JPH11297917A - 半導体装置及びその製造方法 - Google Patents
半導体装置及びその製造方法Info
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- JPH11297917A JPH11297917A JP10116598A JP10116598A JPH11297917A JP H11297917 A JPH11297917 A JP H11297917A JP 10116598 A JP10116598 A JP 10116598A JP 10116598 A JP10116598 A JP 10116598A JP H11297917 A JPH11297917 A JP H11297917A
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- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
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- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
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- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 従来のＳＯＰ／ＱＦＰ系の樹脂封止半導体パ
ッケージと同程度に低コストで製造することが可能で、
リードレスの場合と同様に高密度実装化することが可能
な半導体装置及びその製造方法を提供することを目的と
する。 【解決手段】 本発明に係る樹脂封止半導体パッケージ
１８は、アウターリードレスの樹脂封止半導体パッケー
ジとなっている。即ち、半導体チップ１５が樹脂封止パ
ッケージングされている樹脂封止半導体パッケージ１８
において、インナーリード１２の下面及び側面はモール
ド樹脂部１７から露出しており、これら露出しているイ
ンナーリード１２の下面及び側面がハンダ層２０を介し
てプリント配線基板１９の配線パターンに接続されてい
る。即ち、モールド樹脂部１７から露出しているインナ
ーリード１２の下面及び側面が樹脂封止半導体パッケー
ジ１８の外部接続端子として機能している。
ッケージと同程度に低コストで製造することが可能で、
リードレスの場合と同様に高密度実装化することが可能
な半導体装置及びその製造方法を提供することを目的と
する。 【解決手段】 本発明に係る樹脂封止半導体パッケージ
１８は、アウターリードレスの樹脂封止半導体パッケー
ジとなっている。即ち、半導体チップ１５が樹脂封止パ
ッケージングされている樹脂封止半導体パッケージ１８
において、インナーリード１２の下面及び側面はモール
ド樹脂部１７から露出しており、これら露出しているイ
ンナーリード１２の下面及び側面がハンダ層２０を介し
てプリント配線基板１９の配線パターンに接続されてい
る。即ち、モールド樹脂部１７から露出しているインナ
ーリード１２の下面及び側面が樹脂封止半導体パッケー
ジ１８の外部接続端子として機能している。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体装置及びその
製造方法に係り、特に半導体チップが樹脂封止されてい
る半導体装置及びその製造方法に関するものである。
製造方法に係り、特に半導体チップが樹脂封止されてい
る半導体装置及びその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】現在、樹脂封止半導体パッケージとして
は、表面実装用のパッケージの両側から複数のガルウィ
ング形状（カモメが翼を広げた形状）のリードが突き出
ているＳＯＰ（Small Outline Package ）や、表面実装
用のパッケージの４辺から複数のガルウィング形状のリ
ードが突き出ているＱＦＰ（Quad Flat Package ）が広
く一般に使用されている。
は、表面実装用のパッケージの両側から複数のガルウィ
ング形状（カモメが翼を広げた形状）のリードが突き出
ているＳＯＰ（Small Outline Package ）や、表面実装
用のパッケージの４辺から複数のガルウィング形状のリ
ードが突き出ているＱＦＰ（Quad Flat Package ）が広
く一般に使用されている。
【０００３】以下、従来のＳＯＰ系の樹脂封止半導体パ
ッケージについて、図１０及び図１１を用いて説明す
る。ここで、図１０は従来のＳＯＰ系の樹脂封止半導体
パッケージが実装基板に実装された半導体装置を示す概
略断面図であり、図１１は図１０に示す従来のＳＯＰ系
の樹脂封止半導体パッケージの斜視図である。リードフ
レームのダイパッド３１上には、所定のＬＳＩ（大規模
集積回路）を形成した半導体チップ３５が搭載され、例
えば所定の接着剤を用いて固定されている。そして、こ
の半導体チップ３５の電極（図示せず）とリードフレー
ムのリード３４のインナーリード部３２の一端とは、Ａ
ｕ（金）線３６を用いて接続されている。
ッケージについて、図１０及び図１１を用いて説明す
る。ここで、図１０は従来のＳＯＰ系の樹脂封止半導体
パッケージが実装基板に実装された半導体装置を示す概
略断面図であり、図１１は図１０に示す従来のＳＯＰ系
の樹脂封止半導体パッケージの斜視図である。リードフ
レームのダイパッド３１上には、所定のＬＳＩ（大規模
集積回路）を形成した半導体チップ３５が搭載され、例
えば所定の接着剤を用いて固定されている。そして、こ
の半導体チップ３５の電極（図示せず）とリードフレー
ムのリード３４のインナーリード部３２の一端とは、Ａ
ｕ（金）線３６を用いて接続されている。
【０００４】また、これらダイパッド３１、半導体チッ
プ３５、リード３４のインナーリード部３２、及びＡｕ
線３６は、モールド樹脂部３７によって覆われ、封止さ
れている。そして、このモールド樹脂部３７の両側面か
らは、リード３４のガルウィング形状のアウターリード
部３３が複数本突き出ている。これ以降、このように半
導体チップ３５が樹脂封止パッケージングされ、そのモ
ールド樹脂部３７の両側面から複数個のガルウィング形
状のアウターリード部３３が突き出ている半導体装置
を、ＳＯＰ系の樹脂封止半導体パッケージ３８と呼ぶこ
とにする。
プ３５、リード３４のインナーリード部３２、及びＡｕ
線３６は、モールド樹脂部３７によって覆われ、封止さ
れている。そして、このモールド樹脂部３７の両側面か
らは、リード３４のガルウィング形状のアウターリード
部３３が複数本突き出ている。これ以降、このように半
導体チップ３５が樹脂封止パッケージングされ、そのモ
ールド樹脂部３７の両側面から複数個のガルウィング形
状のアウターリード部３３が突き出ている半導体装置
を、ＳＯＰ系の樹脂封止半導体パッケージ３８と呼ぶこ
とにする。
【０００５】また、このＳＯＰ系の樹脂封止半導体パッ
ケージ３８はプリント配線基板３９に実装されている。
即ち、樹脂封止半導体パッケージ３８はプリント配線基
板３９上に搭載され、そのモールド樹脂部３７の両側面
から突き出ている複数個のガルウィング形状のアウター
リード部３３の先端部が、例えば導電性接着剤としての
ハンダ層４０を介して、プリント配線基板３９の配線パ
ターン（図示せず）に接続されている。
ケージ３８はプリント配線基板３９に実装されている。
即ち、樹脂封止半導体パッケージ３８はプリント配線基
板３９上に搭載され、そのモールド樹脂部３７の両側面
から突き出ている複数個のガルウィング形状のアウター
リード部３３の先端部が、例えば導電性接着剤としての
ハンダ層４０を介して、プリント配線基板３９の配線パ
ターン（図示せず）に接続されている。
【０００６】次に、図１０に示したＳＯＰ系の樹脂封止
半導体パッケージ３８がプリント配線基板３９に実装さ
れた半導体装置の製造方法を説明する。先ず、ダイパッ
ド３１とインナーリード部３２及びアウターリード部３
３からなるリード３４とを有するリードフレームを用意
する。次いで、ダイボンディング工程を行う。即ち、所
定のＬＳＩを形成した半導体チップ３５をダイパッド３
１上に搭載し、所定の接着剤を用いて固定する。続い
て、ワイヤボンディング工程を行う。即ち、ダイパッド
３１上にダイボンディングした半導体チップ３５の電極
（図示せず）とリード３４のインナーリード部３２の一
端とをＡｕ線３６を用いて接続する。
半導体パッケージ３８がプリント配線基板３９に実装さ
れた半導体装置の製造方法を説明する。先ず、ダイパッ
ド３１とインナーリード部３２及びアウターリード部３
３からなるリード３４とを有するリードフレームを用意
する。次いで、ダイボンディング工程を行う。即ち、所
定のＬＳＩを形成した半導体チップ３５をダイパッド３
１上に搭載し、所定の接着剤を用いて固定する。続い
て、ワイヤボンディング工程を行う。即ち、ダイパッド
３１上にダイボンディングした半導体チップ３５の電極
（図示せず）とリード３４のインナーリード部３２の一
端とをＡｕ線３６を用いて接続する。
【０００７】続いて、モールド工程を行う。即ち、ダイ
