JPH0696596A - 半導体装置の内部電源発生回路 - Google Patents
半導体装置の内部電源発生回路Info
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Abstract
の内部電圧発生回路において、外部電圧に対する内部電
圧の特性が、外部電圧の第1電圧区間では基準電圧まで
外部電圧により内部電圧が線形的に増加した後、外部電
圧の第2電圧区間では外部電圧に関係なく基準電圧を保
ち、第2電圧区間の最後で上昇し外部電圧の第3電圧区
間では第2区間の最後で上昇された電圧から線形的に上
昇するように成り立つ。従って、半導体装置の信頼性テ
ストのため有用である。
Description
半導体装置の内部電源発生回路に関する。
使われる内部電源発生回路は、外部電圧を一定のレベル
の電圧に降下させるために使用される。内部電源発生回
路は外部から印加される電圧の変化により半導体チップ
のモードを正常動作のための正常モード又はチップの信
頼性をテストするためのテストモードを設定する。半導
体装置のモード別テストを説明すれば次の通りである。
一定の電圧に降下する電圧降下回路を半導体装置の内部
に具備してテストを遂行するようになる。普通このモー
ドでは前記電圧降下回路が約5Vぐらいの電源電圧を発
生する。
ある。
前記一定の電圧より高い電圧にしなければならない。し
かしながら外部電圧を上げるのは前記電圧降下回路が一
定の電圧を発生するため達成することができなかった。
それで、ストレスモードテストを遂行するためには、前
記電圧降下回路の出力端に電圧を昇圧するための昇圧回
路を具備してテストを遂行するようになる。このモード
では前記昇圧回路(ポンピング回路)により昇圧された
約6−7Vぐらいの電源電圧が発生する。
路を示す。
して正常モードでのテストのための電圧を発生させる内
部電圧発生手段10、前記外部電源電圧端子と前記内部
電圧発生手段10の出力電圧端子の間に繋がり出力信号
を昇圧するための昇圧回路11から成り立つ。前記昇圧
回路11はn個の直列連結されたPMOSトランジスタ
群(M1 −Mn )を具備する。前記PMOSトランジス
タ群の各々はソース電極と各トランジスタ毎の独立基板
が連結されゲート電極とドレイン電極が共通連結され成
り立つ。
対する内部電源電圧の関係を示すグラフである。
範囲では内部電源電圧Vint が内部電源発生手段10の
出力電圧Vref までは線形的に増加し、外部電源電圧V
extの中間範囲では内部電源電圧Vint が基準電圧V
ref を保ち、外部電源電圧Vex t の高い範囲では内部電
源電圧Vint が又線型的に増加する特徴を持つ。
Vref の間の電圧差が昇圧回路11を構成するN個のP
MOSトランジスタ群のスレショルド電圧Vtp×n以上
になる時、内部電源電圧は基準電圧を維持した後再び前
記外部電源電圧Vext の増加に比例するすなわち、従来
の半導体装置の内部電源発生回路は昇圧回路11を使用
する場合に内部電源電圧Vint は印加する外部電源電圧
Vext から昇圧回路11の両端子にかかる電圧Vtp×n
を差し引いた電圧(Vext −(Vtp×n))になる。も
し前記昇圧回路11を構成しているPMOSトランジス
タを多数個使用して昇圧回路11の両端子にかかる電圧
Vtp×nが高くなるように構成すれば、信頼度テストの
時に印加する外部電源電圧Vext が非常に高くなければ
ならない。この場合、外部電源電圧Vext を直接印加す
るトランジスタの信頼度特性が著しく低下する可能性が
ある。反対に昇圧回路11を構成するPMOSトランジ
スタの数を最小に減らすと昇圧回路11の両端子に掛か
る電圧Vtp×nが低くなって、内部電源電圧Vint が低
い外部電源電圧Vext でも、Vext に従って上昇する。
従って、内部電圧の安定領域が狭くなるという問題点が
あった。
源電圧の変化に関係なく安定した内部電源電圧を発生す
ることができ、信頼度テストの時には低い外部電源電圧
を印加しても内部電源電圧を昇圧させ得る内部電源発生
