JPH0711461B2 - 圧力検出器 - Google Patents

圧力検出器

Info

Publication number
JPH0711461B2
JPH0711461B2 JP61138731A JP13873186A JPH0711461B2 JP H0711461 B2 JPH0711461 B2 JP H0711461B2 JP 61138731 A JP61138731 A JP 61138731A JP 13873186 A JP13873186 A JP 13873186A JP H0711461 B2 JPH0711461 B2 JP H0711461B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
pressure
semiconductor chip
diaphragm
oxide layer
pressure detector
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP61138731A
Other languages
English (en)
Other versions
JPS62294930A (ja
Inventor
実 西田
直仁 水野
服部　　正
誠二 藤野
芳康 安藤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Soken Inc
Original Assignee
Nippon Soken Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nippon Soken Inc filed Critical Nippon Soken Inc
Priority to JP61138731A priority Critical patent/JPH0711461B2/ja
Priority to US07/050,031 priority patent/US4840067A/en
Publication of JPS62294930A publication Critical patent/JPS62294930A/ja
Priority to US07/322,561 priority patent/US4986861A/en
Publication of JPH0711461B2 publication Critical patent/JPH0711461B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
    • G01L19/00—Details of, or accessories for, apparatus for measuring steady or quasi-steady pressure of a fluent medium insofar as such details or accessories are not special to particular types of pressure gauges
    • G01L19/0061—Electrical connection means
    • G01L19/0084—Electrical connection means to the outside of the housing
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
    • G01L19/00—Details of, or accessories for, apparatus for measuring steady or quasi-steady pressure of a fluent medium insofar as such details or accessories are not special to particular types of pressure gauges
    • G01L19/14—Housings
    • G01L19/147—Details about the mounting of the sensor to support or covering means
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
    • G01L9/00—Measuring steady of quasi-steady pressure of fluid or fluent solid material by electric or magnetic pressure-sensitive elements; Transmitting or indicating the displacement of mechanical pressure-sensitive elements, used to measure the steady or quasi-steady pressure of a fluid or fluent solid material, by electric or magnetic means
    • G01L9/0041—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms
    • G01L9/0051—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms using variations in ohmic resistance
    • G01L9/0052—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms using variations in ohmic resistance of piezoresistive elements
    • G01L9/0055—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms using variations in ohmic resistance of piezoresistive elements bonded on a diaphragm

