JPH066236B2 - レーザー照射処理装置 - Google Patents
レーザー照射処理装置Info
- Publication number
- JPH066236B2 JPH066236B2 JP1011432A JP1143289A JPH066236B2 JP H066236 B2 JPH066236 B2 JP H066236B2 JP 1011432 A JP1011432 A JP 1011432A JP 1143289 A JP1143289 A JP 1143289A JP H066236 B2 JPH066236 B2 JP H066236B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- stage
- semiconductor wafer
- movement
- laser
- position deviation
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- Laser Beam Processing (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、例えば半導体ウエハにおけるチップ部品の導
電パターンをレーザー照射でトリミングするのに適用さ
れるなレーザー処理照射装置に関するものである。
電パターンをレーザー照射でトリミングするのに適用さ
れるなレーザー処理照射装置に関するものである。
従来の技術 一般に、ＩＣやＬＳＩ等の半導体ウエハにおいては各種
の回路素子をホトエッチング等で形成することによりチ
ップ部品が設けられている。このチップ部品に対しては
抵抗値や静電容量を調整するべく、導電パターンや薄膜
抵抗等の一部を部分的に除去するトリミング処理を施す
ことが行なわれている。そのトリミング処理には、チッ
プ部品の極小部分を除去する必要から数百ナノメートル
の精度が要求されている。
の回路素子をホトエッチング等で形成することによりチ
ップ部品が設けられている。このチップ部品に対しては
抵抗値や静電容量を調整するべく、導電パターンや薄膜
抵抗等の一部を部分的に除去するトリミング処理を施す
ことが行なわれている。そのトリミング処理には、チッ
プ部品の極小部分を除去する必要から数百ナノメートル
の精度が要求されている。
従来、このトリミング処理を施すには反射鏡を用いてレ
ーザー光を移動することによるレーザー照射処理装置が
適用されている（特開昭６０−４０６８１号，特開昭６
１−６７９０４号）。
ーザー光を移動することによるレーザー照射処理装置が
適用されている（特開昭６０−４０６８１号，特開昭６
１−６７９０４号）。
そのうち、特開昭６０−４０６８１号のもの（以下、
「公知例１」という。）では予め入力された移動データ
に基づいてレーザー光を移動し、また、特開昭６１−６
７９０４号のもの（以下、「公知例２」という。）では
チップ部品の導電パターンをチップ部品が代る毎にカメ
ラで読み取って導電パターンから求められる位置データ
に応じてレーザー光を移動することによるトリミング手
段が採られている。
「公知例１」という。）では予め入力された移動データ
に基づいてレーザー光を移動し、また、特開昭６１−６
７９０４号のもの（以下、「公知例２」という。）では
チップ部品の導電パターンをチップ部品が代る毎にカメ
ラで読み取って導電パターンから求められる位置データ
に応じてレーザー光を移動することによるトリミング手
段が採られている。
然し、このレーザー光を移動することによるトリミング
手段では反射鏡を用いることからレーザー光の移動速度
を早くできるものの、移動精度を上げるためには反射鏡
等の光学部品を高精度なものにする必要があるため、装
