボンディングパッド２４ａ、ボンディン
グワイヤ２５、リード１９のインナ部１９ａおよびアウ
タ部１９ｂを介して電気的に外部に引き出されることに
なる。Then, by wire bonding work,
Bonding pad 2 of pellet 24 bonded onto tab 18 as shown in FIGS. 3 and 4.
4a and the leads 19 in each unit lead frame 12
The both ends of the bonding wire 25 are bonded to the inner part 19a of the same by using a suitable wire bonding device (not shown) such as an ultrasonic thermocompression bonding wire bonding device. Bridged. As a result, the integrated circuit built in the pellet 24 is electrically pulled out to the outside through the bonding pad 24a, the bonding wire 25, the inner portion 19a and the outer portion 19b of the lead 19.

【００２３】このようにしてペレットおよびワイヤ・ボ
ンディングされた組立体２６には、各単位リードフレー
ム毎に樹脂封止するパッケージ本体２７群が、図５およ
び図６に示されているようなトランスファ成形装置３０
が使用されて、単位リードフレーム群について同時成形
される。In the assembly 26 thus pellet-bonded and wire-bonded, a group of package bodies 27 to be resin-sealed for each unit lead frame is formed by transfer molding as shown in FIGS. 5 and 6. Device 30
Are used for simultaneous molding of a unit lead frame group.

【００２４】図５および図６に示されているトランスフ
ァ成形装置３０は、シリンダ装置等（図示せず）によっ
て互いに型締めされる一対の上型３１と下型３２とを備
えており、上型３１と下型３２との合わせ面には上型キ
ャビティー凹部３３ａと下型キャビティー凹部３３ｂと
が互いに協働してキャビティー３３を形成するようにそ
れぞれ複数組没設されている。本実施例において、この
キャビティー３３の全高はＴＱＦＰ・ＩＣに対応するた
めに、１ｍｍ以下に設定されている。The transfer molding apparatus 30 shown in FIGS. 5 and 6 is provided with a pair of an upper mold 31 and a lower mold 32 which are clamped to each other by a cylinder device or the like (not shown). A plurality of upper mold cavity concave portions 33a and a plurality of lower mold cavity concave portions 33b are respectively formed on the mating surface of the lower mold 32 and the lower mold 32 so as to cooperate with each other to form the cavity 33. In this embodiment, the total height of the cavity 33 is set to 1 mm or less in order to correspond to the TQFP / IC.

【００２５】上型キャビティー凹部３３ａと下型キャビ
ティー凹部３３ｂは平面から見て略正方形を成してお
り、各凹部３３ａ、３３ｂの底面にはそれぞれ底面の略
全体にわたって底面の形状と同心的に平面から見て略正
方形の凸部４３ａ、４３ｂが突出形成されている。各凸
部４３ａ、４３ｂはかまぼこ形を成しており、一方向に
おいて一様な円弧形の凸曲面に形成されている底面４４
ａ、４４ｂと、底面４４ａ、４４ｂの両端に位置する欠
円形の一対の垂直な側面（下型キャビティー凹部３３ｂ
における側面４５ｂは図６（ｃ）参照、上型キャビティ
ー凹部３３ａにおける側面も同様に形成されている。）
とで形成されている。The upper mold cavity concave portion 33a and the lower mold cavity concave portion 33b are substantially square in plan view, and the bottom surfaces of the respective concave portions 33a and 33b are concentric with the shape of the bottom surface over substantially the entire bottom surface. The convex portions 43a and 43b having a substantially square shape are formed so as to project from the top. Each of the convex portions 43a and 43b has a semi-cylindrical shape, and has a bottom surface 44 formed in a convex curved surface having a uniform arc shape in one direction.
a, 44b and a pair of vertical side surfaces (lower mold cavity concave portion 33b) in the shape of a truncated circle located at both ends of the bottom surfaces 44a, 44b.
6C, the side surface in the upper mold cavity recess 33a is also formed in the same manner. )
It is formed by.