ボンディング及びワイヤボンディングを行ったリードフ
レームを所定の金型にセットし、所定の樹脂を注入した
後、この樹脂に圧力を加え、硬化させて、所定の形状に
成形する。こうして、ダイパッド３１、半導体チップ３
５、リード３４のインナーリード部３２、及び半導体チ
ップ３５の電極とインナーリード部３２の一端とを接続
するＡｕ線３６を覆って封止するモールド樹脂部３７を
形成する。
ボンディング及びワイヤボンディングを行ったリードフ
レームを所定の金型にセットし、所定の樹脂を注入した
後、この樹脂に圧力を加え、硬化させて、所定の形状に
成形する。こうして、ダイパッド３１、半導体チップ３
５、リード３４のインナーリード部３２、及び半導体チ
ップ３５の電極とインナーリード部３２の一端とを接続
するＡｕ線３６を覆って封止するモールド樹脂部３７を
形成する。
【０００８】次いで、リード加工工程を行う。即ち、モ
ールド樹脂部３７から露出しているリード３４の不要な
部分を切断除去し、そのアウターリード部３３を折り曲
げてガルウィング形状に加工する。このようにして、両
側から複数個のガルウィング形状のアウターリード部３
３が突き出ているＳＯＰ系の樹脂封止半導体パッケージ
３８を作製する。
ールド樹脂部３７から露出しているリード３４の不要な
部分を切断除去し、そのアウターリード部３３を折り曲
げてガルウィング形状に加工する。このようにして、両
側から複数個のガルウィング形状のアウターリード部３
３が突き出ているＳＯＰ系の樹脂封止半導体パッケージ
３８を作製する。
【０００９】次いで、実装工程を行う。即ち、ＳＯＰ系
の樹脂封止半導体パッケージ３８をプリント配線基板３
９上に搭載して、樹脂封止半導体パッケージ３８のモー
ルド樹脂部３７から両側に突き出ているガルウィング形
状のアウターリード部３３の先端部を、導電性接着剤と
してハンダ層４０を用いてプリント配線基板３９の配線
パターン（図示せず）に接続する。このようにして、図
１０に示される従来のＳＯＰ系の樹脂封止半導体パッケ
ージ３８がプリント配線基板３９に実装された半導体装
置を作製する。
の樹脂封止半導体パッケージ３８をプリント配線基板３
９上に搭載して、樹脂封止半導体パッケージ３８のモー
ルド樹脂部３７から両側に突き出ているガルウィング形
状のアウターリード部３３の先端部を、導電性接着剤と
してハンダ層４０を用いてプリント配線基板３９の配線
パターン（図示せず）に接続する。このようにして、図
１０に示される従来のＳＯＰ系の樹脂封止半導体パッケ
ージ３８がプリント配線基板３９に実装された半導体装
置を作製する。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】上記従来のＳＯＰ系の
樹脂封止半導体パッケージ３８がプリント配線基板３９
に実装された半導体装置においては、モールド樹脂部３
７の両側から複数個のガルウィング形状のアウターリー
ド部３３が突き出ているため、樹脂封止半導体パッケー
ジ３８の実装面幅は、上記図１０に示されるように、モ
ールド樹脂部３７の幅Ａに両側から突き出ているガルウ
ィング形状のアウターリード部の長さ２Ｂが加わって
（Ａ＋２Ｂ）となる。従って、樹脂封止半導体パッケー
ジ３８のプリント配線基板３９上における実装面積はか
なり大きなものとなり、高密度実装化することが困難で
あるという問題があった。
樹脂封止半導体パッケージ３８がプリント配線基板３９
に実装された半導体装置においては、モールド樹脂部３
７の両側から複数個のガルウィング形状のアウターリー
ド部３３が突き出ているため、樹脂封止半導体パッケー
ジ３８の実装面幅は、上記図１０に示されるように、モ
ールド樹脂部３７の幅Ａに両側から突き出ているガルウ
ィング形状のアウターリード部の長さ２Ｂが加わって
（Ａ＋２Ｂ）となる。従って、樹脂封止半導体パッケー
ジ３８のプリント配線基板３９上における実装面積はか
なり大きなものとなり、高密度実装化することが困難で
あるという問題があった。
【００１１】ここでは、従来のＳＯＰ系の樹脂封止半導
体パッケージ３８について説明したが、従来のＱＦＰ系
の樹脂封止半導体パッケージの場合は、モールド樹脂部
の４辺から複数個のガルウィング形状のアウターリード
部が突き出ているため、樹脂封止半導体パッケージのプ
リント配線基板上における実装面積が大きくなり、高密
度実装化することが困難であるという問題は更に深刻な
ものとなる。
体パッケージ３８について説明したが、従来のＱＦＰ系
の樹脂封止半導体パッケージの場合は、モールド樹脂部
の４辺から複数個のガルウィング形状のアウターリード
部が突き出ているため、樹脂封止半導体パッケージのプ
リント配線基板上における実装面積が大きくなり、高密
度実装化することが困難であるという問題は更に深刻な
ものとなる。
【００１２】他方、高密度実装化を実現するため、ＣＳ
Ｐ（Chip Size Package ）の一タイプとして、リードレ
スのＢＧＡ（Ball Grid Array ）が採用されている。し
かし、このＢＧＡの場合、実装面積を小さくして高密度
実装化を実現することは可能であるが、基材にポリイミ
ド等の基板を使用する必要があるし、また外部接続端子
としてハンダボール等の金属ボールを多数接着する必要
があるため、パッケージ・コストが高く、特殊な用途に
限定されているのが実情である。
Ｐ（Chip Size Package ）の一タイプとして、リードレ
スのＢＧＡ（Ball Grid Array ）が採用されている。し
かし、このＢＧＡの場合、実装面積を小さくして高密度
実装化を実現することは可能であるが、基材にポリイミ
ド等の基板を使用する必要があるし、また外部接続端子
としてハンダボール等の金属ボールを多数接着する必要
があるため、パッケージ・コストが高く、特殊な用途に
限定されているのが実情である。
【００１３】そこで本発明は、上記事情を鑑みてなされ
たものであり、従来のＳＯＰ／ＱＦＰ系の樹脂封止半導
体パッケージと同程度に低コストで製造することが可能
で、リードレスの場合と同様に高密度実装化することが
可能な半導体装置及びその製造方法を提供することを目
的とする。
たものであり、従来のＳＯＰ／ＱＦＰ系の樹脂封止半導
体パッケージと同程度に低コストで製造することが可能
で、リードレスの場合と同様に高密度実装化することが
可能な半導体装置及びその製造方法を提供することを目
的とする。
【００１４】
【課題を解決するための手段】上記課題は、以下の本発
明に係る半導体装置及びその製造方法によって達成され
る。即ち、請求項１に係る半導体装置は、ダイパッド及
びインナーリードを有するリードフレームと、ダイパッ
ド上に搭載された半導体チップと、この半導体チップの
電極とインナーリードの一端を接続する金属細線と、ダ
イパッド、インナーリード、半導体チップ、及び金属細
線を覆って封止しているモールド樹脂部とを具備し、イ
ンナーリードの他端の側面及び下面がモールド樹脂部か
ら露出していることを特徴とする。このように請求項１
に係る半導体装置においては、インナーリードの他端の
側面及び下面がモールド樹脂部から露出していることに
より、これら露出している下面又は下面及び側面を樹脂
封止半導体パッケージの外部接続端子として機能させる
ことが可能になるため、いわばアウターリードレスの樹
脂封止半導体パッケージが実現され、アウターリード部
がない分だけ、パッケージ・サイズが小さくなる。
明に係る半導体装置及びその製造方法によって達成され
る。即ち、請求項１に係る半導体装置は、ダイパッド及
びインナーリードを有するリードフレームと、ダイパッ
ド上に搭載された半導体チップと、この半導体チップの
電極とインナーリードの一端を接続する金属細線と、ダ
イパッド、インナーリード、半導体チップ、及び金属細
線を覆って封止しているモールド樹脂部とを具備し、イ
ンナーリードの他端の側面及び下面がモールド樹脂部か
ら露出していることを特徴とする。このように請求項１
に係る半導体装置においては、インナーリードの他端の
側面及び下面がモールド樹脂部から露出していることに
より、これら露出している下面又は下面及び側面を樹脂
封止半導体パッケージの外部接続端子として機能させる
ことが可能になるため、いわばアウターリードレスの樹
脂封止半導体パッケージが実現され、アウターリード部
がない分だけ、パッケージ・サイズが小さくなる。
【００１５】また、請求項２に係る半導体装置は、上記
の請求項１に係る半導体装置において、インナーリード
のモールド樹脂部から露出している下面又は下面及び側
面が導電性接着剤を介して実装基板の配線パターンに接
続されている構成とすることにより、アウターリード部
がない分だけパッケージ・サイズが小さくなった樹脂封
止半導体パッケージが実装基板に実装されているため、
樹脂封止半導体パッケージの実装面積が小さくなり、高
密度実装化が実現される。
の請求項１に係る半導体装置において、インナーリード
のモールド樹脂部から露出している下面又は下面及び側
面が導電性接着剤を介して実装基板の配線パターンに接
続されている構成とすることにより、アウターリード部
がない分だけパッケージ・サイズが小さくなった樹脂封
止半導体パッケージが実装基板に実装されているため、
