JPH0650903A - 表面粒子検出装置及び方法 - Google Patents
表面粒子検出装置及び方法Info
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- JPH0650903A JPH0650903A JP5087324A JP8732493A JPH0650903A JP H0650903 A JPH0650903 A JP H0650903A JP 5087324 A JP5087324 A JP 5087324A JP 8732493 A JP8732493 A JP 8732493A JP H0650903 A JPH0650903 A JP H0650903A
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
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- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 表面粒子検出の感度を改良する。
【構成】 ヘテロダイン干渉計と暗視野照明又はロイド
鏡検出とを結びつける。ブラッグセル５０から異なる角
度で放出される異なる波長のプローブビーム５２及びリ
ファレンスビーム５４は、それぞれレンズ５６を通っ
て、ワークピース２６の表面２４上の粒子２８が存在す
る位置に集束される。プローブビーム５２及びリファレ
ンスビーム５４は、すれすれの角度でワークピース表面
２４に入射される。粒子２８からの散乱プローブビーム
６０及び散乱リファレンスビーム６２がロイド鏡検出器
４０で受光されると、ビート周波数信号が発生され、粒
子２８が検出される。
鏡検出とを結びつける。ブラッグセル５０から異なる角
度で放出される異なる波長のプローブビーム５２及びリ
ファレンスビーム５４は、それぞれレンズ５６を通っ
て、ワークピース２６の表面２４上の粒子２８が存在す
る位置に集束される。プローブビーム５２及びリファレ
ンスビーム５４は、すれすれの角度でワークピース表面
２４に入射される。粒子２８からの散乱プローブビーム
６０及び散乱リファレンスビーム６２がロイド鏡検出器
４０で受光されると、ビート周波数信号が発生され、粒
子２８が検出される。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ワークピース（workpi
ece ）表面の粒子及び***部（asperity）の検出に関す
る。特に、本発明は、表面の粒子又は***部を検出する
ために、ヘテロダイン干渉計を暗視野照明又はロイド鏡
検出と結びつける。
ece ）表面の粒子及び***部（asperity）の検出に関す
る。特に、本発明は、表面の粒子又は***部を検出する
ために、ヘテロダイン干渉計を暗視野照明又はロイド鏡
検出と結びつける。
【０００２】
【従来の技術】暗視野検査手段（ツール）は、表面汚染
のための現在の最高技術水準の粒子検出器である。これ
らの手段は、すれすれの角度（grazing angle ）の照明
を用いてワークピース表面に特有の干渉節を確立する技
法に頼っている。その結果、表面の主な鏡面より高い輪
郭を有する粒子又は形状のみが照明されて、光を散乱す
る。最高水準の粒子検出器のいくつかは、ロイド鏡と呼
ばれるプロセスを使用して、すれすれの角度における散
乱光を検出する。後者の技法でも、ワークピース表面よ
り高い輪郭の粒子又は形状が優先的に検出される。
のための現在の最高技術水準の粒子検出器である。これ
らの手段は、すれすれの角度（grazing angle ）の照明
を用いてワークピース表面に特有の干渉節を確立する技
法に頼っている。その結果、表面の主な鏡面より高い輪
郭を有する粒子又は形状のみが照明されて、光を散乱す
る。最高水準の粒子検出器のいくつかは、ロイド鏡と呼
ばれるプロセスを使用して、すれすれの角度における散
乱光を検出する。後者の技法でも、ワークピース表面よ
り高い輪郭の粒子又は形状が優先的に検出される。
【０００３】これらの手段は全て、表面に粒子が無い場
合には検出器は光を測定しないという仮定の下で機能す
る。表面に粒子が存在しない場合に光が全く測定されな
いことを保証するために、部屋の明かりを遮断し、迷光
散乱を吸収するための努力が行われる。多種類の検査製
品（例えば、粗い金属膜表面等）では、検査手段内の黒
色表面へ到達し反射されて検出器内へ散乱される検査膜
からの散乱光は、バックグラウンド光の主な原因であ
り、検出器の感度に影響を及ぼす根本的な制限である。
合には検出器は光を測定しないという仮定の下で機能す
る。表面に粒子が存在しない場合に光が全く測定されな
いことを保証するために、部屋の明かりを遮断し、迷光
散乱を吸収するための努力が行われる。多種類の検査製
品（例えば、粗い金属膜表面等）では、検査手段内の黒
色表面へ到達し反射されて検出器内へ散乱される検査膜
からの散乱光は、バックグラウンド光の主な原因であ
り、検出器の感度に影響を及ぼす根本的な制限である。
【０００４】これらの暗視野技法をその場（in-situ ）
測定で用いようとする場合には、問題が起こる。即ち、
光は処理チャンバの窓を通って進行しなければならな
い。その上、典型的な処理チャンバは、光反射性であっ
て光吸収性ではない。更に、チャンバ内で実行されるプ
ロセスは、発光を起こすことが多い。これらが合わさっ
て、暗視野測定技法を用いるその場粒子検査には非常に
多くの散乱光の原因が存在するいう影響を与える。
測定で用いようとする場合には、問題が起こる。即ち、
光は処理チャンバの窓を通って進行しなければならな
い。その上、典型的な処理チャンバは、光反射性であっ
て光吸収性ではない。更に、チャンバ内で実行されるプ
ロセスは、発光を起こすことが多い。これらが合わさっ
て、暗視野測定技法を用いるその場粒子検査には非常に
多くの散乱光の原因が存在するいう影響を与える。
【０００５】製造プロセス手段内部でのその場測定に加
えて、他の検査プロセスと組み合わせて表面の粒子又は
***部を検出することが所望される場合もある。例え
ば、表面粒子検出器を備えた光学顕微鏡の観察ステーシ
ョン（review station）は、オペレータが表面上の汚染
の存在及び種類の両方を迅速に評価できるようにする。
走査型電子顕微鏡又は集束イオンビーム手段（focussed
ion beam tool）へ粒子検出器を付加すると、始めに粒
子を検出し、次に走査型電子顕微鏡又は集束イオンビー
ム手段で粒子を再度検出できるように十分な正確さでワ
ークピースを再位置合わせする必要なく、粒子の形態分
析及び組成測定の両方を行うことができる。
えて、他の検査プロセスと組み合わせて表面の粒子又は
***部を検出することが所望される場合もある。例え
ば、表面粒子検出器を備えた光学顕微鏡の観察ステーシ
ョン（review station）は、オペレータが表面上の汚染
の存在及び種類の両方を迅速に評価できるようにする。
走査型電子顕微鏡又は集束イオンビーム手段（focussed
ion beam tool）へ粒子検出器を付加すると、始めに粒
子を検出し、次に走査型電子顕微鏡又は集束イオンビー
ム手段で粒子を再度検出できるように十分な正確さでワ
ークピースを再位置合わせする必要なく、粒子の形態分
析及び組成測定の両方を行うことができる。
【０００６】二重暗視野顕微鏡法は、「二重暗視野顕微
鏡法（Doubly Darkfield Microscopy ）」（ IBM Techn
ical Disclosure Bulletin, vol. 30, no. 6, 1987年11
月,334 頁）と題される論文に記載されている。暗視野
走査は、米国特許第４、６１０、５４１号に開示されて
いる。
鏡法（Doubly Darkfield Microscopy ）」（ IBM Techn
ical Disclosure Bulletin, vol. 30, no. 6, 1987年11
月,334 頁）と題される論文に記載されている。暗視野
走査は、米国特許第４、６１０、５４１号に開示されて
いる。
【０００７】同一波長の散乱ビーム及びリファレンスビ
ームを有する粒子検出に有用な装置は、米国特許第５、
０３０、８４２号に記載されている。この特許は、２つ
の検出システムを説明している。１つのシステムでは、
リファレンスビーム及びプローブビームの両方が表面か
ら反射され、検出器で結合される。この明視野−明視野
システムは、光検出器で生成される信号が粒子存在の有
無にかかわらず始めのレーザ変調を再生するので、粒子
検出に対しては効果がない。もう１つのシステムでは、
光検出器は、ワークピース表面からの暗視野散乱のみを
受光する。この構成は、散乱信号のホモダイン増幅又は
ヘテロダイン増幅のいずれかを生成するために検出器で
の暗視野散乱入射光と干渉性のある光ビームが無いの
で、実施可能ではあるが迷光排除を行わない。
ームを有する粒子検出に有用な装置は、米国特許第５、
０３０、８４２号に記載されている。この特許は、２つ
の検出システムを説明している。１つのシステムでは、
リファレンスビーム及びプローブビームの両方が表面か
ら反射され、検出器で結合される。この明視野−明視野
システムは、光検出器で生成される信号が粒子存在の有
無にかかわらず始めのレーザ変調を再生するので、粒子
検出に対しては効果がない。もう１つのシステムでは、
光検出器は、ワークピース表面からの暗視野散乱のみを
受光する。この構成は、散乱信号のホモダイン増幅又は
ヘテロダイン増幅のいずれかを生成するために検出器で
の暗視野散乱入射光と干渉性のある光ビームが無いの
で、実施可能ではあるが迷光排除を行わない。
【０００８】別の構成では、プローブビーム及びリファ