【００２６】上型３１の合わせ面にはポット３４が開設
されており、ポット３４にはシリンダ装置（図示せず）
により進退されるプランジャ３５が成形材料としての樹
脂（以下、レジンという。）を送給し得るように挿入さ
れている。A pot 34 is opened on the mating surface of the upper die 31, and a cylinder device (not shown) is provided in the pot 34.
A plunger 35 that is advanced and retracted by is inserted so that a resin (hereinafter, referred to as a resin) as a molding material can be fed.

【００２７】下型３２の合わせ面にはカル３６がポット
３４との対向位置に配されて没設されているとともに、
複数条のランナ３７がカル３６にそれぞれ接続するよう
に放射状に配されて没設されている。各ランナ３７の他
端部は下側キャビティー凹部３３ｂにそれぞれ接続され
ており、その接続部にはゲート３８がレジンをキャビテ
ィー３３内に注入し得るように形成されている。また、
下型３２の合わせ面には逃げ凹所３９がリードフレーム
の厚みを逃げ得るように、多連リードフレーム１１の外
形よりも若干大きめの長方形で、その厚さと略等しい寸
法の一定深さに没設されている。On the mating surface of the lower mold 32, a cull 36 is disposed so as to face the pot 34 and is recessed.
A plurality of runners 37 are radially arranged and connected so as to be connected to the culls 36, respectively. The other end of each runner 37 is connected to the lower cavity recess 33b, and a gate 38 is formed at that connection so that the resin can be injected into the cavity 33. Also,
On the mating surface of the lower die 32, a relief recess 39 is formed in a rectangular shape slightly larger than the outer shape of the multiple lead frame 11 so that the relief recess 39 can escape the thickness of the lead frame. It is set up.

【００２８】前記構成にかかる組立体２６が用いられて
樹脂封止形パッケージ本体がトランスファ成形される場
合、上型３１および下型３２における各キャビティー３
３は各単位リードフレーム１２における一対のダム１６
ａ、１６ａ間の空間にそれぞれ対応される。When the resin-sealed package body is transfer-molded by using the assembly 26 having the above-mentioned structure, each cavity 3 in the upper mold 31 and the lower mold 32.
3 is a pair of dams 16 in each unit lead frame 12.
It corresponds to the space between a and 16a, respectively.

【００２９】トランスファ成形時において、前記構成に
かかる組立体２６は、多連リードフレーム１１が下型３
２に没設されている逃げ凹所３９内に収容され、各単位
リードフレーム１２におけるペレット２４が各キャビテ
ィー３３内にそれぞれ収容されるように配されてセット
される。At the time of transfer molding, in the assembly 26 according to the above-mentioned structure, the multiple lead frame 11 has the lower die 3
It is housed in the escape recess 39 that is buried in the unit 2, and the pellets 24 of each unit lead frame 12 are arranged and set so as to be housed in each cavity 33.

【００３０】続いて、上型３１と下型３２とが型締めさ
れ、ポット３４からプランジャ３５によりレジン４０が
ランナ３７およびゲート３８を通じて各キャビティー３
３に送給されて圧入される。Subsequently, the upper die 31 and the lower die 32 are clamped, and the resin 40 is moved from the pot 34 by the plunger 35 through the runner 37 and the gate 38 to each cavity 3.
It is sent to 3 and press-fitted.

【００３１】注入後、レジンが熱硬化されて樹脂封止形
パッケージ本体２７が成形されると、上型３１および下
型３２は型開きされるとともに、エジェクタ・ピン（図
示せず）により樹脂封止パッケージ本体２７群が離型さ
れる。このようにして、図７および図８に示されている
ように、樹脂封止パッケージ本体２７群が成形された組
立体２８はトランスファ成形装置３０から脱装される。
そして、このように樹脂成形された樹脂封止パッケージ
本体２７の内部には、タブ１８、ペレット２４、リード
１９のインナ部１９ａおよびワイヤ２５が樹脂封止され
ることになる。After the injection, when the resin is thermoset and the resin-sealed package body 27 is molded, the upper mold 31 and the lower mold 32 are opened, and the resin is sealed by an ejector pin (not shown). The stationary package body 27 group is released. In this way, as shown in FIGS. 7 and 8, the assembly 28 in which the group of resin-sealed package bodies 27 is molded is removed from the transfer molding device 30.
The tab 18, the pellet 24, the inner portion 19a of the lead 19 and the wire 25 are resin-sealed inside the resin-sealed package body 27 resin-molded as described above.

