JP2003109771A - 有機エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法 - Google Patents
有機エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法Info
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/875—Arrangements for extracting light from the devices
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
- H10K2102/301—Details of OLEDs
- H10K2102/302—Details of OLEDs of OLED structures
- H10K2102/3023—Direction of light emission
- H10K2102/3026—Top emission
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/17—Carrier injection layers
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
Landscapes
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 発光を陰極側から取り出す場合において、光
取りだし効率の良好な有機エレクトロルミネッセンス素
子及びその製造方法を提供する。 【解決手段】 少なくとも、表面にトランジスタ２が形
成された基板１上に絶縁層３、陽極５、有機ＥＬ層９、
陰極１２を順次積層してなり、絶縁層３にはコンタクト
ホールＣが形成され、このコンタクトホールＣ中に埋め
込まれた金属層を介してトランジスタ２と陽極５が接続
された有機エレクトロルミネッセンス素子において、陽
極５と有機ＥＬ層９との間に酸化ニッケルを設ける。
取りだし効率の良好な有機エレクトロルミネッセンス素
子及びその製造方法を提供する。 【解決手段】 少なくとも、表面にトランジスタ２が形
成された基板１上に絶縁層３、陽極５、有機ＥＬ層９、
陰極１２を順次積層してなり、絶縁層３にはコンタクト
ホールＣが形成され、このコンタクトホールＣ中に埋め
込まれた金属層を介してトランジスタ２と陽極５が接続
された有機エレクトロルミネッセンス素子において、陽
極５と有機ＥＬ層９との間に酸化ニッケルを設ける。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、有機エレクトロル
ミネッセンス素子（有機ＥＬ素子）及びその製造方法に
関する。
ミネッセンス素子（有機ＥＬ素子）及びその製造方法に
関する。
【０００２】
【従来の技術】有機ＥＬ素子は、高速応答性を有し、視
野角依存性のない光を低消費電力で発光することによ
り、表示素子として、携帯端末機器やパーソナルコンピ
ュータのディスクプレイ等に応用することが検討されて
おり、車載オーディオ用表示パネルには、モノカラーを
部分的に組み合わせたエリアカラー表示素子として実用
化されている。
野角依存性のない光を低消費電力で発光することによ
り、表示素子として、携帯端末機器やパーソナルコンピ
ュータのディスクプレイ等に応用することが検討されて
おり、車載オーディオ用表示パネルには、モノカラーを
部分的に組み合わせたエリアカラー表示素子として実用
化されている。
【０００３】そして、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）に
対応した表示素子を組み合わせれば、フルカラー表示が
可能であることから低電圧駆動で高輝度発光する高性能
の有機ＥＬ素子についての検討が種々行われている。ま
た、高精度表示を行うには単純マトリクス駆動よりも優
れたアクティブマトリクス方式が検討されている。
対応した表示素子を組み合わせれば、フルカラー表示が
可能であることから低電圧駆動で高輝度発光する高性能
の有機ＥＬ素子についての検討が種々行われている。ま
た、高精度表示を行うには単純マトリクス駆動よりも優
れたアクティブマトリクス方式が検討されている。
【０００４】図４は、従来の有機ＥＬ素子の１画素を示