レンスビームは同一波長を有し、ヘテロダイン増幅の代
わりにホモダイン増幅を生成する。この構成では、プロ
ーブビームは強度が変調される。実施例では、例えば、
セルへのＲＦ駆動信号がオフされたときにだけ表面へ光
を透過させるブラッグセル（Ｂｒａｇｇ ｃｅｌｌ）が
備えられ、ブラッグセルへのＲＦ信号の振幅変調がプロ
ーブビームの強度を変調する。この実施例は実施可能で
あるが、最適なものではない。干渉計の増幅は、リファ
レンス信号の周波数と増幅されるべき信号とが正しい位
相関係を有する場合にだけ働く。ヘテロダイン増幅で
は、リファレンス信号及び増幅されるべき信号が異なる
周波数を有するので、可能性のある全ての位相関係が検
出される。ホモダイン増幅では、粒子散乱信号はランダ
ムな位相を有することができるので、リファレンス信号
及び増幅されるべき信号は、実質的にわずかな時間を適
切に干渉しない。
レンスビームは同一波長を有し、ヘテロダイン増幅の代
わりにホモダイン増幅を生成する。この構成では、プロ
ーブビームは強度が変調される。実施例では、例えば、
セルへのＲＦ駆動信号がオフされたときにだけ表面へ光
を透過させるブラッグセル（Ｂｒａｇｇ ｃｅｌｌ）が
備えられ、ブラッグセルへのＲＦ信号の振幅変調がプロ
ーブビームの強度を変調する。この実施例は実施可能で
あるが、最適なものではない。干渉計の増幅は、リファ
レンス信号の周波数と増幅されるべき信号とが正しい位
相関係を有する場合にだけ働く。ヘテロダイン増幅で
は、リファレンス信号及び増幅されるべき信号が異なる
周波数を有するので、可能性のある全ての位相関係が検
出される。ホモダイン増幅では、粒子散乱信号はランダ
ムな位相を有することができるので、リファレンス信号
及び増幅されるべき信号は、実質的にわずかな時間を適
切に干渉しない。
【０００９】本発明は、ヘテロダイン技法の迷光排除能
力と、ロイド鏡検出を伴う又は伴わない暗視野照明の隆
起部検出能力と、を結びつけることによって、上記の制
限を克服するものである。
力と、ロイド鏡検出を伴う又は伴わない暗視野照明の隆
起部検出能力と、を結びつけることによって、上記の制
限を克服するものである。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】従って、本発明の主要
な目的は、異なる波長のプローブビーム及びリファレン
スビームを有するヘテロダイン暗視野表面粒子検出器を
提供することである。
な目的は、異なる波長のプローブビーム及びリファレン
スビームを有するヘテロダイン暗視野表面粒子検出器を
提供することである。
【００１１】本発明のもう１つの目的は、すれすれ角度
での散乱光がロイド鏡と呼ばれるプロセスにより検出さ
れる、異なる波長のプローブビーム及びリファレンスビ
ームを有するヘテロダイン暗視野表面粒子検出器を提供
することである。暗視野照明及びロイド鏡検出の組み合
わせは、二重暗視野（doubly darkfield）といわれてい
る。
での散乱光がロイド鏡と呼ばれるプロセスにより検出さ
れる、異なる波長のプローブビーム及びリファレンスビ
ームを有するヘテロダイン暗視野表面粒子検出器を提供
することである。暗視野照明及びロイド鏡検出の組み合
わせは、二重暗視野（doubly darkfield）といわれてい
る。
【００１２】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明の表面粒子検出装置は、異なる波長のプロー
ブビーム及びリファレンスビームを発生すると共に、前
記プローブビームで表面を照明するための手段と、表面
の粒子を捕える前記プローブビームから起こる散乱プロ
ーブビームを検出し、表面が前記リファレンスビームで
照明される場合に表面をすれすれの角度で捕える前記リ
ファレンスビームからの実リファレンスビームを検出
し、前記リファレンスビームで照明されている表面が無
い場合に前記リファレンスビームから起こる仮想リファ
レンスビームを検出し、表面の粒子の存在を示すビート
周波数信号を発生する検出器手段と、を備えている。
に、本発明の表面粒子検出装置は、異なる波長のプロー
ブビーム及びリファレンスビームを発生すると共に、前
記プローブビームで表面を照明するための手段と、表面
の粒子を捕える前記プローブビームから起こる散乱プロ
ーブビームを検出し、表面が前記リファレンスビームで
照明される場合に表面をすれすれの角度で捕える前記リ
ファレンスビームからの実リファレンスビームを検出
し、前記リファレンスビームで照明されている表面が無
い場合に前記リファレンスビームから起こる仮想リファ
レンスビームを検出し、表面の粒子の存在を示すビート
周波数信号を発生する検出器手段と、を備えている。
【００１３】また本発明の表面粒子検出方法は、異なる
波長のプローブビーム及びリファレンスビームを発生す
るステップと、前記プローブビームで表面を照明するス
テップと、表面の粒子を捕える前記プローブビームから
起こる散乱プローブビームを検出し、表面が前記リファ
レンスビームで照明される場合に表面をすれすれの角度
で捕える前記リファレンスビームからの実リファレンス
ビームを検出し、前記リファレンスビームで照明されて
いる表面が無い場合に前記リファレンスビームから起こ
る仮想リファレンスビームを検出し、表面の粒子の存在
を示すビート周波数信号を発生するステップと、を含
む。
波長のプローブビーム及びリファレンスビームを発生す
るステップと、前記プローブビームで表面を照明するス
テップと、表面の粒子を捕える前記プローブビームから
起こる散乱プローブビームを検出し、表面が前記リファ
レンスビームで照明される場合に表面をすれすれの角度
で捕える前記リファレンスビームからの実リファレンス
ビームを検出し、前記リファレンスビームで照明されて
いる表面が無い場合に前記リファレンスビームから起こ
る仮想リファレンスビームを検出し、表面の粒子の存在
を示すビート周波数信号を発生するステップと、を含
む。
【００１４】
【作用】ヘテロダイン検出器法では、ワークピース表面
に配置された粒子から散乱された光は、粒子から放射さ
れる電場の２乗に比例する検出信号を生成する。検出器
に追加の光が存在し、この追加の光が粒子から散乱され
る光と空間的に干渉性である場合、得られる検出信号は
２つの電場の和の２乗に比例する。小粒子から散乱され
る光は粒子に集中されるファーフィールド（遠距離電磁
界）に球波面信号を生成するので、追加の光又はリファ
レンスビームは、所望の２乗増幅効果を達成するため
に、同一の有効波面を同様に生成しなければならない。
に配置された粒子から散乱された光は、粒子から放射さ
れる電場の２乗に比例する検出信号を生成する。検出器
に追加の光が存在し、この追加の光が粒子から散乱され
る光と空間的に干渉性である場合、得られる検出信号は
２つの電場の和の２乗に比例する。小粒子から散乱され
る光は粒子に集中されるファーフィールド（遠距離電磁
界）に球波面信号を生成するので、追加の光又はリファ
レンスビームは、所望の２乗増幅効果を達成するため
に、同一の有効波面を同様に生成しなければならない。
【００１５】このようなリファレンスビームを発生する
方法は２つある。その１つは、リファレンス光ビームを
検査中のワークピース表面に粒子近傍で集束させて、表
面から反射するビームを検出器で検出する方法である。
この方法により散乱される検出信号は、実リファレンス
信号と称される。もう１つは、リファレンスビームがワ
ークピース表面に入射されることなく、リファレンス波
面を粒子からの散乱光と共平面になるように検出器に光
学的に配置する方法である。この方法による検出信号
は、仮想リファレンス信号と称される。
方法は２つある。その１つは、リファレンス光ビームを
検査中のワークピース表面に粒子近傍で集束させて、表
面から反射するビームを検出器で検出する方法である。
この方法により散乱される検出信号は、実リファレンス
信号と称される。もう１つは、リファレンスビームがワ
ークピース表面に入射されることなく、リファレンス波
面を粒子からの散乱光と共平面になるように検出器に光
学的に配置する方法である。この方法による検出信号
は、仮想リファレンス信号と称される。
【００１６】本発明の教示によると、粒子からの散乱場
を発生するプローブビームは、リファレンスビームとは
異なる波長である。２つの異なる波長を有する粒子から
の散乱ビーム及びリファレンスビームが検出器で混合さ
れる場合、２つのビーム間の干渉の結果、ヘテロダイン
検出では一般的であるように、２つの光ビームの周波数
の差に等しい周波数の変調信号が得られる。
を発生するプローブビームは、リファレンスビームとは
異なる波長である。２つの異なる波長を有する粒子から
の散乱ビーム及びリファレンスビームが検出器で混合さ
れる場合、２つのビーム間の干渉の結果、ヘテロダイン
検出では一般的であるように、２つの光ビームの周波数
の差に等しい周波数の変調信号が得られる。
【００１７】ホモダイン検出（プローブビーム及びリフ
ァレンスビームが同一波長、即ち同一周波数である）の
使用は、レーザノイズ、バックグラウンド散乱及びマイ
クロホニックスの影響をより受けやすいので、あまり望
ましくない。更に、パターン化形状又は粗い形状をわた
る走査は、実リファレンスビーム法を使用する場合、リ
ファレンスビームの高周波数変調を発生する。この問題
を解決するために、プローブビーム及びリファレンスビ
ーム間の干渉又はビート周波数は、少なくとも、走査か
ら起こり得る最高変調周波数より高い大きさにされる。
ァレンスビームが同一波長、即ち同一周波数である）の
使用は、レーザノイズ、バックグラウンド散乱及びマイ
クロホニックスの影響をより受けやすいので、あまり望
ましくない。更に、パターン化形状又は粗い形状をわた
