JP2828019B2 - エレクトロルミネッセンス素子およびその製造方法 - Google Patents
エレクトロルミネッセンス素子およびその製造方法Info
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、例えば計器類の自
発光型のセグメント表示やマトリックス表示、あるいは
各種情報端末機器のディスプレイなどに使用されるエレ
クトロルミネッセンス（以下、ＥＬという）素子および
その製造方法に関する。
発光型のセグメント表示やマトリックス表示、あるいは
各種情報端末機器のディスプレイなどに使用されるエレ
クトロルミネッセンス（以下、ＥＬという）素子および
その製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、ＥＬ素子は、絶縁性基板であるガ
ラス基板上に、光学的に透明なＩＴＯ膜からなる第１電
極、Ｔａ2 Ｏ5 （五酸化タンタル）等からなる第１絶縁
層、発光層、第２絶縁層およびＩＴＯ膜からなる第２電
極を順次積層して形成されている。
ラス基板上に、光学的に透明なＩＴＯ膜からなる第１電
極、Ｔａ2 Ｏ5 （五酸化タンタル）等からなる第１絶縁
層、発光層、第２絶縁層およびＩＴＯ膜からなる第２電
極を順次積層して形成されている。
【０００３】発光層としては、例えばＺｎＳ（硫化亜
鉛）を母体材料とし、発光中心としてＭｎ（マンガン）
やＴｂ（テルビウム）を添加したものや、ＳｒＳ（硫化
ストロンチウム）を母体材料とし、発光中心としてＣｅ
（セリウム）を添加したものが使用されている。ＥＬ素
子の発光色は、ＺｎＳ中の添加物の種類によって決ま
り、例えば発光中心としてＭｎを添加した場合には黄橙
色、Ｔｂを添加した場合には緑色の発光が得られる。ま
た、ＳｒＳに発光中心としてＣｅを添加した場合には、
青緑色の発光色が得られる。
鉛）を母体材料とし、発光中心としてＭｎ（マンガン）
やＴｂ（テルビウム）を添加したものや、ＳｒＳ（硫化
ストロンチウム）を母体材料とし、発光中心としてＣｅ
（セリウム）を添加したものが使用されている。ＥＬ素
子の発光色は、ＺｎＳ中の添加物の種類によって決ま
り、例えば発光中心としてＭｎを添加した場合には黄橙
色、Ｔｂを添加した場合には緑色の発光が得られる。ま
た、ＳｒＳに発光中心としてＣｅを添加した場合には、
青緑色の発光色が得られる。
【０００４】フルカラーＥＬ表示器を実現するために
は、赤色、緑色および青色の発光を呈するＥＬ発光層を
形成する必要がある。この中でも青色発光を呈するＥＬ
素子の発光層材料としては、一般にＳｒＳに発光中心と
してＣｅを添加したものが用いられている。しかし、こ
の発光層材料を用いた場合、本来青緑色の発光を呈する
ので、青色発光のみを得るためには、発光スペクトルの
緑色成分をカットするフィルタを用いる必要がある。
は、赤色、緑色および青色の発光を呈するＥＬ発光層を
形成する必要がある。この中でも青色発光を呈するＥＬ
素子の発光層材料としては、一般にＳｒＳに発光中心と
してＣｅを添加したものが用いられている。しかし、こ
の発光層材料を用いた場合、本来青緑色の発光を呈する
ので、青色発光のみを得るためには、発光スペクトルの
緑色成分をカットするフィルタを用いる必要がある。
【０００５】これに対し、例えば１９９３年ディスプレ
イ情報学会国際会議技術論文ダイジェストｐ７６１〜７
６４に示されているように、ＣａＧａ2 Ｓ4 （カルシウ
ムチオガレート）を発光層の母材とし、発光中心元素と
してＣｅを添加した、ＣａＧａ2 Ｓ4 ：Ｃｅ（カウシウ
ムチオガレート：セリウム）発光層を用いたＥＬ素子で
は、フィルタを用いることなく青色発光が得られること
が知られている。
イ情報学会国際会議技術論文ダイジェストｐ７６１〜７
６４に示されているように、ＣａＧａ2 Ｓ4 （カルシウ
ムチオガレート）を発光層の母材とし、発光中心元素と
してＣｅを添加した、ＣａＧａ2 Ｓ4 ：Ｃｅ（カウシウ
ムチオガレート：セリウム）発光層を用いたＥＬ素子で
は、フィルタを用いることなく青色発光が得られること
が知られている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、ＣａＧ
ａ2 Ｓ4 ：Ｃｅ発光層を用いたＥＬ素子のＣＩＥ色度座
標は、上記文献によりｘ＝０. １５、ｙ＝０. １９であ
ると報告されている。一方、ブラウン管の青色蛍光体と
して用いられているＺｎＳ：ＡｇのＣＩＥ色度座標はｘ
＝０. １５、ｙ＝０. ０７程度である。従って、従来の
ＣａＧａ2 Ｓ4 ：Ｃｅ発光層は青色発光層としては青色
純度が不十分であり、あまり満足できるものではなかっ
た。
ａ2 Ｓ4 ：Ｃｅ発光層を用いたＥＬ素子のＣＩＥ色度座
標は、上記文献によりｘ＝０. １５、ｙ＝０. １９であ
ると報告されている。一方、ブラウン管の青色蛍光体と
して用いられているＺｎＳ：ＡｇのＣＩＥ色度座標はｘ
＝０. １５、ｙ＝０. ０７程度である。従って、従来の
ＣａＧａ2 Ｓ4 ：Ｃｅ発光層は青色発光層としては青色
純度が不十分であり、あまり満足できるものではなかっ
た。
【０００７】本発明は上記問題に鑑みてなされたもの
で、ＣａＧａ2 Ｓ4 ：Ｃｅ発光層のような発光層を用い
たＥＬ素子において、青色純度を良くすることを目的と
する。
で、ＣａＧａ2 Ｓ4 ：Ｃｅ発光層のような発光層を用い
たＥＬ素子において、青色純度を良くすることを目的と
する。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明者等は、従来の方
