JPH07142168A - 有機ｅｌ素子の製造方法 - Google Patents
有機ｅｌ素子の製造方法Info
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- JPH07142168A JPH07142168A JP5286370A JP28637093A JPH07142168A JP H07142168 A JPH07142168 A JP H07142168A JP 5286370 A JP5286370 A JP 5286370A JP 28637093 A JP28637093 A JP 28637093A JP H07142168 A JPH07142168 A JP H07142168A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
- H10K50/81—Anodes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K50/844—Encapsulations
Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】 未発光部分の少ない有機ＥＬ素子を製造す
る。 【構成】 陽極２のプラズマ表面処理を行った後、素子
を大気中にさらすことなく、前記陽極２上に有機物層
３，４、陰極５、封止膜６を順次形成する。
る。 【構成】 陽極２のプラズマ表面処理を行った後、素子
を大気中にさらすことなく、前記陽極２上に有機物層
３，４、陰極５、封止膜６を順次形成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は有機ＥＬ素子の製造方法
に関する。
に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）素子
とは、固体蛍光性物質の電界発光またはエレクトロルミ
ネッセンスといわれる現象を利用した発光デバイスであ
り、現在無機系材料を発光体として用いた無機ＥＬ素子
が実用化され、液晶ディスプレイ用バックライト、フラ
ットパネル・ディスプレイ等へ応用されている。しかし
ながら、無機ＥＬ素子は、素子を発光させるために高電
圧（〜２００Ｖ）が必要であること、カラー化が困難で
あること等の欠点がある。一方、有機系材料を用いたＥ
Ｌ素子に関する研究も古くから行われていたが、無機Ｅ
Ｌデバイスに比べ著しく性能が劣っていたため、本格的
な実用化研究にまでは至っていなかった。しかし、1987
年にTangらにより提案された、有機物層をホール輸送層
および発光層の２層より構成した有機薄膜ＥＬ素子は、
直流で作動し１０Ｖ以下の低電圧で１０００cd/m2 以上
の高輝度発光を実現し注目を集め、近年同様の有機薄膜
積層型のＥＬ素子の実用化に向けての研究が盛んに行な
われている（C.W.Tang and S.A.VanSlyke:Appl.Phys.Le
tt.,51(1987)913 ）。
とは、固体蛍光性物質の電界発光またはエレクトロルミ
ネッセンスといわれる現象を利用した発光デバイスであ
り、現在無機系材料を発光体として用いた無機ＥＬ素子
が実用化され、液晶ディスプレイ用バックライト、フラ
ットパネル・ディスプレイ等へ応用されている。しかし
ながら、無機ＥＬ素子は、素子を発光させるために高電
圧（〜２００Ｖ）が必要であること、カラー化が困難で
あること等の欠点がある。一方、有機系材料を用いたＥ
Ｌ素子に関する研究も古くから行われていたが、無機Ｅ
Ｌデバイスに比べ著しく性能が劣っていたため、本格的
な実用化研究にまでは至っていなかった。しかし、1987
年にTangらにより提案された、有機物層をホール輸送層
および発光層の２層より構成した有機薄膜ＥＬ素子は、
直流で作動し１０Ｖ以下の低電圧で１０００cd/m2 以上
の高輝度発光を実現し注目を集め、近年同様の有機薄膜
積層型のＥＬ素子の実用化に向けての研究が盛んに行な
われている（C.W.Tang and S.A.VanSlyke:Appl.Phys.Le
tt.,51(1987)913 ）。
【０００３】上記のような有機ＥＬ素子においては、発
光層材料や層構造を変化させることにより無機ＥＬ素子
では難しかった青色発光を含む種々の発光波長を有する
物が得られており、各種発光デバイスやフルカラーディ
スプレイへの応用が期待されているが、無機ＥＬ素子に