る走査は、実リファレンスビーム法を使用する場合、リ
ファレンスビームの高周波数変調を発生する。この問題
を解決するために、プローブビーム及びリファレンスビ
ーム間の干渉又はビート周波数は、少なくとも、走査か
ら起こり得る最高変調周波数より高い大きさにされる。
【００１８】実リファレンスビームは、表面にほぼ垂直
な入射角、表面に対してすれすれの入射角、又はすれす
れと垂直の間の角度で、ワークピースへ入射させること
ができる。すれすれの角度は、ワークピース表面に対す
る垂直軸から８０°より大きい角度と定義される。他の
場合には、角度は略垂直であると考えられる。仮想リフ
ァレンスビームも同様に類別される。仮想リファレンス
は、検出器に到達する波面の後方伝播が、ワークピース
表面に対する垂直軸から８０°より大きい角度でワーク
ピース表面に入射される場合、すれすれであるとされ
る。その他の場合には、角度は、略垂直であると考えら
れる。
な入射角、表面に対してすれすれの入射角、又はすれす
れと垂直の間の角度で、ワークピースへ入射させること
ができる。すれすれの角度は、ワークピース表面に対す
る垂直軸から８０°より大きい角度と定義される。他の
場合には、角度は略垂直であると考えられる。仮想リフ
ァレンスビームも同様に類別される。仮想リファレンス
は、検出器に到達する波面の後方伝播が、ワークピース
表面に対する垂直軸から８０°より大きい角度でワーク
ピース表面に入射される場合、すれすれであるとされ
る。その他の場合には、角度は、略垂直であると考えら
れる。
【００１９】暗視野照明及びロイド鏡検出はほぼすれす
れの角度で光が表面に入射される場合に起こり、干渉パ
ターンは、入射光波と反射光波との間に形成される。得
られる電界強度Ｉは、以下の式に従って、表面からの距
離ｈと共に変動する。
れの角度で光が表面に入射される場合に起こり、干渉パ
ターンは、入射光波と反射光波との間に形成される。得
られる電界強度Ｉは、以下の式に従って、表面からの距
離ｈと共に変動する。
【００２０】
【数１】
【００２１】ここで、Ｉ0 は入射照明の強度であり、λ
は光波長、θは入射角である。表面に近い位置では、こ
の式は、次のように簡単化される。
は光波長、θは入射角である。表面に近い位置では、こ
の式は、次のように簡単化される。
【００２２】
【数２】
【００２３】強度Ｉは、表面からの距離ｈと共に、次第
に増大する。従って、表面の粗形状又はパターン形状は
照明されないが、表面の上方へもり上がる***部又は粒
子は照明される。
に増大する。従って、表面の粗形状又はパターン形状は
照明されないが、表面の上方へもり上がる***部又は粒
子は照明される。
【００２４】あるいは、表面より上方ｈの位置に光源が
あり、検出器が表面に対する垂直軸から角度θで散乱さ
れた光を受信するように配向されていると仮定すると、
Ｉ0は、表面が無い場合に検出器が測定する強度であ
る。表面の存在は、検出器へ第２の光路を提供する。θ
が９０°に十分近接する（即ち、すれすれの角度）と、
反射ビームの１８０°位相シフトがある。検出器で生成
される入射光ビーム及び反射光ビームからの結合強度
は、上記の２つの式により定義される。この効果はロイ
ド鏡と呼ばれる。すなわち、直接入射する光波と反射光
波との間でファーフィールドに干渉が形成され、すれす
れの角度ではゼロで始まる干渉縞を形成する。
あり、検出器が表面に対する垂直軸から角度θで散乱さ
れた光を受信するように配向されていると仮定すると、
Ｉ0は、表面が無い場合に検出器が測定する強度であ
る。表面の存在は、検出器へ第２の光路を提供する。θ
が９０°に十分近接する（即ち、すれすれの角度）と、
反射ビームの１８０°位相シフトがある。検出器で生成
される入射光ビーム及び反射光ビームからの結合強度
は、上記の２つの式により定義される。この効果はロイ
ド鏡と呼ばれる。すなわち、直接入射する光波と反射光
波との間でファーフィールドに干渉が形成され、すれす
れの角度ではゼロで始まる干渉縞を形成する。
【００２５】好ましい実施例は、入射面に垂直に偏光さ
れる（Ｓ偏光）光源を有する。何故なら、この構成は、
通常、最高の反射率を有し、位相シフトが１８０度に最
も近いからである。
れる（Ｓ偏光）光源を有する。何故なら、この構成は、
通常、最高の反射率を有し、位相シフトが１８０度に最
も近いからである。
【００２６】本発明は、改良された粒子検出を達成する
ために、ヘテロダイン検出と暗視野照明とロイド鏡検出
との組み合わせに頼る。
ために、ヘテロダイン検出と暗視野照明とロイド鏡検出
との組み合わせに頼る。
【００２７】理論上、プローブ又は入射照明は、略垂直
入射角又はすれすれの入射角であり、リファレンスビー
ムは略垂直入射角又はすれすれの入射角であり、リファ
レンスビームは標準的に実又は仮想であり得るので、可
能性のある組み合わせは８つある。以下の表１は８つの
可能性を示す。
入射角又はすれすれの入射角であり、リファレンスビー
ムは略垂直入射角又はすれすれの入射角であり、リファ
レンスビームは標準的に実又は仮想であり得るので、可
能性のある組み合わせは８つある。以下の表１は８つの
可能性を示す。
【００２８】
【表１】
【００２９】表１においてプラスの符号（＋）で示され
る５つの組み合わせのみが本発明に属する。
る５つの組み合わせのみが本発明に属する。
【００３０】実リファレンスビームと従来検出との組み
合わせは、リファレンスビームが表面から反射されて検
出器に入るような垂直角で表面に入射される必要がある
ので、無視される。このような構成は多くの種類の干渉
計顕微鏡（例えば、ノルマルスキ（Normarski ））にお
いて一般的であり、リファレンスビームに非常に多くの
表面信号を導入する。垂直角で表面に入射する仮想リフ
ァレンスビームと表面への垂直角入射ビームとの組み合
わせは、入射ビームもリファレンスビームもすれすれ角
照明又は検出の特性を利用しておらず、従って、表面の
粒子又は***部から起こる信号に対して優先性を提供し
ないので、無視される。残りの５つの組み合わせは、粒
子検出のために改良された検出能力を有する新規な手段
を提供する。
合わせは、リファレンスビームが表面から反射されて検
出器に入るような垂直角で表面に入射される必要がある
ので、無視される。このような構成は多くの種類の干渉
計顕微鏡（例えば、ノルマルスキ（Normarski ））にお
いて一般的であり、リファレンスビームに非常に多くの
表面信号を導入する。垂直角で表面に入射する仮想リフ
ァレンスビームと表面への垂直角入射ビームとの組み合
わせは、入射ビームもリファレンスビームもすれすれ角
照明又は検出の特性を利用しておらず、従って、表面の
粒子又は***部から起こる信号に対して優先性を提供し
ないので、無視される。残りの５つの組み合わせは、粒
子検出のために改良された検出能力を有する新規な手段
を提供する。
【００３１】
【実施例】図１乃至図５は、上記の表１に示された５つ
の好ましい組み合わせのそれぞれを示している。
の好ましい組み合わせのそれぞれを示している。
【００３２】図面、特に図１を参照すると、実リファレ
ンス光ビームと、ロイド鏡検出と、表面に実質的に垂直
な方向でワークピース表面に入射するプローブビーム
と、を使用して、ワークピース表面の粒子又は***部を
検出するための構成の略図が示されている。
ンス光ビームと、ロイド鏡検出と、表面に実質的に垂直
な方向でワークピース表面に入射するプローブビーム
と、を使用して、ワークピース表面の粒子又は***部を
検出するための構成の略図が示されている。
【００３３】レーザ１０は、波長λ1 のエネルギビーム
をビームスプリッタ１２へ伝送する。ビームスプリッタ
１２において、ビームは、プローブビーム１４及びビー
ム１６の２つの部分に分割される。プローブビーム１４
は、反射体１８及び反射体２０からレンズ２２を通って
ワークピース２６の表面２４上へ反射される。波長λ 1
のプローブビーム１４は、ワークピース表面に配置され
た粒子又は***部２８を照明するためにワークピース表
面に実質的に垂直な角度でワークピースに衝突する。
をビームスプリッタ１２へ伝送する。ビームスプリッタ
１２において、ビームは、プローブビーム１４及びビー
ム１６の２つの部分に分割される。プローブビーム１４
は、反射体１８及び反射体２０からレンズ２２を通って
ワークピース２６の表面２４上へ反射される。波長λ 1
のプローブビーム１４は、ワークピース表面に配置され
た粒子又は***部２８を照明するためにワークピース表
面に実質的に垂直な角度でワークピースに衝突する。
【００３４】レーザビーム１６はブラッグセル３０に進
入し、そこで回折され、ビームの波長は、そこから出て
いくリファレンスビーム３２とプローブビーム１４とが
異なる波長を有するように、値λ2 に変化される。リフ
ァレンスビーム３２はレンズ３４を通って進行し、すれ
すれの角度θ、即ち表面への垂直軸から約８０°以上大
きい角度で表面２４に入射される。プローブビーム１４
及び実リファレンスビーム３２は、表面２４上の実質的
に同じ位置に集束される。
入し、そこで回折され、ビームの波長は、そこから出て
いくリファレンスビーム３２とプローブビーム１４とが
異なる波長を有するように、値λ2 に変化される。リフ
ァレンスビーム３２はレンズ３４を通って進行し、すれ
すれの角度θ、即ち表面への垂直軸から約８０°以上大
きい角度で表面２４に入射される。プローブビーム１４
及び実リファレンスビーム３２は、表面２４上の実質的
に同じ位置に集束される。
【００３５】ビームが粒子２８に遭遇すると、２つのビ
ーム、即ち第１波長λ1 の散乱プローブビーム３６及び
第２波長λ2 のリファレンスビーム３８が検出器４０で
受光される。好ましい実施例では、検出器はロイド鏡で