置が複雑で高価なものになってメンテナンス作業も頻繁
に必要になる。
手段では反射鏡を用いることからレーザー光の移動速度
を早くできるものの、移動精度を上げるためには反射鏡
等の光学部品を高精度なものにする必要があるため、装
置が複雑で高価なものになってメンテナンス作業も頻繁
に必要になる。
そのレーザー光の移動によるトリミング手段に代えて、
半導体ウエハを載置するＸＹステージをＸＹテーブル上
に載置される半導体ウエハの位置決めマークから光学的
処理手段で移動制御することが提案されている（特開昭
６１−２２２６９６号）。
半導体ウエハを載置するＸＹステージをＸＹテーブル上
に載置される半導体ウエハの位置決めマークから光学的
処理手段で移動制御することが提案されている（特開昭
６１−２２２６９６号）。
このＸＹステージの移動制御（以下、「引用例３」とい
う。）によるときにはレーザー光の照射位置を原点とす
ることから、半導体ウエハが載置されるＸＹステージの
予め定められた移動座標軸と半導体ウエハの導電パター
ンから求められるウエハ座標軸との間に位置ズレが生
じ、また、ＸＹテーブルの移動に伴うウエハ座標軸とＸ
Ｙステージの移動によるずれが生ずるのを避けられな
い。その各位置ズレを引用例３ではグローバルアライメ
ントセンサーによる光学的処理手段で修正することによ
りＸＹステージ上の半導体ウエハの位置修正を極めて正
確にできても、このセンサーによるＸＹステージの制御
回路が極めて複雑なものになる。
う。）によるときにはレーザー光の照射位置を原点とす
ることから、半導体ウエハが載置されるＸＹステージの
予め定められた移動座標軸と半導体ウエハの導電パター
ンから求められるウエハ座標軸との間に位置ズレが生
じ、また、ＸＹテーブルの移動に伴うウエハ座標軸とＸ
Ｙステージの移動によるずれが生ずるのを避けられな
い。その各位置ズレを引用例３ではグローバルアライメ
ントセンサーによる光学的処理手段で修正することによ
りＸＹステージ上の半導体ウエハの位置修正を極めて正
確にできても、このセンサーによるＸＹステージの制御
回路が極めて複雑なものになる。
発明が解決しようとする課題 本発明は、ＸＹステージの移動による半導体ウエハのレ
ーザー光照射原点と、ＸＹステージによる半導体ウエハ
の移動とを簡単機構で正確に定めて半導体ウエハの所定
位置をトリミングできるレーザー照射処理装置を提供す
ることを目的とする。
ーザー光照射原点と、ＸＹステージによる半導体ウエハ
の移動とを簡単機構で正確に定めて半導体ウエハの所定
位置をトリミングできるレーザー照射処理装置を提供す
ることを目的とする。
課題を解決するための手段 このレーザー照射処理装置では、レーザー光を所定位置
で照射することから半導体ウエハの初期設定位置を定め
るレーザー光照射手段と、そのレーザー光の照射位置を
原点として予め定められた移動座標軸に基づいて半導体
ウエハをＸＹ方向に移動するＸＹステージと、当該半導
体ウエハの面上に予め設定されたウエハ座標軸とＸＹス
テージの移動座標軸とに応じて半導体ウエハのＸＹステ
ージ上における載置位置ズレ角度を求める半導体ウエハ
の載置位置ズレ検知手段とを備え、この半導体ウエハの
載置位置ズレ検知手段で求められる半導体ウエハの載置
位置ズレデータに応じてＸＹステージの移動座標軸を修
正するステージ移動補正手段と、その修正された移動座
標軸に基づいてＸＹステージを移動するＸＹステージの
移動量を測定するガラススケールと、このガラススケー
ルで測定されたＸＹステージの移動量を前記半導体ウエ
ハの載置位置ズレ検知手段で求められた半導体ウエハの
載置位置ズレデータにフィードバックさせて比較演算す
ることによるＸＹステージの移動調整手段とを具備する
ことにより構成されている。