樹脂封止半導体パッケージの実装面積が小さくなり、高
密度実装化が実現される。
【００１６】また、請求項３に係る半導体装置は、上記
の請求項１に係る半導体装置において、インナーリード
のモールド樹脂部から露出している下面がモールド樹脂
部の底面から下方に突き出している構成とすることによ
り、樹脂封止半導体パッケージの実装工程において、イ
ンナーリードの下面又は下面及び側面を実装基板の配線
パターンに接続する際に、例えばハンダ付け等の導電性
接着剤の付着が極めて容易になるため、実装作業の効率
及び信頼性が向上する。
の請求項１に係る半導体装置において、インナーリード
のモールド樹脂部から露出している下面がモールド樹脂
部の底面から下方に突き出している構成とすることによ
り、樹脂封止半導体パッケージの実装工程において、イ
ンナーリードの下面又は下面及び側面を実装基板の配線
パターンに接続する際に、例えばハンダ付け等の導電性
接着剤の付着が極めて容易になるため、実装作業の効率
及び信頼性が向上する。
【００１７】また、請求項４に係る半導体装置の製造方
法は、ダイパッドとインナーリード部及びアウターリー
ド部からなるリードとを有するリードフレームのダイパ
ッド上に、半導体チップを搭載して固定するダイボンデ
ィング工程と、半導体チップの電極とリードのインナー
リード部の一端とを金属細線を用いて接続するワイヤボ
ンディング工程と、ダイパッド、リードのインナーリー
ド部、半導体チップ、及び金属細線を樹脂により覆って
封止すると共に、その際に形成されるモールド樹脂部か
らインナーリード部の下面を露出させるモールド工程
と、モールド樹脂部から露出しているリードを切断して
アウターリード部を切り離し、インナーリード部の他端
の側面をモールド樹脂部から露出させるリード切断工程
とを具備することを特徴とする。このように請求項４に
係る半導体装置の製造方法によれば、モールド工程にお
いてモールド樹脂部からインナーリード部の下面を露出
させ、リード切断工程においてインナーリード部の他端
の側面をモールド樹脂部から露出させることにより、こ
れら露出している下面又は下面及び側面を樹脂封止半導
体パッケージの外部接続端子として機能させることが可
能になるため、アウターリード部がない分だけパッケー
ジ・サイズが小さくなるアウターリードレスの樹脂封止
半導体パッケージが作製される。
法は、ダイパッドとインナーリード部及びアウターリー
ド部からなるリードとを有するリードフレームのダイパ
ッド上に、半導体チップを搭載して固定するダイボンデ
ィング工程と、半導体チップの電極とリードのインナー
リード部の一端とを金属細線を用いて接続するワイヤボ
ンディング工程と、ダイパッド、リードのインナーリー
ド部、半導体チップ、及び金属細線を樹脂により覆って
封止すると共に、その際に形成されるモールド樹脂部か
らインナーリード部の下面を露出させるモールド工程
と、モールド樹脂部から露出しているリードを切断して
アウターリード部を切り離し、インナーリード部の他端
の側面をモールド樹脂部から露出させるリード切断工程
とを具備することを特徴とする。このように請求項４に
係る半導体装置の製造方法によれば、モールド工程にお
いてモールド樹脂部からインナーリード部の下面を露出
させ、リード切断工程においてインナーリード部の他端
の側面をモールド樹脂部から露出させることにより、こ
れら露出している下面又は下面及び側面を樹脂封止半導
体パッケージの外部接続端子として機能させることが可
能になるため、アウターリード部がない分だけパッケー
ジ・サイズが小さくなるアウターリードレスの樹脂封止
半導体パッケージが作製される。
【００１８】また、このアウターリードレスの樹脂封止
半導体パッケージを作製する際に、ダイボンディング、
ワイヤボンディング、及びモールドの各工程が、モール
ド工程において特有の金型を使用したことを除けば従来
の樹脂封止半導体パッケージを作製する場合と略同様で
あるため、従来の樹脂封止半導体パッケージを作製する
場合と比較して新たな設備や工程の増加を必要とせず、
コストの上昇を招くことはない。また、リード切断工程
においては、リードのアウターリード部を切り離してし
まうことから、従来の場合のようにアウターリード部を
ガルウィング形状にするための折り曲げ加工を行う必要
がなくなるため、却って工程が簡略化される。従って、
アウターリード部がない分だけパッケージ・サイズが小
さくなる樹脂封止半導体パッケージが、従来の場合と同
様に安定的かつ低コストで製造される。
半導体パッケージを作製する際に、ダイボンディング、
ワイヤボンディング、及びモールドの各工程が、モール
ド工程において特有の金型を使用したことを除けば従来
の樹脂封止半導体パッケージを作製する場合と略同様で
あるため、従来の樹脂封止半導体パッケージを作製する
場合と比較して新たな設備や工程の増加を必要とせず、
コストの上昇を招くことはない。また、リード切断工程
においては、リードのアウターリード部を切り離してし
まうことから、従来の場合のようにアウターリード部を
ガルウィング形状にするための折り曲げ加工を行う必要
がなくなるため、却って工程が簡略化される。従って、
アウターリード部がない分だけパッケージ・サイズが小
さくなる樹脂封止半導体パッケージが、従来の場合と同
様に安定的かつ低コストで製造される。
【００１９】また、請求項５に係る半導体装置の製造方
法は、上記の請求項４に係る半導体装置の製造方法にお
いて、前記リード切断工程の後に、インナーリードのモ
ールド樹脂部から露出している下面又は下面及び側面と
実装基板の配線パターンとを導電性接着剤を用いて接続
する実装工程を有している構成とすることにより、アウ
ターリード部がない分だけパッケージ・サイズが小さく
なった樹脂封止半導体パッケージが実装基板に実装され
るため、樹脂封止半導体パッケージの実装面積が小さく
なり、高密度実装化された半導体装置が作製される。
法は、上記の請求項４に係る半導体装置の製造方法にお
いて、前記リード切断工程の後に、インナーリードのモ
ールド樹脂部から露出している下面又は下面及び側面と
実装基板の配線パターンとを導電性接着剤を用いて接続
する実装工程を有している構成とすることにより、アウ
ターリード部がない分だけパッケージ・サイズが小さく
なった樹脂封止半導体パッケージが実装基板に実装され
るため、樹脂封止半導体パッケージの実装面積が小さく
なり、高密度実装化された半導体装置が作製される。
【００２０】また、請求項６に係る半導体装置の製造方
法は、上記の請求項４に係る半導体装置の製造方法にお
いて、前記モールド工程が、同時に、インナーリード部
の下面がモールド樹脂部の底面から突き出るように段差
を形成する工程である構成とすることにより、インナー
リード部の下面が下方に突き出た形状となるため、樹脂
封止半導体パッケージを実装基板に実装する際に、イン
ナーリード部の下面及び側面が単に露出するだけの場合
に比べて、例えばハンダ付け等の導電性接着剤の付着が
容易になり、実装作業の効率及び信頼性が向上する。
法は、上記の請求項４に係る半導体装置の製造方法にお
いて、前記モールド工程が、同時に、インナーリード部
の下面がモールド樹脂部の底面から突き出るように段差
を形成する工程である構成とすることにより、インナー
リード部の下面が下方に突き出た形状となるため、樹脂
封止半導体パッケージを実装基板に実装する際に、イン
ナーリード部の下面及び側面が単に露出するだけの場合
に比べて、例えばハンダ付け等の導電性接着剤の付着が
容易になり、実装作業の効率及び信頼性が向上する。
【００２１】
【発明の実施の形態】以下、添付図面を参照しながら、
本発明の実施の形態を説明する。 （第１の実施形態）図１は本発明の第１の実施形態に係
る樹脂封止半導体パッケージが実装基板に実装された半
導体装置を示す概略断面図であり、図２は図１に示す樹
脂封止半導体パッケージの斜視図である。リードフレー
ムのダイパッド１１上には、半導体チップ１５が搭載さ
れ、例えば所定の接着剤を用いて固定されている。そし
て、この半導体チップ１５の電極（図示せず）とリード
フレームのインナーリード１２の一端とが、Ａｕ線１６
を用いて接続されている。
本発明の実施の形態を説明する。 （第１の実施形態）図１は本発明の第１の実施形態に係
る樹脂封止半導体パッケージが実装基板に実装された半
導体装置を示す概略断面図であり、図２は図１に示す樹
脂封止半導体パッケージの斜視図である。リードフレー
ムのダイパッド１１上には、半導体チップ１５が搭載さ
れ、例えば所定の接着剤を用いて固定されている。そし
て、この半導体チップ１５の電極（図示せず）とリード
フレームのインナーリード１２の一端とが、Ａｕ線１６
を用いて接続されている。
【００２２】また、これらダイパッド１１、半導体チッ
プ１５、インナーリード１２、及びＡｕ線１６は、モー
ルド樹脂部１７によって覆われ、封止されている。これ
以降、このように半導体チップ１５が樹脂封止パッケー
ジングされている半導体装置を、樹脂封止半導体パッケ
ージ１８と呼ぶことにする。
プ１５、インナーリード１２、及びＡｕ線１６は、モー
ルド樹脂部１７によって覆われ、封止されている。これ
以降、このように半導体チップ１５が樹脂封止パッケー