あり、すれすれの角度で散乱される光を検出する２乗電
場検出器（square law electric field detector）（例
えば、フォトダイオード）なので、散乱場及びリファレ
ンス場が検出器で混合され、散乱プローブビーム信号と
散乱リファレンスビーム信号との周波数の差に等しい周
波数のビート周波数信号が発生される。
ーム、即ち第１波長λ1 の散乱プローブビーム３６及び
第２波長λ2 のリファレンスビーム３８が検出器４０で
受光される。好ましい実施例では、検出器はロイド鏡で
あり、すれすれの角度で散乱される光を検出する２乗電
場検出器（square law electric field detector）（例
えば、フォトダイオード）なので、散乱場及びリファレ
ンス場が検出器で混合され、散乱プローブビーム信号と
散乱リファレンスビーム信号との周波数の差に等しい周
波数のビート周波数信号が発生される。
【００３６】レーザやバックグラウンド散乱等から起こ
る疑似ノイズはヘテロダイン検出方式により相殺される
ので、ビート周波数信号の検出は、表面粒子から起こる
信号の改良された信号対雑音比検出を提供する。図１に
示される構成でリファレンスビームにより与えられる暗
視野照明をロイド鏡検出器と組み合わせると、検出感度
の改良が得られる。
る疑似ノイズはヘテロダイン検出方式により相殺される
ので、ビート周波数信号の検出は、表面粒子から起こる
信号の改良された信号対雑音比検出を提供する。図１に
示される構成でリファレンスビームにより与えられる暗
視野照明をロイド鏡検出器と組み合わせると、検出感度
の改良が得られる。
【００３７】ヘテロダイン検出は、G. Makoschらによる
論文「電気光学的位相測定による表面のプロファイリン
グ（Surface Profiling By Electro-Optical Phase Mea
surements ）」（ SPIE vol. 316, 1981年, 42-53 頁）
に記載されている。ロイド鏡検出は、M. Born 及びE. W
olf の著書「光学の原理（Principles of Optics）」
（New York, 第５版, 1975年, 262-263 頁）に記載され
ている。
論文「電気光学的位相測定による表面のプロファイリン
グ（Surface Profiling By Electro-Optical Phase Mea
surements ）」（ SPIE vol. 316, 1981年, 42-53 頁）
に記載されている。ロイド鏡検出は、M. Born 及びE. W
olf の著書「光学の原理（Principles of Optics）」
（New York, 第５版, 1975年, 262-263 頁）に記載され
ている。
【００３８】典型的な実施例では、λ1 の値は１９５ｎ
ｍ乃至１１００ｎｍの範囲である。波長λ2 のビームの
周波数は、波長λ1 のビームの周波数から、１０ＫＨｚ
と１ＧＨｚの間の範囲の周波数によりオフセット（相
殺）される。ここで、ｆ1 ＝ｃ（λ1 ／ｎ）であり、ｃ
は真空中の光の速度、ｎはビームが進行する媒体の屈折
率である。レーザは、固体レーザ、ガスレーザ、ガラス
レーザ、又は色素レーザである。
ｍ乃至１１００ｎｍの範囲である。波長λ2 のビームの
周波数は、波長λ1 のビームの周波数から、１０ＫＨｚ
と１ＧＨｚの間の範囲の周波数によりオフセット（相
殺）される。ここで、ｆ1 ＝ｃ（λ1 ／ｎ）であり、ｃ
は真空中の光の速度、ｎはビームが進行する媒体の屈折
率である。レーザは、固体レーザ、ガスレーザ、ガラス
レーザ、又は色素レーザである。
【００３９】検出器の出力は、プローブビーム及びリフ
ァレンスビームが直角でない角度θで交差する位置にお
いてワークピース表面に粒子又は***部が存在すること
を示す信号である。
ァレンスビームが直角でない角度θで交差する位置にお
いてワークピース表面に粒子又は***部が存在すること
を示す信号である。
【００４０】図２は、実リファレンスビームと、ロイド
鏡検出と、すれすれの角度でワークピース表面に入射す
るプローブビームと、を使用する表面粒子検出の略図で
ある。
鏡検出と、すれすれの角度でワークピース表面に入射す
るプローブビームと、を使用する表面粒子検出の略図で
ある。
【００４１】レーザ１０は、エネルギビームをブラッグ
セル５０へ伝送する。２つのレーザビーム５２、５４
は、異なる波長及び異なる角度でブラッグセルから出て
いく。第１ビーム５２はプローブビームであり、レンズ
５６を通って進行し、ワークピース２６の表面２４上の
粒子２８が存在する位置に集束される。第２ビーム５４
はリファレンスビームであり、レンズ５６を通って進行
し、ワークピース２６表面の粒子２８が存在する位置に
集束される。プローブビーム５２及びリファレンスビー
ム５４は両者とも、すれすれの角度でワークピース表面
２４に入射される。２つのビームは表面２４の垂直軸５
８に関して同一又は異なる角度で入射されることができ
る。
セル５０へ伝送する。２つのレーザビーム５２、５４
は、異なる波長及び異なる角度でブラッグセルから出て
いく。第１ビーム５２はプローブビームであり、レンズ
５６を通って進行し、ワークピース２６の表面２４上の
粒子２８が存在する位置に集束される。第２ビーム５４
はリファレンスビームであり、レンズ５６を通って進行
し、ワークピース２６表面の粒子２８が存在する位置に
集束される。プローブビーム５２及びリファレンスビー
ム５４は両者とも、すれすれの角度でワークピース表面
２４に入射される。２つのビームは表面２４の垂直軸５
８に関して同一又は異なる角度で入射されることができ
る。
【００４２】図１の構成に関して記載したのと同じよう
に、粒子２８からの散乱プローブビーム６０及び散乱リ
ファレンスビーム６２は、ロイド鏡検出器４０で受光さ
れる。ビート周波数信号が発生され、粒子２８が検出さ
れる。
に、粒子２８からの散乱プローブビーム６０及び散乱リ
ファレンスビーム６２は、ロイド鏡検出器４０で受光さ
れる。ビート周波数信号が発生され、粒子２８が検出さ
れる。
【００４３】図３は、仮想リファレンスビームと、従来
の検出と、すれすれの角度でワークピースに入射するプ
ローブビームと、を使用する表面粒子検出器の略図であ
る。
の検出と、すれすれの角度でワークピースに入射するプ
ローブビームと、を使用する表面粒子検出器の略図であ
る。
【００４４】レーザ１０はエネルギビームをビームスプ
リッタ１２へ伝送する。ビームスプリッタ１２におい
て、ビームはプローブビーム６４及びビーム６６へ分割
される。ビーム６６は反射体１８からブラッグセル３０
へ反射され、ビーム６６の波長から変化された波長を有
するリファレンスビーム６８が出ていく。リファレンス
ビーム６８は部分反射体７０へ進行し、ワークピース表
面２４に入射されることなく、部分反射体７０から検出
器７２へ直接反射される。このようなリファレンスビー
ムは仮想リファレンスビームと呼ばれる。
リッタ１２へ伝送する。ビームスプリッタ１２におい
て、ビームはプローブビーム６４及びビーム６６へ分割
される。ビーム６６は反射体１８からブラッグセル３０
へ反射され、ビーム６６の波長から変化された波長を有
するリファレンスビーム６８が出ていく。リファレンス
ビーム６８は部分反射体７０へ進行し、ワークピース表
面２４に入射されることなく、部分反射体７０から検出
器７２へ直接反射される。このようなリファレンスビー
ムは仮想リファレンスビームと呼ばれる。
【００４５】プローブビーム６４はレンズ７４を通って
進行し、粒子２８の位置においてすれすれの角度で表面
２４へ入射される。散乱プローブビーム７６は、粒子２
８から表面２４に実質的に垂直な方向に反射される。ビ
ーム７６はレンズ７８及び部分反射体７０を通って進行
し、検出器７２で受光される。
進行し、粒子２８の位置においてすれすれの角度で表面
２４へ入射される。散乱プローブビーム７６は、粒子２
８から表面２４に実質的に垂直な方向に反射される。ビ
ーム７６はレンズ７８及び部分反射体７０を通って進行
し、検出器７２で受光される。
【００４６】仮想リファレンスビーム６８と粒子２８か
らのプローブビーム７６の波長は異なるので、検出器７
２は、従来のヘテロダイン構成によって、プローブビー
ム６４が表面２４に入射される位置に粒子２８が存在す
ることを示すビート周波数信号を発生する。
らのプローブビーム７６の波長は異なるので、検出器７
２は、従来のヘテロダイン構成によって、プローブビー
ム６４が表面２４に入射される位置に粒子２８が存在す
ることを示すビート周波数信号を発生する。
【００４７】粒子又は***部２８が存在しないと、プロ
ーブビーム６４は表面２４から反射され、検出器７２に
より受光されることなくビーム８０として進行し続け
る。
ーブビーム６４は表面２４から反射され、検出器７２に
より受光されることなくビーム８０として進行し続け
る。
【００４８】図４は、仮想リファレンスビームと、ロイ
ド鏡検出と、表面に実質的に垂直な角度でワークピース
上に入射されるプローブビームと、を使用する、本発明
を実施するための別の実施例を概略的に示す。
ド鏡検出と、表面に実質的に垂直な角度でワークピース
上に入射されるプローブビームと、を使用する、本発明
を実施するための別の実施例を概略的に示す。
【００４９】レーザ１０は、エネルギビームをビームス
プリッタ１２へ伝送する。ビームスプリッタ１２から、
リファレンスビーム８４及びプローブビーム８６が出て
いく。リファレンスビーム８４は検出器４０へ進行す
る。
プリッタ１２へ伝送する。ビームスプリッタ１２から、
リファレンスビーム８４及びプローブビーム８６が出て
いく。リファレンスビーム８４は検出器４０へ進行す
る。
【００５０】プローブビーム８６は反射体１８によりブ