法で製造されるＣａＧａ2 Ｓ4 ：Ｃｅ発光層のＸ線回折
スペクトルにＣａＳの回折ピークが現れてくることを見
いだした。このＣａＳが存在すると、ＣａＳ：Ｃｅに起
因する緑色発光成分が生じ、これが青色純度を悪くす
る。従って、ＣａＳ：Ｃｅに起因する緑色発光成分を低
減できれば、青色純度が良好になる。
法で製造されるＣａＧａ2 Ｓ4 ：Ｃｅ発光層のＸ線回折
スペクトルにＣａＳの回折ピークが現れてくることを見
いだした。このＣａＳが存在すると、ＣａＳ：Ｃｅに起
因する緑色発光成分が生じ、これが青色純度を悪くす
る。従って、ＣａＳ：Ｃｅに起因する緑色発光成分を低
減できれば、青色純度が良好になる。
【０００９】なお、Ｃａの一部をＳｒ（ストロンチウ
ム）で置換した、Ｃａ1-P Ｓｒp Ｇａ 2 Ｓ4 ：Ｃｅ発光
層も知られているが、この場合も、ＣａＳ：Ｃｅに起因
する緑色発光成分を低減できれば、青色純度が良好にな
る。本発明は上記検討を基になされたもので、以下の特
徴を有する。請求項１に記載の発明においては、発光層
が、Ｃｅを発光中心として添加したＣａＧａ2 Ｓ4 より
なり、発光層のＸ線回折スペクトルに現れるＣａＧａ2
Ｓ4（４００）面Ｘ線回折ピーク強度Ｉ1 に対するＣａ
Ｓ（２００）面Ｘ線回折ピーク強度Ｉ2 の比Ｉ2 ／Ｉ1
が０. １以下（０を含む）であることを特徴としてい
る。
ム）で置換した、Ｃａ1-P Ｓｒp Ｇａ 2 Ｓ4 ：Ｃｅ発光
層も知られているが、この場合も、ＣａＳ：Ｃｅに起因
する緑色発光成分を低減できれば、青色純度が良好にな
る。本発明は上記検討を基になされたもので、以下の特
徴を有する。請求項１に記載の発明においては、発光層
が、Ｃｅを発光中心として添加したＣａＧａ2 Ｓ4 より
なり、発光層のＸ線回折スペクトルに現れるＣａＧａ2
Ｓ4（４００）面Ｘ線回折ピーク強度Ｉ1 に対するＣａ
Ｓ（２００）面Ｘ線回折ピーク強度Ｉ2 の比Ｉ2 ／Ｉ1
が０. １以下（０を含む）であることを特徴としてい
る。
【００１０】発光層のＸ線回折スペクトルに現れるＣａ
Ｇａ2 Ｓ4 回折ピーク強度に対してＣａＳ回折ピーク強
度が一定値以下に規定されることにより、発光層中に不
純物として存在するＣａＳの量が一定量以下に抑えられ
る。その結果、ＣａＳ：Ｃｅに起因する緑色ＥＬ発光成
分が減少し、色純度の良い青色ＥＬ発光を得ることがで
きる。
Ｇａ2 Ｓ4 回折ピーク強度に対してＣａＳ回折ピーク強
度が一定値以下に規定されることにより、発光層中に不
純物として存在するＣａＳの量が一定量以下に抑えられ
る。その結果、ＣａＳ：Ｃｅに起因する緑色ＥＬ発光成
分が減少し、色純度の良い青色ＥＬ発光を得ることがで
きる。
【００１１】請求項２に記載した発明においては、Ｃｅ
を発光中心として添加したＣａＧａ 2 Ｓ4 を主成分と
し、Ｘ線回折スペクトルに現れるＣａＧａ2 Ｓ4 （４０
０）面Ｘ線回折ピーク強度Ｉ1 に対するＣａＳ（２０
０）面Ｘ線回折ピーク強度Ｉ2 の比Ｉ2 ／Ｉ1 が０. ５
以下（０を含む）となる焼結ターゲットを用いて、スパ
ッタ法により発光層を形成するＥＬ素子の製造方法を特
徴としている。
を発光中心として添加したＣａＧａ 2 Ｓ4 を主成分と
し、Ｘ線回折スペクトルに現れるＣａＧａ2 Ｓ4 （４０
０）面Ｘ線回折ピーク強度Ｉ1 に対するＣａＳ（２０
０）面Ｘ線回折ピーク強度Ｉ2 の比Ｉ2 ／Ｉ1 が０. ５
以下（０を含む）となる焼結ターゲットを用いて、スパ
ッタ法により発光層を形成するＥＬ素子の製造方法を特
徴としている。
【００１２】不純物ＣａＳの混入が少ないスパッタター
ゲットを用いることによって、発光層中にＣａＳが成長
してくる割合を減らし、ＣａＳの存在量の少ない発光層
とすることができる。従って、この方法により製造され
たＥＬ素子の青色発光の色純度を良好なものとすること
ができる。請求項３に記載の発明においては、焼結ター
ゲットの製造に用いられるＣａＧａ2 Ｓ4 原料粉末のＸ
線回折スペクトルに現れるＣａＧａ2 Ｓ4 （４００）面
Ｘ線回折ピーク強度Ｉ1 に対するＣａＳ（２００）面Ｘ
線回折ピーク強度Ｉ2 の比Ｉ2 ／Ｉ1 が０. ５以下（０
を含む）であることを特徴としている。
ゲットを用いることによって、発光層中にＣａＳが成長
してくる割合を減らし、ＣａＳの存在量の少ない発光層
とすることができる。従って、この方法により製造され
たＥＬ素子の青色発光の色純度を良好なものとすること
ができる。請求項３に記載の発明においては、焼結ター
ゲットの製造に用いられるＣａＧａ2 Ｓ4 原料粉末のＸ
線回折スペクトルに現れるＣａＧａ2 Ｓ4 （４００）面
Ｘ線回折ピーク強度Ｉ1 に対するＣａＳ（２００）面Ｘ
線回折ピーク強度Ｉ2 の比Ｉ2 ／Ｉ1 が０. ５以下（０
を含む）であることを特徴としている。
【００１３】このように、ＣａＧａ2 Ｓ4 原料粉末の純
度を高めることにより、焼結ターゲットの純度も高める
ことができ、上述した青色発光の純度を良好にすること
ができる。請求項４に記載の発明においては、焼結ター
ゲットを主成分であるＣａＧａ2Ｓ4 にガリウム化合物
を混合して製造することを特徴としている。
度を高めることにより、焼結ターゲットの純度も高める
ことができ、上述した青色発光の純度を良好にすること
ができる。請求項４に記載の発明においては、焼結ター
ゲットを主成分であるＣａＧａ2Ｓ4 にガリウム化合物
を混合して製造することを特徴としている。
【００１４】このように、ガリウム化合物を混合するこ