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Measuring Fluid Pressure (AREA)
  • Pressure Sensors (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は圧力検出器に関し、特に高圧流体の圧力を検出
するのに適した精度の良い圧力検出器に関する。
［従来の技術］ 圧力検出器としては、測定圧に応じて歪変形する受圧ダ
イヤフラムを有し該ダイヤフラムの歪量を歪ゲージで検
出するものが多用されている。
特に高圧を測定するには、受圧ダイアフラムに耐圧性の
ある金属ダイヤフラムを使用するのが良く、例えば特公
昭58−5372号には金属ダイヤフラムに金属歪ゲージを接
合して測定部を構成した圧力検出器が開示されている。
［発明が解決しようとする問題点］ しかしながら、上記金属歪ゲージは出力感度が低いとい
う難点があり、多段増幅やこれに伴なうノイズ除去等で
測定回路が複雑になる。
一方、リニヤかつ高感度の出力が得られる半導体歪ゲー
ジを使用した圧力検出器が注目されているが、これらは
いずれも半導体チップ自身で受圧ダイアフラムを構成し
ているため（例えば米国特許第3,858,150号）低圧用の
ものしか得られないのが現状である。
そこで、金属ダイヤフラムと半導体歪ゲージを形成した
半導体チップを組合わせることにより、高圧の使用に耐
えかつ出力感度も良い圧力検出器を得ることを考えた
が、金属ダイヤフラムに上記半導体チップを充分な強度
で接合する構造が見い出し得なかった。
発明者らはかかる現状に鑑みて種々実験を繰り返した結
果、金属ダイヤフラムに歪ゲージ半導体チップが強固か
つ確実に接合された性能良好な圧力検出器を実現した。
［問題点を解決するための手段］ 本発明の構成を第１図で説明すると、受圧用金属ダイヤ
フラム11のダイヤフラム面はこれを酸化して酸化層２と
してあり、該酸化層２上にガラス層３を介して単結晶半
導体からなる半導体チップ４が接合してある。
［作用］ 上記接合構造を有する圧力検出器では、半導体チップ４
は強固かつ確実に金属ダイヤフラム11上に接合され、高
圧を充分な感度で精度良く測定することができる。
［実施例］ 第２図には圧力検出器の構造を示す。図において、検出
器ハウジング501は筒体であり、大径の上半部外周を六
角面となすとともに下半部外周には取付用ネジ部501aが
形成してある。上記ハウジング501内にはセンシングボ
デー１が挿通配設してあり、該ボデー１は上端閉鎖の筒
体であって下端開口周縁をハウジング501の開口縁に溶
接固定してある。センシングボデー１は熱膨脹率の小さ
いFe−Ni−Co系合金で構成され、その上端面は中心部を
薄肉として受圧用ダイヤフラム11としてある。
ダイヤフラム11の上面には後述する接合構造によって半
導体チップ４が接合してあり、該半導体チップ４は、こ
れを囲むようにハウジング501の上面に設けたリング状
セラミック基板502上の電極にワイヤ503で接続してあ
る。半導体チップ４の上方には信号処理用のIC回路を形
成したセラミック基板504が配設され、信号処理回路は
基板504を支持するピン505を介して上記基板502上の電
極に接続されている。
ハウジング501の上面外周縁には筒状カバー506が接合さ
れ、該カバー506の上方開口にはリードホルダ507が密嵌
してある。そして、上記基板504より延出するリード線5
08が上記リードホルダ507を貫通して検出器外へ延びて
いる。なお、図中509はシールリングであり、510、511
はシール樹脂である。
半導体チップ４はSi基板面の４ケ所にボロン（Ｂ）をド
ープして、第３図に示す如く、Ｐ型半導体歪ゲージ素子
41、42、43、44を形成したものであり、素子41、43は上
記ダイヤフラム11の中心部直上に位置し、素子42、44は
ダイヤフラム11の周縁部直上に位置している。そして、
これら素子41〜44はSi基板上に形成した電極リード（図
略）により互いに接続されて、第４図に示す如きフルブ
リッジを構成している。
上記半導体チップ４とセンシングボデー１の接合構造を
第１図に示す。図は第２図のＡ部を拡大したものであ
り、センシングボデー１の上面は全面を酸化して酸化層
２が形成してある。そして、該酸化層２上に低融点ガラ
ス層３を介して上記半導体チップ４を接合する。
かかる接合構造において、センシングボデー１の表面粗
さは0.5μｍ〜３μｍとすると引張強度150kg/cm2以上の
良好な強度が得られ（第５図）、また酸化層２の深さは
約1.5μｍ〜5.5μｍとすると接合強度150kg/cm2以上の
充分な強度が得られる。ガラス層３としては酸化鉛を主
成分とする非晶質の低融点ガラスを使用し、ガラス層の
厚さは40μｍ〜60μｍ（別紙表１）、フィラー粒径は平
均約2.0μｍで最大でも約20μｍとするのが良い（別紙
表２）。なお、上記ガラス層３の厚さを60μｍ以上とす
ると感度低下が大きくなるので40μｍ〜60μｍが望まし
い。上記各表中の冷熱衝撃試験は−40℃と120℃を一時
間毎に200回繰り返し、また高圧作動試験は200kg/cm2の
圧力負荷を４回／秒で100万回印加するもので、上記構
造によればこれら試験によっても半導体チップ４の出力
信号のドリフトは生じない。
上記接合構造を形成する手順は大略第７図に示す如きも
のであり、酸化層２を形成する酸化処理に先立ってセン
シングボデー１表面の酸洗浄と脱炭処理を行なう。酸洗
浄は王水を使用し、上記表面の油分を除去する。脱炭処
理はH2とN2を混合した還元性ないし弱還元性雰囲気中に
水蒸気を供給して行ない、800℃〜1100℃で１時間程度
行なう（別紙表3H、Ｉ、Ｍ）。
酸化処理はO2雰囲気に800℃で10分間、ないし1000℃で
0.5分間晒し（上表Ｈ、Ｉ、Ｍ）、上述の如く1.5μｍ〜
5.5μｍの深さで酸化層２を形成する。
ガラス層３の形成は上記酸化層２上にガラスペーストを
印刷し、これを仮焼（約400℃）することにより行ない
ガラスの厚みを仕上りで40μｍ〜60μｍとする。上記ガ
ラスペーストはガラス粉を有機溶剤中に混入して得る。
仮焼した上記ガラス層３に半導体チップ４を載せ、本焼
成（約500℃）すると上記半導体チップ４はセンシング
ボデー１上に強固に接合される。
かかる構造の圧力検出器によれば、導入圧によりダイヤ
フラム11が変形するとこれに一体に接合された半導体チ
ップ４に歪応力を生じ、該チップ４上の歪ゲージ素子4
1、43の抵抗値が大きく変化して測定圧力に応じたリニ
ヤかつ高感度の出力信号が得られる。
なお、圧力導入口を構成するセンシングボデー１の内周
面に酸化処理を施すと耐蝕性に優れたものとなる。
［効果］ 以上説明したように本発明によれば直接圧力を受けるダ
イヤフラムの部分は強度の大きい金属を用いることで高
圧に耐え、しかも半導体歪ゲージを配置した半導体チッ
プをガラスにより最適条件で上記ダイヤフラムに強固に
接合しているので感度の良い検出が行なえ、しかも半導
体チップは別個につくり接合するだけなので量産性に富
んだ圧力検出器を提供できるという優れた効果がある。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の要部断面図で第２図のＡ部拡大断面
図、第２図は圧力検出器の全体断面図、第３図は半導体
チップの平面図、第４図は歪ゲージ素子の接続図、第５
図はセンシングボデーの表面粗さと引張り強度の相関を
示す図、第６図は酸化層厚さと引張り強度の相関を示す
図、第７図は接合工程の概略ブロック図である。 １……センシングボデー 11……金属ダイヤフラム ２……酸化層 ３……ガラス層 ４……半導体チップ
フロントページの続き (72)発明者 藤野 誠二 愛知県西尾市下羽角町岩谷14番地 株式会 社日本自動車部品総合研究所内 (72)発明者 安藤 芳康 愛知県西尾市下羽角町岩谷14番地 株式会 社日本自動車部品総合研究所内 (56)参考文献 特開 昭53−142888（ＪＰ，Ａ)