ラッグセル３０へ反射され、ビームの波長が変化され
る。ブラッグセル３０から出ていくプローブビーム８８
は反射体２０により反射され、レンズ２２を通って進行
して、ワークピース表面に実質的に垂直な角度で粒子２
８の位置においてワークピース表面に入射される。プロ
ーブビーム８８が粒子又は***部２８を捕える（interc
ept ）と、散乱プローブビーム９０が反射されて、ビー
ムスプリッタ１２を通って検出器４０へ進行する。
ラッグセル３０へ反射され、ビームの波長が変化され
る。ブラッグセル３０から出ていくプローブビーム８８
は反射体２０により反射され、レンズ２２を通って進行
して、ワークピース表面に実質的に垂直な角度で粒子２
８の位置においてワークピース表面に入射される。プロ
ーブビーム８８が粒子又は***部２８を捕える（interc
ept ）と、散乱プローブビーム９０が反射されて、ビー
ムスプリッタ１２を通って検出器４０へ進行する。
【００５１】散乱プローブビーム９０の波長と仮想リフ
ァレンスビーム８４の波長は異なるので、ロイド鏡検出
器４０は、ワークピース表面２４に粒子２８が存在する
ことを示すビート周波数信号を発生する。
ァレンスビーム８４の波長は異なるので、ロイド鏡検出
器４０は、ワークピース表面２４に粒子２８が存在する
ことを示すビート周波数信号を発生する。
【００５２】図５は、仮想リファレンスビームと、ロイ
ド鏡検出と、すれすれの角度でワークピースに入射され
るプローブビームと、を使用する本発明の更なる実施例
を概略的に示している。
ド鏡検出と、すれすれの角度でワークピースに入射され
るプローブビームと、を使用する本発明の更なる実施例
を概略的に示している。
【００５３】レーザ１０は、エネルギビームをビームス
プリッタ９４へ伝送する。プローブビーム９６はビーム
スプリッタを出て、レンズ９８を通って進行し、粒子２
８の位置においてすれすれの角度でワークピース表面２
４に入射される。粒子を捕えると、散乱プローブビーム
１００が反射され、レンズ９８を通ってビームスプリッ
タ９４へ戻される。そこから、散乱プローブビームはロ
イド鏡検出器４０で受光される。
プリッタ９４へ伝送する。プローブビーム９６はビーム
スプリッタを出て、レンズ９８を通って進行し、粒子２
８の位置においてすれすれの角度でワークピース表面２
４に入射される。粒子を捕えると、散乱プローブビーム
１００が反射され、レンズ９８を通ってビームスプリッ
タ９４へ戻される。そこから、散乱プローブビームはロ
イド鏡検出器４０で受光される。
【００５４】ビーム１０２の波長が変化されると、ビー
ムスプリッタ９４を出ていくビーム１０２は、反射体１
８によりブラッグセル３０へ反射される。リファレンス
ビーム１０４は第２の反射体２０で反射され、ビームス
プリッタ９４を通って進行し、検出器４０で仮想リファ
レンスビーム１０４として受光される。
ムスプリッタ９４を出ていくビーム１０２は、反射体１
８によりブラッグセル３０へ反射される。リファレンス
ビーム１０４は第２の反射体２０で反射され、ビームス
プリッタ９４を通って進行し、検出器４０で仮想リファ
レンスビーム１０４として受光される。
【００５５】仮想リファレンスビーム１０４と散乱プロ
ーブビーム１００の波長は異なるので、ロイド鏡検出器
４０は、プローブビーム９６がすれすれの角度で入射さ
れた位置においてワークピース表面２４に粒子２８が存
在することを示すビート周波数信号を発生する。
ーブビーム１００の波長は異なるので、ロイド鏡検出器
４０は、プローブビーム９６がすれすれの角度で入射さ
れた位置においてワークピース表面２４に粒子２８が存
在することを示すビート周波数信号を発生する。
【００５６】粒子又は***部２８が存在しないと、すれ
すれ入射角のプローブビーム９６は表面２４からビーム
１０６として反射され、散乱プローブビームは検出器４
０で検出されない。
すれ入射角のプローブビーム９６は表面２４からビーム
１０６として反射され、散乱プローブビームは検出器４
０で検出されない。
【００５７】図２に示される実施例の変形例では、Ｈｅ
Ｎｅレーザビームは、集束レンズを通ってブラッグセル
内へ進行した。ブラッグセルでの散乱の影響を最小限に
するために、リファレンスビームの光路に偏光子及び回
転子が挿入された。シリコン又はセラミックワークピー
スからの反射後、リファレンスビームは、レンズを通っ
て検出器へ進行した。実際には、ターゲットがシリコン
露出面から直径約１０ミクロンの粗粒子を含む表面へ変
わると、検出器は、５０ｄＢの信号範囲を発生すること
ができた。バックグラウンド信号の多くは、ブラッグセ
ル内の散乱から派生するようであった。ブラッグセル内
で派生される散乱は、多数の方法によって除去すること
ができる。例えば、ブラッグセルからの２つの出力ビー
ムを２つの直角偏光フィルタを通過させることによっ
て、ねじれ波（shear wave）ブラッグセルでは、バック
グラウンドノイズが実質的に低減された。
Ｎｅレーザビームは、集束レンズを通ってブラッグセル
内へ進行した。ブラッグセルでの散乱の影響を最小限に
するために、リファレンスビームの光路に偏光子及び回
転子が挿入された。シリコン又はセラミックワークピー
スからの反射後、リファレンスビームは、レンズを通っ
て検出器へ進行した。実際には、ターゲットがシリコン
露出面から直径約１０ミクロンの粗粒子を含む表面へ変
わると、検出器は、５０ｄＢの信号範囲を発生すること
ができた。バックグラウンド信号の多くは、ブラッグセ
ル内の散乱から派生するようであった。ブラッグセル内
で派生される散乱は、多数の方法によって除去すること
ができる。例えば、ブラッグセルからの２つの出力ビー
ムを２つの直角偏光フィルタを通過させることによっ
て、ねじれ波（shear wave）ブラッグセルでは、バック
グラウンドノイズが実質的に低減された。
【００５８】図６は、図２に示される構成にハイパテレ
セントリックスキャナ（hyper-telecentric scanner ）
を組み入れた本発明の好ましい実施例を概略的に示す。
この実施例は、その場（in-situ ）汚染測定のために特
に有用である。レーザ１１０は、エネルギビーム１１２
をブラッグセル１１４内へ伝送する。ブラッグセルから
は、異なる波長を有するリファレンスビーム１１６及び
プローブビーム１１８が出ていく。ビーム１１６及び１
１８はレンズ１２０によって振動ガルボミラー（galvo-
mirror）１２２上へ集束される。リファレンスビーム１
１６及びプローブビーム１１８は、ガルボミラー１２２
から球面鏡部１２６の反射面１２４へ反射される。ビー
ムはそこから反射され、すれすれの角度でワークピース
２６の表面２４に入射され、走査線１２８に沿って交差
する。
セントリックスキャナ（hyper-telecentric scanner ）
を組み入れた本発明の好ましい実施例を概略的に示す。
この実施例は、その場（in-situ ）汚染測定のために特
に有用である。レーザ１１０は、エネルギビーム１１２
をブラッグセル１１４内へ伝送する。ブラッグセルから
は、異なる波長を有するリファレンスビーム１１６及び
プローブビーム１１８が出ていく。ビーム１１６及び１
１８はレンズ１２０によって振動ガルボミラー（galvo-
mirror）１２２上へ集束される。リファレンスビーム１
１６及びプローブビーム１１８は、ガルボミラー１２２
から球面鏡部１２６の反射面１２４へ反射される。ビー
ムはそこから反射され、すれすれの角度でワークピース
２６の表面２４に入射され、走査線１２８に沿って交差
する。
【００５９】リファレンスビーム１１６は、表面２４又
は表面の粒子から反射された後常に検出器１３０で受光
されるように、ガルボミラー１２２をガルボミラーの点
軸で捕えるようになっている。
は表面の粒子から反射された後常に検出器１３０で受光
されるように、ガルボミラー１２２をガルボミラーの点
軸で捕えるようになっている。
【００６０】プローブビーム１１８は、鏡１２６から反
射されたプローブビーム１１８が表面２４上の粒子を捕
える場合に散乱プローブビーム１３２が検出器１３０で
受光されるように、ガルボミラー１２２を軸外で捕え
る。粒子が存在しない場合には、プローブビーム１１８
はビーム１３４として表面２４から反射され、検出器１
３０で受光されない。
射されたプローブビーム１１８が表面２４上の粒子を捕
える場合に散乱プローブビーム１３２が検出器１３０で
受光されるように、ガルボミラー１２２を軸外で捕え
る。粒子が存在しない場合には、プローブビーム１１８
はビーム１３４として表面２４から反射され、検出器１
３０で受光されない。
【００６１】好ましくは、検出器１３０は、粒子が走査
プローブビームにより捕えられた場合にビート周波数信
号を発生するロイド鏡検出器である。
プローブビームにより捕えられた場合にビート周波数信
号を発生するロイド鏡検出器である。
【００６２】図６に示される実施例により提供される利
点は、暗視野検出及びロイド鏡の組み合わせ、実施例の
低い鉛直外形、ほぼ前方散乱方向における検出、ワーク
ピース表面の広い面積を迅速に走査できること、並び
に、迷光に対する設計の不感知性である。
点は、暗視野検出及びロイド鏡の組み合わせ、実施例の
低い鉛直外形、ほぼ前方散乱方向における検出、ワーク
ピース表面の広い面積を迅速に走査できること、並び
に、迷光に対する設計の不感知性である。
【００６３】当業者には明らかなように、所望されるな
ら、ワークピースに２次元運動をさせて、表面２４全体
又は粒子に対する表面の所定部分を走査するために、ワ
ークピース２６はｘ−ｙテーブル（図示せず）上に取付
けることができる。
ら、ワークピースに２次元運動をさせて、表面２４全体
又は粒子に対する表面の所定部分を走査するために、ワ
