JPH0659283A - Tft−lcdの検査方法及びその装置 - Google Patents
Tft−lcdの検査方法及びその装置Info
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- JPH0659283A JPH0659283A JP13379693A JP13379693A JPH0659283A JP H0659283 A JPH0659283 A JP H0659283A JP 13379693 A JP13379693 A JP 13379693A JP 13379693 A JP13379693 A JP 13379693A JP H0659283 A JPH0659283 A JP H0659283A
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- lcd
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- Testing Of Short-Circuits, Discontinuities, Leakage, Or Incorrect Line Connections (AREA)
- Testing Electric Properties And Detecting Electric Faults (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 TFT−LCDにおける個々のTFTの接続
関係、ゲート線、データ線自体の接続状態、ゲート線
間、データ線間のショートの有無等を、簡便且つ迅速に
検査できる方法及び装置を提供することを目的とする。 【構成】 TFTを使用したアクティブカラー−LCD
において、TFTをONとして、LCDのセルコンデン
サーにデータラインを通じて充電を行い、次に、TFT
をOFFの状態として当該充電状態を保持した後、再度
TFTをONとして、TFTのソース及びドレインを通
じて、アース側に接続している抵抗を通して放電を行
い、且つ放電における電流波形又は電圧波形によって、
TFT−LCDの機能、配線の接続状態が正常であるか
否かを判断するTFT−LCDの検査方法及びこれを実
現する装置
関係、ゲート線、データ線自体の接続状態、ゲート線
間、データ線間のショートの有無等を、簡便且つ迅速に
検査できる方法及び装置を提供することを目的とする。 【構成】 TFTを使用したアクティブカラー−LCD
において、TFTをONとして、LCDのセルコンデン
サーにデータラインを通じて充電を行い、次に、TFT
をOFFの状態として当該充電状態を保持した後、再度
TFTをONとして、TFTのソース及びドレインを通
じて、アース側に接続している抵抗を通して放電を行
い、且つ放電における電流波形又は電圧波形によって、
TFT−LCDの機能、配線の接続状態が正常であるか
否かを判断するTFT−LCDの検査方法及びこれを実
現する装置
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、アクティブマトリクス
カラー−LCDとして使用されているTFT−LCDの
検査を行う為の方法及びこれを使用する装置に関するも
のである。
カラー−LCDとして使用されているTFT−LCDの
検査を行う為の方法及びこれを使用する装置に関するも
のである。
【0002】
【従来の技術】近年液晶によるカラー表示としては、ア
クティブマトリックス型LCDが大勢を占めているが、
これは、一定の短い期間だけ液晶に必要な信号を書き込
み、それ以外の期間は、液晶に対する入力回路のゲート
を開いた状態として信号を保持し、液晶はいわばダイナ
ミックメモリーとしての機能を果たす点に特徴がある。
クティブマトリックス型LCDが大勢を占めているが、
これは、一定の短い期間だけ液晶に必要な信号を書き込
み、それ以外の期間は、液晶に対する入力回路のゲート
を開いた状態として信号を保持し、液晶はいわばダイナ
ミックメモリーとしての機能を果たす点に特徴がある。
【0003】そして、上記のような信号を書き込むため
の必要な期間だけゲートを閉じ、その余の時間はゲート
を開いた作動を行うために、TFT(Thin Fil
mTransistor)即ち電界効果型トランジスタ
(FET)が通常使用されている。
の必要な期間だけゲートを閉じ、その余の時間はゲート
を開いた作動を行うために、TFT(Thin Fil
mTransistor)即ち電界効果型トランジスタ
(FET)が通常使用されている。
【0004】そして、最近の液晶を使用したカラーディ
スプレイ装置において、アクティブマトリックス方式の
中では、TFT−LCDを使用している方式が増大して
いる。
スプレイ装置において、アクティブマトリックス方式の
中では、TFT−LCDを使用している方式が増大して
いる。
【0005】TFT−LCDの概略は、図1に示す通り
であるが、1枚の液晶ディスプレイ装置における画素が
多数であるため、各画素に対応して配置されたTFT
4、及びそのゲート線3、データ線5もまた極めて多数
となる。
であるが、1枚の液晶ディスプレイ装置における画素が
多数であるため、各画素に対応して配置されたTFT
4、及びそのゲート線3、データ線5もまた極めて多数
となる。
【0006】これらのTFTの機能,TFT4とデータ
線5又はゲート線3との接続関係、更には、ゲート線
間、データ線間の関係が常に正常であるとは限らない。
線5又はゲート線3との接続関係、更には、ゲート線
間、データ線間の関係が常に正常であるとは限らない。
【0007】従って、これらの状態が正常であるか否か
を事前に検査することが、液晶ディスプレイ装置におい
ては不可欠である。
を事前に検査することが、液晶ディスプレイ装置におい
ては不可欠である。
【0008】にも拘らず、従来TFT−LCDにおける
前記の点に関する効率的な検査方法は確立されておら
ず、このため前記の点について事前の検査を行わずにT
FT−LCDの装置を組立てるか、又はせいぜい1個1
個のTFTについて、その周囲の接続線との関係をチェ
ックするのが、これまでの大勢であった。
前記の点に関する効率的な検査方法は確立されておら
ず、このため前記の点について事前の検査を行わずにT
FT−LCDの装置を組立てるか、又はせいぜい1個1
個のTFTについて、その周囲の接続線との関係をチェ
ックするのが、これまでの大勢であった。
【0009】他方、液晶セルコンデンサー(及びこれと
並列に接続された補助用コンデンサー)に、TFTによ
るON、OFFをコントロールしながら、データ線から
の電圧入力によって蓄電を行い、その放電をさせたうえ
で、放電による荷電量を以って上記の各点の接続関係が
正常であるか否かを判断する方法も提唱されている。
並列に接続された補助用コンデンサー)に、TFTによ
るON、OFFをコントロールしながら、データ線から
の電圧入力によって蓄電を行い、その放電をさせたうえ
で、放電による荷電量を以って上記の各点の接続関係が
正常であるか否かを判断する方法も提唱されている。
【0010】しかしながら、荷電量を測定するためには
別途測定用の積分器(実際には積分用コンデンサー)及
び、これに関する測定器具を別途設けることが必要とな
る。
別途測定用の積分器(実際には積分用コンデンサー)及
び、これに関する測定器具を別途設けることが必要とな
る。
【0011】しかし、別途測定用の積分器及びこれに関
する測定器具を設けることは極めて煩雑であり、また検
査を行なううえでの経済効率に反する。
する測定器具を設けることは極めて煩雑であり、また検
査を行なううえでの経済効率に反する。
【0012】
【発明が解決を必要とする課題】本発明は、TFT−L
CDにおいて、積分用コンデンサー及びこれに関する測
定器具を設けることなしに、前記の各点が正常であるか
否かを、簡便且つ効率的に検査できる方法及びそのため
の装置を提供することを目的としている。
CDにおいて、積分用コンデンサー及びこれに関する測
