JPS63158404A - 転写装置の位置合わせ装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は転写装置の位置合わせ装置に関する。

従来から転写装置としては、アライメント位置すなわち
アライメント光学系の基においてマスクとウェハとの相
対的なアライメントを行なった後、両者を互いにクラン
プして相対位置がずれないようにして露光位置すなわち
露光用光学系の基へ移動させるものと〜アライメント位
置と露光位置とを一致させアライメント終了後アライメ
ント光学系を退避させて露光を行なうものとがある。

しかしながら、前者にあってはウェハとマスクを露光位
置へ移動する際両者間に位置のずれが生じてもこれを容
易に補正できず、また後者にあってはアライメント光学
系を退避させる必要があることから、アライメント光学
系の機械的強度及び精度が不安定となる欠点がある。

これらの欠点はいわゆるステップアンドリピート方式の
露光システムにおいて顕著となる。ここにステップアン
ドリピート方式とはウェハサイズに比べて露光領域が小
さく設定され、ウェハ又はマスクを移動して小領域毎に
露光を行なうことによりウェハ全面に対する露光を行な
うものであるが、このステップアンドリピート方式にお
いて、前者にあってウェハ又はマスクがアライメント位
置と露光位置との間を複数回往復する必要があり、また
後者にあっても各領域の露光毎にアライメント光学系を
退避させる必要があるので、単位時間あたりの処理数、
いわゆるスループットがあげられないという問題が生じ
る。

また、近年より細い線幅のパターンをウェハ上に形成す
るため、可視光等による露光の他に、波長の極めて短い
Ｘ線による転写技術が研究されている。例えば、マスク
とウェハをわずかに離して配置したプロキシミティ方式
によりパターンを転写する際、ウェハに塗布されたレジ
ストの感度も含めてＸ線を照射する時間、いわゆる転写
時間が可視光等の露光時間よりも極めて長くなることが
問題になる。このようにＸ線で転写を行なう場合、Ｘ線
の線源とアライメント光学系は、当然離れた位置に配置
される。従って、先に述べたように、アライメント位置
でマスクとウェハの相対位置を調整して、露光位置すな
わちＸ線の照射位置までウェハとマスクをその相対位置
でクランプしたまま移動して、転写することになる。こ
の状態でウェハとマスクは長時間（例えば１〜１０分間
）Ｘ線の照射を受けるが、その間にウェハとマスクの相
対的な位置がウェハ装置ステージクランプ等の機械的な
変動によってずれてしまうことがある。

転写中に一端ずれてしまうと、ウェハ上にはもはや正確
に位置決めされたパターンが転写できない。

この結果、より細い線幅のパターンを転写するためにＸ
線を用いたことが十分に生かされないという欠点も生じ
ていた。

また後者の方式、即ちアライメント位置と露光位置とを
一致させ、アライメント光学系を挿脱させる方式におい
ても、アライメント時はともかく、露光時はアライメン
トの検出動作が行なわれないため、同様に機械的な変動
等によってマスクとウェハとの相対位置がずれることが
あった。

本発明はかかる事情を背景にして、マスクとウェハ（被
転写体）とを相対的にアライメントした後、そのアライ
メント時の相対位置が機械的なりランプ等を用いること
なく転写動作中も維持されるような位置合わせ装置を提
供することを目的としてなされたものである。

この目的を達成するために、本発明においては、マスク
と被転写体との相対的な位置を単一の光波干渉計で検出
−するようにした。即ち、マスクを保持する部材と被転
写物を保持する部材の夫々の一部に反射鏡を設け、両反
射鏡にレーザ光等のコヒーレントなビームを照射し、両
反射鏡からの反射ビームを単一の干渉計に入射し、再反
射ビームの光路長差を求めるように、した。

以下本発明の１つの実施例を図面を参照して説明する。

この実施例は、本発明の位置合わせ装置をプロキシミテ
ィ　（近接）露光装置に適用したものである。

第１図においてベース１゛上゛にはコラム２が軸受３を
介してＸ軸方向（同図中左右方向）に移動可能に載置さ
れ、コラム２はベース１上に固定されたモータ４によっ
て送りネジ４ａを介して駆動されるようになっている。