す断面図である。図４に示すように、有機ＥＬ素子は、
各画素がマトリクス状に配置され、この各画素は、表面
に薄膜トランジスタ２が形成されたガラス基板１上に絶
縁層３と、所定の間隔を有した陽極５と、正孔輸送層８
と、電子輸送層兼発光層９と、陰極１２とが順次積層さ
れた構成を有する。
す断面図である。図４に示すように、有機ＥＬ素子は、
各画素がマトリクス状に配置され、この各画素は、表面
に薄膜トランジスタ２が形成されたガラス基板１上に絶
縁層３と、所定の間隔を有した陽極５と、正孔輸送層８
と、電子輸送層兼発光層９と、陰極１２とが順次積層さ
れた構成を有する。
【０００５】更に、絶縁層３には、コンタクトホールＣ
が形成され、このコンタクトホールＣ中に埋め込まれた
金属層４により薄膜トランジスタ２のソース２２と陽極
５が接続されている。なお、薄膜トランジスタ２は、ド
レイン２１、ソース２２、ゲート２３からなる。このコ
ンタクトホールＣの開口率は、電子輸送層兼発光層９か
らの発光効率を向上させるために極力小さくするように
形成されている。正孔輸送層８と、電子輸送層兼発光層
９とで有機ＥＬ層Ｐを構成している。
が形成され、このコンタクトホールＣ中に埋め込まれた
金属層４により薄膜トランジスタ２のソース２２と陽極
５が接続されている。なお、薄膜トランジスタ２は、ド
レイン２１、ソース２２、ゲート２３からなる。このコ
ンタクトホールＣの開口率は、電子輸送層兼発光層９か
らの発光効率を向上させるために極力小さくするように
形成されている。正孔輸送層８と、電子輸送層兼発光層
９とで有機ＥＬ層Ｐを構成している。
【０００６】ここで、陽極５は、透明導電性のインジウ
ム−スズ酸化物（以下、ＩＴＯという）からなり、正孔
輸送層８は、アリールジアミン化合物（以下、ＴＰＤと
いう）からなる。電子輸送層兼発光層９は、トリス（８
−キノリノール）アルミニウム有機金属錯体（以下、単
にＡｌｑ３という）からなる。有機ＥＬ層Ｐとしては、
単層型、電荷注入性、電荷輸送性、発光性の機能に応じ
た層からなる積層型等がある。陰極１２は、仕事関数の
小さいＡｇ−Ｍｇ合金膜からなる。
ム−スズ酸化物（以下、ＩＴＯという）からなり、正孔
輸送層８は、アリールジアミン化合物（以下、ＴＰＤと
いう）からなる。電子輸送層兼発光層９は、トリス（８
−キノリノール）アルミニウム有機金属錯体（以下、単
にＡｌｑ３という）からなる。有機ＥＬ層Ｐとしては、
単層型、電荷注入性、電荷輸送性、発光性の機能に応じ
た層からなる積層型等がある。陰極１２は、仕事関数の
小さいＡｇ−Ｍｇ合金膜からなる。
【０００７】この有機ＥＬ素子は、マトリクス状に配置
された画素における陽極５と陰極１２との間に電圧を印
加して、陽極５からホールを注入し、正孔輸送層８を経
て電子輸送層兼発光層９に輸送する一方、陰極１２から
電子を電子輸送層兼発光層９に注入し、ここで電子とホ
ールとを結合させて発光させ、この発光した光を陽極５
を介してガラス基板１側から外部に取り出すことによっ
て表示を行うものである。この電子輸送層兼発光層９か
ら発せられた光の発光色は、電子輸送層兼発光層９の発
光色に依存し、単色発光であり、電子輸送層兼発光層９
がＡｌｑ３の場合は、緑色発光である。
された画素における陽極５と陰極１２との間に電圧を印
加して、陽極５からホールを注入し、正孔輸送層８を経
て電子輸送層兼発光層９に輸送する一方、陰極１２から
電子を電子輸送層兼発光層９に注入し、ここで電子とホ
ールとを結合させて発光させ、この発光した光を陽極５
を介してガラス基板１側から外部に取り出すことによっ
て表示を行うものである。この電子輸送層兼発光層９か
ら発せられた光の発光色は、電子輸送層兼発光層９の発
光色に依存し、単色発光であり、電子輸送層兼発光層９
がＡｌｑ３の場合は、緑色発光である。
【０００８】この場合、ガラス基板１側から発光した光
を取り出す限り、薄膜トランジスタ２の占める割合を小
さくしても、この薄膜トランジスタ２が発光した光を遮
るため、発光効率を低下させる。そして、高精細化のた
めに、画素サイズが小さくなると、発光面積が益々小さ
くなるので、発光効率が低下してしまう。また、安定し
た定電流駆動を行うためには、１画素当たり２〜４個の
薄膜トランジスタ２が必要となる。この対策として、陰
極１２側から発光を取り出すことが考えられた。
を取り出す限り、薄膜トランジスタ２の占める割合を小