定器具を設けることなしに、前記の各点が正常であるか
否かを、簡便且つ効率的に検査できる方法及びそのため
の装置を提供することを目的としている。
【0013】
【課題を解決するための手段】上記の如き課題を解決す
るため、本発明の構成は、TFTを使用したアクティブ
カラーLCDにおいて、TFTをONとして、LCDの
セルコンデンサーにデータラインを通じて充電を行い、
次に、TFTをOFFの状態として当該充電状態を保持
した後、再度TFTをONとして、TFTのソース及び
ドレインを通じて、アース側に接続している抵抗を通し
て放電を行い、且つ放電における電流波形又は電圧波形
によって、TFTの機能、更には配線の接続状態が正常
であるか否かを判断するTFT−LCDの検査方法から
なり、
るため、本発明の構成は、TFTを使用したアクティブ
カラーLCDにおいて、TFTをONとして、LCDの
セルコンデンサーにデータラインを通じて充電を行い、
次に、TFTをOFFの状態として当該充電状態を保持
した後、再度TFTをONとして、TFTのソース及び
ドレインを通じて、アース側に接続している抵抗を通し
て放電を行い、且つ放電における電流波形又は電圧波形
によって、TFTの機能、更には配線の接続状態が正常
であるか否かを判断するTFT−LCDの検査方法から
なり、
【0014】またその為の装置として、TFTのソース
側と接続されている抵抗を導通する電流又は、当該抵抗
の両端における電圧の波形を検出する波形検出器を備え
たことによる検査装置からなる。
側と接続されている抵抗を導通する電流又は、当該抵抗
の両端における電圧の波形を検出する波形検出器を備え
たことによる検査装置からなる。
【0015】
【発明の作用】図2に従って、本発明の基本原理を説明
する。
する。
【0016】図2は、本願発明における1個の液晶セル
の容量及びTFTがアレイの場合において附加される補
助容量によるセルコンデンサーCs(実際には、TFT
がアレイの段階では、附加された補助容量自体がセルコ
ンデンサーCsを構成し、液晶が各セルに封入された後
には、該補助容量と、液晶セル自身が有する容量とが、
セルコンデンサーCsを構成することになる。)と、こ
れにドレイン側を介して接続されるTFT及びTFTの
ソース側に接続されるデータ線、TFTのゲート側に接
続されているゲート線を示すほか、TFTのソース側と
接続されている抵抗Rgとデータ線との間に介在する第
1スイッチSd,抵抗Rgを導通する電流の波形を検査
する検査装置11及び抵抗Rgと該検査装置との間に介
在する第2スイッチSrが示されている。
の容量及びTFTがアレイの場合において附加される補
助容量によるセルコンデンサーCs(実際には、TFT
がアレイの段階では、附加された補助容量自体がセルコ
ンデンサーCsを構成し、液晶が各セルに封入された後
には、該補助容量と、液晶セル自身が有する容量とが、
セルコンデンサーCsを構成することになる。)と、こ
れにドレイン側を介して接続されるTFT及びTFTの
ソース側に接続されるデータ線、TFTのゲート側に接
続されているゲート線を示すほか、TFTのソース側と
接続されている抵抗Rgとデータ線との間に介在する第
1スイッチSd,抵抗Rgを導通する電流の波形を検査
する検査装置11及び抵抗Rgと該検査装置との間に介
在する第2スイッチSrが示されている。
【0017】図2の回路に対し、図3に示すようなゲー
ト電圧VG,及びデータ電圧VDを印加し、当初スイッ
チSdをONの状態とした場合には、セルコンデンサー
Csは、データ電圧VDによってゲート電圧VGのパル
ス電圧が存在する期間中充電される。
ト電圧VG,及びデータ電圧VDを印加し、当初スイッ
チSdをONの状態とした場合には、セルコンデンサー
Csは、データ電圧VDによってゲート電圧VGのパル
ス電圧が存在する期間中充電される。
【0018】尚、第1スイッチSdをONとしている期
間では、第2スイッチSrはOFFとしている。これ
は、データ電圧VDを検査装置11によって測定する必
要がないからである。
間では、第2スイッチSrはOFFとしている。これ
は、データ電圧VDを検査装置11によって測定する必
要がないからである。
【0019】次に、ゲート電圧VGのパルスの導通期間
を過ぎて、TFTがOFFとなった段階では、TFTの
ソース及びドレイン間の抵抗は、TFTがゲート電圧V
GによってONの場合に比し105ないし106倍の大
きさとなるので、セルコンデンサCsに充電された電荷
はせいぜい漏洩によって順次減少する程度であって、充
電された状態は維持される。
を過ぎて、TFTがOFFとなった段階では、TFTの
ソース及びドレイン間の抵抗は、TFTがゲート電圧V
GによってONの場合に比し105ないし106倍の大
きさとなるので、セルコンデンサCsに充電された電荷
はせいぜい漏洩によって順次減少する程度であって、充
電された状態は維持される。
【0020】次に、再びゲート電圧VGのパルスの導通
によってTFTのソースとドレインとの間がONとなっ
たときに、第1スイッチSdをOFFとし、該ドレイン
と波形検査器との間に介在するスイッチSrをONとし
た場合には、セルコンデンサCsに蓄電された電荷は、
ドレイン及びソースに接続された抵抗Rgを通じて放電
されることになる。
によってTFTのソースとドレインとの間がONとなっ
たときに、第1スイッチSdをOFFとし、該ドレイン
と波形検査器との間に介在するスイッチSrをONとし
た場合には、セルコンデンサCsに蓄電された電荷は、
ドレイン及びソースに接続された抵抗Rgを通じて放電
されることになる。
【0021】尚、第1スイッチSdをOFFとするの
は、放電電流によって、データ電源側に、不要なアクシ
デントを生じさせない為であるが、第1スイッチS
dは、本発明の製造の不可欠な構成要素ではない。
は、放電電流によって、データ電源側に、不要なアクシ
デントを生じさせない為であるが、第1スイッチS
dは、本発明の製造の不可欠な構成要素ではない。
【0022】但し、抵抗Rgは、TFT−LCDが製造
途中の段階で、各端子にガードリングが接続されている
場合には、各TFTのドレインと、ガードリングを含め
たアース間の抵抗であり、またガードリングを外した場
合には、検出器11側における測定の便宜のために、人
為的に接続された抵抗であって、通常TFTがONとな
っている場合のソースとドレインとの間の抵抗
(Ron)100分の1以下の程度に設計されている抵
抗である。
途中の段階で、各端子にガードリングが接続されている
場合には、各TFTのドレインと、ガードリングを含め
たアース間の抵抗であり、またガードリングを外した場
合には、検出器11側における測定の便宜のために、人
為的に接続された抵抗であって、通常TFTがONとな
っている場合のソースとドレインとの間の抵抗
(Ron)100分の1以下の程度に設計されている抵
抗である。
【0023】第2スイッチSrをONとすることによっ
て、放電に基づく電流又は電圧は波形検査装置によって
キャッチされるが、第2スイッチSrも又本発明の不可
欠な構成要素ではない。
て、放電に基づく電流又は電圧は波形検査装置によって
キャッチされるが、第2スイッチSrも又本発明の不可
欠な構成要素ではない。
【0024】放電による電圧又は電流の波形の検査は、
アナログ方式としてオシロスコープを使用してもよい
が、より正確な判定のためには出力電圧又は電流の値を
コンピュータに入力し、これによって時系列的に電圧又
は電流波形をグラフによって表示することも可能であ
り、このような方式によって、スピーディな測定を実現
することができる。
アナログ方式としてオシロスコープを使用してもよい
が、より正確な判定のためには出力電圧又は電流の値を
コンピュータに入力し、これによって時系列的に電圧又
は電流波形をグラフによって表示することも可能であ
り、このような方式によって、スピーディな測定を実現
することができる。
【0025】放電による電圧又は電流の波形の一部は、
図3の(d)に示すような鋸歯状波を呈するが、その時