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】受圧用金属ダイヤフラムのダイヤフラム面
    を酸化して酸化層を形成し、該酸化層上にガラス層を介
    して、半導体歪みゲージを形成した単結晶半導体チップ
    を接合してなる圧力検出器。
  2. 【請求項２】上記金属ダイヤフラムをFe−Ni−Co系合金
    で構成し、上記単結晶半導体チップをSi基板により構成
    した特許請求の範囲第１項記載の圧力検出器。
  3. 【請求項３】上記酸化層を約1.5μｍ〜5.5μｍの厚さで
    形成した特許請求の範囲第１項記載の圧力検出器。
  4. 【請求項４】上記ガラス層を約40μｍ〜60μｍの厚さで
    形成し、そのフィラー粒径を平均約2.0μｍで最大粒径2
    0μｍ以下とした特許請求の範囲第１項記載の圧力検出
    器。
JP61138731A 1986-06-13 1986-06-13 圧力検出器 Expired - Lifetime JPH0711461B2 (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP61138731A JPH0711461B2 (ja) 1986-06-13 1986-06-13 圧力検出器
US07/050,031 US4840067A (en) 1986-06-13 1987-05-15 Semiconductor pressure sensor with method diaphragm
US07/322,561 US4986861A (en) 1986-06-13 1989-03-13 Semiconductor pressure sensor and method for bonding semiconductor chip to metal diaphragm thereof

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP61138731A JPH0711461B2 (ja) 1986-06-13 1986-06-13 圧力検出器

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS62294930A JPS62294930A (ja) 1987-12-22
JPH0711461B2 true JPH0711461B2 (ja) 1995-02-08

Family

ID=15228844

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP61138731A Expired - Lifetime JPH0711461B2 (ja) 1986-06-13 1986-06-13 圧力検出器