ークピース２６はｘ−ｙテーブル（図示せず）上に取付
けることができる。
【００６４】図７は、図２に示される構成に垂直方位方
向にブラッグセルスキャナを組み入れた本発明の好まし
い実施例を概略的に示す。この実施例は、高感度走査に
より適する。以下に説明されるように、プローブビーム
及びリファレンスビームはいずれもワークピース２６の
表面２４へすれすれの角度で入射されるが、これらの２
つのビームは、約９０°だけ分離されたそれぞれの方位
角度を有する。多くのワークピースは矩形幾何学を表す
パターンを含む（そのパターンは光を主に矩形軸に沿っ
て散乱させる）ので、これらの軸に対して±４５°での
照明及び検出はパターンから散乱される信号を最小限に
する。これにより、本発明の教示に従う粒子検出が容易
になる。また、２つの異なる視点から、粒子が表面の主
鏡面より上に突出して見えなければならないところでは
同時検出がある。この実施例は、レーザに表面を迅速に
走査させるというブラッグセルの能力を利用する。検出
器が信号を復調する周波数は、ブラッグ周波数と同期的
でなければならない。最後に、検出感度の領域をより狭
い各ビームプロファイル直径へ制限することによって、
すれすれ入射レーザビームが発生する比較的大きなスポ
ットサイズに対する補償がある。例えば、リファレンス
ビーム及びプローブビームの各ビームがおよそ１０×１
００ミクロンの領域を照明する場合、検出器が粒子検出
を行う領域は１０×１０ミクロンである。その結果、測
定におけるパターン及び表面の粗さの影響が減少され
る。
向にブラッグセルスキャナを組み入れた本発明の好まし
い実施例を概略的に示す。この実施例は、高感度走査に
より適する。以下に説明されるように、プローブビーム
及びリファレンスビームはいずれもワークピース２６の
表面２４へすれすれの角度で入射されるが、これらの２
つのビームは、約９０°だけ分離されたそれぞれの方位
角度を有する。多くのワークピースは矩形幾何学を表す
パターンを含む（そのパターンは光を主に矩形軸に沿っ
て散乱させる）ので、これらの軸に対して±４５°での
照明及び検出はパターンから散乱される信号を最小限に
する。これにより、本発明の教示に従う粒子検出が容易
になる。また、２つの異なる視点から、粒子が表面の主
鏡面より上に突出して見えなければならないところでは
同時検出がある。この実施例は、レーザに表面を迅速に
走査させるというブラッグセルの能力を利用する。検出
器が信号を復調する周波数は、ブラッグ周波数と同期的
でなければならない。最後に、検出感度の領域をより狭
い各ビームプロファイル直径へ制限することによって、
すれすれ入射レーザビームが発生する比較的大きなスポ
ットサイズに対する補償がある。例えば、リファレンス
ビーム及びプローブビームの各ビームがおよそ１０×１
００ミクロンの領域を照明する場合、検出器が粒子検出
を行う領域は１０×１０ミクロンである。その結果、測
定におけるパターン及び表面の粗さの影響が減少され
る。
【００６５】図７を参照すると、レーザ１４０はエネル
ギビームをビームスプリッタ１４２へ伝送する。出てく
るビーム１４４は、反射体１４６で反射体１４８へ反射
され、ビームはそこからブラッグセル１５０へ進入し、
ビーム波長が変化される。ブラッグセル１５０からのリ
ファレンスビーム１５２は、レンズ１５４によってワー
クピース２６の表面２４上の位置へ集束される。リファ
レンスビーム１５２の入射角は、リファレンスビームが
表面２４からレンズ１５６を通って検出器１５８へ反射
されるか、又は表面２４上の粒子２８からレンズ１５６
を通って検出器１５８へ前方散乱されるように、すれす
れの角度に調整される。
ギビームをビームスプリッタ１４２へ伝送する。出てく
るビーム１４４は、反射体１４６で反射体１４８へ反射
され、ビームはそこからブラッグセル１５０へ進入し、
ビーム波長が変化される。ブラッグセル１５０からのリ
ファレンスビーム１５２は、レンズ１５４によってワー
クピース２６の表面２４上の位置へ集束される。リファ
レンスビーム１５２の入射角は、リファレンスビームが
表面２４からレンズ１５６を通って検出器１５８へ反射
されるか、又は表面２４上の粒子２８からレンズ１５６
を通って検出器１５８へ前方散乱されるように、すれす
れの角度に調整される。
【００６６】ビームスプリッタ１４２から出るプローブ
ビーム１６０はレンズ１６２を通過して、すれすれの角
度でワークピース表面２４に集束され、実質的に直角に
リファレンスビーム１５２を捕える。反射体１４６及び
１４８は、リファレンスビーム１５２がプローブビーム
１６０を実質的に直角に捕えるように配置される。
ビーム１６０はレンズ１６２を通過して、すれすれの角
度でワークピース表面２４に集束され、実質的に直角に
リファレンスビーム１５２を捕える。反射体１４６及び
１４８は、リファレンスビーム１５２がプローブビーム
１６０を実質的に直角に捕えるように配置される。
【００６７】粒子又は***部２８を捕えると、散乱プロ
ーブビーム１６４は粒子からレンズ１５６を通って検出
器１５８へ反射される。
ーブビーム１６４は粒子からレンズ１５６を通って検出
器１５８へ反射される。
【００６８】リファレンスビーム１５２及びプローブビ
ーム１６４の波長は異なるので、検出器は、これら２つ
のビームが交差するスポットにおける粒子の表示である
ビート周波数信号を発生する。
ーム１６４の波長は異なるので、検出器は、これら２つ
のビームが交差するスポットにおける粒子の表示である
ビート周波数信号を発生する。
【００６９】プローブビーム１６０が粒子上に入射され
ない場合、プローブビームは表面２４からビーム１６６
として反射され、検出器１５８で検出されない。
ない場合、プローブビームは表面２４からビーム１６６
として反射され、検出器１５８で検出されない。
【００７０】図７に示される実施例の利点は、構成の低
い外形、ワークピースパターンのｘ軸及びｙ軸座標に関
して±４５°の一致、パターン及び表面の粗さの影響を
低減するためにリファレンスビーム及びプローブビーム
の交差点での小さい感知領域、暗視野及びロイド鏡光識
別の組み合わせ、並びに高速ブラッグセルスポット走査
である。
い外形、ワークピースパターンのｘ軸及びｙ軸座標に関
して±４５°の一致、パターン及び表面の粗さの影響を
低減するためにリファレンスビーム及びプローブビーム
の交差点での小さい感知領域、暗視野及びロイド鏡光識
別の組み合わせ、並びに高速ブラッグセルスポット走査
である。
【００７１】当業者には明らかなように、本発明を実施
するのに有用な異なる波長を有するプローブビーム及び
リファレンスビームを発生するために、別の実施例及び
方法がある。例えば、ゼーマンスプリットレーザは、周
波数、従って波長が分離された２つのレーザビームを生
成する。あるいは、異なる波長を有するレーザビームを
発生するために２つの別々のレーザを使用することもで
きる。
するのに有用な異なる波長を有するプローブビーム及び
リファレンスビームを発生するために、別の実施例及び
方法がある。例えば、ゼーマンスプリットレーザは、周
波数、従って波長が分離された２つのレーザビームを生
成する。あるいは、異なる波長を有するレーザビームを
発生するために２つの別々のレーザを使用することもで
きる。
【００７２】位相変調法は、光ビームに周期的位相シフ
トを導入するために存在する。これらの方法には、電気
光学的位相リターダ（retarder）及び回転四分の一又は
多重波長板が含まれる。このような方法は、始めのビー
ムの波長とは異なる波長を有するビームを生成すると考
えることができ、それだけで、ヘテロダイン干渉計を形
成するために使用し、以下の２つの条件に合うビームを
提供することができる。第１に、位相シフト量は±９０
°より大きくなければならない（さもなくば、位相がシ
フトしたビームと位相がシフトしないビームとの間の可
能性のある全ての位相の組み合わせがサンプリングされ
ない）。第２に、シルトしたビームとシフトしないビー
ムとの最大の周波数差は、ベースバンドノイズ源（典型
的には約１０キロヘルツ）、もしくはプローブビーム又
はリファレンスビームをワークピースをわたって走査す
ることにより誘導される変調周波数（５０メガヘルツも
の高さである）よりも大きくなければならない。これら
の条件が両方とも満たされると、本発明の実施に有用な
ビームが生成される。
トを導入するために存在する。これらの方法には、電気
光学的位相リターダ（retarder）及び回転四分の一又は
多重波長板が含まれる。このような方法は、始めのビー
ムの波長とは異なる波長を有するビームを生成すると考
えることができ、それだけで、ヘテロダイン干渉計を形
成するために使用し、以下の２つの条件に合うビームを
提供することができる。第１に、位相シフト量は±９０
°より大きくなければならない（さもなくば、位相がシ
フトしたビームと位相がシフトしないビームとの間の可
能性のある全ての位相の組み合わせがサンプリングされ
ない）。第２に、シルトしたビームとシフトしないビー
ムとの最大の周波数差は、ベースバンドノイズ源（典型
的には約１０キロヘルツ）、もしくはプローブビーム又
はリファレンスビームをワークピースをわたって走査す
ることにより誘導される変調周波数（５０メガヘルツも
の高さである）よりも大きくなければならない。これら
の条件が両方とも満たされると、本発明の実施に有用な
ビームが生成される。
【００７３】上記に説明した発明は、製造処理手段内で
のその場検査及び一般の表面粒子検査への応用、並び
に、特に迷光が特別な問題を呈する場合の応用を有す
る。
のその場検査及び一般の表面粒子検査への応用、並び
に、特に迷光が特別な問題を呈する場合の応用を有す
る。
【００７４】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によって、