コラム２上にはベアリング、ローラ等の転動体６を介し
てｙ軸ステージ７がｙ軸方向（同図の紙面に垂直な方向
）に移動可能に載置され、コラム２に固定されたｙ軸モ
ータ８によって駆動されるようになっている。さらにｙ
軸ステージ７上にはＸ軸ステージ１１が転動体１２を介
してＸ軸方向に移動可能に載置され、ｙ軸ステージ７上
に固定されたＸ軸モータ１３によって駆動されるように
なっている。Ｘ軸ステージ１１上にはウェハ１５を装着
するためのウェハステージ１４が固定され、このウェハ
ステージ１４はウェハ１５自体のテーバを補正するとと
もにウェハ１５とマスク（後述）２５との間の間隙をだ
すためのレベリング機構、並びにＸ軸ステージ１１に対
するウェハ１５の回転方向の誤差を補正するためのウェ
ハオリエンテーション機構を有している。

上記コラム２は上方に延長部分２ａを有しており、当該
部分にはマスク２５を装着するためのマスクホルダ２１
およびマスク２５の装着時の回転誤差を補正するマスク
オリエンテーション機構２２が設けられ、マスクホルダ
２１はマスクオリエンテーション機構２２によってコラ
ムの延長部分２ａに対して、ｘ、ｙ軸ステージ１１．７
の各移動方向を含むｘ、ｙ軸平面内で回転可能とされて
いる。

上記Ｘ軸ステージ１１及びコラム延長部分２ａの端部に
はそれぞれＸ軸方向の位置検出用の平面反射ミラー２６
及び２７が取り付けられている。

なお、図示はしないが当該各端部にはそれぞれｙ軸方向
の位置検出用の平面反射ミラーも取り付けられている。

また上記コラム２の端部には測長用レーザ光源３１及び
レーザ光波干渉計３２が固定されている。

レーザ光源３１とＸ軸ステージ１１との間、並びに干渉
計３２とコラム２との間にはそれぞれハーフミラ−３３
及び反射ミラー３４が配置され、当該両ミラー３３．３
４の上方でミラー２７に対する位置には更に別の反射ミ
ラー３６が配置されている。レーザ光？Ｉｇ３１及び干
渉計３２はミラー２６とミラー２７との相対距離を求め
る測長回路３５に接続されている。レーザ光源３１から
のレーザビームの一部はハーフミラ−３３を透過して反
射ミラー２６で反射され、ミラー３３及び３４で下方及
び左方に反射されてレーザ干渉計３２に至る。一方ハー
フミラー３３で反射されたレーザビームの残部はミラー
３６で右方に、ミラー２７で左方に反射され、再びミラ
ー３６で下方に、ミラー３４で左方に反射されて干渉計
３２に至る。

そして測長回路３５におＧ＼て双方の入射光を比較する
ことによってＸ軸ステージ１１とコラムすなわちウェハ
１５とマスク２５との相対距離を求め、求められた距離
値は制御装置５０に入力される。

ウェハ１５とマスク２５の相対距離は、Ｘ軸方向につい
てもｙ軸方向についても同様に行なわれる。

従って測長回路の出力信号は、ミラー２６とミラー２７
のＸ軸方向の相対的な距離（例えばミラー２６を基準と
したミラー２７までの距離）に応じた値であり、このこ
とはウェハ１５とマスク２５のＸ軸方向の相対距離を意
味する。また、ｙ軸方向についても同様の測長回路で相
対距離が求められるから、結局ウェハ１５とマスク２５
の相対的な２次元位置（例えばマスク２５に対するウェ
ハ１５の座標値）が測定される。

一方、マスクホルダ２１の上方でベース１と一体になっ
ているベース４１には、マスク２５とウェハ１５の各々
に設けられた位置合わせ用のマークを観察するためのア
ライメント光学系４０が固定されており、その観察光は
側方に設けられたマーク検出部４２に入力して各マーク
の位置を表わす電気信号に変換される。そして、位置ず
れ処理部４３は、その電気信号の入力に基づいてウェハ
１５とマスク２５の各マークのずれの方向及びずれ量を
検知して、両マークのずれに応じた信号を発生する。従
ってこの信号はマスク２５とウェハ１５のずれ量を表わ
す。