さくしても、この薄膜トランジスタ２が発光した光を遮
るため、発光効率を低下させる。そして、高精細化のた
めに、画素サイズが小さくなると、発光面積が益々小さ
くなるので、発光効率が低下してしまう。また、安定し
た定電流駆動を行うためには、１画素当たり２〜４個の
薄膜トランジスタ２が必要となる。この対策として、陰
極１２側から発光を取り出すことが考えられた。
【０００９】この場合、陽極５を金属電極にし、陰極１
２を透明電極にすることが考えられる。陰極１２は、透
明かつ抵抗値が低くなるための条件で成膜する必要があ
るが、この条件を満たすものとして、スパッタリング方
法によりＩＴＯを成膜することが一般的である。ところ
が、このＩＴＯを有機ＥＬ層Ｐ上に成膜すると、堆積粒
子及び成膜時のプラズマの影響により、有機ＥＬ層Ｐへ
のダメージが大きく加わるため、動作時に発光しなくな
ってしまう。この問題を解決する方法として、陰極１２
を透明率がある程度得られる薄さにする方法がＡｐｐ
ｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．６８，ｐ２６０６等に開示さ
れている。
２を透明電極にすることが考えられる。陰極１２は、透
明かつ抵抗値が低くなるための条件で成膜する必要があ
るが、この条件を満たすものとして、スパッタリング方
法によりＩＴＯを成膜することが一般的である。ところ
が、このＩＴＯを有機ＥＬ層Ｐ上に成膜すると、堆積粒
子及び成膜時のプラズマの影響により、有機ＥＬ層Ｐへ
のダメージが大きく加わるため、動作時に発光しなくな
ってしまう。この問題を解決する方法として、陰極１２
を透明率がある程度得られる薄さにする方法がＡｐｐ
ｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．６８，ｐ２６０６等に開示さ
れている。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、陽極材
料としてＩＴＯを用いており、光取り出し効率が悪かっ
た。このＩＴＯの代わりに、仕事関数が大きく、反射率
も高い金、ニッケル等の材料を用いることが考えられた
が、前記したように発光を効率的に取り出すためにコン
タクトホールＣが極力小さくなるように形成されている
ので、通常のスパッタリング法や蒸着法等では、コンタ
クトホールＣ内部に金属層４が良好なステップカバレー
ジで成膜されず、陽極５と金属層４とのコンタクト抵抗
が高くなり、低電圧駆動ができないといった問題を生じ
ていた。
料としてＩＴＯを用いており、光取り出し効率が悪かっ
た。このＩＴＯの代わりに、仕事関数が大きく、反射率
も高い金、ニッケル等の材料を用いることが考えられた
が、前記したように発光を効率的に取り出すためにコン
タクトホールＣが極力小さくなるように形成されている
ので、通常のスパッタリング法や蒸着法等では、コンタ
クトホールＣ内部に金属層４が良好なステップカバレー
ジで成膜されず、陽極５と金属層４とのコンタクト抵抗
が高くなり、低電圧駆動ができないといった問題を生じ
ていた。
【００１１】このため、コンタクトホールＣ内部に形成
する金属層４をＣＶＤ法（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏ
ｕｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ法）やリフロー工程で行う
ことが望ましいが、前記した金属材料では困難であっ
た。
する金属層４をＣＶＤ法（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏ
ｕｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ法）やリフロー工程で行う
ことが望ましいが、前記した金属材料では困難であっ
た。
【００１２】そこで、本発明は、上記のような問題点を
解消するためになされたもので、発光を陰極側から取り
出す場合において、低電圧駆動が可能で、かつ光取りだ
し効率の良好な有機エレクトロルミネッセンス素子及び
その製造方法を提供することを目的とする。
解消するためになされたもので、発光を陰極側から取り
出す場合において、低電圧駆動が可能で、かつ光取りだ
し効率の良好な有機エレクトロルミネッセンス素子及び
その製造方法を提供することを目的とする。