とにより、発光層中のＧａの量を適量にして、青色発光
純度を一層良好にすることができる。このようなガリウ
ム化合物としては、請求項８に記載の発明のように、Ｇ
ａＳ、Ｇａ2 Ｓ3 、Ｇａ2 Ｏ 3 のいずれか１つ、もしく
はそれらの混合物を用いることができる。請求項５に記
載の発明においては、発光層が、Ｃｅを発光中心として
添加したＣａ1-P Ｓｒp Ｇａ2 Ｓ4 （０．１５≦ｐ≦
０．６）よりなり、発光層のＸ線回折スペクトルに現れ
るＳｒＧａ2 Ｓ4 （４２２）面Ｘ線回折ピーク強度Ｉ3
に対するＣａＳ（２００）面Ｘ線回折ピーク強度Ｉ2 の
比Ｉ2 ／Ｉ3 が０. １以下であることを特徴としてい
る。
とにより、発光層中のＧａの量を適量にして、青色発光
純度を一層良好にすることができる。このようなガリウ
ム化合物としては、請求項８に記載の発明のように、Ｇ
ａＳ、Ｇａ2 Ｓ3 、Ｇａ2 Ｏ 3 のいずれか１つ、もしく
はそれらの混合物を用いることができる。請求項５に記
載の発明においては、発光層が、Ｃｅを発光中心として
添加したＣａ1-P Ｓｒp Ｇａ2 Ｓ4 （０．１５≦ｐ≦
０．６）よりなり、発光層のＸ線回折スペクトルに現れ
るＳｒＧａ2 Ｓ4 （４２２）面Ｘ線回折ピーク強度Ｉ3
に対するＣａＳ（２００）面Ｘ線回折ピーク強度Ｉ2 の
比Ｉ2 ／Ｉ3 が０. １以下であることを特徴としてい
る。
【００１５】発光層のＸ線回折スペクトルに現れるＳｒ
Ｇａ2 Ｓ4 回折ピーク強度に対してＣａＳ回折ピーク強
度が一定値以下に規定されることにより、発光層中に不
純物として存在するＣａＳの量が一定量以下に抑えられ
る。その結果、ＣａＳ：Ｃｅに起因する緑色ＥＬ発光成
分が減少し、色純度の良い青色ＥＬ発光を得ることがで
きる。
Ｇａ2 Ｓ4 回折ピーク強度に対してＣａＳ回折ピーク強
度が一定値以下に規定されることにより、発光層中に不
純物として存在するＣａＳの量が一定量以下に抑えられ
る。その結果、ＣａＳ：Ｃｅに起因する緑色ＥＬ発光成
分が減少し、色純度の良い青色ＥＬ発光を得ることがで
きる。
【００１６】請求項６に記載の発明においては、Ｃｅを
発光中心として添加したＣａ1-P Ｓｒp Ｇａ2 Ｓ4
（０．１５≦ｐ≦０．６）を主成分とし、Ｘ線回折スペ
クトルに現れるＣａＧａ2 Ｓ4 （４００）面Ｘ線回折ピ
ーク強度Ｉ1 に対するＣａＳ（２００）面Ｘ線回折ピー
ク強度Ｉ2 の比Ｉ2 ／Ｉ1 が０. ５以下となる焼結ター
ゲットを用いて、スパッタ法により前記発光層を形成す
るＥＬ素子の製造方法を特徴としている。
発光中心として添加したＣａ1-P Ｓｒp Ｇａ2 Ｓ4
（０．１５≦ｐ≦０．６）を主成分とし、Ｘ線回折スペ
クトルに現れるＣａＧａ2 Ｓ4 （４００）面Ｘ線回折ピ
ーク強度Ｉ1 に対するＣａＳ（２００）面Ｘ線回折ピー
ク強度Ｉ2 の比Ｉ2 ／Ｉ1 が０. ５以下となる焼結ター
ゲットを用いて、スパッタ法により前記発光層を形成す
るＥＬ素子の製造方法を特徴としている。
【００１７】この製造方法においても、請求項２に記載
の発明と同様、不純物ＣａＳの混入が少ないスパッタタ
ーゲットを用いることによって、発光層中にＣａＳが成
長してくる割合を減らし、ＣａＳの存在量の少ない発光
層として、ＥＬ素子の青色発光の色純度を良好なものと
することができる。請求項７に記載の発明においては、
請求項４に記載の発明と同様に、焼結ターゲットに、ガ
リウム化合物を添加して製造することにより、発光層中
のＧａの量を適量にして、青色発光純度を一層良好にす
ることができる。
の発明と同様、不純物ＣａＳの混入が少ないスパッタタ
ーゲットを用いることによって、発光層中にＣａＳが成
長してくる割合を減らし、ＣａＳの存在量の少ない発光
層として、ＥＬ素子の青色発光の色純度を良好なものと
することができる。請求項７に記載の発明においては、
請求項４に記載の発明と同様に、焼結ターゲットに、ガ
リウム化合物を添加して製造することにより、発光層中
のＧａの量を適量にして、青色発光純度を一層良好にす
ることができる。
【００１８】
【発明の実施の形態】以下、本発明を具体的な実施形態
に基づいて説明する。 （第１実施形態）図１は、本発明に係わるＥＬ素子１０
の断面を示した模式図である。なお、図１のＥＬ素子１
０では、矢印方向に光を取り出している。
に基づいて説明する。 （第１実施形態）図１は、本発明に係わるＥＬ素子１０
の断面を示した模式図である。なお、図１のＥＬ素子１
０では、矢印方向に光を取り出している。
【００１９】薄膜ＥＬ素子１０は、絶縁性基板であるガ
ラス基板１上に、光学的に透明なＺｎＯ（酸化亜鉛）か
らなる第１透明電極（第１電極）２、光学的に透明なＳ
ｒＴｉＯ3 （チタン酸ストロンチウム）からなる第１絶
縁層３、発光中心としてＣｅを添加したＣａＧａ2 Ｓ4
からなる発光層４、光学的に透明なＳｒＴｉＯ3 からな
る第２絶縁層５および光学的に透明なＺｎＯからなる第
２透明電極（第２電極）６が順次積層されて形成されて
いる。
ラス基板１上に、光学的に透明なＺｎＯ（酸化亜鉛）か
らなる第１透明電極（第１電極）２、光学的に透明なＳ
ｒＴｉＯ3 （チタン酸ストロンチウム）からなる第１絶
縁層３、発光中心としてＣｅを添加したＣａＧａ2 Ｓ4
からなる発光層４、光学的に透明なＳｒＴｉＯ3 からな
る第２絶縁層５および光学的に透明なＺｎＯからなる第
２透明電極（第２電極）６が順次積層されて形成されて
いる。
【００２０】各層の膜厚は、第１、第２透明電極２、６
がそれぞれ３００ｎｍ、第１、第２絶縁層３、５がそれ
ぞれ５００ｎｍおよび発光層４が６００ｎｍである。な