ここで上記マーク検出部４２及び位置ずれ処理部４３に
よって扱われるウェハ１５及びマスク２５上のマークの
一例について第２図を基に説明する。第２図に示すよう
に、マスク２５上には、所定の間隔だけ離れたマークＭ
、Ｍ’を設け、ウェハ１５上にはマークＭＳＭ’に挟み
込まれるような矩形状のマークＷを設ける（尚、図中各
マークの斜線部は例えば光を反射する反射部とする。）
そして前述のように、アライメント光学系４０によって
このマークＭ、Ｍ’とマークＷを同時に観察し、マーク
検出部４２として例えばレーザスポットを第２図中矢印
Ｓのように走査して、各マークからの反射光を光電検出
する。このときマーク検出部４２は例えば各マークのと
ころでハイレベルの信号を、その間隔部ａＳｂのところ
ではローレベルの信号を発生する。この信号の入力に基
づいて、位置ずれ処理部４３は間隔部ａ、ｂの大きさを
検出して、マークＭ、Ｍ’とマークＷのずれの方向とそ
の量に応じた信号を発生する。またマーク検出部４２と
して、ＩＴＶの如き画像入力装置を用いて、その画像走
査信号によってマークのずれを求めてもよい。

尚、ウェハ１５及びマスク２５上の各マークは、例えば
第４図のように設けられている。ウェハ１５上の複数の
転写領域には各ステージ１１．７の移動方向ｘ、ｙに対
して位置合わせできるように、１つの転写領域Ｐについ
て２つのマークＷｘ、ｗｙが設けられる。もちろん回路
パターンを描画した領域Ｑを有するマスク２５上にも対
応した２ツノマ一クＭ　Ｍ　’　ｘ　ｓ　Ｍ　Ｍ　’　
ｙが設けられる。本装置の場合、マスク２５に対してウ
ェハ１５がＸｙ平面内を移動し、各転写領域においてマ
ークＭＭ’ｘとマークＷｘ及びマークＭＭ′ｙとマーク
ｗｙを各々一致すなわち重ね合わせた状態で転写を行な
う。このようにマークＭＭ’とマークＷとを合わせるこ
とによって、マスク２５のパターンは領域Ｐ中に例えば
第１回目の転写により形成されたパターンと整合する。

再び第１図に戻り、ベース４１にはアライメント光学系
４０に対してコラム２の移動方向に沿って離れた位置に
転写のための可視光線やＸ線の如きエネルギー線を発生
する光源４６が設けられている。光源４６は駆動部４７
によってウェハ１５への光線、Ｘ線等の照射が制御され
る。駆動部４７には例えば光線等が通るアパーチャを遮
光するシャッター制御回路等が含まれる。上記位置ずれ
処理部４３、測長回路３５は制御装置５ｏに接続され、
この制御装置５０はモータ４．８及び１３、駆動部４７
に接続されている。この制御装置５０は、所定の制御及
びデータの転送や蓄積を行なう計算機５１の指令に基づ
いて各部の駆動及び状態検出等の制御を行なうものであ
る。

第３図は制御装置５ｏについて詳しく説明するためのブ
ロック図である。制御装置５ｏについては、Ｘ軸、ｙ軸
ステージ１１．７を駆動するための構成のみについてブ
ロック図として示しである。

位置ずれ処理部４３で発生したウェハ１５とマスク２５
とのＸ軸方向のずれ量に応じた信号り、、測長回路３５
によって測定されるマスク２５とウェハ１５のＸ軸方向
での相対距離に応じた信号Ｉ）２、マスク２５とウェハ
１５のｙ軸方向でのずれ量に応じた信号り、及びｙ軸方
向での相対距離に応じた信号Ｄ４は演算処理回路１ｏｏ
に入力する。

この演算処理回路ｌＯＯは計算機５１と位置合わせに関
する情報をやり取りしたり、信号り８、Ｄ３の入力に基
づいてマスク２５とウェハ１５のＸ軸、ｙ軸方向のずれ
量が所定値以下になるようにサーボ制御するための信号
をモータ８．１３の各々の駆動回路１０１．１０２に出
力したり、信号Ｄ２、Ｄ、の入力に基づいてマスク２５
とウェハ１５のＸ軸、ｙ軸方向の相対距離の値をＸメモ
Ｉ７１０３、Ｙメモリ１０４に各々格納したり又は読み
出したりする動作を制御する。尚、Ｘメモリ１０３とＹ
メモＪ）　１０４は計算機５１の内部のメモリとしても
よいことは言うまでもない。