Country Status (2)

Country Link
US (2) US4840067A (ja)
JP (1) JPH0711461B2 (ja)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014106095A (ja) * 2012-11-27 2014-06-09 Nippon Soken Inc 圧力センサ
KR101487150B1 (ko) * 2013-04-09 2015-02-10 대양전기공업 주식회사 금속 다이아프램형 압력센서의 제조방법
WO2017006840A1 (ja) * 2015-07-07 2017-01-12 日立オートモティブシステムズ株式会社 半導体装置、力学量測定装置および半導体装置の製造方法
US9865396B2 (en) 2014-01-24 2018-01-09 Fujitsu Limited Method of manufacturing capacitor including intermediate dielectric layer with first internal electrodes and second internal electrodes

Families Citing this family (46)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4993267A (en) * 1988-04-08 1991-02-19 General Electric Company Electronic transducer
US4918833A (en) * 1988-04-08 1990-04-24 General Electric Company Method of assembling an electronic transducer
DE4018638A1 (de) * 1990-06-11 1991-12-12 Schoppe & Faeser Gmbh Druckmessumformer mit einem rotationssymmetrischen drucksensor aus keramik
JP2771070B2 (ja) * 1992-03-25 1998-07-02 日立建機株式会社 差圧センサ
US5356176A (en) * 1993-05-25 1994-10-18 Trw Technar Inc. Vehicle occupant restraint apparatus
US5616846A (en) * 1994-10-27 1997-04-01 Kwasnik; Joseph W. Method and apparatus for current regulation and temperature compensation
US5581226A (en) * 1994-11-02 1996-12-03 Motorola, Inc. High pressure sensor structure and method
JPH09232595A (ja) * 1996-02-26 1997-09-05 Denso Corp 圧力検出装置
KR19990008150A (ko) * 1996-03-07 1999-01-25 노무라마사나리 압력센서모듈
DE19714703B4 (de) * 1996-04-13 2014-02-13 Robert Bosch Gmbh Drucksensor
JP4161410B2 (ja) * 1997-07-25 2008-10-08 株式会社デンソー 圧力検出装置
US5867886A (en) * 1997-10-20 1999-02-09 Delco Electronics Corp. Method of making a thick film pressure sensor
US5898359A (en) * 1997-12-19 1999-04-27 Delco Electronics Corp. Diffusion-barrier materials for thick-film piezoresistors and sensors formed therewith
JP2000009569A (ja) * 1998-06-26 2000-01-14 Denso Corp 圧力センサの製造方法
JP3627589B2 (ja) * 1999-09-27 2005-03-09 豊田工機株式会社 圧力計
US20020047304A1 (en) * 2000-07-18 2002-04-25 Marc Bolitho Pressure sensor integrated onto sleeve of solenoid valve
US6427539B1 (en) 2000-07-31 2002-08-06 Motorola, Inc. Strain gauge
JP2002310827A (ja) 2001-04-11 2002-10-23 Denso Corp 圧力センサ
DE10134586A1 (de) * 2001-07-17 2003-02-06 Siemens Ag Sensoreinrichtung zum Erfassen einer Dehnungsbeanspruchung
US6608370B1 (en) * 2002-01-28 2003-08-19 Motorola, Inc. Semiconductor wafer having a thin die and tethers and methods of making the same
US6772509B2 (en) 2002-01-28 2004-08-10 Motorola, Inc. Method of separating and handling a thin semiconductor die on a wafer
JP3824964B2 (ja) * 2002-05-17 2006-09-20 長野計器株式会社 絶対圧型圧力センサ
JP3915605B2 (ja) * 2002-06-12 2007-05-16 株式会社デンソー 圧力センサ装置
WO2004061961A1 (en) * 2002-12-31 2004-07-22 Massachusetts Institute Of Technology Multi-layer integrated semiconductor structure having an electrical shielding portion
US7064055B2 (en) * 2002-12-31 2006-06-20 Massachusetts Institute Of Technology Method of forming a multi-layer semiconductor structure having a seamless bonding interface
US20040124538A1 (en) * 2002-12-31 2004-07-01 Rafael Reif Multi-layer integrated semiconductor structure
JP2004279089A (ja) * 2003-03-13 2004-10-07 Denso Corp 半導体圧力センサ
EP1486653B1 (en) * 2003-06-12 2016-04-13 Denso Corporation Combustion pressure sensor
JP4828804B2 (ja) * 2003-06-26 2011-11-30 京セラ株式会社 セラミックダイアフラム及びその製法並びに圧力センサ
JP4337656B2 (ja) 2004-06-29 2009-09-30 株式会社デンソー 圧力センサ
JP4185478B2 (ja) * 2004-07-23 2008-11-26 長野計器株式会社 歪検出器およびその製造方法
DE102005001298A1 (de) * 2005-01-03 2006-07-13 Hydac Electronic Gmbh Vorrichtung zum Messen von Kräften, insbesondere Drucksensor, und zugehöriges Herstellverfahren
US7260994B2 (en) * 2005-11-03 2007-08-28 Honeywell International Inc. Low cost high-pressure sensor
JP2008039760A (ja) * 2006-07-14 2008-02-21 Denso Corp 圧力センサ
US7503221B2 (en) * 2006-11-08 2009-03-17 Honeywell International Inc. Dual span absolute pressure sense die
JP2008151738A (ja) * 2006-12-20 2008-07-03 Denso Corp 圧力センサ
DE102008000128B4 (de) * 2007-01-30 2013-01-03 Denso Corporation Halbleitersensorvorrichtung und deren Herstellungsverfahren
US7600433B2 (en) * 2007-02-23 2009-10-13 Silicon Micro Sensors Gmbh Pressure sensor with roughened and treated surface for improving adhesive strength and method of manufacturing the sensor
DE102007011878A1 (de) * 2007-03-13 2008-09-18 Hydac Electronic Gmbh Isolatorschichtsystem für einen Sensor und Sensor mit einem solchen Isolatorschichtsystem
DE102008002307A1 (de) * 2008-06-09 2009-12-10 Robert Bosch Gmbh Herstellungsverfahren für ein mikromechanisches Bauelement, entsprechender Bauelementverbund und entsprechendes mikromechanisches Bauelement
IT1400619B1 (it) * 2010-05-12 2013-06-14 Metallux Sa Sensore di pressione
JP2015114278A (ja) * 2013-12-13 2015-06-22 株式会社デンソー 圧力センサ
JP2015184100A (ja) * 2014-03-24 2015-10-22 セイコーエプソン株式会社 物理量センサー、物理量センサーの製造方法、圧力センサー、高度計、電子機器および移動体
JP6726802B2 (ja) * 2017-03-10 2020-07-22 日立オートモティブシステムズ株式会社 物理量測定装置およびその製造方法ならびに物理量測定素子
JP6769359B2 (ja) * 2017-03-15 2020-10-14 株式会社Ｓｏｋｅｎ 圧力センサおよびその製造方法
DE102019129411A1 (de) * 2019-09-12 2021-03-18 Wika Alexander Wiegand Se & Co. Kg Aufnehmerkörper mit einem Messelement und Herstellungsverfahren für einen Aufnehmerkörper