定数は、概ねT=Cs(Ron+Rg)である。
図3の(d)に示すような鋸歯状波を呈するが、その時
定数は、概ねT=Cs(Ron+Rg)である。
【0026】セルコンデンサーCsの大きさも事前に判
明している以上、Rgを導通する電流波時定数が予めの
予測と一致している場合にはTFTのセルコンデンサ
ー、ゲート線及びデータ線との接続関係は、正常である
ことが判明する。
明している以上、Rgを導通する電流波時定数が予めの
予測と一致している場合にはTFTのセルコンデンサ
ー、ゲート線及びデータ線との接続関係は、正常である
ことが判明する。
【0027】これに対し、放電による電圧又は電流の時
定数Tが変化し、波形が予めの予測と一致していない場
合には、通常RonまたはCsの値が規格から変動して
いることを意味しており、これはTFTまたはその周辺
の接続関係が異常であることを表わすことになる。
定数Tが変化し、波形が予めの予測と一致していない場
合には、通常RonまたはCsの値が規格から変動して
いることを意味しており、これはTFTまたはその周辺
の接続関係が異常であることを表わすことになる。
【0028】他方、抵抗Rgに何らの電流が導通しない
場合には、セルコンデンサーCsに荷電が蓄電されなか
ったことになり、TFTとゲート線、データ線との何れ
かの接続関係に異常が存在したことになる。
場合には、セルコンデンサーCsに荷電が蓄電されなか
ったことになり、TFTとゲート線、データ線との何れ
かの接続関係に異常が存在したことになる。
【0029】ここで、放電出力と、各素子又は接続関係
の異常に関する具体例に即して説明する。実施例1にお
いて後述するように、実際のTFT−LCDの検査で
は、各画素に対応して配列されたTFTの各行に対する
複数のゲート線及び各TFTの列に対する複数のデータ
線を設け、これらの複数のゲート線及び複数のデータ線
を、スイッチを順次切り換えて、リレーを使用して全画
素に対応したTFT−LCDの機能、配線の接続状態が
正常か否かを判断している。
の異常に関する具体例に即して説明する。実施例1にお
いて後述するように、実際のTFT−LCDの検査で
は、各画素に対応して配列されたTFTの各行に対する
複数のゲート線及び各TFTの列に対する複数のデータ
線を設け、これらの複数のゲート線及び複数のデータ線
を、スイッチを順次切り換えて、リレーを使用して全画
素に対応したTFT−LCDの機能、配線の接続状態が
正常か否かを判断している。
【0030】このような場合、図4(a)に示すよう
に、データ線が、TFT2とTFT3との間において断
線している場合には、Cs1及びCs2には充電が行な
われないので、図4(b)の各放電波形に示すように、
Cs1、Cs2には放電波形は現われない。これに対
し、Cs3には充電が行なわれ、かつ放電出力が現われ
る。即ち、図4(b)のようなゲート毎の変化による放
電出力波形の相違によって、データ線の断線を察知でき
る。
に、データ線が、TFT2とTFT3との間において断
線している場合には、Cs1及びCs2には充電が行な
われないので、図4(b)の各放電波形に示すように、
Cs1、Cs2には放電波形は現われない。これに対
し、Cs3には充電が行なわれ、かつ放電出力が現われ
る。即ち、図4(b)のようなゲート毎の変化による放
電出力波形の相違によって、データ線の断線を察知でき
る。
【0031】図5(a)に示すように、ゲート線が、T
FT1とTFT2との間で断線している場合には、C
s1、Cs2においては充電が行なわれないので、放電
出力が現われない。これに対し、Cs1は充電が行なわ
れ、放電出力が現われる。即ち、各ゲート線毎の放電波
形の図5(b)の如き相違によって、ゲート線の断線の
箇所を知ることができる。
FT1とTFT2との間で断線している場合には、C
s1、Cs2においては充電が行なわれないので、放電
出力が現われない。これに対し、Cs1は充電が行なわ
れ、放電出力が現われる。即ち、各ゲート線毎の放電波
形の図5(b)の如き相違によって、ゲート線の断線の
箇所を知ることができる。
【0032】図6(a)に示すように、TFT2に接続
するゲート線が、データ線とショートした場合には、T
FT2において、放電出力を測定したとしても、データ
線がゲート線と接続しているため、TFT2と接続して
いるゲート線を電源と接続した状態で出力波形を求めた
場合、ゲート印加電圧自体がデータ端子に現われ、図6
(b)のTFT2の如き出力波形となる。但し、通常出
力波形を求める際、波形入力回路をは、高い増幅率をも
って増幅しているため、出力の測定値を飽和し、測定不
能としてしまうことが多い。他のデータ線とショートし
ていないゲート線に対応するTFT1、TFT3では、
測定値に各ゲート線をその電源と接続させたとしても、
データ線がショートした部位を解してアースに接続され
ているため、図6(b)のTFT1、TFT3に示すよ
うなアース電圧による水平な出力を読み出すことにな
る。即ち、図6(b)の如き異常な出力波形によって、
データ線とゲート線とのショートを察知することができ
る。
するゲート線が、データ線とショートした場合には、T
FT2において、放電出力を測定したとしても、データ
線がゲート線と接続しているため、TFT2と接続して
いるゲート線を電源と接続した状態で出力波形を求めた
場合、ゲート印加電圧自体がデータ端子に現われ、図6
(b)のTFT2の如き出力波形となる。但し、通常出
力波形を求める際、波形入力回路をは、高い増幅率をも
って増幅しているため、出力の測定値を飽和し、測定不
能としてしまうことが多い。他のデータ線とショートし
ていないゲート線に対応するTFT1、TFT3では、
測定値に各ゲート線をその電源と接続させたとしても、
データ線がショートした部位を解してアースに接続され
ているため、図6(b)のTFT1、TFT3に示すよ
うなアース電圧による水平な出力を読み出すことにな
る。即ち、図6(b)の如き異常な出力波形によって、
データ線とゲート線とのショートを察知することができ
る。
【0033】尤も、TFT2のゲートとソースとが、シ
ョートしている場合においても、TFT3を通じて、ゲ
ート線からの電源入力が測定されるため、前記データ線
とゲート線とのショートと全く同様の出力波形が生ずる
ことになる。この場合には、実際にTFT2の部位を検
査して、図6(b)のTFT2に示すが如き飽和出力
が、データ線とゲート線との間のショートに由来する
か、又はTFTのゲートとソース間のショートなのか、
データ線とゲート線との間のショートなのかを確認する
必要がある。
ョートしている場合においても、TFT3を通じて、ゲ
ート線からの電源入力が測定されるため、前記データ線
とゲート線とのショートと全く同様の出力波形が生ずる
ことになる。この場合には、実際にTFT2の部位を検
査して、図6(b)のTFT2に示すが如き飽和出力
が、データ線とゲート線との間のショートに由来する
か、又はTFTのゲートとソース間のショートなのか、
データ線とゲート線との間のショートなのかを確認する
必要がある。
【0034】図7(a)に示すように、TFTのゲート
とドレインとの間がショートしている場合には、データ
線とゲート線とは、TFTのゲートとドレインとを介し
て接続されていることになり、ゲート線をONとした状
態で放電出力を測定した場合には、TFTのONのとき
の抵抗Ronと、検出抵抗Rgによって分圧された出力
即ち、出力に対するRg/(Ron+Rg)が生ずるこ
とになる。実際には、ゲートとドレインとの間に存在す
る僅かなキャパシタンス等の存在によって、多少の時間
遅れが生じ、図7(b)に示すような略直線状の立ち上
がり状態を示した後、一定の出力値を示すことになる。
即ち、図7(b)の如き出力によって、TFTのゲート
とドレインとの間のショートを察知することができる。
とドレインとの間がショートしている場合には、データ
線とゲート線とは、TFTのゲートとドレインとを介し
て接続されていることになり、ゲート線をONとした状