お、これら各層の膜厚は、ガラス基板１の中央の部分を
基準としている。次に、上記薄膜ＥＬ素子１０の製造方
法について説明する。先ず、ガラス基板１上に第１透明
電極２を成膜した。蒸着材料としては、ＺｎＯ粉末にＧ
ａ2 Ｏ3 （酸化ガリウム）を加えて混合し、ペレット状
に成形したものを用い、成膜装置としてはイオンプレー
ティング装置を用いた。具体的には、上記ガラス基板１
の温度を一定に保持したままイオンプレーティング装置
内を真空に排気した。その後、アルゴン（Ａｒ）ガスを
導入して圧力を一定に保ち、成膜速度が６〜１８ｎｍ／
ｍｉｎの範囲となるようにビーム電力および高周波電力
を調整した。
がそれぞれ３００ｎｍ、第１、第２絶縁層３、５がそれ
ぞれ５００ｎｍおよび発光層４が６００ｎｍである。な
お、これら各層の膜厚は、ガラス基板１の中央の部分を
基準としている。次に、上記薄膜ＥＬ素子１０の製造方
法について説明する。先ず、ガラス基板１上に第１透明
電極２を成膜した。蒸着材料としては、ＺｎＯ粉末にＧ
ａ2 Ｏ3 （酸化ガリウム）を加えて混合し、ペレット状
に成形したものを用い、成膜装置としてはイオンプレー
ティング装置を用いた。具体的には、上記ガラス基板１
の温度を一定に保持したままイオンプレーティング装置
内を真空に排気した。その後、アルゴン（Ａｒ）ガスを
導入して圧力を一定に保ち、成膜速度が６〜１８ｎｍ／
ｍｉｎの範囲となるようにビーム電力および高周波電力
を調整した。
【００２１】次に、上記第１透明電極２上に、ＳｒＴｉ
Ｏ3 からなる第１絶縁層３をスパッタ法により形成し
た。具体的には、上記ガラス基板１の温度を一定に保持
し、スパッタ装置内にＡｒとＯ2 （酸素）の混合ガスを
導入し、１ｋＷの高周波電力で成膜を行った。上記第１
絶縁層３上に、ＣａＧａ2 Ｓ4 を母体材料とし、発光中
心としてＣｅを添加したＣａＧａ2 Ｓ4 ：Ｃｅ発光層４
を、スパッタ法を用いて形成した。
Ｏ3 からなる第１絶縁層３をスパッタ法により形成し
た。具体的には、上記ガラス基板１の温度を一定に保持
し、スパッタ装置内にＡｒとＯ2 （酸素）の混合ガスを
導入し、１ｋＷの高周波電力で成膜を行った。上記第１
絶縁層３上に、ＣａＧａ2 Ｓ4 を母体材料とし、発光中
心としてＣｅを添加したＣａＧａ2 Ｓ4 ：Ｃｅ発光層４
を、スパッタ法を用いて形成した。
【００２２】具体的には、上記ガラス基板１を３００℃
の一定温度に保持し、Ａｒに２０ｍｏｌ％の割合でＨ2
Ｓ（硫化水素）を混合したガスを成膜室内に導入し、３
００Ｗの高周波電力で成膜を行った。このとき、スパッ
タターゲットには、発光中心としてＣｅを添加したＣａ
Ｇａ2 Ｓ4 ：Ｃｅ焼結体を用いた。なお、スパッタガス
中のＨ2 Ｓ濃度は、５ｍｏｌ％以上３０ｍｏｌ％以下で
あることが望ましい。
の一定温度に保持し、Ａｒに２０ｍｏｌ％の割合でＨ2
Ｓ（硫化水素）を混合したガスを成膜室内に導入し、３
００Ｗの高周波電力で成膜を行った。このとき、スパッ
タターゲットには、発光中心としてＣｅを添加したＣａ
Ｇａ2 Ｓ4 ：Ｃｅ焼結体を用いた。なお、スパッタガス
中のＨ2 Ｓ濃度は、５ｍｏｌ％以上３０ｍｏｌ％以下で
あることが望ましい。
【００２３】次に、スパッタ成膜したＣａＧａ2 Ｓ4 ：
Ｃｅ発光層４を、２０ｍｏｌ％の割合でＨ2 Ｓを含むＡ
ｒ雰囲気中で、６３０℃、３０分間熱処理した。この結
果、上記スパッタ成膜直後には非晶質で発光を示さなか
ったＣａＧａ2 Ｓ4 ：Ｃｅ発光層４が、結晶化し発光を
示すようになった。次に、上記発光層４上に、ＳｒＴｉ
Ｏ3 からなる第２絶縁層５を上述の第１絶縁層３と同様
の方法で形成した。そして、ＺｎＯ膜からなる第２透明
電極６を、上述の第１透明電極２と同様の方法により、
第２絶縁層５上に形成した。
Ｃｅ発光層４を、２０ｍｏｌ％の割合でＨ2 Ｓを含むＡ
ｒ雰囲気中で、６３０℃、３０分間熱処理した。この結
果、上記スパッタ成膜直後には非晶質で発光を示さなか
ったＣａＧａ2 Ｓ4 ：Ｃｅ発光層４が、結晶化し発光を
示すようになった。次に、上記発光層４上に、ＳｒＴｉ
Ｏ3 からなる第２絶縁層５を上述の第１絶縁層３と同様
の方法で形成した。そして、ＺｎＯ膜からなる第２透明
電極６を、上述の第１透明電極２と同様の方法により、
第２絶縁層５上に形成した。
【００２４】このような薄膜ＥＬ素子１０の製造につい
て、Ｘ線回折スペクトルによる検討を行った。なお、以
下の説明において、Ｘ線回折スペクトルのＣａＧａ2 Ｓ
4 （４００）面回折ピーク強度をＩ1 、 ＣａＳ（２０
０）面回折ピーク強度をＩ2 と表記する。焼結ターゲッ
トの製造には、図２のＸ線回折スペクトルに示されるよ
うに、Ｉ 2 ／Ｉ1 比が殆ど０の純度の高いＣａＧａ2 Ｓ
4 原料粉末を用いた。これに発光中心を形成するための
ＣｅＦ3 （フッ化セリウム）を２重量％添加して、Ｈ2
Ｓ中で焼成した後、通常知られている方法にて焼結ター
ゲットを製造した。
て、Ｘ線回折スペクトルによる検討を行った。なお、以
下の説明において、Ｘ線回折スペクトルのＣａＧａ2 Ｓ
4 （４００）面回折ピーク強度をＩ1 、 ＣａＳ（２０
０）面回折ピーク強度をＩ2 と表記する。焼結ターゲッ
トの製造には、図２のＸ線回折スペクトルに示されるよ
うに、Ｉ 2 ／Ｉ1 比が殆ど０の純度の高いＣａＧａ2 Ｓ
4 原料粉末を用いた。これに発光中心を形成するための
ＣｅＦ3 （フッ化セリウム）を２重量％添加して、Ｈ2
Ｓ中で焼成した後、通常知られている方法にて焼結ター
ゲットを製造した。