【００３２】本実施例においては、上型キャビティー凹
部３３ａと下型キャビティー凹部３３ｂの底面にはそれ
ぞれ底面の略全体にわたってかまぼこ形の凸部４３ａ、
４３ｂが突出形成されているので、樹脂封止パッケージ
本体２７の２つの主面にはそれぞれかまぼこ形の凹み２
０ａ、２０ｂが形成される。In the present embodiment, the upper mold cavity concave portion 33a and the lower mold cavity concave portion 33b respectively have a semi-cylindrical convex portion 43a on the bottom surfaces thereof over substantially the entire bottom surface thereof.
Since 43b is formed so as to project, a semi-cylindrical recess 2 is formed on each of the two main surfaces of the resin-sealed package body 27.
0a, 20b are formed.

【００３３】樹脂封止パッケージ本体を成形された半完
成品としての組立体２８は、図示しないが、リード切断
成形工程において各単位リードフレーム毎に順次、外枠
１３およびダム１６ａを切り落とされるとともに、各リ
ード１９のアウタ部１９ｂをガル・ウイング形状に屈曲
形成される。Although not shown, the assembly 28 as a semi-finished product in which the resin-sealed package body is molded has the outer frame 13 and the dam 16a sequentially cut off for each unit lead frame in the lead cutting molding process. The outer portion 19b of each lead 19 is bent and formed in a gull wing shape.

【００３４】以上のようにして製造された樹脂封止形Ｔ
ＱＦＰ・ＩＣ２９は図１に示されているようにプリント
配線基板に実装される。Resin-sealed type T manufactured as described above
The QFP / IC 29 is mounted on the printed wiring board as shown in FIG.

【００３５】プリント配線基板４１にはランド４２が複
数個、実装対象物となる樹脂封止形ＴＱＦＰ・ＩＣ２９
における各リード１９に対応するように配されて、はん
だ材料を用いられて略長方形の薄板形状に形成されてお
り、このランド４２群にこのＩＣ２９のリード１９群が
それぞれ整合されて当接されているとともに、各リード
１９とランド４２とがリフローはんだ処理により形成さ
れたはんだ盛り層（図示せず）によって電気的かつ機械
的に接続されている。A plurality of lands 42 are provided on the printed wiring board 41, and a resin-sealed TQFP / IC 29 to be mounted is to be mounted.
Are arranged so as to correspond to the respective leads 19 in the above, and are formed in a substantially rectangular thin plate shape by using a solder material. The leads 19 groups of the IC 29 are aligned and abutted against the land 42 groups. In addition, the leads 19 and the lands 42 are electrically and mechanically connected to each other by a solder layer (not shown) formed by the reflow soldering process.

【００３６】次に作用を説明する。前記構成にかかるＴ
ＱＦＰ・ＩＣは出荷前に抜き取り検査を実施される。抜
き取り検査としては温度サイクル試験や熱衝撃試験を含
む環境試験が実施される。また、このＴＱＦＰ・ＩＣが
プリント配線基板等に実装される際、はんだディップ処
理やリフローはんだ処理によってＴＱＦＰ・ＩＣは加熱
される。Next, the operation will be described. T related to the above configuration
The QFP / IC is inspected before shipment. Environmental tests including temperature cycle tests and thermal shock tests are carried out as sampling inspections. Further, when the TQFP / IC is mounted on a printed wiring board or the like, the TQFP / IC is heated by the solder dipping process or the reflow soldering process.

【００３７】このような環境試験または実装時に熱スト
レスが前記構成に係るＴＱＦＰ・ＩＣ２９に加えられた
場合、構成材料の熱膨張係数差により樹脂封止パッケー
ジ本体２７の内部に応力が発生する。When a thermal stress is applied to the TQFP / IC 29 having the above-described structure during such an environmental test or mounting, a stress is generated inside the resin-sealed package body 27 due to the difference in the thermal expansion coefficient of the constituent materials.