回路を提供することである。
に本発明の半導体装置の内部電源発生回路は、外部電源
電圧を受けて、内部電源電圧と基準電圧を別々に出力す
る内部電源発生手段、外部電源電圧と前記基準電圧の間
に各々並列に繋がり内部電源電圧を昇圧する第1昇圧手
段、前記内部電源電圧の変化を基準電圧と比べる比較手
段、前記比較手段の比較結果をトリガー電位に変化させ
る駆動手段、及び前記駆動手段により制御され前記トリ
ガー信号を受け低い外部電源電圧へも正常的な内部電源
電圧の昇圧を成すようにする第2昇圧手段を具備して成
り立ち、前記外部電圧増加に対する内部電圧増加の特性
が前記外部電圧の第1電圧区間では前記基準電圧まで外
部電圧により内部電圧が線形的に増加した後、外部電圧
の第2電圧区間では外部電圧に関係なく内部電圧が前記
基準電圧を保ち、後前記第2電圧区間の最後で上昇し外
部電圧の第3電圧区間では前記第2区間の最後で上昇し
た電圧値から線形的に上昇することを特徴とする。
モードでは外部電源電圧の変化に関係なく内部電源発生
手段により一定の電圧を出力する。又、信頼度検査の時
には低い外部電圧でも昇圧回路により内部電源電圧が上
昇され得る。
説明する。
回路を示す。
て基準電圧Vref と内部電圧Vintを発生する内部電圧
発生回路20、前記基準電圧Vref と前記内部電圧V
int を入力して比べる比較回路21、前記比較回路21
の出力信号をバッファーするための駆動回路22、前記
外部電源電圧端子と前記内部電源端子の間に連結され前
記内部電圧Vint を昇圧するための第1昇圧回路23、
前記外部電源電圧端子と前記内部電圧端子の間に連結さ
れ前記駆動回路22の制御信号によりイネーブルされる
前記内部電圧Vint を昇圧するための第2昇圧回路24
から構成されている。
されたPMOSトランジスタ群(M1−Mn)によって
構成され、前記PMOSトランジスタ群の各々のソース
電極は各トランジスタ毎の独立基板に連結され、ゲート
電極はドレイン電極と共通接続され成り立つ。そして前
記第2昇圧回路24は、n個の直列連結されたPMOS
トランジスタ群(M1 −Mn )から構成され、前記PM
OSトランジスタM1のソース電極と基板は、外部電源
電圧端子Vext に連結され、ゲート電極は前記駆動手段
の出力信号ΦSTR に連結され、前記PMOSトランジス
タ群(M2 −Mn )の各々のソース電極は、各トランジ
スタ毎の独立基板と連結され、ゲート電極はドレイン電
極と共通接続され成り立つ。
対する内部電源電圧の関係を示したグラフである。
電圧範囲では内部電源電圧Vint が基準電圧Vref まで
は線形的に増加した後、外部電源電圧Vext が中間電圧
範囲では内部電源電圧Vint が基準電圧Vref を保ち、
外部電源電圧Vext の高い範囲では内部電源電圧Vint
が少し垂直に上昇した後再び線形的に上昇する。
体装置の内部電源発生回路を示すものである。
は、前記外部電源電圧端子Vext に繋がり基準電圧を発
生するための基準電圧発生回路30と、前記外部電源電
圧端子に繋がり前記基準電圧を入力して増幅するための
第1増幅手段31と、前記外部電源電圧端子に繋がり前
記基準電圧を入力して増幅するための第2増幅手段32
とから成り立つ。
であって外部電源電圧端子に連結されたソース電極と基
板を有するPMOSトランジスタP1、前記PMOSト
ランジスタP1のソース電極に連結されたソース電極と
基板と前記PMOSトランジスタP1のゲート電極に連
結されたゲート電極とドレイン電極を有するPMOSト
ランジスタP2、前記PMOSトランジスタP1のドレ
イン電極に連結されたドレイン電極と前記基準電圧V
ref を入力するゲート電極を有するNMOSトランジス
タN1、前記PMOSトランジスタP2のドレイン電極
に連結されたドレイン電極と前記NMOSトランジスタ
N1のソース電極に連結されたソース電極と前記内部電
源電圧Vint を入力するゲート電極を有するNMOSト
ランジスタN2、前記NMOSトランジスタN1のソー
ス電極に連結されたドレイン電極と接地電圧Vssに連