【００１３】
【課題を解決するための手段】本発明の第１の発明は、
少なくとも、表面にトランジスタが形成された基板上に
絶縁層、陽極、有機ＥＬ層、陰極を順次積層してなり、
前記絶縁層にはコンタクトホールが形成され、このコン
タクトホール中に埋め込まれた金属層を介して前記トラ
ンジスタと前記陽極が接続された有機エレクトロルミネ
ッセンス素子において、前記陽極と前記有機ＥＬ層との
間に酸化ニッケルを設けたことを特徴とする有機エレク
トロルミネッセンス素子を提供する。第２の発明は、表
面にトランジスタが形成された基板上に絶縁層を形成し
た後、この絶縁層中にコンタクトホールを形成し、引き
続いて、ＣＶＤ法又はリフロー工程によりＡｌを堆積さ
せた後、前記絶縁層が露出するまで平坦化して前記コン
タクトホール中にＡｌを埋め込んで前記トランジスタに
接触させ、次に、前記絶縁層上に金属からなる陽極を形
成すると共に前記Ａｌを介して前記トランジスタと接続
し、次に、前記陽極上にＲＦスパッタリング方法により
酸化ニッケルを形成し、更に、有機ＥＬ層、陰極を順次
積層したことを特徴とする有機エレクトロルミネッセン
ス素子の製造方法を提供する。第３の発明は、表面にト
ランジスタが形成された基板上に絶縁層を形成した後、
コンタクトホールを形成し、引き続いて、ＣＶＤ法又は
リフロー工程によりＡｌを堆積させた後、前記絶縁層が
露出するまで平坦化して前記コンタクトホール中にＡｌ
を埋め込んで前記トランジスタに接触させ、次に、前記
絶縁層上に金属からなる陽極を形成すると共に前記Ａｌ
を介して前記トランジスタと接続し、次に、前記陽極上
に金属ニッケルを形成して、この金属ニッケルを酸素プ
ラズマ処理して酸化ニッケルを形成し、更に、有機ＥＬ
層、陰極を順次積層したことを特徴とする有機エレクト
ロルミネッセンス素子の製造方法を提供する。
少なくとも、表面にトランジスタが形成された基板上に
絶縁層、陽極、有機ＥＬ層、陰極を順次積層してなり、
前記絶縁層にはコンタクトホールが形成され、このコン
タクトホール中に埋め込まれた金属層を介して前記トラ
ンジスタと前記陽極が接続された有機エレクトロルミネ
ッセンス素子において、前記陽極と前記有機ＥＬ層との
間に酸化ニッケルを設けたことを特徴とする有機エレク
トロルミネッセンス素子を提供する。第２の発明は、表
面にトランジスタが形成された基板上に絶縁層を形成し
た後、この絶縁層中にコンタクトホールを形成し、引き
続いて、ＣＶＤ法又はリフロー工程によりＡｌを堆積さ
せた後、前記絶縁層が露出するまで平坦化して前記コン
タクトホール中にＡｌを埋め込んで前記トランジスタに
接触させ、次に、前記絶縁層上に金属からなる陽極を形
成すると共に前記Ａｌを介して前記トランジスタと接続
し、次に、前記陽極上にＲＦスパッタリング方法により
酸化ニッケルを形成し、更に、有機ＥＬ層、陰極を順次
積層したことを特徴とする有機エレクトロルミネッセン
ス素子の製造方法を提供する。第３の発明は、表面にト
ランジスタが形成された基板上に絶縁層を形成した後、
コンタクトホールを形成し、引き続いて、ＣＶＤ法又は
リフロー工程によりＡｌを堆積させた後、前記絶縁層が
露出するまで平坦化して前記コンタクトホール中にＡｌ
を埋め込んで前記トランジスタに接触させ、次に、前記
絶縁層上に金属からなる陽極を形成すると共に前記Ａｌ
を介して前記トランジスタと接続し、次に、前記陽極上
に金属ニッケルを形成して、この金属ニッケルを酸素プ
ラズマ処理して酸化ニッケルを形成し、更に、有機ＥＬ
層、陰極を順次積層したことを特徴とする有機エレクト
ロルミネッセンス素子の製造方法を提供する。
【００１４】
【発明の実施の形態】本発明の実施形態の有機エレクト
ロルミネッセンス素子及びその製造方法について図１〜
図３を参照しながら以下に説明する。図１は、本発明の
第１実施形態の有機エレクトロルミネッセンス素子を示
す断面図である。図２は、本発明の第１実施形態の有機
エレクトロルミネッセンス素子の陽極材料の種類を変化
させた場合の電流電圧特性を示す図である。図３は、本
発明の第２実施形態の有機エレクトロルミネッセンス素
子を示す断面図である。従来例と同一構成には同一符号
を付し、その説明を省略する。
ロルミネッセンス素子及びその製造方法について図１〜
図３を参照しながら以下に説明する。図１は、本発明の
第１実施形態の有機エレクトロルミネッセンス素子を示