態で放電出力を測定した場合には、TFTのONのとき
の抵抗Ronと、検出抵抗Rgによって分圧された出力
即ち、出力に対するRg/(Ron+Rg)が生ずるこ
とになる。実際には、ゲートとドレインとの間に存在す
る僅かなキャパシタンス等の存在によって、多少の時間
遅れが生じ、図7(b)に示すような略直線状の立ち上
がり状態を示した後、一定の出力値を示すことになる。
即ち、図7(b)の如き出力によって、TFTのゲート
とドレインとの間のショートを察知することができる。
【0035】図8(a)に示すように、TFTのソース
とドレインとのあいだがショートしている場合には、ゲ
ート線からの電圧又は電流を介して、Csに充電するこ
とができない。このため、放電は現われない。但し、ゲ
ート線とデータ線との間のTFTを介した結合容量が存
在するため、図8(b)に示すような速やかな減衰曲線
(一般にこのような減衰曲線を、「ゲート印加電圧の回
り込み曲線」という)が現われる。即ち、図8(b)の
如き減衰曲線によって、TFTのソースとドレインとの
間のショートを察知することができる。
とドレインとのあいだがショートしている場合には、ゲ
ート線からの電圧又は電流を介して、Csに充電するこ
とができない。このため、放電は現われない。但し、ゲ
ート線とデータ線との間のTFTを介した結合容量が存
在するため、図8(b)に示すような速やかな減衰曲線
(一般にこのような減衰曲線を、「ゲート印加電圧の回
り込み曲線」という)が現われる。即ち、図8(b)の
如き減衰曲線によって、TFTのソースとドレインとの
間のショートを察知することができる。
【0036】尤も、Csがキャパシタンスとしての機能
を果たさず、両極がショートしている場合、及びTFT
のドレインとCsとがショートしている場合において
も、充電及び放電が不可能であり、同様に図8(b)の
如き出力波形を示すことになる。この場合には、図8
(b)の如き出力曲線がTFTのソース、ドレイン間の
ショートに由来するのか、Csの両極のショートに由来
するのか、更にはTFTのドレインとCsとのショトに
由来するのかを実際に検査することが必要である。
を果たさず、両極がショートしている場合、及びTFT
のドレインとCsとがショートしている場合において
も、充電及び放電が不可能であり、同様に図8(b)の
如き出力波形を示すことになる。この場合には、図8
(b)の如き出力曲線がTFTのソース、ドレイン間の
ショートに由来するのか、Csの両極のショートに由来
するのか、更にはTFTのドレインとCsとのショトに
由来するのかを実際に検査することが必要である。
【0037】TFTのゲートとゲート線との間が切断さ
れている場合には、TFTを介することによるCsの充
電が行なわれないため、これによる放電出力波形も現わ
れない。この場合の出力波形は、ゲート線とデータ線と
の間の浮遊容量及びデータ線の接続抵抗Rgによる図9
(b)のような放電出力となる。但し、当該放電出力
は、ソース、ドレイン間のショートあるいはCsのショ
ートの場合の放電出力よりも更に小さい放電出力となっ
ている。TFTのソース側とデータ線との間がショート
している場合においても、Csに対する充電及び放電が
行なわれる為、図9(b)と同じような出力波形が得ら
れる。この場合には、TFTのゲート線又はソース線の
何れがショートしているかを具体的に点検することが必
要である。このように、放電出力波形によって、TFT
−LCDの機能、配線の接続状態の何れが必要であるか
についておよそ察知することができる。
れている場合には、TFTを介することによるCsの充
電が行なわれないため、これによる放電出力波形も現わ
れない。この場合の出力波形は、ゲート線とデータ線と
の間の浮遊容量及びデータ線の接続抵抗Rgによる図9
(b)のような放電出力となる。但し、当該放電出力
は、ソース、ドレイン間のショートあるいはCsのショ
ートの場合の放電出力よりも更に小さい放電出力となっ
ている。TFTのソース側とデータ線との間がショート
している場合においても、Csに対する充電及び放電が
行なわれる為、図9(b)と同じような出力波形が得ら
れる。この場合には、TFTのゲート線又はソース線の
何れがショートしているかを具体的に点検することが必
要である。このように、放電出力波形によって、TFT
−LCDの機能、配線の接続状態の何れが必要であるか
についておよそ察知することができる。
【実施例】以上の如き作動原理を前提として、本願発明
の実施例について説明する。
の実施例について説明する。
【0038】
【実施例1】図10は、本発明において、実際に使用さ
れる実施例を示す。
れる実施例を示す。
【0039】即ち、請求項2記載のように各画素に対応
して配列されたTFTの各行のゲート線G1,G2,…
…Gmに対し、スイッチSg1,Sg2,………Sgm
を設け、同様に各TFTの列に対するデータ線D1,D
2,D3,……Dnに対し、スイッチSd1,Sd2,
……Sdnを設け、かつ波形検査装置に対しても、各デ
ータ線に対応して、スイッチSr1,Sr2,……S
rnを設けている。
して配列されたTFTの各行のゲート線G1,G2,…
…Gmに対し、スイッチSg1,Sg2,………Sgm
を設け、同様に各TFTの列に対するデータ線D1,D
2,D3,……Dnに対し、スイッチSd1,Sd2,
……Sdnを設け、かつ波形検査装置に対しても、各デ
ータ線に対応して、スイッチSr1,Sr2,……S
rnを設けている。
【0040】図10において、リレーを使用して、スイ
ッチSg1,Sg2,……Sgnを順次切替え、且つス
イッチSd1,Sd2,……Sdm,Sr1,Sr2,
……Srnを順次切り替えた場合には、当該切替によっ
て、全画素に対応したTFTの接続関係が正常か異常か
が順次効率的に検査することが可能となる。尚、図10
においては、各データ線において、リレーと接続した部
位と、アースに接続した部位との間に設けられている抵
抗Rgは、放電出力測定の便宜のための抵抗であるが、
測定誤差を少なくするため、TFTがONとなっている
場合の抵抗値Ronに対し、約100分の1以下の大き
さに設計されている。
ッチSg1,Sg2,……Sgnを順次切替え、且つス
イッチSd1,Sd2,……Sdm,Sr1,Sr2,
……Srnを順次切り替えた場合には、当該切替によっ
て、全画素に対応したTFTの接続関係が正常か異常か
が順次効率的に検査することが可能となる。尚、図10
においては、各データ線において、リレーと接続した部
位と、アースに接続した部位との間に設けられている抵
抗Rgは、放電出力測定の便宜のための抵抗であるが、
測定誤差を少なくするため、TFTがONとなっている
場合の抵抗値Ronに対し、約100分の1以下の大き
さに設計されている。
【0041】他方、測定を行うための増幅器の入力イン
ピーダレスは、極めて大きく設計されている。
ピーダレスは、極めて大きく設計されている。
【0042】このような場合、図6(a)に示すよう
に、データ線とゲート線との間がショートしたとして
も、大抵の電流は、抵抗Rg1、Rg2、…を通過し、
増幅器の入力機側に、ゲート電源がそのまま入力される
ことを防止し、増幅器及び測定計を保護することができ
る。
に、データ線とゲート線との間がショートしたとして
も、大抵の電流は、抵抗Rg1、Rg2、…を通過し、
増幅器の入力機側に、ゲート電源がそのまま入力される
ことを防止し、増幅器及び測定計を保護することができ
る。
【0043】
【実施例2】図10に示すような全TFTに対する検査
を可能とする装置において、特に、図11(イ)に示す
ように、全セルコンデンサーに対し充電を行った場合、
図11(ロ)に示すように各セルコンデンサーに正常な
波形が得られた場合には、全体が正常に作動できること
になる。
を可能とする装置において、特に、図11(イ)に示す
ように、全セルコンデンサーに対し充電を行った場合、
図11(ロ)に示すように各セルコンデンサーに正常な
波形が得られた場合には、全体が正常に作動できること