結されたソース電極と前記基準電圧Vrefを入力する
ゲート電極を有するNMOSトランジスタN3から構成
されている。
NMOSトランジスタN1のドレイン電極からの信号を
入力する三つの直列連結されたインバーター群(INV
1、INV2、INV3)から構成されている。
圧端子に連結されたソース電極と基板とゲート電極に連
結されたドレイン電極を有するPMOSトランジスタP
3、前記PMOSトランジスタP3のドレイン電極に連
結されたソース電極と基板と前記内部電源電圧端子に連
結されたゲート電極とドレイン電極を有するPMOSト
ランジスタP4から構成されている。
圧端子に連結されたソース電極と基板と前記インバータ
ーINV3の出力端子に連結されたゲート電極を有する
PMOSトランジスタP5、前記PMOSトランジスタ
P5のドレイン電極に連結されたソース電極と基板と前
記内部電源電圧端子に連結されたゲート電極とドレイン
電極を有するPMOSトランジスタP6から構成されて
いる。
23、24が只二つのPMOSトランジスタ群から成り
立つことを実施例として示したが、更に多くのPMOS
トランジスタが連結され構成され得る。
すれば次の通りである。
レショルドVtpが−0.8Vと仮定する。一定範囲の外
部電源電圧が内部電源発生手段に印加される場合に、前
記第1増幅手段31の内部電源電圧Vint と第2増幅回
路32の基準電圧Vref の出力レベルは始めは同一であ
る。しかしながら前記比較回路21で内部電源電圧V
int を受けるNMOSトランジスタN2に比べ、基準電
圧Vref を受けるNMOSトランジスタN1のバイアス
電流が大きく設定されているので、前記NMOSトラン
ジスタN2のドレイン電極の電位に比べ前記NMOSト
ランジスタN1のドレイン電極の電位が更に低くなる。
しかしながら、外部電源電圧Vext と内部電源電圧V
int の間に電圧差がVtp×2以上になると、前記第1昇
圧回路23が動作して内部電源電圧Vint が外部電源電
圧Vext に比例して上昇するようになる。この時前記比
較回路21のNMOSトランジスタN1のドレイン電極
の電位が前記NMOSトランジスタN2のドレイン電極
の電位より高くなるので前記駆動手段22のトリガー信
号ΦSTR は“ロー”レベルから“ハイ”レベルに変わ
る。そうすれば、前記駆動手段22の出力信号ΦSTR を
受ける前記第2昇圧回路24が動作して、内部電源電圧
Vint と外部電源電圧Vext の間の電圧はVtp×1の電
圧が保たれる。前述した仮定に従うと約0.8Vぐらい
が保たれる。本発明は昇圧回路を構成するトランジスタ
の数により昇圧レベルがいろいろなレベルに調整でき最
小限一つ以上のトランジスタを使用すべきである。
は、正常モードでは外部電源電圧の変化に関係なく内部
電源発生手段により一定の電圧を出力する。又、信頼度
検査の時には低い外部電圧でも昇圧回路により内部電源
電圧が上昇され得るので半導体装置の特性及び信頼度が
向上できる。
圧の関係を示すグラフである。
圧の関係を示すグラフである。
回路を示す図である。
Claims (10)
- 【請求項1】 外部電圧を入力して内部電圧を発生する
ための内部電圧発生回路において、 前記外部電圧に対する内部電圧の特性が前記外部電圧の
第1電圧区間では基準電圧まで外部電圧に従って内部電
圧が線形的に増加した後、外部電圧の第2電圧区間では
外部電圧に関係なく前記基準電圧を保ち、後前記第2電
圧区間の最後で上昇し外部電圧の第3電圧区間では前記
第2区間の最後で上昇された電圧から線形的に上昇する
ことを特徴とする半導体装置の内部電源発生回路。 - 【請求項2】 外部電源電圧を入力して基準電圧及び内
部電圧を発生するための内部電圧発生手段と、 前記外部電源電圧を入力し昇圧して内部電源を発生する
ための第1昇圧手段と、 前記内部電圧発生手段と前記第1昇圧手段からの信号を
比べるための比較手段と、 前記比較手段の信号を入力して制御信号を発生するため
の制御信号発生手段と、 前記第1昇圧手段と連結され前記制御信号発生手段の出