す断面図である。図２は、本発明の第１実施形態の有機
エレクトロルミネッセンス素子の陽極材料の種類を変化
させた場合の電流電圧特性を示す図である。図３は、本
発明の第２実施形態の有機エレクトロルミネッセンス素
子を示す断面図である。従来例と同一構成には同一符号
を付し、その説明を省略する。
【００１５】図１に示すように、本発明の第１実施形態
の有機エレクトロルミネッセンス素子は、従来の有機エ
レクトロルミネッセンス素子において、陽極５にＡｌを
用い、この陽極５上に酸化ニッケルからなるバッファ層
７が形成され、更に陰極１２がＬｉＦ層１０とＡｌ層１
１とからなるものであり、それ以外は同様である。
の有機エレクトロルミネッセンス素子は、従来の有機エ
レクトロルミネッセンス素子において、陽極５にＡｌを
用い、この陽極５上に酸化ニッケルからなるバッファ層
７が形成され、更に陰極１２がＬｉＦ層１０とＡｌ層１
１とからなるものであり、それ以外は同様である。
【００１６】次に、本発明の第１実施形態の有機エレク
トロルミネッセンス素子の製造方法について説明する。
予め表面に薄膜トランジスタ２が形成されたガラス基板
１上にＳｉＯ2からなる絶縁層３を形成した後、平坦化
する。この絶縁層３中にあって、薄膜トランジスタ２の
ソース２２上にコンタクトホールＣを形成した後、引き
続いてＡｌをＣＶＤ法やリフロー工程により堆積し、こ
のＡｌを絶縁層３が露出するまで平坦化してコンタクト
ホールＣ中にＡｌからなる金属層４を形成する。
トロルミネッセンス素子の製造方法について説明する。
予め表面に薄膜トランジスタ２が形成されたガラス基板
１上にＳｉＯ2からなる絶縁層３を形成した後、平坦化
する。この絶縁層３中にあって、薄膜トランジスタ２の
ソース２２上にコンタクトホールＣを形成した後、引き
続いてＡｌをＣＶＤ法やリフロー工程により堆積し、こ
のＡｌを絶縁層３が露出するまで平坦化してコンタクト
ホールＣ中にＡｌからなる金属層４を形成する。
【００１７】次に、絶縁層３及び金属層４上にパターン
化した陽極５を形成して、薄膜トランジスタ２のソース
２２と陽極５とを金属層４を介して接続する。更に、絶
縁層３及び陽極５上にＳｉＯ2を形成した後、陽極５が
露出するまで平坦化して画素間に絶縁層６を形成する。
化した陽極５を形成して、薄膜トランジスタ２のソース
２２と陽極５とを金属層４を介して接続する。更に、絶
縁層３及び陽極５上にＳｉＯ2を形成した後、陽極５が
露出するまで平坦化して画素間に絶縁層６を形成する。
【００１８】次に、ＲＦスパッタリング法により、陽極
５上に酸化ニッケルをスパッタしてバッファ層７を形成
する。更に、厚さ５０ｎｍのαーＮＰＤからなる正孔輸
送層８、厚さ５０ｎｍのＡｌｑ３の電子輸送層兼発光層
９、ＬｉＦ層１０、厚さ１０ｎｍのＡｌ層１１を順次形
成して有機ＥＬ素子を作製する。なお、ＬｉＦ層１０と
Ａｌ層１１とで陰極１２を構成する。また、前記したよ
うに、正孔輸送層８と電子輸送層兼発光層９とで有機Ｅ
Ｌ層Ｐを構成する。
５上に酸化ニッケルをスパッタしてバッファ層７を形成
する。更に、厚さ５０ｎｍのαーＮＰＤからなる正孔輸
送層８、厚さ５０ｎｍのＡｌｑ３の電子輸送層兼発光層
９、ＬｉＦ層１０、厚さ１０ｎｍのＡｌ層１１を順次形
成して有機ＥＬ素子を作製する。なお、ＬｉＦ層１０と
Ａｌ層１１とで陰極１２を構成する。また、前記したよ
うに、正孔輸送層８と電子輸送層兼発光層９とで有機Ｅ
Ｌ層Ｐを構成する。
【００１９】ここで、本発明の第１実施形態におけるバ
ッファ層７を酸化ニッケル、ＩＴＯ、金属ニッケル、Ｐ
ｔ（白金）にした場合の駆動する電流電圧特性について
調べた。その結果を図２に示す。図２中、□は、酸化ニ
ッケル、△は、ＩＴＯ、△は、金属ニッケル、〇は、Ｐ
ｔを示す。図２に示すように、金属ニッケル及びＩＴＯ
の場合は、駆動する電圧が高く抵抗が高い。一方、酸化
ニッケル及びＩＴＯの場合には、駆動する電圧が低く抵
抗が低く良好な電流電圧特性が得られている。
ッファ層７を酸化ニッケル、ＩＴＯ、金属ニッケル、Ｐ
ｔ（白金）にした場合の駆動する電流電圧特性について
調べた。その結果を図２に示す。図２中、□は、酸化ニ
ッケル、△は、ＩＴＯ、△は、金属ニッケル、〇は、Ｐ
ｔを示す。図２に示すように、金属ニッケル及びＩＴＯ
の場合は、駆動する電圧が高く抵抗が高い。一方、酸化
ニッケル及びＩＴＯの場合には、駆動する電圧が低く抵