【００３８】ところで、タブの外周縁が鋭い直角に形成
されている場合、樹脂封止パッケージ本体の内部応力は
タブの裏面における外縁付近に集中する。但し、樹脂封
止パッケージ本体のクラックはこの程度の応力集中では
発生しない。しかし、度重なる熱ストレスによる繰り返
し応力により、タブ下面とパッケージの樹脂との界面
や、タブとペレットとの界面に剥離が発生すると、前記
応力集中箇所に過大な応力が作用するため、そこを起点
にしてクラックが発生する。When the outer peripheral edge of the tab is formed in a sharp right angle, the internal stress of the resin-sealed package body is concentrated near the outer edge on the back surface of the tab. However, cracks in the resin-sealed package body do not occur with such stress concentration. However, if peeling occurs at the interface between the bottom surface of the tab and the resin of the package or the interface between the tab and the pellet due to repeated stress due to repeated thermal stress, excessive stress acts on the stress concentration point, and so there is a starting point there. Then cracks occur.

【００３９】さらに、樹脂封止パッケージ完成後の保管
過程において樹脂封止パッケージ本体の内部に吸湿され
た湿気が、万一、タブ下面とパッケージ本体の封止との
間の剥離によって発生した隙間に侵入すると、ＴＱＦＰ
・ＩＣが加熱された際に、加熱によって当該湿気が膨張
することによって所謂水蒸気爆発が発生するため、一層
過大な応力が発生される。このため、前記応力集中箇所
を起点とするクラックは一層発生され易くなるという問
題点があることが明らかにされている。Further, the moisture absorbed inside the resin-sealed package body in the storage process after the completion of the resin-sealed package should be generated in a gap generated by peeling between the lower surface of the tab and the sealing of the package body. When invading, TQFP
When the IC is heated, the moisture expands due to the heating, so-called steam explosion occurs, so that even more stress is generated. For this reason, it has been clarified that there is a problem that cracks originating from the stress concentration points are more likely to be generated.

【００４０】しかし、本実施例においては、例えば、図
９に示されているように、樹脂封止パッケージ本体２７
に吸湿された水分が、タブ１８下面と樹脂封止パッケー
ジ本体２７の樹脂との界面に形成された隙間に溜まっ
て、前述した加熱時における樹脂封止パッケージ本体２
７の温度上昇に伴って引き起こされる所謂水蒸気爆発が
発生したとしても、樹脂封止パッケージ本体２７の各主
面に形成されている凹み２０ａ、２０ｂの底面２１ａ、
２１ｂが一様な円弧形の凹曲面に形成されてアーチ形状
に形成されているので、応力をアーチ形状の効果により
充分に支えることができ、樹脂封止パッケージ本体２７
にクラックが発生するのを低減することができる。However, in the present embodiment, for example, as shown in FIG.
Moisture absorbed by the resin is accumulated in the gap formed at the interface between the lower surface of the tab 18 and the resin of the resin-sealed package body 27, and the resin-sealed package body 2 at the time of heating described above.
Even if a so-called steam explosion caused by the temperature rise of 7 occurs, the bottom surfaces 21a of the recesses 20a, 20b formed on the main surfaces of the resin-sealed package body 27,
Since 21b is formed in a uniform arcuate concave curved surface and is formed in an arch shape, stress can be sufficiently supported by the effect of the arch shape, and the resin-sealed package main body 27
It is possible to reduce the occurrence of cracks in the.

【００４１】以上説明した前記実施例によれば、次の効
果が得られる。 樹脂封止パッケージ本体の主面に主面の略全体にわ
たる凹みを形成し、この凹みの底面が一様な円弧形の凹
曲面に形成されていることにより、樹脂封止パッケージ
本体の温度上昇に伴って応力が発生したとしても、凹曲
面によって応力が充分に支えられるため、樹脂封止パッ
ケージ本体のクラックを低減することができる。According to the embodiment described above, the following effects can be obtained. A temperature rise of the resin-sealed package body is achieved by forming a recess on the main surface of the resin-sealed package body over almost the entire main surface, and the bottom surface of this recess is formed into a uniform arc-shaped concave curved surface. Even if stress is generated due to the above, the stress can be sufficiently supported by the concave curved surface, and thus cracks in the resin-sealed package body can be reduced.