で照射することから半導体ウエハの初期設定位置を定め
るレーザー光照射手段と、そのレーザー光の照射位置を
原点として予め定められた移動座標軸に基づいて半導体
ウエハをＸＹ方向に移動するＸＹステージと、当該半導
体ウエハの面上に予め設定されたウエハ座標軸とＸＹス
テージの移動座標軸とに応じて半導体ウエハのＸＹステ
ージ上における載置位置ズレ角度を求める半導体ウエハ
の載置位置ズレ検知手段とを備え、この半導体ウエハの
載置位置ズレ検知手段で求められる半導体ウエハの載置
位置ズレデータに応じてＸＹステージの移動座標軸を修
正するステージ移動補正手段と、その修正された移動座
標軸に基づいてＸＹステージを移動するＸＹステージの
移動量を測定するガラススケールと、このガラススケー
ルで測定されたＸＹステージの移動量を前記半導体ウエ
ハの載置位置ズレ検知手段で求められた半導体ウエハの
載置位置ズレデータにフィードバックさせて比較演算す
ることによるＸＹステージの移動調整手段とを具備する
ことにより構成されている。
作 用 このレーザー照射処理手段では、ＸＹステージの移動座
標軸をステージ移動補正手段で修正すると共に、その修
正された移動座標軸に基づいてＸＹステージをガラスス
ケールで移動量測定すると共に、半導体ウエハの載置位
置ズレデータにフィードバックさせて比較演算すること
によりＸＹステージの移動量を調整できるから、ＸＹス
テージを簡単な機構で移動制御できて半導体ウエハの所
定位置をレーザー照射処理することができる。
標軸をステージ移動補正手段で修正すると共に、その修
正された移動座標軸に基づいてＸＹステージをガラスス
ケールで移動量測定すると共に、半導体ウエハの載置位
置ズレデータにフィードバックさせて比較演算すること
によりＸＹステージの移動量を調整できるから、ＸＹス
テージを簡単な機構で移動制御できて半導体ウエハの所
定位置をレーザー照射処理することができる。
実施例 以下、添付図面を参照して説明すれば、次の通りであ
る。
る。
このレーザー照射処理装置は、例えば半導体ウエハにお
けるチップ部品の導電パターンをレーザー照射でトリミ
ングするレーザーカッターとして適用することができ
る。そのレーザーカッターにおいては、第１図で概略的
に示す如く顕微鏡１１とアダプター１２で接続されたレ
ーザー光の照射ヘッド３１を備え、このレーザー照射ヘ
ッド３１によるレーザー照射位置を原点とする真下にＣ
ＰＵ（中央処理装置）３のプログラムに応じまたはマニ
ュアル操作でＸＹ方向に移動するＸＹステージ２３ａ，
２３ｂを装備することにより構成されている。そのＸＹ
ステージ２３ａ，２３ｂによるステージ上にはマニュア
ル操作で回転するθステージ２３ｃが重ねて装備され、
これら各ステージ２３ａ，２３ｂ，２３ｃによるステー
ジ上に加工される半導体ウエハ１が載置されるようにな
っている。また、この半導体ウエハ１におけるチップ部
品の導電パターンは顕微鏡１１に接続されたテレビカメ
ラ１３からテレビモニター１４で観察するよう構成され
ている。
けるチップ部品の導電パターンをレーザー照射でトリミ
ングするレーザーカッターとして適用することができ
る。そのレーザーカッターにおいては、第１図で概略的
に示す如く顕微鏡１１とアダプター１２で接続されたレ
ーザー光の照射ヘッド３１を備え、このレーザー照射ヘ
ッド３１によるレーザー照射位置を原点とする真下にＣ
ＰＵ（中央処理装置）３のプログラムに応じまたはマニ
ュアル操作でＸＹ方向に移動するＸＹステージ２３ａ，
２３ｂを装備することにより構成されている。そのＸＹ
ステージ２３ａ，２３ｂによるステージ上にはマニュア
ル操作で回転するθステージ２３ｃが重ねて装備され、
これら各ステージ２３ａ，２３ｂ，２３ｃによるステー