【００２５】製造された焼結ターゲットのＸ線回折スペ
クトルは、図２に示すＸ線回折スペクトルと同じ特性を
示しており、従ってＩ2 ／Ｉ1 比は殆ど０であった。こ
の焼結ターゲットを用いてスパッタ成膜され、熱処理さ
れた発光層４のＸ線回折スペクトルを図３に示す。発光
層のＩ2 ／Ｉ1 比はおよそ０. ０５である。このように
して製造されたＥＬ素子１０のＣＩＥ色度座標は、ｘ＝
０. １５、ｙ＝０. １７であり、その青色純度は従来の
ものより改善されている。
クトルは、図２に示すＸ線回折スペクトルと同じ特性を
示しており、従ってＩ2 ／Ｉ1 比は殆ど０であった。こ
の焼結ターゲットを用いてスパッタ成膜され、熱処理さ
れた発光層４のＸ線回折スペクトルを図３に示す。発光
層のＩ2 ／Ｉ1 比はおよそ０. ０５である。このように
して製造されたＥＬ素子１０のＣＩＥ色度座標は、ｘ＝
０. １５、ｙ＝０. １７であり、その青色純度は従来の
ものより改善されている。
【００２６】このように発光層のＩ2 ／Ｉ1 比を低くす
ることにより、ＣａＳ：Ｃｅに起因する緑色発光成分が
減少し、色純度の良い青色ＥＬ発光を得ることができ
る。また、他の実施形態として、焼結ターゲットを製造
する際、上記した原料粉末に５重量％のＧａ2 Ｓ3 （硫
化ガリウム（III ））をさらに添加した。製造された焼
結ターゲットのＩ2 ／Ｉ1 比は殆ど０であった。
ることにより、ＣａＳ：Ｃｅに起因する緑色発光成分が
減少し、色純度の良い青色ＥＬ発光を得ることができ
る。また、他の実施形態として、焼結ターゲットを製造
する際、上記した原料粉末に５重量％のＧａ2 Ｓ3 （硫
化ガリウム（III ））をさらに添加した。製造された焼
結ターゲットのＩ2 ／Ｉ1 比は殆ど０であった。
【００２７】この焼結ターゲットを用いてスパッタ成膜
され、熱処理された発光層４のＩ2／Ｉ1 比は０. ０１
以下であり、これを用いたＥＬ素子のＣＩＥ色度座標は
ｘ＝０．１５、ｙ＝０．１６であった。従って、Ｇａ2
Ｓ3 を入れることにより、発光層中のＧａが適量にな
り、上記したものよりも一層青色純度を向上させること
ができる。
され、熱処理された発光層４のＩ2／Ｉ1 比は０. ０１
以下であり、これを用いたＥＬ素子のＣＩＥ色度座標は
ｘ＝０．１５、ｙ＝０．１６であった。従って、Ｇａ2
Ｓ3 を入れることにより、発光層中のＧａが適量にな
り、上記したものよりも一層青色純度を向上させること
ができる。
【００２８】なお、焼結ターゲットにおいて、主成分で
あるＣａＧａ2 Ｓ4 に添加する過剰量のガリウム化合物
としては、上記したＧａ2 Ｓ3 以外に、ＧａＳ（硫化ガ
リウム（II））、Ｇａ2 Ｏ3 （酸化ガリウム（III ））
のいずれか、もしくはそれらの混合物であってもよく、
その場合、添加する過剰量は、１重量％以上１０重量％
以下であることが望ましい。
あるＣａＧａ2 Ｓ4 に添加する過剰量のガリウム化合物
としては、上記したＧａ2 Ｓ3 以外に、ＧａＳ（硫化ガ
リウム（II））、Ｇａ2 Ｏ3 （酸化ガリウム（III ））
のいずれか、もしくはそれらの混合物であってもよく、
その場合、添加する過剰量は、１重量％以上１０重量％
以下であることが望ましい。
【００２９】次に、発光層のＩ2 ／Ｉ1 比と青色純度と
の関係について説明する。上記実施形態で用いたような
Ｉ2 ／Ｉ1 が殆ど０であるＣａＧａ2 Ｓ4 原料粉末に、
さらに意図的にＣａＳを添加して焼結ターゲットを製造
し、これによりスパッタ成膜して、様々なＩ2 ／Ｉ1 比
を持った発光層を形成し、そのＥＬ発光を調べた。
の関係について説明する。上記実施形態で用いたような
Ｉ2 ／Ｉ1 が殆ど０であるＣａＧａ2 Ｓ4 原料粉末に、
さらに意図的にＣａＳを添加して焼結ターゲットを製造
し、これによりスパッタ成膜して、様々なＩ2 ／Ｉ1 比
を持った発光層を形成し、そのＥＬ発光を調べた。
【００３０】図４に、発光層のＩ2 ／Ｉ1 比の変化に対
するＣＩＥ色度のｙ座標の変化を示す。ｘ座標に関して
は、Ｉ2 ／Ｉ1 比が変化しても０．１５のままで変化し
ないことを確認している。この図からわかるように、従
来ｙ＝０. １９であったものが、発光層のＩ2 ／Ｉ1 比
の減少に伴いｙ＝０. １６程度になる。従って、発光層
のＩ2 ／Ｉ1 を０. １以下とすれば、従来のものより青
色純度を向上させることができる。
するＣＩＥ色度のｙ座標の変化を示す。ｘ座標に関して
は、Ｉ2 ／Ｉ1 比が変化しても０．１５のままで変化し
ないことを確認している。この図からわかるように、従
来ｙ＝０. １９であったものが、発光層のＩ2 ／Ｉ1 比
の減少に伴いｙ＝０. １６程度になる。従って、発光層
のＩ2 ／Ｉ1 を０. １以下とすれば、従来のものより青
色純度を向上させることができる。
【００３１】次に、焼結ターゲットおよびその製造に用
いるＣａＧａ2 Ｓ4 原料粉末のＩ2／Ｉ1 比について検
討を行った。上記と同様、Ｉ2 ／Ｉ1 が殆ど０のＣａＧ
ａ2 Ｓ4 原料粉末にＣｅＦ3 を添加し、さらに意図的に
ＣａＳを添加して、原料粉末のＩ2 ／Ｉ1 比を変化させ
た。なお、原料粉末のＩ2 ／Ｉ1 比と焼結ターゲットの
Ｉ2 ／Ｉ1 比は殆ど同じである。そして、様々なＩ2 ／
Ｉ1 比を持つ焼結ターゲットを用いてＥＬ素子を製造
し、そのＥＬ発光を調べた。なお、この検討において
は、ＣａＧａ2 Ｓ4 原料粉末にＧａ2 Ｓ3 を添加してい
ないものを用いた。
いるＣａＧａ2 Ｓ4 原料粉末のＩ2／Ｉ1 比について検
討を行った。上記と同様、Ｉ2 ／Ｉ1 が殆ど０のＣａＧ