比べ経時劣化が著しく、実用化レベルの素子は得られて
いない。
光層材料や層構造を変化させることにより無機ＥＬ素子
では難しかった青色発光を含む種々の発光波長を有する
物が得られており、各種発光デバイスやフルカラーディ
スプレイへの応用が期待されているが、無機ＥＬ素子に
比べ経時劣化が著しく、実用化レベルの素子は得られて
いない。
【０００４】上記のような有機ＥＬ素子の実用化に向け
ての発光特性の改善例の一つとして、陽極であるＩＴＯ
膜に二次的処理としてプラズマ表面処理を行うことによ
り、発光しきい値電圧が低下し、また発光特性の経時劣
化が抑制されることが報告されている（例えば、電子情
報通信学会春季大会講演論文集，5-347,1993年）。
ての発光特性の改善例の一つとして、陽極であるＩＴＯ
膜に二次的処理としてプラズマ表面処理を行うことによ
り、発光しきい値電圧が低下し、また発光特性の経時劣
化が抑制されることが報告されている（例えば、電子情
報通信学会春季大会講演論文集，5-347,1993年）。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記のような
有機ＥＬ素子においては、発光面中に黒点状の未発光部
分が出現し均一な面発光が得られないという問題点があ
る。本発明の目的は、上記のような問題点を改良した有
機ＥＬ素子を製造するための製造方法を提供しようとす
るものである。
有機ＥＬ素子においては、発光面中に黒点状の未発光部
分が出現し均一な面発光が得られないという問題点があ
る。本発明の目的は、上記のような問題点を改良した有
機ＥＬ素子を製造するための製造方法を提供しようとす
るものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明は、第１発明として、基板上に、陽極、有機物
層、陰極を順次積層してなる有機ＥＬ素子の製造方法に
おいて、陽極のプラズマ表面処理を行った後、前記陽極
を大気中にさらすことなく、次いで前記陽極上に有機物
層を形成する有機ＥＬ素子の製造方法とした。
に本発明は、第１発明として、基板上に、陽極、有機物
層、陰極を順次積層してなる有機ＥＬ素子の製造方法に
おいて、陽極のプラズマ表面処理を行った後、前記陽極
を大気中にさらすことなく、次いで前記陽極上に有機物
層を形成する有機ＥＬ素子の製造方法とした。
【０００７】第２発明として、基板上に、陽極、有機物
層、陰極、封止膜を順次積層してなる有機ＥＬ素子の製
造方法において、前記基板上に陽極、有機物層、陰極を
形成した後、これら素子を大気中にさらすことなく封止
膜を形成する有機ＥＬ素子の製造方法とした。
層、陰極、封止膜を順次積層してなる有機ＥＬ素子の製
造方法において、前記基板上に陽極、有機物層、陰極を
形成した後、これら素子を大気中にさらすことなく封止
膜を形成する有機ＥＬ素子の製造方法とした。
【０００８】
【作用】第１発明では、基板上の陽極であるＩＴＯ膜を
プラズマ表面処理した後、陽極を大気中にさらすことな
く、引き続きＩＴＯ膜上に有機物層としてのホール輸送
層を形成し、プラズマ表面処理によって洗浄されたＩＴ
Ｏ膜表面を再び汚すことなく有機物層としての発光層を
形成して大気中の酸素や湿気による素子変化を防止し
た。
プラズマ表面処理した後、陽極を大気中にさらすことな
く、引き続きＩＴＯ膜上に有機物層としてのホール輸送
層を形成し、プラズマ表面処理によって洗浄されたＩＴ
Ｏ膜表面を再び汚すことなく有機物層としての発光層を
形成して大気中の酸素や湿気による素子変化を防止し
た。
【０００９】第２発明では、基板上に陽極、有機物層、
陰極を形成した後、これら素子を大気中にさらすことな
く封止膜を形成することで、素子の変化を防止し未発光
部分の少ない有機ＥＬ素子を作製することができる。
陰極を形成した後、これら素子を大気中にさらすことな
く封止膜を形成することで、素子の変化を防止し未発光
部分の少ない有機ＥＬ素子を作製することができる。
【００１０】
【実施例】以下、実施例として示した図１に従い本発明
を詳細に述べる。１はガラス基板、２は陽極としてのＩ
ＴＯ膜であり、SnO2:Sb, ZnO2:Al等の透明電極よりな
る。３は有機物層としてのホール輸送層であり、正孔移
動度が大で、成膜性がよく、透明であるものが望まし
く、例えば、特開平４−１２９１９１号、特開平４−１
３２１８９号、特開平４−２５５６９２号に記載の化合