になる。
【0044】これに対し、図11(ハ)に示すように所
々離れた場所において、時定数Tが異常値を示した場合
には、TFT又はLCD自体に異常が存在することが判
明し、特に、放電波形が得られない場合には、当該場所
におけるTFTと,ゲート線又はデータ線の何れかとの
接続が断線していることを意味している。
々離れた場所において、時定数Tが異常値を示した場合
には、TFT又はLCD自体に異常が存在することが判
明し、特に、放電波形が得られない場合には、当該場所
におけるTFTと,ゲート線又はデータ線の何れかとの
接続が断線していることを意味している。
【0045】図11(ニ)に示すように、特定列の全部
又は一部(図11(ニ)においては一部を示している)
放電波形が得られない場合には、当該列を接続している
データ線自体の接続に異常があることを示している。
又は一部(図11(ニ)においては一部を示している)
放電波形が得られない場合には、当該列を接続している
データ線自体の接続に異常があることを示している。
【0046】同様に、図11(ホ)に示すように、特定
の行のゲート線について放電波形が得られない場合に
は、当該行のゲート線の接続に異常があることを示して
いる。
の行のゲート線について放電波形が得られない場合に
は、当該行のゲート線の接続に異常があることを示して
いる。
【0047】
【実施例3】図10に示す全TFTに対する検査が可能
である装置において、特に、図12(イ)のように、ゲ
ート線について1行置きにセルコンデンサーの充電を行
った場合、図12(ロ)のように、当該1行置きに従っ
て、放電波形が得られた場合には、接続が正常であるこ
とを裏付けている。
である装置において、特に、図12(イ)のように、ゲ
ート線について1行置きにセルコンデンサーの充電を行
った場合、図12(ロ)のように、当該1行置きに従っ
て、放電波形が得られた場合には、接続が正常であるこ
とを裏付けている。
【0048】これに対し、図12(ハ)のように、本来
ONとしていないゲート線について、放電波形が得られ
た場合には、当該部位におけるゲート線に隣接する部位
との間にショートが存在することを裏付けている。
ONとしていないゲート線について、放電波形が得られ
た場合には、当該部位におけるゲート線に隣接する部位
との間にショートが存在することを裏付けている。
【0049】
【実施例4】図10に示す全TFTの検査が可能である
装置において、特に、図13(イ)に示すように、デー
タ線の列について1列置きに充電を行った後、本願発明
の放電を行った場合、図13(ロ)に示すように、当該
1列置きに各セルコンデンサーからの放電波形が得られ
た場合には、少なくとも当該充電が行われたTFTの接
続は正常であることが判明する。
装置において、特に、図13(イ)に示すように、デー
タ線の列について1列置きに充電を行った後、本願発明
の放電を行った場合、図13(ロ)に示すように、当該
1列置きに各セルコンデンサーからの放電波形が得られ
た場合には、少なくとも当該充電が行われたTFTの接
続は正常であることが判明する。
【0050】これに対し、図13(ハ)に示すように、
充電を行っていない列のデータ線に、放電波形が得られ
た場合には、データ線に隣接する部位との間にショート
が存在することを裏付けていることになる。
充電を行っていない列のデータ線に、放電波形が得られ
た場合には、データ線に隣接する部位との間にショート
が存在することを裏付けていることになる。
【0051】尚、上記の如きTFT−LCDの全体の状
況の検査を行うには、個々のTFTの配列に対応した表
示板を用い、これに従って異常な部位を表示した場合に
は、異常部位の検索に極めて好都合である。
況の検査を行うには、個々のTFTの配列に対応した表
示板を用い、これに従って異常な部位を表示した場合に
は、異常部位の検索に極めて好都合である。
【実施例5】一般に、正常な場合におけるセルコンデン
サーCsは事前に予め判明しており、又Rg,Ronも
その範囲がおよそ判明している。
サーCsは事前に予め判明しており、又Rg,Ronも
その範囲がおよそ判明している。
【0052】従って、前記各素子及び接続関係が正常で
ある場合には、図2の波形検査器が検出する放電電圧又
は放電電流の上限及び下限は、図14に示すようにおの
ずと定まることになる。
ある場合には、図2の波形検査器が検出する放電電圧又
は放電電流の上限及び下限は、図14に示すようにおの
ずと定まることになる。
【0053】従って、実際の検出された放電電圧又は放
電電流による出力が、図14に示す上限及び下限の範囲
にあるか否かを判断することによって、TFT−LCD
の各素子の機能、配線の接続状態が正常であるか否かが
判断できることになる。
電電流による出力が、図14に示す上限及び下限の範囲
にあるか否かを判断することによって、TFT−LCD
の各素子の機能、配線の接続状態が正常であるか否かが
判断できることになる。
【0054】そして実施例5においては、図10に示す
ように、各画素に対応して配列されたTFTの各行のゲ
ート線G1、G2、……Gmに対し、スイッチSg1、
Sg2、………Sgmを設け、同様に各TFTの列に対
するデータ線D1、D2、D3、……Dnに対し、スイ
ッチSd1、Sd2、……Sdnを設け、かつ波形検査
装置に対しても、各データ線に対応して、スイッチS
r1、Sr2、……Srnを設け、リレーを使用して、
スイッチSg1、Sg2、……Sgnを順次切替え、且
つデータ用スイッチSd1、Sd2、……Sdm、リレ
ー用スイッチSr1、Sr2、……Srnを順次切り替
えた場合には、当該切替によって、全画素に対応したT
FTの接続関係が正常か異常かを順次効率的に検査する
が、当該検査の際、リレー側に検出器11としてオッシ
ロスコープを接続し、各データライン及びゲートライン
の切替毎に出力放電波形が、図14に示すような最大出
力と最小出力とによる範囲内にあるか否かを判別し、各
素子の機能、配線の接続状態が正常であるか否かを判断
する。
ように、各画素に対応して配列されたTFTの各行のゲ
ート線G1、G2、……Gmに対し、スイッチSg1、
Sg2、………Sgmを設け、同様に各TFTの列に対
するデータ線D1、D2、D3、……Dnに対し、スイ
ッチSd1、Sd2、……Sdnを設け、かつ波形検査
装置に対しても、各データ線に対応して、スイッチS
r1、Sr2、……Srnを設け、リレーを使用して、
スイッチSg1、Sg2、……Sgnを順次切替え、且
つデータ用スイッチSd1、Sd2、……Sdm、リレ
ー用スイッチSr1、Sr2、……Srnを順次切り替
えた場合には、当該切替によって、全画素に対応したT
FTの接続関係が正常か異常かを順次効率的に検査する
が、当該検査の際、リレー側に検出器11としてオッシ
ロスコープを接続し、各データライン及びゲートライン
の切替毎に出力放電波形が、図14に示すような最大出
力と最小出力とによる範囲内にあるか否かを判別し、各
素子の機能、配線の接続状態が正常であるか否かを判断
する。
【0055】オッシロスコープを使用する場合には、必
然的に目視による判断を行ない、かつ異常が発生したデ
ータ線及びゲート線の組み合わせの部位について具体的
な検討を行なうことになるが、このような目視の判断が
必要である点において、多数の液晶を有する場合の測定
には必ずしも適当ではない。
然的に目視による判断を行ない、かつ異常が発生したデ
ータ線及びゲート線の組み合わせの部位について具体的
な検討を行なうことになるが、このような目視の判断が
必要である点において、多数の液晶を有する場合の測定
には必ずしも適当ではない。
【0056】
【実施例6】実施例6もまた、実施例5の場合と同様、
放電出力波形が最大出力と最小出力との間にあるか否か
を検出する構成を示すが、図15に示すように、放電後
複数個の所定時間を設定し、該所定時間における放電出
力の最大値又は最小値を予め定め、各所定時間毎の放電
電圧又は放電電流が、正常値の範囲内にあるか否かをマ
イクロコンピュータによって判別し、これによって素子