【００４２】 前記により、樹脂封止パッケージ本
体におけるクラックの発生を防止することができるの
で、表面実装形パッケージをさらに薄形で、かつ小形化
させることができ、表面実装形パッケージを備えている
ＩＣの集積密度および実装密度をさらに一層高めること
ができる。As described above, since it is possible to prevent the occurrence of cracks in the resin-sealed package body, it is possible to further reduce the thickness of the surface mount type package and reduce the size thereof, and an IC including the surface mount type package. It is possible to further increase the integration density and packaging density.

【００４３】 樹脂封止パッケージ本体の主面に主面
の略全体にわたる凹みを形成し、この凹みの底面が一様
な円弧形の凹曲面に形成されていることにより、樹脂封
止パッケージ本体を形成する樹脂の使用量を低減するこ
とができ、コスト低減等を図ることができる。By forming a recess on the main surface of the resin-sealed package main body over substantially the entire main surface and forming the bottom surface of the recess into a uniform arcuate concave curved surface, the resin-sealed package main body is formed. The amount of resin used to form the resin can be reduced, and the cost can be reduced.

【００４４】図１０〜図１２は本発明の別の実施例２で
あるＴＱＦＰ・ＩＣを示す。本実施例２と上記実施例１
とは、樹脂封止パッケージ本体の主面に形成されている
凹みの形状が相違するのみで、他の構成は同じである。10 to 12 show a TQFP IC which is another embodiment 2 of the present invention. Example 2 and Example 1 above
Is different only in the shape of the recess formed in the main surface of the resin-sealed package body, and the other configurations are the same.

【００４５】本実施例２における樹脂封止パッケージ本
体２７の各主面の略全体にわたって形成されている凹み
２０ａ、２０ｂは、あらゆる方向において円弧形を成し
ている球面形に形成されている。したがって、樹脂封止
パッケージ本体の成形装置においてキャビティーを形成
する上型キャビティー凹部と下型キャビティー凹部の各
底面にはそれぞれ球面形の凸部が形成されており、これ
らの凸部によってパッケージ本体成形時に樹脂封止パッ
ケージ本体２７の各主面に球面形の凹み２０ａ、２０ｂ
が形成される。The recesses 20a, 20b formed over substantially the entire main surfaces of the resin-sealed package body 27 in the second embodiment are formed in a spherical shape that is arcuate in all directions. . Therefore, in the molding device for the resin-sealed package body, spherical convex portions are formed on the bottom surfaces of the upper mold cavity concave portion and the lower mold cavity concave portion that form the cavity, and these convex portions form the package. Spherical recesses 20a, 20b are formed on each main surface of the resin-sealed package body 27 during molding of the body.
Is formed.

【００４６】以上本発明者によってなされた発明を実施
例に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施例に
限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で
種々変更可能であることはいうまでもない。Although the invention made by the present inventor has been specifically described based on the embodiments, the present invention is not limited to the above embodiments, and various modifications can be made without departing from the scope of the invention. Needless to say.

【００４７】以上の説明では主として本発明者によって
なされた発明をその背景となった利用分野であるＴＱＦ
Ｐ・ＩＣに適用した場合について主に説明したが、それ
に限定されるものではなく、樹脂封止パッケージを備え
ている半導体装置全般に適用することができる。In the above description, the invention made by the present inventor is the field of application which is the background of the invention.
Although the case where the invention is applied to the P.IC has been mainly described, the invention is not limited thereto and the invention can be applied to all semiconductor devices including a resin-sealed package.

【００４８】[0048]

【発明の効果】本願において開示される発明のうち代表
的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、次
の通りである。The effects obtained by the typical ones of the inventions disclosed in the present application will be briefly described as follows.

【００４９】樹脂封止パッケージ本体の少なくとも一主
面に、底面が凹曲面に形成されている凹みが主面の略全
体にわたって形成されていることにより、樹脂封止パッ
ケージ本体にクラックが発生するのを低減することがで
きるとともに、樹脂封止パッケージ本体を形成する樹脂
の使用量を低減することができ、コストの低減等を図る
ことができる。Since at least one main surface of the resin-sealed package body has a recess whose bottom surface is formed into a concave curved surface over substantially the entire main surface, cracks occur in the resin-sealed package body. It is possible to reduce the amount of resin used for forming the resin-sealed package body, and it is possible to reduce the cost.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図１】本発明の一実施例である樹脂封止形ＴＱＦＰ・
ＩＣの実装状態を示す斜視図である。FIG. 1 is a resin-encapsulated TQFP, which is an embodiment of the present invention.
It is a perspective view which shows the mounted state of IC.