物を用いることができる。４は有機物層としての発光層
であり、可視領域に蛍光を有し成膜性のよい任意の蛍光
体を用いることができ、例えば、特開平４−１２９１９
１号、特開平４−１３２１８９号、特開平４−２５５６
９２号に記載の化合物を用いることができる。５は陰極
であり、仕事関数の小さい金属、合金を用いることが望
ましく、Mg, MgAg合金等が好適な材料である。６は封止
層で、上記の有機物層および電極の酸化防止や防湿を目
的とし、SiO2, SiO, GeO等を用いることができる。
を詳細に述べる。１はガラス基板、２は陽極としてのＩ
ＴＯ膜であり、SnO2:Sb, ZnO2:Al等の透明電極よりな
る。３は有機物層としてのホール輸送層であり、正孔移
動度が大で、成膜性がよく、透明であるものが望まし
く、例えば、特開平４−１２９１９１号、特開平４−１
３２１８９号、特開平４−２５５６９２号に記載の化合
物を用いることができる。４は有機物層としての発光層
であり、可視領域に蛍光を有し成膜性のよい任意の蛍光
体を用いることができ、例えば、特開平４−１２９１９
１号、特開平４−１３２１８９号、特開平４−２５５６
９２号に記載の化合物を用いることができる。５は陰極
であり、仕事関数の小さい金属、合金を用いることが望
ましく、Mg, MgAg合金等が好適な材料である。６は封止
層で、上記の有機物層および電極の酸化防止や防湿を目
的とし、SiO2, SiO, GeO等を用いることができる。
【００１１】なお、本発明により製造される有機ＥＬ素
子の構造は、上記のようなホール輸送層３と発光層４と
の２層型素子に限定されるものではなく、発光層と電子
輸送層とからなる型の２層構造やホール輸送層と発光層
と電子輸送層とからなる型の３層構造等であってもよ
い。市販のＩＴＯ膜付きガラス基板（日本板硝子製、P1
1OE-H-PX）のＩＴＯ膜を王水によりエッチングし、陽極
パターンを形成した後、洗剤（ユーアイ化成株式会社、
ホワイト7-L ）で１時間超音波洗浄し、続いてイオン交
換水で１時間超音波洗浄、続いてアセトンで３０分超音
波洗浄、続いてエタノールで１時間超音波洗浄、続いて
沸騰エタノール中に５分間浸漬し、自然乾燥する。洗浄
後の基板を成膜装置内の基板ホルダーにセットし、チャ
ンバー内を１×１０-6Torr以下の真空度まで減圧する。
続いてチャンバー内に３×１０-2TorrになるまでArガス
を導入し、５００ワットの条件で３０秒間高周波電圧を
印加しＩＴＯ膜基板を逆スパッタリングすることによ
り、ＩＴＯ膜のプラズマ表面処理を行う。
子の構造は、上記のようなホール輸送層３と発光層４と
の２層型素子に限定されるものではなく、発光層と電子
輸送層とからなる型の２層構造やホール輸送層と発光層
と電子輸送層とからなる型の３層構造等であってもよ
い。市販のＩＴＯ膜付きガラス基板（日本板硝子製、P1
1OE-H-PX）のＩＴＯ膜を王水によりエッチングし、陽極
パターンを形成した後、洗剤（ユーアイ化成株式会社、
ホワイト7-L ）で１時間超音波洗浄し、続いてイオン交
換水で１時間超音波洗浄、続いてアセトンで３０分超音
波洗浄、続いてエタノールで１時間超音波洗浄、続いて
沸騰エタノール中に５分間浸漬し、自然乾燥する。洗浄
後の基板を成膜装置内の基板ホルダーにセットし、チャ
ンバー内を１×１０-6Torr以下の真空度まで減圧する。
続いてチャンバー内に３×１０-2TorrになるまでArガス
を導入し、５００ワットの条件で３０秒間高周波電圧を
印加しＩＴＯ膜基板を逆スパッタリングすることによ
り、ＩＴＯ膜のプラズマ表面処理を行う。
【００１２】続いてチャンバー内を再び１×１０-6Torr
以下の真空度まで減圧した後、N,N'-シ゛フェニル-N,N'-ヒ゛ス(3
-メチルフェニル)-1,1'-シ゛フェニル-4,4'-シ゛アミンを蒸着源とし、抵抗
加熱方式の真空蒸着により約５００Å成膜し、ホール輸
送層３を形成する。この時の蒸着速度は約３Å/sとす
る。続いてトリス(8-ヒト゛ロキシキノリン)アルミニウムを蒸着源とし、抵
抗加熱方式の真空蒸着により約５００Å成膜し、発光層
４を形成する。この時の蒸着速度は約２Å/sとする。続
いてMgおよびAgを蒸着源とし、抵抗加熱方式の真空蒸着
により共蒸着を行い約２３００Å成膜し、陰極５を形成
する。この時MgとAgの蒸着速度の比は１０：１とし、ま
た蒸着速度は約５Å/sとする。最後に、SiO を蒸着源と
し抵抗加熱方式の真空蒸着により約５０００Å成膜し、