ジ上に加工される半導体ウエハ１が載置されるようにな
っている。また、この半導体ウエハ１におけるチップ部
品の導電パターンは顕微鏡１１に接続されたテレビカメ
ラ１３からテレビモニター１４で観察するよう構成され
ている。
ＸＹステージ２３ａ，２３ｂには、ＸＹ軸スケールコン
トローラ２４ａ，２４ｂに接続されたガラススケール２
５ａ，２５ｂが夫々備え付けられている。そのＸＹ軸ス
ケールコントローラ２４ａ，２４ｂはファインステップ
ドライバー２１ａ，２１ｂとステップモーター２２ａ，
２２ｂによってＸＹステージ２３ａ，２３ｂを移動する
よう装備され、また、ガラススケール２５ａ，２５ｂは
移動されたステージ２３ａ，２３ｂの移動量を検出する
よう装備されている。そのＸＹステージ２３ａ，２３ｂ
の移動量は後述する如くＣＰＵ３にフィードバックする
べく、ガラススケール２５ａ，２５ｂがＣＰＵ３に接続
されている。ＣＰＵ３は入力用の操作パネル４、レーザ
ー電源３２、ＸＹ軸スケールコントローラ２４ａ，２４
ｂ、ＸＹ軸ファインステップドライバー２１ａ，２１ｂ
に夫々接続することにより所定のプログラムに基づいて
各々を制御するよう装備されている。
トローラ２４ａ，２４ｂに接続されたガラススケール２
５ａ，２５ｂが夫々備え付けられている。そのＸＹ軸ス
ケールコントローラ２４ａ，２４ｂはファインステップ
ドライバー２１ａ，２１ｂとステップモーター２２ａ，
２２ｂによってＸＹステージ２３ａ，２３ｂを移動する
よう装備され、また、ガラススケール２５ａ，２５ｂは
移動されたステージ２３ａ，２３ｂの移動量を検出する
よう装備されている。そのＸＹステージ２３ａ，２３ｂ
の移動量は後述する如くＣＰＵ３にフィードバックする
べく、ガラススケール２５ａ，２５ｂがＣＰＵ３に接続
されている。ＣＰＵ３は入力用の操作パネル４、レーザ
ー電源３２、ＸＹ軸スケールコントローラ２４ａ，２４
ｂ、ＸＹ軸ファインステップドライバー２１ａ，２１ｂ
に夫々接続することにより所定のプログラムに基づいて
各々を制御するよう装備されている。
このレーザーカッターでは、まず、半導体ウエハ１の切
断されるチップ部品の配列，サイズ，切断位置等のデー
タを操作パネル４からＣＰＵ３に入力し、その入力デー
タはＣＰＵ３に付設された出力手段で確認できるよう構
成されている。この入力されたデータに応じた半導体ウ
エハ１をＸ，Ｙ，θステージ２３ａ，２３ｂ，２３ｃに
よるステージ上に載置し、顕微鏡１１のピントを半導体
ウエハ１に合わせることにより半導体ウエハ１の画像を
テレビカメラ１３からテレビモニター１４に映し出す。
その映し出された半導体ウエハ１の画像に基づいてレー
ザー光の照射位置を原点とする所定の初期位置に当該半
導体ウエハ１を移動するべく、半導体ウエハ１のウエハ
座標軸となるチップ配列軸をＸＹステージ２３ａ，２３
ｂの移動座標軸に可能な限り一致させるよう各ステージ
２３ａ，２３ｂ，２３ｃをマニアル操作で移動する。
断されるチップ部品の配列，サイズ，切断位置等のデー
タを操作パネル４からＣＰＵ３に入力し、その入力デー
タはＣＰＵ３に付設された出力手段で確認できるよう構
成されている。この入力されたデータに応じた半導体ウ
エハ１をＸ，Ｙ，θステージ２３ａ，２３ｂ，２３ｃに
よるステージ上に載置し、顕微鏡１１のピントを半導体
ウエハ１に合わせることにより半導体ウエハ１の画像を
テレビカメラ１３からテレビモニター１４に映し出す。
その映し出された半導体ウエハ１の画像に基づいてレー
ザー光の照射位置を原点とする所定の初期位置に当該半
導体ウエハ１を移動するべく、半導体ウエハ１のウエハ
座標軸となるチップ配列軸をＸＹステージ２３ａ，２３
ｂの移動座標軸に可能な限り一致させるよう各ステージ
２３ａ，２３ｂ，２３ｃをマニアル操作で移動する。