【図２】そのＴＱＦＰ・ＩＣの製造方法に使用される多
連リードフレームを示す一部省略平面図である。FIG. 2 is a partially omitted plan view showing a multiple lead frame used in the method for manufacturing the TQFP / IC.

【図３】ペレットおよびワイヤ・ボンディング工程後を
示す一部省略平面図である。FIG. 3 is a partially omitted plan view showing a state after a pellet and wire bonding step.

【図４】図３のIV−IV線に沿う正面断面図である。FIG. 4 is a front sectional view taken along line IV-IV in FIG.

【図５】樹脂封止パッケージ本体の成形工程を示す一部
省略縦断面図である。FIG. 5 is a partially omitted vertical sectional view showing a molding step of a resin-sealed package body.

【図６】成形装置の下型キャビティー凹部を示し、
（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）におけるｂ−ｂ線断面
図、（ｃ）は（ａ）におけるｃ−ｃ線断面図である。FIG. 6 shows a lower mold cavity recess of the molding apparatus,
(A) is a plan view, (b) is a bb line sectional view in (a), (c) is a cc line sectional view in (a).

【図７】樹脂封止パッケージ本体成形後の組立体を示す
平面図である。FIG. 7 is a plan view showing the assembly after molding the resin-sealed package body.

【図８】（ａ）は図７におけるａ−ａ線断面図、（ｂ）
は図７におけるｂ−ｂ線断面図である。8A is a sectional view taken along line aa in FIG. 7, and FIG.
FIG. 8 is a sectional view taken along line bb in FIG. 7.

【図９】クラック発生防止の作用を説明するための拡大
した正面断面図である。FIG. 9 is an enlarged front sectional view for explaining the function of preventing crack generation.

【図１０】本発明の別の実施例２である樹脂封止形ＴＱ
ＦＰ・ＩＣの実装状態を示す斜視図である。FIG. 10 is a resin-sealed TQ that is another embodiment 2 of the present invention.
It is a perspective view which shows the mounting state of FP * IC.

【図１１】樹脂封止パッケージ本体成形後の組立体を示
す平面図である。FIG. 11 is a plan view showing the assembly after molding the resin-sealed package body.

【図１２】（ａ）は図１１におけるａ−ａ線断面図、
（ｂ）は図１１におけるｂ−ｂ線断面図である。12 (a) is a sectional view taken along line aa in FIG.
11B is a sectional view taken along line bb in FIG. 11.

【符号の説明】 １１…多連リードフレーム、１２…単位リードフレー
ム、１３…外枠、１４…セクション枠、１５…ダム吊り
部材、１６…ダム部材、１６ａ…ダム、１７…タブ吊り
リード、１８…タブ、１９…リード、１９ａ…インナ
部、１９ｂ…アウタ部、２０ａ、２０ｂ…凹み、２１
ａ、２１ｂ…底面、２２ａ、２２ｂ…側面、２３…ボン
ディング層、２４…ペレット、２４ａ…ボンディングパ
ッド、２５…ワイヤ、２６…組立体、２７…樹脂封止パ
ッケージ本体、２８…樹脂封止パッケージ本体成形後の
組立体、２９…ＴＱＦＰ・ＩＣ（半導体装置）、３０…
トランスファ成形装置、３１…上型、３２…下型、３３
…キャビティー、３３ａ…上型キャビティー凹部、３３
ｂ…下型キャビティー凹部、３４…ポット、３５…プラ
ンジャ、３６…カル、３７…ランナ、３８…ゲート、３
９…逃げ凹所、４０…レジン、４１…プリント配線基
板、４２…ランド、４３ａ、４３ｂ…凸部、４４ａ、４
４ｂ…底面、４５ｂ…側面。[Explanation of Codes] 11 ... Multiple lead frame, 12 ... Unit lead frame, 13 ... Outer frame, 14 ... Section frame, 15 ... Dam suspension member, 16 ... Dam member, 16a ... Dam, 17 ... Tab suspension lead, 18 ... tab, 19 ... lead, 19a ... inner part, 19b ... outer part, 20a, 20b ... dent, 21
a, 21b ... Bottom surface, 22a, 22b ... Side surface, 23 ... Bonding layer, 24 ... Pellet, 24a ... Bonding pad, 25 ... Wire, 26 ... Assembly, 27 ... Resin-sealed package body, 28 ... Resin-sealed package body Assembly after molding, 29 ... TQFP / IC (semiconductor device), 30 ...
Transfer molding device, 31 ... upper mold, 32 ... lower mold, 33
... Cavity, 33a ... Upper mold cavity recess, 33
b ... Lower mold cavity recess, 34 ... Pot, 35 ... Plunger, 36 ... Cull, 37 ... Runner, 38 ... Gate, 3
9 ... Escape recess, 40 ... Resin, 41 ... Printed wiring board, 42 ... Land, 43a, 43b ... Convex part, 44a, 4
4b ... bottom surface, 45b ... side surface.