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2784593A (en) * 1952-05-12 1957-03-12 Max P Peucker Double diaphragm electrical pressure gage
US3341796A (en) * 1966-03-23 1967-09-12 Statham Instrument Inc Force transducer
US3526814A (en) * 1968-04-03 1970-09-01 Itt Heat sink arrangement for a semiconductor device
US3858150A (en) * 1973-06-21 1974-12-31 Motorola Inc Polycrystalline silicon pressure sensor
JPS53142888A (en) * 1977-05-18 1978-12-12 Matsushita Electric Ind Co Ltd Pressure converter of semiconductor
US4293325A (en) * 1978-05-22 1981-10-06 Corning Glass Works Method of forming hermetic seals
JPS5611312A (en) * 1979-07-10 1981-02-04 Hitachi Ltd Semiconductor displacement converter
JPS5643489A (en) * 1979-09-10 1981-04-22 Hakushin Kk Production of *kasuri* pattern fabric
US4382377A (en) * 1980-05-16 1983-05-10 Siemens Aktiengesellschaft Pressure sensor for an internal combustion engine
JPS5762539A (en) * 1980-10-01 1982-04-15 Hitachi Ltd Mounting method for semiconductor element
US4373968A (en) * 1981-06-24 1983-02-15 Amchem Products, Inc. Coating composition
US4592794A (en) * 1981-09-01 1986-06-03 Motorola, Inc. Glass bonding method
US4445385A (en) * 1982-04-30 1984-05-01 International Telephone & Telegraph Corporation Static pressure sensor with glass bonded strain gauge transducers
US4481497A (en) * 1982-10-27 1984-11-06 Kulite Semiconductor Products, Inc. Transducer structures employing ceramic substrates and diaphragms
US4527428A (en) * 1982-12-30 1985-07-09 Hitachi, Ltd. Semiconductor pressure transducer
GB8303555D0 (en) * 1983-02-09 1983-03-16 Strain Measurement Dev Ltd Strain gauges
JPS59230131A (ja) * 1983-06-13 1984-12-24 Tokyo Electric Co Ltd ロ−ドセル
US4525766A (en) * 1984-01-25 1985-06-25 Transensory Devices, Inc. Method and apparatus for forming hermetically sealed electrical feedthrough conductors
JPH0746065B2 (ja) * 1985-03-25 1995-05-17 株式会社日本自動車部品総合研究所 高圧用圧力検出器
US4820659A (en) * 1986-07-16 1989-04-11 General Electric Company Method of making a semiconductor device assembly