その後、顕微鏡１１、アダプター１２、テレビカメラ１
３、テレビモニター１４から構成される角度ずれ検知手
段により、半導体ウエハ１のチップ配列軸とＸＹステー
ジ２３ａ，２３ｂの移動軸との角度ずれを検知し、この
結果を操作パネルよりＣＰＵ３に入力する。
３、テレビモニター１４から構成される角度ずれ検知手
段により、半導体ウエハ１のチップ配列軸とＸＹステー
ジ２３ａ，２３ｂの移動軸との角度ずれを検知し、この
結果を操作パネルよりＣＰＵ３に入力する。
続いて、ガラススケール２５ａ，２５ｂを含むＸ軸及び
Ｙ軸ファインステップドライバー２１ａ，２１ｂ、ステ
ップモーター２２ａ，２２ｂ、Ｘ及びＹステージ２３
ａ，２３ｂ、Ｘ軸及びＹ軸スケールコントローラ２４
ａ，２４ｂで構成された比較移動手段により、補正され
た切断位置データとＸＹステージの移動量とをガラスス
ケール２５ａ，２５ｂを用いたフィードバック方式で比
較しながら、半導体ウエハ１を所定の位置に正確に移動
する。
Ｙ軸ファインステップドライバー２１ａ，２１ｂ、ステ
ップモーター２２ａ，２２ｂ、Ｘ及びＹステージ２３
ａ，２３ｂ、Ｘ軸及びＹ軸スケールコントローラ２４
ａ，２４ｂで構成された比較移動手段により、補正され
た切断位置データとＸＹステージの移動量とをガラスス
ケール２５ａ，２５ｂを用いたフィードバック方式で比
較しながら、半導体ウエハ１を所定の位置に正確に移動
する。
その後に、レーザーヘッド３１、レーザー電源３２、Ｑ
スイッチ（図示せず）で構成されたレーザー照射手段で
照射されるレーザー光によりトリミング処理をチップの
所定なパターン部分に施す。このトリミング作業は、Ｃ
ＰＵ３に入力されたデータに基づいて必要なだけ繰り返
し行なうことができる。
スイッチ（図示せず）で構成されたレーザー照射手段で
照射されるレーザー光によりトリミング処理をチップの
所定なパターン部分に施す。このトリミング作業は、Ｃ
ＰＵ３に入力されたデータに基づいて必要なだけ繰り返
し行なうことができる。
その作業のフローチャートは第２図に示す通りであり、
この実施例においてはフローチャート中の二重線で囲ま
れている工程がマニュアル操作で行うよう設定されてい
る。また、このフローチャートは半導体ウエハ上の２mm
×２mmチップで４×４個を１ブロックとしてトリミング
処理するのに適用することができる。
この実施例においてはフローチャート中の二重線で囲ま
れている工程がマニュアル操作で行うよう設定されてい
る。また、このフローチャートは半導体ウエハ上の２mm
×２mmチップで４×４個を１ブロックとしてトリミング
処理するのに適用することができる。
ステージ上に載置された半導体ウエハ１が初期位置にセ
ットされても、半導体ウエハのチップ配列軸とＸＹステ
ージ２３ａ，２３ｂの移動座標軸の角度ずれが生ずる。
その半導体ウエハ１のチップ配列軸を与えるウエハ座標
とＸＹステージの移動座標軸に基づくステージ座標の関
係は第３図に示す通り２つの座標の角度ズレθ１，θ２
で求められ各角度ズレθ１，θ２はウエハ軸上の点Ｐ
１，Ｐ２をステージ座標によって読み取ることにより定
められる。その関係から、ステージ座標の原点がウエハ
座標の原点と一致するようにテレビモニター１４上に設
定し、点Ｐ１，Ｐ２のステージ座標での値を読み取れば
半導体ウエハ１の角度ずれを検知することができる。
ットされても、半導体ウエハのチップ配列軸とＸＹステ
ージ２３ａ，２３ｂの移動座標軸の角度ずれが生ずる。
その半導体ウエハ１のチップ配列軸を与えるウエハ座標
とＸＹステージの移動座標軸に基づくステージ座標の関
係は第３図に示す通り２つの座標の角度ズレθ１，θ２
で求められ各角度ズレθ１，θ２はウエハ軸上の点Ｐ
１，Ｐ２をステージ座標によって読み取ることにより定