ジングされている半導体装置を、樹脂封止半導体パッケ
ージ１８と呼ぶことにする。
【００２３】なお、ここで、ダイパッド１１とインナー
リード１２は略同じ高さに位置し、ダイパッド１１の下
面並びにインナーリード１２の下面及び側面が共にモー
ルド樹脂部１７から露出している点に本実施形態の特徴
がある。また、この樹脂封止半導体パッケージ１８はプ
リント配線基板１９に実装されている。即ち、樹脂封止
半導体パッケージ１８はプリント配線基板１９上に搭載
され、そのモールド樹脂部１７から露出しているインナ
ーリード１２の下面及び側面が例えば導電性接着剤とし
てのハンダ層２０を介してプリント配線基板１９の配線
パターン（図示せず）に接続されている。即ち、モール
ド樹脂部１７から露出しているインナーリード１２の下
面及び側面が、樹脂封止半導体パッケージ１８の外部接
続端子として機能している。
リード１２は略同じ高さに位置し、ダイパッド１１の下
面並びにインナーリード１２の下面及び側面が共にモー
ルド樹脂部１７から露出している点に本実施形態の特徴
がある。また、この樹脂封止半導体パッケージ１８はプ
リント配線基板１９に実装されている。即ち、樹脂封止
半導体パッケージ１８はプリント配線基板１９上に搭載
され、そのモールド樹脂部１７から露出しているインナ
ーリード１２の下面及び側面が例えば導電性接着剤とし
てのハンダ層２０を介してプリント配線基板１９の配線
パターン（図示せず）に接続されている。即ち、モール
ド樹脂部１７から露出しているインナーリード１２の下
面及び側面が、樹脂封止半導体パッケージ１８の外部接
続端子として機能している。
【００２４】次に、図１に示した半導体装置の製造方法
を、図３〜図５を用いて説明する。ここで、図３はダイ
ボンディング、ワイヤボンディング、及びモールドの各
工程を説明するための工程断面図であり、図４はリード
切断工程を説明するための工程断面図であり、図５は実
装工程を説明するための工程断面図である。
を、図３〜図５を用いて説明する。ここで、図３はダイ
ボンディング、ワイヤボンディング、及びモールドの各
工程を説明するための工程断面図であり、図４はリード
切断工程を説明するための工程断面図であり、図５は実
装工程を説明するための工程断面図である。
【００２５】先ず、ダイパッド１１とインナーリード部
１２及びアウターリード部１３からなるリード１４とを
有するリードフレームを用意する。このとき、このリー
ドフレームのダイパッド１１とリード１４とは略同じ高
さのものとする。次いで、ダイボンディング工程を行
う。即ち、所定のＬＳＩを形成した半導体チップ１５を
ダイパッド１１上に搭載し、所定の接着剤を用いて固定
する。続いて、ワイヤボンディング工程を行う。即ち、
ダイパッド１１上にダイボンディングした半導体チップ
１５の電極（図示せず）とリード１４のインナーリード
部１２の一端とをＡｕ線１６を用いて接続する。
１２及びアウターリード部１３からなるリード１４とを
有するリードフレームを用意する。このとき、このリー
ドフレームのダイパッド１１とリード１４とは略同じ高
さのものとする。次いで、ダイボンディング工程を行
う。即ち、所定のＬＳＩを形成した半導体チップ１５を
ダイパッド１１上に搭載し、所定の接着剤を用いて固定
する。続いて、ワイヤボンディング工程を行う。即ち、
ダイパッド１１上にダイボンディングした半導体チップ
１５の電極（図示せず）とリード１４のインナーリード
部１２の一端とをＡｕ線１６を用いて接続する。
【００２６】続いて、モールド工程を行う。即ち、ダイ
ボンディング及びワイヤボンディングを行ったリードフ
レームを所定の金型にセットし、所定の樹脂を注入した
後、この樹脂に圧力を加え、硬化させて、所定の形状に
成形する。こうして、ダイパッド１１、半導体チップ１
５、リード１４のインナーリード部１２、及び半導体チ
ップ１５の電極とインナーリード部１２の一端とを接続
するＡｕ線１６を覆って封止するモールド樹脂部１７を
形成する。なお、このときに使用する金型は、ダイパッ
ド１１の下面及びリード１４のインナーリード部１２の
下面が共にモールド樹脂部１７から露出するようになる
ものを使用する。
ボンディング及びワイヤボンディングを行ったリードフ
レームを所定の金型にセットし、所定の樹脂を注入した
後、この樹脂に圧力を加え、硬化させて、所定の形状に
成形する。こうして、ダイパッド１１、半導体チップ１
５、リード１４のインナーリード部１２、及び半導体チ
ップ１５の電極とインナーリード部１２の一端とを接続
するＡｕ線１６を覆って封止するモールド樹脂部１７を
形成する。なお、このときに使用する金型は、ダイパッ
ド１１の下面及びリード１４のインナーリード部１２の
下面が共にモールド樹脂部１７から露出するようになる
ものを使用する。
【００２７】このようにして、半導体チップ１５のダイ
ボンディング、ワイヤボンディング、及びモールドの各
工程を行う。なお、これまでの工程は、モールド工程に
おいて本実施形態に係る特有の金型を使用したことを除
けば、従来のＳＯＰ系の樹脂封止半導体パッケージを作
製する場合と同様である（図３参照）。
ボンディング、ワイヤボンディング、及びモールドの各
工程を行う。なお、これまでの工程は、モールド工程に
おいて本実施形態に係る特有の金型を使用したことを除
けば、従来のＳＯＰ系の樹脂封止半導体パッケージを作
製する場合と同様である（図３参照）。
【００２８】次いで、リード切断工程を行う。即ち、モ
ールド樹脂部１７から露出しているリード１４を切断し
て、そのアウターリード部１３を切り離し、リード１４
としてはインナーリード部１２のみを残存させる。ま
た、リード１４の切断面は、インナーリード部１２の他
端の側面としてモールド樹脂部１７から露出した状態と
なっている。なお、これ以降、リード１４の残存するイ
ンナーリード部１２を単にインナーリード１２と呼ぶ。
このようにして、半導体チップ１５が樹脂封止パッケー
ジングされた樹脂封止半導体パッケージ１８を作製す
る。このとき、インナーリード１２の他端の側面及び下
面はモールド樹脂部１７から露出した状態となっている
（図４参照）。
ールド樹脂部１７から露出しているリード１４を切断し
て、そのアウターリード部１３を切り離し、リード１４
としてはインナーリード部１２のみを残存させる。ま
た、リード１４の切断面は、インナーリード部１２の他
端の側面としてモールド樹脂部１７から露出した状態と
なっている。なお、これ以降、リード１４の残存するイ
ンナーリード部１２を単にインナーリード１２と呼ぶ。
このようにして、半導体チップ１５が樹脂封止パッケー
ジングされた樹脂封止半導体パッケージ１８を作製す
る。このとき、インナーリード１２の他端の側面及び下
面はモールド樹脂部１７から露出した状態となっている
（図４参照）。
【００２９】次いで、実装工程を行う。即ち、樹脂封止
半導体パッケージ１８をプリント配線基板１９上に搭載
して、樹脂封止半導体パッケージ１８のモールド樹脂部
１７から露出しているインナーリード１２の下面及び側
面を、導電性接着剤としてハンダ層２０を用いてプリン
ト配線基板１９の配線パターン（図示せず）に接続す
る。このようにして、図１に示す樹脂封止半導体パッケ
ージ１８がプリント配線基板１９に実装された半導体装
置を作製する（図５参照）。
半導体パッケージ１８をプリント配線基板１９上に搭載
して、樹脂封止半導体パッケージ１８のモールド樹脂部
１７から露出しているインナーリード１２の下面及び側
面を、導電性接着剤としてハンダ層２０を用いてプリン
ト配線基板１９の配線パターン（図示せず）に接続す
る。このようにして、図１に示す樹脂封止半導体パッケ
ージ１８がプリント配線基板１９に実装された半導体装
置を作製する（図５参照）。
【００３０】以上のように本実施形態によれば、リード
１４のアウターリード部１３が切り離されて、残存する
インナーリード１２のモールド樹脂部１７から露出して
いる下面及び側面が樹脂封止半導体パッケージ１８の外
部接続端子として機能している。即ち、本実施形態に係
る樹脂封止半導体パッケージ１８は、広義のＳＯＰ系で
はあるが、いわばアウターリードレスの樹脂封止半導体
パッケージとなっている。
１４のアウターリード部１３が切り離されて、残存する
インナーリード１２のモールド樹脂部１７から露出して
いる下面及び側面が樹脂封止半導体パッケージ１８の外
部接続端子として機能している。即ち、本実施形態に係
る樹脂封止半導体パッケージ１８は、広義のＳＯＰ系で
はあるが、いわばアウターリードレスの樹脂封止半導体
パッケージとなっている。
【００３１】このため、このアウターリードレスの樹脂
封止半導体パッケージ１８がプリント配線基板１９に実
装されている際の実装面幅は、図１に示されるように、
モールド樹脂部１７の幅Ａと同一になる。上記図１０に
示されるように、従来の樹脂封止半導体パッケージ３８
の実装面幅が、モールド樹脂部３７の幅Ａに、モールド
樹脂部３７の両側面から突き出ているガルウィング形状
のアウターリード部の長さ２Ｂが加わって（Ａ＋２Ｂ）
となっていることと比較すると、アウターリード部の長
さ２Ｂだけ短縮されている。即ち、樹脂封止半導体パッ
ケージ１８のプリント配線基板１９上における実装面積