ワークピース表面の粒子及び***部を高速且つ高感度で
検出することができる。
ワークピース表面の粒子及び***部を高速且つ高感度で
検出することができる。
【図１】実リファレンスビーム、ロイド鏡検出及び垂直
角プローブビームを含む、本発明の好ましい実施例の略
図である。
角プローブビームを含む、本発明の好ましい実施例の略
図である。
【図２】実リファレンスビーム、ロイド鏡検出及びすれ
すれ角プローブビームを含む、本発明のもう１つの好ま
しい実施例の略図である。
すれ角プローブビームを含む、本発明のもう１つの好ま
しい実施例の略図である。
【図３】仮想リファレンスビーム、従来検出及びすれす
れ角プローブビームを含む、本発明のもう１つの好まし
い実施例の略図である。
れ角プローブビームを含む、本発明のもう１つの好まし
い実施例の略図である。
【図４】仮想リファレンスビーム、ロイド鏡検出及び垂
直角プローブビームを含む、本発明のもう１つの好まし
い実施例の略図である。
直角プローブビームを含む、本発明のもう１つの好まし
い実施例の略図である。
【図５】仮想リファレンスビーム、ロイド鏡検出及びす
れすれ角プローブビームを含む、本発明のもう１つの好
ましい実施例の略図である。
れすれ角プローブビームを含む、本発明のもう１つの好
ましい実施例の略図である。
【図６】図２に示される構成にハイパテレセントリック
スキャナを組み入れた、本発明の好ましい実施例の略図
である。
スキャナを組み入れた、本発明の好ましい実施例の略図
である。
【図７】図２に示される構成に、垂直方位方向にブラッ
グセルスキャナを組み入れた、本発明の好ましい実施例
の略図である。
グセルスキャナを組み入れた、本発明の好ましい実施例
の略図である。
１０ レーザ １２ ビームスプリッタ １４ プローブビーム １６ ビーム １８ 反射体 ２０ 反射体 ２２ レンズ ２４ ワークピース表面 ２６ ワークピース ２８ 粒子又は***部 ３０ ブラッグセル ３２ リファレンスビーム ３４ レンズ ３６ 散乱プローブビーム ３８ リファレンスビーム ４０ 検出器 ５０ ブラッグセル ５２ プローブビーム ５４ リファレンスビーム ５６ レンズ ６０ 散乱プローブビーム ６２ 散乱リファレンスビーム
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ドナルド マイケル デケイン アメリカ合衆国10021、ニューヨーク州ニ ューヨーク、イースト セヴンティーセヴ ンス ストリート 345、アパートメント ６ジー (72)発明者 フィリップ チャールズ ダンビー ホッ ブズ アメリカ合衆国10510、ニューヨーク州ブ ライアークリフ マナー、オーチャード ロード 55 (72)発明者 マーク アラン トーベンブラット アメリカ合衆国10570、ニューヨーク州プ レズントヴィル、レランド アヴェニュー 67
Claims (6)
- 【請求項１】 異なる波長のプローブビーム及びリファ
レンスビームを発生すると共に、前記プローブビームで
表面を照明するための手段と、 表面の粒子を捕える前記プローブビームから起こる散乱
プローブビームを検出し、表面が前記リファレンスビー
ムで照明される場合に表面をすれすれの角度で捕える前
記リファレンスビームからの実リファレンスビームを検
出すると共に、前記リファレンスビームで照明されてい
る表面が無い場合に前記リファレンスビームから起こる
仮想リファレンスビームを検出するための手段であっ
て、表面の粒子の存在を示すビート周波数信号を発生す
る検出器手段と、 を備えた表面粒子検出装置。 - 【請求項２】 前記検出器手段はロイド鏡検出器及びヘ
テロダイン検出器の内の一方である請求項１記載の表面
粒子検出装置。 - 【請求項３】 前記発生手段は、レーザ及びブラッグセ
ル、ゼーマンスプリットレーザ、並びに２つのレーザか
らなるグループから選択される請求項１記載の表面粒子
検出装置。 - 【請求項４】 異なる波長のプローブビーム及びリファ
レンスビームを発生するステップと、 前記プローブビームで表面を照明するステップと、 表面の粒子を捕える前記プローブビームから起こる散乱
プローブビームを検出し、表面が前記リファレンスビー
ムで照明される場合に表面をすれすれの角度で捕える前
記リファレンスビームからの実リファレンスビームを検
出し、前記リファレンスビームで照明されている表面が
無い場合に前記リファレンスビームから起こる仮想リフ
ァレンスビームを検出し、表面の粒子の存在を示すビー
ト周波数信号を発生するステップと、 を含む表面粒子検出方法。 - 【請求項５】 前記検出ステップは、ロイド鏡検出ステ
ップ及びヘテロダイン検出ステップの内の一方を含む請
求項５記載の表面粒子検出方法。 - 【請求項６】 前記発生ステップは、レーザ及びブラッ
グセル、ゼーマンスプリットレーザ、並びに２つのレー
ザから成るグループから選択される手段によって、前記
プローブビーム及び前記リファレンスビームを発生する
ステップを含む請求項５記載の表面粒子検出方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US897198 | 1992-06-11 | ||
| US07/897,198 US5343290A (en) | 1992-06-11 | 1992-06-11 | Surface particle detection using heterodyne interferometer |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0650903A true JPH0650903A (ja) | 1994-02-25 |
Family
ID=25407512
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5087324A Pending JPH0650903A (ja) | 1992-06-11 | 1993-04-14 | 表面粒子検出装置及び方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5343290A (ja) |
| JP (1) | JPH0650903A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008020359A (ja) * | 2006-07-13 | 2008-01-31 | Hitachi High-Technologies Corp | 表面検査方法及び装置 |
| JP2023508115A (ja) * | 2019-12-31 | 2023-02-28 | エーエスエムエル ホールディング エヌ．ブイ． | 汚染検出計測システム、リソグラフィ装置、それらの方法 |
Families Citing this family (24)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5486919A (en) * | 1992-04-27 | 1996-01-23 | Canon Kabushiki Kaisha | Inspection method and apparatus for inspecting a particle, if any, on a substrate having a pattern |
| JP3234353B2 (ja) * | 1993-06-15 | 2001-12-04 | 富士写真フイルム株式会社 | 断層情報読取装置 |
| US5724132A (en) * | 1995-11-21 | 1998-03-03 | Hitachi Electronics Engineering Co., Ltd. | Extraneous substance inspection apparatus for patterned wafer |
| US6018391A (en) * | 1997-01-28 | 2000-01-25 | Advantest Corporation | Method and apparatus for inspecting foreign matter by examining frequency differences between probing light beam and reference light beam |
| US6355570B1 (en) * | 1998-03-04 | 2002-03-12 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor manufacturing methods, plasma processing methods and plasma processing apparatuses |
| JP3833810B2 (ja) * | 1998-03-04 | 2006-10-18 | 株式会社日立製作所 | 半導体の製造方法並びにプラズマ処理方法およびその装置 |
| US6151127A (en) * | 1998-05-28 | 2000-11-21 | The General Hospital Corporation | Confocal microscopy |
| DE19903486C2 (de) * | 1999-01-29 | 2003-03-06 | Leica Microsystems | Verfahren und Vorrichtung zur optischen Untersuchung von strukturierten Oberflächen von Objekten |