ａ2 Ｓ4 原料粉末にＣｅＦ3 を添加し、さらに意図的に
ＣａＳを添加して、原料粉末のＩ2 ／Ｉ1 比を変化させ
た。なお、原料粉末のＩ2 ／Ｉ1 比と焼結ターゲットの
Ｉ2 ／Ｉ1 比は殆ど同じである。そして、様々なＩ2 ／
Ｉ1 比を持つ焼結ターゲットを用いてＥＬ素子を製造
し、そのＥＬ発光を調べた。なお、この検討において
は、ＣａＧａ2 Ｓ4 原料粉末にＧａ2 Ｓ3 を添加してい
ないものを用いた。
【００３２】図５に焼結ターゲットのＩ2 ／Ｉ1 比の変
化に対するＣＩＥ色度のｙ座標の変化を示す。この図か
らわかるように、従来ｙ＝０. １９であったものが、Ｉ
2 ／Ｉ1 比の減少に伴いｙ＝０. １７程度になる。従っ
て、焼結ターゲットのＩ2 ／Ｉ1 比を０. ５以下とすれ
ば、従来のものより青色純度を向上させることができ
る。なお、ＣａＧａ2 Ｓ4 原料粉末にＧａ2 Ｓ3 を添加
した場合には、図５に示す結果に対し、青色純度が一層
良くなる。
化に対するＣＩＥ色度のｙ座標の変化を示す。この図か
らわかるように、従来ｙ＝０. １９であったものが、Ｉ
2 ／Ｉ1 比の減少に伴いｙ＝０. １７程度になる。従っ
て、焼結ターゲットのＩ2 ／Ｉ1 比を０. ５以下とすれ
ば、従来のものより青色純度を向上させることができ
る。なお、ＣａＧａ2 Ｓ4 原料粉末にＧａ2 Ｓ3 を添加
した場合には、図５に示す結果に対し、青色純度が一層
良くなる。
【００３３】なお、上記実施形態では、ＣａＧａ
2 Ｓ4 ：ＣｅＥＬ素子について述べたが、ＳｒＧａ2 Ｓ
4 ：ＣｅＥＬ素子、ＢａＧａ2 Ｓ4 ：ＣｅＥＬ素子につ
いても、ＳｒＳ、ＢａＳの存在量を一定値以下に抑える
ことによって、青色純度を同様に向上させることができ
る。 （第２実施形態）この第２実施形態においては、ＥＬ素
子１０における発光層４を、Ｃａ1-p Ｓｒp Ｇａ
2 Ｓ4 ：Ｃｅ発光層としたもので、他の構成およびその
製造方法は第１実施形態と同じである。
2 Ｓ4 ：ＣｅＥＬ素子について述べたが、ＳｒＧａ2 Ｓ
4 ：ＣｅＥＬ素子、ＢａＧａ2 Ｓ4 ：ＣｅＥＬ素子につ
いても、ＳｒＳ、ＢａＳの存在量を一定値以下に抑える
ことによって、青色純度を同様に向上させることができ
る。 （第２実施形態）この第２実施形態においては、ＥＬ素
子１０における発光層４を、Ｃａ1-p Ｓｒp Ｇａ
2 Ｓ4 ：Ｃｅ発光層としたもので、他の構成およびその
製造方法は第１実施形態と同じである。
【００３４】この実施形態における発光層４の焼結ター
ゲットとしては、ＣａＧａ2 Ｓ4 とＳｒＧａ2 Ｓ4 とを
等モル量混合し、これらに発光中心としてＣｅＦ3 を４
ｍｏｌ％、Ｇａ2 Ｓ3 を４ｍｏｌ％添加し、Ｈ2 Ｓ中に
て焼成して得たものを使用した。なお、焼結ターゲット
の製造に用いたＣａＧａ2 Ｓ4 原料粉末は、第１実施形
態と同様に、Ｉ2 ／Ｉ1 比が殆ど０の純度の高いものを
用いた。
ゲットとしては、ＣａＧａ2 Ｓ4 とＳｒＧａ2 Ｓ4 とを
等モル量混合し、これらに発光中心としてＣｅＦ3 を４
ｍｏｌ％、Ｇａ2 Ｓ3 を４ｍｏｌ％添加し、Ｈ2 Ｓ中に
て焼成して得たものを使用した。なお、焼結ターゲット
の製造に用いたＣａＧａ2 Ｓ4 原料粉末は、第１実施形
態と同様に、Ｉ2 ／Ｉ1 比が殆ど０の純度の高いものを
用いた。
【００３５】このような方法にて得られた焼結ターゲッ
トの組成は、Ｃａ0.5 Ｓｒ0.5 Ｇａ 2 Ｓ4 ：Ｃｅであ
り、焼結ターゲットのＸ線回折スペクトルは、Ｉ2 ／Ｉ
1 比が殆ど０であった。但し、焼結ターゲットのＸ線回
折スペクトルには、ＣａＧａ2 Ｓ4 とＳｒＧａ 2 Ｓ4 の
両方のピークが現れた。従って、焼結ターゲットについ
ては、ＣａＧａ 2 Ｓ4 とＳｒＧａ2 Ｓ4 が混在している
ので、第１実施形態と同様、Ｉ2 ／Ｉ1比を０. ５以下
とすれば、青色純度を向上させることができる。
トの組成は、Ｃａ0.5 Ｓｒ0.5 Ｇａ 2 Ｓ4 ：Ｃｅであ
り、焼結ターゲットのＸ線回折スペクトルは、Ｉ2 ／Ｉ
1 比が殆ど０であった。但し、焼結ターゲットのＸ線回
折スペクトルには、ＣａＧａ2 Ｓ4 とＳｒＧａ 2 Ｓ4 の
両方のピークが現れた。従って、焼結ターゲットについ
ては、ＣａＧａ 2 Ｓ4 とＳｒＧａ2 Ｓ4 が混在している
ので、第１実施形態と同様、Ｉ2 ／Ｉ1比を０. ５以下
とすれば、青色純度を向上させることができる。
【００３６】この焼結ターゲットを用いて発光層４をス
パッタ成膜した。具体的には、第１実施形態と同様に、
ガラス基板１を３００℃の一定温度に保持し、Ａｒに２
０ｍｏｌ％の割合でＨ2 Ｓを混合したガスを成膜室内に
導入し、３００Ｗの高周波電力で成膜を行った。次に、
スパッタ成膜したＣａ0.5 Ｓｒ0.5 Ｇａ2 Ｓ4 ：Ｃｅ発
光層４を、２０ｍｏｌ％の割合でＨ2 Ｓを含むＡｒ雰囲
気中で、６３０℃、３０分間熱処理した。この結果、ス
パッタ成膜直後には非晶質で発光を示さなかったＣａ
0.5 Ｓｒ0. 5 Ｇａ2 Ｓ4 ：Ｃｅ発光層４が、結晶化し発
光を示すようになった。
パッタ成膜した。具体的には、第１実施形態と同様に、
ガラス基板１を３００℃の一定温度に保持し、Ａｒに２
０ｍｏｌ％の割合でＨ2 Ｓを混合したガスを成膜室内に
導入し、３００Ｗの高周波電力で成膜を行った。次に、
スパッタ成膜したＣａ0.5 Ｓｒ0.5 Ｇａ2 Ｓ4 ：Ｃｅ発
光層４を、２０ｍｏｌ％の割合でＨ2 Ｓを含むＡｒ雰囲
気中で、６３０℃、３０分間熱処理した。この結果、ス