められる。その関係から、ステージ座標の原点がウエハ
座標の原点と一致するようにテレビモニター１４上に設
定し、点Ｐ１，Ｐ２のステージ座標での値を読み取れば
半導体ウエハ１の角度ずれを検知することができる。
その角度ズレを補正する補正手段はＣＰＵ３で構成さ
れ、操作パネル４からＣＰＵ３に入力される点Ｐ１，Ｐ
２のステージ座標での値（Ｘ１，Ｙ１），（Ｘ２，Ｙ
２）は次の変換式（１）に基づいて反時計方向を正とす
るズレ角θに変換できる。
れ、操作パネル４からＣＰＵ３に入力される点Ｐ１，Ｐ
２のステージ座標での値（Ｘ１，Ｙ１），（Ｘ２，Ｙ
２）は次の変換式（１）に基づいて反時計方向を正とす
るズレ角θに変換できる。
変換式（１） Ｘ軸のズレ角 θＸ＝tan-1（Ｙ１／Ｘ１） Ｙ軸のズレ角 θＹ＝tan-1（Ｘ２／Ｙ２） ズレ角 θ＝（θＸ＋θＹ）／２ このようにしてズレ角θが求められると、次の変換式
（２）に基づいてウエハ座標上のデーターである切断位
置データー（ＸＷ，ＹＷ）をステージ座標での値
（ＸＳ，ＹＳ）に変換できる。
（２）に基づいてウエハ座標上のデーターである切断位
置データー（ＸＷ，ＹＷ）をステージ座標での値
（ＸＳ，ＹＳ）に変換できる。
変換式（２） ＸＳ＝ＸＷ・Cosθ＋ＹＷ・Sinθ ＹＳ＝−ＸＷ・Sinθ＋ＹＷ・Cosθ その変換によって、半導体ウエハ１のズレ角θに基づい
た半導体ウエハ上の切断位置データを補正することがで
きる。
た半導体ウエハ上の切断位置データを補正することがで
きる。
半導体ウエハ１の比較移動手段においては、上述した補
正手段によって切断位置データが補正されると、Ｘ軸，
Ｙ軸ファインステップドライバー２１ａ，２１ｂが移動
量をＣＰＵ３から受け、その移動信号が各ファインステ
ップドライバー２１ａ，２１ｂからステップモーター２
２ａ，２２ｂに送られることによりＸＹステージ２３
ａ，２３ｂが移動する。
正手段によって切断位置データが補正されると、Ｘ軸，
Ｙ軸ファインステップドライバー２１ａ，２１ｂが移動
量をＣＰＵ３から受け、その移動信号が各ファインステ
ップドライバー２１ａ，２１ｂからステップモーター２
２ａ，２２ｂに送られることによりＸＹステージ２３
ａ，２３ｂが移動する。
本装置のファインステップドライバーとしては分解能
０．２μｍ／PLUSEを持つものを適用できるが、ステー
ジ精度，モーター精度により全体としての分解能が低下
し、幅２μｍの導電パターン配線を正確に位置決めする
ことは困難な場合がある。このため、高精度に作成する
ことが可能なガラススケース２５ａ，２５ｂをＸＹステ
ージ２３ａ，２３ｂに備え付け、そのスケールの値をＸ
軸，Ｙ軸スケールコントローラ２４ａ，２４ｂで読み取
り、この値をＣＰＵ３にフィードバックさせて比較する
ことによりステージ移動の精度を上げることから±０．
５μｍの絶対位置決めを行えるようになる。なお、必要
な場合にはプログラム制御を解除し、ステージをマニュ
アルで動かすこともできる。また、この比較移動手段の
信号の流れは第４図で示す通りである。
０．２μｍ／PLUSEを持つものを適用できるが、ステー
ジ精度，モーター精度により全体としての分解能が低下
し、幅２μｍの導電パターン配線を正確に位置決めする
ことは困難な場合がある。このため、高精度に作成する
ことが可能なガラススケース２５ａ，２５ｂをＸＹステ
ージ２３ａ，２３ｂに備え付け、そのスケールの値をＸ
軸，Ｙ軸スケールコントローラ２４ａ，２４ｂで読み取
り、この値をＣＰＵ３にフィードバックさせて比較する
ことによりステージ移動の精度を上げることから±０．
５μｍの絶対位置決めを行えるようになる。なお、必要
な場合にはプログラム制御を解除し、ステージをマニュ
アルで動かすこともできる。また、この比較移動手段の
信号の流れは第４図で示す通りである。