封止膜６を形成した。
以下の真空度まで減圧した後、N,N'-シ゛フェニル-N,N'-ヒ゛ス(3
-メチルフェニル)-1,1'-シ゛フェニル-4,4'-シ゛アミンを蒸着源とし、抵抗
加熱方式の真空蒸着により約５００Å成膜し、ホール輸
送層３を形成する。この時の蒸着速度は約３Å/sとす
る。続いてトリス(8-ヒト゛ロキシキノリン)アルミニウムを蒸着源とし、抵
抗加熱方式の真空蒸着により約５００Å成膜し、発光層
４を形成する。この時の蒸着速度は約２Å/sとする。続
いてMgおよびAgを蒸着源とし、抵抗加熱方式の真空蒸着
により共蒸着を行い約２３００Å成膜し、陰極５を形成
する。この時MgとAgの蒸着速度の比は１０：１とし、ま
た蒸着速度は約５Å/sとする。最後に、SiO を蒸着源と
し抵抗加熱方式の真空蒸着により約５０００Å成膜し、
封止膜６を形成した。
【００１３】以上のような工程で、ＩＴＯ膜のプラズマ
表面クリーニングから封止膜６の形成まで、真空状態を
破ることなく有機ＥＬ素子を製作する。こうして得られ
た有機ＥＬ素子に、ＩＴＯ膜を陽極２、Mg/Ag 合金を陰
極５として、直流１５Ｖを印加したところ、緑色の発光
が得られ、発光面中の未発光部は非常に少なく、発光面
の平均輝度は１２００cd/m2 であった。 （比較例１）ＩＴＯ膜の陽極２のプラズマ表面処理を行
った後、いったんＩＴＯ膜付きガラス基板１を取り出
し、大気中で３０分間放置した以外は、実施例と同様に
有機ＥＬ素子を作製し、実施例と同様に直流１５Ｖを印
加したところ緑色の発光が得られたが、発光面中には未
発光部分が多く存在し、発光面の平均輝度は７４０cd/m
2 と実施例に比べ低いものであった。
表面クリーニングから封止膜６の形成まで、真空状態を
破ることなく有機ＥＬ素子を製作する。こうして得られ
た有機ＥＬ素子に、ＩＴＯ膜を陽極２、Mg/Ag 合金を陰
極５として、直流１５Ｖを印加したところ、緑色の発光
が得られ、発光面中の未発光部は非常に少なく、発光面
の平均輝度は１２００cd/m2 であった。 （比較例１）ＩＴＯ膜の陽極２のプラズマ表面処理を行
った後、いったんＩＴＯ膜付きガラス基板１を取り出
し、大気中で３０分間放置した以外は、実施例と同様に
有機ＥＬ素子を作製し、実施例と同様に直流１５Ｖを印
加したところ緑色の発光が得られたが、発光面中には未
発光部分が多く存在し、発光面の平均輝度は７４０cd/m
2 と実施例に比べ低いものであった。
【００１４】前記実施例および比較例１で用いたものと
同一のＩＴＯ膜付きガラス基板を、実施例と同条件で超
音波洗浄、沸騰エタノール中に浸漬後自然乾燥したもの
について、ＡＥＳ分析装置を用いてＩＴＯ膜面の組成分
析を行ったところ、ＩＴＯ膜表面の炭素量は３２．８％
であったが、同装置内で上記実施例と同条件でＩＴＯ膜
を逆スパッタリングすることによりプラズマ表面処理を
行った後では、炭素量は３．６％に減少しており、プラ
ズマ表面処理によるＩＴＯ膜表面のクリーニング効果が
確認された。
同一のＩＴＯ膜付きガラス基板を、実施例と同条件で超
音波洗浄、沸騰エタノール中に浸漬後自然乾燥したもの
について、ＡＥＳ分析装置を用いてＩＴＯ膜面の組成分
析を行ったところ、ＩＴＯ膜表面の炭素量は３２．８％
であったが、同装置内で上記実施例と同条件でＩＴＯ膜
を逆スパッタリングすることによりプラズマ表面処理を
行った後では、炭素量は３．６％に減少しており、プラ
ズマ表面処理によるＩＴＯ膜表面のクリーニング効果が
確認された。
【００１５】しかしながら、この後ＩＴＯ膜付きガラス
基板をＡＥＳ分析装置より取り出し大気中で３０分放置
した後で、同様にＩＴＯ膜面の組成分析を行ったとこ
ろ、炭素量は３０．２％とプラズマ表面処理を行う以前
と同レベルに増加していた。このことより、本発明によ
り、プラズマ表面処理によって洗浄されたＩＴＯ膜表面
を再び汚すことなく有機ＥＬ素子を作製することがで
き、未発光部分の少ない有機ＥＬ素子を作製することが
できたと考えられる。 （比較例２）基板上に陽極２、有機物層３、４及び陰極
５を形成した後、いったん素子を取り出し、大気中で３
０分間放置した比較例を作り、実施例と同様に直流１５
Ｖを印加したところ緑色の発光が得られた。しかし、実
施例に比べ発光面中の未発光部分が多く、発光面の平均
輝度は１０５０cd/m2 と実施例に比べ低かった。
基板をＡＥＳ分析装置より取り出し大気中で３０分放置
した後で、同様にＩＴＯ膜面の組成分析を行ったとこ