パッタ成膜直後には非晶質で発光を示さなかったＣａ
0.5 Ｓｒ0. 5 Ｇａ2 Ｓ4 ：Ｃｅ発光層４が、結晶化し発
光を示すようになった。
【００３７】なお、第１透明電極２、第１絶縁層３、第
２絶縁層５、および第２透明電極６は、第１実施形態と
同じ方法、同じ材料を用いて形成した。図６に、上記し
た熱処理後のＣａ0.5 Ｓｒ0.5 Ｇａ2 Ｓ4 ：Ｃｅ発光層
４のＸ線回折スペクトルを示す。この図６から理解され
る如く、ＳｒＧａ2 Ｓ4 のピークが現れ、ＣａＧａ2 Ｓ
4 のピークは現れなかった。また、第１実施形態とは異
なり、ＳｒＧａ2 Ｓ4 においては、（４２２）面回折ピ
ークが主ピークになる傾向が観察された。
２絶縁層５、および第２透明電極６は、第１実施形態と
同じ方法、同じ材料を用いて形成した。図６に、上記し
た熱処理後のＣａ0.5 Ｓｒ0.5 Ｇａ2 Ｓ4 ：Ｃｅ発光層
４のＸ線回折スペクトルを示す。この図６から理解され
る如く、ＳｒＧａ2 Ｓ4 のピークが現れ、ＣａＧａ2 Ｓ
4 のピークは現れなかった。また、第１実施形態とは異
なり、ＳｒＧａ2 Ｓ4 においては、（４２２）面回折ピ
ークが主ピークになる傾向が観察された。
【００３８】従って、この第２実施形態のようにＣａの
一部をＳｒで置換した発光層は、ＳｒＧａ2 Ｓ4 （４２
２）面回折ピーク強度Ｉ3 を用いてＩ2 ／Ｉ3 比につい
て評価する必要がある。上記のようにして製造された発
光層４では、Ｉ2 ／Ｉ3 比はおよそ０．０７であった。
また、ＥＬ素子１０のＣＩＥ色度座標は、ｘ＝０．１
５、ｙ＝０．１４であった。
一部をＳｒで置換した発光層は、ＳｒＧａ2 Ｓ4 （４２
２）面回折ピーク強度Ｉ3 を用いてＩ2 ／Ｉ3 比につい
て評価する必要がある。上記のようにして製造された発
光層４では、Ｉ2 ／Ｉ3 比はおよそ０．０７であった。
また、ＥＬ素子１０のＣＩＥ色度座標は、ｘ＝０．１
５、ｙ＝０．１４であった。
【００３９】上記した例では、Ｃａ1-p Ｓｒp Ｇａ2 Ｓ
4 ：Ｃｅ発光層において、ｐが０．５の場合を示した
が、そのｐの値は、輝度との関係で０．１５≦ｐ≦０．
６の範囲とするのが望ましい。その範囲内であれば安定
した輝度が得られることを確認している。図７に、ｐの
値を固定した場合における、Ｃａ0.5 Ｓｒ0.5 Ｇａ2 Ｓ
4 ：Ｃｅ発光層のＩ2 ／Ｉ3 比に対するＣＩＥ色度座標
のｙ座標の変化を示す。この図７から、Ｉ2 ／Ｉ3 比が
０．１を越えると、ＣａＳ：Ｃｅに起因する緑色発光の
ために青色純度が急激に悪くなることがわかる。従っ
て、Ｉ2 ／Ｉ3 比は０．１以下が望ましい。
4 ：Ｃｅ発光層において、ｐが０．５の場合を示した
が、そのｐの値は、輝度との関係で０．１５≦ｐ≦０．
６の範囲とするのが望ましい。その範囲内であれば安定
した輝度が得られることを確認している。図７に、ｐの
値を固定した場合における、Ｃａ0.5 Ｓｒ0.5 Ｇａ2 Ｓ
4 ：Ｃｅ発光層のＩ2 ／Ｉ3 比に対するＣＩＥ色度座標
のｙ座標の変化を示す。この図７から、Ｉ2 ／Ｉ3 比が
０．１を越えると、ＣａＳ：Ｃｅに起因する緑色発光の
ために青色純度が急激に悪くなることがわかる。従っ
て、Ｉ2 ／Ｉ3 比は０．１以下が望ましい。
【００４０】なお、この第２実施形態においても、主成
分であるＣａ1-P Ｓｒp Ｇａ2 Ｓ4（０．１５≦ｐ≦
０．６）に添加する過剰量のガリウム化合物としては、
第１実施形態と同様、Ｇａ2 Ｓ3 以外に、ＧａＳ、Ｇａ
2 Ｏ3 のいずれか、もしくはそれらの混合物を用いるこ
とができる。
分であるＣａ1-P Ｓｒp Ｇａ2 Ｓ4（０．１５≦ｐ≦
０．６）に添加する過剰量のガリウム化合物としては、
第１実施形態と同様、Ｇａ2 Ｓ3 以外に、ＧａＳ、Ｇａ
2 Ｏ3 のいずれか、もしくはそれらの混合物を用いるこ
とができる。
【図１】本発明の第１実施形態を示すＥＬ素子の断面を
示した模式図である。
示した模式図である。
【図２】本発明の第１実施形態における焼結ターゲット
の製造に用いるＣａＧａ2 Ｓ4原料粉末のＸ線回折スペ
クトルを示す図である。
の製造に用いるＣａＧａ2 Ｓ4原料粉末のＸ線回折スペ
クトルを示す図である。
【図３】図２に示す焼結ターゲットを用いて形成された
発光層のＸ線回折スペクトルを示す図である。
発光層のＸ線回折スペクトルを示す図である。
【図４】本発明の第１実施形態における発光層のＩ2 ／
Ｉ1 比の変化に対するＣＩＥ色度のｙ座標の変化を示す
図である。
Ｉ1 比の変化に対するＣＩＥ色度のｙ座標の変化を示す
図である。
【図５】本発明の第１実施形態における焼結ターゲット
のＩ2 ／Ｉ1 比の変化に対するＣＩＥ色度のｙ座標の変
化を示す図である。
のＩ2 ／Ｉ1 比の変化に対するＣＩＥ色度のｙ座標の変
化を示す図である。
【図６】本発明の第２実施形態における発光層のＸ線回
折スペクトルを示す図である。
折スペクトルを示す図である。
【図７】本発明の第２実施形態における発光層のＩ2 ／
Ｉ3 比の変化に対するＣＩＥ色度のｙ座標の変化を示す
図である。
Ｉ3 比の変化に対するＣＩＥ色度のｙ座標の変化を示す
図である。
１…ガラス基板、２…第１電極、３…第１絶縁層、４…
発光層、５…第２絶縁層、６…第２電極、１０…ＥＬ素
子。
発光層、５…第２絶縁層、６…第２電極、１０…ＥＬ素
子。
フロントページの続き (72)発明者 服部 正 愛知県刈谷市昭和町１丁目１番地 日本 電装株式会社内 (56)参考文献 特開 平５−65478（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H05B 33/14 C09K 11/00 H05B 33/18