次に本実施例の作動について第１及び第３図により説明
する。

まず、駆動モータ４によってコラム２を移動させ、マス
ク２５をアライメント光学系４ｏの下方に位置決めする
。次に、アライメント光学系４゜を用いてマスク２５と
ｘＳｙ軸ステージ１１．７のｘｙ方向に対する回転ずれ
を補正する。この補正は例えばマスク２５上の２ケ所に
設けた専用のマークを観察してオリエンテーション機構
２２によって行なう。これによってマスクパターンがウ
ェハ１５に対して斜めに焼き付けられることが防止され
る。

次にウェハステージ１４上にウェハ１５をセットし、ウ
ェハ１５とマスク２５との間隙（ギャップ）の調整を行
なう。このギャップの設定は、図示はされていないが、
近接センサ等を用いて行なう。

続いて、第２図で示したようにマスク２５上の少なくと
も２ケ所に設けられたマークＭＭ’とウェハ１５上の対
応する２ケ所に設けられたマークＷとがその２ケ所でほ
ぼ一敗するようにＸ軸ステージ１１及びｙ軸ステージ７
をそれぞれモータ１３．８によって移動させる。そして
、ウェハ１５のマスク２５に対する回転ずれをアライメ
ント光学系４０、マーク検出部４２及び位置ずれ信号処
理部４３によって検出し、ウェハステージ１４上のオリ
エンテーション機構によってウェハ１５を回転させてこ
のずれを補正する。

次にＸ軸、ｙ軸ステージ１１．７を移動して、ウェハ１
５上の複数の転写領域毎にマスク２５の位置合わせを行
なう。このために計算機５１は、１回目に焼き付けたウ
ェハ１５の各領域におけるマスク２５との相対位置を測
長回路３５からの信号Ｄ２と信号Ｄ４を演算回路１００
を介して各領域に対応した２次元的な位置として予め記
憶している。尚、予め計算機５１に記憶された複数の２
次元的な位置を以後指定位置とする。まず、ウェハ１５
上の１つの領域に対して、計算機５１は対応する指定位
置の情報を演算処理回路１００へ出力する。このとき演
算処理回路１００は、測長回路３５の信号Ｄｔ及び信号
Ｄ４に基づいて、マスク２５とウェハ１５の相対的な位
置が指定位置と等しくなるように駆動回路１０１，１０
２を制御　　。

する。これによりマスク２５のパターンはウェハ１５の
１つの転写領域中に形成されたパターンとほぼ整合する
訳であるが、ウェハ１５を＠”ｌしたときに微小なずれ
があると、この指定位置において完全な整合がなされて
いるとは限らない。

その指定位置において、マスク２５のマークＭＭ’とウ
ェハ１５のマークＷとをアライメント光学系４０により
同時観察して、マーク検出部４２と位置ずれ処理部４３
によってウェハ１５の一マスク２５に対する位置ずれ里
を検出し、このずれ量に対応した信号り、　、ＤＩによ
って制御装置５０の駆動回路１０１．１０３を制御し、
ステージ１１．７を移動させてＸ軸方向及びｙ軸方向の
位置ずれ量が零となるようにサーボをかける。そしてウ
ェハ１５とマスク２５との位置ずれ量が予め設定されて
いた許容値例えば第２図で示した間隔ａ、ｂがほぼ等し
くなった時点で、測長回路３５で読み取ったステージ１
１．７のその時のステージ位置の情報すなわち信号Ｄ２
、Ｄ４は演算処理回路１００を介して、信号Ｄ２はＸメ
モリ１０３にＸｌとして、信号Ｄ４はＹメモリ１０４に
Ｙ、として記憶される。すると計算機５１は次の指定位
置に関する情報を演算処理回路１００に出力して、上述
の動作がくり返される。

上記の操作は、計算機５１内に予め記ｔαされていたス
テージ１１．７の指定位置情報のすべてに対して繰り返
され、各指定位置に対してマークＭＭ’、マークＷによ
って正確に求められたＸ軸ステージ１１とｙ軸ステージ
７との相対的な位置はＸメモリ１０３及びＹメモリ１０
４内に、順次（Ｘｚ　、Ｙｚ　）、（Ｘｉ　、Ｙｌ　）
　−ｍ−として記憶される。尚、各メモリＩＱ３．１０
４中に記憶された位置情報は、ウェハ１５上の各領域に
対応した整合位置と呼ぶことにする。