| US6507393B2 (en) * | 1999-05-12 | 2003-01-14 | John Samuel Batchelder | Surface cleaning and particle counting |
| US6177993B1 (en) | 1999-12-07 | 2001-01-23 | The Regents Of The University Of California | Inspection of lithographic mask blanks for defects |
| US20020191179A1 (en) * | 2000-11-13 | 2002-12-19 | Tukker Teunis Willem | Measurement of surface defects |
| US6825437B2 (en) * | 2001-01-17 | 2004-11-30 | Hitachi, Ltd. | Apparatus enabling particle detection utilizing wide view lens |
| US6597446B2 (en) | 2001-03-22 | 2003-07-22 | Sentec Corporation | Holographic scatterometer for detection and analysis of wafer surface deposits |
| US6469787B1 (en) * | 2001-04-03 | 2002-10-22 | Ohio Aerospace Institute | Dynamic light scattering homodyne probe |
| IL146386A (en) * | 2001-11-08 | 2010-02-17 | Nova Measuring Instr Ltd | Method and apparatus for measuring thin films |
| EP1495304A4 (en) | 2002-04-01 | 2009-11-18 | Convey Technology Inc | SURFACE CLEANING AND PARTICLE COUNTING |
| US7453569B2 (en) * | 2002-07-31 | 2008-11-18 | Jan Arwood Northby | Method and apparatus for measuring particle motion using scattered radiation |
| JP2004271519A (ja) * | 2003-02-18 | 2004-09-30 | Topcon Corp | 表面検査装置 |
| US20070229833A1 (en) * | 2006-02-22 | 2007-10-04 | Allan Rosencwaig | High-sensitivity surface detection system and method |
| CN103018258B (zh) * | 2011-09-23 | 2015-11-25 | 深圳中科飞测科技有限公司 | 晶圆检测方法以及晶圆检测装置 |
| ES2549395B1 (es) * | 2014-04-24 | 2016-05-25 | Fund Tekniker | Sensor de suciedad y procedimiento para detectar la cantidad de suciedad de una superficie |
| FR3049710B1 (fr) * | 2016-03-31 | 2020-06-19 | Unity Semiconductor | Procede et systeme d'inspection par effet doppler laser de plaquettes pour la microelectronique ou l'optique |
| JP6414349B1 (ja) | 2018-01-19 | 2018-10-31 | Jnc株式会社 | 光放射装置、物体情報検知装置、光路調整方法、物体情報検知方法、及び、光変調ユニット |
| US11054250B2 (en) * | 2018-04-11 | 2021-07-06 | International Business Machines Corporation | Multi-channel overlay metrology |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5285876A (en) * | 1976-01-05 | 1977-07-16 | Atlantic Res Corp | Method and device for detecting defects of smooth surface |
| JPS5630630A (en) * | 1979-08-23 | 1981-03-27 | Hitachi Ltd | Foreign matter detector |
| JPH02307046A (ja) * | 1989-05-22 | 1990-12-20 | Hitachi Electron Eng Co Ltd | ヘテロダイン法による面板欠陥検出方式および検査装置 |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4669875A (en) * | 1982-11-04 | 1987-06-02 | Hitachi, Ltd. | Foreign particle detecting method and apparatus |
| JPS59186324A (ja) * | 1983-04-07 | 1984-10-23 | Nippon Kogaku Kk <Nikon> | 異物検査装置 |
| JPS60224044A (ja) * | 1984-04-20 | 1985-11-08 | Citizen Watch Co Ltd | 光ヘテロダイン干渉法による表面検査装置 |
| JPS6067845A (ja) * | 1983-09-26 | 1985-04-18 | Nippon Kogaku Kk <Nikon> | 異物検査装置 |
| US4848908A (en) * | 1983-10-24 | 1989-07-18 | Lockheed Missiles & Space Company, Inc. | Optical heterodyne roughness measurement system |
| JPS6361152A (ja) * | 1986-09-01 | 1988-03-17 | Mitsubishi Electric Corp | レ−ザビ−ム検査方法 |
| US4740708A (en) * | 1987-01-06 | 1988-04-26 | International Business Machines Corporation | Semiconductor wafer surface inspection apparatus and method |
| JPH0781958B2 (ja) * | 1989-06-23 | 1995-09-06 | 三菱電機株式会社 | 微細粒子測定装置 |
-
1992
- 1992-06-11 US US07/897,198 patent/US5343290A/en not_active Expired - Fee Related
-
1993
- 1993-04-14 JP JP5087324A patent/JPH0650903A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5285876A (en) * | 1976-01-05 | 1977-07-16 | Atlantic Res Corp | Method and device for detecting defects of smooth surface |
| JPS5630630A (en) * | 1979-08-23 | 1981-03-27 | Hitachi Ltd | Foreign matter detector |
| JPH02307046A (ja) * | 1989-05-22 | 1990-12-20 | Hitachi Electron Eng Co Ltd | ヘテロダイン法による面板欠陥検出方式および検査装置 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008020359A (ja) * | 2006-07-13 | 2008-01-31 | Hitachi High-Technologies Corp | 表面検査方法及び装置 |
| JP2023508115A (ja) * | 2019-12-31 | 2023-02-28 | エーエスエムエル ホールディング エヌ．ブイ． | 汚染検出計測システム、リソグラフィ装置、それらの方法 |
| US11803119B2 (en) | 2019-12-31 | 2023-10-31 | Asml Holding N.V. | Contaminant detection metrology system, lithographic apparatus, and methods thereof |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5343290A (en) | 1994-08-30 |
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