を従来の場合よりも大幅に小さくして、高密度実装化を
実現することが可能になる。
封止半導体パッケージ１８がプリント配線基板１９に実
装されている際の実装面幅は、図１に示されるように、
モールド樹脂部１７の幅Ａと同一になる。上記図１０に
示されるように、従来の樹脂封止半導体パッケージ３８
の実装面幅が、モールド樹脂部３７の幅Ａに、モールド
樹脂部３７の両側面から突き出ているガルウィング形状
のアウターリード部の長さ２Ｂが加わって（Ａ＋２Ｂ）
となっていることと比較すると、アウターリード部の長
さ２Ｂだけ短縮されている。即ち、樹脂封止半導体パッ
ケージ１８のプリント配線基板１９上における実装面積
を従来の場合よりも大幅に小さくして、高密度実装化を
実現することが可能になる。
【００３２】また、本実施形態に係る樹脂封止半導体パ
ッケージ１８を作製する際、半導体チップ１５のダイボ
ンディング、ワイヤボンディング、及びモールドの各工
程は、モールド工程において本実施形態に係る特有の金
型を使用したことを除けば従来の場合と同様であり、リ
ード切断工程においては、アウターリード部１３を切り
離してしまうことから従来の場合のようにアウターリー
ド部１３の折り曲げ加工を行う必要がなくなるため、安
定的かつ低コストで製造することができる。
ッケージ１８を作製する際、半導体チップ１５のダイボ
ンディング、ワイヤボンディング、及びモールドの各工
程は、モールド工程において本実施形態に係る特有の金
型を使用したことを除けば従来の場合と同様であり、リ
ード切断工程においては、アウターリード部１３を切り
離してしまうことから従来の場合のようにアウターリー
ド部１３の折り曲げ加工を行う必要がなくなるため、安
定的かつ低コストで製造することができる。
【００３３】（第２の実施形態）図６は本発明の第２の
実施形態に係る半導体装置を示す概略断面図である。な
お、上記第１の実施形態の図１に示す半導体装置の構成
要素と同一の要素には同一の符号を付して説明を省略す
る。上記第１の実施形態においては、上記図１に示され
るように、ダイパッド１１とインナーリード１２は略同
じ高さに位置し、ダイパッド１１の下面並びにインナー
リード１２の下面及び側面は共にモールド樹脂部１７か
ら露出しているのに対して、本実施形態に係る樹脂封止
半導体パッケージ１８ａにおいては、ダイパッド１１ａ
の位置がインナーリード１２ａの位置より高くなってお
り、そのためにダイパッド１１ａの下面がモールド樹脂
部１７ａによって覆われている点に特徴がある。なお、
その他の構造は、上記第１の実施形態の場合と同様であ
るため、その説明は省略する。
実施形態に係る半導体装置を示す概略断面図である。な
お、上記第１の実施形態の図１に示す半導体装置の構成
要素と同一の要素には同一の符号を付して説明を省略す
る。上記第１の実施形態においては、上記図１に示され
るように、ダイパッド１１とインナーリード１２は略同
じ高さに位置し、ダイパッド１１の下面並びにインナー
リード１２の下面及び側面は共にモールド樹脂部１７か
ら露出しているのに対して、本実施形態に係る樹脂封止
半導体パッケージ１８ａにおいては、ダイパッド１１ａ
の位置がインナーリード１２ａの位置より高くなってお
り、そのためにダイパッド１１ａの下面がモールド樹脂
部１７ａによって覆われている点に特徴がある。なお、
その他の構造は、上記第１の実施形態の場合と同様であ
るため、その説明は省略する。
【００３４】また、本実施形態に係る半導体装置の製造
方法も、上記図３〜図５を用いて説明した上記第１の実
施形態の場合と略同様であるため、その図示は省略す
る。但し、本実施形態においては、ダイパッド１１ａの
位置がインナーリード１２ａの位置より高くなってるリ
ードフレームを用意すること、モールド工程において、
リードのインナーリード部１２ａの下面がモールド樹脂
部１７から露出する一方、ダイパッド１１の下面がモー
ルド樹脂部１７によって覆われるようになる金型を使用
することが、上記第１の実施形態の場合と異なってい
る。
方法も、上記図３〜図５を用いて説明した上記第１の実
施形態の場合と略同様であるため、その図示は省略す
る。但し、本実施形態においては、ダイパッド１１ａの
位置がインナーリード１２ａの位置より高くなってるリ
ードフレームを用意すること、モールド工程において、
リードのインナーリード部１２ａの下面がモールド樹脂
部１７から露出する一方、ダイパッド１１の下面がモー
ルド樹脂部１７によって覆われるようになる金型を使用
することが、上記第１の実施形態の場合と異なってい
る。
【００３５】以上のように本実施形態によれば、樹脂封
止半導体パッケージ１８ａが広義のＳＯＰ系のアウター
リードレスの樹脂封止半導体パッケージであるという基
本的な構造は上記第１の実施形態の場合と共通するた
め、上記第１の実施形態の場合と同様に、樹脂封止半導
体パッケージ１８ａの実装面積を大幅に小さくして、高
密度実装化を実現することが可能になると共に、安定的
かつ低コストで製造することができる。また、こうした
効果に加え、ダイパッド１１ａの位置がインナーリード
１２ａの位置より高くなっていることから、ダイパッド
１１ａ上の半導体チップ１５もプリント配線基板１９か
ら相対的に高い位置にあり、また、ダイパッド１１ａの
下面がモールド樹脂部１７ａによって覆われているた
め、上記第１の実施形態の場合よりも耐湿性に優れてい
るという利点を有している。
止半導体パッケージ１８ａが広義のＳＯＰ系のアウター
リードレスの樹脂封止半導体パッケージであるという基
本的な構造は上記第１の実施形態の場合と共通するた
め、上記第１の実施形態の場合と同様に、樹脂封止半導
体パッケージ１８ａの実装面積を大幅に小さくして、高
密度実装化を実現することが可能になると共に、安定的
かつ低コストで製造することができる。また、こうした
効果に加え、ダイパッド１１ａの位置がインナーリード
１２ａの位置より高くなっていることから、ダイパッド
１１ａ上の半導体チップ１５もプリント配線基板１９か
ら相対的に高い位置にあり、また、ダイパッド１１ａの
下面がモールド樹脂部１７ａによって覆われているた
め、上記第１の実施形態の場合よりも耐湿性に優れてい
るという利点を有している。
【００３６】（第３の実施形態）図７は本発明の第３の
実施形態に係る半導体装置を示す概略断面図であり、図
８は図７のＣ部の部分拡大図である。なお、上記第２の
実施形態の図６に示す半導体装置の構成要素と同一の要
素には同一の符号を付して説明を省略する。上記第２の
実施形態の場合と同様に、本実施形態に係る樹脂封止半
導体パッケージ１８ｂにおいても、ダイパッド１１ｂの
位置がインナーリード１２ｂの位置より高くなってお
り、そのためにダイパッド１１ｂの下面がモールド樹脂
部１７ｂによって覆われている。
実施形態に係る半導体装置を示す概略断面図であり、図
８は図７のＣ部の部分拡大図である。なお、上記第２の
実施形態の図６に示す半導体装置の構成要素と同一の要
素には同一の符号を付して説明を省略する。上記第２の
実施形態の場合と同様に、本実施形態に係る樹脂封止半
導体パッケージ１８ｂにおいても、ダイパッド１１ｂの
位置がインナーリード１２ｂの位置より高くなってお
り、そのためにダイパッド１１ｂの下面がモールド樹脂
部１７ｂによって覆われている。
【００３７】但し、上記第２の実施形態においては、上
記図６に示されるように、インナーリード１２ｂの下面
とモールド樹脂部１７の底面とは略同じ高さに位置して
いるのに対して、本実施形態に係る樹脂封止半導体パッ
ケージ１８ｂにおいては、インナーリード１２ａの下面
の位置がモールド樹脂部１７の底面の位置よりもＤだけ
低くなっており、そのためにインナーリード１２ａの下
面がモールド樹脂部１７の底面から下方にＤだけ突き出
した形状となっている点に特徴がある。
記図６に示されるように、インナーリード１２ｂの下面
とモールド樹脂部１７の底面とは略同じ高さに位置して
いるのに対して、本実施形態に係る樹脂封止半導体パッ
ケージ１８ｂにおいては、インナーリード１２ａの下面
の位置がモールド樹脂部１７の底面の位置よりもＤだけ
低くなっており、そのためにインナーリード１２ａの下
面がモールド樹脂部１７の底面から下方にＤだけ突き出
した形状となっている点に特徴がある。
【００３８】なお、その他の構造は、上記第２の実施形
態の場合と同様であるため、その説明は省略する。ま
た、本実施形態に係る半導体装置の製造方法も、上記第
２の実施形態の場合と略同様であるため、その図示は省
略する。但し、本実施形態においては、ダイパッド１１
ｂの位置がインナーリード１２ｂの位置より高くなって
るリードフレームを用意することは上記第２の実施形態
の場合と同様であるが、モールド工程において、リード
のインナーリード部１２ｂの下面がモールド樹脂部１７
ｂから露出し、ダイパッド１１ｂの下面がモールド樹脂
部１７ｂによって覆われると共に、モールド樹脂部１７
ｂの底面がインナーリード１２ａの下面よりもＤだけ高
くなる段差が形成されるような金型を使用することが、
上記第２の実施形態の場合と異なっている。
態の場合と同様であるため、その説明は省略する。ま
た、本実施形態に係る半導体装置の製造方法も、上記第