Claims (8)
- 【請求項１】 基板上に発光層を有したエレクトロルミ
ネッセンス素子において、 前記発光層が、Ｃｅを発光中心として添加したＣａＧａ
2 Ｓ4 よりなり、前記発光層のＸ線回折スペクトルに現
れるＣａＧａ2 Ｓ4 （４００）面Ｘ線回折ピーク強度Ｉ
1 に対するＣａＳ（２００）面Ｘ線回折ピーク強度Ｉ2
の比Ｉ2 ／Ｉ1 が０. １以下であることを特徴とするエ
レクトロルミネッセンス素子。 - 【請求項２】 基板上に発光層を有したエレクトロルミ
ネッセンス素子の製造方法において、 Ｃｅを発光中心として添加したＣａＧａ2 Ｓ4 を主成分
とし、Ｘ線回折スペクトルに現れるＣａＧａ2 Ｓ4 （４
００）面Ｘ線回折ピーク強度Ｉ1 に対するＣａＳ（２０
０）面Ｘ線回折ピーク強度Ｉ2 の比Ｉ2 ／Ｉ1 が０. ５
以下となる焼結ターゲットを用いて、スパッタ法により
前記発光層を形成したことを特徴とするエレクトロルミ
ネッセンス素子の製造方法。 - 【請求項３】 前記焼結ターゲットの製造に用いられる
ＣａＧａ2 Ｓ4 原料粉末のＸ線回折スペクトルに現れる
ＣａＧａ2 Ｓ4 （４００）面Ｘ線回折ピーク強度Ｉ1 に
対するＣａＳ（２００）面Ｘ線回折ピーク強度Ｉ2 の比
Ｉ2 ／Ｉ1 が０. ５以下であることを特徴とする請求項
２に記載のエレクトロルミネッセンス素子の製造方法。 - 【請求項４】 前記焼結ターゲットは、主成分であるＣ
ａＧａ2 Ｓ4 にガリウム化合物を混合して製造されたも
のであることを特徴とする請求項２又は３に記載のエレ
クトロルミネッセンス素子の製造方法。 - 【請求項５】 基板上に発光層を有したエレクトロルミ
ネッセンス素子において、 前記発光層が、Ｃｅを発光中心として添加したＣａ1-P
Ｓｒp Ｇａ2 Ｓ4 （０．１５≦ｐ≦０．６）よりなり、
前記発光層のＸ線回折スペクトルに現れるＳｒＧａ2 Ｓ
4 （４２２）面Ｘ線回折ピーク強度Ｉ3 に対するＣａＳ
（２００）面Ｘ線回折ピーク強度Ｉ2 の比Ｉ2 ／Ｉ3 が
０. １以下であることを特徴とするエレクトロルミネッ
センス素子。 - 【請求項６】 基板上に発光層を有したエレクトロルミ
ネッセンス素子の製造方法において、 Ｃｅを発光中心として添加したＣａ1-P Ｓｒp Ｇａ2 Ｓ
4 （０．１５≦ｐ≦０．６）を主成分とし、Ｘ線回折ス
ペクトルに現れるＣａＧａ2 Ｓ4 （４００）面Ｘ線回折
ピーク強度Ｉ1 に対するＣａＳ（２００）面Ｘ線回折ピ
ーク強度Ｉ2 の比Ｉ2 ／Ｉ1 が０. ５以下となる焼結タ
ーゲットを用いて、スパッタ法により前記発光層を形成
したことを特徴とするエレクトロルミネッセンス素子の
製造方法。 - 【請求項７】 前記焼結ターゲットは、主成分であるＣ
ａ1-P Ｓｒp Ｇａ2Ｓ4 （０．１５≦ｐ≦０．６）にガ
リウム化合物を混合して製造されたものであることを特
徴とする請求項６に記載のエレクトロルミネッセンス素
子の製造方法。 - 【請求項８】 前記ガリウム化合物は、ＧａＳ、Ｇａ2
Ｓ3 、Ｇａ2 Ｏ3 のいずれか１つ、もしくはそれらの混
合物であることを特徴とする請求項４又は７に記載のエ
レクトロルミネッセンス素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8092748A JP2828019B2 (ja) | 1995-04-20 | 1996-04-15 | エレクトロルミネッセンス素子およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7-95215 | 1995-04-20 | ||
| JP9521595 | 1995-04-20 | ||
| JP8092748A JP2828019B2 (ja) | 1995-04-20 | 1996-04-15 | エレクトロルミネッセンス素子およびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH097769A JPH097769A (ja) | 1997-01-10 |
| JP2828019B2 true JP2828019B2 (ja) | 1998-11-25 |
Family
ID=26434126
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8092748A Expired - Fee Related JP2828019B2 (ja) | 1995-04-20 | 1996-04-15 | エレクトロルミネッセンス素子およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2828019B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3735949B2 (ja) * | 1996-06-28 | 2006-01-18 | 株式会社デンソー | 青色発光材料、それを用いたｅｌ素子、及びその製造方法 |
-
1996
- 1996-04-15 JP JP8092748A patent/JP2828019B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH097769A (ja) | 1997-01-10 |
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