レーザー照射手段では上述した移動機構による移動が終
了すると、ＣＰＵ３からレーザー電源３２に送られる信
号に応じてレーザーヘッド３１よりレーザーを照射し、
レーザーの真下に移動した切断点を切断することができ
る。そのレーザーとしては、ＹＡＧ（イットリウム・ア
ルミニウム・ガーネット）レーザーを用いることができ
る。そのレーザーで半導体ウエハ上のチップの周辺パタ
ーンを破壊せずに導電パターンを切断するためには半導
体ウエハ上でのレーザー加工径を５〜１０μｍにする必
要があるが、通常のレーザーでは加工径は最小２０μｍ
が限度であるから、本実施例ではＱスイッチ方式を採用
することによりレーザー加工径を７μｍまで絞ることが
行なわれている。このレーザーも必要な場合には、マニ
ュアルで作動させることができる。
了すると、ＣＰＵ３からレーザー電源３２に送られる信
号に応じてレーザーヘッド３１よりレーザーを照射し、
レーザーの真下に移動した切断点を切断することができ
る。そのレーザーとしては、ＹＡＧ（イットリウム・ア
ルミニウム・ガーネット）レーザーを用いることができ
る。そのレーザーで半導体ウエハ上のチップの周辺パタ
ーンを破壊せずに導電パターンを切断するためには半導
体ウエハ上でのレーザー加工径を５〜１０μｍにする必
要があるが、通常のレーザーでは加工径は最小２０μｍ
が限度であるから、本実施例ではＱスイッチ方式を採用
することによりレーザー加工径を７μｍまで絞ることが
行なわれている。このレーザーも必要な場合には、マニ
ュアルで作動させることができる。
なお、角度ズレ検知機構としては例えばパターン認識装
置等を用いることにより、全体の自動化を更に促進する
ようにできる。
置等を用いることにより、全体の自動化を更に促進する
ようにできる。
発明の効果 以上の如く、本発明に関るレーザー処理装置に依れば、
制御移動するステージ上に載置された半導体ウエハの角
度のズレを検知し、初期データの補正を行うと共にフィ
ードバックで移動値をチェックしながら半導体ウエハを
移動し、その半導体ウエハ上のチップをレーザ光でトリ
ミングするので、複雑な機構を用いずに高い位置決め精
度でトリミングすることができ、装置自体も簡略化する
ことができる。
制御移動するステージ上に載置された半導体ウエハの角
度のズレを検知し、初期データの補正を行うと共にフィ
ードバックで移動値をチェックしながら半導体ウエハを
移動し、その半導体ウエハ上のチップをレーザ光でトリ
ミングするので、複雑な機構を用いずに高い位置決め精
度でトリミングすることができ、装置自体も簡略化する
ことができる。
第１図は本発明の実施例に係るレーザー処理装置用の概
要を示す説明図、第２図は同装置によるトリミング工程
を示すフローチャート、第３図は同装置におけるウエハ
座標とステージ座標の関係を示す説明図、第４図は同装
置における比較移動機構の信号の流れを示すブロック図
である。 １：半導体ウエハ、１１，１２，１３，１４：角度ズレ
検知手段、２１ａ，２１ｂ、２２ａ，２２ｂ，２３ａ，
２３ｂ，２４ａ，２４ｂ、２５ａ，２５ｂ：比較移動手
段（２３ａ，２３ｂ：Ｘ，Ｙステージ、２５ａ，２５
ｂ：ガラススケール）、３：角度ずれ補正手段、３１，
３２：レーザー発生手段。
要を示す説明図、第２図は同装置によるトリミング工程
を示すフローチャート、第３図は同装置におけるウエハ
座標とステージ座標の関係を示す説明図、第４図は同装
置における比較移動機構の信号の流れを示すブロック図
である。 １：半導体ウエハ、１１，１２，１３，１４：角度ズレ
検知手段、２１ａ，２１ｂ、２２ａ，２２ｂ，２３ａ，
２３ｂ，２４ａ，２４ｂ、２５ａ，２５ｂ：比較移動手
段（２３ａ，２３ｂ：Ｘ，Ｙステージ、２５ａ，２５