の機能、配線の接続状態が正常であるか否かを判断して
いる。
放電出力波形が最大出力と最小出力との間にあるか否か
を検出する構成を示すが、図15に示すように、放電後
複数個の所定時間を設定し、該所定時間における放電出
力の最大値又は最小値を予め定め、各所定時間毎の放電
電圧又は放電電流が、正常値の範囲内にあるか否かをマ
イクロコンピュータによって判別し、これによって素子
の機能、配線の接続状態が正常であるか否かを判断して
いる。
【0057】実施例6では、実施例5の場合のように、
全ての放電出力について目視することは不要である。
全ての放電出力について目視することは不要である。
【0058】実際の放電曲線は、図15に示すように、
浮遊キャパシタンスのため、当初立ち上がり曲線を示す
が、その後は通常の放電曲線である指数関数に従って減
少するので、初期の立ち上りが終了した直後の時間及び
その後2、3の所定時間(図15におけるt1、t2及
びt3によって示される時間)を選択して検査すれば、
前記判断が実現できる。
浮遊キャパシタンスのため、当初立ち上がり曲線を示す
が、その後は通常の放電曲線である指数関数に従って減
少するので、初期の立ち上りが終了した直後の時間及び
その後2、3の所定時間(図15におけるt1、t2及
びt3によって示される時間)を選択して検査すれば、
前記判断が実現できる。
【0059】
【実施例7】実施例7は、ゲート線及びデータ線のアー
スとの間において存在する、浮遊キャパシタンスを考慮
した構成を示す。
スとの間において存在する、浮遊キャパシタンスを考慮
した構成を示す。
【0060】ゲート線及びデータ線は何れもアースとの
間において浮遊キャパシタンスが存在し、このため駆動
点からの距離が遠くなるに従って遅れた状態でゲートが
ONとなり、所定時間を経た後に、OFFとなったとし
ても、Csに対し、図16(a)に示すような矩形状の
パルスが印加される訳ではなく、図16(b)に示すよ
うな立ち上がり出力が緩慢な印加電流又は印加電圧がイ
ンプットされ、これに基く充電及び放電が行われること
になる。
間において浮遊キャパシタンスが存在し、このため駆動
点からの距離が遠くなるに従って遅れた状態でゲートが
ONとなり、所定時間を経た後に、OFFとなったとし
ても、Csに対し、図16(a)に示すような矩形状の
パルスが印加される訳ではなく、図16(b)に示すよ
うな立ち上がり出力が緩慢な印加電流又は印加電圧がイ
ンプットされ、これに基く充電及び放電が行われること
になる。
【0061】この為、ゲート側の駆動点からの距離が遠
くなるTFT及びLCDにおいては、必然的に放電出力
もまた図17(a)に示すような典型的な指数関数では
なく、図17(b)に示すような、立ち上がりがやや緩
慢で、しかも放電時の曲線も緩慢なものとなり易い。
くなるTFT及びLCDにおいては、必然的に放電出力
もまた図17(a)に示すような典型的な指数関数では
なく、図17(b)に示すような、立ち上がりがやや緩
慢で、しかも放電時の曲線も緩慢なものとなり易い。
【0062】従って、実施例5又は6における正常の出
力放電曲線の上限及び下限もTFT−LCDの位置によ
って個別的に異なり、本来ならば各ゲート線及びデータ
線毎に上限及び下限の放電出力を表示することが望まし
い。
力放電曲線の上限及び下限もTFT−LCDの位置によ
って個別的に異なり、本来ならば各ゲート線及びデータ
線毎に上限及び下限の放電出力を表示することが望まし
い。
【0063】しかしながら、各TFT−LCDにおい
て、このような上限出力及び下限出力を特定し、検査す
ることは極めて煩雑である。
て、このような上限出力及び下限出力を特定し、検査す
ることは極めて煩雑である。
【0064】実施例7においては、図18に示すよう
に、ゲート線及びデータ線の順序に従ってTFT−LC
Dをグループ毎に区分けし、該グループ毎に、正常な放
電出力の上限及び下限を設定している。
に、ゲート線及びデータ線の順序に従ってTFT−LC
Dをグループ毎に区分けし、該グループ毎に、正常な放
電出力の上限及び下限を設定している。
【0065】これによって、各ゲート線及びデータ線の
配列の順序に基づくグループ毎に、正確な放電の上限及
び下限の出力が得られることになり、ひいては正確な検
査が可能となる。
配列の順序に基づくグループ毎に、正確な放電の上限及
び下限の出力が得られることになり、ひいては正確な検
査が可能となる。
【0066】実際の検査の区分けの数は、各ゲート線及
び各データ線の数にもよるが、各データ線及び各ゲート
線毎に3乃至5個の区分けを行い、9(3×3)乃至2
5(5×5)のグループに分けることが多い。
び各データ線の数にもよるが、各データ線及び各ゲート
線毎に3乃至5個の区分けを行い、9(3×3)乃至2
5(5×5)のグループに分けることが多い。
【0067】尚、この場合実施例5に示すオッシロスコ
ープを使用する方法及び実施例6に示すマイクロコンピ
ュータを使用する方法の何れをも採用することができ
る。
ープを使用する方法及び実施例6に示すマイクロコンピ
ュータを使用する方法の何れをも採用することができ
る。
【0068】
【実施例8】実施例8は、TFTがOFFとなっている
場合におけるリーク抵抗であるRoffが正常であるか
否かを判断する方法を示す。
場合におけるリーク抵抗であるRoffが正常であるか
否かを判断する方法を示す。
【0069】リーク抵抗Roffは、Csを充電した
後、TFTをOFFとした時間Thの間のCsの緩慢な
放電の程度を支配する。
後、TFTをOFFとした時間Thの間のCsの緩慢な
放電の程度を支配する。
【0070】Ron及びRoffが正常な場合の、Cs
の充放電状態及び、検出放電出力を図19(a)とし、
Ronが正常値よりも小さい値であって、Roffが正
常の場合のCsの放電状態及びこれに基く出力は、図1
9(b)のように、放電時の時定数が小さいため、速や
かな放電曲線を示すことになる。
の充放電状態及び、検出放電出力を図19(a)とし、
Ronが正常値よりも小さい値であって、Roffが正
常の場合のCsの放電状態及びこれに基く出力は、図1
9(b)のように、放電時の時定数が小さいため、速や
かな放電曲線を示すことになる。
【0071】この場合実施例5、6に示すような、検出
された放電出力が最大出力及び最小出力の間にあるか否
かとの判断を機械的に当てはめた場合には、図19
(b)の出力は、放電値が速やかに減衰するため、最小
出力を下回り、異常な出力を示すことになる。
された放電出力が最大出力及び最小出力の間にあるか否
かとの判断を機械的に当てはめた場合には、図19
(b)の出力は、放電値が速やかに減衰するため、最小
出力を下回り、異常な出力を示すことになる。
【0072】確かにRonのみに着目した場合には、こ
れは異常な出力ということになる(但し、通常Ronが
正常値よりも小さい値であっても、これが極端に小さい
値でない限り、良品である場合が多い。)。
れは異常な出力ということになる(但し、通常Ronが
正常値よりも小さい値であっても、これが極端に小さい
値でない限り、良品である場合が多い。)。
【0073】これに対し、リーク抵抗Roffが正常か
否かに着目した場合には、図19(b)の下側の放電出
力測定曲線に着目しただけでは、この点を判別すること
ができない。
否かに着目した場合には、図19(b)の下側の放電出
力測定曲線に着目しただけでは、この点を判別すること
ができない。
【0074】TFTをOFFとした時点の時間を基準と
した場合、TFTのリーク抵抗Roffを導通する放電
出力電圧は、e=E・exp(−t/CsRoff)で
ある(但し、E:TFTをOFFとした時点におけるC
sの両極間の電圧値を示す。この場合、リークする時間
をTh1,Th2の2種類とした場合の放電出力電圧e
1,e2は、 e1=E・exp(−Th1/CsRoff) e2=E・exp(−Th2/CsRoff) である(但し、図2における抵抗Rgは、Roffより
も遥かに小さいので、これを無視している。)