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項１】 半導体ペレットと、半導体ペレットがボ
ンディングされているタブと、半導体ペレットの各ボン
ディングパッドに電気的に接続されている複数本のリー
ドと、半導体ペレット、タブおよび各リードの一部を樹
脂封止するパッケージ本体とを備えている半導体装置に
おいて、 前記樹脂封止パッケージ本体の少なくとも一主面に、底
面が凹曲面に形成されている凹みが主面の略全体にわた
って形成されていることを特徴とする半導体装置。1. A semiconductor pellet, a tab to which the semiconductor pellet is bonded, a plurality of leads electrically connected to each bonding pad of the semiconductor pellet, a semiconductor pellet, a tab, and a part of each lead. In a semiconductor device including a package body to be resin-sealed, at least one main surface of the resin-sealed package body is formed with a recess whose bottom surface is formed into a concave curved surface over substantially the entire main surface. A semiconductor device characterized by: 【請求項２】 前記凹みが一方向において一様な円弧形
を成しているかまぼこ形に形成されていることを特徴と
する請求項１記載の半導体装置。2. The semiconductor device according to claim 1, wherein the recess is formed in a circular arc shape or a semi-cylindrical shape that is uniform in one direction. 【請求項３】 前記凹みがあらゆる方向において円弧形
を成している球面形に形成されていることを特徴とする
請求項１記載の半導体装置。3. The semiconductor device according to claim 1, wherein the recess is formed in a spherical shape that forms an arc shape in all directions. 【請求項４】 半導体ペレットと、半導体ペレットがボ
ンディングされているタブと、半導体ペレットの各ボン
ディングパッドに電気的に接続されている複数本のリー
ドと、半導体ペレット、タブおよび各リードの一部を樹
脂封止するパッケージ本体とを備えている半導体装置の
製造方法において、 成形型のキャビティーの内面が凸曲面に形成されている
凸部を備えており、この成形型のキャビティー内に樹脂
が注入されて、前記半導体ペレット、タブおよび各リー
ドの一部を樹脂封止するパッケージ本体が成形されると
ともに、成形されたパッケージ本体には少なくとも一主
面に、底面が凹曲面に形成されている凹みが主面の略全
体にわたって形成されているパッケージ本体成形工程を
備えていることを特徴とする半導体装置の製造方法。4. A semiconductor pellet, a tab to which the semiconductor pellet is bonded, a plurality of leads electrically connected to each bonding pad of the semiconductor pellet, a part of each of the semiconductor pellet, the tab and each lead. In a method of manufacturing a semiconductor device having a package body to be resin-sealed, an inner surface of a cavity of a molding die is provided with a convex portion, and a resin is placed in the cavity of the molding die. A package main body that is injected to mold the semiconductor pellet, the tab, and a part of each lead with resin is molded, and the molded package main body has at least one main surface and a bottom surface formed into a concave curved surface. A method of manufacturing a semiconductor device, comprising: a package body molding step in which a recess is formed over substantially the entire main surface.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2013065648A (en) * 2011-09-16 2013-04-11 Mitsubishi Electric Corp Semiconductor device and manufacturing method of the same

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