ｂ：ガラススケール）、３：角度ずれ補正手段、３１，
３２：レーザー発生手段。
Claims (1)
- 【請求項１】レーザー光を所定位置で照射することから
半導体ウエハの初期設定位置を定めるレーザー光照射手
段と、そのレーザー光の照射位置を原点として予め定め
られた移動座標軸に基づいて半導体ウエハをＸＹ方向に
移動するＸＹステージと、当該半導体ウエハの面上に予
め設定されたウエハ座標軸とＸＹステージの移動座標軸
とに応じて半導体ウエハのＸＹステージ上における載置
位置ズレ角度を求める半導体ウエハの載置位置ズレ検知
手段とを備え、この半導体ウエハの載置位置ズレ検知手
段で求められる半導体ウエハの載置位置ズレデータに応
じてＸＹステージの移動座標軸を修正するステージ移動
補正手段と、その修正された移動座標軸に基づいてＸＹ
ステージを移動するＸＹステージの移動量を測定するガ
ラススケールと、このガラススケールで測定されたＸＹ
ステージの移動量を前記半導体ウエハの載置位置ズレ検
知手段で求められた半導体ウエハの載置位置ズレデータ
にフィードバックさせて比較演算することによるＸＹス
テージの移動調整手段とを具備してなることを特徴とす
るレーザー照射処理装置。
Priority Applications (1)
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|---|---|---|---|
| JP1011432A JPH066236B2 (ja) | 1989-01-20 | 1989-01-20 | レーザー照射処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
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|---|---|---|---|
| JP1011432A JPH066236B2 (ja) | 1989-01-20 | 1989-01-20 | レーザー照射処理装置 |
Publications (2)
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|---|---|
| JPH02192885A JPH02192885A (ja) | 1990-07-30 |
| JPH066236B2 true JPH066236B2 (ja) | 1994-01-26 |
Family
ID=11777920
Family Applications (1)
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|---|---|---|---|
| JP1011432A Expired - Lifetime JPH066236B2 (ja) | 1989-01-20 | 1989-01-20 | レーザー照射処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH066236B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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1989
- 1989-01-20 JP JP1011432A patent/JPH066236B2/ja not_active Expired - Lifetime
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH02192885A (ja) | 1990-07-30 |
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