ろ、炭素量は３０．２％とプラズマ表面処理を行う以前
と同レベルに増加していた。このことより、本発明によ
り、プラズマ表面処理によって洗浄されたＩＴＯ膜表面
を再び汚すことなく有機ＥＬ素子を作製することがで
き、未発光部分の少ない有機ＥＬ素子を作製することが
できたと考えられる。 （比較例２）基板上に陽極２、有機物層３、４及び陰極
５を形成した後、いったん素子を取り出し、大気中で３
０分間放置した比較例を作り、実施例と同様に直流１５
Ｖを印加したところ緑色の発光が得られた。しかし、実
施例に比べ発光面中の未発光部分が多く、発光面の平均
輝度は１０５０cd/m2 と実施例に比べ低かった。
【００１６】大気中の酸素や湿度は有機ＥＬ素子の有機
物層、界面、電極の変質をもたらす原因と考えられてお
り、本発明によって、前記実施例のように陰極５を形成
した後、素子を大気中にさらすことなく封止膜６を形成
することによって、大気中の酸素や湿度による素子の変
質を防止でき、未発光部分の少ない有機ＥＬ素子を作製
することができたと考えられる。
物層、界面、電極の変質をもたらす原因と考えられてお
り、本発明によって、前記実施例のように陰極５を形成
した後、素子を大気中にさらすことなく封止膜６を形成
することによって、大気中の酸素や湿度による素子の変
質を防止でき、未発光部分の少ない有機ＥＬ素子を作製
することができたと考えられる。
【００１７】
【発明の効果】上記のように、基板上のＩＴＯ膜をプラ
ズマ表面処理した後、基板を大気中にさらすことなく、
引き続きＩＴＯ膜上に有機物層を形成するため、プラズ
マ表面処理により洗浄されたＩＴＯ膜表面を再び汚すこ
となく有機ＥＬ素子を作製することができ、さらに、陰
極を形成した後、素子を大気中にさらすことなく封止膜
を形成することによって、大気中の酸素や湿度による素
子の変質を防止でき未発光部分の少ない有機ＥＬ素子を
作製することができる。
ズマ表面処理した後、基板を大気中にさらすことなく、
引き続きＩＴＯ膜上に有機物層を形成するため、プラズ
マ表面処理により洗浄されたＩＴＯ膜表面を再び汚すこ
となく有機ＥＬ素子を作製することができ、さらに、陰
極を形成した後、素子を大気中にさらすことなく封止膜
を形成することによって、大気中の酸素や湿度による素
子の変質を防止でき未発光部分の少ない有機ＥＬ素子を
作製することができる。
【図１】本発明方法により製造される有機ＥＬ素子の断
面図
面図
１ ガラス基板 ２ 陽極 ３ 有機物層（ホール輸送層） ４ 有機物層（発光層） ５ 陰極 ６ 封止膜
Claims (2)
- 【請求項１】 基板上に、陽極、有機物層、陰極を順次
積層してなる有機ＥＬ素子の製造方法において、陽極の
プラズマ表面処理を行った後、前記陽極を大気中にさら
すことなく、次いで前記陽極上に有機物層を形成するこ
とを特徴とする有機ＥＬ素子の製造方法。 - 【請求項２】 基板上に、陽極、有機物層、陰極、封止
膜を順次積層してなる有機ＥＬ素子の製造方法におい
て、前記基板上に陽極、有機物層、陰極を形成した後、
これら素子を大気中にさらすことなく封止膜を形成する
ことを特徴とする有機ＥＬ素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28637093A JP3531680B2 (ja) | 1993-11-16 | 1993-11-16 | 有機ｅｌ素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28637093A JP3531680B2 (ja) | 1993-11-16 | 1993-11-16 | 有機ｅｌ素子の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07142168A true JPH07142168A (ja) | 1995-06-02 |
| JP3531680B2 JP3531680B2 (ja) | 2004-05-31 |
Family
ID=17703515
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28637093A Expired - Lifetime JP3531680B2 (ja) | 1993-11-16 | 1993-11-16 | 有機ｅｌ素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3531680B2 (ja) |