力信号に応答して前記外部電源電圧を入力し昇圧して内
部電源を発生するための第2昇圧手段を具備することを
特徴とする半導体装置の内部電源発生回路。 - 【請求項3】 前記内部電圧発生手段は外部電圧を入力
して基準電圧を発生するための基準電圧発生手段と、 前記基準電圧発生手段の出力信号を入力して増幅した後
前記第1昇圧手段に出力するための第1増幅手段と、 前記基準電圧発生手段の出力信号を入力して増幅した後
前記第2昇圧手段に出力するための第2増幅手段を具備
することを特徴とする請求項2記載の半導体装置の内部
電源発生回路。 - 【請求項4】 前記比較手段は前記第2増幅手段の出力
端子に繋がったソース電極と基板を有する第1PMOS
トランジスタと、 前記第1PMOSトランジスタのソース電極に連結され
たソース電極と基板と前記第1PMOSトランジスタの
ゲート電極に連結されたゲート電極とドレイン電極を有
する第2PMOSトランジスタと、 前記第1PMOSトランジスタのドレイン電極に連結さ
れたドレイン電極と前記第2増幅手段の出力信号を入力
するゲート電極を有する第1NMOSトランジスタと、 前記第2PMOSトランジスタのドレイン電極に連結さ
れたドレイン電極と前記第1NMOSトランジスタのソ
ース電極に連結されたソース電極と前記内部電源電圧を
入力するゲート電極を有する第2NMOSトランジスタ
と、 前記第1NMOSトランジスタのソース電極に連結され
たドレイン電極と接地電圧に連結されたソース電極と前
記第2増幅手段の出力信号を入力するゲート電極を有す
る第3NMOSトランジスタを具備することを特徴とす
る請求項2記載の半導体装置の内部電源発生回路。 - 【請求項5】 前記第1NMOSトランジスタの電流駆
動能力より前記第2NMOSトランジスタの電流駆動能
力がさらに大きいことを特徴とする請求項4記載の半導
体装置の内部電源発生回路。 - 【請求項6】 前記制御信号発生手段は、前記比較手段
の第1NMOSトランジスタのドレイン電極からの信号
を入力する三つの直列連結されたインバーター群を具備
することを特徴とする請求項2記載の半導体装置の内部
電源発生回路。 - 【請求項7】 前記第1昇圧手段は、前記外部電源電圧
端子と前記内部電源電圧端子の間に所定の数のトランジ
スタ群を直列連結し前記各々のトランジスタ群のソース
電極と基板が共通接続されゲート電極とドレイン電極が
共通接続され成り立つことを特徴とする請求項2記載の
半導体装置の内部電源発生回路。 - 【請求項8】 前記第1昇圧手段は前記外部電源電圧端
子に連結されたソース電極と基板とゲート電極に連結さ
れたドレイン電極を有する第3PMOSトランジスタ
と、 前記第3PMOSトランジスタのドレイン電極に連結さ
れたソース電極と基板と前記内部電源電圧端子に連結さ
れたゲート電極とドレイン電極を有する第4PMOSト
ランジスタを具備することを特徴とする請求項7記載の
半導体装置の内部電源発生回路。 - 【請求項9】 前記第2昇圧手段は、前記制御信号発生
手段の制御信号出力端子に連結された制御電極と前記外
部電源電圧端子に連結されたソース電極と基板を有する
一つのトランジスタと、 前記一つのトランジスタのドレイン電極と前記内部電源
発生端子の間に直列連結されソース電極と基板が連結さ
れゲート電極とドレイン電極が連結された所定の数のト
ランジスタ群に成り立つことを特徴とする請求項2記載
の半導体装置の内部電源発生回路。 - 【請求項10】 前記第2昇圧手段は、前記外部電源電
圧端子に連結されたソース電極と基板と前記制御信号発
生手段の出力端子に連結されたゲート電極を有する第5
PMOSトランジスタと、 前記第5PMOSトランジスタのドレイン電極に連結さ
れたソース電極と基板と前記内部電源電圧端子に連結さ
れたゲート電極とドレイン電極を有する第6PMOSト
ランジスタを具備することを特徴とする請求項9記載の
半導体装置の内部電源発生回路。
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