２の実施形態の場合と略同様であるため、その図示は省
略する。但し、本実施形態においては、ダイパッド１１
ｂの位置がインナーリード１２ｂの位置より高くなって
るリードフレームを用意することは上記第２の実施形態
の場合と同様であるが、モールド工程において、リード
のインナーリード部１２ｂの下面がモールド樹脂部１７
ｂから露出し、ダイパッド１１ｂの下面がモールド樹脂
部１７ｂによって覆われると共に、モールド樹脂部１７
ｂの底面がインナーリード１２ａの下面よりもＤだけ高
くなる段差が形成されるような金型を使用することが、
上記第２の実施形態の場合と異なっている。
【００３９】以上のように本実施形態によれば、樹脂封
止半導体パッケージ１８ｂが広義のＳＯＰ系のアウター
リードレスの樹脂封止半導体パッケージであるという基
本的な構造と、ダイパッド１１ｂ上の半導体チップ１５
がプリント配線基板１９から相対的に高い位置にあり、
また、ダイパッド１１ｂの下面がモールド樹脂部１７ｂ
によって覆われている点は、上記第２の実施形態の場合
と共通するため、樹脂封止半導体パッケージ１８ｂの実
装面積を大幅に小さくして、高密度実装化を実現するこ
とが可能になると共に、安定的かつ低コストで製造する
ことができ、更に耐湿性を向上させることができる。
止半導体パッケージ１８ｂが広義のＳＯＰ系のアウター
リードレスの樹脂封止半導体パッケージであるという基
本的な構造と、ダイパッド１１ｂ上の半導体チップ１５
がプリント配線基板１９から相対的に高い位置にあり、
また、ダイパッド１１ｂの下面がモールド樹脂部１７ｂ
によって覆われている点は、上記第２の実施形態の場合
と共通するため、樹脂封止半導体パッケージ１８ｂの実
装面積を大幅に小さくして、高密度実装化を実現するこ
とが可能になると共に、安定的かつ低コストで製造する
ことができ、更に耐湿性を向上させることができる。
【００４０】また、こうした効果に加え、インナーリー
ド１２ｂの下面がモールド樹脂部１７ｂの底面から下方
に突き出した形状となっていることから、樹脂封止半導
体パッケージ１８ｂをプリント配線基板１９に実装する
工程において、インナーリード１２の下面及び側面を導
電性接着剤としてハンダ層２０を用いてプリント配線基
板１９の配線パターンに接続する際に、ハンダ付けが極
めて容易になるため、上記第２の実施形態の場合よりも
更に実装作業の効率及び信頼性が高くなるという利点を
有している。
ド１２ｂの下面がモールド樹脂部１７ｂの底面から下方
に突き出した形状となっていることから、樹脂封止半導
体パッケージ１８ｂをプリント配線基板１９に実装する
工程において、インナーリード１２の下面及び側面を導
電性接着剤としてハンダ層２０を用いてプリント配線基
板１９の配線パターンに接続する際に、ハンダ付けが極
めて容易になるため、上記第２の実施形態の場合よりも
更に実装作業の効率及び信頼性が高くなるという利点を
有している。
【００４１】（第４の実施形態）図９は本発明の第４の
実施形態に係る半導体装置を示す概略断面図である。な
お、上記第２の実施形態の図６に示す半導体装置の構成
要素と同一の要素には同一の符号を付して説明を省略す
る。上記第２の実施形態の場合と同様に、本実施形態に
係る樹脂封止半導体パッケージ１８ｃにおいても、ダイ
パッド１１ｃの下面がモールド樹脂部１７ｃによって覆
われている。但し、本実施形態に係る樹脂封止半導体パ
ッケージ１８ｃにおいては、そのダイパッド１１ｃの厚
さが、上記図６に示される上記第２の実施形態のダイパ
ッド１１ｂの厚さより薄くなっており、そのためにダイ
パッド１１ｃ上の半導体チップ１５の位置が相対的に低
くなり、延いてはモールド樹脂部１７ｃの表面のプリン
ト配線基板１９から高さが相対的に低くなっている点に
特徴がある。
実施形態に係る半導体装置を示す概略断面図である。な
お、上記第２の実施形態の図６に示す半導体装置の構成
要素と同一の要素には同一の符号を付して説明を省略す
る。上記第２の実施形態の場合と同様に、本実施形態に
係る樹脂封止半導体パッケージ１８ｃにおいても、ダイ
パッド１１ｃの下面がモールド樹脂部１７ｃによって覆
われている。但し、本実施形態に係る樹脂封止半導体パ
ッケージ１８ｃにおいては、そのダイパッド１１ｃの厚
さが、上記図６に示される上記第２の実施形態のダイパ
ッド１１ｂの厚さより薄くなっており、そのためにダイ
パッド１１ｃ上の半導体チップ１５の位置が相対的に低
くなり、延いてはモールド樹脂部１７ｃの表面のプリン
ト配線基板１９から高さが相対的に低くなっている点に
特徴がある。
【００４２】なお、その他の構造は、上記第２の実施形
態の場合と同様であるため、その説明は省略する。ま
た、本実施形態に係る半導体装置の製造方法も、上記第
２の実施形態の場合と略同様であるため、その図示は省
略する。但し、本実施形態においては、ダイパッド１１
ｃの厚さが薄いリードフレームを用意すること、モール
ド工程において、モールド樹脂部１７ｃの厚さが相対的
に薄くなるような金型を使用することが、上記第２の実
施形態の場合と異なっている。なお、ダイパッド１１ｃ
の厚さが薄いリードフレームを用意する代わりに、上記
第１の実施形態において用意したリードフレームを用
い、そのダイパッド１１を裏面からエッチングして、薄
膜化してもよい。
態の場合と同様であるため、その説明は省略する。ま
た、本実施形態に係る半導体装置の製造方法も、上記第
２の実施形態の場合と略同様であるため、その図示は省
略する。但し、本実施形態においては、ダイパッド１１
ｃの厚さが薄いリードフレームを用意すること、モール
ド工程において、モールド樹脂部１７ｃの厚さが相対的
に薄くなるような金型を使用することが、上記第２の実
施形態の場合と異なっている。なお、ダイパッド１１ｃ
の厚さが薄いリードフレームを用意する代わりに、上記
第１の実施形態において用意したリードフレームを用
い、そのダイパッド１１を裏面からエッチングして、薄
膜化してもよい。
【００４３】以上のように本実施形態によれば、本実施
形態に係る樹脂封止半導体パッケージ１８が広義のＳＯ
Ｐ系のアウターリードレスの樹脂封止半導体パッケージ
であるという基本的な構造と、ダイパッド１１ｃの下面
がモールド樹脂部１７ｃによって覆われている点は、上
記第２の実施形態の場合と共通するため、樹脂封止半導
体パッケージ１８ｃの実装面積を大幅に小さくして、高
密度実装化を実現することが可能になると共に、安定的
かつ低コストで製造することができ、更に上記第１の実
施形態の場合よりも耐湿性を向上させることができる。
また、こうした効果に加え、モールド樹脂部１７ｃの表
面のプリント配線基板１９からの高さが相対的に低くな
っていることから、プリント配線基板１９に実装された
樹脂封止半導体パッケージ１８ｃの高さが相対的に低く
なり、半導体装置の小型化に寄与することができる。
形態に係る樹脂封止半導体パッケージ１８が広義のＳＯ
Ｐ系のアウターリードレスの樹脂封止半導体パッケージ
であるという基本的な構造と、ダイパッド１１ｃの下面
がモールド樹脂部１７ｃによって覆われている点は、上
記第２の実施形態の場合と共通するため、樹脂封止半導
体パッケージ１８ｃの実装面積を大幅に小さくして、高
密度実装化を実現することが可能になると共に、安定的
かつ低コストで製造することができ、更に上記第１の実
施形態の場合よりも耐湿性を向上させることができる。
また、こうした効果に加え、モールド樹脂部１７ｃの表
面のプリント配線基板１９からの高さが相対的に低くな
っていることから、プリント配線基板１９に実装された
樹脂封止半導体パッケージ１８ｃの高さが相対的に低く
なり、半導体装置の小型化に寄与することができる。
【００４４】なお、上記第１〜第４の実施形態において
は、ＳＯＰ系の樹脂封止半導体パッケージに対応して、
そのアウターリードレス化したものについて述べてきた
が、ＳＯＰ系に限定されるものではなく、例えばＱＦＰ
系の樹脂封止半導体パッケージに対応して、そのアウタ
ーリードレス化することも可能である。この場合、樹脂
封止半導体パッケージの実装面積を大幅に小さくして、
高密度実装化を実現するという効果は更に大きくなる。
は、ＳＯＰ系の樹脂封止半導体パッケージに対応して、
そのアウターリードレス化したものについて述べてきた
が、ＳＯＰ系に限定されるものではなく、例えばＱＦＰ
系の樹脂封止半導体パッケージに対応して、そのアウタ
ーリードレス化することも可能である。この場合、樹脂
封止半導体パッケージの実装面積を大幅に小さくして、
高密度実装化を実現するという効果は更に大きくなる。
【００４５】
【発明の効果】以上、詳細に説明した通り、本発明に係
る半導体装置によれば、次のような効果を奏することが
できる。即ち、請求項１に係る半導体装置によれば、イ
ンナーリードの他端の側面及び下面がモールド樹脂部か
ら露出していることにより、これら露出している下面又
は下面及び側面を樹脂封止半導体パッケージの外部接続
端子として機能させることが可能になるため、アウター
リードレスの樹脂封止半導体パッケージを実現して、ア
ウターリード部がない分だけパッケージ・サイズを小さ
くすることができる。
る半導体装置によれば、次のような効果を奏することが
できる。即ち、請求項１に係る半導体装置によれば、イ