以上のようにして、マスク２５に対するＸ軸ステージ１
１及びｙ軸ステージ７のすべての整合位置が各メモリ１
０３．１０４に記憶されたならば、モータ４によりコラ
ム２が移動されて、マスク２５は光源４６の下方に位置
決めされる。

次に計算ｉ５１は転写開始の指令を演算処理部１００に
出力する。この指令に基づいて、各メモリ１０３．１０
４°中に記憶された整合位置の情報のうち、いずれか１
つ、例えば（Ｘ＋　、Ｙｌ　）が演算処理部１００に取
り込まれる。そして、演算処理部１００は信号Ｄ２、Ｄ
４と整合位置の情報（×１、Ｙｌ）を比較して、例えば
その差が零になるようにＸ軸、ｙ軸ステージ１１７を移
動させる駆動回路１０１１０２を制御する。すなわち、
情報（Ｘ　＋　、Ｙ　ｔ　）を基準値として、ウェハ１
５とマスク２５の相対的な位置が常にこの基準値と一致
するように制御される。従って、各ステージ１１．７や
その送り機構に何らかの原因で機械的な変動が生じても
、ウェハ１５とマスク２５の相対的な位置は常に整合位
置に維持される。

こうして、ウェハ１５上の１つの領域にマスク２５のパ
ターンが整合すると、計算機５１は制御装置５０を介し
て光源４６の駆動部４７へ、転写用照明光又はエネルギ
ー線の照射開始の指令を発する。そして所定時間、マス
ク２５上へ照射することによってウェハ１５上の１つの
領域にパターンが転写される。尚、転写中は、常に駆動
回路１０１．１０２が働いて、整合位置を保ち続ける。

その後、光源４６の照射は中止され、Ｘメモリ１０３、
Ｙメモリ１０４から次の整合位置の情報（Ｘｚ　、Ｙｚ
　）が演算処理回路１００に取り込まれる。そして前述
のように各ステージ１１．７を移動して、ウェハ１５上
の次の領域に同様にマスク２５のパターンを転写する。

このようにして、各メモリ１０３．１０４中に記憶され
た各整合位置の情報に基づいて、ウェハ１５上の各領域
中のパターンにマスク２５のパターンが整合されて順次
転写される。

以上述べた本発明の実施例による位置合わせ装置におい
て、各整合位置を求めて記憶する際、指定位置の近傍で
各ステージ１１．７を移動して、例えばＸ方向に対して
第４図に示すマークＭＭ’ＸとマークＷｘとが一致した
ことを光電的に検出してパルス信号を発生するようにマ
ーク検出部４２を構成する。そして、演算処理回路ｌｏ
ｏがこのパルス信号を受けたとき、測長回路３５の信号
Ｄ２をＸメモリ１０３に記憶するようにしてもよい。

もちろんｙ方向に対しても同様である。

第５図は、本発明による位置合わせ装置を用いた他の転
写装置の構成を示す説明図である。第１図の構成と異な
る点は、マスク２５の位置をベース１に対して不動とし
、アライメント光学系４ｏ、光源４６をベース４１に対
して移動可能としたことである。このために、アライメ
ント光学系４゜と光源４６を空間的に干渉しないように
マウント６１に固定するマリントロ１は、ベース４１に
固定された軸受６３．６４によって懸架される送りネジ
６２により第５図中左右方向に移動する。この移動は、
第１図に示したモータ４と同様の働きをするモータ６５
によって制御される。一方マス　′り２５を保持するマ
スクホルダ２１及びマスクオリエンテーション機構２２
は、ベース１と一体になったアーム６０に取り付けられ
る。そしてＸ軸、ｙ軸ステージ１１．７はベースｌに対
して２次元移動する。尚、その他の構成について、第１
図と同じであるから説明を省略する。

また、マーク検出部４２、光源４６の駆動部４７、モー
タ８．１３等の制御についても、第１及び第３図に示し
た制御系がそのまま使われる。

この場合の位置合わせ動作は前述の説明と同じであるが
、異なる点は、ウェハ１５への転写時は、制御装置５０
が第１図で示したモータ４のがわりに、モータ６５を駆
動するように制御することである。