した場合、TFTのリーク抵抗Roffを導通する放電
出力電圧は、e=E・exp(−t/CsRoff)で
ある(但し、E:TFTをOFFとした時点におけるC
sの両極間の電圧値を示す。この場合、リークする時間
をTh1,Th2の2種類とした場合の放電出力電圧e
1,e2は、 e1=E・exp(−Th1/CsRoff) e2=E・exp(−Th2/CsRoff) である(但し、図2における抵抗Rgは、Roffより
も遥かに小さいので、これを無視している。)
【0075】そして、Th1及びTh2を経過した後、
それぞれTFTをONとすることによって、生ずるCs
の放電出力は、 e1’=e1・exp(−t/CsRon)・Rg/(Ron+Rg) ≒e1・exp(−t/CsRon)・Rg/Ron e2’=e2・exp(−t/CsRon)・Rg/(Ron+Rg) ≒e2・exp(−t/CsRon)・Rg/Ron である(但し、tは、それぞれTFTをONとした地点
を基準とした時間経過を表わす。尚、図2におけるRg
は、Ronよりも遥かに小さいので、これを無視してい
る。)。
それぞれTFTをONとすることによって、生ずるCs
の放電出力は、 e1’=e1・exp(−t/CsRon)・Rg/(Ron+Rg) ≒e1・exp(−t/CsRon)・Rg/Ron e2’=e2・exp(−t/CsRon)・Rg/(Ron+Rg) ≒e2・exp(−t/CsRon)・Rg/Ron である(但し、tは、それぞれTFTをONとした地点
を基準とした時間経過を表わす。尚、図2におけるRg
は、Ronよりも遥かに小さいので、これを無視してい
る。)。
【0076】このような場合、異なるリーク時間
Th1,Th2を設定した後の出力電圧e1’,e2’
の波形が、さして違わない場合には、これはRoffの
値が正常であって、e1、e2の値がさして違っていな
いからにほかならない。
Th1,Th2を設定した後の出力電圧e1’,e2’
の波形が、さして違わない場合には、これはRoffの
値が正常であって、e1、e2の値がさして違っていな
いからにほかならない。
【0077】即ち、図19(c)、(d)に示すよう
に、図19(a)、(b)に対応した場合において、異
なるリーク時間Th1、Th2を設定した場合には、図
19(d)の出力測定波形e2’は、図19(b)の出
力波形e1’とさして違わないことが判別され、この場
合のリーク抵抗Roffが正常であることが判断される
わけである。
に、図19(a)、(b)に対応した場合において、異
なるリーク時間Th1、Th2を設定した場合には、図
19(d)の出力測定波形e2’は、図19(b)の出
力波形e1’とさして違わないことが判別され、この場
合のリーク抵抗Roffが正常であることが判断される
わけである。
【0078】このようにリーク抵抗Roffが正常であ
るか否かは、リークする時間Thを2種類設定し、各リ
ーク時間に対応する測定出力波形を対比することによっ
て判別することが可能となる。
るか否かは、リークする時間Thを2種類設定し、各リ
ーク時間に対応する測定出力波形を対比することによっ
て判別することが可能となる。
【0079】
【発明の効果】以上のとおり、本願発明の方法によっ
て、極めて簡単な構成でありながら、迅速にTFT−L
CDが正常であるか否かの点、及びTFTとその周囲の
回路の接続関係が正常であるか否かの点、更には、各行
のゲート線及び各列のデータ線の接続状態、ゲート線同
士のショートの有無、データ線同士のショートの有無等
が判明できる。特に、請求項9記載の、最大放電出力及
び最小放電出力を設定した方法は、迅速かつ簡単に前記
の点を測定できるとともに、TFTがOFFとなってい
る場合にのリーク抵抗Roffが正常であるか否かの点
をも簡単に判別することが可能となる。
て、極めて簡単な構成でありながら、迅速にTFT−L
CDが正常であるか否かの点、及びTFTとその周囲の
回路の接続関係が正常であるか否かの点、更には、各行
のゲート線及び各列のデータ線の接続状態、ゲート線同
士のショートの有無、データ線同士のショートの有無等
が判明できる。特に、請求項9記載の、最大放電出力及
び最小放電出力を設定した方法は、迅速かつ簡単に前記
の点を測定できるとともに、TFTがOFFとなってい
る場合にのリーク抵抗Roffが正常であるか否かの点
をも簡単に判別することが可能となる。
【0080】このように、本願発明は、TFT−LCD
の製造工程において、現実にその機能をチェックできる
ことを可能ならしめるので、本願発明の価値は絶大であ
る。
の製造工程において、現実にその機能をチェックできる
ことを可能ならしめるので、本願発明の価値は絶大であ
る。
【0081】
【図1】:基本回路図 本発明の前提事項であるTFT−LCD回路の基本構成
を示す。
を示す。
【図2】:電圧波形グラフ 本発明の前提となる各素子の作用原理を示す。
【図3】:出力波形グラフ 本発明の基本原理を示す。
【図4】(a)、(b):回路図及び検出側の出力グラ
フ データ線が断線した場合の状況及びこれに基づく各TF
T−LCDの出力状況を示す。
フ データ線が断線した場合の状況及びこれに基づく各TF
T−LCDの出力状況を示す。
【図5】(a)、(b):回路図及び検出側の出力グラ
フ ゲート線が断線した場合の状況及びこれに基づく各TF
T−LCDの出力状況を示す。
フ ゲート線が断線した場合の状況及びこれに基づく各TF
T−LCDの出力状況を示す。
【図6】(a)、(b):回路図及び検出側の出力グラ
フ データ線とゲート線とがショートした状況及びこれに基
くTFT−LCDの出力状況を示す。
フ データ線とゲート線とがショートした状況及びこれに基
くTFT−LCDの出力状況を示す。
【図7】(a)、(b):回路図及び検出側の出力グラ
フ TFTのゲートとドレインとがショートした場合の回路
図及 びこの場合の出力波形を示す。
フ TFTのゲートとドレインとがショートした場合の回路
図及 びこの場合の出力波形を示す。
【図8】(a)、(b):回路図及び検出側の出力グラ
フ TFTのソートとドレインとがショートした場合の回路
図及 びこの場合の出力波形を示す。
フ TFTのソートとドレインとがショートした場合の回路
図及 びこの場合の出力波形を示す。
【図9】(a)、(b):回路図及び検出側の出力グラ
フ TFTのゲートとゲート線とがショートした場合の回路
図 及びこの場合の出力波形を示す。
フ TFTのゲートとゲート線とがショートした場合の回路
図 及びこの場合の出力波形を示す。
【図10】:全体回路図 本発明を具体的に実現する実施例1の回路の構成を示
す。
す。
【図11】:TFT−LCDの配列を模擬した表示版の
平面図 本発明を具体的に実現する実施例2の回路の構成を示
す。
平面図 本発明を具体的に実現する実施例2の回路の構成を示
す。
【図12】:TFT−LCDの配列を模擬した表示版の
平面図 本発明を具体的に実現する実施例3の回路の構成を示
す。
平面図 本発明を具体的に実現する実施例3の回路の構成を示
す。
【図13】:TFT−LCDの配列を模擬した表示版の
平面図 本発明を具体的に実現する実施例4の回路の構成を示
す。
平面図 本発明を具体的に実現する実施例4の回路の構成を示
す。
【図14】:出力放電グラフ 実施例5の作動原理を示す。
【図15】:出力放電グラフ 実施例6の作動原理を示す。
【図16】(a)、(b):TFT−LCDの部位によ
って、異なる印加入力が行われることを示すグラフ 実施例7の作動原理を示す。
って、異なる印加入力が行われることを示すグラフ 実施例7の作動原理を示す。
【図17】(a)、(b):TFT−LCDの位置によ
って、異なる放電出力が得られることを示すグラフ 実施例7の作動原理を示す。
って、異なる放電出力が得られることを示すグラフ 実施例7の作動原理を示す。
【図18】:TFT−LCDをゲート線及びデータ線に
沿ってグループ別に区分けしたことを示す模式図 実施例7の構成を示す。