ンナーリードの他端の側面及び下面がモールド樹脂部か
ら露出していることにより、これら露出している下面又
は下面及び側面を樹脂封止半導体パッケージの外部接続
端子として機能させることが可能になるため、アウター
リードレスの樹脂封止半導体パッケージを実現して、ア
ウターリード部がない分だけパッケージ・サイズを小さ
くすることができる。
【００４６】また、請求項２に係る半導体装置によれ
ば、インナーリードのモールド樹脂部から露出している
下面又は下面及び側面が導電性接着剤を介して実装基板
の配線パターンに接続されていることにより、アウター
リード部がない分だけパッケージ・サイズが小さくなっ
た樹脂封止半導体パッケージが実装基板に実装されてい
るため、樹脂封止半導体パッケージの実装面積を小さく
して、高密度実装化を実現することができる。
ば、インナーリードのモールド樹脂部から露出している
下面又は下面及び側面が導電性接着剤を介して実装基板
の配線パターンに接続されていることにより、アウター
リード部がない分だけパッケージ・サイズが小さくなっ
た樹脂封止半導体パッケージが実装基板に実装されてい
るため、樹脂封止半導体パッケージの実装面積を小さく
して、高密度実装化を実現することができる。
【００４７】また、請求項３に係る半導体装置によれ
ば、インナーリードのモールド樹脂部から露出している
下面がモールド樹脂部の底面から下方に突き出している
ことにより、インナーリードの下面又は下面及び側面を
実装基板の配線パターンに接続する際に、例えばハンダ
付け等の導電性接着剤の付着が極めて容易になるため、
実装作業の効率及び信頼性を向上することができる。
ば、インナーリードのモールド樹脂部から露出している
下面がモールド樹脂部の底面から下方に突き出している
ことにより、インナーリードの下面又は下面及び側面を
実装基板の配線パターンに接続する際に、例えばハンダ
付け等の導電性接着剤の付着が極めて容易になるため、
実装作業の効率及び信頼性を向上することができる。
【００４８】また、請求項４に係る半導体装置の製造方
法によれば、モールド工程及びリード切断工程におい
て、インナーリード部の下面及び他端の側面をそれぞれ
モールド樹脂部から露出させることにより、これら露出
している下面又は下面及び側面を樹脂封止半導体パッケ
ージの外部接続端子として機能させることが可能になる
ため、アウターリード部がない分だけパッケージ・サイ
ズが小さくなるアウターリードレスの樹脂封止半導体パ
ッケージを作製することができる。また、その際に、ダ
イボンディング、ワイヤボンディング、モールド、及び
リード切断の各工程が、従来の樹脂封止半導体パッケー
ジを作製する場合と略同様であり、新たな設備や工程の
増加を必要とせず、コストの上昇を招くこともないた
め、アウターリード部がない分だけパッケージ・サイズ
が小さくなる樹脂封止半導体パッケージを従来の場合と
同様に安定的かつ低コストで製造することができる。
法によれば、モールド工程及びリード切断工程におい
て、インナーリード部の下面及び他端の側面をそれぞれ
モールド樹脂部から露出させることにより、これら露出
している下面又は下面及び側面を樹脂封止半導体パッケ
ージの外部接続端子として機能させることが可能になる
ため、アウターリード部がない分だけパッケージ・サイ
ズが小さくなるアウターリードレスの樹脂封止半導体パ
ッケージを作製することができる。また、その際に、ダ
イボンディング、ワイヤボンディング、モールド、及び
リード切断の各工程が、従来の樹脂封止半導体パッケー
ジを作製する場合と略同様であり、新たな設備や工程の
増加を必要とせず、コストの上昇を招くこともないた
め、アウターリード部がない分だけパッケージ・サイズ
が小さくなる樹脂封止半導体パッケージを従来の場合と
同様に安定的かつ低コストで製造することができる。
【００４９】また、請求項５に係る半導体装置の製造方
法によれば、リード切断工程の後に、インナーリードの
モールド樹脂部から露出している下面又は下面及び側面
と実装基板の配線パターンとを導電性接着剤を用いて接
続することにより、アウターリード部がない分だけパッ
ケージ・サイズが小さくなった樹脂封止半導体パッケー
ジが実装基板に実装されるため、樹脂封止半導体パッケ
ージの実装面積を小さくして、高密度実装化された半導
体装置を作製することができる。
法によれば、リード切断工程の後に、インナーリードの
モールド樹脂部から露出している下面又は下面及び側面
と実装基板の配線パターンとを導電性接着剤を用いて接
続することにより、アウターリード部がない分だけパッ
ケージ・サイズが小さくなった樹脂封止半導体パッケー
ジが実装基板に実装されるため、樹脂封止半導体パッケ
ージの実装面積を小さくして、高密度実装化された半導
体装置を作製することができる。
【００５０】また、請求項６に係る半導体装置の製造方
法は、モールド工程において、ダイパッド、リードのイ
ンナーリード部、半導体チップ、及び金属細線を樹脂に
より覆って封止する際に形成されるモールド樹脂部から
インナーリード部の下面を露出させると共に、インナー
リードの下面がモールド樹脂部の底面から突き出るよう
に段差を形成することにより、インナーリード部の下面
が下方に突き出た形状となるため、樹脂封止半導体パッ
ケージを実装基板に実装する際に、インナーリード部の
下面及び側面が単に露出するだけの場合に比べて、例え
ばハンダ付け等の導電性接着剤の付着が容易になり、実
装作業の効率及び信頼性を向上させることができる。
法は、モールド工程において、ダイパッド、リードのイ
ンナーリード部、半導体チップ、及び金属細線を樹脂に
より覆って封止する際に形成されるモールド樹脂部から
インナーリード部の下面を露出させると共に、インナー
リードの下面がモールド樹脂部の底面から突き出るよう
に段差を形成することにより、インナーリード部の下面
が下方に突き出た形状となるため、樹脂封止半導体パッ
ケージを実装基板に実装する際に、インナーリード部の
下面及び側面が単に露出するだけの場合に比べて、例え
ばハンダ付け等の導電性接着剤の付着が容易になり、実
装作業の効率及び信頼性を向上させることができる。
【図１】本発明の第１の実施形態に係る樹脂封止半導体
パッケージが実装基板に実装された半導体装置を示す概
略断面図である。
パッケージが実装基板に実装された半導体装置を示す概
略断面図である。
【図２】図１に示す樹脂封止半導体パッケージの斜視図
である。
である。
【図３】図１に示す半導体装置の製造プロセスのダイボ
ンディング、ワイヤボンディング、及びモールドの各工
程を説明するための工程断面図である。
ンディング、ワイヤボンディング、及びモールドの各工
程を説明するための工程断面図である。
【図４】図１に示す半導体装置の製造プロセスのリード
切断工程を説明するための工程断面図である。
切断工程を説明するための工程断面図である。
【図５】図１に示す半導体装置の製造プロセスの実装工
程を説明するための工程断面図である。
程を説明するための工程断面図である。
【図６】本発明の第２の実施形態に係る樹脂封止半導体
パッケージが実装基板に実装された半導体装置を示す概
略断面図である。
パッケージが実装基板に実装された半導体装置を示す概
略断面図である。
【図７】本発明の第３の実施形態に係る樹脂封止半導体
パッケージが実装基板に実装された半導体装置を示す概
略断面図である。
パッケージが実装基板に実装された半導体装置を示す概
略断面図である。
【図８】図７のＡ部の部分拡大図である。
【図９】本発明の第４の実施形態に係る樹脂封止半導体
パッケージが実装基板に実装された半導体装置を示す概
略断面図である。
パッケージが実装基板に実装された半導体装置を示す概
略断面図である。
【図１０】従来のＳＯＰ系の樹脂封止半導体パッケージ
が実装基板に実装された半導体装置を示す概略断面図で
ある。
が実装基板に実装された半導体装置を示す概略断面図で
ある。
【図１１】図１０に示す従来のＳＯＰ系の樹脂封止半導
体パッケージの斜視図である。
体パッケージの斜視図である。
１１、１１ａ、１１ｂ、１１ｃ…ダイパッド、１２、１
２ａ、１２ｂ、１２ｃ…インナーリード（部）、１３…
アウターリード部、１４…リード、 １５…半導体チッ
プ、１６…Ａｕ線、１７、１７ａ、１７ｂ、１７ｃ…モ
ールド樹脂部、１８、１８ａ、１８ｂ、１８ｃ…樹脂封
止半導体パッケージ、１９…プリント配線基板、２０…
ハンダ層、３１…ダイパッド、３２…インナーリード
部、３３…アウターリード部、３４…リード、 ３５…
半導体チップ、３６…Ａｕ線、３７…モールド樹脂部、
３８…ＳＯＰ系の樹脂封止半導体パッケージ、３９…プ
リント配線基板、４０…ハンダ層。
２ａ、１２ｂ、１２ｃ…インナーリード（部）、１３…
アウターリード部、１４…リード、 １５…半導体チッ
プ、１６…Ａｕ線、１７、１７ａ、１７ｂ、１７ｃ…モ
ールド樹脂部、１８、１８ａ、１８ｂ、１８ｃ…樹脂封
止半導体パッケージ、１９…プリント配線基板、２０…
ハンダ層、３１…ダイパッド、３２…インナーリード
部、３３…アウターリード部、３４…リード、 ３５…
半導体チップ、３６…Ａｕ線、３７…モールド樹脂部、
３８…ＳＯＰ系の樹脂封止半導体パッケージ、３９…プ