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014106095A (ja) * 2012-11-27 2014-06-09 Nippon Soken Inc 圧力センサ
KR101487150B1 (ko) * 2013-04-09 2015-02-10 대양전기공업 주식회사 금속 다이아프램형 압력센서의 제조방법
US9865396B2 (en) 2014-01-24 2018-01-09 Fujitsu Limited Method of manufacturing capacitor including intermediate dielectric layer with first internal electrodes and second internal electrodes
WO2017006840A1 (ja) * 2015-07-07 2017-01-12 日立オートモティブシステムズ株式会社 半導体装置、力学量測定装置および半導体装置の製造方法
JPWO2017006840A1 (ja) * 2015-07-07 2018-02-15 日立オートモティブシステムズ株式会社 半導体装置、力学量測定装置および半導体装置の製造方法
US10247630B2 (en) 2015-07-07 2019-04-02 Hitachi Automotive Systems, Ltd. Semiconductor device, mechanical quantity measuring device, and semiconductor device fabricating method

Also Published As

Publication number Publication date
US4986861A (en) 1991-01-22
JPS62294930A (ja) 1987-12-22
US4840067A (en) 1989-06-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH0711461B2 (ja) 圧力検出器
US3697917A (en) Semiconductor strain gage pressure transducer
EP0354479A2 (en) Semiconductor pressure sensor
CN101988859A (zh) 具有高精确度和高灵敏度的低压传感器装置
JP2007132946A (ja) 圧力センサハウジング及び形態
JPS61217733A (ja) 圧力検出器
CN101002314A (zh) 微型机械设备
JPH11201846A (ja) 半導体圧力検出装置
WO2022028193A1 (zh) 应变检测装置及其制造方法
JPH067077B2 (ja) 圧力検出器
JPS62291533A (ja) 圧力検出器
US4400682A (en) Pressure sensor
SU1716979A3 (ru) Способ измерени давлени и преобразователь давлени
JPS6316240A (ja) 圧力検出器
JPH0345161Y2 (ja)
JPS6273131A (ja) 圧力検出器
JPS60247129A (ja) 高圧用圧力検出器
JPS63196081A (ja) 半導体式圧力検出器
JPH04267566A (ja) 高圧用半導体圧力センサ
CN217520641U (zh) 一种用于小量程测量的溅射薄膜压力敏感元件
JPH04329328A (ja) 接触圧力センサおよびその測定方法
JP3980429B2 (ja) 超高温型荷重計およびその製造方法
JPH04181133A (ja) 三次元力覚センサーの起歪体構造
JPS635232A (ja) 圧力検出器
JPS62150131A (ja) 圧力検出器

Legal Events

Date Code Title Description
R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

EXPY Cancellation because of completion of term