抗が低く良好な電流電圧特性が得られている。
【００２０】更に、酸化ニッケル及びＩＴＯの場合につ
いて、陰極１２側からの光取り出し効率を調べた。その
結果、酸化ニッケルの場合には、３ｃｄ／Ａであり、Ｉ
ＴＯの場合には、０．５ｃｄ／Ａであった。以上のこと
から、バッファ層７として、酸化ニッケルを用いれば、
低電圧駆動で、かつ光取り出し効率が向上することがわ
かった。なお、バッファ層７に酸化ニッケルを用いた場
合のＡｌの反射率を調べた結果、ニッケルや金と比較し
て２％程度の低下であった。
いて、陰極１２側からの光取り出し効率を調べた。その
結果、酸化ニッケルの場合には、３ｃｄ／Ａであり、Ｉ
ＴＯの場合には、０．５ｃｄ／Ａであった。以上のこと
から、バッファ層７として、酸化ニッケルを用いれば、
低電圧駆動で、かつ光取り出し効率が向上することがわ
かった。なお、バッファ層７に酸化ニッケルを用いた場
合のＡｌの反射率を調べた結果、ニッケルや金と比較し
て２％程度の低下であった。
【００２１】以上のように、本発明の第１実施形態の有
機ＥＬ素子によれば、陽極５上にバッファ層７を形成し
たので、低電圧駆動、かつ高い光取り出し効率を得るこ
とができる。また、その製造方法によれば、ＣＶＤ法や
リフローによりコンタクトホールＣ中にＡｌをＣＶＤ法
やリフロー工程により形成するので、陽極３とＡｌとの
コンタクト抵抗が低くなり、低電圧駆動が可能となる。
機ＥＬ素子によれば、陽極５上にバッファ層７を形成し
たので、低電圧駆動、かつ高い光取り出し効率を得るこ
とができる。また、その製造方法によれば、ＣＶＤ法や
リフローによりコンタクトホールＣ中にＡｌをＣＶＤ法
やリフロー工程により形成するので、陽極３とＡｌとの
コンタクト抵抗が低くなり、低電圧駆動が可能となる。
【００２２】次に、本発明の第２実施形態について図３
を用いて説明する。本発明の第１実施形態と同一構成に
は同一符号を付し、その説明を省略する。図３に示すよ
うに、本発明の第２実施形態の有機ＥＬ素子は、本発明
の第１実施形態の有機ＥＬ素子において、陰極１２の構
成をＬｉＦ層１０、Ａｌ層１１、Ａｕ層１３を順次積層
したものであり、それ以外は同様である。
を用いて説明する。本発明の第１実施形態と同一構成に
は同一符号を付し、その説明を省略する。図３に示すよ
うに、本発明の第２実施形態の有機ＥＬ素子は、本発明
の第１実施形態の有機ＥＬ素子において、陰極１２の構
成をＬｉＦ層１０、Ａｌ層１１、Ａｕ層１３を順次積層
したものであり、それ以外は同様である。
【００２３】また、本発明の第２実施形態の有機ＥＬ素
子の製造方法は、本発明の第１実施形態の有機ＥＬ素子
の製造方法におけるバッファ層７を構成する酸化ニッケ
ルをＲＦスパッタリング法により形成する代わりに、陽
極５上に金属ニッケルを形成した後、酸素プラズマ処理
を行って、酸化ニッケルを形成すること及び陰極１２の
構成であるＬｉＦ層１０、Ａｌ層１１の代わりに、Ｌｉ
Ｆ層１０、Ａｌ層１１、Ａｕ層１３を順次積層したこと
が異なり、それ以外は同様である。前記した酸素プラズ
マ処理は、例えば、１０ｍＴｏｒｒ、１００Ｗの条件の
下で４分間の酸素プラズマ中で行うものである。
子の製造方法は、本発明の第１実施形態の有機ＥＬ素子
の製造方法におけるバッファ層７を構成する酸化ニッケ
ルをＲＦスパッタリング法により形成する代わりに、陽
極５上に金属ニッケルを形成した後、酸素プラズマ処理
を行って、酸化ニッケルを形成すること及び陰極１２の
構成であるＬｉＦ層１０、Ａｌ層１１の代わりに、Ｌｉ
Ｆ層１０、Ａｌ層１１、Ａｕ層１３を順次積層したこと
が異なり、それ以外は同様である。前記した酸素プラズ
マ処理は、例えば、１０ｍＴｏｒｒ、１００Ｗの条件の
下で４分間の酸素プラズマ中で行うものである。
【００２４】本発明の第２実施形態の有機ＥＬ素子の製
造方法によっても、本発明の第１実施形態と同様な効果
が得られる。なお、本発明の第１及び第２実施形態で
は、ガラス基板１を用いたが、不透明な材料を用いるこ
ともできる。
造方法によっても、本発明の第１実施形態と同様な効果
が得られる。なお、本発明の第１及び第２実施形態で
は、ガラス基板１を用いたが、不透明な材料を用いるこ
ともできる。
【００２５】
【発明の効果】本発明の有機エレクトロルミネッセンス
素子によれば、陽極と有機ＥＬ層との間に酸化ニッケル
を設けたので、低電圧駆動で、かつ光取り出し効率を向