リント配線基板、４０…ハンダ層。
Claims (6)
- 【請求項１】 ダイパッド及びインナーリードを有する
リードフレームと、 前記ダイパッド上に搭載された半導体チップと、 前記半導体チップの電極と前記インナーリードの一端を
接続する金属細線と、 前記ダイパッド、前記インナーリード、前記半導体チッ
プ、及び前記金属細線を覆って封止しているモールド樹
脂部と、を具備し、 前記インナーリードの他端の側面及び下面が、前記モー
ルド樹脂部から露出していることを特徴とする半導体装
置。 - 【請求項２】 請求項１記載の半導体装置において、 前記インナーリードの前記モールド樹脂部から露出して
いる下面又は下面及び側面が、導電性接着剤を介して実
装基板の配線パターンに接続されていることを特徴とす
る半導体装置。 - 【請求項３】 請求項１記載の半導体装置において、 前記インナーリードの前記モールド樹脂部から露出して
いる下面が、前記モールド樹脂部の底面から下方に突き
出していることを特徴とする半導体装置。 - 【請求項４】 ダイパッドとインナーリード部及びアウ
ターリード部からなるリードとを有するリードフレーム
の前記ダイパッド上に、半導体チップを搭載して固定す
るダイボンディング工程と、 前記半導体チップの電極と前記リードの前記インナーリ
ード部の一端とを金属細線を用いて接続するワイヤボン
ディング工程と、 前記ダイパッド、前記リードの前記インナーリード部、
前記半導体チップ、及び前記金属細線を樹脂により覆っ
て封止すると共に、その際に形成されるモールド樹脂部
から前記インナーリード部の下面を露出させるモールド
工程と、 前記モールド樹脂部から露出している前記リードを切断
して前記アウターリード部を切り離し、前記インナーリ
ード部の他端の側面を前記モールド樹脂部から露出させ
るリード切断工程と、 を具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項５】 請求項４記載の半導体装置の製造方法に
おいて、 前記リード切断工程の後に、前記インナーリードの前記
モールド樹脂部から露出している下面又は下面及び側面
と実装基板の配線パターンとを導電性接着剤を用いて接
続する実装工程を有していることを特徴とする半導体装
置の製造方法。 - 【請求項６】 請求項４記載の半導体装置の製造方法に
おいて、 前記モールド工程が、同時に、前記インナーリードの下
面が前記モールド樹脂部の底面から突き出るように段差
を形成する工程であることを特徴とする半導体装置の製
造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10116598A JPH11297917A (ja) | 1998-04-13 | 1998-04-13 | 半導体装置及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10116598A JPH11297917A (ja) | 1998-04-13 | 1998-04-13 | 半導体装置及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11297917A true JPH11297917A (ja) | 1999-10-29 |
Family
ID=14293429
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10116598A Abandoned JPH11297917A (ja) | 1998-04-13 | 1998-04-13 | 半導体装置及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11297917A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001244399A (ja) * | 2000-03-02 | 2001-09-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | リードフレーム及びそれを用いた樹脂封止型半導体装置の製造方法 |
| JP2002118222A (ja) * | 2000-10-10 | 2002-04-19 | Rohm Co Ltd | 半導体装置 |
| JP2007201324A (ja) * | 2006-01-30 | 2007-08-09 | Denso Corp | 電子装置の実装構造および電子部品の実装方法 |
| JP2010268017A (ja) * | 2010-09-03 | 2010-11-25 | Rohm Co Ltd | 半導体装置 |
| JP2012089669A (ja) * | 2010-10-19 | 2012-05-10 | Dainippon Printing Co Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
| JP2014060465A (ja) * | 2014-01-09 | 2014-04-03 | Rohm Co Ltd | 半導体装置 |
| JP2017028333A (ja) * | 1999-06-30 | 2017-02-02 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
-
1998
- 1998-04-13 JP JP10116598A patent/JPH11297917A/ja not_active Abandoned
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2017028333A (ja) * | 1999-06-30 | 2017-02-02 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| JP2001244399A (ja) * | 2000-03-02 | 2001-09-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | リードフレーム及びそれを用いた樹脂封止型半導体装置の製造方法 |
| JP2002118222A (ja) * | 2000-10-10 | 2002-04-19 | Rohm Co Ltd | 半導体装置 |
| JP2007201324A (ja) * | 2006-01-30 | 2007-08-09 | Denso Corp | 電子装置の実装構造および電子部品の実装方法 |
| JP2010268017A (ja) * | 2010-09-03 | 2010-11-25 | Rohm Co Ltd | 半導体装置 |
| JP2012089669A (ja) * | 2010-10-19 | 2012-05-10 | Dainippon Printing Co Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
| JP2014060465A (ja) * | 2014-01-09 | 2014-04-03 | Rohm Co Ltd | 半導体装置 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
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Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20041129 |
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| RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
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|
| A977 | Report on retrieval |
Effective date: 20050922 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 |
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| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20051011 |
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| A521 | Written amendment |
Effective date: 20051201 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060104 |
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Effective date: 20060213 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A762 |