本例のように転写装置を構成することにより、機械的な
安定性を要求されるＸ軸、ｙ軸ステージ１１．７をコラ
ム２に載せる必要がなくなるので、機械的な強度及び安
定性等が十分に高いステージを使うことができる。その
結果位置合わせ精度が向上するという利点も生じる。

以上述べた実施例によれば、ウェハ１５への露光時のた
びにアライメント光学系を退避させる必要がなく、アラ
・イメント光学系の機械的安定性を上げることができ、
またアライメント位置から転写位置へ移動する際のマス
ク２５とウェハ１５との位置ずれは、露光時においてレ
ーゼ干渉計の分解能程度にすることができる。アライメ
ント光学系４０と光源４６とが分離されているので両者
が干渉することはな（、各々に十分な機械的余裕をもた
せて高精度の光学系を形成することができ、さらにアラ
イメント時及び露光時のスループソトをあげることがで
きる。

また、転写装置のその他の構成として、第５図のように
ベース１上にＸ軸、ｙ軸ステージ１１・７を載せ、アラ
イメント光学系４０のみを同図中水平方向に移動可能に
すると共に、光源４６はマスク２５の上方に上下動可能
に配置する。そしてアライメント光学系４０を用いると
きには、光源４６を上方へ退避させ、転写の際にはアラ
イメント光学系４０を水平方向に退避させて光源４６を
下方の所定位置まで移動させるようにすることもできる
。さらに、その他の露光装置、例えばステップアンドリ
ピート式の投影型露光装置にも利用できるのは言うまで
もない。

以上述べたように、本発明によれば、マスクと被転写体
との相対的な位置ずれが単一の干渉計によって直接検出
される。そのため、マスクと被転写体との位置合わせ状
態を、単一の測長出力のみに基づいて高精度にモニタす
ることができ、極めて簡単な構成で露光転写動作中に生
じる位置ずれを皆無にすることができる効果が得られる
。このため、ＩＣ等の半導体装置の製造において、より
細い線幅のパターンを歩留りよく管理できる。また、こ
の干渉計の測長出力に基づいて、マスク又は被転写体を
保持する部材をサーボ制御するようにすれば、たとえマ
スクや被転写体の絶対的な位置が微動しても、相対的な
位置関係は全くずれることがない、このため、転写動作
中に発生した装置の振動等によるパターン振れ等が低減
され、極めて解像力の高いパターン転写が可能となる。

さらに転写動作中にマスクと被転写体とを同時観察でき
ないアライメント系を持った装置においては、転写時間
が長時間に及んだ場合でも正確な解像力が保証されると
いう効果もある。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例を示す説明図、第２図はウェ
ハマーク及びマスクマークを示す断面図、第３図は制御
装置（５０）のブロック図、第４図はウェハマーク及び
マスクマークを示す斜視図、第５図は本発明の別の実施
例を示す第１図に対応する説明図である。 〔主要部分の符号の説明〕

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、マスクに形成されたパターンを被転写体の表面の所
   定領域に位置合わせして転写する装置において、 前記マスクを保持する第１保持手段と；前記被転写体を
   保持する第２保持手段と；前記第１保持手段の一部に設
   けられた第１反射部材と；前記第２保持手段の一部に設
   けられた第２反射部材と；前記第１反射部材と第２反射
   部とにコヒーレントなビームを射出する光源と；該ビー
   ムの前記第１反射部材からの反射ビームと前記第２反射
   部材からの反射ビームとを入射する単一の光波干渉計と
   ；を有し、該光波干渉計の計測出力に基づいて、前記マ
   スクと前記被転写体との位置合わせ状態を検知すること
   を特徴とする位置合わせ装置。 ２、前記第２保持手段は、前記被転写体表面の複数の所
   定領域の各々に前記マスクのパターンを転写するために
   、ステップアンドリピート方式のステップ移動を行なう
   とともに、前記所定領域と前記パターンとの位置合わせ
   のための微動を行なう移動ステージから成り、前記光波
   干渉計は、前記移動ステージのステップ移動時と、微動
   時とで共通に使われることを特徴とする特許請求の範囲
   第１項記載の位置合わせ装置。