沿ってグループ別に区分けしたことを示す模式図 実施例7の構成を示す。
【図19】(a)、(b)、(c)、(d):Csの充
電並びに放電特性及び検出側の放電出力を示すグラフ 実施例8の作動原理を示す。
電並びに放電特性及び検出側の放電出力を示すグラフ 実施例8の作動原理を示す。
1:液晶(LCD) 2:画素電極 3:ゲート線 4:TFT 5:データ線 6:共通電極 7:カラーフィルター 8:偏光板 9:ガラス基板 11:検査器
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 H01L 29/784
Claims (12)
- 【請求項1】TFTを使用したアクティブカラー−LC
Dにおいて、TFTをONとして、LCDのセルコンデ
ンサーにデータラインを通じて充電を行い、次にTFT
をOFFの状態として当該充電状態を保持した後、再度
TFTをONとして、TFTのソース及びドレインを通
じて、アース側に接続している抵抗を通して放電を行
い、且つ放電における電流波形又は電圧波形によって、
TFT−LCDの機能、配線の接続状態が正常であるか
否かを判断するTFT−LCDの検査方法 - 【請求項2】複数のTFTに接続されたゲート線、デー
タ線の配列に従って各データ線毎及び各ゲート線毎に順
次検査を行い、TFT−LCDにおける全TFTの機能
上の異常、又はTFTと周囲の配線との接続の異常及び
特定のゲート線、データ線の接続の異常を察知すること
を特徴とする請求項1記載の検査方法 - 【請求項3】ゲート線について1行おきにセルコンデン
サーの充電を行い、ゲート線間のショートの有無を検査
することを特徴とする請求項2記載の検査方法 - 【請求項4】データ線について1列おきにセルコンデン
サーの充電を行い、データ線間のショートの有無を検査
することを特徴とする請求項2記載の検査方法 - 【請求項5】TFTのソース側と接続されている抵抗を
導通する電流又は、該抵抗の両端電圧の波形検出器を備
えたことを特徴とする請求項1記載の検査方法を行う装
置 - 【請求項6】複数のTFTに接続されたゲート線及びデ
ータ線の順次配列に対し、これらのゲート線及びデータ
線との接続を順次切り替えるリレーを備え、該リレーと
波形検出器とを接続させたことを特徴とする請求項5記
載の検査方法を行う装置 - 【請求項7】LCDの各セルに対応した表示単位を有す
る表示板を備え、検査の結果の正常及び異常の部位を各
液晶数に対応した位置の表示板によって表示することを
特徴とする請求項6記載の検査方法を行う装置 - 【請求項8】TFT−LCDの機能及び配線の接続状態
が正常である場合の放電電流又は放電電圧の最大の場合
の放電状態及び最小の場合の放電状態を予め設定し、実
際の放電電流又は放電電圧が前記最大の場合の放電状態
及び最小の場合の放電状態の範囲内にあるか否かを判断
することを特徴とする請求項1記載のTFT−LCDの
検査方法 - 【請求項9】複数のTFTに接続されたゲート線及びデ
ータ線の順次配列に対し、これらのゲート線及びデータ
線との接続を順次切り替えるリレーを備え、該リレーと
オッシロスコープとを接続させ、各ゲート線毎及び各デ
ータ線毎に出力される放電電流又は放電電圧のオッシロ
スコープの映像が、最大値による放電曲線及び最小値に
よる放電曲線の範囲内にあるか否かを判断することを特
徴とする請求項9記載の検査方法 - 【請求項10】複数のTFTに接続されたゲート線及び
データ線の順次配列に対し、これらのゲート線及びデー
タ線との接続を順次切り替えるリレーを備え、該リレー
とマイクロコンピュータとを接続させ、マイクロコンピ
ュータに各ゲート線毎及び各データ線毎に出力される放
電電流又は放電電圧が、各所定時間毎に設定された放電
電流又は放電電圧の最大値及び最小値の範囲内にあるか
否かを判断することを特徴とする請求項9記載の検査方
法 - 【請求項11】複数のTFTに接続されたゲート線及び
データ線の順次配列に対し、これらのゲート線及びデー
タ線との接続を順次切り替えるリレーを備え、ゲート線
及びデータ線の配列順序に従ってTFT−LCDを複数
のグループに区分けし、各グルーブ毎に、最大の場合の
放電電流又は最小の場合の放電電流を予め設定すること
を特徴とする請求項9記載の検査方法 - 【請求項12】TFTをOFFの状態とする時間を2種
類設定し、各設定時間に対応した放電電流又は放電電圧
を比較することによって、特にTFTがOFFとなって
いる状態のリーク抵抗が正常か否かを特に検査すること
を特徴とする請求項1記載の検査方法
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP13379693A JPH0659283A (ja) | 1992-04-27 | 1993-04-26 | Tft−lcdの検査方法及びその装置 |
US08/121,798 US5428300A (en) | 1993-04-26 | 1993-09-15 | Method and apparatus for testing TFT-LCD |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4-151070 | 1992-04-27 | ||
JP15107092 | 1992-04-27 | ||
JP13379693A JPH0659283A (ja) | 1992-04-27 | 1993-04-26 | Tft−lcdの検査方法及びその装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0659283A true JPH0659283A (ja) | 1994-03-04 |
Family
ID=26468039
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP13379693A Pending JPH0659283A (ja) | 1992-04-27 | 1993-04-26 | Tft−lcdの検査方法及びその装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0659283A (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JPH08110365A (ja) * | 1994-10-12 | 1996-04-30 | Furontetsuku:Kk | 薄膜トランジスタの検査装置および検査方法 |
US6891532B2 (en) | 2001-04-23 | 2005-05-10 | Wintest Corporation | Apparatus and method for inspecting picture elements of an active matrix type display board |
CN103698648A (zh) * | 2013-12-23 | 2014-04-02 | 合肥京东方光电科技有限公司 | 线路检测装置 |
CN105259719A (zh) * | 2015-09-22 | 2016-01-20 | 成都天马微电子有限公司 | 一种显示面板的放电电路和显示装置 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JPH02282288A (ja) * | 1988-12-29 | 1990-11-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 点欠陥の検出及び補修の可能なアクティブマトリクス基板の製造方法 |
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-
1993
- 1993-04-26 JP JP13379693A patent/JPH0659283A/ja active Pending
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