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10255972A (ja) * | 1997-03-10 | 1998-09-25 | Idemitsu Kosan Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法およびその製造装置 |
| JPH10302965A (ja) * | 1997-05-01 | 1998-11-13 | Minolta Co Ltd | 有機エレクトロルミネセンス素子及びその製造方法 |
| US6060826A (en) * | 1997-03-19 | 2000-05-09 | Minolta Co., Ltd. | Organic electroluminescent element having an excimer light irradiated positive electrode and method of manufacturing the same |
| US6106352A (en) * | 1998-03-18 | 2000-08-22 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Method for fabrication of organic electroluminescent device |
| WO2000072637A1 (fr) * | 1998-03-09 | 2000-11-30 | Tdk Corporation | Affichage couleur electroluminescent organique |
| US6333065B1 (en) | 1997-07-25 | 2001-12-25 | Tdk Corporation | Process for the production of an organic electroluminescent device |
| US6395409B2 (en) | 1997-09-29 | 2002-05-28 | Minolta Co., Ltd. | Organic electroluminescent element |
| US6406802B1 (en) | 1999-05-27 | 2002-06-18 | Tdk Corporation | Organic electroluminescent color display |
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| WO2008078691A1 (ja) * | 2006-12-22 | 2008-07-03 | Tokyo Electron Limited | 基板処理装置およびクリーニング方法 |
| US7452257B2 (en) | 2002-12-27 | 2008-11-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of manufacturing a display device |
| JP2010182637A (ja) * | 2009-02-09 | 2010-08-19 | Fujifilm Corp | 有機電界発光素子の製造方法及び有機電界発光素子 |
-
1993
- 1993-11-16 JP JP28637093A patent/JP3531680B2/ja not_active Expired - Lifetime
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| US8455272B2 (en) | 2009-02-09 | 2013-06-04 | Udc Ireland Limited | Method for producing organic electroluminescence element and organic electroluminescence element |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3531680B2 (ja) | 2004-05-31 |
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