上させることができる。また、本発明の有機エレクトロ
ルミネッセンス素子の製造方法によれば、コンタクトホ
ール中にＡｌをＣＶＤ法又はリフロー工程により形成す
るので、陽極とＡｌとのコンタクト抵抗が低くなり、低
電圧駆動が可能となる。
素子によれば、陽極と有機ＥＬ層との間に酸化ニッケル
を設けたので、低電圧駆動で、かつ光取り出し効率を向
上させることができる。また、本発明の有機エレクトロ
ルミネッセンス素子の製造方法によれば、コンタクトホ
ール中にＡｌをＣＶＤ法又はリフロー工程により形成す
るので、陽極とＡｌとのコンタクト抵抗が低くなり、低
電圧駆動が可能となる。
【図１】本発明の第１実施形態の有機エレクトロルミネ
ッセンス素子を示す断面図である。
ッセンス素子を示す断面図である。
【図２】本発明の第１実施形態の有機エレクトロルミネ
ッセンス素子の陽極材料の種類を変化させた場合の電流
電圧特性を示す図である。
ッセンス素子の陽極材料の種類を変化させた場合の電流
電圧特性を示す図である。
【図３】本発明の第２実施形態の有機エレクトロルミネ
ッセンス素子を示す断面図である。
ッセンス素子を示す断面図である。
【図４】従来の有機エレクトロルミネッセンス素子を示
す断面図である。
す断面図である。
１…ガラス基板、２…薄膜トランジスタ、３、６…絶縁
層、４…金属層、５…陽極、７…バッファ層、８…正孔
輸送層、９…電子輸送層兼発光層、１０…ＬｉＦ層、１
１…Ａｌ層、１２…陰極、Ｃ…コンタクトホール、Ｐ…
有機ＥＬ層
層、４…金属層、５…陽極、７…バッファ層、８…正孔
輸送層、９…電子輸送層兼発光層、１０…ＬｉＦ層、１
１…Ａｌ層、１２…陰極、Ｃ…コンタクトホール、Ｐ…
有機ＥＬ層
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考）
Ｈ０５Ｂ 33/14 Ｈ０５Ｂ 33/14 Ａ
33/24 33/24
33/28 33/28
Ｆターム(参考） 3K007 AB02 AB06 AB18 BA00 BA06
BB07 CB03 CB04 CC01 DA01
DB03 EB00 FA01
5C094 AA10 AA24 AA43 BA03 BA27
CA19 DA13 DB01 DB04 EA04
EA06 FA01 FA02 FB01 FB02
FB20 GB10
5G435 AA03 AA16 AA17 BB05 CC09
HH01 HH12 HH14 HH20 KK05
Claims (3)
- 【請求項１】少なくとも、表面にトランジスタが形成さ
れた基板上に絶縁層、陽極、有機ＥＬ層、陰極を順次積
層してなり、前記絶縁層にはコンタクトホールが形成さ
れ、このコンタクトホール中に埋め込まれた金属層を介
して前記トランジスタと前記陽極が接続された有機エレ
クトロルミネッセンス素子において、 前記陽極と前記有機ＥＬ層との間に酸化ニッケルを設け
たことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素
子。 - 【請求項２】表面にトランジスタが形成された基板上に
絶縁層を形成した後、この絶縁層中にコンタクトホール
を形成し、引き続いて、ＣＶＤ法又はリフロー工程によ
りＡｌを堆積させた後、前記絶縁層が露出するまで平坦
化して前記コンタクトホール中にＡｌを埋め込んで前記
トランジスタに接触させ、次に、前記絶縁層上に金属か
らなる陽極を形成すると共に前記Ａｌを介して前記トラ
ンジスタと接続し、次に、前記陽極上にＲＦスパッタリ
ング方法により酸化ニッケルを形成し、更に、有機ＥＬ
層、陰極を順次積層したことを特徴とする有機エレクト
ロルミネッセンス素子の製造方法。 - 【請求項３】表面にトランジスタが形成された基板上に
絶縁層を形成した後、コンタクトホールを形成し、引き
続いて、ＣＶＤ法又はリフロー工程によりＡｌを堆積さ
せた後、前記絶縁層が露出するまで平坦化して前記コン
タクトホール中にＡｌを埋め込んで前記トランジスタに
接触させ、次に、前記絶縁層上に金属からなる陽極を形
成すると共に前記Ａｌを介して前記トランジスタと接続
し、次に、前記陽極上に金属ニッケルを形成して、この
金属ニッケルを酸素プラズマ処理して酸化ニッケルを形
成し、更に、有機ＥＬ層、陰極を順次積層したことを特
徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001296583A JP2003109771A (ja) | 2001-09-27 | 2001-09-27 | 有機エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001296583A JP2003109771A (ja) | 2001-09-27 | 2001-09-27 | 有機エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003109771A true JP2003109771A (ja) | 2003-04-11 |
Family
ID=19117794
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001296583A Pending JP2003109771A (ja) | 2001-09-27 | 2001-09-27 | 有機エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003109771A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005203728A (ja) * | 2003-08-19 | 2005-07-28 | Seiko Epson Corp | 電極、電極形成方法、薄膜トランジスタ、電子回路、有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置および電子機器 |
| KR100739579B1 (ko) | 2005-12-09 | 2007-07-16 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
| US7414362B2 (en) | 2004-07-02 | 2008-08-19 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Display panel |
| JP2008205254A (ja) * | 2007-02-21 | 2008-09-04 | Toyota Central R&D Labs Inc | 有機電界発光素子 |
| JP5543441B2 (ja) * | 2010-06-28 | 2014-07-09 | パナソニック株式会社 | 有機発光素子とその製造方法、有機表示パネル、有機表示装置 |
-
2001
- 2001-09-27 JP JP2001296583A patent/JP2003109771A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005203728A (ja) * | 2003-08-19 | 2005-07-28 | Seiko Epson Corp | 電極、電極形成方法、薄膜トランジスタ、電子回路、有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置および電子機器 |
| US7414362B2 (en) | 2004-07-02 | 2008-08-19 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Display panel |
| KR100739579B1 (ko) | 2005-12-09 | 2007-07-16 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
| JP2008205254A (ja) * | 2007-02-21 | 2008-09-04 | Toyota Central R&D Labs Inc | 有機電界発光素子 |
| JP5543441B2 (ja) * | 2010-06-28 | 2014-07-09 | パナソニック株式会社 | 有機発光素子とその製造方法、有機表示パネル、有機表示装置 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20060207 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060224 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20070828 |